JP2017116798A - 表示装置、表示装置の製造方法、及びドライバic - Google Patents
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Abstract
【課題】表示装置にドライバICを接続する場合の接続不良を無くする。【解決手段】表示領域を有し、ドライバIC10が接続された端子部を有する表示装置であって、前記ドライバIC10は、平面が矩形であり、第1の主面と第2の主面を有し、前記第1の主面の第1の辺には第1のバンプ11が形成され、前記第1の主面の前記第1の辺に対向する第2の辺には第2のバンプ12が形成され、平面で視て、前記第2の主面には、前記第1のバンプに対応する部分に、第1部材20が形成され、前記第2のバンプに対応する部分には、第2部材20が形成され、前記第1部材20と前記第2部材20は離間して形成されていることを特徴とする表示装置。【選択図】図7
Description
本発明は,表示装置、表示装置に使用されるドライバIC、及び、ドライバICを搭載した表示装置の製造方法に関する。
表示装置の一例として、液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ(TFT)等がマトリクス状に形成されたTFT基板と、TFT基板に対向して、対向基板が配置され、TFT基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
画素には走査線を介して走査信号が、映像線を介して映像信号が供給される。走査信号や映像信号を形成するために、ドライバICが用いられる。ドライバICは、TFT基板の端子部にCOG(Chip On Glass)によって接続される。COGは、ドライバICのバンプと端子部の端子とをACF(Anisotropic Conductive Film、異方性導電膜)を介して接続するものである。
ACFは熱可塑性のプラスチックフィルムに導電性の微粒子が分散されたものである。このACFを介して、ドライバICを加熱された圧着ヘッドによって熱圧着すると、ドライバICのバンプと端子とが導電性微粒子によって接続され、導通を確保できる。
ドライバICには多くのバンプが存在し、この多くのバンプと対応する多くの端子とを、全て確実に接続する必要がある。特許文献1には、ドライバICと端子とが確実に接続されたか否かを検出するための検査システムが記載されている。
一方、ドライバICを熱圧着によって接続する場合、ドライバICが撓むために、バンプが均一に加圧されない現象が生ずる。特許文献2には、これを対策するために、入力側バンプと出力側バンプとの間にダミーバンプを配置することによって、接続不良を解消する構成が記載されている。
表示装置、特に液晶表示装置では高精細化が進んでおり、ドライバICに形成されたバンプ(以後単にバンプと呼ぶ)の数、および、対応する端子の数が多くなっており、それに伴い、バンプあるいは端子の面積も小さくなっている。したがって、ドライバICと端子の接続は高い信頼性が要求されている。
ドライバICは平面が長方形であり、長辺、短辺を有している。第1の長辺側にICへの入力のためのバンプがライン状に配置し、第1の長辺に対向する第2の長辺側にICからの出力のためのバンプがライン状に配置している。ドライバICを熱圧着する際、ドライバICが短辺の方向に撓むと、最外側のバンプに十分に圧力が加わらないために、接続不良が生ずる。特許文献2に記載の技術は、このドライバICの撓みを軽減する技術であるが、必ずしも十分ではない。
本発明は、以上のような課題を解決するものであり、ドライバICと端子の接続を確実に行い、信頼性の高い表示装置を実現することである。なお、このような課題は、液晶表示装置に限らず、ドライバICを用いている、有機EL表示装置等の表示装置においても同様に存在する。
本発明は上記課題を克服するものであり、代表的な手段は次のとおりである。すなわち、表示領域を有し、ドライバICが接続された端子部を有する表示装置であって、前記ドライバICは、第1の主面と第2の主面を有し、前記第1の主面の第1の辺には第1のバンプが形成され、前記第1の主面の前記第1の辺に対向する第2の辺には第2のバンプが形成され、前記第2の主面には、前記第1のバンプに対応する部分に、第1部材が形成され、前記第2のバンプに対応する部分には、第2部材が形成され、前記第1部材と前記第2部材は離間して形成されていることを特徴とする表示装置である。
以下に実施例を用いて本発明を詳細に説明する。なお、以下の説明において、対向基板側を上、TFT基板側を下とする。また、ここでは表示装置の一例として、液晶表示装置について説明する。
図1は本発明が適用される液晶表示装置の例を示す平面図である。図1において、TFT基板100と対向基板200が周辺のシール材160を介して接着し、TFT基板100と対向基板200の間に液晶が挟持されている。TFT基板100と対向基板200が対向している部分に表示領域90が形成されている。表示領域90には、走査線81が第1方向に延在して第2方向に配列しており、映像信号線82が第2方向に延在して第1方向に配列している。走査線81と映像信号線82で囲まれた領域が画素80になっている。
TFT基板100は対向基板200よりも大きく形成され、TFT基板100が1枚になっている部分が端子部150となっている。端子部150には、走査信号、あるいは映像信号を供給するためのドライバIC10がCOGによって接続している。また、端子部150には、外部から映像信号、電源等を供給するためのフレキシブル配線基板50が接続している。
図2は、ドライバIC10を端子部150にCOGによって接続する場合の模式図である。図2において、TFT基板100の端子部にドライバIC10がACF15を介して配置している。ドライバIC10には多くのバンプが形成されており、このバンプは、ACF15を介して、端子部150に形成された端子と接続する。
図2において、ヒータ41で加熱された圧着ヘッド40が、緩衝のための樹脂シート30を介して、ドライバIC10を端子に圧着する。ドライバIC10とTFT基板100の端子との間には、ACF15が配置されている。ACF15は熱可塑性のプラスチックフィルムに導電性微粒子が分散された構成を有しており、熱を加えて圧着すると、導電性微粒子がバンプと端子を導通し、電気的な接続をとることが出来る。なお、以後の図面ではACFは省略されている。
図2に示すように、ドライバIC10を圧着ヘッド40によってTFT基板100に圧着する際、ドライバIC10が図3に示すように、短辺方向において撓む現象が生ずる。ドライバIC10の第1の長辺側には入力バンプ11が配置し、第2の辺には出力バンプ12が配置している。図3のように、ドライバIC10が撓むと、入力バンプ11あるいは出力バンプ12と端子との圧着が不十分になり、接続不良を生ずる。
図4は比較例における圧着工程を示す模式断面図である。図4において、受台60の上にTFT基板100が配置し、その上にバンプ11、12を有するドライバIC10が配置している。ドライバIC10のバンプは樹脂シート30を介して圧着ヘッド40によって、TFT基板100側に熱圧着される。この時、圧力の分布の影響によって、ドライバIC10が図4に示すように、短辺方向に撓む。そうすると、特に、ドライバIC10の長辺の端部側に存在するバンプへの圧力が不足して導通不良をきたす。なお、樹脂シート30は本来、平板であるが、図4乃至6では、圧力分布によって撓んで、変形していることを示している。
図5はこの現象を軽減するために、入力バンプ11と出力バンプ12との間にダミーバンプ13を形成した例である。図5ではダミーバンプ13によってドライバIC10の撓みを軽減し、入力バンプ11と出力バンプ12に係る圧力を均一にする構成となっている。しかし、後で説明するように、ダミーバンプ13を配置しても、圧着力分布は十分に均一にはならない。図5の他の構成は図4で説明したのと同様である。なお、ダミーバンプ13は、少なくとも、走査線あるは映像信号線等と接続されておらず、熱圧着時のドライバIC10の撓みを軽減する目的で使用されるものである。
図6は、ドライバIC10を熱圧着する際に生ずる他の問題を示す模式図である。すなわち、ドライバIC10の短辺の中央付近において、大きな曲げ圧力がかかると、この部分でドライバIC10が破壊するという問題である。ドライバIC10の端部では、曲げ圧力に対する応力が生じやすいからである。
図7は、以上のような問題点を対策する本発明の第1の実施例を示す模式断面図である。図7が図4と大きく異なるところは、ドライバIC10と樹脂シート30との間にスペーサとして用いられる部材20が配置していることである。この部材20はドライバIC10の上側表面に形成され、平面で視て、入力バンプ11あるいは出力バンプ12に対応する部分に形成されている。この部材20によって、圧着ヘッド40の圧力は、主に、入力バンプ11および出力バンプ12にかかることになり、ドライバIC10の撓みは大幅に軽減される。したがって、ドライバIC10の導通不良及びドライバIC10の破壊を防止することが出来る。
樹脂シート30は、一般には、テフロン(登録商標)等の耐熱性のプラスチックが使用されるが、仮に、熱や圧力等によって、樹脂シートが変形したとしても、図8に示すように、部材20の存在によって、ドライバIC10への影響は回避することが出来る。
図9は、ドライバIC10にダミーバンプ13を配置した例である。ダミーバンプ13の存在によって、ドライバIC10にかかる圧力はさらに均一化され、ドライバIC10と端子の接続の信頼性をより高めることが出来る。
図10は、本発明のドライバIC10を示す斜視図である。図10において、ドライバIC10の下面には、第1の長辺に沿って入力バンプ11が配置し、第1の長辺に対向する第2の長辺沿って出力バンプ12が配置している。ドライバIC10の上面には、入力バンプ11が形成されている領域と出力バンプ12が形成されている領域に対応して、部材20がストライプ状に形成されている。ドライバIC10のバンプ11、12が形成されている面を第1の主面、部材20が形成されている面を第2の主面ということもある。また、ドライバIC10の平面は長方形あるいは矩形である。
図11は図10のA−A断面図である。図11において、ドライバIC10の下面、すなわち第1の主面の第1の長辺側には入力バンプ11が1列形成され、第2の長辺側には出力バンプ12が3列形成されている。ドライバIC10では、出力バンプ12の数が入力バンプ11の数よりもはるかに多いので、バンプの大きさは出力バンプ12の方が小さくなっている。またこのため、入力バンプ11は1列であるのに対し、出力12バンプは3列形成されている。
入力バンプ11の占める幅はwb1であり、ドライバICの端部から入力バンプ11の端部までの距離はwc1である。出力バンプ12の占める幅は、3列の合計でwb2であり、ドライバIC10の端部から出力バンプ12の端部までの距離はwc2である。また入力バンプ11および出力バンプ12の厚さはtbである。
ドライバIC10の上面、すなわち第2の主面で、入力バンプ11あるいは出力バンプ12に対応する部分に部材20が形成されている。入力バンプ11側の部材20の幅はws1、出力バンプ12側の部材20の幅はws2である。ws1=wb1±25μm、ws2=wb2±25μm程度であることが望ましい。なお、以上の幅はドライバIC10の短辺方向の幅である。
ドライバIC10と熱圧着ヘッド40との間の樹脂シート30の厚さが30μmとした場合、部材20の厚さtsは、ACFの中の導電性微粒子の径よりも大きく、バンプの厚さtb以下であることが望ましい。導電性微粒子の径は3〜5μmであり、入力バンプ11および出力バンプ12の厚さtbは12〜18μmであるから、この場合、部材20の厚さtsは3〜18μm程度である。一方、樹脂シート30の厚さがこれより大きくなった場合は、それに比例して、スペーサ20の厚さtsも大きくしたほうが良い。これは、熱圧着時の樹脂シート30の変形も大きくなるからである。例えば、樹脂シート30が60μmであるとした場合、スペーサ20の厚さtsは6〜36μm程度が適切となる。
部材20は、ドライバIC10の上面に塗布によって形成できる耐熱性の樹脂材料であることが望ましい。例えば、2液性のエポキシ樹脂等である。部材20は、ドライバIC10を端子に熱圧着する時には、固化していることが望ましいが、必ずしも完全硬化している必要はなく、乾燥して固化するものでもよい。これは、部材20がスペーサとしての役割を有すればよいからである。また、熱圧着後、形が崩れるものであってもの良い。さらに、部材20は、樹脂に限らず、金属で形成しても良い。金属の部材は、例えばメッキによって形成することが出来る。
図12は、図10のA−A断面の他の例であり、入力バンプ11と出力バンプ12の間にダミーバンプ13を形成した例である。ダミーバンプ13のドライバIC10の短辺方向の幅はwb3であり、厚さは入力バンプ11、出力バンプ12と同様、tbである。他の構成は図11と同様である。
図13はドライバIC10のバンプ側の面を示す詳細平面図である。図13に記載の数値は寸法例であり、単位はμmである。ドライバIC10の外形は、長辺が7897.5μm、短辺が1364.6μmである。詳細図において、入力バンプ11側にはバンプが1列形成されており、出力バンプ12側にはバンプが3列形成されている。入力バンプ11と出力バンプ12の間にはダミーバンプ13が配置しているが、ダミーバンプ13は本発明では必ずしも必要ではない。
図13において、入力バンプ11側では、バンプの大きさは50×134.6μmで、ドライバIC10の長辺に沿って119.915μmのピッチで配列している。また、出力バンプ12側ではバンプの大きさは15×90μmで、ドライバIC10の長辺に沿って36μmのピッチで配列している。ダミーバンプの大きさは50×50μmで、長辺方向に200μmのピッチで配列している。ダミーバンプ13のドライバIC10の短辺方向の位置は、入力バンプ11の内側端部と出力バンプ12の内側端部の中間点である。
図13と、図11あるいは図12の寸法を対比すると、wb1=134.6μm、wc1=50μm、wb2=320μm、wc2=50μm、wb3=50μmである。
図14乃至16は、COGプロセスでの、ドライバIC10のバンプにおける圧着力の分布を示したシミュレーション結果である。図14は比較例1の結果、図15は、比較例1に対してダミーバンプを配置した比較例2の結果であり、図16は本発明における実施例1の結果である。なお、図16ではダミーバンプは使用していない。
図14乃至図16において、上側の図はドライバIC10のバンプ側の面の右半分を示すものである。図14乃至図16の下側の図は、上側の図におけるドライバIC10に中央付近における四角で囲んだ領域における圧着力の分布を示す詳細図である。図14乃至図16におけるMPaは、圧力の単位である。
図14乃至図16の上側の図に示すドライバIC10において、Minは、圧着力の最も小さな場所を示している。圧着力の最も小さな場所、値とも図14乃至図16で異なっている。本発明の目的は、バンプにおける圧着力が極端に小さい場所を無くすこと、すなわち、最小圧着力を上げることである。比較例1における最低圧着力は8MPaである。比較例2における最低圧着力は17MPaであり、比較例1に比較して大きくなっている。しかし、比較例2でも十分ではない。これに対して、本発明を示す実施例1では、最低圧着力は52MPaであり、従来例に比較してはるかに改善されている。
ドライバIC10の長辺端部においては、図6に示したように、曲げ応力によってドライバIC10が破壊しやすい。比較例を示す図14においては、長辺端部における圧力は95MPaであり、比較例2では、61MPaである。これに対し、本発明を示す実施例では、長辺端部における圧力は1MPaであり、本発明によれば、ドライバIC10の長辺端部における破壊はほとんど生じなくなる。
図14乃至図16の下側の図面において、各バンプに対応した数値は、各バンプにおける圧着力を示したものである。図14乃至図16において、入力バンプ11は1列形成され、出力バンプ12は3列形成されている。図14乃至図16の下側の図面において、1−1は出力バンプ12の最外バンプの外側の圧着力を示し、1−2は同じバンプの内側の圧着力を示している。2−1は出力バンプ12の中央列のバンプにおける外側の圧着力を示し、2−2は同じバンプの内側の圧着力を示している。3−1は、出力バンプ12の最も内側の例のバンプにおける外側の圧着力を示し、3−2は同じバンプの内側の圧着力を示している。4−1は入力バンプ11の内側の圧着力を示し、4−2は同じバンプの外側の圧着力を示す。
図14乃至図16に示すように、一つのバンプ内においても圧着力の大きさは異なっている。バンプ間あるいは各バンプ内における圧着力はできるだけ均一であることが望ましい。比較例1を示す図14においては、1−1における圧着力は10MPaであるのに対し、3−2では101MPaであり、差は非常に大きい。つまり、外側のバンプでは圧着力が十分でなくなる場合がある。
比較例2を示す図15では、1−1における圧着力は19MPaであるのに対し、3−2では84MPaであり、比較例1の場合よりも圧着力分布は改善している。ダミーバンプを配置したことによる効果である。しかし、この場合でも十分ではない。なお、ダミーバンプにおける圧着力は137MPaと非常に大きくなっている。
本発明の実施例1を示す図16では、1−1における圧着力は76MPaであるのに対し、3−2では54MPaであり、圧着力分布は、比較例1および2に対して大幅に改善している。つまり、本発明では、圧着力不足による導通不良発生の確率は大幅に低減することを示している。なお、図16は、ダミーバンプが配置されていない場合である。ダミーバンプを配置すると、圧着力分布はさらに改善する。
図17は、図14乃至図16の結果をグラフにまとめたものである。図17において、横軸は、圧着力を測定した位置であり、図14乃至図16で説明したとおりである。dbは図15におけるダミーバンプを示し、Minは図14乃至図16の上側の図における圧着力が最も小さい位置を示す。図17の縦軸は圧着力を示し、単位はMPaである。
図17において、比較例1では、圧着力の最小値Minは8MPaであるのに対し、最大値は101MPaであり、最大値は最小値の10倍以上になっている。この場合、圧着力が最小値であるバンプでは、圧着不足による導通不良の懸念が生ずる。一方、比較例2では、ダミーバンプをカウントしなければ、圧着力の最小値Minは17MPaであるのに対し、最大値は85MPaであり、最大値は最小値の5倍程度になっている。しかし、この場合でも、圧着力が小さいバンプにおける導通不良の懸念は存在する。
図17において、本発明を示す実施例1では、圧着力の最小値Minは52MPaであるのに対し、最大値は76MPaである。この場合、最大値は最小値の1.5倍以内であり、圧着力分布は大幅に改善している。実施例1の構成であれば、圧着力不足による導通不良の懸念は殆どなくなる。このように、本発明の効果は非常に大きい。
図18乃至20は、バンプの位置と部材20の位置を示す平面図である。バンプはドライバIC10の下面に形成され、部材20はドライバIC10の上面に形成されている。図18において、入力バンプ11はドライバIC10の下面の第1の長辺に沿って1列配置され、出力バンプ12は他の長辺に沿って2列配置されている。ドライバIC10の上面に、入力バンプ、出力バンプに対応して部材20がストライプ状に形成されている。
図19は入力バンプ11がドライバIC10の下面の第1の長辺に沿って形成され、出力バンプ12が第2の長辺と、両短辺に沿って形成されている。ドライバIC10の上面には、下面の入力バンプ11と出力バンプ12に対応した位置に部材20が枠状に形成されている。
図20では、ドライバIC10の下面において、入力バンプ11が第1の長辺に沿って形成され、出力バンプ12が第2の長辺と両短辺に沿って形成されている。図20では、入力バンプ11あるいは出力バンプ12が辺ごとに離間して形成されている。これに対応して、ドライバIC10の上面に形成されるスペーサ20も辺毎に離間して形成されている。
ドライバIC10のバンプは、図18乃至20に示す配置の他、ドライバIC10の第1の主面に、種々の配置をとることが出来るが、本発明における部材20は、ドライバIC10における第2の主面に、このバンプの配置に合わせて、配置すればよい。
従来例においては、ドライバIC10の端部が最外側のバンプよりも外側になるような構成、つまり、庇を形成して、圧着ヘッドによって、外側に配置したバンプにも圧着力を与えることができるようにしている。また、圧着力を均一にするために、入力バンプ11と出力バンプ12の間にダミーバンプ13を配置することが行われてきた。したがって、庇の分及びダミーバンプ13の分、ドライバICが大きくなるという問題が存在していた。
本発明によれば、バンプに対して均一に圧着力を加えることが出来るので、庇やダミーバンプを形成する必要がなくなる。庇やダミーバンプを除去することが出来れば、ドライバIC10を小さくすることが出来、一つのマザー基板から取り出せるドライバICの数を多くすることが出来るので、ドライバICのコストを低減することが出来る。
さらに、ドライバICが小さくなると、TFT基板100における端子部の必要面積を小さくできるので、表示パネルの外形を小さくすることが出来る。図21はこの様子を示す模式断面図である。図21の上側の図は、従来例において、ドライバIC10に庇が存在し、また、ダミーバンプ13が存在する場合である。図21の上側の図に示される従来例においては樹脂シート30とドライバIC10が直接接触している。
図21の下側の図は本発明を示す図であり、樹脂シート30とドライバIC10の間に部材20が形成されている。部材20が形成されていることによって、ドライバIC10に形成された庇とダミーバンプを省略することが出来、その分ドライバIC10が小さくなっている。これにしたがって、TFT基板100の端子部の幅もd2(2辺の庇の幅+ダミーバンプの幅)だけ小さくすることが出来る。なお、図21におけるd1は、ドライバICと水平方向に対向する対向基板との間のクリアランスであり、最低でも0.3mm程度必要である。また、図21は、熱圧着工程を示す図である。
図22乃至図24は、ドライバIC10の庇を無くした場合における入力バンプ11および出力バンプ12と部材20の配置の例を示すものである。図22乃至、図24は、ドライバIC10に庇が無い他は、図18乃至図20で説明したのと同様である。
図25は、ドライバIC10の庇とダミーバンプを廃止することによるTFT基板100の端子部の幅を小さくする例である。図25は図21で説明したのと同様であるが、省略する要素による場合分けを記載している。図25(A)は従来例である。図25(B)はドライバIC10の庇を片側だけ省略した例であり、その分d4だけ、端子部の幅を小さくしたことを示している。図25(C)は、ドライバIC10の庇を両側省略した例であり、その分d5だけ、端子部の幅を小さくしたことを示している。図25(D)は、ドライバIC10の両側の庇とダミーバンプ13を省略した例であり、その分d6だけ端子部の幅を小さくすることが出来る。図25では、端子部の幅はdd−d6になったことを示している。図25のd6と図21のd2は同じである。なお、端子部の幅を小さくしなくてもよい場合は、端子部に出来たスペースに電子部品や回路を搭載することが出来る。
本実施例は、ドライバIC10のバンプに対して均一な圧着力を加えるために、ドライバIC10の上面に部材を形成するのではなく、ドライバIC10と圧着ヘッドとの間の緩衝のための樹脂シートを特別な形状とすることによって課題を解決するものである。
図26は実施例2を示す模式断面図である。図26において、受台60の上にTFT基板100が設置され、TFT基板100に形成された端子にドライバIC10のバンプ11、12が熱圧着によって接続される。図26ではACFは省略されている。図26において、ドライバIC10は圧着ヘッド40によって熱圧着されるが、圧着ヘッド40とドライバIC10の間の樹脂シート30は、ドライバIC10の上面とは、入力バンプ11および出力バンプ12に対応する部分でのみ接触している。樹脂シート30には、凹部31が形成され、ドライバIC10の入力バンプ11および出力バンプ12に対応する部分以外では、樹脂シート30はドライバIC10に接触しないようになっている。
図27は、図26におけるドライバIC10と樹脂シート30のみを取り出した斜視図である。図28は、図27のB−B断面図である。図27及び図28において、ドライバIC10と樹脂シート30は接着しているわけではない。図27および図28において、樹脂シート30には断面が円弧または蒲鉾状の凹部31が形成されている。したがって、樹脂シート30は、ドライバIC10の上面とは、入力バンプ11、出力バンプ12が形成された部分と対応する部分でのみ接触している。これによって熱圧着するときに、ドライバIC10の撓みを抑制することができ、バンプに均一に圧着力を加えることが出来る。
樹脂シート30の材料は、200℃程度の圧着ヘッドの温度に耐えられる樹脂材料として、例えば、テフロン、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)、ポリイミド等を使用することが出来る。樹脂シート30の厚さは30乃至100μm程度である。表示パネルの種類によっては、これよりも厚い場合もあり得る。凹部31の深さrdはバンプ11、12の厚さ以上とするのがよい。深さrdを実施例1におけるスペーサ20の厚さよりも大きくするのは、樹脂シート30は、撓む場合があるからである。バンプ11,12の厚さは、12乃至18μmであるから、凹部31の深さrdは12μm以上とするのがよい。なお、凹部31が形成されている部分における最も厚さが小さい部分の厚さをrtした場合、rt+rdは樹脂シートの厚さと同じである。
図29は、本実施例における効果を示す平面図であり、実施例1における図16に対応する。図29の構成は図16において説明したのと同様である。図29の上側の図において、ドライバIC10に係る最低圧着力は54MPaである。つまり、本実施例においても、全てのバンプにおいて必要な圧着力を確保できることを示している。また、ドライバIC10の短辺の中央部での圧着力は1MPaである。つまり、ドライバICの短辺における破壊を防止することが出来る。いずれも、実施例1における図16の場合と同様の効果を得ることが出来る。
図29の下側に示す詳細図において、入力バンプ11あるいは出力バンプ12に係る最低圧着力は54MPaであり、最大圧着力は70MPaである。つまり、最大圧着力と最低圧着力の比は1.3倍以下となっている。したがって、本実施例においても、図14に示す比較例1および図15に示す比較例2に比べて、圧着力は非常に均一化されていることがわかる。
図30は、実施例2による本発明の効果を比較例1および2と比較したグラフであり、実施例1の図17に対応するグラフである。図30の横軸、縦軸は、図17で説明したのと同様である。また、図30の比較例1および比較例2は図17で説明したのと同様である。図30に示すように、本発明の実施例2の圧着力の最小値Minは54MPaであり、比較例1および比較例2に比べ非常に大きく、バンプと端子の接続不良は生じにくい。
また、圧着力の最大値と最小値の比は1.3倍以下であり、比較例1の10倍、比較例2の5倍に比較して、圧着力の分布は、はるかに均一になっている。したがって、実施例2もドライバIC10の接続不良は生じにくく、また、ストレスによるドライバIC10の破壊も生じにくい。
図31乃至33は、ドライバIC10における種々のバンプの配置に対応して、樹脂シート30の接触部を配置した例である。図31において、入力バンプ11および出力バンプ12がドライバIC10の長辺に沿って形成されている。ドライバIC10の上面において、樹脂シート30がドライバICの入力バンプ11、出力バンプ12に対応して接触している。樹脂シート30の凹部31はドライバIC10の上面とは接触していない。
図32は、出力側バンプ12が長辺の他、短辺にも形成されている例である。これに対応して、樹脂シート30も枠状にドライバIC10の上面と接触している。図33は、入力バンプ11あるいは出力バンプ12の群が離間して形成されている例である。樹脂シート30は、入力バンプ11あるいは出力バンプ12に対応して、ドライバIC10の上面と接触している。
入力バンプ11あるいは出力バンプ12は、図31乃至33以外の配置もあるが、樹脂シート30は、ドライバIC10の上面において、入力バンプ11あるいは出力バンプ12と対応する部分でドライバIC10と接触する構成とすればよい。
図34は本実施例におけるCOGプロセスを示す例である。図34において、ドライバIC10がバンプをTFT基板100側に向けて載置されている。樹脂シート30は、必要に応じて供給されるように、ロール状になっている。フィーダによって樹脂シート30を矢印の方向に移動させて、ドライバIC10の上側に配置する。
ヒータ41で加熱された圧着ヘッド40が樹脂シート30を介してドライバIC10をTFT基板100側に圧着する。ドライバIC10が圧着されると、TFT基板100と対向基板200で形成された表示パネルは矢印の方向に移動し、他の表示パネルが送られてくる。このようにして、ドライバIC10は表示パネル毎に連続して接続される。
図35は樹脂シート30の本実施例の第2の実施形態を示す斜視図である。図35が図27と異なる点は、樹脂シート30に凹部を形成する代わりに、凹部の部分を樹脂シートよりも柔らかい樹脂等で充填していることである。すなわち、樹脂シート30の中央部を柔らかい材料とすれば、ドライバIC10は、主として両側の固い樹脂シート30のみによって押されることになり、ドライバIC10が撓むことが抑制され、その結果、バンプに均一に圧着力が係るようになる。
図36は、図35のC−C断面図である。図36において、ドライバIC10の上面において、入力バンプ11と出力バンプ12に対応する領域の間には、樹脂シート30よりも柔らかい材料が充填された部分が存在する。樹脂シート30よりも柔らかい材料としては、例えば、ウレタン等である。ウレタンが充填された範囲は、例えば、図28において、樹脂シート30に形成された凹部と同じ範囲である。
図37乃至図39は、樹脂シート30において、柔らかい材料36が充填された領域を示す平面図である。図37乃至図39において、柔らかい樹脂が充填された領域は、図31乃至図33において、樹脂シートに形成された凹部30と同じ範囲である。図37乃至図39のその他の構成は、図31乃至図33と同様である。本実施例によれば、樹脂シートは均一な厚さになるので、樹脂シートの取り扱いが容易になる。
図40は本実施例の第3の実施形態を示すドライバICと樹脂シートの斜視図である。図40の樹脂シートが図27と異なる点は、図27の樹脂シートの凹部31に対応する部分が貫通孔37になっている点である。図40のような貫通孔37であれば、深さの管理が容易である。図41は図40のD−D断面図である。図41における貫通孔37の位置は、図28における凹部31の位置と同じである。
図42は、樹脂シート30とドライバIC10を組み合わせた状態において、樹脂シート30、あるいは、樹脂シート30の貫通孔37とドライバIC10に形成された入力バンプ11および出力バンプ12の関係を示す平面図である。樹脂シート30が入力バンプ11あるいは出力バンプ12が存在する部分において、ドライバIC10の上面と接触している点は、本実施例の他の態様と同じである。
本実施形態における樹脂シート30は、貫通孔37が形成されているので、樹脂シート30にはいずれの態様においても、外枠が必ず存在している。図42乃至図44のその他の構成は、図31乃至図33等と同様である。
図45は、本実施例の第4の実施形態を示すドライバIC10おおび樹脂シート30の斜視図である。図46は図45のE−E断面図である。図45および図46の実施形態は、図40および図41に記載された貫通孔に樹脂シート30の材料よりも柔らかい材料36、例えばウレタンを充填したものである。このような構成によっても、図35および図36で説明したように、本発明の目的を達成することが出来る。貫通孔の中に、柔らか材料36を充填することによって、樹脂シートの厚さが均一になるので、扱いが容易になるという効果を得ることが出来る。
本実施例においても、バンプの圧着力をバンプ間、あるいは、バンプ内において均一にすることが出来るので、ドライバICの庇、あるいはダミーバンプを省略することが出来る。したがって、ドライバICの外形を小さくでき、その結果、ドライバICのコストを低減できること、端子部にスペースを形成できること、あるいは、端子部を縮小することによって、液晶表示パネルの外形を小さくすることが出来ること等は実施例1で述べたのと同様である。
以上の構成は、液晶表示装置を前提として説明したが、本発明は、有機EL表示装置等の他の表示装置にも適用することが出来る。なお、有機EL表示装置の場合、対向基板は必ずしも必要ではなく、走査線あるいは映像信号線、発光素子等が形成された素子基板を無機パッシベーション膜あるいは有機パッシベーション膜で保護した構成の場合もありうる。この場合も、素子基板の端子部にドライバICが配置されることには変わりない。
10…ドライバIC、 11…入力バンプ、 12…出力バンプ、 13…ダミーバンプ、 20…部材、 30…樹脂シート、 31…凹部、 35…樹脂シートの薄い部分、 36…軟材料、 37…貫通孔、 40…圧着ヘッド、41…ヒータ、 50…フレキシブル配線基板、 60…受台、 80…画素、 81…走査線、 82…映像線、90…表示領域、 100…TFT基板、 150…端子部、 160…シール材、 200…対向基板
Claims (17)
- 表示領域を有し、ドライバICが接続された端子部を有する表示装置であって、
前記ドライバICは、第1の主面と第2の主面を有し、前記第1の主面の第1の辺には第1のバンプが形成され、前記第1の主面の前記第1の辺に対向する第2の辺には第2のバンプが形成され、
前記第2の主面には、前記第1のバンプに対応する部分に、第1部材が形成され、前記第2のバンプに対応する部分には、第2部材が形成され、
前記第1部材と前記第2部材は離間して形成されていることを特徴とする表示装置。 - 前記第1のバンプおよび前記第2のバンプは異方性導電膜を介して前記端子部に形成された端子と接続していることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記部材は樹脂によって形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記部材の厚さは、前記第1のバンプあるいは前記第2のバンプの厚さよりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1のバンプは前記第1の辺に沿って形成され、前記第2のバンプは前記第2の辺に沿って形成され、前記第1のバンプと前記第2のバンプの間には、走査線あるいは映像線と接続されていない、ダミーバンプが形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1部材は前記第1のバンプに対応してストライプ状に形成され、前記第2部材は、前記第2のバンプに対応してストライプ状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 第1の主面と第2の主面を有し、前記第1の主面の第1の辺には第1のバンプが形成され、前記第1の主面の前記第1の辺に対向する第2の辺には第2のバンプが形成されたドライバICであって、
前記第2の主面には、前記第1のバンプに対応する部分に、第1部材が形成され、前記第2のバンプに対応する部分には、第2部材が形成され、
前記第1部材と前記第2部材は離間して形成されていることを特徴とするドライバIC。 - 前記部材は樹脂によって形成されていることを特徴とする請求項7に記載のドライバIC。
- 前記部材の厚さは、前記第1のバンプあるいは前記第2のバンプの厚さよりも小さいことを特徴とする請求項7に記載のドライバIC。
- 前記第1のバンプは前記第1の辺に沿って形成され、前記第2のバンプは前記第2の辺に沿って形成され、前記第1のバンプと前記第2のバンプの間には、前記第1のバンプまたは前記第2のバンプと接続されていない、ダミーバンプが形成されていることを特徴とする請求項7に記載のドライバIC。
- 前記第1部材は前記第1のバンプに対応してストライプ状に形成され、前記第2部材は、前記第2のバンプに対応してストライプ状に形成されていることを特徴とする請求項7に記載のドライバIC。
- 表示領域を有し、ドライバICが接続された端子部を有する表示装置の製造方法であって、
前記ドライバICは、第1の主面と第2の主面を有し、
前記第1の主面の第1の辺には第1のバンプが形成され、前記第1の主面の前記第1の辺に対向する第2の辺には第2のバンプが形成されたものであり、
前記ドライバICの前記第1のバンプと前記第2のバンプを各々、前記端子部に形成された第1の端子と第2の端子に位置合わせするステップと、
前記第ドライバICの前記第2の主面に緩衝材を介して熱圧着ヘッドを押し付けることによって、前記第1のバンプと前記第1の端子を熱圧着し、かつ、前記第2のバンプと前記第2の端子を熱圧着するステップを有し、
前記緩衝材は、前記第1のバンプに対応する第1の部分と、前記第2の部分に対応する第2の部分と、前記第1の部分と前記第2の部分の間に対応する第3の部分と、を有し、
前記第1の部分と前記第2の部分にかかる圧力は、前記第3の部分にかかる圧力よりも大きく、
前記緩衝材の前記第1の部分を前記第1のバンプに対応するように、かつ、前記緩衝材の前記第2の部分を前記第2のバンプに対応するように配置して前記熱圧着することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記緩衝材は、樹脂で形成されていることを特徴とする請求項12に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第3の部分は、前記第1の部分及び前記第2の部分よりも板厚が小さいことを特徴とする請求項12に記載の表示装置の製造方法。
- 前記緩衝材の前記第1の部分と前記緩衝材の第2の部分の膜板厚をt1とし、前記緩衝材の前記第3の部分の板膜厚をt2とした場合、t1−t2は前記第1のバンプまたは前記第2のバンプの厚さよりも大きいことを特徴とする請求項14に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第3の部分には、前記緩衝材が形成されていないことを特徴とする請求項12に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1の部分の材料と前記第2の部分の材料は第1の樹脂で形成され、前記第3の部分には前記第1樹脂よりも柔らかい、第2の樹脂が存在していることを特徴とする請求項12に記載の表示装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015253799A JP2017116798A (ja) | 2015-12-25 | 2015-12-25 | 表示装置、表示装置の製造方法、及びドライバic |
CN201611201240.3A CN106918962B (zh) | 2015-12-25 | 2016-12-22 | 显示装置、显示装置的制造方法、以及驱动ic |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015253799A JP2017116798A (ja) | 2015-12-25 | 2015-12-25 | 表示装置、表示装置の製造方法、及びドライバic |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017116798A true JP2017116798A (ja) | 2017-06-29 |
Family
ID=59234706
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015253799A Pending JP2017116798A (ja) | 2015-12-25 | 2015-12-25 | 表示装置、表示装置の製造方法、及びドライバic |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017116798A (ja) |
CN (1) | CN106918962B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7503959B2 (ja) | 2020-08-11 | 2024-06-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112086418B (zh) * | 2020-09-24 | 2022-10-21 | 上海中航光电子有限公司 | 一种驱动芯片及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101022278B1 (ko) * | 2003-12-15 | 2011-03-21 | 삼성전자주식회사 | 구동 칩 및 이를 갖는 표시장치 |
KR101051013B1 (ko) * | 2003-12-16 | 2011-07-21 | 삼성전자주식회사 | 구동 칩 및 이를 갖는 표시장치 |
US20070052344A1 (en) * | 2005-09-07 | 2007-03-08 | Yu-Liang Wen | Flat panel display device and method of correcting bonding misalignment of driver IC and flat panel display |
JP5291917B2 (ja) * | 2007-11-09 | 2013-09-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
KR101499120B1 (ko) * | 2009-01-19 | 2015-03-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP2014026042A (ja) * | 2012-07-25 | 2014-02-06 | Japan Display Inc | 表示装置 |
WO2014024440A1 (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-13 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
JP2014157219A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Renesas Sp Drivers Inc | ドライバic及び画像表示装置 |
-
2015
- 2015-12-25 JP JP2015253799A patent/JP2017116798A/ja active Pending
-
2016
- 2016-12-22 CN CN201611201240.3A patent/CN106918962B/zh active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7503959B2 (ja) | 2020-08-11 | 2024-06-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106918962B (zh) | 2020-09-04 |
CN106918962A (zh) | 2017-07-04 |
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