JP2017120823A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一実施の形態における半導体装置は、それぞれ閉じたパターンから構成された複数の素子分離部(IU1、IU2)のそれぞれに内包された複数のアクティブバリア部(ABU1、ABU2)のそれぞれを備える。すなわち、複数のアクティブバリア部(ABU1、ABU2)のそれぞれは、互いに電気的に分離されている。
【選択図】図4
Description
<出力部の構成例>
図1は、本実施の形態1における出力部の構成例を示す回路図である。図1に示すように、本実施の形態1における出力部は、電源電位が印加される電源線VHと、基準電位であるグランド電位(GND電位)が印加されるグランド線VLとの間に直列接続されたパワートランジスタQHとパワートランジスタQLとから構成されている。このとき、電源線VH側に接続されたパワートランジスタQHは、ハイサイド素子と呼ばれる一方、グランド線VL側に接続されたパワートランジスタQLは、ローサイド素子と呼ばれる。
図2は、本実施の形態1における半導体チップCHP1のデバイス構造を示す断面図である。図2において、半導体チップCHP1は、中央部に回路部形成領域CRを有し、この回路部形成領域CRを挟む外側にアクティブバリア領域ABR1とアクティブバリア領域ABR2とを有している。そして、半導体チップCHP1は、スペース領域R1を介したアクティブ領域ABR1の外側に出力部形成領域OTR1を有するとともに、スペース領域R2を介したアクティブ領域ABR2の外側に出力部形成領域OTR2を有する。
次に、例えば、電界効果トランジスタやバイポーラトランジスタからなる集積回路を含む回路部CTと、負荷と接続される出力部(OT1、OT2)の構成要素であるパワートランジスタとが混載された半導体チップCHP1(以下、混載品ともいう)に特有の構造について説明する。すなわち、本実施の形態1における半導体チップCHP1は、集積回路とパワートランジスタとが混載された構造を有しており、例えば、単体のパワートランジスタだけが形成された半導体チップ(以下、ディスクリート品という)とは異なる特有の構造を有しているので、以下に、この点について説明する。
以下に、この誤動作が発生するメカニズムについて、図1および図2を参照しながら説明する。まず、図1において、デッドタイム中には、インダクタンスLによる電流変化を妨げる性質によって、ボディダイオードBD2およびダイオードD2を介して、点線矢印(2)で示す経路の電流が流れる。このとき、ローサイド素子であるパワートランジスタQLに着目すると、グランド線VLから接続ノードNAに向かって電流が流れるということは、パワートランジスタQLのドレイン(接続ノードNA)の電位が、パワートランジスタQLのソース(グランド)よりも低い電位になることを意味する。このことは、パワートランジスタQLのドレインが負電位になること意味するものである。
まず、出力部OT1に接続されている負荷に含まれるインダクタンスによって、出力部形成領域OTR1に形成されているエピタキシャル層EPIから半導体基板1Sに電子が注入される場合を考える。この場合、アクティブバリア部ABU1が存在すると、半導体基板1S内に注入された電子は、アクティブバリア部ABU1のn型半導体層(NR1A,NR1B、NR1C)に流れ込む。一方、図2に示すように、アクティブバリア部ABU1は、グランド電位が印加される半導体基板1Sと電気的に接続されたp型半導体層(PR1A、PR1B、PR1C)を有し、このp型半導体層は、n型半導体層とプラグ(PLG1A、PLG1B)と配線WL1を介して電気的に接続されている。したがって、アクティブバリア部ABU1のn型半導体層に電子が流れ込む一方、半導体基板1S→p型半導体層→プラグPLG1B→配線WL1→プラグPLG1A→n型半導体層の経路で正孔が流れる。そして、n型半導体層内において、電子と正孔が再結合することになる。このとき、アクティブバリア部ABU1では、半導体基板1Sからp型半導体層を通ってn型半導体層に電流が流れ、かつ、半導体基板1Sがグランド電位(0V)に固定されていることを考慮すると、p型半導体層の電位は、負電位になることになる。この結果、p型半導体層の周囲の電位は、負電位が発生する。この結果、半導体基板1S内に注入された電子は、p型半導体層の周囲に発生する負電位によって、アクティブバリア部ABU1の先に存在する回路部CTへの進行が妨げられることになる。つまり、電子は、負電荷を有していることから、p型半導体層の周囲に発生する負電位が電子にとってポテンシャル障壁となり、回路部CTへの電子の注入が抑制されるのである。これにより、出力部OT1と回路部CTとの間にアクティブバリア部ABU1を設けることにより、出力部OT1から回路部CTへの意図しない電子の注入が抑制され、これによって、回路部CTを構成するデバイスに誤動作を抑制できるのである。特に、アクティブバリア部ABU1の構成においては、n型半導体層よりもp型半導体層を回路部CTに近づけることが重要であり、これによって、効果的に回路部CTへの電子の注入を抑制することができる。
このように、アクティブバリア部ABU1は、出力部OT1から回路部CTへの意図しない電子の注入を抑制する観点から有用性を有していることがわかる。ところが、アクティブバリア部ABU1の構成に関して、本発明者が検討したところ、出力部OT1から回路部CTへの電子の注入を充分に抑制する観点から改善の検討が必要であることを新たに見出した。すなわち、本発明者は、上述したアクティブバリア部ABU1では、条件によって、かえって、回路部CTへの電子の注入が増大する場合があるという知見を新たに見出し、この知見に基づき、回路部CTへの電子の注入を抑制できる工夫を施している。以下では、まず、本発明者が見出した新たな知見について説明し、その後、この知見に基づき想到された本実施も形態1における技術的思想について説明することにする。
図4は、本実施の形態1における半導体チップCHP1の平面レイアウトを模式的に示す平面図である。図4において、本実施の形態1における半導体チップCHP1は、中央部に矩形形状の出力部CTを有し、図4に示す出力部CTには、エピタキシャル層EPIとプラグPLGを介して接続された配線WLが図示されている。そして、半導体チップCHP1には、この出力部CTを囲むように分離部STI1が形成されている。さらに、図4に示すように、平面視において、分離部STI1で囲まれた回路部CTをx方向に離間して挟むように、出力部OT1と出力部OT2とが配置されている。これらの出力部OT1および出力部OT2のそれぞれは、分離部STI3で囲まれており、図4では、エピタキシャル層EPIとプラグPLGを介して接続された配線WLが図示されている。
続いて、本実施の形態1における特徴点について説明する。本実施の形態1における特徴点は、例えば、図4に示すように、アクティブバリア部ABU1とアクティブバリア部ABU2とが電気的に分離されている点にある。具体的には、図4に示すように、アクティブバリア部ABU1は、閉じたパターンから構成される素子分離部IU1に内包され、かつ、アクティブバリア部ABU2は、閉じたパターンから構成される素子分離部IU2に内包されている。この結果、本実施の形態1によれば、アクティブバリア部ABU1とアクティブバリア部ABU2とを電気的に分離することができる。これにより、本実施の形態1によれば、回路部CTへの電子の入り込みに起因する誤動作を抑制できる。
本実施の形態1における半導体装置は、上記のように構成されており、以下に、その製造方法について、図面を参照しながら説明する。
続いて、本実施の形態1における変形例について説明する。図10は、本変形例における半導体チップCHP1の平面レイアウトを模式的に示す平面図である。図10に示すように、半導体チップCHP1の中央部に回路部CTが配置されている一方、半導体チップCHP1の四隅近傍に4つの出力部OT1〜OT4が配置されている。このように構成されている変形例においても、例えば、4つの出力部OT1〜OT4のそれぞれに接続される負荷に含まれるインダクタンスが大きく異なる場合、4つの出力部OT1〜OT4から半導体基板への電子注入量が大きくことなると考えられる。したがって、本変形例における半導体チップCHP1においても、実施の形態1における技術的思想を適用することが有効である。例えば、本変形例では、図10に示すように、回路部CTを囲むように、閉じたパターンからなる素子分離部IU1〜IU8が配置されており、素子分離部IU1〜IU8のそれぞれに内包されるように、アクティブバリア部ABU1〜ABU8が形成されている。このことから、本変形例において、8つのアクティブバリア部ABU1〜ABU8のそれぞれは、互いに電気的に分離されていることになる。これにより、本変形例においても、電子注入源となる4つの出力部OT1〜OT4における電子の注入量の大小に関わらず、回路部CTへの電子の入り込みを抑制できる結果、回路部CTの誤動作を効果的に抑制することができる。特に、図10に示すように、複数のアクティブバリア部(ABU1〜ABU8)の個数を複数の出力部(OT1〜OT4)の個数よりも多くなるように構成する場合、複数の出力部(OT1〜OT4)からの電子の注入量が大きく異なる場合に生じる悪影響を顕在化しにくくすることができ、これによって、半導体装置の信頼性を向上できる。
<改善の検討>
例えば、複数の素子分離部のそれぞれに内包されるように、複数のアクティブバリア部のそれぞれを形成して、複数のアクティブバリア部を互いに電気的に分離するという前記実施の形態1における特徴点によれば、回路部への電子の注入源となる複数の出力部において、互いに電子の注入量が異なることに起因する副作用を抑制することができる。つまり、前記実施の形態1における技術的思想は、特定の出力部から半導体基板への電子の注入が偏って多くなり過ぎると、この特定の出力部に近い側に配置されているアクティブバリア部に生じる負電位の絶対値が大きくなる。すると、例えば、電子の注入量が多い出力部側に配置されているアクティブバリア部と、電子の注入量が少ない出力部側に配置されているアクティブバリア部とが電気的に接続されていると、電子の注入量が少ない出力部側に配置されているアクティブバリア部にも絶対値の大きな負電位が印加されることになる。この場合、特に、負電位の絶対値がpn接合のビルトインポテンシャル(シリコンの場合、絶対値が約0.7V)を超えると、pn接合が順バイアスされて回路部への電子の入り込みが新たに生じる。この点に関し、前記実施の形態1によれば、たとえ、電子の注入量が多い出力部側に配置されているアクティブバリア部に生じる負電位の絶対値が大きくなっても、電子の注入量が少ない出力部側に配置されているアクティブバリア部に絶対値の大きな負電位が加わることを抑制できる。この結果、電子の注入量が少ない出力部側に配置されているアクティブバリア部に形成されているpn接合に順バイアスが加わることを防止できる。このことから、電子の注入量の少ない出力部側に配置されているアクティブバリア部からの回路部への新たな電子の注入が防止されて、回路部の誤動作を抑制することができる。
そこで、本実施の形態2における基本思想は、アクティブバリア部の電位(絶対値)がpn接合のビルトインポテンシャルを超えない場合には、「接続構造」を実現する一方、アクティブバリア部の電位(絶対値)がpn接合のビルトインポテンシャルを超える場合には、「分離構造」を実現するという技術的思想である。すなわち、本実施の形態2における基本思想は、アクティブバリア部の電位(絶対値)がpn接合のビルトインポテンシャルを超えるか否かによって、「接続構造」と「分離構造」とを切り換えるという技術的思想である。このような本実施の形態2における基本思想によれば、「接続構造」の利点と「分離構造」の利点の両方を得ることができる結果、さらなる半導体装置の信頼性を向上することができる。
以下では、本実施の形態2における基本思想を具現化する構成例について説明する。図11は、本実施の形態2における基本思想を具現化した構成例を模式的に示す図である。図11において、この構成例の特徴点は、アクティブバリア部ABU1の構成要素である配線WL1と、アクティブバリア部ABU2の構成要素である配線WL2との間に、互いに直列接続されたデプレッション型電界効果トランジスタDQ1とデプレッション型電界効果トランジスタDQ2とを有している点にある。そして、デプレッション型電界効果トランジスタDQ1のゲート電極とソースとが電気的に接続され、かつ、デプレッション型電界効果トランジスタDQ2のゲート電極とソースとが電気的に接続されている。さらに、デプレッション型電界効果トランジスタDQ1のしきい値電圧(Vth)は、「約−0.7V」となっており、デプレッション型電界効果トランジスタDQ1のしきい値電圧(Vth)も、「約−0.7V」となっている。
図14は、図11に示す構成例を1つの半導体チップCHP1で実現するデバイス構造の一例を示す断面図である。図14では、図2に示す前記実施の形態1におけるデバイス構造に加えて、スペース領域R3を挟むデプレッション型トランジスタ形成領域DMRと、CMOSトランジスタ形成領域CMRとが追加されている。
本実施の形態2における半導体装置は、上記のように構成されており、以下に、その製造方法について、図面を参照しながら説明する。本実施の形態2における半導体装置の製造方法は、前記実施の形態1における半導体装置とほぼ同様であるため、相違点を中心に説明する。まず、図15は、前記実施の形態1における半導体装置の製造工程を説明する図7に対応する図である。この図15においては、フォトリソグラフィ技術を使用することにより、エピタキシャル層EPI上に、パターニングしたレジスト膜を形成した後、このパターニングしたレジスト膜をマスクにしたイオン注入法により、CMOSトランジスタ形成領域CMRにn型不純物(例えば、リン)を注入する。これにより、CMOSトランジスタ形成領域CMRに、n型ウェルNWLを形成する。そして、パターニングしたレジスト膜をアッシング処理で除去した後、フォトリソグラフィ技術を使用することにより、新たにパターニングしたレジスト膜を形成する。続いて、新たにパターニングしたレジスト膜をマスクにしたイオン注入法により、デプレッション型トランジスタ形成領域DMRにp型ウェルPWL1を形成するとともに、CMOSトランジスタ形成領域CMRにp型ウェルPWL2を形成する。
実施の形態2では、デプレッション型電界効果トランジスタDQ1とデプレッション型電界効果トランジスタDQ2とを使用する例について説明したが、実施の形態2における技術的思想は、これに限らず、例えば、デプレッション型電界効果トランジスタDQ1とデプレッション型電界効果トランジスタDQ2の替わりに、接合トランジスタを使用することもできる。
例えば、実施の形態2における技術的思想は、図10に示す平面レイアウトを有する構成にも適用することができる。この場合、8つのアクティブバリア部ABU1〜ABU8に含まれる任意の2つのアクティブバリア部の間に、互いに直列接続された2個のデプレッション型電界効果トランジスタを接続する。これにより、図10に示す平面レイアウトを有する構成においても、実施の形態2における基本思想を具現化することができる。
実施の形態2では、半導体チップCHP1に、互いに直列接続されたデプレッション型電界効果トランジスタDQ1とデプレッション型電界効果トランジスタDQ2とを形成する構成例について説明した。ただし、実施の形態2における基本思想は、これに限らず、半導体チップCHP1の外部に、互いに直列接続されたデプレッション型電界効果トランジスタDQ1とデプレッション型電界効果トランジスタDQ2と同様の機能を有するオン/オフ制御部を設けることもできる。
ABU1 アクティブバリア部
ABU2 アクティブバリア部
BD1 ボディダイオード
BD2 ボディダイオード
CT 回路部
DQ1 デプレッション型電界効果トランジスタ
DQ2 デプレッション型電界効果トランジスタ
D1 ダイオード
D2 ダイオード
IU1 素子分離部
IU2 素子分離部
L インダクタンス
NR1A n+型半導体層
NR1B n−型半導体層
NR1C n+型半導体層
NR2A n+型半導体層
NR2B n−型半導体層
NR2C n+型半導体層
OT1 出力部
OT2 出力部
PR1A n+型半導体層
PR1B p型半導体層
PR1C n+型半導体層
PR2A n+型半導体層
PR2B p型半導体層
PR2C n+型半導体層
QH パワートランジスタ
QL パワートランジスタ
STI1 分離部
STI2 分離部
STI3 分離部
STI4 分離部
Claims (20)
- 第1出力素子と、
平面視において、前記第1出力素子と離間して設けられた第2出力素子と、
平面視において、前記第1出力素子と前記第2出力素子との間に設けられた回路部と、
平面視において、前記第1出力素子と前記回路部との間に設けられ、かつ、閉じたパターンから構成される第1素子分離部と、
平面視において、前記第2出力素子と前記回路部との間に設けられ、かつ、閉じたパターンから構成される第2素子分離部と、
平面視において、前記第1素子分離部に内包される第1バリア部と、
平面視において、前記第2素子分離部に内包される第2バリア部と、
を備える、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1素子分離部と前記第2素子分離部とは、共有する部分を有する、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
平面視において、前記回路部は、前記第1素子分離部と前記第2素子分離部とによって囲まれている、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1出力素子は、インダクタンスを含む負荷と接続可能であり、
前記第2出力素子は、インダクタンスを含む負荷と接続可能である、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1出力素子は、スイッチング素子から構成され、
前記第2出力素子は、スイッチング素子から構成される、半導体装置。 - 請求項5に記載の半導体装置において、
前記第1出力素子は、第1ハイサイド素子と第1ローサイド素子とを含む第1出力部の前記第1ローサイド素子であり、
前記第2出力素子は、第2ハイサイド素子と第2ローサイド素子とを含む第2出力部の前記第2ローサイド素子である、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1出力素子は、パワートランジスタから構成され、
前記第2出力素子は、パワートランジスタから構成される、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記回路部は、
前記第1出力素子を制御する第1制御回路部と、
前記第2出力素子を制御する第2制御回路部と、
を有する、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1バリア部は、前記第1出力素子から前記回路部への電荷の注入を抑制し、
前記第2バリア部は、前記第2出力素子から前記回路部への電荷の注入を抑制する、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記半導体装置は、
第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された前記第1出力素子と、
前記半導体基板上に形成された前記第2出力素子と、
前記半導体基板上に形成された前記第1バリア部と、
前記半導体基板上に形成された前記第2バリア部と、
を有し、
前記第1バリア部は、
前記半導体基板上に形成され、かつ、前記第1導電型である第1半導体層と、
前記半導体基板上に形成され、かつ、前記第1半導体層と隣接し、かつ、前記第1半導体層よりも前記回路部から離れ、かつ、前記第1導電型とは反対の第2導電型である第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層とを電気的に接続する第1導体パターンと、
を含み、
前記第2バリア部は、
前記半導体基板上に形成された前記第1導電型である第3半導体層と、
前記半導体基板上に形成され、かつ、前記第3半導体層と隣接し、かつ、前記第3半導体層よりも前記回路部から離れ、かつ、前記第2導電型である第4半導体層と、
前記第3半導体層と前記第4半導体層とを電気的に接続する第2導体パターンと、
を含む、半導体装置。 - 請求項10に記載の半導体装置において、
前記第2半導体層は、前記第1半導体層よりも前記第1出力素子に近い位置に配置され、
前記第4半導体層は、前記第3半導体層よりも前記第2出力素子に近い位置に配置されている、半導体装置。 - 請求項10に記載の半導体装置において、
前記第1素子分離部は、第1トレンチに絶縁膜を埋め込んだ構造から構成され、
前記第2素子分離部は、第2トレンチに絶縁膜を埋め込んだ構造から構成され、
前記第1トレンチは、前記半導体基板に達し、
前記第2トレンチは、前記半導体基板に達している、半導体装置。 - 請求項10に記載の半導体装置において、
前記第1導体パターンは、金属配線から構成され、
前記第2導体パターンは、金属配線から構成される、半導体装置。 - 請求項10に記載の半導体装置において、
前記第1導体パターンの平面サイズと前記第2導体パターンの平面サイズとは、互いに等しい、半導体装置。 - 請求項14に記載の半導体装置において、
前記第1導体パターンと前記第2導体パターンとは、前記回路部に対して、対称に配置されている、半導体装置。 - 請求項10に記載の半導体装置において、
前記第1導体パターンの平面サイズと前記第2導体パターンの平面サイズとは、互いに異なる、半導体装置。 - 請求項10に記載の半導体装置において、
前記半導体装置は、前記第1導体パターンと前記第2導体パターンとの間に互いに直列接続された第1電界効果トランジスタと第2電界効果トランジスタとを有し、
前記第1電界効果トランジスタは、デプレッション型であり、
前記第2電界効果トランジスタは、デプレッション型である、半導体装置。 - 請求項10に記載の半導体装置において、
前記半導体装置は、
前記第1導体パターンと電気的に接続された第1端子と、
前記第2導体パターンと電気的に接続された第2端子と、
を有し、
前記第1端子と前記第2端子との間に、前記第1導体パターンと前記第2導体パターンとの間の導通/非導通を制御するオン/オフ制御部が接続可能である、半導体装置。 - それぞれ閉じたパターンから構成された複数の素子分離部と、
平面視において、前記複数の素子分離部によって囲まれた回路部と、
前記複数の素子分離部のそれぞれに内包された複数のバリア部のそれぞれと、
平面視において、前記複数の素子分離部よりも前記回路部から離間して配置された複数の出力素子と、
を備える、半導体装置。 - 請求項19に記載の半導体装置において、
前記複数のバリア部の個数は、前記複数の出力素子の個数よりも多い、半導体装置。
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