JP2017120416A - フォトマスク基板、フォトマスクブランク、フォトマスク、フォトマスク基板の製造方法、フォトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】洗浄工程で異物を発生させる可能性を極力低減し、フォトマスクブランクやフォトマスク製造工程での欠陥発生のリスクを抑えることが可能なフォトマスク基板を提供する。【解決手段】転写用パターンを形成してフォトマスクとするための透明材料からなるフォトマスク基板であって、転写用パターンを形成するための第1主表面、その裏面側にある第2主表面、これらの主表面に垂直な端面を有する。第1主表面の端部近傍に傾斜領域が設けられ、該傾斜領域は、第1面取り面と、第1主表面と第1面取り面の間に設けられた第1曲面を有する。第1面取り面は、第1主表面に対する傾斜角が50度以下で、かつ平面を有する。第1曲面の曲率半径r1(mm)は、0.3＜r1を満たし、第1曲面及び第1面取り面の表面粗さRaが0.05μｍ未満である。【選択図】図２

Description

本発明はフォトマスク基板に関し、更に、それを用いたフォトマスクブランク、フォトマスクに関する。特に、表示装置製造用のフォトマスク基板として有利な基板に関する。

転写用パターンを形成してフォトマスクとするための基板は、主に、合成石英ガラス等の透明材料からなり、四角形の主表面をもつ基板を、研磨などによって加工して製造される。表裏２つの主表面のいずれかには、転写用パターンが形成される。転写用パターンは、得ようとするデバイスの設計に基づいて形成され、素子や配線に対応する微細なパターンを含む。この転写用パターンのＣＤ（Critical Dimension）精度や、座標精度が厳しく求められることから、その主表面は精密な研磨によって、平坦かつ平滑に加工される。

たとえば、特許文献１には、表面及び裏面からなる主表面と、板厚方向に形成される端面と、端面と表面及び裏面との間に形成される面取り面とを有する、透光性のフォトマスク用基板において、端面及び面取り面は、表面粗さ（Ra）が0.03 〜0.3μｍの粗面であるフォトマスク用基板が記載されている。

また、特許文献２には、表裏２つの主表面と、４つの端面とで構成されるマスクブランク用基板において、端面に、２つの角部側領域と、その２つの角部側領域に挟まれる中央側領域とを設け、角部側領域の端面を表面粗さRa 0.5ｎｍ以下の鏡面とし、中央側領域を粗面とした基板が記載されている。

特開２００５−３００５６６号公報 国際公開第２０１０／０９２９３７号

液晶や有機ＥＬを適用したもの等、表示装置（フラットパネルディスプレイ：ＦＰＤ）の製造においては、得ようとするデバイスの設計に基づいた転写用パターンを備えたフォトマスクが多く利用される。デバイスとして、テレビやモニターに加え、特にスマートフォンやタブレット端末などに搭載されている表示装置には、明るく省電力、動作速度が速いのみでなく、高解像度、広視野角などの高い画質が要求される。このため、上述の用途に使用されるフォトマスクのもつパターンに対し、高密度化、高集積化の要求が生じる動向にあり、利用するフォトマスクのパターンは従来にないほど微細化への要望が強い。また、このような動向とともに、フォトマスク基板に対する品質要求が高まっているため、ＣＤ（Critical Dimension）精度や座標精度とともに、欠陥の制御、すなわち無欠陥化についても厳しい仕様が要求される。

フォトマスク基板には、主として表裏２つの主表面と、４つの端面をもつ透明基板が用いられる。多くは、石英ガラスなど、フォトマスクの露光に用いる光に対して高い透過率をもつ、透明な材料を用いて製造される。転写用パターンが形成される主表面は、鏡面研磨が施され、所定の平滑度（例えばRa値で0.2ｎｍ以下など）を有するものとする。

一方、フォトマスク基板の端面については、主表面とは異なる基準で加工されてきた。特に、表示装置用フォトマスクの基板は、相対的にサイズが大きく（例えば一辺が300〜1500ｍｍ、厚さが5〜13ｍｍ程度）、重量も大きい。このような大型基板をハンドリングするときに、人手によって保持する場合があることから、基板端部が平滑すぎると、基板が手との間で滑り、落下する危険がある。そして、これを防止するためには、基板端面は粗面の方が都合が良いという知見が従来からあった。

更に、これらの大型基板のハンドリングを人手によらずに、自動的に取り扱う装置を使用する場合であっても、装置内での基板の検知を光学的に行う場合があった。すなわち、基板のいずれかの端面に光を照射し、反射光や透過光をセンサーによって受光し、基板の位置を検知する場合、基板の端面が鏡面であるより、粗面である方が、検知性能が高いという状況も指摘されることがあった。

このような表示装置製造用のフォトマスクにおいて、パターンの微細化や、線幅や欠陥有無の要求仕様が厳しくなるに従い、フォトマスク基板端面の品質を改めて検討する必要が生じている。例えば、研磨工程で発生し、基板端面に付着した研磨剤やガラスチップ等が洗浄時に主表面に回り込んで、主表面を傷つけることがある。更に、この研磨剤やガラスチップが洗浄時に除去しきれず、洗浄後に剥離し、基板主表面に付着したり、基板主表面上に形成された薄膜やレジスト膜に付着して、パターン形成精度を妨げるといった問題がフォトマスク製造の歩留りを低下するリスクを生んでいる。また、フォトマスクの保管や洗浄の際に、基板端面と冶具とが接触することにより、基板や冶具からの発塵が生じるという問題も、形成しようとするパターンの微細化とともに、より切実かつ深刻な問題になる可能性がある。これらの問題は、今後必要とされるパターンの微細化や、生産性の面で、根幹となる仕様に影響し、今後の優先課題であることに本発明者は注目した。

一般に、主表面に転写用パターンを備えるフォトマスクの製造工程中、検査工程に送る前に洗浄を行い、転写を阻害する異物を除去する。また、検査によって、異物が確認されると、再度洗浄が施される。一方、検査により異物の無いことを確認できた場合には、必要に応じてペリクルを貼着し、包装して出荷する。

なお、上記洗浄において、異物の多くは除去されるが、本発明者の検討によると、１μｍ程度の微細な異物の残留が観測され、このため、洗浄を繰り返しても完全に除去することは困難な状況が確認された。これらの異物は、基板の周縁近傍に多く分布している傾向が見られた。従来のフォトマスク仕様においては問題とされる場合が少ないサイズの微小異物であるが、今後の更なるパターン微細化により問題とされる懸念がある。

本発明者の詳細な検討によると、こうした微小異物の中には、主表面にパターンを形成した後に行われる洗浄工程で生じているものが含まれ、このため、洗浄回数を重ねても完全には除去されないことがわかった。そして上記異物の分析により、これが、洗浄装置内で基板表面に接触して、物理洗浄効率を高める接触治具（例えばスポンジ、ブラシ等）の構成成分を含むことが少なくない点が明らかになった。

フォトマスクの洗浄工程、特に、表示装置製造用のフォトマスクの洗浄においては、液流や振動による洗浄作用に加えて、接触治具を直接フォトマスク主表面に接触させることが行われる。この理由は、剥離したレジストやエッチング剤を完全に除去するのに有効であるからである。

特に表示装置製造用のフォトマスクは、そのパターン形成工程で主としてウェットエッチングを適用する。このとき、転写用パターンを形成するCr系の膜をエッチングするために、硝酸第２セリウムアンモニウム液を用いるが、このセリウムの析出物が残留、固着することがある。この析出物は、接触治具によって効果的に除去することが有利なのである。

更に、表示装置製造用のフォトマスクの主表面は、多くの場合長方形であるから、スピン洗浄装置内で水平に固定して回転すると、長辺方向と短辺方向とでは、洗浄効率が異なり、主表面全体を均一に洗浄するためには、接触治具を補助的に使うことが効果的である。このため、例えば半導体装置製造用のフォトマスクにおいては必ずしも使用されない接触治具を、表示装置製造用のフォトマスクにおいては、多用するのである。

つまり、フォトマスクの製造工程の最終段階としての洗浄において、研磨剤など外部からの異物の付着、持ち込みを防止し得たとしても、洗浄装置内で、接触冶具を用いることによる新たな異物が発生する可能性が存在し、これを防止しなければ、特に、微細パターンを備えるフォトマスクの生産に支障をきたす可能性が危惧された。

本発明者は、こうした状況に鑑み、フォトマスク基板自身が、洗浄の工程で異物を発生させる可能性を極力低減し、このフォトマスク基板を用いたフォトマスクブランクやフォトマスク製造工程での欠陥発生のリスクを抑えるべく、鋭意検討し、本発明を完成させたものである。

したがって、本発明の目的は、フォトマスク基板自身が、洗浄の工程で異物を発生させる可能性を極力低減し、このフォトマスク基板を用いたフォトマスクブランクやフォトマスク製造工程での欠陥発生のリスクを抑えるフォトマスク基板を提供することであり、さらには、このフォトマスク基板を用いることで、洗浄の工程での異物発生のリスクを低減でき、もってフォトマスクブランクやフォトマスクの欠陥発生を低減し、生産の効率化と歩留の向上が可能となるフォトマスクブランク及びフォトマスクを提供することである。

上記課題を解決するため、以下の構成を有する発明を提供する。
（構成１）
転写用パターンを形成してフォトマスクとするための、透明材料からなるフォトマスク基板であって、
前記転写用パターンを形成するための第１主表面と、
前記第１主表面の裏面側にある第２主表面と、前記第１主表面及び第２主表面に垂直な端面と、を有し、
前記第１主表面の端部近傍に、前記第１主表面と平行な面への投影幅がd0（ｍｍ）の傾斜領域が設けられ、
前記傾斜領域は、第１面取り面と、前記第１主表面と前記第１面取り面の間に設けられた第１曲面と、を有し、
前記第１面取り面は、前記第１主表面に対する傾斜角が50度以下で、前記投影幅がd1（ｍｍ）の平面を有し、
前記第１曲面の曲率半径r1（ｍｍ）は、
0.3＜r1
を満たし、かつ、
前記第１曲面及び前記第１面取り面の表面粗さRaが、0.05μｍ未満であることを特徴とするフォトマスク基板。

（構成２）
前記第１面取り面は、前記第１主表面に対する傾斜角が略45度であり、かつ、前記第１曲面の曲率半径r1（ｍｍ）は、
0.3＜r1＜d0
を満たすことを特徴とする構成１に記載のフォトマスク基板。
（構成３）
前記フォトマスク基板の板厚をT（ｍｍ）とするとき、前記投影幅d1（ｍｍ）は、
0＜d1＜1/3×T
を満たすことを特徴とする構成１又は２に記載のフォトマスク基板。

（構成４）
前記端面の表面粗さRaが、0.05μｍ未満であることを特徴とする構成１乃至３のいずれかに記載のフォトマスク基板。
（構成５）
前記フォトマスク基板は、表示装置製造用のフォトマスク基板であることを特徴とする構成１乃至４のいずれかに記載のフォトマスク基板。

（構成６）
構成１乃至５のいずれかに記載のフォトマスク基板の前記第１主表面に光学膜が形成されていることを特徴とするフォトマスクブランク。
（構成７）
構成１乃至５のいずれかに記載のフォトマスク基板の前記第１主表面に転写用パターンが形成されていることを特徴とするフォトマスク。

（構成８）
転写用パターンを形成してフォトマスクとするためのフォトマスク基板の製造方法であって、
透明材料からなり、互いに反対側の２つの第１主表面及び第２主表面、並びに前記第１主表面及び第２主表面に垂直な端面を備える板状の透明基板を用意する工程と、
前記透明基板の前記第１主表面及び前記第２主表面にラッピングを施し、所定の平坦度を得る工程と、
前記透明基板の前記端面を研磨し、所定の平滑度を得る工程と、
前記第１主表面及び前記第２主表面の各々と、前記端面との間に、それぞれ第１面取り面及び第２面取り面を形成するとともに、少なくとも前記第１主表面と前記第１面取り面の間に、曲率半径r1（ｍｍ）の凸曲面を連続的に形成し、形成した第１曲面と前記第1面取り面の表面粗さRaを0.05μｍ未満とする工程と、
前記２つの主表面のうち少なくとも第１主表面に対して、表面粗さRaが0.05ｎｍ未満となるように精密研磨を施す工程と、を含み、
前記第１面取り面は、前記第１主表面に対する傾斜角が略45度であり、かつ、前記曲率半径r1（ｍｍ）は、
0.3＜r1
を満たすものとすることを特徴とするフォトマスク基板の製造方法。

（構成９）
前記端面の研磨に際して、前記端面の表面粗さRaを0.05μｍ未満とすることを特徴とする構成８に記載のフォトマスク基板の製造方法。

（構成１０）
構成６に記載のフォトマスクブランクを用意する工程と、
前記フォトマスクブランクに、所定のレジストパターンを形成し、エッチングを施すことによって、転写用パターンを形成する工程と、
転写用パターンが形成された前記フォトマスク基板に対し、接触治具を用いた洗浄を施す工程と、を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。

（構成１１）
構成７に記載のフォトマスクを用意する工程と、
露光装置を用い、前記フォトマスクに形成された転写用パターンを、被転写体上に転写する工程と、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。

本発明のフォトマスク基板によれば、フォトマスク基板自身が、洗浄の工程で異物を発生させる可能性を極力低減し、このフォトマスク基板を用いたフォトマスクブランクやフォトマスク製造工程での欠陥発生のリスクを抑えることが可能である。本発明のフォトマスク基板は、特に、表示装置製造用のフォトマスク基板として有利である。
また、本発明のフォトマスクブランク及びフォトマスクによれば、上記本発明のフォトマスク基板を用いることで、洗浄の工程での異物発生のリスクを低減でき、もってフォトマスクブランクやフォトマスクの欠陥発生を低減し、生産の効率化と歩留の向上が可能である。

（ａ）は従来のフォトマスク基板の全体斜視図、（ｂ）はその端部断面図である。 本発明のフォトマスク基板の端部断面図である。 スピン洗浄装置の一例を示す構成図である。 （ａ）は従来のフォトマスク基板と接触冶具との接触の様子を示す図、（ｂ）は本発明のフォトマスク基板と接触冶具との接触の様子を示す図である。 （ａ）はフォトマスク基板の端面加工に用いる加工治具の正面図、（ｂ）はその側面図である。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれフォトマスク基板の面取り面及び曲面の加工方法を説明する図である。 本発明の実施例における清浄度評価試験結果を示すマップである。 比較例１における清浄度評価試験結果を示すマップである。 比較例２における清浄度評価試験結果を示すマップである。

以下、本発明を実施するための形態について詳述する。
［フォトマスク基板］
以下、本発明のフォトマスク基板の実施形態について説明する。
図１（ａ）は、従来のフォトマスク基板（以下、簡略化して単に「基板」ともいう。）の全体斜視図、（ｂ）はその端部断面図である。

このフォトマスク基板１は、表裏２つの主表面（第１主表面１ａ、第２主表面１ｂ）を有し、第１主表面１ａを転写用パターン形成面とする。また、これら２つの主表面に垂直な端面（Ｔ面）を有している。更に、図１（ｂ）に示すとおり、表裏２つの主表面１ａ，１ｂと端面（Ｔ面）との間に、それぞれ面取り面（Ｃ１面、Ｃ２面）が形成されている。また、第１主表面１ａとＣ１面の間に稜線部Ｌ１が形成されている。同様に、Ｃ１面とＴ面の間に稜線部Ｌ２、Ｔ面とＣ２面の間に稜線部Ｌ３、Ｃ２面と第２主表面１ｂの間に稜線部Ｌ４がそれぞれ形成されている。

前述したように、この従来のフォトマスク基板１を用いて、その第１主表面１ａに、所望の転写用パターンを形成した後、洗浄工程を実施し、異物の検査を行うと、パターン面に異物の付着が認められ、洗浄回数を増やしても、なお残存する異物があることが判明した。

表示装置製造用のフォトマスク基板の洗浄に用いられるスピン洗浄装置を、図３に例示する。ここでは、基板を、スピン洗浄装置内に水平にセットし、高速で回転させる様子を、上から見た図である。基板の回転とともに、洗浄液（酸、アルカリ、オゾン水等が使用できる）又は純水を供給する。そして、図示するように、接触治具（ここでは洗浄スポンジを例示する。）２０を、長手方向の軸を回転軸として回転させながら、基板主表面に接触させる。

洗浄スポンジ等の接触治具２０は、この基板主表面全体を効率的に洗浄する為に有用なサイズを持つことが望まれる。つまり、図３に示すように、基板の回転により、接触治具２０との接触が、面全体に確保されるような治具形状とし、効率的に主表面全体が洗浄できるようにする。更に、基板の被洗浄面全体との接触を確実に行い、物理洗浄の効果を得るための接触圧が施される。

但し、このときの、治具サイズ、治具の表面形状や素材、弾性、回転速度、及び接触圧に応じて、接触治具が主表面周縁を横切るとき（図３中の破線円内の領域）には、相当の衝撃を伴う衝突が繰り返されることになる。
このときの様子を図４（ａ）に示す。図４（ａ）は、従来のフォトマスク基板１と接触冶具２０との接触の様子を示している。この衝撃によって、接触治具２０の一部が磨耗、離脱し、微細異物となってフォトマスクに付着するリスクが生じる。特に、前記の基板主表面１ａとＣ１面との境界をなす稜線部Ｌ１には、大きな衝撃が生じることが理解できる。

この接触治具２０が基板主表面周縁を横切るときの衝撃をゼロとすることは不可能であり、また、洗浄効果を上げるために接触治具２０の剛性や弾性を下げることには制約があるが、本発明者の検討によると、基板主表面の周縁形状を工夫することで、有意な効果を得られることが見出された。

すなわち、本発明に係るフォトマスク基板は、以下の構成を備えるものである。
転写用パターンを形成してフォトマスクとするための、透明材料からなるフォトマスク基板であって、
前記転写用パターンを形成するための第１主表面と、前記第１主表面の裏面側にある第２主表面と、前記第１主表面及び第２主表面に垂直な端面と、を有し、
前記第１主表面の端部近傍に、前記第１主表面と平行な面への投影幅がd0（ｍｍ）の傾斜領域が設けられ、前記傾斜領域は、第１面取り面と、前記第１主表面と前記第１面取り面の間に設けられた第１曲面と、を有し、
前記第１面取り面は、前記第１主表面に対する傾斜角が50度以下で、前記投影幅がd1（ｍｍ）の平面を有し、
前記第１曲面の曲率半径r1（ｍｍ）は、0.3＜r1を満たし、かつ、
前記第１曲面及び前記第１面取り面の表面粗さRaが、0.05μｍ未満であることを特徴とするフォトマスク基板。

図２に、本発明のフォトマスク基板の端部断面を示す。
本発明のフォトマスク基板１０は、透明材料を板状基板に加工したものからなる。本発明のフォトマスク基板１０のサイズに特に制限はないが、表示装置製造用のフォトマスク基板としては、好ましくは、基板主表面１０Ａ，１０Ｂのサイズは、一辺（短辺）が300ｍｍ以上の正方形又は長方形であって、板厚Ｔは、5〜13ｍｍ程度である。
本発明のフォトマスク基板１０に使用される透明材料は、合成石英など、フォトマスクを使用する際に用いる露光光とする光(たとえば波長365〜436ｎｍ)に対して、実質的に透明なものを適用する。ここでいう実質的に透明とは、透過率80％以上、好ましくは90％以上である。

本実施の形態（図２）の説明では、上面の第１主表面１０Ａを転写用パターン形成面とし、第１主表面の裏面側を第２主表面とする。これら２つの主表面と垂直に端面（Ｔ面）がある。
更に、第１主表面１０Ａの端部近傍に、該主表面１０Ａと平行な面への投影幅（以下、単に「投影幅」ともいう。）がd0（ｍｍ）の傾斜領域が設けられている。つまり、第１主表面１０Ａと端面（Ｔ面）との間に、傾斜領域が介在し、その境界が以下に説明するように連続的につながるような形状となっている。従って、図２からも明らかなように、本発明のフォトマスク基板１０においては、第1主表面１０Ａの外周に、従来のフォトマスク基板１のような稜線部（図１（ｂ））が無くなっている。

この傾斜領域は、第１主表面１０Ａに対する傾斜角が所定の角度（φ）をなす平面からなる第１面取り面（Ｃ１面）を含み、更に、第１主表面１０Ａと第１面取り面（Ｃ１面）の間に凸曲面（第１曲面：Ｒ１面）を含む。
本発明においては、この第１曲面（Ｒ１面）の曲率半径r1（ｍｍ）は、0.3＜r1である。曲率半径r1が小さいと、上記の接触冶具（洗浄治具）と接触する際の衝撃を低減する効果が十分に得られず、異物の発生を十分に抑制できない。したがって、本発明では、上記のとおり、第１曲面（Ｒ１面）の曲率半径r1（ｍｍ）は、0.3＜r1としている。第1曲面（Ｒ１面）の断面は、図２に示されるように、半径r1、中心角θ1の扇型の弧に相当する。なお、上記の点については、後述の実施例においても説明する。
図４（ｂ）は、本発明のフォトマスク基板１０と接触冶具２０との接触の様子を示している。本発明のフォトマスク基板１０においては、接触治具２０との接触による衝撃を低減し、微細異物の発生を抑制できることが理解できる。

また、曲率半径r1が大きすぎると、平面としてのＣ１面を形成することができない。すなわち、平面としての第１面取り面（Ｃ１面）は、主表面１０Ａと平行な面への投影幅をd1（ｍｍ）とするとき、d1＞0である。

更に、第１面取り面（Ｃ１面）は、上記第１主表面１０Ａに対する傾斜角（φ）が50度以下であるが、好ましくは30〜50度である。この角度が50度を超えて大きくなりすぎると、洗浄時に上記の接触治具と基板端部近傍の接触による衝撃が大きくなりやすいことから、発塵のリスクが生じる。本発明において、好ましくは、上記傾斜角φは、略45度である。ここでいう略45度とは、45度±2度とする。より好ましくは、45度±１度である。

このようにＣ１面の、第１主表面１０Ａに対する傾斜角が略45度であることは、基板をケースに収納する際、又は、フォトマスク製造工程内の移動の際に、クランプなどで固定する場合の被保持面として、好適に機能する。平面としてのＣ１面がないと、上記の面による保持ができず、線接触となるため、すべり摩擦による発塵や、基板脱落、破損の原因となる場合がある。更に、この角度が45度であることにより、固定治具の力が、主表面と平行な方向、及び垂直な方向に対して均等に作用するため、安定して固定できる。

なお、好ましいＣ１面の幅は、0.1〜1.0ｍｍ程度である。従って、上記主表面１０Ａに対する傾斜角が45度であれば、上記投影幅d1は、0.07〜0.70ｍｍ程度となる。

更に、図２に示されるように、本発明のフォトマスク基板１０においては、第１面取り面（Ｃ１面）と端面（Ｔ面）の間にも、凸曲面である第２曲面（Ｒ２面）を設けることが好ましい。ここで、Ｒ２面の曲率半径をr2とする。r2は、r1と等しくても、異なっていても良い。好ましくは、r1＝r2とすることができる。Ｒ２面の断面は、図２に示されるように、半径r2、中心角θ2の扇型の弧に相当する。
但し、このようにＣ１面の両端部に２つの凸曲面（Ｒ１面、Ｒ２面）を設けた場合にあっても、d1＞0を満たす。すなわち、平面としてのＣ１面が存在するように設計する必要がある。

更に、本発明の効果が有効に奏されるためには、上記面取り面、上記曲面の表面粗さ（Ra）を適切な範囲に加工することが必要である。Raは算術平均粗さで表現した表面粗さである。カットオフ値λｃは0.25ｍｍとすることができる。
本発明のフォトマスク基板１０においては、上記第１曲面（Ｒ１面）及び上記第１面取り面（Ｃ１面）の表面粗さRaが、いずれも0.05μｍ未満である。そして、より好ましくは、これらの面の表面粗さRaがいずれも0.03μｍ未満とする。
基板の研磨工程やフォトマスク製造工程において、基板端面が異物を担持してしまう確率は、Raを0.05μｍ未満とすることで低減することができ、0.03μｍ未満とすることで、ほぼ解消できることが、本発明者の検討によりわかった。

なお、上記第１曲面（Ｒ１面）及び上記第１面取り面（Ｃ１面）の表面粗さRa値の下限は、0.01ｎｍとすることができる。主表面の一辺300ｍｍ以上である、大サイズの表示装置製造用フォトマスク基板においては、生産効率を考慮すれば、上記Ｒａは、0.003μｍ以上0.03μｍ未満の範囲がより好ましい。

これらの表面粗さを上記範囲に制御することにより、接触治具との接触による異物発生の確率をより下げることが可能となり、上述した第１曲面（Ｒ１面）及び第１面取り面（Ｃ１面）の形状によって異物発生が抑えられる作用効果を、よりいっそう顕著にすることができる。

本発明のフォトマスク基板の好ましい実施形態の一例は、上記第１面取り面（Ｃ１面）は、上記第１主表面１０Ａに対して略45度の傾斜角をもち、かつ、上記第１曲面（Ｒ１面）の曲率半径r1（ｍｍ）は、0.3＜r1＜d0を満たすことを特徴とするフォトマスク基板である。

なお、本発明のフォトマスク基板が、第１主表面１０Ａの端部近傍に投影幅d0の傾斜領域をもつことは、透明材料の主表面の外縁近傍にはパターンが形成できないことを意味する。従って、フォトマスク基板に形成しようとする転写用パターンや、その他マークパターン（描画時、露光時、又は流通過程で参照するマークパターンを含む）が配置されない幅として、d0を決定する必要がある。
また、上記傾斜領域が大きすぎると、基板端面（Ｔ面）の幅が小さくなる。基板のＴ面を当接させて位置決めを行う装置（描画機や検査機等）への適用性を考慮すると、d0が大きすぎないことが望まれる。

したがって、本発明においては、0＜d0＜1/3×Tであることが好ましい。ここでTは、フォトマスク基板１０の板厚（ｍｍ）である。
また、本発明において、好ましくは、d0（ｍｍ）は、３ｍｍ以下、より好ましくは２ｍｍ以下、更に好ましくは、１ｍｍ以下である。
また、本発明においては、前記の投影幅d1（ｍｍ）に関しても、0＜d1＜1/3×Tであることが好ましい。本発明において、好ましくは、d1（ｍｍ）は、３ｍｍ以下、より好ましくは２ｍｍ以下、更に好ましくは、１ｍｍ以下である。
また、d0とd1の割合としては、d0×0.3＜d1＜d0×0.9であることが好ましい。

更に、本発明のフォトマスク基板１０において、上記端面（Ｔ面）の表面粗さRaについても、0.05μｍ未満であることが好ましい。
これは、上述の第１曲面（Ｒ１面）及び第１面取り面（Ｃ１面）の表面粗さと同様、フォトマスク基板、フォトマスクの製造、及び搬送の過程での発塵や異物担持のリスクを低減するために有効であって、より好ましくは、0.03μｍ未満とする。なお、上記端面のRa値の下限は、0.01ｎｍとすることができる。主表面の一辺が300ｍｍ以上である、大サイズの表示装置製造用フォトマスク基板においては、生産効率を考慮すれば、端面のRaは0.003μｍ以上0.03μｍ未満がより好ましい。

また、本発明のフォトマスク基板１０においては、第２主表面１０Ｂの端部近傍においても、傾斜領域が設けられ、第２面取り面（Ｃ２面）を有することが好ましい。Ｃ２面の、主表面１０Ｂに対する傾斜角は、上述の第１主表面１０Ａ側のＣ１面の、主表面１０Ａに対する傾斜角と同一でも異なっていても良い。但し、フォトマスクを保持する際の安定性を考慮し、Ｃ２面においても、Ｃ１面と同様、すなわち主表面１０Ｂに対する傾斜角を50度以下、より好ましくは、略45度とすることが望まれる。

更に、第２主表面１０Ｂ側においても、Ｃ２面と端面（Ｔ面）の間、及び、Ｃ２面と第２主表面１０Ｂの間に、凸曲面（それぞれ第３曲面（Ｒ３面）、第４曲面（Ｒ４面））を連続的に形成することが好ましい（図２を参照）。
そして、上記Ｒ３面、Ｒ４面の曲率半径（それぞれr3、r4）には特に制限は無いが、上述の第１主表面１０Ａ側と対称に形成することが好ましい。

本発明のフォトマスク基板１０において、より好ましくは、上記Ｃ２面、Ｒ３面、及びＲ４面においても、表面粗さRaが、0.05μｍ未満とし、更に好ましくは、0.03μｍ未満とするとよい。また、Ra値の下限は0.01ｎｍとすることができる。主表面の一辺300ｍｍ以上である、大サイズの表示装置製造用フォトマスク基板においては、生産効率を考慮すれば、上記Raは、0.003μｍ以上0.03μｍ未満がより好ましい。

また、本発明において、転写用パターンを形成する、上記第１主表面１０Ａの表面粗さRaが、0.5ｎｍ未満、好ましくは0.01〜0.02ｎｍとすることが好適である。また、加工上の効率からすれば、第２主表面１０Ｂの表面粗さRaも第１主表面１０Ａと同等であることが好ましい。

上述したような特徴を有する本発明のフォトマスク基板は、転写用パターンとして、表示装置製造用のものを備える表示装置製造用フォトマスクに好適に適用される。
以上説明したように、本発明のフォトマスク基板によれば、フォトマスク基板自身が、洗浄の工程で異物を発生させる可能性を極力低減し、このフォトマスク基板を用いたフォトマスクブランクやフォトマスク製造工程での欠陥発生のリスクを抑えることが可能である。本発明のフォトマスク基板は、特に、表示装置製造用のフォトマスク基板として有利である。

［フォトマスク基板の製造方法］
本発明は、以上説明したフォトマスク基板の製造方法についても提供する。本発明に係るフォトマスク基板の製造方法は、以下の特徴を備えるものである。
転写用パターンを形成してフォトマスクとするためのフォトマスク基板の製造方法であって、
透明材料からなり、互いに反対側の２つの第１主表面及び第２主表面、並びに前記第１主表面及び第２主表面に垂直な端面を備える板状の透明基板を用意する工程と、
前記透明基板の前記第１主表面及び前記第２主表面にラッピングを施し、所定の平坦度を得る工程と、
前記透明基板の前記端面を研磨し、所定の平滑度を得る工程と、
前記第１主表面及び前記第２主表面の各々と、前記端面との間に、それぞれ第１面取り面及び第２面取り面を形成するとともに、少なくとも前記第１主表面と前記第１面取り面の間に、曲率半径r1（ｍｍ）の凸曲面を連続的に形成し、形成した第１曲面と前記第1面取り面の表面粗さRaを0.05μｍ未満とする工程と、
前記２つの主表面のうち少なくとも第１主表面に対して、表面粗さRaが0.05ｎｍ未満となるように精密研磨を施す工程と、を含み、
前記第１面取り面は、前記第１主表面に対する傾斜角が略45度であり、かつ、前記曲率半径r1（ｍｍ）は、0.3＜r1を満たすものとすることを特徴とするフォトマスク基板の製造方法。

ここで「前記第１主表面と前記第１面取り面の間に、曲率半径r1（ｍｍ）の凸曲面を連続的に形成」とは、凸曲面が、第1主表面及び第1面取り面と互いに連続面を形成するようになされていることをいう。フォトマスク基板は、石英ガラス等の透明材料を、所望の主表面サイズと厚みをもつように加工して用いる。具体的には、以下の工程を適用することができる。
Ａ．ラッピング 透明材料からなる板材をラッピングし、板厚及び両主表面の平坦度を所定範囲とする。
Ｂ．端面加工 端面に研磨用ブラシなどを接触させ、基板端面を鏡面化する。
Ｃ．主表面の第１研磨 主表面の精密研磨を行う。研磨剤として酸化セリウムなどが使用できる。
Ｄ．主表面の最終研磨 主表面を所望の表面粗さ（例えばRaで0.05ｎｍ未満、好ましくはRaが0.02ｎｍ以下）とするための最終研磨を行う。例えば、研磨剤としてコロイダルシリカなどが適用できる。

本発明のフォトマスク基板の製造方法では、上記Ｂの端面加工の工程中において、端面（Ｔ面）の鏡面化とともに、面取り面（Ｃ面）及び曲面（Ｒ面）を形成する。
例えば、図５に例示する加工治具３０を高速で回転させながら、基板の端部に接触させ、加工治具３０のダイヤモンドホイール面３２，３３に接触させて加工することにより、第１主表面及び第２主表面のそれぞれと端面の間に面取り面（Ｃ１面、Ｃ２面）を形成する(図６（ａ）参照)。なお、Ｃ１面、Ｃ２面の形成角度は、上記のとおり予め設定して加工治具の加工面形状を決める。

次に、第１主表面側の曲面（Ｒ１面及びＲ２面）を形成する。加工方法は、例えば図６（ｂ）、（ｃ）に図示するように、先端に弾性研磨布４０や弾性研磨ブラシ５０を取り付けた研磨治具を用い、これらを研磨面と垂直な軸を中心に回転させつつ、更に、治具の研磨面の回転中心の軌跡が、所定の曲率半径の円弧に近似される曲線を描くように、研磨治具を運動させて行うことができる。
上記第１主表面側の曲面（Ｒ１面及びＲ２面）と同様に、第２主表面側の端部にも、上記と同様の方法で、曲面（Ｒ３面及びＲ４面）を形成する加工を施すことができる。

本発明のフォトマスク基板の製造方法によって得られるフォトマスク基板は、形成した上記第１曲面（Ｒ１面）と上記第1面取り面（Ｃ１面）の表面粗さRaを0.05μｍ未満とする。更に好ましくは、0.03μｍ未満とするとよい。また、上記第１面取り面は、第１主表面１０Ａに対する傾斜角が略45度の場合、上記第１曲面の曲率半径r1（ｍｍ）は、0.3＜r1を満たすものとする。また、２つの主表面のうち少なくとも第１主表面は、表面粗さRaが0.05ｎｍ未満となるように精密研磨を施すものとする。
また、上記端面の研磨に際して、端面の表面粗さRaを0.05μｍ未満とすることが好ましい。更に好ましくは、0.03μｍ未満とするとよい。

［フォトマスクブランク］
本発明は、透明材料のみからなる上記フォトマスク基板のほか、上記本発明のフォトマスク基板を有するフォトマスクブランクを提供する。
すなわち、本発明のフォトマスクブランクは、上述のフォトマスク基板の主表面に光学膜が形成されているフォトマスクブランクである。
具体的には、上記本発明のフォトマスク基板１０の一方の主表面（上述の実施形態では第1主表面１０Ａ）に、遮光膜、半透光膜などの光学膜を形成したもので、さらにエッチングストッパ膜、電荷調整膜などの機能性膜を備えていてもよい。

上記光学膜等の成膜手段としては、スパッタ法などの公知の手段を用いることができる。また、膜素材に制約は無いが、例えば、Crやその化合物（酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化窒化炭化物など）のほか、Mo、W、Ta、Zrの同様の化合物などが挙げられる。
また、フォトマスクブランクの表面には、更に、レジスト（例えばポジ型又はネガ型のフォトレジスト）膜など、パターン形成に必要な膜が形成されていてもよい。

本発明のフォトマスクブランクは、上記本発明のフォトマスク基板を用いることで、前述の接触冶具を用いた洗浄の工程での異物発生のリスクを低減でき、もってフォトマスクブランクやフォトマスクの欠陥発生を低減し、生産の効率化と歩留の向上が可能である。

［フォトマスク］
更に本発明は、上記フォトマスク基板の主表面上に、光学膜などをパターニングして形成した転写用パターンを備えるフォトマスクを提供する。すなわち、本発明のフォトマスクは、上記フォトマスク基板の主表面（上述の実施形態では第1主表面１０Ａ）に転写用パターンが形成されているフォトマスクである。

このようなフォトマスクは、次のようなフォトマスクの製造方法によって得ることができる。
すなわち、上述のフォトマスク基板を有するフォトマスクブランクを用意する工程と、このフォトマスクブランクに、所定のレジストパターンを形成し、エッチングを施すことによって、転写用パターンを形成する工程と、転写用パターンが形成された上記フォトマスク基板に対し、接触治具を用いた洗浄を施す工程とを含むフォトマスクの製造方法である。

具体的には、上記フォトマスクブランクを用い、描画装置によって、所望のパターンデータにもとづく描画を行う。描画手段はレーザを用いても、電子ビームを用いてもよい。現像を行って形成されたレジストパターンをエッチングマスクとして、上記光学膜などの膜にエッチングを施す。表示装置製造用フォトマスクとしては、ウェットエッチングが好適に使用されるが、ドライエッチングを適用してもかまわない。
表示装置製造用フォトマスクの製造にあたっては、必要に応じて、成膜及びエッチングを複数回行い、所望の転写用パターンを基板の第１主表面に形成するようにしてもよい。

なお、フォトマスクは製品として出荷する前に、洗浄を行い、検査によって最終的な品質を確認する。そして、ペリクルを要する製品には、ペリクルを取り付けて、包装する。
検査によって、何らかの不良や欠陥が発見された場合には、上流側の工程に戻る。特に、転写用パターンに異物が検出された場合には、再洗浄を行う。

本発明のフォトマスクによれば、上述の本発明のフォトマスク基板を用いることで、前述の接触冶具を用いた洗浄の工程での異物発生のリスクを低減できるので、フォトマスクの欠陥発生を低減し、生産の効率化と歩留の向上が可能である。

本発明のフォトマスク基板を適用するフォトマスクの種類や用途に特に限定はない。いわゆるバイナリマスクのほか、遮光部と透光部のほかに中間調をもつ多階調フォトマスク、露光光を一部透過するとともに光の位相を所定量シフトさせる位相シフタを備えた位相シフトマスクなど、様々な構造や用途をもつ、表示装置製造用フォトマスクに広く適用できる。更に、位相シフタを形成する目的等で、基板主表面に所定深さの掘り込みを形成したフォトマスクにおいても、本発明のフォトマスク基板を用いた場合には、洗浄効率と、異物抑制の効果において、従来の基板に対し、優れた効果が得られる。

特に、本発明のフォトマスクは、従来以上に微細なパターンを含む転写用パターンを備えるものにおいて、その効果が顕著である。例えば、ＣＤ（Critical Dimension）が、2μｍ以下、特に、0.5〜2.0μｍ、より微細なものとしては、0.5〜1.5μｍのパターン幅をもつものに、特に有利である。これらの高精度フォトマスクにおいては、欠陥の仕様が厳しく、許容される異物のサイズが極めて小さいからである。例えば、上記サイズの径をもつホールパターンにおいては、異物の存在が、デバイスの動作に致命的影響を与えるため、このような用途のフォトマスクには、本発明の効果が顕著であるといえる。従って、コンタクトホールを含むレイヤに好適である。
また、転写用パターンの一部のみを形成したフォトマスク中間体も、フォトマスクとし、本発明に含まれるものとする。

［表示装置の製造方法］
また、本発明は、上記フォトマスクを適用した表示装置の製造方法についても提供するものである。
すなわち、本発明に係る表示装置の製造方法は、上述のフォトマスクを用意する工程と、露光装置を用い、上記フォトマスクに形成された転写用パターンを、被転写体上に転写する工程とを含む表示装置の製造方法である。

本発明のフォトマスクについては上述したとおりである。
本発明のフォトマスクを露光する手段としての露光装置としては、いわゆるＦＰＤ（Flat Panel Display）用、又は、ＬＣＤ(液晶)用として知られるものであり、様々な規格、サイズのものを搭載可能なものがある。例えば、このような露光装置は、ｉ線、ｈ線、及びｇ線を露光光とした等倍露光を行うものがあり、所定の光学系（ＮＡ0.08〜0.15程度）を備えたプロジェクション露光タイプと、近接露光を行うプロキシミティ露光タイプがある。
上述したように、欠陥の発生を低減した本発明のフォトマスクを用いて、微細パターンの高精度転写を実現することができる。

以下、本発明を具体的実施例に基づき説明する。また、比較例についても併せて説明する。
石英ガラスからなり、主表面のサイズが800×920ｍｍ、厚みが10ｍｍの透明基板を用意した。これらの端面近傍をそれぞれ加工して、フォトマスク基板とし、このフォトマスク基板を用いて、以下のように更にフォトマスクを形成して、その機能を確認した。
なお、形成する予定の転写用パターン及びマークパターンに影響しないd0幅として、0.8ｍｍとした。

（比較例１）
上記フォトマスク基板の第１主表面（転写用パターン形成面）、及び第２主表面の端部から上記投影幅d0内の領域を、これら第１主表面および第２主表面の各々に対する傾斜角が45度の角度となるように研磨除去し、面取り面であるＣ１面、及びＣ２面を形成した。加工には、図５に示す加工治具を用いた。但し、本比較例では、曲面（Ｒ面）については形成しないものとした（すなわち図１（ｂ）の断面形状）。ここで、第１主表面及び第２主表面の表面粗さは、Raが0.05ｎｍ未満とし、上記面取り面及び端面は鏡面化せず、Raは、0.13μｍとした。

（比較例２）
上記フォトマスク基板の第1主表面、及び第２主表面の端部から上記投影幅d0の領域に、面取り面（Ｃ１面、及びＣ２面）及び曲面（Ｒ１面〜Ｒ４面）をもつ、傾斜領域を表裏対称に形成した。すなわち、上記比較例１と同様の装置を用いて、45度の角度をもつＣ１面、及びＣ２面の加工を行い、更に、Ｃ１面、及びＣ２面のそれぞれに対し、隣接する主表面側、及び端面（Ｔ面）側の両サイドに凸曲面を形成して、主表面及び端面と連続するように加工した。曲面加工は、図６（ｂ）、（ｃ）に示す加工冶具を用いた。この４つの凸曲面を、第１主表面側から順に、Ｒ１面、Ｒ２面、Ｒ３面、Ｒ４面とした（図２参照）。ここで、Ｒ１面〜Ｒ４面の凸曲面は、曲率半径0.23ｍｍとした。また、第１主表面及び第２主表面の表面粗さは、Raで0.05ｎｍ未満とし、上記面取り面（Ｃ１面及びＣ２面）、凸曲面（Ｒ１面〜Ｒ４面）、及び端面（Ｔ面）のRaは、いずれも0.02μｍとした。

（実施例）
上記比較例２と同様の手順で加工を行った。但し、Ｒ１面〜Ｒ４面の曲率半径を、0.38μｍとなるように加工した。これ以外は、比較例２と同様の形状をもつ基板を形成した。Ｃ１面の幅は、0.42ｍｍであり、ｄ1の幅は、0.3ｍｍであった。

これら実施例、及び比較例１，２の３つのサンプル基板を用い、スパッタ法によってCr系遮光膜を第１主表面に成膜し、更にポジ型フォトレジスト膜が塗布形成されたフォトマスクブランクを作製した。そして、所望のデザインデータにより、レーザ描画機を用いて、マスクパターンを描画したのち、現像工程を経て、レジストパターンを形成した。更に、このレジストパターンをマスクとして、硝酸第２セリウムアンモニウム液を使用して、遮光膜のウェットエッチングを施し、レジストパターンを剥離除去した。

このように完成した３つのサンプルマスク（バイナリマスク）に対して、洗浄を行い、異物の検査を行った。
洗浄に際しては、図３に示すスピン洗浄装置を用い、接触治具として洗浄スポンジを装着したものとした。ここでは、ＫＯＨ系洗浄剤、硫酸過水を使用し、純水でリンスした。

これら３つのサンプルマスクの異物検査（清浄度評価試験）の結果を図７〜図９に示す。図７は、実施例のフォトマスク基板を用いて作製したフォトマスクの評価試験結果を示し、図８は、比較例１のフォトマスク基板を用いて作製したフォトマスクの評価試験結果を、図９は、比較例２のフォトマスク基板を用いて作製したフォトマスクの評価試験結果をそれぞれ示す。
検査にあたっては、液晶用大型フォトマスクパターン欠陥検査装置を用いた。いずれのサンプルマスクにおいても２μｍ以上の異物は存在しなかったが、２μｍ未満の微小異物を検出したので、プロット（図中の◆印）した。

この結果、比較例２は、比較例１に対して、異物の検出数が減少したが、主として、基板周縁付近に複数の異物が残留していた。異物の分析の結果、スポンジの素材が含まれる異物が含まれていた。
一方、比較例２（r1＜0.3）に比べて、第１主表面側の凸曲面（Ｒ面）の曲率が緩く形成された（0.3＜r1）本発明実施例のフォトマスク基板では、残留異物が有意に減少し、効果が認められた。

本発明者の検討によると、特に第１主表面側の第１曲面（Ｒ１面）の曲率が、異物残留に与える影響が大きく、曲率半径r1が0.3ｍｍを超える場合に、殆どの異物が除去された。このような場合に、基板端部で生じる接触治具の衝撃が、十分に緩和されたと考えられる。

フォトマスクの洗浄は、レジストパターン剥離後、欠陥修正後、及び／又は、ペリクル貼着前のほか、製品として使用された後の洗浄（ペリクルの再貼着時や、クリーニング時）など、複数回の可能性があるため、本発明のフォトマスク基板を使用することには意義が大きい。

なお、スピン洗浄時の接触治具として、上記では洗浄スポンジを用いたが、本発明の効果が得られる限りにおいて、スポンジに限定されるわけではなく、他の接触治具を用いることができる。
以上の実施例及び比較例の説明から、本発明による顕著な効果は明らかである。
なお、本発明の範囲は、上述の実施例に限定されるものではないことは勿論である。

１，１０ フォトマスク基板
１０Ａ，１０Ｂ 第１、第２主表面
Ｔ面 端面
Ｃ１面、Ｃ２面 第１、第２面取り面
Ｒ１面〜Ｒ４面 第１〜第４曲面
２０ 接触冶具
３０ 端面加工冶具
４０ 弾性研磨布
５０ 弾性研磨ブラシ

Claims (11)

1. 転写用パターンを形成してフォトマスクとするための、透明材料からなるフォトマスク基板であって、
   前記転写用パターンを形成するための第１主表面と、
   前記第１主表面の裏面側にある第２主表面と、前記第１主表面及び第２主表面に垂直な端面と、を有し、
   前記第１主表面の端部近傍に、前記第１主表面と平行な面への投影幅がd0（ｍｍ）の傾斜領域が設けられ、
   前記傾斜領域は、第１面取り面と、前記第１主表面と前記第１面取り面の間に設けられた第１曲面と、を有し、
   前記第１面取り面は、前記第１主表面に対する傾斜角が50度以下で、前記投影幅がd1（ｍｍ）の平面を有し、
   前記第１曲面の曲率半径r1（ｍｍ）は、
   0.3＜r1
   を満たし、かつ、
   前記第１曲面及び前記第１面取り面の表面粗さRaが、0.05μｍ未満であることを特徴とするフォトマスク基板。
2. 前記第１面取りは、前記第１主表面に対する傾斜角が略45度であり、かつ、前記第１曲面の曲率半径r1（ｍｍ）は、
   0.3＜r1＜d0
   を満たすことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク基板。
3. 前記フォトマスク基板の板厚をT（ｍｍ）とするとき、前記投影幅d1（ｍｍ）は、
   0＜d1＜1/3×T
   を満たすことを特徴とする請求項１又は２に記載のフォトマスク基板。
4. 前記端面の表面粗さRaが、0.05μｍ未満であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のフォトマスク基板。
5. 前記フォトマスク基板は、表示装置製造用のフォトマスク基板であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のフォトマスク基板。
6. 請求項１乃至５のいずれかに記載のフォトマスク基板の前記第１主表面に光学膜が形成されていることを特徴とするフォトマスクブランク。
7. 請求項１乃至５のいずれかに記載のフォトマスク基板の前記第１主表面に転写用パターンが形成されていることを特徴とするフォトマスク。
8. 転写用パターンを形成してフォトマスクとするためのフォトマスク基板の製造方法であって、
   透明材料からなり、互いに反対側の２つの第１主表面及び第２主表面、並びに前記第１主表面及び第２主表面に垂直な端面を備える板状の透明基板を用意する工程と、
   前記透明基板の前記第１主表面及び前記第２主表面にラッピングを施し、所定の平坦度を得る工程と、
   前記透明基板の前記端面を研磨し、所定の平滑度を得る工程と、
   前記第１主表面及び前記第２主表面の各々と、前記端面との間に、それぞれ第１面取り面及び第２面取り面を形成するとともに、少なくとも前記第１主表面と前記第１面取り面の間に、曲率半径r1（ｍｍ）の凸曲面を連続的に形成し、形成した第１曲面と前記第１面取り面の表面粗さRaを0.05μｍ未満とする工程と、
   前記２つの主表面のうち少なくとも第１主表面に対して、表面粗さRaが0.05ｎｍ未満となるように精密研磨を施す工程と、を含み、
   前記第１面取り面は、前記第１主表面に対する傾斜角が略45度であり、かつ、前記曲率半径r1（ｍｍ）は、
   0.3＜r1
   を満たすものとすることを特徴とするフォトマスク基板の製造方法。
9. 前記端面の研磨に際して、前記端面の表面粗さRaを0.05μｍ未満とすることを特徴とする請求項８に記載のフォトマスク基板の製造方法。
10. 請求項６に記載のフォトマスクブランクを用意する工程と、
    前記フォトマスクブランクに、所定のレジストパターンを形成し、エッチングを施すことによって、転写用パターンを形成する工程と、
    転写用パターンが形成された前記フォトマスク基板に対し、接触治具を用いた洗浄を施す工程と、を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
11. 請求項７に記載のフォトマスクを用意する工程と、
    露光装置を用い、前記フォトマスクに形成された転写用パターンを、被転写体上に転写する工程と、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
    
    

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