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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7187322B2 (ja) * 2017-02-01 2022-12-12 出光興産株式会社 結晶質酸化物半導体薄膜、積層体の製造方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、電子機器、車載用表示装置
JP7082947B2 (ja) * 2017-02-01 2022-06-09 出光興産株式会社 非晶質酸化物半導体膜、酸化物焼結体、薄膜トランジスタ、スパッタリングターゲット、電子機器及び非晶質酸化物半導体膜の製造方法
KR102507426B1 (ko) * 2017-03-30 2023-03-07 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 가넷 화합물, 산화물 소결체, 산화물 반도체 박막, 박막 트랜지스터, 전자 기기, 및 이미지 센서
JP6930885B2 (ja) * 2017-09-21 2021-09-01 株式会社東芝 半導体装置
US11760650B2 (en) * 2018-08-01 2023-09-19 Idemitsu Kosan Co.,Ltd. Compound
CN116240630A (zh) * 2018-08-01 2023-06-09 出光兴产株式会社 晶体化合物、氧化物烧结体、溅射靶、晶质及无定形氧化物薄膜、薄膜晶体管及电子设备
KR102428977B1 (ko) * 2019-03-28 2022-08-03 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 결정 산화물 박막, 적층체 및 박막 트랜지스터
CN114747020A (zh) * 2019-11-29 2022-07-12 株式会社Flosfia 半导体装置及半导体系统
JPWO2023063348A1 (cg-RX-API-DMAC7.html) * 2021-10-14 2023-04-20
WO2023189003A1 (ja) * 2022-03-30 2023-10-05 株式会社ジャパンディスプレイ 薄膜トランジスタ及び電子機器

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090090914A1 (en) * 2005-11-18 2009-04-09 Koki Yano Semiconductor thin film, method for producing the same, and thin film transistor
EP2471972B1 (en) 2006-12-13 2014-01-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Sputtering target
JP5237557B2 (ja) 2007-01-05 2013-07-17 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP5244327B2 (ja) 2007-03-05 2013-07-24 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット
JP5237558B2 (ja) 2007-01-05 2013-07-17 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット及び酸化物半導体膜
US9269573B2 (en) * 2008-09-17 2016-02-23 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Thin film transistor having crystalline indium oxide semiconductor film
WO2010070944A1 (ja) 2008-12-15 2010-06-24 出光興産株式会社 酸化インジウム系焼結体及びスパッタリングターゲット
KR20100070944A (ko) 2008-12-18 2010-06-28 배경환 밝기 조절 스탠드
JP5491258B2 (ja) 2010-04-02 2014-05-14 出光興産株式会社 酸化物半導体の成膜方法
JP5689250B2 (ja) 2010-05-27 2015-03-25 出光興産株式会社 酸化物焼結体、それからなるターゲット及び酸化物半導体薄膜
JP5189674B2 (ja) * 2010-12-28 2013-04-24 出光興産株式会社 酸化物半導体薄膜層を有する積層構造、積層構造の製造方法、薄膜トランジスタ及び表示装置
JP2012144410A (ja) 2011-01-14 2012-08-02 Kobelco Kaken:Kk 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット
KR20120090490A (ko) 2011-02-08 2012-08-17 주식회사 지.엠 기판 검사장치
JP2012169344A (ja) 2011-02-10 2012-09-06 Sony Corp 薄膜トランジスタならびに表示装置および電子機器
KR102124557B1 (ko) 2011-06-08 2020-06-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링 타겟, 스퍼터링 타겟의 제조 방법 및 박막의 형성 방법
WO2013021632A1 (ja) * 2011-08-11 2013-02-14 出光興産株式会社 薄膜トランジスタ
JP5301021B2 (ja) * 2011-09-06 2013-09-25 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット
US9062390B2 (en) 2011-09-12 2015-06-23 Asm International N.V. Crystalline strontium titanate and methods of forming the same
JP5966840B2 (ja) * 2012-10-11 2016-08-10 住友金属鉱山株式会社 酸化物半導体薄膜および薄膜トランジスタ
JP2015018959A (ja) * 2013-07-11 2015-01-29 出光興産株式会社 酸化物半導体及び酸化物半導体膜の製造方法
US9455349B2 (en) * 2013-10-22 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion
JP2015109315A (ja) * 2013-12-03 2015-06-11 出光興産株式会社 薄膜トランジスタ、その製造方法、酸化物半導体層、表示装置及び半導体装置
CN115340360B (zh) * 2013-12-27 2023-06-27 出光兴产株式会社 氧化物烧结体、该烧结体的制造方法及溅射靶

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