JP2017082314A - スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明のスパッタリングターゲットを利用することによって、長期間にわたって連続的なSi系材料の薄膜の成膜が可能となる。
また、本発明のスパッタリングターゲットの製造方法を利用することによって、基材の表面に厚みの厚いターゲット材を工業的に安定して製造することが可能となる。
本実施形態のスパッタリングターゲットの製造方法では、金属元素Mの粉末と金属Siの粉末とを含む混合粉末を用いて、基材に溶射を行うことによって、当該基材の表面にターゲット材を形成する。
金属元素Mの粉末と金属Siの粉末は、それぞれ粒子径の分布範囲が狭いことが好ましい。具体的には、金属元素Mの粉末と金属Siの粉末は、それぞれの粒度分布において累積頻度のD10とD90での粒径の差が150μm以内であることが好ましい。さらに、金属元素Mの粉末と金属Siの粉末は、それぞれの粒度分布において累積頻度のD30とD70での粒径の差が50μm以内であることが好ましい。
式:0.10<(DM 2×ρM)/(DSi 2×ρSi)<350
ここで、DMは、金属元素Mの粉末の平均粒子径であり、ρMは、金属元素Mの粉末の密度であり、DSiは、金属Siの粉末の平均粒子径であり、ρSiは、金属Siの粉末の密度である。
上記の式(DM 2×ρM)/(DSi 2×ρSi)が1から遠くなると、溶射中の粉末の飛び方に差異ができ、得られるターゲット材の組成に分布が発生することがある。
なお、図1の元素分析像において、像の色が白いほど、当該元素の濃度が高いことを表している。具体的には、Siに関する分布像では、Si元素が白い層状部分に分布し、Crに関する分布像では、Cr元素が白い層状部分に分布していることが観察される。この図1のSi元素とCr元素の元素分析像から、ターゲット材の厚さ方向の断面において、互いに層状に重なり合っていること(ラメラ組織)が分かる。
下記の表1に示す粒度分布を有するSi粉末とCr粉末とを用意した。粒度分布は、マイクロトラックにて測定した頻度分布から、累積頻度が10%(D10)、30%(D30)、50%(D50)、70%(D70)、90%(D90)の位置での粒径を読み取ることによって求めた。なお、表1中、D90−D10は、D10とD90での粒径の差であり、D70−D30は、D30とD70での粒径の差である。
上記のSi粉末とCr粉末とを、SiとCrの合計原子量に対するCrの原子含有率が下記の表1に示した仕込み量の値となるように測りとり、ロッキングミキサーで1時間混合して混合粉末を調製した。この調製した混合粉末を、プラズマ溶射機を用いて、ブラスト処理が施されたSUS製バッキングチューブ(長さ600mm、直径133mm)の外周上に溶射して、厚さ5.5mmのSi−Cr合金ターゲット材を形成した。形成したSi−Cr合金ターゲット材を、旋盤を用いて、使用バイトがダイヤモンドチップ、送りピッチが0.1mm/rev、回転数が100回の条件にて機械加工を行い、Si−Cr合金ターゲット材の厚さを5.0mmとなるように調整して、実施例1〜11の円筒型Si−Cr合金スパッタリングターゲットを作製した。
実施例と比較するために、比較例1〜4の円筒型Si−Cr合金スパッタリングターゲットを作製した。比較例1、比較例4は、下記の表1に示すSi粉末とCr粉末とを、SiとCrの合計原子量に対するCrの原子含有率が下記の表1に示した仕込み量の値となるように測りとったこと以外は、実施例の場合と同様の作製手順で作製した。比較例1は、Crの仕込み量が少なく、比較例4は、Crの仕込み量が多い。
比較例2、3は、Si粉末とCr粉末とを用いる代わりに、Cr−Si化合物粉末を用いたこと以外は、実施例の場合と同様の作製手順で作製した。比較例2では、Cr含有量が10原子%のCr−Si化合物粉末を用い、比較例3は、Cr含有量が33原子%のCr−Si化合物粉末を用いた。
スパッタリングターゲットを、長手方向の長さにて5分割した。5分割した各々の点(スパッタリングターゲットの長さが600mmならば、各点は150mmずつ離れている)からターゲット材をサンプリングした。サンプリングした各ターゲット材中の金属元素M(Cr)量をICPによりそれぞれ測定し、得られた測定値の平均を金属元素M(Cr)の平均値Xとした。そして、その平均値Xから最も値が離れた測定値Yを抽出し、下記の式を用いて平均値Xに対する最大変動率として算出した。その結果を、表2の「Cr含有量」欄に示した。
最大変動率(%)=(測定値Y−平均値X)の絶対値/平均値X×100
スパッタリングターゲットのターゲット材の厚さ方向断面の元素分析像を、EPMAを用いて測定した。測定した元素分析像から、金属M(Cr)相の面積を算出し、下記の式より金属M(Cr)相の面積率を求めた。その結果を、表2の「金属Cr相面積率(%)」欄に示した。なお、比較例2、3に関しては、金属Cr相が存在しないため、「−」と表記した。
金属M(Cr)相の面積率(%)=金属M(Cr)相の面積/元素分析像の測定面積×100
スパッタリングターゲットのターゲット材の厚さ方向断面の元素分析像を、EPMAを用いて測定した。測定した元素分析像から、金属M(Cr)相の長軸と短軸との比(長軸/短軸)を求め、平均値(L比)を算出した。その結果を、表2の「Cr形状L比」欄に示した。なお、比較例2、3に関しては、金属Cr相が存在しないため、「−」と表記した。
スパッタリングターゲットのターゲット材の表面を研磨した後、X線回折を測定した。得られたX線回折パターンから、金属Siの(111)面のピークの積分強度ISiと、金属元素M(Cr)のシリサイド相、即ち、Cr3Siの(210)面、Cr5Si3の(411)面、CrSi2の(111)面及びCrSiの(210)面のピークの積分強度の合計Isumとを計測し、下記の式より金属元素M(Cr)のシリサイド相/金属Si:ピーク強度比率を算出した。その結果を、表2の「ピーク強度比率(%)」欄に示した。なお、比較例3の場合には、金属Si相が存在しないため、ピーク強度を算出することができないので、「Si相無」と表記した。
ピーク強度比率(%)=Isum/ISi×100
スパッタリングターゲットのターゲット材から、図4に示すように、厚さが3mm、スパッタ面方向に対して幅が5mm、長さが30mmである試験片を採取し、採取した試験片を用いて、支点間距離が20mm、試験荷重が5kN、速度0.5がmm/minの条件にて3点曲げ試験を行った。その結果を、表2の「抗折強度(N/mm2)」欄に示した。
スパッタリングターゲットのターゲット材から試験片を採取し、採取した試験片の寸法及び重量を測定して、ターゲット材の密度(実測値)を算出した。
次に、ターゲット材の理論密度を下記の式より算出した。
理論密度=100/[(ターゲット材のSi含有量%)/(Siの密度)+(ターゲット材の金属元素M(Cr)の含有量%)/(Crの密度)]
そして、ターゲット材の理論密度比率を下記の式より算出した。その結果を、表2の「理論密度比率(%)」欄に示した。
理論密度比率(%)=密度(実測値)/理論密度×100
スパッタリングターゲットの表面を目視にて観察し、2mm以上の割れ・欠けの発生が無いかを確認した。その結果を、表2の「加工時の割れ・欠け」欄に示した。なお、この割れ・欠けが発生しなかった場合を、「無」と、そして、割れ・欠けが発生した場合を、「有」とそれぞれ表記した。
試料のスパッタリングターゲット(ターゲットサイズ:直径143mm、長さ600mm)を、スパッタ装置に取り付け、スパッタガスとしてArを用い、スパッタガス圧を0.5Paとし、直流(DC)電源にて、スパッタ出力が5kWの条件でスパッタリングテストを実施した。スパッタリングテストは60分連続して行った。このテストの間、電源に付属するアークカウンターを用いて、スパッタ異常により生じた異常放電の回数をカウントした。その計測結果を、表2の「異常放電回数」欄に示した。なお、比較例1〜4に関しては、機械加工時に割れ・欠けが発生し、スパッタリングテストを実施することができなかったため、「−」で表記した。
下記の表3に示す粒度分布を有するSi粉末とZr粉末とを用意した。
このSi粉末とZr粉末とを、SiとZrの合計原子量に対するZrの原子含有率が下記の表3に示した仕込み量の値となるように測りとり、ロッキングミキサーで1時間混合して混合粉末を調製した。この調製した混合粉末を、プラズマ溶射機を用いて、ブラスト処理が施されたSUS製バッキングチューブ(長さ600mm、直径133mm)の外周上に溶射して、厚さ5.5mmのSi−Zr合金ターゲット材を形成した。形成したSi−Zr合金ターゲット材を、旋盤を用いて、使用バイトがダイヤモンドチップ、送りピッチが0.1mm/rev、回転数が100回の条件にて機械加工を行い、Si−Zr合金ターゲット材の厚さを5.0mmとなるように調整して、実施例12〜16の円筒型Si−Zr合金スパッタリングターゲットを作製した。
実施例と比較するために、比較例5〜7の円筒型Si−Zr合金スパッタリングターゲットを作製した。比較例5、7は、下記の表3に示すSi粉末とZr粉末とを、SiとZrの合計原子量に対するZrの原子含有率が下記の表3に示した仕込み量の値となるように測りとったこと以外は、実施例の場合と同様の作製手順で作製した。比較例5は、Zrの仕込み量が少なく、比較例7は、Zrの仕込み量が多い。
比較例6は、Si粉末とZr粉末とを用いる代わりに、Zr含有量が10原子%のZr−Si化合物粉末を用いたこと以外は、実施例の場合と同様の作製手順で作製した。
下記の表5に示す粒度分布を有するSi粉末とNb粉末とを用意した。
このSi粉末とNb粉末とを、SiとNbの合計原子量に対するNbの原子含有率が下記の表5に示した仕込み量の値となるように測りとり、ロッキングミキサーで1時間混合して混合粉末を作製した。この調製した混合粉末を、プラズマ溶射機を用いて、ブラスト処理が施されたSUS製バッキングチューブ(長さ600mm、直径133mm)の外周上に溶射して、厚さ5.5mmのSi−Nb合金ターゲット材を形成した。形成したSi−Nb合金ターゲット材を、旋盤を用いて、使用バイトがダイヤモンドチップ、送りピッチが0.1mm/rev、回転数が100回の条件にて機械加工を行い、Si−Nb合金ターゲット材の厚さ5.0のmmとなるように調整して、実施例17〜21の円筒型Si−Nb金属スパッタリングターゲットを作製した。
実施例と比較するために、比較例8〜10の円筒型Si−Nb合金スパッタリングターゲットを作製した。比較例8、10は、下記の表5に示すSi粉末とNb粉末とを、SiとNbの合計原子量に対するNbの原子含有率が下記の表5に示した仕込み量の値となるように測りとったこと以外は、実施例の場合と同様の作製手順で作製した。比較例5は、Nbの仕込み量が少なく、比較例10は、Nbの仕込み量が多い。
比較例9は、Si粉末とNb粉末とを用いる代わりに、Nb含有量が10原子%のNb−Si焼結体粉末を用いたこと以外は、実施例の場合と同様の作製手順で作製した。
下記の表7に示す粒度分布を有するSi粉末と金属元素Mの粉末とを用意した。
このSi粉末と金属元素Mの粉末とを、Siと金属元素Mの合計原子量に対する金属元素Mの原子含有率が下記の表7に示した仕込み量の値となるように測りとり、ロッキングミキサーで1時間混合して混合粉末を調製した。この調製した混合粉末について、プラズマ溶射機を用いて、ブラスト処理が施されたSUS製バッキングチューブ(長さ600mm、直径133mm)の外周上に溶射して、厚さ5.5mmのSi−金属元素M合金ターゲット材を形成した。形成したSi−金属元素M合金ターゲット材を、旋盤を用いて、使用バイトがダイヤモンドチップ、送りピッチが0.1mm/rev、回転数が100回の条件にて機械加工を行い、Si−金属元素M合金ターゲット材の厚さを5.0mmとなるように調整して、実施例22〜27の円筒型Si−金属元素M合金スパッタリングターゲットを作製した。
また、実施例22〜27のいずれのものも、金属元素M含有量の最大変動率が±3%以内にあり、スパッタリング成膜時の異常放電の発生回数が少なかった。
なお、本発明の技術範囲は、上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。
Claims (11)
- 基材と、当該基材の表面に形成されているターゲット材とを含み、
前記ターゲット材は、金属元素Mを8原子%以上66原子%以下の範囲内にて含有し、残部がSi及び不可避不純物からなる組成を有し、
金属M相と、金属Si相とを有し、
X線回折において、金属Siの(111)面のピークの積分強度ISiと、MxSiyで示される各シリサイド化合物のピークの積分強度の合計Isumとの比率Isum/ISi×100が、10%以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 前記ターゲット材は、厚さ方向断面における金属M相の面積率が、5%以上であることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記ターゲット材において、厚さ方向断面の金属M相に係る長軸と短軸との長さの比の平均値が2.0以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記ターゲット材において、抗折強度が、40N/mm2以上であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記ターゲット材において、理論密度比率が、90%以上であることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記ターゲット材において、ターゲット材全体の金属元素Mの含有量の平均値Xに対して、ターゲット材中の各部位における金属元素Mの含有量が±3原子%以内の範囲にあることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記金属元素Mが、融点が金属Siの融点の温度よりも高い温度である高融点金属元素であることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記高融点金属元素がCo、Cr、Mo、Ni、Nb、Ta、Ti、W及びZrからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属元素であることを特徴とする請求項7に記載のスパッタリングターゲット。
- 金属元素Mの粉末と金属Siの粉末からなる混合粉末を用いて、基材に溶射を行い、当該基材の表面にターゲット材を形成することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記金属元素Mの粉末と前記金属Siの粉末のそれぞれの粒度分布において、累積頻度のD10とD90での粒径の差が150μm以内であることを特徴とする請求項9に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記金属元素Mの粉末と前記金属Siの粉末のそれぞれの粒度分布において、累積頻度のD30とD70での粒径の差が50μm以内であることを特徴とする請求項9又は10に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
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