JP2017071121A - 液体噴射ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は本発明に係る液体噴射ヘッドの製造方法を表す工程図である。図2は本発明に係る各工程を説明するための図である。図3は本発明に係る液体噴射ヘッド10の模式的な分解斜視図である。
図4は、本発明の実施例に係る液体噴射ヘッドの製造方法を表す工程図である。実施例1〜実施例4の、準備工程S1〜親水化処理工程S6、及び、無電解メッキ工程S9〜ヘッド組立工程S11は基本構成における説明と同様である。実施例5〜実施例8は、それぞれ実施例1〜実施例4においてエッチング工程S5を省略した液体噴射ヘッドの製造方法である。同一の工程には同一の符号を付している。
図4(a)は、本発明の実施例1に係る液体噴射ヘッドの製造方法を表す工程図である。本実施例1において、カップリング処理工程S7は、カップリング剤としてメルカプト基を備えるカップリング剤を用いる。触媒付着工程S8はキャタリスト・アクセレーター法により行う。カップリング処理は、基本構成において説明している液相法により行うことができる。メルカプト基を備えるカップリング剤は、アミノ基を備えるカップリング剤よりも基板表面やメッキ触媒に対する結合力が強く、基板表面に付着するメッキ触媒の量が増加する。キャタリスト・アクセレーター法は、センシタイザー・アクチベーター法よりも金属パラジウムの付着量が多い。そのため、短時間で所定の導体膜4を析出することができる。
図4(b)は、本発明の実施例2に係る液体噴射ヘッドの製造方法を表す工程図である。本実施例2は、触媒付着工程S8をセンシタイザー・アクチベーター法により行う。シンセタイザー・アクチベーター法では、工程Xと工程Yを繰り返す回数により生成する金属パラジウムの量を制御することができる。その他の工程は実施例1と同様である。本実施例2においても、エッチング工程S5は軽いエッチングなので、圧電体基板1を構成する結晶粒の脱落や側壁6の強度低下を防ぐことができる。
図4(c)は、本発明の実施例3に係る液体噴射ヘッドの製造方法を表す工程図である。本実施例3は、カップリング処理工程S7におけるカップリング剤としてアミノ基を備えるアミノ系シランカップリング剤を用い、触媒付着工程S8をキャタリスト・アクセレーター法により行う。本実施例3においても、エッチング工程S5は軽いエッチングなので、圧電体基板1を構成する結晶粒の脱落や側壁6の強度低下を防ぐことができ、触媒付着工程S8はキャタリスト・アクセレーター法で行うので、センシタイザー・アクチベーター法よりも少ない工程で金属パラジウムの付着量を多くすることができる。
図4(d)は、本発明の実施例4に係る液体噴射ヘッドの製造方法を表す工程図である。本実施例4では、触媒付着工程S8としてセンシタイザー・アクチベーター法により行い、その他の工程は実施例3と同様である。本実施例4においても、エッチング工程S5は軽いエッチングなので、圧電体基板1からの結晶粒の脱落や側壁6の強度低下を防ぐことができる。また、触媒付着工程S8としてセンシタイザー・アクチベーター法を用いるので、キャタリスト・アクセレーター法よりも金属パラジウムの付着量を制御し易い。その他は実施例3と同様である。
図4(e)〜(h)は、それぞれ本発明の実施例5〜実施例8に係る液体噴射ヘッドの製造方法を表す工程図である。本発明の液体噴射ヘッドの製造方法では、触媒付着工程S8の前にカップリング処理工程S7を行い、圧電体基板1の露出面Sにむらなくメッキ触媒を付着させることができる。その結果、無電解メッキ工程S9により析出する導体膜4が均質化し、露出面Sに対する密着強度が向上する。そのため、エッチング工程S5によって圧電体基板1の露出面Sを粗面化しなくとも、導体膜4の密着性を確保することができる。
2 感光性樹脂層
3 溝、3a 吐出溝、3b 非吐出溝
4 導体膜
6 側壁
7 電極端子、7a コモン電極端子、7b 個別電極端子
10 液体噴射ヘッド
11 カバープレート、11a 液体供給室、11b スリット
12 ノズルプレート、12a ノズル
S 露出面、D ダイングブレード、FP 前方の端面、BP 後方の端面
UP 上面、B 分極境界
Claims (6)
- 分極した圧電体基板の表面に感光性樹脂層を設置する感光性樹脂層形成工程と、
前記圧電体基板の表面に溝を形成する溝形成工程と、
前記圧電体基板の露出面にカップリング剤を付着させるカップリング処理工程と、
前記カップリング剤が付着した前記露出面にメッキ触媒を付着させる触媒付着工程と、
前記メッキ触媒が付着した前記露出面に無電解メッキにより導体膜を形成する無電解メッキ工程と、
前記感光性樹脂層を前記圧電体基板から除去して前記導体膜のパターンを形成するリフトオフ工程と、を備える液体噴射ヘッドの製造方法。 - 前記カップリング剤は、メルカプト基又はアミノ基を有し、水酸基又は加水分解により水酸基となる基を含む請求項1に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
- 前記カップリング剤はメルカプト系シランカップリング剤又はアミノ系シランカップリング剤を含む請求項1又は2に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
- 前記メッキ触媒はパラジウムを含む請求項1〜3のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
- 前記カップリング処理工程の前に、前記露出面を親水化する親水化処理工程を備える請求項1〜4のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
- 前記カップリング処理工程の前に、前記露出面をエッチングするエッチング工程を備える請求項1〜5のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
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- 2015-10-07 JP JP2015199380A patent/JP2017071121A/ja not_active Withdrawn
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