JP2017125709A - 漏洩磁束探傷装置 - Google Patents
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Description
図1(a)に示すような方法では、様々な角度を有するきず(管の軸方向に延びる軸方向きず、管の周方向に延びる周方向きず、管の軸方向及び周方向の間に延びる斜めきず)が周方向に回転しながら探傷プローブの直下を通過することになる。従来、管の品質保証において検出対象とされるきずは、軸方向きず及び周方向きずに限定されていたが、近年の品質保証の厳格化に伴い、斜めきずであっても検出することが要求される場合がある。すなわち、同じ寸法のきずであれば、全ての方向のきずを同等の感度で検出することが要求される場合がある。前述のように、きず信号の振幅は、管に作用させる磁界の方向ときずの延びる方向とが直交する場合に最大となるため、全ての方向のきずを同等の感度で検出するには、きずが探傷プローブの直下にあるタイミングで全方向の磁界を作用させ、各磁化方向で探傷することが必要である。
検出コイルが周方向きずを通過する際、周方向きずが検出コイルに対して軸方向のどの位置にある場合であっても(周方向きずがF1、F2、F2のいずれの位置にある場合であっても)、検出コイルから出力される探傷信号(きず信号)の振幅は、所定の範囲内(例えば、最大振幅の−3dB以内)であることが望ましい。しかしながら、周方向きずが検出コイルの中心に位置する場合(周方向きずがF2の位置にある場合)、図2(a)に示すように、検出コイルを通過する漏洩磁束の上向き成分と下向き成分とが相殺されるため、検出コイルを通過する漏洩磁束の総和がゼロとなり、図2(b)に示すように、探傷信号の振幅もゼロとなる。周方向きずが検出コイルの中心からわずかにずれて位置する場合、漏洩磁束の上向き成分と下向き成分との差がわずかであるため、極めて小さな振幅の探傷信号しか得られない。すなわち、特許文献1に提案されている図2(a)に示すような平面状の検出コイルを用いる場合、周方向きずが検出コイルの中心の直下を通過する位置を中心として、探傷信号の振幅が許容値を超えて低下し、周方向きずを検出できなくなる領域(不感帯)が生じるという問題がある。
しかしながら、図3(a)に示すような配置の場合、複数の探傷プローブを配置する必要があるため、装置全体が大型化するという問題がある。また、図3(b)に示すように、管の中心から外側に対向配置された探傷プローブ(検出コイルA、C)と管表面とのリフトオフL2が、管の中心に対向配置された探傷プローブ(検出コイルB)と管表面とのリフトオフL1よりも大きくなり、検出感度の低下や、きずの検出能(S/N比)の低下に通じるという問題もある。
以上に説明した被探傷材が管である場合と異なり、被探傷材が板である場合には、探傷プローブの配置位置が異なることに伴うリフトオフの変化に起因した問題は生じないものの、装置全体が大型化するという問題は残る。
また、被探傷材に回転磁界を作用させる場合のみならず、前述のように一方向(管の軸方向)にのみ磁界を作用させる場合にも同様の問題が生じる。
具体的には、複数の検出コイルを、磁界を作用させる方向に沿って、なお且つ、検出コイルの漏洩磁束検出方向から見て、隣接する検出コイルが重複する部分を有するように、各検出コイルの位置をずらして配置すれば、隣接する一方の検出コイルの不感帯(一方の検出コイルの中心近傍)に位置する漏洩磁束が他方の検出コイル(他方の検出コイルの中心近傍外)で検出され、他方の不感帯に位置する漏洩磁束が一方の検出コイルで検出されることが期待でき、検出コイル全体としては不感帯を抑制可能であることに想到した。また、図3(a)に示す構成と異なり、磁界を作用させる方向(管の軸方向)に垂直な方向(管の周方向)に、励磁コイル及び検出コイルを具備する複数の探傷プローブを並べる必要が無いため、装置が大型化しないということに想到した。
このため、本発明者らは更に鋭意検討した結果、磁化手段として、複数の検出コイルと同様に、磁界を作用させる方向に沿って重複する部分を有するように互いに位置をずらして複数の励磁コイルを配置し、磁界を作用させる方向について、各励磁コイルの中心位置と各検出コイルの中心位置とを略同一にする構成に想到した。これにより、励磁コイルと各検出コイルとの位置関係が検出コイルに関わらず同等となるため、探傷信号にノイズが生じることを抑制し、きずの検出能の低下を抑制可能である。また、複数の励磁コイルを用いるとしても、重複する部分を有するように配置するため、装置が大型化しないという利点を維持可能である。
すなわち、前記課題を解決するため、本発明は、被探傷材に対向配置され、該被探傷材を磁化する磁化手段と、前記被探傷材に対向配置され、前記磁化手段によって磁化された前記被探傷材から生じる漏洩磁束を検出する検出手段とを備え、前記磁化手段は、それぞれ前記被探傷材の表面に平行な第1方向に磁界を生成するように、それぞれ交流の第1励磁電流が通電される導線が巻回されると共に、前記第1方向に沿って重複する部分を有するように互いに位置がずれて配置された複数の第1励磁コイルを具備し、前記検出手段は、前記第1方向に沿って重複する部分を有するように互いに位置がずれて配置され、前記被探傷材の表面に垂直な方向の漏洩磁束を検出する前記第1励磁コイルと同数の複数の平面状の検出コイルからなり、前記複数の各検出コイルの前記第1方向についての中心位置が、前記複数の各第1励磁コイルの前記第1方向についての中心位置と略同一であることを特徴とする漏洩磁束探傷装置を提供する。
また、複数の各検出コイルの第1方向についての中心位置が、複数の各第1励磁コイルの第1方向についての中心位置と略同一であり、第1励磁コイルと各検出コイルの位置関係が検出コイルに関わらず同等となるため、探傷信号にノイズが生じることを抑制し、きずの検出能の低下を抑制可能である。
すなわち、本発明によれば、装置を大型化することなく、不感帯を抑制可能で、なお且つ、高いきず検出能を有する漏洩磁束探傷装置が提供される。
すなわち、好ましくは、前記被探傷材は管であり、前記第1方向が前記管の軸方向に沿い、前記第2方向が前記管の周方向に沿うように、前記磁化手段及び前記検出手段が配置される。
最初に、本発明を完成するに至るまでに得た本発明者らの知見について、具体的に説明する。
前述のように、本発明者らは、磁界を作用させる方向に沿って重複する部分を有するように互いに位置をずらして配置した複数の検出コイルに対して、磁化手段として、共通する励磁コイルを用いた場合には、探傷信号にノイズが生じ、きずの検出能が低下するおそれがあることを知見した。
図4は、探傷信号にノイズが生じる理由を説明する説明図である。図4(a)は、複数の検出コイルの配置状態と、被探傷材にきずが存在しない場合に励磁コイルが生成する磁束とを模式的に示す図である。図4(b)は、図4(a)に示す各検出コイルから出力される探傷信号を模式的に示す図である。図4(c)は、図4(b)に示す探傷信号を励磁電流を参照信号として同期検波した後の出力信号を模式的に示す図である。
図4(a)に示す3つの検出コイルA、B、Cは、X方向に沿って重複する部分を有するように互いに位置をずらして配置されている。すなわち、3つの検出コイルA、B、Cは、Z方向から見て重複する部分を有するように、X方向に沿って互いに位置をずらして配置されている。そして、3つの検出コイルA、B、Cに対して、図1(b)に示すX方向励磁コイルのように、X方向に磁界を作用させる共通の励磁コイルが用いられ、検出コイルBは、磁界を作用させるX方向について、共通の励磁コイルと中心位置が略一致しているとする。
図4(b)に示すような検出コイルA、B、Cの探傷信号を励磁コイルに通電する励磁電流を参照信号として同期検波した場合、図4(c)に示すように、検出コイルA、Cの探傷信号は同期検波後には直流バイアス信号となる。このため、通常はハイパスフィルタを通すことで、見かけ上の出力をゼロにすることが可能である。しかしながら、被探傷材に広範囲に亘る透磁率の変動部位が存在する場合、励磁コイル及び検出コイルと被探傷材との磁気結合が変化することで、被探傷材に入る磁束及び被探傷材から出てくる磁束の大きさが変化する。検出コイルBについては、磁束の大きさが変化しても前述の通り、磁束の上向き成分と下向き成分とが相殺されるため、探傷信号(同期検波後を含む)の振幅はゼロのままであるが、検出コイルA、Cについては、直流バイアス信号が変化するため、同期検波後の出力信号のベースラインを変動させ、ノイズが生じる原因となる。
以上に説明した知見に基づき、本発明者らは、本発明を完成するに至った。
図5は、本発明の第1実施形態に係る漏洩磁束探傷装置の概略構成を示す図である。図5(a)は、装置全体の構成を示す正面図であり、図5(b)は、図5(a)に示す探傷プローブの拡大平面図であり、図5(c)は、図5(b)に示す各検出コイルの位置関係を説明する平面図である。
図5に示すように、第1実施形態に係る漏洩磁束探傷装置100は、管Pに対向配置され、管Pを磁化する磁化手段1と、管Pに対向配置され、磁化手段1によって磁化された管Pから生じる漏洩磁束を検出する検出手段2とを備えている。また、第1実施形態に係る漏洩磁束探傷装置100は、検出手段2から出力される探傷信号に信号処理を施す信号処理手段3を備えている。
各第1励磁コイル12のX方向のずれ量が各検出コイルのX方向のずれ量と略同一である(すなわち、各第1励磁コイル12のX方向についての中心位置が各検出コイルのX方向についての中心位置と略同一である)とは、各第1励磁コイル12のずれ量と各検出コイルのずれ量との差を完全にゼロにする必要は無く、所望するきずの検出能(S/N比)等が得られる精度でゼロに近づければよいことを意味する。
例えば、各第1励磁コイル12のX方向のずれ量と各検出コイルのX方向のずれ量との差を、各ずれ量の絶対値の平均値の±2%程度以内に抑制すれば、良好なS/N比が得られることが、これまでの本発明者らの実験からわかっている。しかしながら、ずれ量の差を±2%程度以内に抑制することは必須ではなく、被探傷材である管Pを探傷した際のS/N比が所望する数値以上(例えば、3以上)となるように、ずれ量の差を設定することも可能である。具体的には、各第1励磁コイル12のX方向のずれ量及び各検出コイルのX方向のずれ量の双方又は何れか一方を変化させながらS/N比を評価し、S/N比が最大となるずれ量を最適なずれ量として設定することも可能である。
図5(c)に示すように、本実施形態では、隣接する検出コイル2a、2bのX方向のずれ量と、隣接する検出コイル2b、2cのX方向のずれ量は、同じ値Lに設定されている。
また、各導線12a’〜12c’を同時にX方向に互いに隙間無く巻回することで、各第1励磁コイル12a〜12cが形成された後にも、各導線12a’〜12c’のX方向の間隔を一定に保つことができる。したがい、各導線12a’〜12c’の位置を固定するための案内溝等をボビン11に加工する必要がなく、各第1励磁コイル12a〜12cの形状を同一にすることが可能である。なお、ボビン11に案内溝等が加工されていることにより、各第1励磁コイル12a〜12cの形状が一定に保たれる場合には、各導線12a’〜12c’を、同時ではなく個別に巻回することも可能である。
また、複数の各検出コイル2a、2b、2cのX方向についての中心位置が、複数の各第1励磁コイル12a、12b、12cのX方向についての中心位置と略同一であり、第1励磁コイル12a、12b、12cと各検出コイル2a、2b、2cの位置関係が検出コイル2に関わらず同等となるため、探傷信号にノイズが生じることを抑制し、きずの検出能の低下を抑制可能である。
すなわち、第1実施形態に係る漏洩磁束探傷装置100は、大型化することなく、不感帯を抑制可能で、なお且つ、高いきず検出能を有するという利点を有する。
第2実施形態に係る漏洩磁束探傷装置は、主として磁化手段の構成が第1実施形態と異なる。第2実施形態では、図5を参照して前述した第1実施形態に係る漏洩磁束探傷装置100が具備する探傷プローブ4が、以下に説明する探傷プローブ4Aに置き換わる。
以下、第2実施形態に係る漏洩磁束探傷装置について、主として第1実施形態と異なる点について説明し、同じ点については説明を省略する。
図7は、本発明の第2実施形態に係る漏洩磁束探傷装置が具備する探傷プローブ4Aの概略構成を示す平面図である。
図7に示すように、探傷プローブ4Aに設けられた磁化手段1Aは、第1実施形態と同様の第1励磁コイル12に加えて、第2励磁コイル14を更に具備する。
上記のように構成すれば、同期検波の効果(探傷信号から高いS/N比できず信号を抽出する)を十分に得ることが可能である。上記の構成の詳細については、特許文献1と同様であるため、ここでは詳細な説明は省略する。
第3実施形態に係る漏洩磁束探傷装置は、主として磁化手段の構成が第1実施形態及び第2実施形態と異なる。第3実施形態では、図5を参照して前述した第1実施形態に係る漏洩磁束探傷装置100が具備する探傷プローブ4が、以下に説明する探傷プローブ4Bに置き換わる。
以下、第3実施形態に係る漏洩磁束探傷装置について、主として第1実施形態及び第2実施形態と異なる点について説明し、同じ点については説明を省略する。
図8は、本発明の第3実施形態に係る漏洩磁束探傷装置が具備する探傷プローブ4Bの概略構成を示す図である。図8(a)は、探傷プローブ4Bが具備するボビン11Bの概略構成を示す斜視図であり、図8(b)は探傷プローブ4Bの概略構成を示す平面図である。なお、図8(b)では、便宜上、第1励磁コイル及び検出コイルの図示を省略しているが、実際には、第1実施形態及び第2実施形態の第1励磁コイル2及び検出コイル2a、2b、2cと同様の第1励磁コイル及び検出コイルを具備している。
前述のように、各第2励磁コイル14のX方向のずれ量は、各検出コイルのX方向のずれ量と略同一とされている。これにより、各励磁コイル14a、14b、14cのX方向についての中心位置は、各検出コイル2a、2b、2c(図5参照)のX方向についての中心位置と略同一となっている。すなわち、検出コイル2a(図5参照)のX方向についての中心位置は、第2励磁コイル14aの中心位置と略同一であり、検出コイル2b(図5参照)のX方向についての中心位置は、第2励磁コイル14bの中心位置と略同一であり、検出コイル2c(図5参照)のX方向についての中心位置は、第2励磁コイル14cの中心位置と略同一である。
以下、第1実施形態に係る漏洩磁束探傷装置を用いて、不感帯及びきず検出能を評価した結果の一例について説明する。
評価試験の条件は以下の通りである。
(1)第1励磁電流の周波数:200kHz
(2)被探傷材(管P):13%Cr鋼管、外径60.3mm、肉厚5.0mm
(3)管Pの回転周速:350mm/sec
(4)検出コイル2a、2b、2c:外径4.0mm、管軸方向ずれ量1.5mm
(5)第1励磁コイル:12a、12b、12c:巻幅6.0mm、管軸方向ずれ量1.5mm
(6)管Pの1回転毎の探傷ピッチ(探傷プローブ4の管軸方向移動量):0.25mm
(7)きず:周方向人工きず、周方向長さ25mm、軸方向長さ(幅)0.5mm、深さ0.3mm
図10〜図12に示すように、管Pが1回転する毎に、探傷プローブ4の位置が管軸方向に0.25mmピッチずつずれながら、きず信号を得ている。各探傷信号の正負ピークの中間には、きず信号5回分、すなわち、0.25mm×5=1.25mmの不感帯が存在することが分かる。これに対して、各検出コイル2a、2b、2cの正負の最大振幅から−3dB以内となる高感度帯は、6回分、すなわち、0.25mm×5=1.5mmである。検出コイル2a、2b、2cは、管軸方向に1.5mmずれているため、検出コイル2aの不感帯は、隣接する検出コイル2bの高感度帯が補い、検出コイル2bの不感帯は、隣接する検出コイル2a、2cの高感度帯が補い、検出コイル2cの不感帯は、隣接する検出コイル2bの高感度帯が補っている。
図13に示すように、きず信号の負のピークが正のピークの80%程度しかないため、負の信号を用いた際の高感度帯(正の最大振幅から−3dB以内となる領域)を満たす寸法が著しく低下する(0.25mm×2=0.5mm程度)。
また、図13に示すように、探傷信号のベースラインの変動も、図10〜図12に比べて大きくなる。
図14に示すように、図13に示す結果と同様の傾向がより一層拡大され、負のピークが殆ど確認されない状態である。
また、図14に示すように、探傷信号のベースラインの変動も、図10〜図12に比べて大きくなる。
2・・・検出手段
2a、2b、2c・・・検出コイル
3・・・信号処理手段
4・・・探傷プローブ
11・・・ボビン
12、12a、12b、12c・・・第1励磁コイル
100・・・漏洩磁束探傷装置
P・・・管(被探傷材)
Claims (5)
- 被探傷材に対向配置され、該被探傷材を磁化する磁化手段と、
前記被探傷材に対向配置され、前記磁化手段によって磁化された前記被探傷材から生じる漏洩磁束を検出する検出手段とを備え、
前記磁化手段は、それぞれ前記被探傷材の表面に平行な第1方向に磁界を生成するように、それぞれ交流の第1励磁電流が通電される導線が巻回されると共に、前記第1方向に沿って重複する部分を有するように互いに位置がずれて配置された複数の第1励磁コイルを具備し、
前記検出手段は、前記第1方向に沿って重複する部分を有するように互いに位置がずれて配置され、前記被探傷材の表面に垂直な方向の漏洩磁束を検出する前記第1励磁コイルと同数の複数の平面状の検出コイルからなり、
前記複数の各検出コイルの前記第1方向についての中心位置が、前記複数の各第1励磁コイルの前記第1方向についての中心位置と略同一であることを特徴とする漏洩磁束探傷装置。 - 前記磁化手段は、前記第1方向及び前記検出コイルの漏洩磁束検出方向にそれぞれ直交する第2方向に磁界を生成するように、前記第1励磁電流と位相が90°ずれた交流の第2励磁電流が通電される導線が巻回された第2励磁コイルを更に具備することを特徴とする請求項1に記載の漏洩磁束探傷装置。
- 前記磁化手段は、前記第1方向に沿って重複する部分を有するように互いに位置がずれて配置され、前記検出コイルと同数の複数の前記第2励磁コイルを具備し、
前記複数の各第2励磁コイルの前記第1方向についての中心位置が、前記複数の各検出コイルの前記第1方向についての中心位置と略同一であることを特徴とする請求項2に記載の漏洩磁束探傷装置。 - 前記第1励磁電流及び前記第2励磁電流は、それぞれ第1交流電流と該第1交流電流よりも周波数の小さい第2交流電流とを重畳した交流電流であることを特徴とする請求項2又は3に記載の漏洩磁束探傷装置。
- 前記被探傷材は管であり、
前記第1方向が前記管の軸方向に沿い、前記第2方向が前記管の周方向に沿うように、前記磁化手段及び前記検出手段が配置されていることを特徴とする請求項1から4の何れかに記載の漏洩磁束探傷装置。
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