JP2017098781A - 圧電素子、超音波プローブ、超音波測定装置及び圧電素子の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims description 27
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims description 25
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 37
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 37
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 37
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 210000004204 blood vessel Anatomy 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 210000001715 carotid artery Anatomy 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000001727 in vivo Methods 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si].[Si] SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 2
- 230000004218 vascular function Effects 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- -1 gallium arsenide Chemical compound 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 208000019553 vascular disease Diseases 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
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- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B8/00—Diagnosis using ultrasonic, sonic or infrasonic waves
- A61B8/44—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device
- A61B8/4483—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device characterised by features of the ultrasound transducer
- A61B8/4494—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device characterised by features of the ultrasound transducer characterised by the arrangement of the transducer elements
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- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
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- A61B8/08—Detecting organic movements or changes, e.g. tumours, cysts, swellings
- A61B8/0891—Detecting organic movements or changes, e.g. tumours, cysts, swellings for diagnosis of blood vessels
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- A—HUMAN NECESSITIES
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- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
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- A61B8/13—Tomography
- A61B8/14—Echo-tomography
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- A61B8/44—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device
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- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
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- A61B8/44—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device
- A61B8/4427—Device being portable or laptop-like
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- A61B8/00—Diagnosis using ultrasonic, sonic or infrasonic waves
- A61B8/44—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device
- A61B8/4444—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device related to the probe
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
- B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
- B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
- B06B1/0607—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements
- B06B1/0622—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements on one surface
- B06B1/0629—Square array
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/072—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/08—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/085—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by machining
- H10N30/088—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by machining by cutting or dicing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/1051—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
- H10N30/10513—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings characterised by the underlying bases, e.g. substrates
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2041—Beam type
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2041—Beam type
- H10N30/2042—Cantilevers, i.e. having one fixed end
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
Abstract
Description
図1は、本実施形態における超音波測定装置10のシステム構成例を示す図である。
超音波測定装置10は、超音波を被測定者2へ送信して反射波を測定することにより被測定者2の生体情報を測定する装置である。本実施形態では、生体情報の1つとして頸動脈3のIMT(Intima Media Thickness:血管の内膜中膜複合体厚)といった血管機能情報を測定する。勿論、IMT以外にも、血管径や、血管径から血圧を推定する、血管径の変化から脈拍を算出するといった別の血管機能情報や生体情報を測定することとしてもよい。また、測定対象は人間に限らない。
測定制御装置20は、携帯型のコンピューターであって、測定結果や操作情報を画像表示するための手段及び操作入力するための手段を兼ねるタッチパネル22と、超音波プローブ40との間で信号の送受信を制御するインターフェース回路24と、制御基板30と、を備える。その他、図示されない内臓バッテリーなどを適宜備える。
超音波プローブ40は、貼り付け面側に、被測定者2の皮膚に超音波プローブ40を着脱自在に粘着させる粘着部42と、超音波センサー44とを有する。
次に、本発明を適用した第2実施形態について述べる。
本実施形態は、基本的に第1実施形態と同様にして実現されるが、圧電素子の構造が異なる。なお、以降では主に第1実施形態との差異について述べることとし、同様の構成要素には同じ符号を付与して説明は省略するものとする。
以上、本発明を適用した実施形態について説明したが、適宜構成要素の追加・省略・変更をすることができる。
例えば、上記実施形態では振動板53をケイ素の単層構造としたが、図15の振動板長手方向断面図(図5に相当)に示すように、圧電変換部55との間に酸化ジルコニア層58や二酸化ケイ素層59を有した複層構造としてもよい。
また、上記実施形態では支持基板52とケイ素層57とを別材としたが、図16の振動板長手方向断面図に示すように、支持基板52とケイ素層57とを同一材とし、空洞部51をエッチング等により作成することとしてもよい。
また、上記実施形態では振動板53の周囲にスリット54を設けたが、図17の断面図(図4相当)に示すように、スリット54を省略した構成としてもよい。例えば、振動板53を上面視矩形とするならば、その四片を支持基板52で支持した支持構造と呼ぶことができる。
また、上記実施形態では、各圧電素子50が、超音波の送信用と受信用とを兼ねる構成として説明したが、例えば、図18に示すように、1つの超音波トランスデューサー46に、超音波の送信用の第1圧電素子50Aと、受信用の第2圧電素子50Bとを別々に設けた構成も可能である。その場合、その何れか一方又は両方に上記実施形態の圧電素子50を採用することができる。
また、上記実施形態では、振動板53の素材を単結晶シリコンとしたが、偏角方向にヤング率及びポアソン比の等方性を有する結晶方位面で薄板を作成できる素材であれば、他の物質でも構わない。例えば、ガリウムヒ素などシリコンと同じ炭素属の他元素(第14属元素)の素材なども利用可能である。
また、上記実施形態では、空洞部51の下面側を開放した構成としているが、図19に示すように、適宜バックプレート58を設けて、空洞部51を閉空間として有する構成としてもよい。
次いで、ヤング率とポアソン比に異方性が無い面方位[111]の単結晶シリコンウエハーを作成して、先に作成した支持基板板52となる単結晶シリコンウエハーの上面側に接合させ(ステップS22)、面方位[111]の単結晶シリコンウエハーを研磨・薄化してケイ素層57を作成する(ステップS24)。
Claims (6)
- 圧電体と、
面方位が[111]の単結晶シリコンを振動用素材とする振動板と、
を積層した圧電素子。 - 請求項1に記載の圧電素子を、超音波の送信用に備えた超音波プローブ。
- 請求項1に記載の圧電素子を、超音波の受信用に備えた超音波プローブ。
- 請求項1に記載の圧電素子を、超音波の送受信用に備えた超音波プローブ。
- 請求項2〜4の何れか一項に記載の超音波プローブを備えた超音波測定装置。
- 面方位が[111]の単結晶シリコンウエハーから、振動板に用いる振動用素材を切り出す工程と、
圧電体と前記振動板とを積層する工程と、
を含む圧電素子の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015229831A JP2017098781A (ja) | 2015-11-25 | 2015-11-25 | 圧電素子、超音波プローブ、超音波測定装置及び圧電素子の製造方法 |
CN201611042603.3A CN106817105A (zh) | 2015-11-25 | 2016-11-23 | 压电元件及其制造方法、超声波探头、超声波测量装置 |
US15/360,822 US10363016B2 (en) | 2015-11-25 | 2016-11-23 | Piezoelectric element, ultrasonic probe, ultrasonic measurement device, and manufacturing method of piezoelectric element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015229831A JP2017098781A (ja) | 2015-11-25 | 2015-11-25 | 圧電素子、超音波プローブ、超音波測定装置及び圧電素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017098781A true JP2017098781A (ja) | 2017-06-01 |
JP2017098781A5 JP2017098781A5 (ja) | 2018-12-13 |
Family
ID=58719895
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015229831A Withdrawn JP2017098781A (ja) | 2015-11-25 | 2015-11-25 | 圧電素子、超音波プローブ、超音波測定装置及び圧電素子の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10363016B2 (ja) |
JP (1) | JP2017098781A (ja) |
CN (1) | CN106817105A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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- 2015-11-25 JP JP2015229831A patent/JP2017098781A/ja not_active Withdrawn
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- 2016-11-23 US US15/360,822 patent/US10363016B2/en active Active
- 2016-11-23 CN CN201611042603.3A patent/CN106817105A/zh active Pending
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---|---|
US20170143308A1 (en) | 2017-05-25 |
CN106817105A (zh) | 2017-06-09 |
US10363016B2 (en) | 2019-07-30 |
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