JP2017076106A - 表示パネル - Google Patents

表示パネル Download PDF

Info

Publication number
JP2017076106A
JP2017076106A JP2016102185A JP2016102185A JP2017076106A JP 2017076106 A JP2017076106 A JP 2017076106A JP 2016102185 A JP2016102185 A JP 2016102185A JP 2016102185 A JP2016102185 A JP 2016102185A JP 2017076106 A JP2017076106 A JP 2017076106A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
edge
active layer
display panel
transistor
channel region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2016102185A
Other languages
English (en)
Inventor
翊菱 余
Yi-Ling YU
翊菱 余
峻良 林
Chun-Liang Lin
峻良 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Innolux Corp
Original Assignee
Innolux Display Corp
Innolux Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Innolux Display Corp, Innolux Corp filed Critical Innolux Display Corp
Publication of JP2017076106A publication Critical patent/JP2017076106A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13454—Drivers integrated on the active matrix substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

【課題】非表示領域におけるトランジスタの電気特性を向上させることが可能な表示パネルを提供する。
【解決手段】表示パネルは、表示領域と非表示領域とを有する基板と、前記非表示領域に配置され、前記基板上に配置される活性層を有する第１トランジスタと、前記非表示領域に配置され、前記活性層の上方に配置される開口を有し、当該開口の面積が前記活性層の面積よりも大きい透明導電層とを含む。
【選択図】図２Ａ

Description

本発明は、表示パネルに関し、特に、非表示領域におけるトランジスタの電気特性を向上させることが可能な表示パネルに関するものである。
ディスプレイ技術の進展に伴って、全ての表示設備において小型化・薄型化・軽量化が進められている。このため、現在主流となっているディスプレイ装置は、従来の陰極線管から、例えば、液晶表示設備や有機ＥＬ表示設備などの薄型ディスプレイへと発展してきている。特に、液晶表示設備や有機ＥＬ表示設備は、例えば日常生活で使用される携帯電話、ノートパソコン、ビデオカメラ、カメラ、音楽プレーヤ、モバイルナビゲーション装置、及びテレビなどの表示装置に用いられ、幅広い分野に適用することが可能となっている。このように、液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルは、上記表示装置に多く使用されている。
液晶表示設備や有機ＥＬ表示設備は、よく使用されている表示設備であり、特に、液晶表示設備技術については、その発展が既に成熟化しているといえる。しかし、各メーカーは、技術が進むのに伴って表示品質に対する消費者の要求を満たすために、依然としてハイエンド表示装置の開発に力を注いでいる。このうち、表示設備の全体効率に影響する要素としては、表示領域における薄膜トランジスタの構造のほか、非表示領域におけるゲート駆動回路領域に使用されている薄膜トランジスタの構造がある。
このため、液晶表示設備や有機ＥＬ表示設備は、よく使用されている表示設備であるものの、消費者の要求を満たすことができるような、より表示品質の優れた表示設備を開発する必要がある。具体的にいえば、非表示領域におけるゲート駆動回路領域に使用されている薄膜トランジスタの構造を改良しなければならない。
本発明の目的は、ゲート駆動回路領域において、トランジスタの上方に透明導電層が設けないようにすることにより、トップゲート（Ｔｏｐ ｇａｔｅ）効果を回避することができ、さらに、トランジスタのスイッチング及び動作の特性を向上させることが可能な表示パネルを提供することにある。
本発明に係る表示パネルは、表示領域と非表示領域とを有する基板と、前記非表示領域に配置され、前記基板上に配置される活性層を有する第１トランジスタと、前記非表示領域に配置され、前記活性層の上方に配置される開口を有し、当該開口の面積が前記活性層の面積よりも大きい透明導電層とを含む。
本発明の表示パネルにおいて、前記開口から前記活性層が完全に露出するように設けられる。
本発明の表示パネルにおいて、前記第１トランジスタは、前記基板上に配置されるゲート電極をさらに有し、前記開口は、第１エッジと、第２エッジとを有し、前記ゲート電極は、第３エッジと、第４エッジとを有し、前記第１エッジ及び前記第１エッジに近接する前記第３エッジは、前記活性層のチャンネル領域の幅方向に延びており、前記第２エッジ及び前記第２エッジに近接する前記第４エッジは、前記活性層のチャンネル領域の長さ方向に延びており、前記第１エッジと前記第３エッジとの最短距離は、前記第２エッジと前記第４エッジとの最短距離よりも大きい。
本発明の表示パネルにおいて、前記開口は、第１エッジと、第２エッジとを有し、前記活性層は、第５エッジと、第６エッジとを有し、前記第１エッジ及び前記第１エッジに近接する前記第５エッジは、前記活性層のチャンネル領域の幅方向に延びており、前記第２エッジ及び前記第２エッジに近接する前記第６エッジは、前記活性層のチャンネル領域の長さ方向に延びており、前記第１エッジと前記第５エッジとの最短距離は、前記第２エッジと前記第６エッジとの最短距離よりも大きい。
本発明の表示パネルにおいて、前記第１トランジスタは、第１伝送線路を介して第１パッドに電気的に接続され、前記第１伝送線路の線幅は、前記第１パッドの幅よりも小さい。
本発明の表示パネルにおいて、前記非表示領域に配置される第２トランジスタをさらに含み、前記第２トランジスタは、第２伝送線路を介して前記第１パッドに電気的に接続される第２パッドに電気的に接続され、前記第２伝送線路の線幅は、前記第２パッドの幅よりも小さい。
本発明の表示パネルにおいて、前記第１トランジスタは、前記活性層上に配置され、孔を有する絶縁層と、前記絶縁層上に配置され、前記孔を通じて前記活性層に電気的に接続される第１導電電極とをさらに有し、前記孔は、前記活性層のチャンネル領域の長さ方向における最大長さが、前記活性層のチャンネル領域の幅方向における最大長さよりも大きい。
本発明の表示パネルにおいて、前記第１トランジスタは、前記基板上に配置され、その上に前記活性層が配置され、第３エッジを有するゲート電極と、前記活性層上に配置され、孔を有する絶縁層と、前記絶縁層上に配置され、前記孔を通じて前記活性層に電気的に接続される第１導電電極とをさらに有し、前記第３エッジの延びる方向は、前記活性層のチャンネル領域の幅方向と実質的に同じであり、前記第１導電電極は、前記孔の上方に位置する第１の幅が、前記第３エッジの上方に位置する第２の幅よりも大きい。
本発明の表示パネルにおいて、前記活性層のチャンネル領域の幅方向は、前記チャンネル領域におけるキャリアの移動方向であり、前記活性層のチャンネル領域の長さ方向は、前記チャンネル領域におけるキャリアの移動方向に対して垂直な方向である。
本発明の表示パネルにおいて、前記活性層は、金属酸化物を含む。
本発明の表示パネルによれば、非表示領域におけるゲート駆動回路領域において、トランジスタの活性層上方の透明導電層には、開口が設けられている。開口の面積は、活性層の面積よりも大きい。特に、開口から活性層が完全に露出するように設けられている。このようにすれば、活性層上方に透明導電層が配置されることに起因するトップゲート効果の発生を回避することができる。さらに、ゲート駆動回路領域におけるトランジスタのスイッチング及び動作の特性を向上させることができる。また、トランジスタのチャンネル領域におけるキャリアの伝送も、トランジスタ上方の透明導電層の影響を受けることがある。そのため、延伸方向がキャリアの移動方向と実質的に同じである、透明導電層における開口のエッジを、チャンネル領域から離れるように設ける。これにより、チャンネル領域の動作は、透明導電層と活性層との間に生じるトップゲート効果に影響されることを回避することができる。さらに、トランジスタのスイッチング及び動作の特性を向上させることができる。
本発明の好ましい実施例による表示パネルを示す断面概略図である。 本発明の好ましい実施例による表示パネルの非表示領域におけるゲート駆動回路領域を示す平面図である。 本発明の好ましい実施例による表示パネルの非表示領域におけるゲート駆動回路領域を示す平面図である。 本発明の好ましい実施例による表示パネルの非表示領域におけるゲート駆動回路領域を示す要部拡大図である。 本発明の好ましい実施例による表示パネルの非表示領域におけるゲート駆動回路領域を示す要部拡大図である。 本発明の好ましい実施例による表示パネルの非表示領域における第１トランジスタを示す断面概略図である。 本発明の好ましい実施例による表示パネルの非表示領域における第１パッド及び第２パッドを示す断面概略図である。 本発明の他の好ましい実施例による表示パネルの非表示領域におけるゲート駆動回路領域を示す平面図である。 本発明の好ましい実施例による表示パネルの非表示領域における第１トランジスタを示す断面概略図である。 本発明の別の好ましい実施例による表示パネルの非表示領域におけるゲート駆動回路領域を示す平面図である。 本発明の表示設備を示す概略図である。
本発明の特徴、利点などをさらに明瞭にするために、本発明を実施する具体的な実施例について、図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、本発明の好ましい実施例による表示パネルを示す断面概略図である。本実施例において、表示パネルは、第１基板１と、第２基板２と、第１基板１と第２基板２との間に挟設される表示層３とを含んでいる。ここで、第１基板１は、上方に薄膜トランジスタユニット（図示せず）が配置される薄膜トランジスタ基板であってもよい。第２基板２は、上方にカラーフィルタ層（図示せず）が配置されるカラーフィルタ基板であってもよい。しかし、本発明の他の実施例において、カラーフィルタ層（図示せず）は、第１基板１上に配置されてもよい。この場合、第１基板１は、カラーフィルタアレイを統合した薄膜トランジスタ基板（Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ ｏｎ Ａｒｒａｙ，ＣＯＡ）となる。また、本実施例において、表示パネルにおける表示層３は、液晶層又は有機ＥＬ層であってもよい。
図１に示すように、本実施例において、表示パネルは、表示領域ＡＡと、非表示領域Ｂとを含んでいる。非表示領域Ｂは、表示領域ＡＡを囲むように配置されている。以下、非表示領域Ｂにおけるゲート駆動回路領域のデザインについて詳しく説明する。
図２Ａ及び図２Ｂは、本発明の好ましい実施例による表示パネルの非表示領域におけるゲート駆動回路領域を示す平面図である。図２Ｂは、図２Ａと同じ図であるが、説明の便宜上、図２Ａの断面線を非表示にした図である。図２Ｃ及び図２Ｄは、図２Ａ及び図２Ｂの要部拡大図である。図３は、図２ＡのＡ−Ａ’線に沿ったトランジスタの断面概略図である。図４は、図２ＡのＢ−Ｂ’線に沿った第１パッド及び第２パッドを示す断面概略図である。
図２Ａ、図３及び図４に示すように、まず、基板１１を提供し、基板１１上にゲート電極１２及び第２パッド２０２を含む第１金属層を形成する。その後、第１金属上にゲート絶縁層１３を形成する。ここで、第２パッド２０２に対応するゲート絶縁層１３は、第２パッド２０２を露出させるための孔１３１を有している。ゲート絶縁層１３を形成した後、第１トランジスタ１０及び第２トランジスタ２０を形成しようとする領域において、ゲート絶縁層１３上にゲート電極１２対応する活性層１４，２４を一対形成する。そして、活性層１４，２４及びゲート絶縁層１３上に絶縁層１５を形成する。絶縁層１５は、活性層１４，２４の一部を露出させるための孔１５１を有している。さらに、絶縁層１５上に、第１導電電極１６１，２６１と、第２導電電極１６２，２６２と、第３導電電極２６３と、第１パッド１０２とを含む第２金属層を形成する。このうち、隣り合う第１導電電極１６１，２６１、第２導電電極１６２，２６２及び第３導電電極２６３は、チャンネル領域１６３を形成するように、互いに所定距離をあけて設けられている。また、第１導電電極１６１，２６１、第２導電電極１６２，２６２及び第３導電電極２６３は、活性層１４，２４に電気的に接続されている。第１パッド１０２は、第２パッド２０２に電気的に接続されている。ここで、第１導電電極１６１は、ソースとして用いられ、第２導電電極１６２は、ドレインとして用いられている。その後、絶縁層１５及び第１導電電極１６１，２６１と、第２導電電極１６２，２６２と、第３導電電極２６３と、第１パッド１０２とを含む第２金属層上に、保護層１７を形成する。さらに、保護層１７上に透明導電層１８を形成する。透明導電層１８は、活性層１４，２４に対応する箇所に開口１８１，２８１を有している。上記手順で本実施例による表示パネルの非表示領域におけるゲート駆動回路領域を完成させる。
本実施例において、基板１１は、例えば、ガラス、プラスチック、可撓性材質などの基材材料によって作製されてもよい。第１金属層及び第２金属層は、例えば、金属、合金、金属酸化物、金属酸窒化物又は他の電極材料などの導電材料によって作製されてもよい。ゲート絶縁層１３、絶縁層１５及び保護層１７は、酸化物（例えば、酸化シリコンＳｉＯｘ）、窒化物（例えば、窒化シリコンＳｉＮｘ）、アルミナ又は窒素酸化物などの絶縁層材料によって作製されてもよい。活性層１４，２４は、例えば、ＩＧＺＯの金属酸化物を含む材料であってもよく、その金属は、インジウム、ガリウム、亜鉛、スズ、アルミニウム又はこれらの組み合わせであってもよい。透明導電層１８は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ又はＩＴＺＯなどの透明導電電極材料によって作製されてもよい。しかし、本発明の他の実施例において、上記構成の材料はこれらに限定されない。
図１、図２Ａ及び図３に示すように、本実施例による表示パネルは、表示領域ＡＡと非表示領域Ｂとを有する基板１１と、非表示領域Ｂに配置され、基板１１上に配置される活性層１４を有する第１トランジスタ１０と、非表示領域Ｂに配置される透明導電層１８とを含んでいる。透明導電層１８は、活性層１４の上方に配置される開口１８１を有し、開口１８１の面積が活性層１４の面積よりも大きい。また、本実施例による表示パネルは、非表示領域Ｂ上に配置され、活性層２４を有する第２トランジスタ２０さらに含んでいる。このうち、透明導電層１８は、活性層２４の上方に配置される開口２８１を有し、開口２８１の面積が活性層２４の面積よりも大きい。特に、透明導電層１８の開口１８１，２８１から活性層１４，２４が完全に露出するように設けられている。ここで、非表示領域Ｂの透明導電層１８は、共通電極層（図示せず）の電位を接地電位とするように、表示領域ＡＡの共通電極層（図示せず）と同じ層である。
本実施例の表示パネルでは、非表示領域Ｂのゲート駆動回路領域において、第１トランジスタ１０及び第２トランジスタ２０の活性層１４，２４の上方の透明導電層１８には、それぞれ、開口１８１，２８１が設けられている。開口１８１，２８１の面積は、活性層１４，２４の面積よりも大きい。特に、開口１８１，２８１は、活性層１４，２４を完全に露出させることができる。これにより、活性層１４，２４の上方に透明導電層１８が配置されることに起因するトップゲート効果の発生を回避することができる。さらに、ゲート駆動回路領域における第１トランジスタ１０及び第２トランジスタ２０のスイッチング及び動作の特性を向上させることができる。
本実施例において、第１トランジスタ１０と第２トランジスタ２０は、類似するように設計されているが、第１トランジスタ１０が２つの導電電極（第１導電電極１６１及び第２導電電極１６２）を有し、第２トランジスタ２０が５つの導電電極（第１導電電極２６１、第２導電電極２６２及び３つの第３導電電極２６３）を有している点が異なる。しかし、本発明の他の実施例において、第１トランジスタ１０及び第２トランジスタ２０の導電電極の数が図２Ａに示すようなものに限定されない。第１トランジスタ１０及び第２トランジスタ２０のそれぞれは、少なくともソース及びドレインとして用いられる２つの導電電極を有すればよい。なお、本実施例及び他の実施例には、特に言及しない場合、第２トランジスタ２０は、第１トランジスタ１０と類似した構造的な特徴を有する。また、第１トランジスタ１０及び第２トランジスタ２０において、活性層１４，２４と透明導電層１８の開口１８１，２８１との関係も類似している。したがって、本実施例では、第１トランジスタ１０と第２トランジスタ２０が類似した構造的な特徴を有するため、第１トランジスタ１０のみを例示して説明する。
図２Ａ〜図２Ｃを参照すると、図２Ｃは、図２Ａ及び図２Ｂにおける第１トランジスタ１０の要部拡大図である。本実施例による表示パネルの非表示領域において、第１トランジスタ１０は、基板１１（図３に示す）上に配置されるゲート電極１２を有している。開口１８１は、第１エッジ１８１１と、第２エッジ１８１２とを有している。ゲート電極１２は、第３エッジ１２１と、第４エッジ１２２とを有している。このうち、第１エッジ１８１１及び第３エッジ１２１は、活性層１４のチャンネル領域１６３の幅方向Ｘに延びており、第１エッジ１８１１は、第３エッジ１２１に近接して設けられている。第２エッジ１８１２及び第４エッジ１２２は、活性層１４のチャンネル領域１６３の長さ方向Ｙに延びており、第２エッジ１８１２は、第４エッジ１２２に近接して設けられている。ここで、第１エッジ１８１１と第３エッジ１２１との最短距離Ｌ１が、第２エッジ１８１２と第４エッジ１２２との最短距離Ｌ２よりも大きい。本実施例において、活性層１４のチャンネル領域１６３の幅方向Ｘは、チャンネル領域１６３におけるキャリアの移動方向であり、活性層１４のチャンネル領域１６３の長さ方向Ｙは、チャンネル領域１６３におけるキャリアの移動方向に対して垂直な方向である。
また、図２Ａ〜図２Ｃに示すように、本実施例による表示パネルの非表示領域において、活性層１４は、第５エッジ１４１と、第６エッジ１４２とを有している。第５エッジ１４１は、活性層１４のチャンネル領域１６３の幅方向Ｘに延びており、第１エッジ１８１１に近接して設けられている。第６エッジ１４２は、活性層１４のチャンネル領域１６３の長さ方向Ｙに延びており、第２エッジ１８１２に近接して設けられている。ここで、第１エッジ１８１１と第５エッジ１４１との最短距離Ｌ３が、第２エッジ１８１２と第６エッジ１４２との最短距離Ｌ４よりも大きい。
本実施例において、第１トランジスタ１０のチャンネル領域１６３におけるキャリアの伝送は、第１トランジスタ１０上方の透明導電層１８（図３に示す）の影響を受けることがある。そのため、透明導電層１８（図３に示す）における開口１８１の第１エッジ１８１１をチャンネル領域１６３から離れるように設ける。ここで、第１エッジ１８１１の延びる方向は、キャリアの移動方向と実質的に同じである。具体的に、本実施例では、開口１８１の第１エッジ１８１１とゲート電極１２の第３エッジ１２１との間の最短距離Ｌ１を、開口１８１の第２エッジ１８１２とゲート電極１２の第４エッジ１２２との間の最短距離Ｌ２より大きくするように設計する。また、開口１８１の第１エッジ１８１１と活性層１４の第５エッジ１４１との間の最短距離Ｌ３を、開口１８１の第２エッジ１８１２と活性層１４の第６エッジ１４２との間の最短距離Ｌ４より大きくするように設計する。このようにすれば、透明導電層１８（図３に示す）とチャンネル領域１６３との間の間隔を大きくすることができる。これにより、透明導電層１８（図３に示す）とチャンネル領域１６３が近すぎることに起因する、チャンネル領域１６３における電子の輸送への影響を回避することができる。また、透明導電層１８（図３に示す）と活性層１４との間に生じるトップゲート効果によってチャンネル領域１６３の動作が影響されることを回避することができる。さらに、第１トランジスタ１０のスイッチング及び動作の特性を向上させることができる。
ここで、透明導電層１８（図３に示す）の開口１８１の第１エッジ１８１１を例示して説明したが、第１エッジ１８１１に対向する対向エッジ１８１３と、ゲート電極１２及び活性層１４との関係も上記第１エッジ１８１１に類似しているため、その説明を省略する。
図２Ａ〜図２Ｃに示すように、第１トランジスタ１０のゲート電極１２の第３エッジ１２１の延びる方向は、活性層１４のチャンネル領域１６３の幅方向Ｘと実質的に同じである。すなわち、第３エッジ１２１の延びる方向がチャンネル領域１６３の幅方向Ｘに対して平行であるか、両者間の角度が５度より小さくなるように形成されている。絶縁層１５（図３に示す）は、活性層１４上に配置され、孔１５１を有している。第１導電電極１６１は、絶縁層１５（図３に示す）上に配置され、孔１５１を通じて活性層１４に電気的に接続されている。孔１５１に対応する第１導電電極１６１に比べ、ゲート電極１２の第３エッジ１２１に対応する第１導電電極１６１は、凹構造を有している。より詳細に、孔１５１上方に位置する第１導電電極１６１は、第１の幅Ｗ５を有し、第３エッジ１２１上方に位置する第１導電電極１６１は、第２の幅Ｗ６を有し、第１の幅Ｗ５が第２の幅Ｗ６よりも大きくなるように形成されている。なお、第２導電電極２６２は、凹構造を有していない。
ゲート電極１２の第３エッジ１２１に対応する第１導電電極１６１が凹構造を有している場合、第１導電電極１６１は、信号を送受信するための信号伝送線路に同時に接続されているため、ゲート電極１２と重なる箇所に少なくとも１つの切り欠きを設けるように設計する。これにより、第１導電電極１６１の信号を伝送するＲＣ負荷（ＲＣ ｌｏａｄｉｎｇ）を低減することができる。一方、第２導電電極２６２は、信号を送受信するための信号伝送線路に同時に接続されていないため、ゲート電極１２と重なる箇所に切り欠きを設けないように設計する。しかし、本発明はこれに限定されない。第２導電電極２６２は、信号を送受信するための信号伝送線路に同時に接続されている場合、ゲート電極１２と重なる箇所に切り欠きを設けるように設計することが好ましい。
図２Ａ、図２Ｂ及び図２Ｄを参照すると、図２Ｄは、図２Ａ及び図２Ｂにおける第１パッド１０２及び第２パッド２０２の要部拡大図である。第１トランジスタ１０は、第１伝送線路１０１を介して第１パッド１０２に電気的に接続され、第１伝送線路１０１の線幅Ｗ１が第１パッド１０２の幅Ｗ２よりも小さい。また、第２トランジスタ２０は、第２伝送線路２０１を介して第２パッド２０２に電気的に接続され、第２伝送線路２０１の線幅Ｗ３が第２パッド２０２の幅Ｗ４よりも小さい。ここで、第２パッド２０２は、第１パッド１０２に電気的に接続されている。図２Ｂ及び図４に示すように、第１パッド１０２及び第２パッド２０２は、孔１３１を通じて互いに電気的に接続されている。このため、孔１３１を形成するように、第１パッド１０２の幅Ｗ２を第１伝送線路１０１の線幅Ｗ１よりも大きく、第２パッド２０２の幅Ｗ４を第２伝送線路２０１の線幅Ｗ３よりも大きくするように設計する。
また、図２Ａ〜図２Ｃに示すように、活性層１４上に配置される絶縁層１５（図３に示す）は、孔１５１を含んでいる。絶縁層１５上に配置される第１導電電極２６１及び第２導電電極２６２は、それぞれ、孔１５１を通じて活性層１４に電気的に接続されている。孔１５１は、活性層１４のチャンネル領域１６３の長さ方向Ｙにおける最大長さＬ５が、活性層１４のチャンネル領域１６３の幅方向Ｘにおける最大長さＬ６よりも大きい。より詳細に、孔１５１は、キャリアの輸送方向に対して垂直な最大長さＬ５が、キャリアの輸送方向に対して平行な最大長さＬ６よりも大きい。これにより、キャリアの移動距離を短縮することができるとともに、キャリアを輸送する領域を大きくすることができる。さらに、活性層１４の電子輸送効率を向上させることができる。
図５は、本発明の他の好ましい実施例による表示パネルの非表示領域におけるゲート駆動回路領域を示す平面図である。図６は、図５のＡ−Ａ’線に沿ったトランジスタの断面概略図である。本実施例による表示パネルは、上記表示パネルに類似しているが、絶縁層１５及び孔１５１を含んでいない点が異なる。
図７は、本発明の別の好ましい実施例による表示パネルの非表示領域におけるゲート駆動回路領域を示す平面図である。同図には、透明導電層及びその孔が示されていない。本実施例による表示パネルは、上記表示パネルに類似しているが、第１導電電極１６１及び第２導電電極１６２は、信号を送受信するための信号伝送線路に同時に接続されているため、ゲート電極１２と重なる箇所に少なくとも１つの切り欠きを設けるように設計する点が異なる。より詳細に、孔１５１上方に位置する第１導電電極１６１は、第１の幅Ｗ５を有し、第３エッジ１２１上方に位置する第１導電電極１６１は、第２の幅Ｗ６を有し、第１の幅Ｗ５が第２の幅Ｗ６よりも大きくなるように形成されている。また、孔１５１上方に位置する第２導電電極１６２は、第３の幅Ｗ７を有し、第７エッジ１２３（第３エッジ１２１に対向して配置される）上方に位置する第１導電電極１６１は、第４の幅Ｗ８を有し、第３の幅Ｗ７が第４の幅Ｗ８よりも大きくなるように形成されている。
本発明において、上記実施例による表示パネルは、液晶表示パネル又は有機ＥＬ表示パネルに適用することが可能である。上記実施例による表示パネルは、タッチパネルと併せてタッチ表示設備として使用してもよい。同時に、上記実施例による表示パネル又はタッチ表示設備は、本技術分野で知られている表示画面を必要とする電子装置、例えば、図８に示すタブレットＰＣ４、或いは、携帯電話、ノートパソコン、ビデオカメラ、カメラ、音楽プレーヤ、モバイルナビゲーション装置やテレビなどの表示装置に適用することができる。
以上、本発明の具体的な実施例に基づいて本発明の目的、技術案及びその作用効果を詳細に説明したが、上記すべての実施例は例示的なものであり、制限的な意図を持たないことを理解すべきである。当業者は、本発明の精神及び範囲内に、本発明に対しさまざまな修正、置換や改良を施すことが可能である。これらの修正、置換や改良を施したものも本発明の保護範囲内に含まれるものである。
１ 第１基板
１０ 第１トランジスタ
１０１ 第１伝送線路
１０２ 第１パッド
１１ 基板
１２ ゲート電極
１２１ 第３エッジ
１２２ 第４エッジ
１２３ 第７エッジ
１３ ゲート絶縁層
１３１，１５１ 孔
１４，２４ 活性層
１４１ 第５エッジ
１４２ 第６エッジ
１５ 絶縁層
１６１，２６１ 第１導電電極
１６２，２６２ 第２導電電極
１６３ チャンネル領域
１７ 保護層
１８ 透明導電層
１８１，２８１ 開口
１８１１ 第１エッジ
１８１２ 第２エッジ
１８１３ 対向エッジ
２ 第２基板
２０ 第２トランジスタ
２０１ 第２伝送線路
２０２ 第２パッド
２６３ 第３導電電極
４ タブレットＰＣ
ＡＡ 表示領域
Ｂ 非表示領域
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４ 距離
Ｌ５，Ｌ６ 長さ
Ｗ１，Ｗ３ 線幅
Ｗ２，Ｗ４ 幅
Ｗ５ 第１の幅
Ｗ６ 第２の幅
Ｗ７ 第３の幅
Ｗ８ 第４の幅
Ｘ，Ｙ 方向

Claims (10)

  1. 表示領域と非表示領域とを有する基板と、
    前記非表示領域に配置され、前記基板上に配置される活性層を有する第１トランジスタと、
    前記非表示領域に配置され、前記活性層の上方に配置される開口を有し、当該開口の面積が前記活性層の面積よりも大きい透明導電層とを含むことを特徴とする表示パネル。
  2. 前記開口から前記活性層が完全に露出するように設けられることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  3. 前記第１トランジスタは、前記基板上に配置されるゲート電極をさらに有し、
    前記開口は、第１エッジと、第２エッジとを有し、
    前記ゲート電極は、第３エッジと、第４エッジとを有し、
    前記第１エッジ及び前記第１エッジに近接する前記第３エッジは、前記活性層のチャンネル領域の幅方向に延びており、
    前記第２エッジ及び前記第２エッジに近接する前記第４エッジは、前記活性層のチャンネル領域の長さ方向に延びており、
    前記第１エッジと前記第３エッジとの最短距離は、前記第２エッジと前記第４エッジとの最短距離よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  4. 前記開口は、第１エッジと、第２エッジとを有し、
    前記活性層は、第５エッジと、第６エッジとを有し、
    前記第１エッジ及び前記第１エッジに近接する前記第５エッジは、前記活性層のチャンネル領域の幅方向に延びており、
    前記第２エッジ及び前記第２エッジに近接する前記第６エッジは、前記活性層のチャンネル領域の長さ方向に延びており、
    前記第１エッジと前記第５エッジとの最短距離は、前記第２エッジと前記第６エッジとの最短距離よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  5. 前記第１トランジスタは、第１伝送線路を介して第１パッドに電気的に接続され、
    前記第１伝送線路の線幅は、前記第１パッドの幅よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  6. 前記非表示領域に配置される第２トランジスタをさらに含み、
    前記第２トランジスタは、第２伝送線路を介して前記第１パッドに電気的に接続される第２パッドに電気的に接続され、
    前記第２伝送線路の線幅は、前記第２パッドの幅よりも小さいことを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
  7. 前記第１トランジスタは、
    前記活性層上に配置され、孔を有する絶縁層と、
    前記絶縁層上に配置され、前記孔を通じて前記活性層に電気的に接続される第１導電電極とをさらに有し、
    前記孔は、前記活性層のチャンネル領域の長さ方向における最大長さが、前記活性層のチャンネル領域の幅方向における最大長さよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  8. 前記第１トランジスタは、
    前記基板上に配置され、その上に前記活性層が配置され、第３エッジを有するゲート電極と、
    前記活性層上に配置され、孔を有する絶縁層と、
    前記絶縁層上に配置され、前記孔を通じて前記活性層に電気的に接続される第１導電電極とをさらに有し、
    前記第３エッジの延びる方向は、前記活性層のチャンネル領域の幅方向と実質的に同じであり、
    前記第１導電電極は、前記孔の上方に位置する第１の幅が、前記第３エッジの上方に位置する第２の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  9. 前記活性層のチャンネル領域の幅方向は、前記チャンネル領域におけるキャリアの移動方向であり、
    前記活性層のチャンネル領域の長さ方向は、前記チャンネル領域におけるキャリアの移動方向に対して垂直な方向であることを特徴とする請求項３に記載の表示パネル。
  10. 前記活性層は、金属酸化物を含むことを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の表示パネル。
JP2016102185A 2015-10-12 2016-05-23 表示パネル Pending JP2017076106A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510653771.5A CN106571372B (zh) 2015-10-12 2015-10-12 显示面板
CN201510653771.5 2015-10-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2017076106A true JP2017076106A (ja) 2017-04-20

Family

ID=58500005

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016102185A Pending JP2017076106A (ja) 2015-10-12 2016-05-23 表示パネル

Country Status (3)

Country Link
US (3) US10504928B2 (ja)
JP (1) JP2017076106A (ja)
CN (3) CN110534533B (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110534533B (zh) 2015-10-12 2022-05-10 群创光电股份有限公司 显示面板
CN109461371B (zh) * 2017-09-06 2021-12-21 群创光电股份有限公司 显示装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3733278B2 (ja) * 1992-12-09 2006-01-11 セイコーエプソン株式会社 アクティブ・マトリックス型液晶表示装置
US6133075A (en) * 1997-04-25 2000-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
JP3633774B2 (ja) * 1998-02-12 2005-03-30 大日本スクリーン製造株式会社 処理液吐出ノズルおよび基板処理装置
JP2000174282A (ja) * 1998-12-03 2000-06-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US7903209B2 (en) * 2001-11-02 2011-03-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Reflection-transmission type liquid crystal display device and method for manufacturing the same
JP4248591B2 (ja) * 2005-09-15 2009-04-02 シャープ株式会社 表示パネル
JP5120066B2 (ja) * 2007-08-02 2013-01-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR101084192B1 (ko) * 2010-02-16 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
TWI434409B (zh) * 2010-08-04 2014-04-11 Au Optronics Corp 有機電激發光顯示單元及其製造方法
JP6076153B2 (ja) * 2012-04-20 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置
KR101927334B1 (ko) * 2012-09-10 2018-12-10 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
CN103824862B (zh) * 2012-11-16 2016-12-07 群康科技(深圳)有限公司 薄膜晶体管基板与显示器
TWI483036B (zh) * 2012-11-19 2015-05-01 Au Optronics Corp 陣列基板及其製作方法
CN104409462B (zh) * 2014-12-18 2017-07-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN104576656A (zh) * 2014-12-23 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
KR20160117789A (ko) * 2015-03-31 2016-10-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
CN204596790U (zh) * 2015-04-07 2015-08-26 群创光电股份有限公司 显示面板
TWI522686B (zh) * 2015-05-05 2016-02-21 群創光電股份有限公司 顯示面板
CN110534533B (zh) 2015-10-12 2022-05-10 群创光电股份有限公司 显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
US11322524B2 (en) 2022-05-03
US10504928B2 (en) 2019-12-10
CN110534533B (zh) 2022-05-10
CN106571372A (zh) 2017-04-19
CN110534533A (zh) 2019-12-03
US20220223627A1 (en) 2022-07-14
CN114743990A (zh) 2022-07-12
US20170104007A1 (en) 2017-04-13
US20200066760A1 (en) 2020-02-27
CN106571372B (zh) 2019-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11462714B2 (en) Organic light emitting diode display device
US9690143B2 (en) System for display images
CN204391112U (zh) 显示电路和电子设备显示器结构
US9678400B2 (en) Array substrate for liquid crystal display and manufacturing method thereof
EP4060744A1 (en) Array substrate and display device
JP4321557B2 (ja) 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
US10579179B2 (en) Display panel and method for manufacturing the same
KR20170050718A (ko) 어레이 기판
JP6521534B2 (ja) 薄膜トランジスタとその作製方法、アレイ基板及び表示装置
US9366933B2 (en) Semiconductor display device comprising an upper and lower insulator arranged in a non-display area
US8922745B2 (en) Display panel
CN112306282A (zh) 显示设备
US20220223627A1 (en) Display panel
CN107367875B (zh) 显示装置
JP3196528U (ja) 表示パネル
US20150162354A1 (en) Thin film transistor substrate and method of manufacturing a thin film transistor substrate
US10700105B2 (en) Array substrate and method for manufacturing the same, display panel and display device
CN106873267B (zh) 显示面板
TWI595298B (zh) 顯示面板
KR20150072829A (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법
US11706967B2 (en) Display apparatus including light-condensing layer on sensor electrode layer and method of manufacturing the same
KR102159969B1 (ko) 터치스크린 일체형 표시장치 및 그 제조방법
KR20220105208A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20220106892A (ko) 표시 장치
KR20150002332A (ko) 플렉서블 표시장치 및 그 제조 방법