JP2017063155A - 有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタ用材料、有機薄膜トランジスタ用材料セット、有機薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】加熱プロセスを施しても有機半導体膜にクラックが発生しにくい有機薄膜トランジスタを提供する。また、有機薄膜トランジスタの形成に用いられ、加熱プロセスにおけるクラック発生が抑制された有機半導体膜を与え得る有機薄膜トランジスタ用材料及び有機薄膜トランジスタ用材料セット、並びにこれらを用いた有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 ゲート電極と、有機半導体層と、ゲート電極及び有機半導体層の間に設けられたゲート絶縁層と、有機半導体層に接して設けられ、有機半導体層を介して連結されたソース電極及びドレイン電極と、を有する有機薄膜トランジスタであって、ゲート絶縁層中、及び、有機半導体層に隣接して配置された中間層中の少なくともいずれかに負膨張材料を含有する、有機薄膜トランジスタ。【選択図】図１

Description

本発明は、有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタ用材料、有機薄膜トランジスタ用材料セット、有機薄膜トランジスタの製造方法に関する。

軽量化、低コスト化、柔軟化が可能であることから、液晶ディスプレイや有機ＥＬ（electro luminescence）ディスプレイに用いられるＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、ＲＦＩＤ（radio frequency identifier：ＲＦタグ）やメモリなどの論理回路を用いる装置等に、有機半導体膜を有する有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ（thin film transistor））が利用されている。
このような有機半導体膜として、例えば、特許文献１には、低分子有機半導体化合物を結晶化させて形成した有機半導体膜が開示されている。

特表２０１３−５１６０５４号公報

本発明者は、特許文献１に記載された低分子有機半導体化合物を結晶化させて形成した有機半導体膜を有する有機薄膜トランジスタについて検討したところ、有機薄膜トランジスタを集積回路等に搭載する際の加熱プロセスにおいて、有機半導体膜と、有機半導体膜に隣接する基板やゲート絶縁層との熱膨張係数の差異により有機半導体膜にクラックが発生することを知見するに至った。また、有機半導体高分子化合物を結晶化させて形成した有機半導体膜を有する有機薄膜トランジスタについても同様の傾向が確認された。
一般的に、有機半導体膜にクラックが生じるとキャリア移動度も低下すると考えられるため、昨今のキャリア移動度の向上要求を鑑みると、このクラック発生を抑制することが望まれる。

そこで、本発明の目的は、加熱プロセスを施しても有機半導体膜にクラックが発生しにくい有機薄膜トランジスタを提供することである。
また、本発明の他の目的は、有機薄膜トランジスタの形成に用いられ、加熱プロセスにおけるクラック発生が抑制された有機半導体膜を与え得る有機薄膜トランジスタ用材料及び有機薄膜トランジスタ用材料セット、並びにこれらを用いた有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することである。

本発明者は、上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、有機薄膜トランジスタにおいて、結晶層である有機半導体膜（以下「有機半導体層」ともいう。）に隣接する位置に、負膨張材料を含有するバッファー層（以下「中間層」ともいう。）を設けることで基板やゲート絶縁層の熱膨張に起因する有機半導体層のクラック発生を抑制できることを見出した。また、この負膨張材料をゲート絶縁層中に配合することでも同様の効果が得られることを知見するに至り、本発明を完成させた。
すなわち、以下の構成により上記課題を達成することができることを見出した。

（１） ゲート電極と、有機半導体層と、上記ゲート電極及び上記有機半導体層の間に設けられたゲート絶縁層と、上記有機半導体層に接して設けられ、上記有機半導体層を介して連結されたソース電極及びドレイン電極と、を有する有機薄膜トランジスタであって、
上記ゲート絶縁層中、及び、上記有機半導体層に隣接して配置された中間層中の少なくともいずれかに負膨張材料を含有する、有機薄膜トランジスタ。
（２） 上記負膨張材料の平均粒径が１０〜１０００ｎｍである、（１）に記載の有機薄膜トランジスタ。
（３） 上記負膨張材料のアスペクト比が２〜５０である、（１）又は（２）に記載の有機薄膜トランジスタ。
（４） 上記負膨張材料がタングステン酸ジルコニウムである、（１）〜（３）のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタ。
（５） 上記ゲート絶縁層が有機材料により形成されている、（１）〜（４）のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタ。
（６） 上記負膨張材料が上記ゲート絶縁層に含有された、（１）〜（５）のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタ。
（７） 上記負膨張材料が上記有機半導体層に隣接して配置された中間層に含有された、（１）〜（６）のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタ。
（８） 上記有機半導体層が、ガラス転移温度が５０℃以上の界面活性剤を含有する、（１）〜（７）のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタ。
（９） 有機半導体化合物、バインダー及び負膨張材料を少なくとも含有する、有機薄膜トランジスタ用材料。
（１０） 有機半導体化合物を少なくとも含む組成物と、バインダー及び負膨張材料を少なくとも含む組成物と、を備えた、有機薄膜トランジスタ用材料セット。
（１１） ゲート電極と、有機半導体層と、上記ゲート電極及び上記有機半導体層の間に設けられたゲート絶縁層と、上記有機半導体層に接して設けられ、上記有機半導体層を介して連結されたソース電極及びドレイン電極と、を有する有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
（９）に記載の有機薄膜トランジスタ用材料又は（１０）に記載の有機薄膜トランジスタ用材料セットを用いて、上記有機半導体層と、上記有機半導体層に隣接して形成され、バインダー及び負膨張材料を含有する中間層と、を形成する、有機薄膜トランジスタの製造方法。

本明細書において、化合物の表示については、その化合物そのものの他、その塩、そのイオンを含む意味に用いる。

本明細書において、特定の符号で表示された置換基や連結基等（以下、置換基等という）が複数あるとき、又は複数の置換基等を同時に規定するときには、それぞれの置換基等は互いに同一でも異なっていてもよいことを意味する。このことは、置換基等の数の規定についても同様である。
また、特に断らない限り、複数の置換基等が近接（特に隣接）するときには、それらが互いに連結したり縮環したりして環を形成していてもよい意味である。
さらに、本明細書において置換・無置換を明記していない置換基等については、目的とする効果を損なわない範囲で、その基にさらに置換基を有していてもよい意味である。これは置換・無置換を明記していない化合物についても同義である。

本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。

本発明によれば、加熱プロセスを施しても有機半導体膜にクラックが発生しにくい有機薄膜トランジスタを提供することができる。
また、本発明によれば、有機薄膜トランジスタの形成に用いられ、加熱プロセスにおけるクラック発生が抑制された有機半導体膜を与え得る有機薄膜トランジスタ用材料及び有機薄膜トランジスタ用材料セット、並びにこれらを用いた有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することができる。

（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の有機薄膜トランジスタの好ましい構造を模式的に示す図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、有機薄膜トランジスタの他の構造を模式的に示す図である。

以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。

〔有機薄膜トランジスタ〕
本発明の有機薄膜トランジスタ（以下、単に「本発明のＯＴＦＴ」という。）の構造を以下に説明する。

本発明のＯＴＦＴは、ゲート電極と、有機半導体層と、ゲート電極と有機半導体層との間に設けられたゲート絶縁層と、有機半導体層に接して設けられ、有機半導体を介して連結されたソース電極及びドレイン電極とを有する。ゲート電極に電圧が印加されると、ソース電極−ドレイン電極間の有機半導体層とこれに隣接する層との界面に電流の流路（チャネル）が形成される。すなわち、ゲート電極に印加される入力電圧に応じて、ソース電極とドレイン電極との間を流れる電流が制御される。

本発明のＯＴＦＴの好ましい構造を図面に基づいて説明する。各図面に示されるＯＴＦＴは、本発明の理解を容易にするための模式図であり、各部材のサイズないし相対的な大小関係等は説明の便宜上大小を変えている場合があり、実際の関係をそのまま示すものではない。また、本発明で規定する事項以外はこれらの図面に示された外形、形状に限定されるものでもない。例えば、図１（Ａ）及び（Ｂ）において、ゲート電極５は必ずしも基板６のすべてを覆っている必要はなく、基板６の中央部分に設けられた形態も、本発明のＯＴＦＴの形態として好ましい。
図１（Ａ）〜（Ｂ）は、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造のＯＴＦＴを示している。
図１（Ａ）に示す、ＯＴＦＴは、基板６上にゲート電極５、ゲート絶縁層２、ソース電極３及びドレイン電極４、中間層７、及び、有機半導体層１がこの順で配置されたものである。後述するように、中間層７には負膨張材料が含有され、有機半導体層１に隣接して配置されている。
また、図１（Ｂ）に示す、ＯＴＦＴは、基板６上にゲート電極５、ゲート絶縁層１２、ソース電極３及びドレイン電極４、及び、有機半導体層１がこの順で配置されたものである。後述するように、ゲート絶縁層１２には、負膨張材料が含有される。

本発明のＯＴＦＴは、（１）負膨張材料を含有する中間層７を有機半導体層１に隣接する位置に設けた点、及び／又は、（２）負膨張材料を含有するゲート絶縁層１２を用いた点を特徴とする。上記構成により、本発明の有機薄膜トランジスタは、加熱プロセスにおいて有機半導体層１のクラックの発生が抑制されており、キャリア移動度の低下が抑制されている。具体的には、負膨張材料を含有する中間層７を有機半導体層１に隣接する位置に設ける上記（１）の態様においては、基板６又はゲート絶縁層２の熱膨張による熱応力が負膨張材料を有する中間層７により緩和されることで、有機半導体層１のクラックが抑制される。また、上記（２）の態様のようにゲート絶縁層２に負膨張材料を直接導入する場合には、ゲート絶縁層２自体の熱膨張が抑制されることで、有機半導体層１のクラックが抑制される。
一般的に物質は加熱すると膨張するが、特に有機高分子等の有機材料の線膨張係数は大きいことが知られており、従って本発明の有機薄膜トランジスタは、ゲート絶縁層２（またはゲート絶縁層１２）や基板６が後述するような有機高分子等の有機材料で形成されている場合に最も効果的に有機半導体層１のクラック抑制効果を発揮することになる。

なお、中間層７は、図１（Ａ）においては、ゲート絶縁層２と有機半導体層１との間に配置されているが、有機半導体層１に隣接した位置に配置されていればこの態様に限定されず、例えば、図１（Ｃ）に示すように、有機半導体層１のゲート絶縁層２側とは反対側の表面上に配置されていてもよい。
また、図１（Ａ）においては、中間層７はソース電極３及びドレイン電極４の間のゲート絶縁層２上に配置されているが、この態様に限定されず、例えば、ソース電極３、ドレイン電極４、及び、ゲート絶縁層２を覆うように中間層が配置されていてもよい。

さらに、図１（Ａ）及び（Ｂ）においては、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造のＯＴＦＴについて述べたが、この態様に限定されず、ボトムゲート・トップコンタクト構造のＯＴＦＴ、トップゲート・ボトムコンタクト構造のＯＴＦＴ、トップゲート・トップコンタクト構造のＯＴＦＴの場合でも、上記のような有機半導体層に隣接される中間層が配置される、及び／又は、ゲート絶縁層中に負膨張材料が含有される、のいずれか一方が満たされていればよい。
例えば、図２（Ａ）〜（Ｃ）ではトップゲート構造のＯＴＦＴを示し、図２（Ａ）に示すように、有機半導体層１とゲート絶縁層２との間に負膨張材料を含有する中間層７が配置される態様や、図２（Ｂ）に示すように、有機半導体層１と基板６との間に負膨張材料を含有する中間層７が配置される態様や、図２（Ｃ）に示すように、負膨張材料を含有するゲート絶縁層１２を用いる態様であってもよい。
なお、上記トップゲート構造の場合においては、上記構成以外に、中間層７が有機半導体層１の両面に設けられた態様（言い換えると、有機半導体層１の基板６側界面、ゲート絶縁電層２側のいずれにも中間層を設けた態様）であってもよい。
なお、中間層の配置位置としては、有機半導体層とゲート絶縁層との間、または、有機半導体層のゲート絶縁層とは反対側の表面上に配置されることが好ましく、有機半導体層とゲート絶縁層との間に配置されることが好ましい。

以下では、代表例として、図１（Ａ）に示したＯＴＦＴ（第１態様）及び図１（Ｂ）に示したＯＴＦＴ（第２態様）について詳述する。

＜＜第１態様＞＞
まず、第１態様の各構成、及び、その製造方法について詳述する。はじめに、各特徴点である中間層について詳述する。

＜中間層＞
中間層は、負膨張材料を含有し、有機半導体層に隣接して形成される層である。
負膨張材料は温度上昇に対して収縮する材料であり、０〜２００℃の範囲で負の膨張性を有していることが好ましく、例えば、ＨｆＷ_２Ｏ_８、（ＺｒＯ）_２Ｐ_２Ｏ_３、ＺｒＷ_２Ｏ_８、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＳｉＯ_２（フォージャサイト構造）等の粒子が挙げられる。分散安定性により優れ、適切な熱膨張係数を有し、且つ、塗膜性に優れるとともに適切な表面自由エネルギーの中間層を形成できる（すなわち、隣接して形成される有機半導体層の濡れ性への影響が少なく、これにより優れた移動度が得られる）点で、ＺｒＷ_２Ｏ_８（タングステン酸ジルコニウム）が好ましい。
ＺｒＷ_２Ｏ_８は、粒子のアスペクト比及び平均粒径の観点から、湿式法で製造されていることが好ましい。
負膨張材料のアスペクト比は、１〜５０であることが好ましく、２〜５０であることがより好ましい。アスペクト比とは、粒子の長径と短径との比（長径／短径）で表わされ、上記範囲とすることで塗膜表面が滑らかになりクラック防止効果がより良好となる。負膨張材料のアスペクト比は、２〜３０であることがより好ましく、５〜１５であることが更に好ましい。
また、負膨張材料の平均粒径は、１０〜１０００ｎｍであることが好ましく、５０〜８００ｎｍであることがより好ましく、１００〜６００ｎｍであることが更に好ましい。上記範囲とすることで、塗布性、分散性安定性により優れるとともに、中間層７の厚みを大きくせずに負膨張材料を所定量導入することが可能となる。また、厚みの小さい中間層７とすることができるので、有機半導体層１とゲート電極６やドレイン電極４との接触が阻害されず、キャリア移動度により優れる。
負膨張材料の長径の測定方法としては、ＴＥＭ（Transmission Electron Microscope）観察またはＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）観察により、負膨張材料を観察した際に、負膨張材料に外接する平行二平面のうち、平行二平面間距離が最大となるように選ばれる平行二平面の距離を「長径」とする。また、長径を与える平行二平面に直交し且つ負膨張材料に外接する平行二平面のうち、平行二平面間距離が最小となるように選ばれる平行二平面間距離を「短径」とする。
なお、アスペクト比の測定方法としては、少なくとも５０個の負膨張材料の長径及び短径を測定して、それぞれのアスペクト比を算出して、それらを算術平均して求める。
上記平均粒径の測定方法としては、少なくとも５０個の負膨張材料の長径と短径とを測定し、各負膨張材料の長径と短径との平均値を求め、さらにそれらを算術平均して求める。

中間層における、負膨張材料の含有量は、全固形分に対して０．０１〜７０質量％で含有されることが好ましく、０．１〜４０質量％で含有されることがより好ましく、５〜３０質量％で含有されることが更に好ましい。上記範囲で含まれることで、有機半導体層への熱応力を抑制でき、有機半導体層のクラック発生がより効果的に抑制される。

中間層には、上記負膨張材料以外の成分が含まれていてよく、例えば、負膨張材料を担持する（分散させる）バインダーが含まれていてもよい。
使用されるバインダーの種類は特に制限されないが、後述するゲート絶縁層に含まれてもよい有機材料（有機高分子）または無機材料が挙げられる。
なかでも、ベンゼン環を有する高分子化合物（ベンゼン環基を有する繰り返し単位を有する高分子）が好ましい。ベンゼン環基を有する繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、全繰り返し単位中、５０モル％以上が好ましく、７０モル％以上がより好ましく、９０モル％以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、１００モル％が挙げられる。
上記高分子化合物としては、例えば、ポリスチレン、ポリ（α‐メチルスチレン）、ポリビニルシンナメート、ポリ（４−ビニルフェニル）またはポリ（４−メチルスチレン）などが挙げられる。
なお、高分子化合物の重量平均分子量は特に制限されないが、１万〜２００万が好ましく、２万〜１００万がより好ましく、１０万〜６０万が更に好ましい。

中間層における、バインダーの含有量は、全固形分に対して１５〜９５質量％で含有されることが好ましく、２０〜８５質量％で含有されることがより好ましい。

中間層には、上述した負膨張材料及びバインダー以外の成分が含まれていてもよい。例えば、後述する界面活性剤（特に、ガラス転移温度が５０℃以上の界面活性剤）や有機半導体化合物などが挙げられる。

有機薄膜トランジスタにおいて、中間層の厚みは、１〜５００ｎｍであることが好ましく、１０〜３００ｎｍであることがより好ましく、２０〜１５０ｎｍであることが特に好ましい。上記範囲とすることで所定量の負膨張材料が導入でき、クラックを有効に抑制できるとともに、有機半導体層とゲート電極やドレイン電極との接触が阻害されることなくキャリア移動度にもより優れた有機薄膜トランジスタとすることができる。

中間層の形成方法は後段で詳述するが、有機半導体化合物、バインダー及び負膨張材料を少なくとも含有する有機薄膜トランジスタ用材料を用いて、相分離現象を利用して中間層と有機半導体層とを同時に形成する方法や、有機半導体化合物を少なくとも含む組成物と、バインダー及び負膨張材料を少なくとも含む組成物とを有する有機薄膜トランジスタ用材料セットを用いて、中間層を有機半導体層とは別個に製造する方法などが挙げられる。

＜基板＞
基板は、ＯＴＦＴ及びその上に作製される表示パネル等を支持できるものであればよい。基板は、表面に絶縁性があり、シート状で、表面が平坦であれば特に限定されない。

基板の材料として、無機材料を用いてもよい。無機材料からなる基板として、例えば、ソーダライムガラス、石英ガラス等の各種ガラス基板や、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成されたシリコン基板、サファイヤ基板、ステンレス鋼、アルミニウム、ニッケル等の各種合金や各種金属からなる金属基板、金属箔、紙等を挙げることができる。
基板がステンレスシート、アルミ箔、銅箔又はシリコンウェハ等の導電性あるいは半導体性の材料で形成されている場合、通常は、表面に絶縁性の高分子材料あるいは金属酸化物等を塗布又は積層して用いられる。

また、基板の材料として、有機高分子等の有機材料を用いてもよい。例えば、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル、ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチルエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリシクロオレフィンに例示される有機ポリマーから構成された可撓性を有するプラスチック基板（プラスチックフィルム、プラスチックシートともいう）を挙げることができる。また雲母で形成したものも挙げることができる。
このような可撓性を有するプラスチック基板等を使用すれば、例えば曲面形状を有するディスプレイ装置や電子機器へのＯＴＦＴの組込みあるいは一体化が可能となる。

基板を形成する有機材料は、他の層の積層時や加熱時に軟化し難いことから、ガラス転移点が高いことが好ましく、ガラス転移点が４０℃以上であるのが好ましい。また、製造時の熱処理により寸法変化を起こし難く、トランジスタ性能の安定性に優れる点から、線膨張係数が小さいことが好ましい。例えば、線膨張係数が２５×１０^−５ｃｍ／ｃｍ・℃以下である材料が好ましく、１０×１０^−５ｃｍ／ｃｍ・℃以下である材料がさらに好ましい。
また、基板を構成する有機材料は、ＯＴＦＴ作製時に用いる溶媒に対する耐性を有する材料が好ましく、また、ゲート絶縁層及び電極との密着性に優れる材料が好ましい。
さらに、ガスバリア性の高い有機ポリマーからなるプラスチック基板を用いることも好ましい。
基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けたり、無機材料を蒸着又は積層したりすることも好ましい。

基板として、上記の他に、導電性基板（金やアルミニウム等の金属からなる基板、高配向性グラファイトからなる基板、ステンレス鋼製基板等）も挙げることができる。

基板には、密着性や平坦性を改善するためのバッファー層、ガスバリア性を向上させるためのバリア膜等の機能性膜、また表面に易接着層等の表面処理層を形成してもよいし、コロナ処理、プラズマ処理、ＵＶ（紫外線）／オゾン処理等の表面処理を施してもよい。

基板の厚みは、１０ｍｍ以下であるのが好ましく、２ｍｍ以下であるのがさらに好ましく、１ｍｍ以下であるのが特に好ましい。また、一方で、０．０１ｍｍ以上であるのが好ましく、０．０５ｍｍ以上であるのがさらに好ましい。特に、プラスチック基板の場合は、厚みが０．０５〜０．１ｍｍ程度であるのが好ましい。また、無機材料からなる基板の場合は、厚みが０．１〜１０ｍｍ程度であるのが好ましい。

＜ゲート電極＞
ゲート電極は、ＯＴＦＴのゲート電極として用いられている従来公知の電極を用いることができる。ゲート電極を構成する導電性材料（電極材料ともいう）としては、特に限定されない。例えば、白金、金、銀、アルミニウム、クロム、ニッケル、銅、モリブデン、チタン、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム、パラジウム、鉄、マンガン等の金属；ＩｎＯ_２、ＳｎＯ_２、インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ，tin-doped indium oxide）、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ，F-doped Tin Oxide）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ，Al doped ZnO）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ，Ga doped ZnO）等の導電性金属酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の導電性高分子；塩酸、硫酸、スルホン酸等の酸、ＰＦ_６、ＡｓＦ_５、ＦｅＣｌ_３等のルイス酸、ヨウ素等のハロゲン原子、ナトリウム、カリウム等の金属原子等のドーパントを添加した上記導電性高分子、並びに、カーボンブラック、グラファイト粉、金属微粒子等を分散した導電性の複合材料等が挙げられる。これらの材料は、１種のみを用いても、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
また、ゲート電極は、上記導電性材料からなる１層でもよく、２層以上を積層してもよい。

ゲート電極の形成方法に制限は無い。例えば、真空蒸着法等の物理蒸着法（ＰＶＤ）、化学蒸着法（ＣＶＤ法）、スパッタ法、印刷法（塗布法）、転写法、ゾルゲル法、メッキ法等により形成された膜を、必要に応じて所望の形状にパターンニングする方法が挙げられる。
塗布法では、上記材料の溶液、ペースト又は分散液を調製、塗布し、乾燥、焼成、光硬化又はエージング等により、膜を形成し、又は直接電極を形成できる。
また、インクジェット印刷、スクリーン印刷、（反転）オフセット印刷、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、熱転写印刷、マイクロコンタクトプリンティング法等は、所望のパターニングが可能であり、工程の簡素化、コスト低減、高速化の点で好ましい。
スピンコート法、ダイコート法、マイクログラビアコート法、ディップコート法を採用する場合も、下記フォトリソグラフィー法等と組み合わせてパターニングすることができる。

フォトリソグラフィー法としては、例えば、フォトレジストのパターニングと、エッチング液によるウェットエッチングや反応性のプラズマによるドライエッチング等のエッチングやリフトオフ法等とを組み合わせる方法等が挙げられる。
他のパターニング方法として、上記材料に、レーザーや電子線等のエネルギー線を照射して、研磨し、又は材料の導電性を変化させる方法も挙げられる。
さらに、基板以外の支持体に印刷したゲート電極用組成物を基板等の下地層の上に転写させる方法も挙げられる。

ゲート電極の厚みは、任意であるが、１ｎｍ以上が好ましく、１０ｎｍ以上が特に好ましい。また、５００ｎｍ以下が好ましく、２００ｎｍ以下が特に好ましい。

＜ゲート絶縁層＞
ゲート絶縁層は、ゲート電極と有機半導体層との間に設けられ、絶縁性を有する層であれば特に限定されず、単層であってもよいし、多層であってもよい。
ゲート絶縁層は、絶縁性の材料で形成されるのが好ましく、絶縁性の材料として、例えば、有機高分子などの有機材料、無機酸化物などの無機材料等が好ましく挙げられ、取り扱い性などの点から、有機材料を用いることが好ましい。
有機高分子及び無機酸化物等は、絶縁性を有するものであれば特に限定されず、薄膜、例えば厚み１μｍ以下の薄膜を形成できるものが好ましい。
有機高分子及び無機酸化物は、ぞれぞれ、１種を用いても、２種以上を併用してもよい。また、ゲート絶縁層は、それぞれ後述する有機高分子と無機酸化物とを混合させたハイブリッド層としてもよい。

有機高分子としては、特に限定されるものではないが、例えば、ポリビニルフェノール、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリメチルメタクリレートに代表されるポリ（メタ）アクリレート、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ＣＹＴＯＰに代表される環状フルオロアルキルポリマー、ポリシクロオレフィン、ポリエステル、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリ（メタ）アクリル酸、ポリベンゾオキサゾール、エポキシ樹脂、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）に代表されるポリオルガノシロキサン、ポリシルセスキオキサン又はブタジエンゴム等が挙げられる。また、上記の他にも、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、シンナメート樹脂、アクリル樹脂、ポリパラキシリレン樹脂等の熱硬化性樹脂も挙げられる。
有機高分子は、アルコキシシリル基やビニル基、アクリロイルオキシ基、エポキシ基、メチロール基等の反応性置換基を有する化合物と併用することもできる。

有機高分子でゲート絶縁層を形成する場合、ゲート絶縁層の耐溶媒性や絶縁耐性を増す目的等で、有機高分子を架橋し、硬化させることも好ましい。架橋は、光、熱又はこれら双方を用いて、酸又はラジカルを発生させることにより、行うのが好ましい。

ラジカルにより架橋する場合、光又は熱によりラジカルを発生させるラジカル発生剤として、例えば、特開２０１３−２１４６４９号公報の［０１８２］〜［０１８６］に記載の熱重合開始剤（Ｈ１）及び光重合開始剤（Ｈ２）、特開２０１１−１８６０６９号公報の［００４６］〜［００５１］に記載の光ラジカル発生剤、特開２０１０−２８５５１８号公報の［００４２］〜［００５６］に記載の光ラジカル重合開始剤等を好適に用いることができ、好ましくはこれらの内容は本願明細書に組み込まれる。
また、特開２０１３−２１４６４９号公報の［０１６７］〜［０１７７］に記載の「数平均分子量（Ｍｎ）が１４０〜５，０００であり、架橋性官能基を有し、フッ素原子を有さない化合物（Ｇ）」を用いるのも好ましく、これらの内容は好ましくは本願明細書に組み込まれる。

酸により架橋する場合、光により酸を発生させる光酸発生剤として、例えば、特開２０１０−２８５５１８号公報の［００３３］〜［００３４］に記載の光カチオン重合開始剤、特開２０１２−１６３９４６号公報の［０１２０］〜［０１３６］に記載の酸発生剤、特にスルホニウム塩、ヨードニウム塩等を好ましく使用することができ、好ましくはこれらの内容は本願明細書に組み込まれる。
熱により酸を発生させる熱酸発生剤（触媒）として、例えば、特開２０１０−２８５５１８号公報の［００３５］〜［００３８］に記載の熱カチオン重合開始剤、特にオニウム塩等や、特開２００５−３５４０１２号公報の［００３４］〜［００３５］に記載の触媒、特にスルホン酸類及びスルホン酸アミン塩等を好ましく使用することができ、好ましくはこれらの内容は本願明細書に組み込まれる。
また、特開２００５−３５４０１２号公報の［００３２］〜［００３３］に記載の架橋剤、特に二官能以上のエポキシ化合物、オキセタン化合物、特開２００６−３０３４６５号公報の［００４６］〜［００６２］に記載の架橋剤、特に２個以上の架橋基を有し、この架橋基の少なくとも一つがメチロール基もしくはＮＨ基であることを特徴とする化合物、及び、特開２０１２−１６３９４６号公報の［０１３７］〜［０１４５］に記載の、ヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基を分子内に２個以上有する化合物を用いるのも好ましく、これらの内容は好ましくは本願明細書に組み込まれる。

ゲート絶縁層を有機高分子で形成する方法としては、例えば、有機高分子を塗工、硬化する方法が挙げられる。塗工方法は、特に限定されず、上記の各印刷法が挙げられる。なかでも、マイクログラビアコート法、ディップコート法、スクリーンコート印刷、ダイコート法又はスピンコート法等のウエットコーティング法が好ましい。

上記無機酸化物としては、特に限定されるものではないが、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素（ＳｉＮ_Ｙ）、酸化ハフニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化銅、酸化ニッケル等の酸化物、また、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３、ＭｇＴｉＯ_３、ＳｒＮｂ_２Ｏ_６のようなペロブスカイト、あるいはこれらの複合酸化物又は混合物等が挙げられる。ここで、酸化ケイ素としては、酸化シリコン（ＳｉＯ_Ｘ）の他に、ＢＰＳＧ（Boron Phosphorus Silicon Glass）、ＰＳＧ（Phosphorus Silicon Glass）、ＢＳＧ（borosilicate glass）、ＡｓＳＧ（砒素シリケートガラス）、ＰｂＳＧ（鉛シリケートガラス）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低誘電率ＳｉＯ_２系材料（例えば、ポリアリールエーテル、シクロパーフルオロカーボンポリマー及びベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、有機ＳＯＧ）を含む。

ゲート絶縁層を無機酸化物で形成する方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング又はＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等の真空成膜法を用いることができ、また成膜中に任意のガスを用いたプラズマやイオン銃、ラジカル銃等でアシストを行ってもよい。
また、それぞれの金属酸化物に対応する前駆体、具体的には塩化物、臭化物等の金属ハロゲン化物や金属アルコキシド、金属水酸化物等を、アルコールや水中で塩酸、硫酸、硝酸等の酸や水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基と反応させて加水分解することにより、形成してもよい。このような溶液系のプロセスを用いる場合、上記ウエットコーティング法を用いることができる。

ゲート絶縁層は、上記の方法以外にも、リフトオフ法、ゾル−ゲル法、電着法及びシャドウマスク法のいずれかと、必要に応じてパターニング法とを組合せた方法により、設けることもできる。

ゲート絶縁層は、コロナ処理、プラズマ処理、ＵＶ（紫外線）／オゾン処理等の表面処理を施してもよいが、この場合、処理による表面粗さが粗くしないのが好ましい。好ましくは、ゲート絶縁層表面の算術平均粗さＲａ又は二乗平均粗さＲ_ＭＳは０．５ｎｍ以下である。

＜有機半導体層＞
有機半導体層は、有機半導体化合物を含有する層であり、キャリアを蓄積可能な層である。
有機半導体化合物としては、特に限定されず、低分子系有機半導体化合物、高分子系有機半導体化合物のいずれを用いてもよい。本発明のクラック抑制効果がより享受できるという観点からは、基板やゲート絶縁層との熱膨張係数の差異がより大きい低分子系有機半導体化合物を用いることが好ましい。

（低分子系有機半導体化合物）
以下、本発明で用いることができる低分子系有機半導体化合物について説明する。

低分子系有機半導体化合物としては、例えば、６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳペンタセン）、テトラメチルペンタセン、パーフルオロペンタセン等のペンタセン類、５，１１−ビス(トリエチルシリルエチニル)アントラジチオフェン（ＴＥＳ−ＡＤＴ）、２，８−ジフルオロ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェン（ｄｉＦ−ＴＥＳ−ＡＤＴ）等のアントラジチオフェン類、ジフェニルベンゾチエノベンゾチオフェン（ＤＰｈ−ＢＴＢＴ）、アルキルベンゾチエノベンゾチオフェン（Ｃｎ−ＢＴＢＴ）等のベンゾチエノベンゾチオフェン類、アルキルジナフトチエノチオフェン（Ｃｎ−ＤＮＴＴ）等のジナフトチエノチオフェン類、ペリキサンテノキサンテン等のジオキサアンタントレン類、ルブレン類、Ｃ６０、フェニルＣ_６１酪酸メチルエステル（ＰＣＢＭ）等のフラーレン類、銅フタロシアニン、フッ素化銅フタロシアニン等のフタロシアニン類、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＲＴ）、ポリクアテルチオフェン（ＰＱＴ）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）等のポリチオフェン類、ポリ［２，５−ビス（３−ドデシルチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン］（ＰＢＴＴＴ）等のポリチエノチオフェン類、後述する有機半導体化合物（Ｔ）などが挙げられる。
これらの中でも、作製される有機半導体層のキャリア移動度などの性能がより向上する等の観点から、以下の有機半導体化合物（Ｔ）を用いることが好ましい。
本発明において、有機半導体化合物（Ｔ）とは、縮合多環芳香族基を有し、上記縮合多環芳香族基中の環数が４つ以上であり、上記縮合多環芳香族基中の少なくとも２つの環が、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択される少なくとも１つの原子を含み、上記縮合多環芳香族基中の部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環、及び、フェナントレン環よりなる群から選択される少なくともいずれか１つの構造を含む有機半導体化合物のことをいう。
ただし、有機半導体化合物（Ｔ）における縮合多環芳香族基中の部分構造には、アントラセン環は含まれないことが好ましい。
なお、縮合多環芳香族基とは、芳香族環が複数縮合して得られる基である。
芳香族環としては、芳香族炭化水素環（例えば、ベンゼン環）及び芳香族複素環（例えば、チオフェン環、フラン環、ピロール環、セレノフェン環、イミダゾール環）が挙げられる。

有機半導体化合物（Ｔ）中には、縮合多環芳香族基（縮合多環芳香族構造）が含まれるが、この基が主成分として含まれることが好ましい。ここで主成分とは、縮合多環芳香族基の分子量の含有量が、有機半導体化合物（Ｔ）の全分子量に対して、３０％以上であることを意図し、４０％以上であることが好ましい。上限は特に制限されないが、溶解性の点から、８０％以下であることが好ましい。
縮合多環芳香族基は、複数の環が縮合して形成される環構造であり、芳香族性を示す。
有機半導体化合物（Ｔ）における縮合多環芳香族基中の環数は４以上であり、有機薄膜トランジスタのキャリア移動度の観点から、４〜９が好ましく、４〜７がより好ましく、４〜６が更に好ましい。
また、上記縮合多環芳香族基中、少なくとも２つの環が、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択された少なくとも１種の原子を含み、有機薄膜トランジスタのキャリア移動度の観点から、２〜６つの環が上記原子を含むことが好ましく、２〜４つの環が上記原子を含むことがより好ましい。
また、有機薄膜トランジスタのキャリア移動度の観点から、上記縮合多環芳香族基中に少なくとも２つの複素環が含まれ、上記複素環中にそれぞれ１個のヘテロ原子を有することが好ましい。ヘテロ原子の種類は特に制限されず、Ｏ原子（酸素原子）、Ｓ原子（硫黄原子）、Ｎ原子（窒素原子）、Ｓｅ原子（セレン原子）などが挙げられる。
有機半導体化合物（Ｔ）における縮合多環芳香族基中には、部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環及びフェナントレン環よりなる群から選択された少なくともいずれか１つの構造が含まれる。なお、上記部分構造としては、アントラセン環は含まれないことが好ましい。
また、有機半導体化合物（Ｔ）は、有機薄膜トランジスタのキャリア移動度の観点から、チオフェン環構造及び／又はセレノフェン環構造を少なくとも有することが好ましく、チオフェン環構造を少なくとも有することがより好ましく、有機半導体化合物（Ｔ）が有する複素環構造が全てチオフェン環構造であることが更に好ましい。

上記縮合多環芳香族基としては、有機薄膜トランジスタのキャリア移動度の観点から、部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環及びフェナントレン環よりなる群から選択されたいずれか少なくとも１つの構造を含み、２つ以上のチオフェン環を含み、環数が４つ以上の縮合多環芳香族基が好ましい。中でも、部分構造として、ベンゼン環を含み、２つ以上のチオフェン環とを含み、環数が４つ以上の縮合多環芳香族基がより好ましい。
また、上記縮合多環芳香族基としては、有機薄膜トランジスタのキャリア移動度の観点から、上記縮合多環芳香族基中のチオフェン環の数は、３つ以上が好ましく、３〜５つがより好ましく、３〜４つが更に好ましく、３つが特に好ましい。
また、有機薄膜トランジスタのキャリア移動度の観点から、上記縮合多環芳香族基中の環数は、４〜６つが好ましく、５〜６つがより好ましく、５つが更に好ましい。上記縮合多環芳香族基としては、２つのベンゼン環と、３つのチオフェン環とを含み、かつ、環数が５つである縮合多環芳香族基であることが特に好ましい。

更に、縮合多環芳香族基としては、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択された少なくとも１種の原子を含む環（複素環。好ましくは、チオフェン環）と、ベンゼン環とが交互に縮合（縮環）した基（縮合してなる基）が好ましく挙げられる。

有機半導体化合物（Ｔ）としては、有機薄膜トランジスタのキャリア移動度の観点から、式（１）〜式（１６）のいずれかで表される化合物を少なくとも１種含むことが好ましく、式（１）〜式（１６）のいずれかで表される１種以上の化合物であることがより好ましい。
有機半導体層中には、１種のみの有機半導体化合物（Ｔ）が含まれていても、２種以上の有機半導体化合物（Ｔ）が含まれていてもよい。

式（１）中、Ａ^１ａ及びＡ^１ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^１ａ〜Ｒ^１ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１ａ〜Ｒ^１ｆのうち少なくとも１つが下記式（Ｗ）で表される基である。
−Ｌ^Ｗ−Ｒ^Ｗ （Ｗ）
式（Ｗ）中、Ｌ^Ｗは下記式（Ｌ−１）〜式（Ｌ−２５）のいずれかで表される二価の連結基又は２以上の下記式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表し、Ｒ^Ｗはアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、又は、トリアルキルシリル基を表す。

式（Ｌ−１）〜式（Ｌ−２５）中、＊はＲ^Ｗとの結合位置を表し、波線部分はもう一方の結合位置を表し、式（Ｌ−１）、式（Ｌ−２）、式（Ｌ−６）及び式（Ｌ−１３）〜式（Ｌ−２４）におけるＲ’はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^Ｎは水素原子又は置換基を表し、Ｒ^ｓｉはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表す。
式（２）中、Ｘ^２ａ及びＸ^２ｂはそれぞれ独立に、ＮＲ^２ｉ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ^２ａはＣＲ^２ｇ又はＮ原子を表し、Ａ^２ｂはＣＲ^２ｈ又はＮ原子を表し、Ｒ^２ｉは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基を表し、Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈのうち少なくとも１つが上記式（Ｗ）で表される基である。
式（３）中、Ｘ^３ａ及びＸ^３ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＮＲ^３ｇを表し、Ａ^３ａ及びＡ^３ｂはそれぞれ独立に、ＣＲ^３ｈ又はＮ原子を表す。Ｒ^３ａ〜Ｒ^３ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^３ａ〜Ｒ^３ｈのうち少なくとも１つが上記式（Ｗ）で表される基である。
式（４）中、Ｘ^４ａ及びＸ^４ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、４ｐ及び４ｑはそれぞれ独立に、０〜２の整数を表し、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｊ、Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は上記式（Ｗ）で表される基を表し、かつ、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｊ、Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍのうち少なくとも１つは上記式（Ｗ）で表される基であり、ただし、Ｒ^４ｅ及びＲ^４ｆのうち少なくとも一方が上記式（Ｗ）で表される基である場合はＲ^４ｅ及びＲ^４ｆが表す上記式（Ｗ）においてＬ^Ｗは上記式（Ｌ−２）又は式（Ｌ−３）で表される二価の連結基である。

式（５）中、Ｘ^５ａ及びＸ^５ｂはそれぞれ独立に、ＮＲ^５ｉ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ^５ａはＣＲ^５ｇ又はＮ原子を表し、Ａ^５ｂはＣＲ^５ｈ又はＮ原子を表し、Ｒ^５ｉは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈのうち少なくとも１つが上記式（Ｗ）で表される基である。
式（６）中、Ｘ^６ａ〜Ｘ^６ｄはそれぞれ独立に、ＮＲ^６ｇ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｒ^６ｇは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆのうち少なくとも１つが上記式（Ｗ）で表される基である。
式（７）中、Ｘ^７ａ及びＸ^７ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^７ｉを表し、Ｘ^７ｂ及びＸ^７ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉのうち少なくとも１つが上記式（Ｗ）で表される基である。
式（８）中、Ｘ^８ａ及びＸ^８ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^８ｉを表し、Ｘ^８ｂ及びＸ^８ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉのうち少なくとも１つが上記式（Ｗ）で表される基である。

式（９）中、Ｘ^９ａ及びＸ^９ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^９ｃ、Ｒ^９ｄ及びＲ^９ｇ〜Ｒ^９ｊはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は上記式（Ｗ）で表される基を表し、Ｒ^９ａ、Ｒ^９ｂ、Ｒ^９ｅ及びＲ^９ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
式（１０）中、Ｒ^１０ａ〜Ｒ^１０ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１０ａ〜Ｒ^１０ｈのうち少なくとも１つは上記式（Ｗ）で表される置換基を表し、Ｘ^１０ａ及びＸ^１０ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１０ｉを表し、Ｒ^１０ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は上記式（Ｗ）で表される基を表す。
式（１１）中、Ｘ^１１ａ及びＸ^１１ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１１ｎを表し、Ｒ^１１ａ〜Ｒ^１１ｋ、Ｒ^１１ｍ及びＲ^１１ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１１ａ〜Ｒ^１１ｋ、Ｒ^１１ｍ及びＲ^１１ｎのうち少なくとも１つは上記式（Ｗ）で表される基である。
式（１２）中、Ｘ^１２ａ及びＸ^１２ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１２ｎを表し、Ｒ^１２ａ〜Ｒ^１２ｋ、Ｒ^１２ｍ及びＲ^１２ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１２ａ〜Ｒ^１２ｋ、Ｒ^１２ｍ及びＲ^１２ｎのうち少なくとも１つは上記式（Ｗ）で表される基である。

式（１３）中、Ｘ^１３ａ及びＸ^１３ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１３ｎを表し、Ｒ^１３ａ〜Ｒ^１３ｋ、Ｒ^１３ｍ及びＲ^１３ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１３ａ〜Ｒ^１３ｋ、Ｒ^１３ｍ及びＲ^１３ｎのうち少なくとも１つは上記式（Ｗ）で表される基である。
式（１４）中、Ｘ^１４ａ〜Ｘ^１４ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１４ｉを表し、Ｒ^１４ａ〜Ｒ^１４ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１４ａ〜Ｒ^１４ｉのうち少なくとも１つは上記式（Ｗ）で表される基である。
式（１５）中、Ｘ^１５ａ〜Ｘ^１５ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１５ｇを表し、Ｒ^１５ａ〜Ｒ^１５ｇはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１５ａ〜Ｒ^１５ｇのうち少なくとも１つは上記式（Ｗ）で表される基である。
式（１６）中、Ｘ^１６ａ〜Ｘ^１６ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１６ｇを表し、Ｒ^１６ａ〜Ｒ^１６ｇはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１６ａ〜Ｒ^１６ｇのうち少なくとも１つは上記式（Ｗ）で表される基である。

−式（１）で表される化合物−

式（１）において、Ａ^１ａ及びＡ^１ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子（硫黄原子）、Ｏ原子（酸素原子）又はＳｅ原子（セレン原子）を表す。Ａ^１ａ及びＡ^１ｂはＳ原子又はＯ原子が好ましい。また、Ａ^１ａ及びＡ^１ｂは互いに同一であっても異なっていてもよいが、互いに同一であることが好ましい。
式（１）において、Ｒ^１ａ〜Ｒ^１ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｒ^１ａ〜Ｒ^１ｆのうち少なくとも１つが後述する式（Ｗ）で表される基である。

式（１）で表される化合物は、後述する式（Ｗ）で表される基以外のその他の置換基を有していてもよい。
式（１）のＲ^１ａ〜Ｒ^１ｆが採りうる置換基の種類は特に制限されないが、以下に説明する置換基Ｘが挙げられる。置換基Ｘとしては、後述する式（Ｗ）で表される基、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む。）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む。）、アルキニル基、アリール基、複素環基（ヘテロ環基といってもよい。）、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む。）、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基（−Ｂ（ＯＨ）_２）、ホスファト基（−ＯＰＯ（ＯＨ）_２）、スルファト基（−ＯＳＯ_３Ｈ）、その他の公知の置換基が挙げられる。なお、本明細書の式（１）〜式（１６）においては、「置換基」としては、上記置換基Ｘが好ましく挙げられる。
これらの中でも、後述する式（Ｗ）で表される基以外の基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルキニル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基が好ましく、フッ素原子、炭素数１〜３の置換又は無置換のアルキル基、炭素数２〜３の置換又は無置換のアルキニル基、炭素数２〜３の置換又は無置換のアルケニル基、炭素数１〜２の置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のメチルチオ基、フェニル基がより好ましく、フッ素原子、炭素数１〜３の置換又は無置換のアルキル基、炭素数２〜３の置換又は無置換のアルキニル基、炭素数２〜３の置換又は無置換のアルケニル基、炭素数１〜２の置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のメチルチオ基が特に好ましい。

式（１）で表される化合物中において、Ｒ^１ａ〜Ｒ^１ｆのうち、式（Ｗ）で表される基以外のその他の置換基の個数は０〜４であることが好ましく、０〜２であることがより好ましく、０であることが特に好ましい。
また、これら置換基は、更に上記置換基Ｘを有していてもよい。
中でも、Ｒ^１ｃ〜Ｒ^１ｆはそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜３の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２〜３の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２〜３の置換若しくは無置換のアルケニル基、炭素数１〜２の置換若しくは無置換のアルコキシ基、又は、置換若しくは無置換のメチルチオ基であることが好ましい。

次に、式（Ｗ）で表される基について説明する。
−Ｌ^Ｗ−Ｒ^Ｗ （Ｗ）
式（Ｗ）中、Ｌは下記式（Ｌ−１）〜式（Ｌ−２５）のいずれかで表される二価の連結基、又は、二以上の下記式（Ｌ−１）〜（Ｌ−２５）のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表す。

式（Ｌ−１）〜式（Ｌ−２５）中、＊はＲ^Ｗとの結合位置を表し、波線部分はもう一方の結合位置を表す。より具体的には、例えば、式（１）で表される化合物においては、波線部分は式（１）で表される骨格を形成する環と結合する。なお、後述するように、式（Ｗ）が他の化合物に含まれる場合、波線部分は各化合物の骨格を形成する環と結合する。
なお、Ｌ^Ｗが式（Ｌ−１）〜式（Ｌ−２５）のいずれかで表される二価の連結基が２つ以上結合した二価の連結基を表す場合、一方の連結基の＊が、他方の連結基の波線部分と結合する。
式（Ｌ−１３）〜式（Ｌ−２４）におけるＲ’の結合位置及びＲ^Ｗとの結合位置＊は、芳香環又は複素芳香環上の任意の位置をとることができる。
式（Ｌ−１）、式（Ｌ−２）、式（Ｌ−６）及び式（Ｌ−１３）〜式（Ｌ−２４）におけるＲ’はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｒ^Ｎは水素原子又は置換基を表す。Ｒ^ｓｉはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表す。
式（Ｌ−１）及び式（Ｌ−２）中のＲ’はそれぞれＬ^Ｗに隣接するＲ^Ｗと結合して縮合環を形成してもよい。

これらの中でも、式（Ｌ−１７）〜式（Ｌ−２１）、式（Ｌ−２３）及び式（Ｌ−２４）のいずれかで表される二価の連結基は、下記式（Ｌ−１７Ａ）〜式（Ｌ−２１Ａ）、式（Ｌ−２３Ａ）及び式（Ｌ−２４Ａ）で表される二価の連結基であることがより好ましい。

ここで、置換又は無置換のアルキル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換又は無置換のトリアルキルシリル基が置換基の末端に存在する場合は、式（Ｗ）における−Ｒ^Ｗ単独と解釈することもでき、式（Ｗ）における−Ｌ^Ｗ−Ｒ^Ｗと解釈することもできる。
本発明では、主鎖が炭素数Ｎ個の置換又は無置換のアルキル基が置換基の末端に存在する場合は、置換基の末端から可能な限りの連結基を含めた上で式（Ｗ）における−Ｌ^Ｗ−Ｒ^Ｗと解釈することとし、具体的には「式（Ｗ）におけるＬ^Ｗに相当する式（Ｌ−１）で表される基１個」と「式（Ｗ）におけるＲ^Ｗに相当する主鎖が炭素数Ｎ−１個の置換又は無置換のアルキル基」とが結合した置換基として解釈する。例えば、炭素数８のアルキル基であるｎ−オクチル基が置換基の末端に存在する場合、２個のＲ’が水素原子である式（Ｌ−１）で表される基１個と、炭素数７のｎ−ヘプチル基とが結合した置換基として解釈する。
一方、本発明では、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換又は無置換のトリアルキルシリル基が置換基の末端に存在する場合は、置換基の末端から可能な限りの連結基を含めた上で、式（Ｗ）におけるＲ^Ｗ単独と解釈する。例えば、−（ＯＣＨ_２ＣＨ_２）−（ＯＣＨ_２ＣＨ_２）−（ＯＣＨ_２ＣＨ_２）−ＯＣＨ_３基が置換基の末端に存在する場合、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが３のオリゴオキシエチレン基単独の置換基として解釈する。

Ｌ^Ｗが式（Ｌ−１）〜式（Ｌ−２５）のいずれかで表される二価の連結基が結合した連結基を形成する場合、式（Ｌ−１）〜式（Ｌ−２５）のいずれかで表される２価の連結基の結合数は、２〜４であることが好ましく、２又は３であることがより好ましい。

式（Ｌ−１）、式（Ｌ−２）、式（Ｌ−６）及び式（Ｌ−１３）〜式（Ｌ−２４）中の置換基Ｒ’としては、上記の式（１）のＲ^１ａ〜Ｒ^１ｆが採りうる置換基として例示したものを挙げることができる。その中でも、式（Ｌ−６）中の置換基Ｒ’はアルキル基であることが好ましく、式（Ｌ−６）中のＲ’がアルキル基である場合は、アルキル基の炭素数は１〜９であることが好ましく、４〜９であることが化学的安定性、キャリア輸送性の観点からより好ましく、５〜９であることがさらに好ましい。式（Ｌ−６）中のＲ’がアルキル基である場合は、アルキル基は直鎖アルキル基であることが、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
Ｒ^Ｎは水素原子又は置換基を表し、Ｒ^Ｎとしては、上記の式（１）のＲ^１ａ〜Ｒ^１ｆが採りうる置換基として例示したものを挙げることができる。その中でも、Ｒ^Ｎとしては、水素原子又はメチル基が好ましい。
Ｒ^ｓｉはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表し、アルキル基であることが好ましい。Ｒ^ｓｉがとり得るアルキル基としては、特に制限はないが、Ｒ^ｓｉがとり得るアルキル基の好ましい範囲は、Ｒがトリアルキルシリル基である場合にトリアルキルシリル基がとり得るアルキル基の好ましい範囲と同様である。Ｒ^ｓｉがとり得るアルケニル基としては、特に制限はないが、置換又は無置換のアルケニル基が好ましく、分枝アルケニル基であることがより好ましく、アルケニル基の炭素数は２〜３であることが好ましい。Ｒ^ｓｉがとり得るアルキニル基としては、特に制限はないが、置換又は無置換のアルキニル基が好ましく、分枝アルキニル基であることがより好ましく、アルキニル基の炭素数は２〜３であることが好ましい。

Ｌ^Ｗは、式（Ｌ−１）〜式（Ｌ−５）、式（Ｌ−１３）、式（Ｌ−１７）若しくは式（Ｌ−１８）のいずれかで表される二価の連結基、又は、式（Ｌ−１）〜式（Ｌ−５）、式（Ｌ−１３）、式（Ｌ−１７）若しくは式（Ｌ−１８）のいずれかで表される二価の連結基が２以上結合した二価の連結基であることが好ましく、式（Ｌ−１）、式（Ｌ−３）、式（Ｌ−１３）若しくは式（Ｌ−１８）のいずれかで表される二価の連結基、又は、式（Ｌ−１）、式（Ｌ−３）、式（Ｌ−１３）若しくは式（Ｌ−１８）のいずれかで表される二価の連結基が２以上結合した二価の連結基であることがより好ましく、式（Ｌ−１）、式（Ｌ−３）、式（Ｌ−１３）若しくは式（Ｌ−１８）のいずれかで表される二価の連結基、又は、式（Ｌ−３）、式（Ｌ−１３）若しくは式（Ｌ−１８）のいずれか１つで表される二価の連結基と式（Ｌ−１）で表される二価の連結基とを結合した二価の連結基であることが特に好ましい。
式（Ｌ−３）、式（Ｌ−１３）又は式（Ｌ−１８）のいずれか１つで表される二価の連結基と式（Ｌ−１）で表される二価の連結基が結合した二価の連結基は、式（Ｌ−１）で表される二価の連結基がＲ^Ｗ側に結合することが好ましい。
また、Ｌ^Ｗは、化学的安定性、キャリア輸送性の観点から式（Ｌ−１）で表される二価の連結基を含む二価の連結基であることが特に好ましく、式（Ｌ−１）で表される二価の連結基であることがより特に好ましく、Ｌ^Ｗが式（Ｌ−１）で表される二価の連結基であり、Ｒ^Ｗが置換又は無置換のアルキル基であることが最も好ましい。

式（Ｗ）において、Ｒ^Ｗは置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、又は、置換若しくは無置換のトリアルキルシリル基を表す。
式（Ｗ）において、Ｒ^Ｗに隣接するＬ^Ｗが式（Ｌ−１）で表される二価の連結基である場合は、Ｒ^Ｗは置換又は無置換のアルキル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基であることが好ましく、置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
式（Ｗ）において、Ｒ^Ｗに隣接するＬ^Ｗが式（Ｌ−２）又は式（Ｌ−４）〜式（Ｌ−２５）のいずれかで表される二価の連結基である場合は、Ｒ^Ｗは置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
式（Ｗ）において、Ｒ^Ｗに隣接するＬ^Ｗが式（Ｌ−３）で表される二価の連結基である場合は、Ｒ^Ｗは置換若しくは無置換のアルキル基、又は、置換若しくは無置換のトリアルキルシリル基であることが好ましい。

Ｒ^Ｗが置換又は無置換のアルキル基の場合、炭素数は４〜１７であることが好ましく、６〜１４であることが化学的安定性、キャリア輸送性の観点からより好ましく、６〜１２であることが更に好ましい。Ｒが上記の範囲の長鎖アルキル基であること、特に長鎖の直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
Ｒ^Ｗがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
これらの中でも、式（Ｗ）におけるＲ^ＷとＬ^Ｗの組み合わせとしては、式（１）中、Ｌ^Ｗが式（Ｌ−１）で表される二価の連結基であり、かつ、Ｒ^Ｗが直鎖の炭素数７〜１７のアルキル基であるか、あるいは、Ｌ^Ｗが式（Ｌ−３）、式（Ｌ−１３）又は式（Ｌ−１８）のいずれか１つで表される二価の連結基と式（Ｌ−１）で表される二価の連結基が結合した二価の連結基であり、かつ、Ｒ^Ｗが直鎖のアルキル基であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。
Ｌ^Ｗが式（Ｌ−１）で表される二価の連結基であり、かつ、Ｒ^Ｗが直鎖の炭素数７〜１７のアルキル基である場合、Ｒ^Ｗが直鎖の炭素数７〜１４のアルキル基であることがキャリア移動度を高める観点からより好ましく、直鎖の炭素数７〜１２のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｌ^Ｗが式（Ｌ−３）、式（Ｌ−１３）又は式（Ｌ−１８）のいずれか１つで表される二価の連結基と式（Ｌ−１）で表される二価の連結基が結合した二価の連結基であり、かつ、Ｒ^Ｗが直鎖のアルキル基である場合、Ｒ^Ｗが直鎖の炭素数４〜１７のアルキル基であることがより好ましく、直鎖の炭素数６〜１４のアルキル基であることが化学的安定性、キャリア輸送性の観点からより好ましく、直鎖の炭素数６〜１２のアルキル基であることがキャリア移動度を高める観点から特に好ましい。
一方、有機溶媒への溶解度を高める観点からは、Ｒ^Ｗが分枝アルキル基であることが好ましい。
Ｒ^Ｗが置換基を有するアルキル基である場合の置換基としては、ハロゲン原子などを挙げることができ、フッ素原子が好ましい。なお、Ｒ^Ｗがフッ素原子を有するアルキル基である場合はアルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されてパーフルオロアルキル基を形成してもよい。ただし、Ｒ^Ｗは無置換のアルキル基であることが好ましい。

Ｒ^Ｗがオキシエチレン基の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基の場合、Ｒが表す「オリゴオキシエチレン基」とは本明細書中、−（ＯＣＨ_２ＣＨ_２）_ｖ−ＯＹで表される基のことを言う（オキシエチレン単位の繰り返し数ｖは２以上の整数を表し、末端のＹは、水素原子又は置換基を表す。）。なお、オリゴオキシエチレン基の末端のＹが水素原子である場合はヒドロキシ基となる。オキシエチレン単位の繰り返し数ｖは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましい。
オリゴオキシエチレン基の末端のヒドロキシ基は封止されていること、すなわちＹが置換基を表すことが好ましい。この場合、ヒドロキシ基は、炭素数が１〜３のアルキル基で封止されること、すなわち、Ｙが炭素数１〜３のアルキル基であることが好ましく、Ｙがメチル基又はエチル基であることがより好ましく、メチル基であることが特に好ましい。

Ｒ^Ｗが、シロキサン基、又は、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基の場合、シロキサン単位の繰り返し数は２〜４であることが好ましく、２〜３であることがさらに好ましい。また、ケイ素原子（Ｓｉ原子）には、水素原子やアルキル基が結合することが好ましい。ケイ素原子にアルキル基が結合する場合、アルキル基の炭素数は１〜３であることが好ましく、例えば、メチル基やエチル基が結合することが好ましい。ケイ素原子には、同一のアルキル基が結合してもよく、異なるアルキル基又は水素原子が結合してもよい。また、オリゴシロキサン基を構成するシロキサン単位はすべて同一であっても異なっていてもよいが、すべて同一であることが好ましい。

Ｒ^Ｗに隣接するＬ^Ｗが式（Ｌ−３）で表される二価の連結基である場合、Ｒ^Ｗが置換又は無置換のトリアルキルシリル基であることも好ましい。Ｒ^Ｗが置換又は無置換のトリアルキルシリル基である場合はその中でも、シリル基の置換基としては、置換又は無置換のアルキル基であれば特に制限はないが、分枝アルキル基であることがより好ましい。ケイ素原子に結合するアルキル基の炭素数は１〜３であることが好ましく、例えば、メチル基やエチル基やイソプロピル基が結合することが好ましい。ケイ素原子には、同一のアルキル基が結合してもよく、異なるアルキル基が結合してもよい。Ｒ^Ｗがアルキル基上に更に置換基を有するトリアルキルシリル基である場合の置換基としては、特に制限はない。

式（Ｗ）において、Ｌ^Ｗ及びＲ^Ｗに含まれる炭素数の合計は５〜１８であることが好ましい。Ｌ^Ｗ及びＲ^Ｗに含まれる炭素数の合計が上記範囲の下限値以上であると、キャリア移動度が高くなり、駆動電圧が低くなる。Ｌ^Ｗ及びＲ^Ｗに含まれる炭素数の合計が上記範囲の上限値以下であると、有機溶媒に対する溶解性が高くなる。
Ｌ^Ｗ及びＲ^Ｗに含まれる炭素数の合計は、５〜１４であることが好ましく、６〜１４であることがより好ましく、６〜１２であることが更に好ましく、８〜１２であることが特に好ましい。

式（１）で表される化合物中において、Ｒ^１ａ〜Ｒ^１ｆのうち、式（Ｗ）で表される基の個数は１〜４個であることが好ましく、１〜２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。

本発明では、式（１）において、Ｒ^１ａ及びＲ^１ｂのうち少なくとも１つが式（Ｗ）で表される基であることが好ましい。式（１）における置換位置として、これらの位置が好ましいのは、化合物の化学的安定性に優れ、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）準位、分子の膜中でのパッキングの観点からも好適であるためであると考えられる。特に、式（１）において、Ｒ^１ａ及びＲ^１ｂの２箇所を置換基とすることにより、高いキャリア濃度を得ることができる。
また、式（１）において、Ｒ^１ｃ〜Ｒ^１ｆがそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜３の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２〜３の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２〜３の置換若しくは無置換のアルケニル基、炭素数１〜２の置換若しくは無置換のアルコキシ基、又は、置換若しくは無置換のメチルチオ基であることが好ましい。

−式（２）で表される化合物−

式（２）中、Ｘ^２ａ及びＸ^２ｂはそれぞれ独立に、ＮＲ^２ｉ（＞Ｎ−Ｒ^２ｉ）、Ｏ原子又はＳ原子を表す。Ｘ^２ａ及びＸ^２ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ^２ａ及びＸ^２ｂのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。
Ｘ^２ａ及びＸ^２ｂは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^２ａ及びＸ^２ｂはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
Ｒ^２ｉは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基を表し、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜１４のアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜４のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ^２ｉがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。

式（２）中、Ａ^２ａは、ＣＲ^２ｇ又はＮ原子を表し、Ａ^２ｂは、ＣＲ^２ｈ又はＮ原子を表し、Ｒ^２ｇ及びＲ^２ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ａ^２ａがＣＲ^２ｇであるか、Ａ^２ｂがＣＲ^２ｈであることが好ましく、Ａ^２ａがＣＲ^２ｇであり、かつＡ^２ｂがＣＲ^２ｈであることがより好ましい。Ａ^２ａ及びＡ^２ｂは、同じであっても互いに異なっていてもよいが、同じあることが好ましい。
式（２）において、Ｒ^２ｅとＲ^２ｇとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
式（２）において、Ｒ^２ｆとＲ^２ｈとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。

式（２）中、Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、少なくとも１つは式（Ｗ）で表される置換基を表す。
Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈがそれぞれ独立に、とりうる置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式（Ｗ）で表される置換基の定義は、上述の通りである。
Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈがそれぞれ独立に、とりうる置換基として、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基、アルコキシ基、アルキルチオ基、式（Ｗ）で表される置換基が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数１〜１１のアルコキシ基、炭素数５〜１２の複素環基、炭素数１〜１２のアルキルチオ基、式（Ｗ）で表される基がより好ましく、後述の連結基鎖長が３．７Å以下の基及び式（Ｗ）で表される基が特に好ましく、式（Ｗ）で表される基がより特に好ましい。

式（２）で表される化合物中、Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈのうち、式（Ｗ）で表される基は１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈのうち、式（Ｗ）で表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^２ｅ又はＲ^２ｆであることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。

Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈのうち、式（Ｗ）で表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。

Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å（＝０．３７ｎｍ）以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。
ここで、連結基鎖長とはＣ（炭素原子）−Ｒ結合におけるＣ原子から置換基Ｒの末端までの長さのことを指す。構造最適化計算は、密度汎関数法（Ｇａｕｓｓｉａｎ０３（米ガウシアン社）／基底関数：６−３１Ｇ^＊、交換相関汎関数：Ｂ３ＬＹＰ／ＬＡＮＬ２ＤＺ）を用いて行うことができる。なお、代表的な置換基の分子長としては、プロピル基は４．６Å、ピロール基は４．６Å、プロピニル基は４．５Å、プロペニル基は４．６Å、エトキシ基は４．５Å、メチルチオ基は３．７Å、エテニル基は３．４Å、エチル基は３．５Å、エチニル基は３．６Å、メトキシ基は３．３Å、メチル基は２．１Å、水素原子は１．０Åである。

Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

−式（３）で表される化合物−

式（３）において、Ｒ^３ａ〜Ｒ^３ｆ並びに後述するＲ^３ｇ及びＲ^３ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｒ^３ａ〜Ｒ^３ｈのうち少なくとも１つは、式（Ｗ）で表される基を表す。
Ｒ^３ａ〜Ｒ^３ｈで表される置換基としては、上記置換基Ｘが挙げられる。式（Ｗ）で表される基の定義は、上述の通りである。
Ｒ^３ａ〜Ｒ^３ｆがそれぞれ独立にとりうる置換基として、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基、アルコキシ基、アルキルチオ基、又は、式（Ｗ）で表される置換基が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数１〜１１のアルコキシ基、炭素数５〜１２の複素環基、炭素数１〜１２のアルキルチオ基、又は、式（Ｗ）で表される基がより好ましい。

式（３）において、Ｘ^３ａ及びＸ^３ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＮＲ^３ｇ（＞Ｎ−Ｒ^３ｇ）を表し、Ｒ^３ｇは水素原子又は置換基を表す。Ｘは、Ｓ原子、Ｏ原子が好ましい。式（３）において、Ｘ^３ａ及びＸ^３ｂは、同じであることが好ましい。
Ｒ^３ｇは、水素原子、アルキル基、又は、アリール基であることが好ましく、炭素数１〜１４のアルキル基であることがより好ましく、炭素数４〜１２のアルキル基であることが特に好ましい。Ｒ^３ｇが上記の範囲の長鎖アルキル基であること、特に長鎖の直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
Ｒ^３ｇがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。

式（３）において、Ａ^３ａ及びＡ^３ｂはそれぞれ独立に、ＣＲ^３ｈ又はＮ原子を表し、ＣＲ^３ｈを表すことが好ましい。式（３）において、Ａ^３ａ及びＡ^３ｂは、同じであっても互いに異なっていてもよいが、同じあることが好ましい。
Ｒ^３ｈは連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ^３ｈは、水素原子、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、水素原子、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、水素原子であることが特に好ましい。
Ｒ^３ｈが炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。Ｒ^３ｈが表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ^３ｈが炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。Ｒ^３ｈが表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、又は、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ^３ｈが炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。Ｒ^３ｈが表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、又は、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ^３ｈが炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。Ｒ^３ｈが表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、又は、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

−式（４）で表される化合物−

式（４）中、Ｘ^４ａ及びＸ^４ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表す。
Ｘ^４ａ及びＸ^４ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが好ましく、Ｘ^４ａ及びＸ^４ｂのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点からより好ましい。Ｘ^４ａ及びＸ^４ｂは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^４ａ及びＸ^４ｂはいずれもＳ原子であることが特に好ましい。

式（４）中、４ｐ及び４ｑはそれぞれ独立に、０〜２の整数を表す。４ｐ及び４ｑがそれぞれ独立に、０又は１であることがキャリア移動度と溶解性を両立する観点から好ましく、４ｐ＝４ｑ＝０又は４ｐ＝４ｑ＝１であることがより好ましい。

式（４）中、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、式（Ｗ）で表される基を表し、かつ、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍのうち少なくとも一つは式（Ｗ）で表される基であり、ただし、Ｒ^４ｅ及びＲ^４ｆのうち少なくとも一方が式（Ｗ）で表される基である場合は、Ｒ^４ｅとＲ^４ｆとが表す式（Ｗ）において、Ｌ^Ｗは上記式（Ｌ−２）又は式（Ｌ−３）で表される二価の連結基である。なお、式（Ｗ）で表される基の定義は、上述の通りである。

Ｒ^４ｅ及びＲ^４ｆのうち少なくとも一方が式（Ｗ）で表される基である場合は、すなわちＲ^４ｅ及びＲ^４ｆのうちいずれか一方でも水素原子でもなくハロゲン原子でもない場合に相当する。
Ｒ^４ｅ及びＲ^４ｆのうち少なくとも一方が式（Ｗ）で表される基である場合、Ｒ^４ｅ及びＲ^４ｆが表す式（Ｗ）において、Ｌ^Ｗは上記式（Ｌ−３）で表される二価の連結基であることが好ましい。
Ｒ^４ｅ及びＲ^４ｆのうち少なくとも一方が式（Ｗ）で表される基である場合、Ｒ^４ｅ及びＲ^４ｆは、いずれも式（Ｗ）で表される基であることが好ましい。
なお、Ｒ^４ｅ及びＲ^４ｆがともに水素原子又はハロゲン原子の場合、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｄ、Ｒ^４ｇ〜Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式（Ｗ）で表される基であり、かつ、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｄ、Ｒ^４ｇ〜Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍのうち少なくとも１つ以上は式（Ｗ）で表される基となる。

式（４）中、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍが表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子を挙げることができ、フッ素原子、塩素原子又は臭素原子であることが好ましく、フッ素原子又は塩素原子であることがより好ましく、フッ素原子であることが特に好ましい。

式（４）で表される化合物中、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍのうち、ハロゲン原子は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。

式（４）で表される化合物中、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍのうち、式（Ｗ）で表される基は、１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍのうち、式（Ｗ）で表される基の位置に特に制限はない。その中でも、本発明では、式（４）中、Ｒ^４ａ、Ｒ^４ｄ〜Ｒ^４ｇ、Ｒ^４ｊ、Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍがそれぞれ独立に、水素原子又はハロゲン原子であり、Ｒ^４ｂ、Ｒ^４ｃ、Ｒ^４ｈ及びＲ^４ｉがそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式（Ｗ）で表される基であり、かつ、Ｒ^４ｂ、Ｒ^４ｃ、Ｒ^４ｈ及びＲ^４ｉのうち少なくとも１つは式（Ｗ）で表される基であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。
本発明では、Ｒ^４ａ、Ｒ^４ｃ〜Ｒ^４ｈ及びＲ^４ｊがそれぞれ独立に、水素原子又はハロゲン原子を表し、Ｒ^４ｂ及びＲ^４ｉがそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式（Ｗ）で表される基であり、かつ、少なくとも１つは式（Ｗ）で表される基であることがより好ましい。
本発明では、Ｒ^４ｂ及びＲ^４ｉがともに式（Ｗ）で表される基であり、かつＲ^４ｃ及びＲ^４ｈがともに水素原子又はハロゲン原子であるか、Ｒ^４ｃ及びＲ^４ｈがともに式（Ｗ）で表される基であり、かつＲ^４ｂ及びＲ^４ｉがともに水素原子又はハロゲン原子であることが更に好ましい。
本発明では、Ｒ^４ｂ及びＲ^４ｉがともに式（Ｗ）で表される基であり、かつＲ^４ｃ及びＲ^４ｈがともに水素原子又はハロゲン原子であるか、Ｒ^４ｃ及びＲ^４ｈがともに式（Ｗ）で表される基であり、かつＲ^４ｂ及びＲ^４ｉがともに水素原子又はハロゲン原子であることが特に好ましい。
式（４）において、２以上のＲ^４ａ〜Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。

−式（５）で表される化合物−

式（５）中、Ｘ^５ａ及びＸ^５ｂはそれぞれ独立に、ＮＲ^５ｉ、Ｏ原子又はＳ原子を表す。Ｘ^５ａ及びＸ^５ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ^５ａ及びＸ^５ｂのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^５ａ及びＸ^５ｂは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^５ａ及びＸ^５ｂはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
Ｒ^５ｉは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜１４のアルキル基であることが更に好ましく、炭素数１〜４のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ^５ｉがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。

式（５）中、Ａ^５ａはＣＲ^５ｇ又はＮ原子を表し、Ａ^５ｂはＣＲ^５ｈ又はＮ原子を表し、Ｒ^５ｇ及びＲ^５ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ａ^５ａがＣＲ^５ｇであるか、Ａ^５ｂがＣＲ^５ｈであることが好ましく、Ａ^５ａがＣＲ^５ｇかつＡ^５ｂがＣＲ^５ｈであることがより好ましい。Ａ^５ａ及びＡ^５ｂは、同じであっても互いに異なっていてもよいが、同じあることが好ましい。

式（５）において、Ｒ^５ｅとＲ^５ｇとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しないほうが好ましい。
式（５）において、Ｒ^５ｅとＲ^５ｉとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しないほうが好ましい。
式（５）において、Ｒ^５ｆとＲ^５ｈとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しないほうが好ましい。
式（５）において、Ｒ^５ｆとＲ^５ｉは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しないほうが好ましい。

式（５）中、Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈのうち少なくとも１つが式（Ｗ）で表される基である。
なお、Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式（Ｗ）で表される基の定義は、上述の通りである。

式（５）で表される化合物中、Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈのうち、式（Ｗ）で表される基は、１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈのうち、式（Ｗ）で表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^５ｅ又はＲ^５ｆであることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。
Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈのうち、式（Ｗ）で表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。

Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることがさらに好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、又は、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、又は、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

−式（６）で表される化合物−

式（６）中、Ｘ^６ａ〜Ｘ^６ｄはそれぞれ独立に、ＮＲ^６ｇ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｒ^６ｇは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
Ｘ^６ａ〜Ｘ^６ｄはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ^６ａ〜Ｘ^６ｄのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^６ａ〜Ｘ^６ｄは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^６ａ〜Ｘ^６ｄはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
Ｒ^６ｇは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜１４のアルキル基であることが更に好ましく、炭素数１〜４のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ^６ｇがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。

式（６）中、Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、少なくとも１つは式（Ｗ）で表される基を表す。
なお、Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式（Ｗ）で表される基の定義は、上述の通りである。
これらの中でも、Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆがそれぞれ独立にとりうる置換基として、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基、アルコキシ基、又は、アルキルチオ基、式（Ｗ）で表される基が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数１〜１１のアルコキシ基、炭素数５〜１２の複素環基、炭素数１〜１２のアルキルチオ基、又は、式（Ｗ）で表される基がより好ましく、後述の連結基鎖長が３．７Å以下の基、又は、式（Ｗ）で表される基が更に好ましく、式（Ｗ）で表される基が特に好ましい。

式（６）で表される化合物中、Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆのうち、式（Ｗ）で表される基は、１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆのうち、式（Ｗ）で表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^６ｃ〜Ｒ^６ｆであることが好ましく、Ｒ^６ｅ又はＲ^６ｆであることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点からより好ましい。

Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆのうち、式（Ｗ）で表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。
Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に、素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

−式（７）で表される化合物−

式（７）中、Ｘ^７ａ及びＸ^７ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^７ｉ（＞Ｎ−Ｒ^７ｉ）を表し、Ｘ^７ｂ及びＸ^７ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表す。Ｘ^７ａ〜Ｘ^７ｄはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ^７ａ〜Ｘ^７ｄのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^７ａ〜Ｘ^７ｄは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^７ａ〜Ｘ^７ｄはいずれもＳ原子であることがより好ましい。

式（７）中、Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉのうち少なくとも１つが式（Ｗ）で表される基である。
なお、Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式（Ｗ）で表される基の定義は、上述の通りである。
なお、Ｒ^７ｉは、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、炭素数５〜１２のアルキル基であることがより好ましく、炭素数８〜１０のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ^７ｉがアルキル基を表す場合、直鎖のアルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖のアルキル基であることが、ＨＯＭＯ軌道の重なりの観点から好ましい。

式（７）で表される化合物中、Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉのうち、式（Ｗ）で表される置換基は、１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉのうち、式（Ｗ）で表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^７ｄ又はＲ^７ｈであることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、Ｒ^７ｄ及びＲ^７ｈがより好ましい。
式（７）のＲ^７ａ〜Ｒ^７ｉのうち、式（Ｗ）で表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。
Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式（Ｗ）で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

−式（８）で表される化合物−

式（８）中、Ｘ^８ａ及びＸ^８ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^８ｉを表し、Ｘ^８ｂ及びＸ^８ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表す。Ｘ^８ａ〜Ｘ^８ｄはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ^８ａ〜Ｘ^８ｄのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^８ａ〜Ｘ^８ｄは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^８ａ〜Ｘ^８ｄはいずれもＳ原子であることがより好ましい。

式（８）中、Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉのうち少なくとも１つが式（Ｗ）で表される基である。
なお、Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式（Ｗ）で表される基の定義は、上述の通りである。
なお、Ｒ^８ｉは、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、炭素数５〜１２のアルキル基であることがより好ましく、炭素数８〜１０のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ^８ｉがアルキル基を表す場合、直鎖のアルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖のアルキル基であることが、ＨＯＭＯ軌道の重なりの観点から好ましい。

式（８）で表される化合物中、Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉのうち、式（Ｗ）で表される置換基は、１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉのうち、式（Ｗ）で表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^８ｃ又はＲ^８ｇであることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、Ｒ^８ｃ及びＲ^８ｇがより好ましい。
また、式（８）のＲ^８ａ〜Ｒ^８ｉのうち、式（Ｗ）で表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。

Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉが式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式（Ｗ）で表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

−式（９）で表される化合物−

式（９）中、Ｘ^９ａ及びＸ^９ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表す。中でも、Ｓ原子が好ましい。
Ｒ^９ｃ、Ｒ^９ｄ及びＲ^９ｇ〜Ｒ^９ｊはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式（Ｗ）で表される置換基を表す。式（Ｗ）で表される基の定義は、上述の通りである。
Ｒ^９ａ、Ｒ^９ｂ、Ｒ^９ｅ及びＲ^９ｆは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。なお、Ｒ^９ａ、Ｒ^９ｂ、Ｒ^９ｅ及びＲ^９ｆで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。
なお、Ｒ^９ｃ、Ｒ^９ｄ及びＲ^９ｇ〜Ｒ^９ｊはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式（Ｗ）で表される基（ただし、Ｌ^Ｗは式（Ｌ−３）、式（Ｌ−５）、式（Ｌ−７）〜式（Ｌ−９）、式（Ｌ−１２）〜式（Ｌ−２４）のいずれかで表される基である。）を表すことが好ましい。中でも、Ｒ^９ｃ、Ｒ^９ｄ及びＲ^９ｇ〜Ｒ^９ｊは、水素原子がより好ましい。
なお、Ｌ^Ｗとしては、式（Ｌ−３）、式（Ｌ−５）、式（Ｌ−１３）、式（Ｌ−１７）又は式（Ｌ−１８）のいずれかで表される基であることが好ましい。
Ｒ^９ａ〜Ｒ^９ｉのうち少なくとも１つは、式（Ｗ）で表される基を表すことが好ましい。

式（９）で表される化合物中、Ｒ^９ａ〜Ｒ^９ｉのうち、式（Ｗ）で表される置換基は、１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^９ａ〜Ｒ^９ｉのうち、式（Ｗ）で表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^９ｂ又はＲ^９ｆであることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、Ｒ^９ｂ及びＲ^９ｆがより好ましい。
また、式（９）のＲ^９ａ〜Ｒ^９ｉのうち、式（Ｗ）で表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが特に好ましく、０個であることがより特に好ましい。

−式（１０）で表される化合物−

式（１０）中、Ｒ^１０ａ〜Ｒ^１０ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１０ａ〜Ｒ^１０ｈのうち少なくとも１つは式（Ｗ）で表される基を表す。なお、Ｒ^１０ａ〜Ｒ^１０ｈで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式（Ｗ）で表される置換基の定義は、上述の通りである。
中でも、Ｒ^１０ａ〜Ｒ^１０ｈはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を表し、Ｒ^１０ａ〜Ｒ^１０ｈのうち少なくとも１つは、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましい。
式（１０）のＲ^１０ａ〜Ｒ^１０ｈは、Ｒ^１０ｂ及びＲ^１０ｆのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアリールチオ基、又は、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基であることがより好ましく、Ｒ^１０ｂ及びＲ^１０ｆのいずれもが、置換若しくは無置換のアリールチオ基、又は、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基であることが更に好ましく、置換若しくは無置換のフェニルチオ基又は下記群Ａから選ばれるヘテロアリールチオ基であることが特に好ましく、置換若しくは無置換のフェニルチオ基又は下記式（Ａ−１７）、式（Ａ−１８）、式（Ａ−２０）で表されるヘテロアリールチオ基であることが最も好ましい。

アリールチオ基としては、炭素数６〜２０のアリール基に硫黄原子が連結した基が好ましく、ナフチルチオ基又はフェニルチオ基がより好ましく、フェニルチオ基が特に好ましい。
ヘテロアリールチオ基としては、３〜１０員環のヘテロアリール基に硫黄原子が連結した基が好ましく、５又は６員環のヘテロアリール基に硫黄原子が連結した基がより好ましく、下記群Ａ（式（Ａ−１４）〜式（Ａ−２７）のいずれかで表される基）が特に好ましい。

群Ａ中、Ｒ”及びＲ”^Ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
群Ａ中、Ｒ’はそれぞれ独立に、水素原子又は式（Ｗ）で表される基を表すことが好ましい。
群Ａ中、Ｒ”^Ｎは、置換基を表すことが好ましく、アルキル基、アリール基、又は、ヘテロアリール基がより好ましく、アルキル基、アルキル基で置換されたアリール基、又は、アルキル基で置換されたヘテロアリール基が更に好ましく、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたフェニル基、又は、炭素数１〜４のアルキル基で置換された５員のヘテロアリール基が特に好ましい。

アルキルオキシカルボニル基としては、炭素数１〜２０のアルキル基にカルボニル基が連結した基が好ましい。アルキル基の炭素数は、２〜１５がより好ましく、５〜１０が特に好ましい。

アリールオキシカルボニル基としては、炭素数６〜２０のアリール基にカルボニル基が連結した基が好ましい。アリール基の炭素数は、６〜１５がより好ましく、８〜１２が特に好ましい。

アルキルアミノ基としては、炭素数１〜２０のアルキル基にアミノ基が連結した基が好ましい。アルキル基の炭素数は、２〜１５がより好ましく、５〜１０が特に好ましい。
Ｒ^１０ａ〜Ｒ^１０ｈのうち、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基以外の置換基（以下、他の置換基ともいう。）は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。

Ｘ^１０ａ及びＸ^１０ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^ｘ（＞Ｎ−Ｒ^ｘ）を表す。Ｘ^１０ａ及びＸ^１０ｂのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^１０ａ及びＸ^１０ｂは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^１０ａ及びＸ^１０ｂは、いずれもＳ原子であることがより好ましい。
Ｒ^ｘはそれぞれ独立に、水素原子又は式（Ｗ）で表される基を表す。式（Ｗ）で表される基の定義は上述の通りである。

−式（１１）で表される化合物−

式（１１）中、Ｘ^１１ａ及びＸ^１１ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１１ｎを表し、Ｒ^１１ａ〜Ｒ^１１ｋ、Ｒ^１１ｍ及びＲ^１１ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１１ａ〜Ｒ^１１ｋ、Ｒ^１１ｍ及びＲ^１１ｎのうち少なくとも１つは、式（Ｗ）で表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式（Ｗ）で表される置換基の定義は、上述の通りである。

式（１１）中、Ｘ^１１ａ及びＸ^１１ｂのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^１１ａ及びＸ^１１ｂは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^１１ａ及びＸ^１１ｂはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式（１１）のＲ^１１ａ〜Ｒ^１１ｋ及びＲ^１１ｍは、Ｒ^１１ｃ及びＲ^１１ｉのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、Ｒ^１１ｃ及びＲ^１１ｉのいずれもが、置換若しくは無置換のアルキル基であることが更に好ましい。

−式（１２）で表される化合物−

式（１２）中、Ｘ^１２ａ及びＸ^１２ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１２ｎを表し、Ｒ^１２ａ〜Ｒ^１２ｋ、Ｒ^１２ｍ及びＲ^１２ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１２ａ〜Ｒ^１２ｋ、Ｒ^１２ｍ及びＲ^１２ｎのうち少なくとも１つは式（Ｗ）で表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式（Ｗ）で表される置換基の定義は、上述の通りである。

式（１２）中、Ｘ^１２ａ及びＸ^１２ｂのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^１２ａ及びＸ^１２ｂは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^１２ａ及びＸ^１２ｂはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式（１２）のＲ^１２ａ〜Ｒ^１２ｋ及びＲ^１２ｍは、Ｒ^１２ｃ及びＲ^１２ｉのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、Ｒ^１２ｃ及びＲ^１２ｉのいずれもが、置換又は無置換のアルキル基であることが更に好ましい。

−式（１３）で表される化合物−

式（１３）中、Ｘ^１３ａ及びＸ^１３ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１３ｎを表し、Ｒ^１３ａ〜Ｒ^１３ｋ、Ｒ^１３ｍ及びＲ^１３ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１３ａ〜Ｒ^１３ｋ、Ｒ^１３ｍ及びＲ^１３ｎのうち少なくとも１つは、式（Ｗ）で表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式（Ｗ）で表される基の定義は、上述の通りである。

式（１３）中、Ｘ^１３ａ及びＸ^１３ｂのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^１３ａ及びＸ^１３ｂは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^１３ａ及びＸ^１３ｂはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式（１３）のＲ^１３ａ〜Ｒ^１３ｋ及びＲ^１３ｍは、Ｒ^１３ｃ及びＲ^１３ｉのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、Ｒ^１３ｃ及びＲ^１３ｉのいずれもが、置換若しくは無置換のアルキル基であることが更に好ましい。

−式（１４）で表される化合物−

式（１４）中、Ｘ^１４ａ〜Ｘ^１４ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１４ｉを表し、Ｒ^１４ａ〜Ｒ^１４ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１４ａ〜Ｒ^１４ｉのうち少なくとも１つは、式（Ｗ）で表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式（Ｗ）で表される基の定義は、上述の通りである。
なお、Ｒ^１４ａ〜Ｒ^１４ｈの少なくとも１つが式（Ｗ）で表される基であり、Ｒ^Ｗがアルキル基である場合には、Ｌ^Ｗは式（Ｌ−２）〜式（Ｌ−２５）のいずれかで表される基であることが好ましい。

式（１４）中、Ｘ^１４ａ〜Ｘ^１４ｃのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^１４ａ〜Ｘ^１４ｃは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^１４ａ〜Ｘ^１４ｃはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
Ｒ^Ｗがアルキル基である場合のＬ^Ｗとしては、式（Ｌ−２）〜式（Ｌ−５）、式（Ｌ−１３）、式（Ｌ−１７）、又は、式（Ｌ−１８）のいずれかで表される基が好ましく、式（Ｌ−３）、式（Ｌ−１３）、又は、式（Ｌ−１８）のいずれかで表される基がより好ましい。
式（１４）のＲ^１４ａ〜Ｒ^１４ｈは、Ｒ^１４ｂ及びＲ^１４ｇのうち少なくとも１つが、式（Ｗ）で表される基であることが好ましく、Ｒ^１４ｂ及びＲ^１４ｇのいずれもが、式（Ｗ）で表される基であることがより好ましい。

−式（１５）で表される化合物−

式（１５）中、Ｘ^１５ａ〜Ｘ^１５ｄはそれぞれ独立にＳ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１５ｇを表し、Ｒ^１５ａ〜Ｒ^１５ｇはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１５ａ〜Ｒ^１５ｇのうち少なくとも１つは、式（Ｗ）で表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式（Ｗ）で表される基の定義は、上述の通りである。

式（１５）中、Ｘ^１５ａ〜Ｘ^１５ｄのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^１５ａ〜Ｘ^１５ｄは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^１５ａ〜Ｘ^１５ｄはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式（１５）のＲ^１５ａ〜Ｒ^１５ｆは、Ｒ^１５ｂ及びＲ^１５ｅのうち少なくとも１つが、式（Ｗ）で表される基であることが好ましく、Ｒ^１５ｂ及びＲ^１５ｅのいずれもが、式（Ｗ）で表される基であることがより好ましい。

−式（１６）で表される化合物−

式（１６）中、Ｘ^１６ａ〜Ｘ^１６ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１６ｇを表す。Ｒ^１６ａ〜Ｒ^１６ｇはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１６ａ〜Ｒ^１６ｇのうち少なくとも１つは、式（Ｗ）で表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式（Ｗ）で表される基の定義は、上述の通りである。
なお、Ｒ^１６ｃ及びＲ^１６ｆは、水素原子、ハロゲン原子又は式（Ｗ）で表される基（ただし、Ｌ^Ｗは、式（Ｌ−３）、式（Ｌ−５）、式（Ｌ−７）〜式（Ｌ−９）、式（Ｌ−１２）〜式（Ｌ−２４）のいずれかで表される基である。）であることが好ましい。Ｒ^１６ａ、Ｒ^１６ｂ、Ｒ^１６ｄ、Ｒ^１６ｅ及びＲ^１６ｇはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表すことが好ましい。
なお、式（１６）において、Ｌ^Ｗは、式（Ｌ−３）、式（Ｌ−５）、式（Ｌ−７）〜式（Ｌ−９）、式（Ｌ−１２）〜式（Ｌ−２４）のいずれかで表される基であり、Ｒ^１６ｃ及びＲ^１６ｆが式（Ｗ）で表される基の場合、式（Ｌ−３）、式（Ｌ−５）、式（Ｌ−１３）、式（Ｌ−１７）、式（Ｌ−１８）のいずれかで表される基であることが好ましい。

式（１６）中、Ｘ^１６ａ〜Ｘ^１６ｄのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^１６ａ〜Ｘ^１６ｄは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^１６ａ〜Ｘ^１６ｄはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式（１６）のＲ^１６ａ〜Ｒ^１６ｆは、Ｒ^１６ａ及びＲ^１６ｄのうち少なくとも１つが、式（Ｗ）で表される基であることが好ましく、Ｒ^１６ａ及びＲ^１６ｄのいずれもが、式（Ｗ）で表される基であることがより好ましい。
また、Ｒ^１６ｃ及びＲ^１６ｆは、水素原子であることが好ましい。

有機半導体化合物（Ｔ）は、上記縮合多環芳香族基における縮合多環芳香環上に、アルキル基を有することが好ましく、炭素数６〜２０のアルキル基を有することがより好ましく、炭素数７〜１４のアルキル基を有することが更に好ましい。上記態様であると、得られる有機薄膜トランジスタのキャリア移動度及び熱安定性により優れる。
また、有機半導体化合物（Ｔ）は、上記縮合多環芳香族基における縮合多環芳香環上に、１つ以上のアルキル基を有することが好ましく、２〜４つのアルキル基を有することがより好ましく、２つのアルキル基を有することが更に好ましい。上記態様であると、得られる有機薄膜トランジスタのキャリア移動度及び熱安定性により優れる。

有機半導体化合物（Ｔ）の分子量は、特に制限されないが、分子量が３，０００以下であることが好ましく、２，０００以下であることがより好ましく、１，０００以下であることが更に好ましく、８５０以下であることが特に好ましい。分子量を上記上限値以下とすることにより、溶媒への溶解性を高めることができる。一方で、薄膜の膜質安定性の観点からは、分子量は３００以上であることが好ましく、３５０以上であることがより好ましく、４００以上であることが更に好ましい。

有機半導体化合物（Ｔ）の合成方法は、特に制限されず、公知の方法を参照して合成できる。上記式（１）〜式（１６）で表される化合物の合成方法としては、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，１１６， ９２５（１９９４）、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ， ２２１（１９５１）、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００１，３，３４７１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，２００２，５８，１０１９７、特表２０１２−５１３４５９号公報、特開２０１１−４６６８７号公報、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｓｅａｒｃｈ．ｍｉｎｉｐｒｉｎｔ，３，６０１−６３５（１９９１）、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ，６４，３６８２−３６８６（１９９１）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，４５，２８０１−２８０３（２００４）、欧州特許公開第２２５１３４２号明細書、欧州特許公開第２３０１９２６号明細書、欧州特許公開第２３０１９２１号明細書、韓国特許公開第１０−２０１２−０１２０８８６号公報、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２０１１，６９６、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００１，３，３４７１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２０１３，７８，７７４１、Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．，２０１３，１９，３７２１、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，１９８７，６０，４１８７、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２０１１，１３３，５０２４、Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．２０１３，１９，３７２１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４−６２６７、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２０１２，１３４，１６５４８−１６５５０などが挙げられる。

なお、有機薄膜トランジスタのキャリア移動度の観点から、有機半導体化合物（Ｔ）は、式（１）〜式（９）、式（１４）又は式（１５）のいずれかで表される化合物を少なくとも１種含むことが好ましく、式（１）〜式（９）又は式（１５）のいずれかで表される化合物を少なくとも１種含むことがより好ましい。

以下に有機半導体化合物（Ｔ）の好ましい具体例を示すが、これらに限定されないことは言うまでもない。

（高分子系有機半導体化合物）
高分子系有機半導体としては、特に限定されないが、高結晶性および高キャリア移動度を与え得る観点から、例えば、ヘテロアレーンポリマー、ドナー・アクセプター（Ｄ−Ａ）型ポリマー等が挙げられる。ここで、ヘテロアレーンとは単環式芳香族複素環および縮合芳香族複素環を意味し、ヘテロアレーンポリマーとしては、例えば、ポリチオフェン（ポリセレノフェン）や、Ｃｈｅｍ. Ｒｅｖ. ２００７, １０７, １２９６−１３２３に記載のものが挙げられる。これらの中でも、高移動度の観点から、ドナー・アクセプター（Ｄ−Ａ）型ポリマーが好ましい。
以下に、本発明の有機薄膜トランジスタに好適に使用できるドナー・アクセプター（Ｄ−Ａ）型ポリマーについて説明する。

（ドナー・アクセプター（Ｄ−Ａ）型ポリマー）
ドナー・アクセプター（Ｄ−Ａ）型ポリマーとしては、特に限定されないが、例えば、下記式（Ｐ１）で表される繰り返し単位を有する分子量２，０００以上の化合物（以下、単に「式（Ｐ１）で表される有機半導体化合物」と称する。）を用いることが好ましい。

式（Ｐ１）中、Ａは、ｓｐ２窒素原子、カルボニル基、及び、チオカルボニル基のうち少なくとも１つを環構造内に有する部分構造を含む電子アクセプターユニットを表す。
Ｄは、少なくとも１つのＮ原子、Ｏ原子、Ｓ原子、もしくはＳｅ原子を環構造内に有する２価の芳香族複素環基、又は、２環以上の縮環構造からなる２価の芳香族炭化水素基を部分構造として含む電子ドナーユニットを表す。

（電子アクセプターユニット（式（Ｐ１）の「Ａ」））
上記式（Ｐ１）中、Ａはｓｐ２窒素原子、カルボニル基及びチオカルボニル基のうち少なくとも１つを環構造内に有する部分構造を含む電子アクセプターユニットを表す。
Ａは下記式（Ａ−１）〜式（Ａ−１２）で表される構造よりなる群から選ばれた少なくとも１つの構造を部分構造として有することが好ましく、Ａが下記式（Ａ−１）〜式（Ａ−１２）よりなる群から選ばれた少なくとも１つにより表される構造であることがより好ましい。

式（Ａ−１）〜式（Ａ−１２）中、Ｘはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、又は、ＮＲ^Ａ１を表す。Ｙはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子を表す。Ｚ_aはそれぞれ独立に、ＣＲ^Ａ２又はＮ原子を表す。Ｗはそれぞれ独立に、Ｃ（Ｒ^Ａ２）_２、ＮＲ^Ａ１、Ｎ原子、ＣＲ^Ａ２、Ｏ原子、Ｓ原子、又は、Ｓｅ原子を表す。Ｒ^Ａ１はそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、下記式（１−１）で表される１価の基、又は、他の構造との結合部位を表す。Ｒ^Ａ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、下記式（１−１）で表される１価の基、又は、他の構造との結合部位を表す。Ｒ^Ａ３はそれぞれ独立に、水素原子、又は、置換基を表す。＊はそれぞれ独立に、他の構造との結合部位を表す。

式（１−１）中、Ａｒは、芳香族複素環基又は炭素数５〜１８の芳香族炭化水素基を表す。Ｌ_ａは、−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^１Ｓ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい炭素数１〜２０のアルキレン基を表す。Ｌ_ｂは、−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^２Ｓ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい炭素数１〜１００のアルキル基を表す。Ｒ^１Ｓ及びＲ^２Ｓはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ｌは、１〜５の整数を表す。ｌが２以上のとき、複数のＬ_ｂは、互いに同一でも異なっていてもよい。＊は、他の構造との結合部位を表す。

式（Ａ−１）〜式（Ａ−１２）中、Ｘはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、又は、ＮＲ^Ａ１を表し、Ｓ原子又はＮＲ^Ａ１が好ましい。
Ｙはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｏ原子が好ましい。
Ｚ_aはそれぞれ独立に、ＣＲ^Ａ２又はＮ原子を表し、ＣＲ^Ａ２が好ましい。
Ｗはそれぞれ独立に、Ｃ（Ｒ^Ａ２）_２、ＮＲ^Ａ１、Ｎ原子、ＣＲ^Ａ２、Ｏ原子、Ｓ原子、又は、Ｓｅ原子を表し、Ｃ（Ｒ^Ａ１）_２、ＣＲ^Ａ２、又は、Ｓ原子が好ましい。
Ｒ^Ａ１はそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、上記式（１−１）で表される１価の基、又は、他の構造との結合部位を表し、−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、又は、上記式（１−１）で表される１価の基が好ましい。
Ｒ^Ａ１が−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基を表す場合、炭素数２〜３０のアルキル基が好ましく、炭素数８〜２５のアルキル基がより好ましい。また、上記アルキル基は直鎖状でも分岐鎖状でもよい。
ここで、アルキル基が−Ｏ−を含むとは、アルキル基の炭素−炭素結合の途中に−Ｏ−が導入されている場合や、アルキル基の一端に−Ｏ−が導入されている場合（アルコキシ基）を意味する。アルキル基に−Ｓ−や−ＮＲ^Ａ３−を含む場合も同様の意味である。
なお、Ｒ^Ａ１における他の構造との結合部位とは、上記式（Ａ−１）〜式（Ａ−１２）中の＊で表される他の構造との結合部位である。
Ｒ^Ａ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、上記式（１−１）で表される１価の基、又は、他の構造との結合部位を表し、水素原子又は他の構造との結合部位が好ましい。
Ｒ^Ａ２が−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基を表す場合、炭素数２〜３０のアルキル基が好ましく、炭素数８〜２５のアルキル基がより好ましい。また、上記アルキル基は直鎖状でも分岐鎖状でもよい。
ここで、アルキル基が−Ｏ−を含むとは、アルキル基の炭素−炭素結合の途中に−Ｏ−が導入されている場合や、アルキル基の一端に−Ｏ−が導入されている場合（アルコキシ基）を意味する。アルキル基に−Ｓ−や−ＮＲ^Ａ３−を含む場合も同様の意味である。
Ｒ^Ａ２がハロゲン原子を表す場合、Ｆ原子、Ｃｌ原子、Ｂｒ原子、Ｉ原子が好ましく、Ｆ原子がより好ましい。
なお、Ｒ^Ａ２における他の構造との結合部位とは、上記式（Ａ−１）〜式（Ａ−１２）中の＊で表される他の構造との結合部位である。
Ｒ^Ａ３はそれぞれ独立に、水素原子、又は、置換基を表す。Ｒ^Ａ３における置換基は、後述するＲ^１Ｓ及びＲ^２Ｓにおける置換基と同義である。

式（１−１）中、Ａｒは、芳香族複素環基又は炭素数５〜１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ａｒにおける炭素数５〜１８の芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環基、ビフェニル基、ナフタレン環基、又は、３環が縮合した芳香族炭化水素（例えば、フルオレン環）から２以上の水素原子を取り除いた基が挙げられる。これらの中でも、キャリア移動度がより優れたものになるという観点から、ベンゼン環基、ビフェニル基、又は、ナフタレン環基であることが好ましく、ベンゼン環基であることが好ましい。
Ａｒにおける芳香族複素環基は、単環であっても、２環以上の縮環構造を有していてもよいが、キャリア移動度がより優れたものになるという観点から単環であることが好ましい。Ａｒにおける芳香族複素環基は、５〜７員環であることが好ましい。また、芳香族複素環基に含まれるヘテロ原子としては、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子であることが好ましく、Ｓ原子であることがより好ましい。
Ｌ_ａは、−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^１Ｓ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい炭素数１〜２０のアルキレン基を表す。ここで、アルキレン基が−Ｏ−を含むとは、アルキレン基の炭素−炭素結合の途中に−Ｏ−が導入されている場合や、アルキレン基の一端又は両端に−Ｏ−が導入されている場合を意味する。アルキレン基に−Ｓ−や−ＮＲ^１Ｓ−を含む場合も同様の意味である。
Ｌ_ａを表すアルキレン基は、直鎖状、分岐鎖、環状のいずれであってもよいが、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基であることが好ましい。
Ｌ_ａを表すアルキレン基の炭素数は、１〜２０であるが、キャリア移動度がより優れたものとなるという観点から、１〜１５であることが好ましく、１〜１０であることがさらに好ましい。
なお、Ｌ_ａを表すアルキレン基が分岐鎖状である場合には、分岐部分の炭素数については、Ｌ_ａを表すアルキレン基の炭素数に含むものとする。ただし、Ｌ_ａが−ＮＲ^１Ｓ−を含み、かつ、このＲ^１Ｓが炭素原子を含む場合には、Ｒ^１Ｓの炭素数は、Ｌ_ａを表すアルキレン基の炭素数に含めないものとする。
Ｌ_ｂは、−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^２Ｓ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい炭素数１〜１００のアルキル基を表す。ここで、アルキル基が−Ｏ−を含むとは、アルキル基の炭素−炭素結合の途中に−Ｏ−が導入されている場合や、アルキル基の一端（すなわち、上記「Ａｒ」との接続部分）に−Ｏ−が導入されている場合を意味する。アルキル基に−Ｓ−や−ＮＲ^２Ｓ−を含む場合も同様の意味である。
Ｌ_ｂを表すアルキル基は、直鎖状、分岐鎖、環状のいずれであってもよいが、キャリア移動度及び高温高湿下での経時安定性がより優れたものになるという観点から、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であることが好ましく、分岐鎖状のアルキル基がより好ましい。また、Ｌ_ｂを表すアルキル基は、置換基としてハロゲン原子（好ましくは、Ｆ原子、Ｃｌ原子、Ｂｒ原子、Ｉ原子、より好ましくは、Ｆ原子）を有するハロゲン化アルキル基であってもよい。
Ｌ_ｂを表すアルキル基の炭素数は、１〜１００であり、２〜６０であることが好ましく、２〜３０であることがより好ましく、８〜２５であることが更に好ましい。
なお、Ｌ_ｂを表すアルキル基が分岐鎖状である場合には、分岐部分の炭素数については、Ｌ_ｂを表すアルキル基の炭素数に含むものとする。ただし、Ｌ_ｂが−ＮＲ^２Ｓ−を含み、かつ、このＲ^２Ｓが炭素原子を含む場合には、Ｒ^２Ｓの炭素数は、Ｌ_ｂを表すアルキレン基の炭素数に含めないものとする。
Ｒ^１Ｓ及びＲ^２Ｓはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、アルキル基（好ましくは、炭素数１〜１０の直鎖又は分岐鎖状のアルキル基）、ハロゲン原子（好ましくは、Ｆ原子、Ｃｌ原子、Ｂｒ原子、Ｉ原子）、アリール基（好ましくは炭素数６〜２０のアリール基）を表す。これらの中でも、Ｒ^１Ｓ及びＲ^２Ｓはそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。
ｌは、１〜５の整数を表すが、１又は２であることが好ましい。ｌが２以上のとき、複数のＬ_ｂは、互いに同一でも異なっていてもよい。
また、ｌが５未満の整数である場合には、Ａｒは他の置換基を有していてもよい。置換基としては、上記Ｒ^１Ｓ及びＲ^２Ｓと同様の置換基が挙げられる。
＊は、他の構造との結合部位を表す。

式（Ｐ１）で表される有機半導体化合物は、式（Ｐ１）中のＡが下記式（Ａ−１）〜式（Ａ−１２）で表される構造よりなる群から選ばれた少なくとも１つの構造を部分構造として有することが好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−３）、式（Ａ−４）、式（Ａ−５）、式（Ａ−６）、式（Ａ−８）及び式（Ａ−１２）で表される構造よりなる群から選ばれた少なくとも１つの構造を部分構造として有することがより好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−３）、式（Ａ−５）、式（Ａ−６）、式（Ａ−８）及び式（Ａ−１２）で表される構造よりなる群から選ばれた少なくとも１つの構造を部分構造として有することがより一層好ましく、式（Ａ−１）及び式（Ａ−３）で表される構造よりなる群から選ばれた少なくとも１つの構造を部分構造として有することが特に好ましく、式（Ａ−３）で表される構造が最も好ましい。
また、式（Ｐ１）で表される有機半導体化合物は、上記それぞれの態様において、式（Ｐ１）中のＡが各式により表される構造を部分構造として有する態様よりも、式（Ｐ１）中のＡが各式により表される構造である態様の方が好ましい。

式（Ａ−１）〜式（Ａ−１２）で表される構造の例を以下に示すが、本発明は以下の例示により限定されるものではない。下記構造式中、Ｒ^Ａ１は式（Ａ−１）〜式（Ａ−１２）中のＲ^Ａ１と同義であり、好ましい態様も同様である。
また、＊は他の構造との結合部位を表す。

（電子ドナーユニット（式（Ｐ１）の「Ｄ」））
Ｄは少なくとも１つのＮ原子、Ｏ原子、Ｓ原子、もしくはＳｅ原子を環構造内に有する２価の芳香族複素環基、又は、２環以上の縮環構造からなる２価の芳香族炭化水素基を部分構造として含む電子ドナーユニットである。

少なくとも１つのＮ原子、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を環構造内に有する２価の芳香族複素環基としては、少なくとも１つのＳ原子を環構造内に有する２価の芳香族複素環基が好ましい。
また、上記２価の芳香族複素環基は、単環であっても、２環以上の縮環構造を有していてもよく、単環の２価の芳香族複素環基を２以上組み合わせた構造であるか、２以上の単環の２価の芳香族複素環基と、１以上の２環以上の縮環構造を有する２価の芳香族複素環基を組み合わせた構造であることが好ましい。
上記２価の芳香族複素環基は更に置換基を有していてもよく、好ましい置換基としては、−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基（例えば、炭素数１〜３０のアルキル基又は炭素数１〜３０のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基がより好ましい）、アルケニル基（炭素数２〜３０が好ましい。）、アルキニル基（炭素数２〜３０が好ましい。）、芳香族炭化水素基（炭素数６〜３０が好ましい。）、芳香族複素環基（５〜７員環が好ましい。ヘテロ原子としては、Ｏ原子、Ｎ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子が好ましい。）、ハロゲン原子（Ｆ原子、Ｃｌ原子、Ｂｒ原子、Ｉ原子が好ましく、Ｆ原子又はＣｌ原子がより好ましく、Ｆ原子が特に好ましい。）、上記式（１−１）で表される１価の基が挙げられる。
Ｒ^Ｄ３は後述する式（Ｄ−１）におけるＲ^Ｄ３と同義であり、好ましい態様も同様である。

上記２価の芳香族複素環基の例を以下に示すが、本発明は以下の例示により限定されるものではない。下記構造式中、水素原子は−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、ハロゲン原子、又は、上記式（１−１）により表される基により置換されていてもよく、Ｒ^Ｄ１は後述する式（Ｄ−１）中のＲ^Ｄ１と同義であり、好ましい態様も同様であり、＊は他の構造との結合部位を表す。上記−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基としては、炭素数１〜３０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基がより好ましい。Ｒ^Ｄ３は後述する式（Ｄ−１）におけるＲ^Ｄ３と同義であり、好ましい態様も同様である。

２環以上の縮環構造からなる芳香族炭化水素基としては、炭素数１０〜２０の芳香族炭化水素基が好ましく、フルオレン基、ナフチレン基、若しくは、３環又は４環が縮合した芳香族炭化水素から水素原子を２つ除いた基がより好ましく、フルオレン基、ナフチレン基、若しくは、アントラセン環、フェナントレン環、クリセン環、又はピレン環から水素原子を２つ除いた基が更に好ましい。
上記芳香族炭化水素基はさらに置換基を有していてもよく、好ましい置換基としては、−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、ハロゲン原子、上記式（１−１）で表される１価の基が挙げられる。−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基及びハロゲン原子の好ましい例は、上記の２価の芳香族複素環基で説明したものと同様である。Ｒ^Ｄ３は後述する式（Ｄ−１）におけるＲ^Ｄ３と同義であり、好ましい態様も同様である。

また、式（Ｐ１）において、Ｄは式（Ｄ−１）で表される構造であることが好ましい。

上記式（Ｄ−１）中、Ｘ’はそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、又は、ＮＲ^Ｄ１を表す。Ｒ^Ｄ１はそれぞれ独立に、上記式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。Ｚ_ｄはそれぞれ独立に、Ｎ原子又はＣＲ^Ｄ２を表す。Ｒ^Ｄ２はそれぞれ独立に、水素原子、又は、上記式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。Ｍは、単結合、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基、又は、これらを組み合わせてなる２価の基を表す。Ｍは、−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、又は、上記式（１−１）で表される１価の基で置換されていてもよい。Ｒ^Ｄ３はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ｐ及びｑはそれぞれ独立に、０〜４の整数を表す。＊はそれぞれ独立に、他の構造との結合部位を表す。
なお、上記式（Ｄ−１）において、各繰り返し単位及び上記Ｍは、結合軸において回転可能に結合している。
すなわち、例えば、式（Ｄ−１）（及び後述する式（２）〜式（６）の表記）では、ｐ個連結する５員環の繰り返し単位と、ｑ個連結する５員環の繰り返し単位とが互いに逆方向を向いているが、式（Ｄ−１）（及び後述する式（Ｐ２）〜式（Ｐ６）の表記）は、これらが互いに同じ方向を向く構造体も包含する意味である。

式（Ｄ−１）中、Ｘ’はそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、又は、ＮＲ^Ｄ１を表し、Ｏ原子、Ｓ原子、又は、Ｓｅ原子であることが好ましく、Ｓ原子であることがより好ましい。
Ｚ_ｄはそれぞれ独立に、Ｎ原子又はＣＲ^Ｄ２を表し、ＣＲ^Ｄ２であることがより好ましい。
Ｒ^Ｄ１はそれぞれ独立に、１価の有機基を表し、−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基（例えば、炭素数１〜３０のアルキル基又は炭素数１〜３０のアルコキシ基が好ましく、炭素数８〜３０のアルキル基がより好ましい。）、アルキニル基（炭素数２〜３０が好ましい。）、芳香族炭化水素基（炭素数６〜３０が好ましい。）、芳香族複素環基（５〜７員環が好ましい。ヘテロ原子としては、Ｏ原子、Ｎ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子が好ましい。）、ハロゲン原子（Ｆ原子、Ｃｌ原子、Ｂｒ原子、Ｉ原子が好ましく、Ｆ原子又はＣｌ原子がより好ましく、Ｆ原子が特に好ましい。）、又は、上記式（１−１）で表される１価の基であることが好ましく、アルキル基、ハロゲン原子、又は上記式（１−１）で表される１価の基であることがより好ましい。
Ｒ^Ｄ２はそれぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表し、水素原子、−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基（例えば、炭素数１〜３０のアルキル基又は炭素数１〜３０のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基がより好ましい。）、アルキニル基（炭素数２〜３０が好ましい。）、アルケニル基（炭素数２〜３０が好ましい。）、芳香族炭化水素基（炭素数６〜３０が好ましい。）、芳香族複素環基（５〜７員環が好ましい。ヘテロ原子としては、Ｏ原子、Ｎ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子が好ましい。）、ハロゲン原子（Ｆ原子、Ｃｌ原子、Ｂｒ原子、Ｉ原子が好ましく、Ｆ原子又はＣｌ原子がさらに好ましく、Ｆ原子が特に好ましい。）、又は、上記式（１−１）で表される１価の基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、又は上記式（１−１）で表される１価の基であることがより好ましい。
Ｍは、単結合、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基、又はこれらを組み合わせてなる２価の基を表す。Ｍは、−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、又は、式（１−１）で表される１価の基で置換されていてもよい。
上記Ｍにおける２価の芳香族複素環基は、単環であっても、２環以上の縮環構造を有していてもよい。本発明に好ましく用いられる２価の芳香族複素環基の例は、上述した２環以上の縮環構造を有する２価の芳香族複素環基の例と同様である。
Ｍにおける２価の芳香族炭化水素基としては、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基が好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、フルオレン基、ナフチレン基、又は、３環若しくは４環が縮合した芳香族炭化水素から水素原子を２つ除いた基がより好ましく、フルオレン基、ナフチレン基、アントラセン環、フェナントレン環、クリセン環、若しくはピレン環から水素原子を２つ除いた基が更に好ましい。
Ｍにおける２価の芳香族複素環基、又は、２価の芳香族炭化水素基、は、さらに置換基を有していてもよく、好ましい置換基としては、−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基（例えば、炭素数１〜３０のアルキル基又は炭素数１〜３０のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基がより好ましい。）、ハロゲン原子（Ｆ原子、Ｃｌ原子、Ｂｒ原子、Ｉ原子が好ましく、Ｆ原子又はＣｌ原子がさらに好ましく、Ｆ原子が特に好ましい。）、上記式（１−１）で表される１価の基が挙げられる。
Ｍにおけるアルケニレン基としては、炭素数２〜１０のアルケニレン基が好ましく、炭素数２〜４のアルケニレン基がより好ましく、エテニレン基がさらに好ましい。
Ｍにおけるアルキニレン基としては、炭素数２〜１０のアルキニレン基が好ましく、炭素数２〜４のアルキニレン基がより好ましく、エチニレン基がさらに好ましい。
Ｒ^Ｄ３はそれぞれ独立に、水素原子、又は、置換基を表す。Ｒ^Ｄ３における置換基は、上記Ｒ^１Ｓ及びＲ^２Ｓにおける置換基と同義である。
ｐ及びｑはそれぞれ独立に、０〜４の整数であり、１〜３の整数であることが好ましく、１〜２の整数であることがより好ましい。ｐとｑは同じ値であることが好ましい。また、ｐ＋ｑが２〜４であることが好ましい。
ただし、ｐ＋ｑが０の場合には、Ｍは、少なくとも１つのＮ原子、Ｏ原子、Ｓ原子、もしくはＳｅ原子を環構造内に有する２価の芳香族複素環基、または、２環以上の縮環構造からなる２価の芳香族炭化水素基を部分構造として含むことが好ましい。

Ｄの構造の例を以下に示すが、本発明は以下の例示により限定されるものではない。下記構造式中、水素原子は−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、又は、上記式（１−１）により表される基により置換されていてもよく、Ｒ^Ｄ１は上記式（Ｄ−１）中のＲ^Ｄ１と同義であり、好ましい態様も同様であり、＊は他の構造との結合部位を表す。上記−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基としては、炭素数１〜３０のアルキル基又は炭素数１〜３０のアルコキシ基が好ましく、炭素数８〜３０のアルキル基がより好ましい。Ｒ^Ｄ３は上記式（Ｄ−１）におけるＲ^Ｄ３と同義であり、好ましい態様も同様である。

（式（Ｐ２）〜式（Ｐ６）で表される繰り返し単位）
上記式（Ｐ１）で表される繰り返し単位が、下記式（Ｐ２）〜（Ｐ６）のいずれかで表される繰り返し単位であることが好ましく、下記式（Ｐ２）又は下記式（Ｐ３）のいずれかで表される繰り返し単位であることがさらに好ましく、下記式（Ｐ３）で表される繰り返し単位であることが特に好ましい。

上記式（Ｐ２）〜（Ｐ６）中、Ｘはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、又は、ＮＲ^Ａ１を表す。
Ｒ^Ａ１はそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、上記式（１−１）で表される１価の基、又は、他の構造との結合部位を表す。
Ｙはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子を表す。
Ｚ_ａはそれぞれ独立に、ＣＲ^Ａ２又はＮ原子を表す。
Ｒ^Ａ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、又は、他の構造との結合部位を表す。
Ｒ^Ａ３はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
Ｘ’はそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、又は、ＮＲ^Ｄ１を表す。
Ｒ^Ｄ１はそれぞれ独立に、上記式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。
Ｚ_ｄはそれぞれ独立に、Ｎ原子又はＣＲ^Ｄ２を表す。Ｒ^Ｄ２はそれぞれ独立に、水素原子又は上記式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。
Ｍは、単結合、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基、又は、これらを組み合わせてなる２価の基を表す。Ｍは、−Ｏ−、−Ｓ−、及び、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、又は、上記式（１−１）で表される１価の基で置換されていてもよい。
Ｒ^Ｄ３はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
ｐ及びｑはそれぞれ独立に、０〜４の整数を表す。

式（Ｐ２）〜式（Ｐ６）中、Ｘ、Ｙ、Ｚ_ａ、Ｒ^Ａ１、Ｒ^Ａ２、及び、Ｒ^Ａ３は、上記式（Ａ−１）〜式（Ａ−１２）におけるＸ、Ｙ、Ｚ_ａ、Ｒ^Ａ１、Ｒ^Ａ２、及び、Ｒ^Ａ３とそれぞれ同義であり、好ましい態様も同様である。
また、式（Ｐ２）〜式（Ｐ６）中、Ｘ’、Ｚ_ｄ、Ｒ^Ｄ１、Ｒ^Ｄ２、Ｒ^Ｄ３、Ｍ、ｐ、及び、ｑは上記式（Ｄ−１）におけるＸ’、Ｚ_ｄ、Ｒ^Ｄ１、Ｒ^Ｄ２、Ｒ^Ｄ３、Ｍ、ｐ、及び、ｑとそれぞれ同義であり、好ましい態様も同様である。

（有機半導体化合物の好ましい態様）
有機半導体化合物中、式（Ｐ１）で表される繰り返し単位の含有量は、有機半導体化合物の全質量に対し、６０〜１００質量％であることが好ましく、８０〜１００質量％であることがより好ましく、９０〜１００質量％であることがさらに好ましく、実質的に式（Ｐ１）で表される繰り返し単位のみから形成されていることが特に好ましい。なお、実質的に式（Ｐ１）で表される繰り返し単位のみから形成されているとは、式（Ｐ１）で表される繰り返し単位の含有量が９５質量％以上であることを意味し、９７質量％以上であることが好ましく、９９質量％以上であることがより好ましい。
式（Ｐ１）で表される繰り返し単位の含有量が上記範囲内であると、キャリア移動度により優れる有機半導体層が得られる。
また、有機半導体化合物は、式（Ｐ１）で表される繰り返し単位を１種単独で含んでもよいし、２種以上含んでもよい。

有機半導体化合物は、式（Ｐ１）で表される繰り返し単位を２以上有する化合物であり、繰り返し単位数ｎが２〜９のオリゴマーであってもよく、繰り返し単位数ｎが１０以上の高分子（ポリマー）であってもよい。これらの中でも、繰り返し単位数ｎが１０以上の高分子であることが、キャリア移動度及び得られる有機半導体層の物性の観点から好ましい。

式（Ｐ１）で表される繰り返し単位を有する化合物の分子量は、キャリア移動度の観点から、２，０００以上であることが好ましく、５，０００以上であることがより好ましく、１０，０００以上であることが更に好ましく、２０，０００以上であることが特に好ましく、３０，０００以上であることが最も好ましい。また、溶解度の観点から、１，０００，０００以下であることが好ましく、３００，０００以下であることがより好ましく、１５０，０００以下であることが更に好ましく、１００，０００以下であることが特に好ましい。

本発明において、式（Ｐ１）で表される繰り返し単位を有する化合物が分子量分布を有する場合、その化合物の分子量とは重量平均分子量を意味する。
本発明において、式（Ｐ１）で表される繰り返し単位を有する化合物の重量平均分子量及び数平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィ法（ＧＰＣ（Gel Permeation Chromatography））法にて測定され、標準ポリスチレンで換算して求められる。具体的には、例えば、ＧＰＣは、ＨＬＣ−８１２１ＧＰＣ（東ソー（株）製）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ ＧＭＨ_ＨＲ−Ｈ（２０） ＨＴ（東ソー（株）製、７．８ｍｍＩＤ×３０ｃｍ）を２本用い、溶離液として１，２，４−トリクロロベンゼンを用いる。また、条件としては、試料濃度を０．０２質量％、流速を１．０ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル注入量を３００μｌ、測定温度を１６０℃とし、ＩＲ（infrared）検出器を用いて行う。また、検量線は、東ソー（株）製「標準試料ＴＳＫ ｓｔａｎｄａｒｄ，ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ」：「Ｆ−１２８」、「Ｆ−８０」、「Ｆ−４０」、「Ｆ−２０」、「Ｆ−１０」、「Ｆ−４」、「Ｆ−２」、「Ｆ−１」、「Ａ−５０００」、「Ａ−２５００」、「Ａ−１０００」、「Ａ−５００」の１２サンプルから作製する。

有機半導体層中には、式（Ｐ１）で表される繰り返し単位を有する化合物が１種のみで含まれていてもよく、２種以上で含まれていてもよい。
また、式（Ｐ１）で表される繰り返し単位を有する化合物の末端の構造は、特に制限はなく、他の構成単位の有無や、合成時に使用した基質の種類、合成時のクエンチ剤（反応停止剤）の種類にもよるが、例えば、水素原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、エチレン性不飽和基、アルキル基等、芳香族複素環基（チオフェン環が好ましい。）、芳香族炭化水素基（ベンゼン環が好ましい。）が挙げられる。

式（Ｐ１）で表される繰り返し単位を有する化合物の合成方法は、特に限定されず、公知の方法を参照して合成すればよい。例えば、特表２０１０−５２７３２７号、特表２００７−５１６３１５号、特表２０１４−５１５０４３号、特表２０１４−５０７４８８号、特表２０１１−５０１４５１号、特開２０１０−１８７９０号、ＷＯ２０１２／１７４５６１号、特表２０１１−５１４３９９号、特表２０１１−５１４９１３号等の文献を参考に、電子アクセプターユニットの前駆体と電子ドナーユニットの前駆体を合成して、それぞれの前駆体を鈴木カップリングやＳｔｉｌｌｅカップリング等のクロスカップリング反応させることにより合成することができる。

以下に、式（Ｐ１）で表される有機半導体化合物の好ましい具体例を示すが、本発明は以下の例示により限定されるものではない。

（界面活性剤）
有機半導体層には、塗膜の膜厚均一性のより一層の向上のため、界面活性剤を添加することができる。
有機薄膜トランジスタに加熱プロセスを施す際、界面活性剤が流動して偏在することで、有機半導体層にひずみが生じ、クラックが発生する場合がある。このため、ガラス転移温度が５０℃以上の界面活性剤を用いることが好ましい。
ガラス転移温度が５０℃以上の界面活性剤は、有機半導体層に導入しても、負膨張材料と共に中間層に導入してもよい。上記界面活性剤を使用することで、クラックを発生させず、またキャリア移動度及びその高温高湿条件下での維持率を低下させることなく、膜厚均一性をより向上させることができる。

ポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）Ｑ１００（ティー・エイ・インスツルメント社製）を用いて以下の方法および条件でＤＳＣ測定をそれぞれについて行うことで得られる。
ＤＳＣ測定は、加熱（１回目）→冷却（１回目）→加熱（２回目）のサイクルで行い、１回目の冷却時と２回目の加熱時にそれぞれＤＳＣ曲線を取得した。２回目の加熱時に取得したＤＳＣ曲線から求めたＴｇを採用した。なお、ＤＳＣ曲線からＴｇを求める際には、ＤＳＣ曲線の変曲点からＴｇを読み取った。
測定条件 測定範囲 ： −３０℃〜２３０℃
加熱・冷却速度： １０℃／ｍｉｎ

ガラス転移温度が５０℃以上の界面活性剤としては、例えば、ＰＭＭＡ-ｂ-ＰＤＭＳ（ポリメチルメタクリレートとポリジメチルシロキサンの共重合体）、ＰＭＭＡ−ｂ−ＰＳ（ポリメチルメタクリレートとポリスチレンの共重合体）、ＰＭＭＡ−ｂ−ＰＯＳＳ（ポリメチルメタクリレートとシルセスキオキサンメタクリレートの共重合体）、ＰＭＭＡ−ｂ−ＰＥＯ（ポリメチルメタクリレートとポリエチレンオキサイドの共重合体）、ＰＭＭＡ−ｂ−ＰＰＯ（ポリメチルメタクリレートとポリプロピレンオキサイドの共重合体）、ＰＳ−ｂ−ＰＥＯ（ポリスチレンとポリエチレンオキサイドの共重合体）などの、ガラス転移温度が５０℃以上のポリマー鎖を含むブロック共重合体が挙げられる。つまり、ブロック共重合体において、ガラス転移温度が５０℃以上のブロックが少なくとも１つ含まれればよい。
なかでも、ガラス転移温度が８０℃以上の界面活性剤（好ましくは、Ｔｇが８０℃以上のポリマー鎖を含むブロック共重合体）であることがより好ましい。上限は特に制限されないが、１２０℃以下の場合が多い。
なお、ガラス転移温度が５０℃以上の界面活性剤としてポリマー鎖を含むブロック共重合体を用いる場合、その重量平均分子量は特に制限されないが、１万〜２０万が好ましく、１万〜９．５万がより好ましい。
有機半導体層が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の含有量は、全固形分量に対して０．０１〜３０質量％であることが好ましく、０．１〜１０質量％であることがより好ましい。
また、界面活性剤は中間層に含有させてもよい。中間層が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の含有量は、全固形分量に対して０．０１〜３０質量％であることが好ましく、０．１〜１０質量％であることがより好ましい。
また、界面活性剤を中間層及び有機半導体層のいずれにも含有させる場合には、界面活性剤の含有量は、中間層及び有機半導体層の全固形分量に対して、上記範囲とすればよい。

＜ソース電極、ドレイン電極＞
本発明のＯＴＦＴにおいて、ソース電極は、配線を通じて外部から電流が流入する電極である。また、ドレイン電極は、配線を通じて外部に電流を送り出す電極であり、通常、上記有機半導体層に接して設けられる。
ソース電極及びドレイン電極の材料としては、従来の有機薄膜トランジスタに用いられている導電性材料を用いることができ、例えば、上記ゲート電極で説明した導電性材料等が挙げられる。

ソース電極及びドレイン電極は、それぞれ、上記ゲート電極の形成方法と同様の方法により形成することができる。

上記フォトリソグラフィー法としては、リフトオフ法又はエッチング法を採用できる。
特に、ゲート絶縁層がエッチング液や剥離液に対する耐性に優れていることから、ソース電極及びドレイン電極はエッチング法でも好適に形成することができる。エッチング法は、導電性材料を成膜した後に不要部分をエッチングにより除去する方法である。エッチング法によりパターニングすると、レジスト除去時に下地に残った導電性材料の剥がれ、レジスト残渣や除去された導電性材料の下地への再付着を防止でき、電極エッジ部の形状に優れる。この点で、リフトオフ法よりも好ましい。

リフトオフ法は、下地の一部にレジストを塗布し、この上に導電性材料を成膜し、レジスト等を溶媒により溶出又は剥離等することにより、レジスト上の導電性材料ごと除去して、レジストが塗布されていなかった部分にのみ導電性材料の膜を形成する方法である。

ソース電極及びドレイン電極の厚みは、任意であるが、それぞれ、１ｎｍ以上が好ましく、１０ｎｍ以上が特に好ましい。また、５００ｎｍ以下が好ましく、３００ｎｍ以下が特に好ましい。
ソース電極とドレイン電極との間の間隔（チャネル長）は、任意であるが、１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下が特に好ましい。また、チャネル幅は、５０００μｍ以下が好ましく、１０００μｍ以下が特に好ましい。

＜オーバーコート層＞
本発明のＯＴＦＴは、オーバーコート層を有していてもよい。オーバーコート層は、通常、ＯＴＦＴの表面に保護層として形成される層である。単層構造でも多層構造でもよい。
オーバーコート層は、有機系のオーバーコート層でも無機系のオーバーコート層でもよい。
有機系のオーバーコート層を形成する材料としては、特に限定されないが、例えば、ポリスチレン、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール、ポリオレフィン、ポリイミド、ポリウレタン、ポリアセナチレン、エポキシ樹脂等の有機ポリマー、及び、これらの有機ポリマーに架橋性基や撥水基等を導入した誘導体等が挙げられる。これらの有機ポリマーやその誘導体は、架橋成分、フッ素化合物、シリコン化合物等と併用することもできる。
無機系のオーバーコート層を形成する材料としては、特に限定されないが、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等の金属酸化物、窒化ケイ素等の金属窒化物等が挙げられる。
これらの材料は、１種を用いても、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。

オーバーコート層の形成方法に制限は無く、公知の各種の方法により形成することができる。
例えば、有機系のオーバーコート層は、例えば、その下地となる層に、オーバーコート層となる材料を含む溶液を塗布後に乾燥させる、オーバーコート層となる材料を含む溶液を塗布、乾燥後に露光、現像してパターニングする等の方法により形成することができる。なお、オーバーコート層のパターニングは、印刷法やインクジェット法等により直接形成することもできる。また、オーバーコート層のパターニング後に、露光や加熱することにより、オーバーコート層を架橋させてもよい。
一方、無機系のオーバーコート層は、スパッタリング法、蒸着法等の乾式法やゾルゲル法のような湿式法により形成することができる。

＜その他の層＞
本発明のＯＴＦＴは、上記以外の層や部材を設けてもよい。
その他の層又は部材としては、例えば、バンク等が挙げられる。バンクは、インクジェット法等により半導体層やオーバーコート層等を形成するときに、吐出液を所定の位置に塞き止める目的等で用いられる。このため、バンクには、通常、撥液性がある。バンクの形成方法としては、フォトリソグラフィー法等によりパターニングした後にフッ素プラズマ法等の撥液処理を施す方法、フッ素化合物等の撥液成分を含む感光性組成物等を硬化させる方法等が挙げられる。
本発明の有機薄膜トランジスタにおいてゲート絶縁層が有機材料により形成されている場合には、後者の撥液成分を含む感光性組成物を硬化させる方法が、ゲート絶縁層が撥液処理の影響を受ける可能性が少ないので好ましい。なお、バンクを用いずに下地に撥液性のコントラストを持たせてバンクと同じ役割を持たせる技術を用いてもよい。

＜製造方法＞
（有機薄膜トランジスタ用材料又は有機薄膜トランジスタ用材料セットによる有機半導体層/中間層の製造方法）
上述した有機薄膜トランジスタの製造方法（以下、本発明の方法ということがある）は、特に限定されず、各部材（ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極）は上述した方法にて製造可能である。
なお、有機薄膜トランジスタにおいて有機半導体層及び中間層を形成する方法としては、例えば、有機半導体化合物、負膨張材料及びバインダーを含む組成物である有機薄膜トランジスタ用材料によって塗膜を形成した後、相分離現象を利用して、有機半導体化合物と負膨張材料を膜厚方向にそれぞれ相分離させて有機半導体層と中間層とを同時に形成してもよいし、または、有機半導体層を形成する前又は形成した後に、負膨張材料と負膨張材料を担持するバインダーとを含む層を別途積層形成してもよい。
以下、上記２つの方法に関して詳述する。

まず、上述の有機薄膜トランジスタ用材料を用いる方法は、有機半導体化合物と負膨張材料との相分離現象を利用して中間層及び有機半導体層を形成する方法である。
通常、有機半導体化合物と負膨張材料とはその構造の違いから混じり合わないため、両者を混合すると、有機半導体化合物の相と、負膨張材料の相とに分離する。そこで、有機半導体化合物、負膨張材料及びバインダーを含む組成物である有機薄膜トランジスタ用材料を用いて塗膜を作製すると、塗膜の下側に比重により沈降した負膨張材料の高濃度領域が形成され、一方、塗膜の上側には有機半導体化合物の結晶層が形成され、結果として中間層と有機半導体層とを形成することができる。
特に、有機薄膜トランジスタ用材料にバインダーが含まれることにより、上記相分離がより進行しやすくなる。なお、負膨張材料は、通常、バインダーと共に塗膜の下側に高濃度で偏在化する。

なお、塗布性の付与、有機半導体層の結晶性、相分離等の観点から、有機薄膜トランジスタ用材料中に溶媒を含有させることが好ましい。溶媒の含有量は、有機薄膜トランジスタ用材料の全質量に対して７０質量％以上であることが好ましく、８０質量％以上であることがより好ましく、９０質量％以上であることがより好ましい。
溶媒としては、下記のものが挙げられる。
溶媒としては、例えば、有機溶媒、水及びこれらの混合溶媒が挙げられる。
有機溶媒としては、例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、テトラリン、デカリン、１−メチルナフタレン等の炭化水素溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等のハロゲン化炭化水素溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル等のエステル溶媒、メタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコール等のアルコール溶媒、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール等のエーテル溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１−メチル−２−ピロリドン、１−メチル−２−イミダゾリジノン等のアミド・イミド溶媒、ジメチルスルフォキシド等のスルホキシド溶媒、アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル溶媒等が挙げられる。

有機溶媒は、単独で用いても、２種以上混合して用いてもよい。有機溶媒としては、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、ジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、アニソール、ベンゾニトリル等が特に好ましい。

また、有機薄膜トランジスタ用材料中において、負膨張材料の含有量は、有機薄膜トランジスタ用材料の全固形分に対して１〜３０質量％で含まれることが好ましく、５〜２０質量％であることがさらに好ましい。
また、有機薄膜トランジスタ用材料中において、有機半導体化合物の含有量は、有機薄膜トランジスタ用材料の全固形分に対して１０〜７０質量％であることが好ましく、２０〜６０質量％であることが好ましい。
また、有機薄膜トランジスタ用材料中において、バインダーの含有量は、有機薄膜トランジスタ用材料の全固形分に対して１０〜７０質量％であることが好ましく、２０〜６０質量％であることが好ましい。
また、有機薄膜トランジスタ用材料中に上述したガラス転移温度が５０℃以上の界面活性剤を含有させてもよく、この場合には、上記界面活性剤の含有量は、有機薄膜トランジスタ用材料の全固形分に対して０．０１〜３０質量％であることが好ましく、０．０１〜１０質量％であることがより好ましい。

有機薄膜トランジスタ用材料を塗布する方法としては、公知の方法（例えば、バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法）を採用できる。
塗布条件は、特に限定されない。室温（２５℃）付近で塗布してもよいし、有機半導体化合物の塗布溶媒への溶解性を増すために加熱状態で塗布してもよい。塗布温度は、好ましくは１５〜１５０℃であり、より好ましくは１５〜１００℃であり、さらに好ましくは１５〜５０℃であり、特に好ましくは室温付近（２０〜３０℃）である。
スピンコート法では、回転数を１００〜３０００ｒｐｍにするのが好ましい。

なお、必要に応じて、塗布後に、塗膜を乾燥してもよい。乾燥条件は、溶媒を揮発・除去できる条件であればよく、例えば、室温放置、加熱乾燥、送風乾燥、減圧乾燥等の方法が挙げられる。

また、有機半導体層を形成する前又は形成した後に、負膨張材料と負膨張材料を担持するバインダーとを含む中間層を別途積層形成する場合、有機半導体化合物を少なくとも含む組成物と、バインダー及び負膨張材料を少なくとも含む組成物を備えた有機薄膜トランジスタ用材料セットを用いて形成することが可能である。具体的には、例えば、有機半導体化合物及び溶媒を含む組成物を所定の基材上に塗布して有機半導体層を形成した後、さらに、バインダー、負膨張材料及び溶媒を含む組成物を有機半導体層上に塗布して中間層を形成する方法や、バインダー、負膨張材料及び溶媒を含む組成物を所定の基材上に塗布して中間層を形成した後、さらに、有機半導体化合物及び溶媒を含む組成物を中間層上に塗布して有機半導体層を形成する方法が挙げられる。上述のガラス転移温度が５０℃以上の界面活性剤を配合させる場合には、有機半導体層および中間層のどちらに配合してもよい。
中間層を形成するバインダーとして、上述したバインダーポリマーの他、エチレンプロピレンゴム、ポリウレタン、ポリイソプレン、ポリイソブチレン、シリコーンゴム等も使用することができる。
これらの組成物を塗布する方法は上述の通りであり、各組成物の塗布後、必要に応じて、乾燥処理を実施してもよい。
なお、有機半導体層と中間層とを別途形成する場合、あるいは、後述する第２態様であるゲート絶縁層に負膨張材料を含有させ、中間層を形成しない場合において、有機半導体層を形成する際は、塗膜性等の観点から、有機半導体化合物とともにバインダーを配合することが好ましい。バインダーとしては、有機薄膜トランジスタ用材料に用いられる上述のバインダーを使用することができる。
また、本明細書において、有機半導体層と中間層とを別途形成する場合であって、有機半導体層形成にバインダーを用い、このバインダーが相分離現象により有機半導体層から独立して層を成して中間層に連続して（隣接して）形成される場合には、このバインダーは中間層のバインダーとしてみなす。

＜＜第２態様＞＞
以下に、上述した図１（Ｂ）に示す第２態様の各構成、及び、その製造方法について詳述する。
第２態様のＯＴＦＴは、基板６上にゲート電極５、ゲート絶縁層１２、ソース電極３及びドレイン電極４、及び、有機半導体層１がこの順で配置されたものである。第２態様は、第１態様と比較して、ゲート絶縁層中の負膨張材料が含有されている点以外は、同一の構成を有するため、以下では説明を省略し、主に、ゲート絶縁層１２について詳述する。

第２態様におけるゲート絶縁層には、負膨張材料が含まれる。
負膨張材料の定義は、上述の通りである。
ゲート絶縁層には、上述したように、絶縁性の材料（例えば、有機高分子などの有機材料、無機酸化物などの無機材料）が含まれている。

第２態様におけるゲート絶縁層において、負膨張材料の含有量は、全固形分に対して１〜５０質量％で含有されることが好ましく、５〜４０質量％で含有されることがより好ましく、１０〜３０質量％で含有されることが更に好ましい。上記範囲で含まれることで、有機半導体層への熱応力を抑制でき、有機半導体層のクラック発生をより効果的に抑制される。

また、第２態様におけるゲート絶縁層１２の厚みは、０．０１〜１００μｍであることが好ましく、０．０５〜５μｍであることがより好ましく、０．１〜１μｍであることが特に好ましい。上記範囲とすることで、電気特性として高いＯＮ−ＯＦＦ比とクラック発生抑制効果を得ることができる。

また、第２態様では、ゲート絶縁層に隣接する有機半導体層は、上述したガラス転移温度が５０℃以上の界面活性剤を含むことが好ましい。有機半導体層に上記界面活性剤を含有させることで、クラックを発生させず、またキャリア移動度及びその高温高湿条件下での維持率を低下させることなく、膜厚均一性をより向上させることができる。

第２態様におけるゲート絶縁層の製造方法は特に制限されず、例えば、絶縁性の材料及び負膨張材料を含むゲート絶縁層形成用組成物を所定の基材上に塗布して、必要に応じて、乾燥処理を施す方法が挙げられる。
なお、ゲート絶縁層形成用組成物には、上述した溶媒が含まれていてもよい。

＜ＯＴＦＴの用途＞
本発明のＯＴＦＴは好ましくは表示パネルに搭載して使用される。表示パネルとしては、例えば、液晶パネル、有機ＥＬパネル、電子ペーパーパネル等が挙げられる。

以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。

[実施例１]
＜有機半導体層形成用組成物の調製＞
有機半導体化合物（ＯＳＣ-１）と、バインダー（Ｍｗ＝５０万のポリスチレン）とを固形分質量比が１：１となるように混合、攪拌して、実施例１の有機半導体層形成用組成物を調製した。有機半導体層形成用組成物は、トルエンを溶剤とする固形分濃度０．５質量％溶液として調製した。

なお、本実施例で用いた各種ポリマーは、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）法で測定された標準ポリスチレン換算値である。重量平均分子量及び数平均分子量のＧＰＣ法による測定は、ポリマーをＴＨＦ（Tetrahydrofuran）に溶解させ、高速ＧＰＣ（ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ、東ソー社製）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＺ４０００（ＴＯＳＯＨ製、４．６ｍｍＩ．Ｄ．×１５ｃｍ）を用い、溶離液としてＴＨＦを用いて行った。

＜ゲート絶縁層形成用組成物（負膨張材料含有）の調製＞
バインダーとしてポリイミド溶液（７％溶液、日産化学社製サンエバーＳＥ−１３０Ｂ）を３０質量％と、負膨張材料としてタングステン酸ジルコニウム（下記合成品； 平均粒径 ２００ｎｍ、アスペクト比 １０、シランカップリング表面処理）を０．２４質量％とを、溶媒であるアニソールに溶解させることでゲート絶縁層形成用組成物（負膨張材料含有）を調製し、実施例１のゲート絶縁層形成用組成物とした。
なお、タングステン酸ジルコニウムは文献（ＡＣＳ Ａｐｐｌ. Ｍａｔｅｒ. Ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ, ２０１３, ５ （１９）, ｐｐ ９４７８-９４８７）を参考にして、下記手順によって合成したものを用いた。

（タングステン酸ジルコニウムの調製）
０．０８Ｍ ＺｒＯ（ＣｌＯ_４）_２・ｘＨ_２Ｏと、０．１０Ｍ Ｎａ_２ＷＯ_４・２Ｈ_２Ｏを７Ｍ ＨＣｌ中、１６０°Ｃにて１２時間反応した。反応後、白色沈殿を取り出し、イオン交換水にて洗浄、遠心分離機にて沈殿を６回繰り返した。７５℃にて２４時間乾燥した後、乳鉢にてすりつぶした。最後に白色粉末を６００度にて３０分焼結することでタングステン酸ジルコニウムのナノ粒子を得た。
さらにナノ粒子５ｇを５０ｍｌの無水エタノールに加え攪拌した後、１０分超音波を照射した。ｐＨを４に調整したヘキシルトリメトキシシラン（シランカップリング剤、信越シリコーン社製）１０％エタノール溶液１０ｇを加え６０℃で２時間反応した。遠心分離により沈殿と無水エタノール洗浄を３回繰り返した後、減圧オーブンにて６０℃で２４時間乾燥し、表面処理されたタングステン酸ジルコニウムナノ粒子を得た。

＜有機薄膜トランジスタ（ボトムゲート・ボトムコンタクト構造）の製造＞
上記のようにして得られた有機半導体層形成用組成物及びゲート絶縁層形成用組成物を用いて、図１（Ｂ）に示すボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタ（実施例１）を以下の手順で作製した。

基板６として厚さ１ｍｍのドープシリコン基板（ゲート電極５を兼ねる）を用い、その上にゲート絶縁層１２を形成した。
ゲート絶縁層１２は、上記ゲート絶縁層形成用組成物（負膨張材料含有）を基板６上に塗布し、これを乾燥させることで厚さ０．７μｍの膜として形成した。

次いで、図１（Ｂ）に示すようにソース電極３及びドレイン電極４として、くし型に配置された銀からなる電極（厚み１５０ｎｍ、ゲート幅Ｗ＝１００μｍ、ゲート長Ｌ＝１００μｍ）を、マスクを用いて真空蒸着により形成した。

次いで、ゲート絶縁層１２、ソース電極３及びドレイン電極４を覆うように、上記有機半導体層形成用組成物を、２５℃でスピンコート（回転数８００ｒｐｍ）により塗布した。その後、ホットプレート上にて６０℃で１２０分加熱し、有機半導体層１を成膜した。
こうして、厚さ３００ｎｍの有機半導体層１を成膜し、実施例１の有機薄膜トランジスタ（ボトムゲート・ボトムコンタクト型）を得た。

[実施例２、３]
ゲート絶縁層形成用組成物に含まれる負膨張材料の配合量を表１に示すように変更した以外は実施例１と同様の方法により、実施例２、３の有機薄膜トランジスタを作製した。

[実施例４、５、６]
ゲート絶縁層形成用組成物に含まれる負膨張材料をタングステン酸ジルコニウムからリン酸ジルコニウム（ＺｒＯ）_２Ｐ_２Ｏ_７（平均粒径８０ｎｍ、アスペクト比３．８、東亞合成社製）に変更した以外は実施例１、２、３と同様の方法により、それぞれ実施例４、５、６の有機薄膜トランジスタを作製した。

[実施例７、８、９]
ゲート絶縁層形成用組成物に含まれる負膨張材料をタングステン酸ジルコニウムからシリカ（平均粒径６０ｎｍ、アスペクト比１．０、昭和電工社製）に変更した以外は実施例１、２、３と同様の方法により、それぞれ実施例７、８、９の有機薄膜トランジスタを作製した。

[実施例１０、１１、１２]
上記有機半導体層形成用組成物に含まれる有機半導体化合物をＯＳＣ−１から下記構造のＯＳＣ−２に変更した以外は実施例１、２、３と同様の方法により、それぞれ実施例１０、１１、１２の有機薄膜トランジスタを作製した。

[実施例１３]
＜有機薄膜トランジスタ用材料１の調製＞
有機半導体化合物（下記に示すＯＳＣ−３）を０．５質量％と、バインダーとしてポリスチレン（Ｍｗ＝５０万）を０．５質量％と、負膨張材料としてタングステン酸ジルコニウム（合成品；（上述したもの） 平均粒径：２００ｎｍ、アスペクト比：１０、シランカップリング表面処理）を０．０５６質量％とを、溶媒であるアニソールに溶解させることで有機薄膜トランジスタ用材料１を作製し、実施例１３の有機半導体層（有機半導体膜）及び有機半導体層に隣接し、負膨張材料を含む中間層の形成に用いた。
有機薄膜トランジスタ用材料１は、所定の基材上に成膜されると成分が相分離し、有機半導体化合物の結晶層である有機半導体層と、その下層に負膨張材料を含むポリスチレン層（中間層）とを形成する。

＜ゲート絶縁層形成用組成物の調製＞
下記組成で、ゲート絶縁層形成用組成物（負膨張材料なし）を調製し、実施例１３の有機薄膜トランジスタのゲート絶縁層２の形成に用いた。
ポリ（４−ビニルフェノール）（日本曹達社製、商品名：ＶＰ−８０００、Ｍｎ１１０００、分散度１．１）を６．３ｇと、架橋剤として２，２−ビス（３，５−ジヒドロキシメチル−４−ヒドロキシ）プロパン２．７ｇとを、９１ｇの１−ブタノール／エタノール＝１／１の混合溶媒に室温で溶解した。この溶解液をφ０．２μｍのＰＴＦＥ製メンブランフィルタでろ過した。得られたろ液に酸触媒としてジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート塩０．１８ｇを加え、これをゲート絶縁層形成用組成物（負膨張材料なし）とした。

＜有機薄膜トランジスタ（ボトムゲート・ボトムコンタクト構造）の製造＞
上記のようにして得られた有機薄膜トランジスタ用材料１及びゲート絶縁層形成用組成物を用いて、図１（Ａ）に示すボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタ（実施例１３）を以下の手順で作製した。

基板６として厚さ１ｍｍのドープシリコン基板（ゲート電極５を兼ねる）を用い、その上にゲート絶縁層２を形成した。
ゲート絶縁層２は、まず、ゲート絶縁層形成用組成物を基板６上に塗布し、これを乾燥して成膜した後、１００℃に加熱して架橋構造を形成させることで厚さ０．７μｍの膜とした。

次いで、図１（Ａ）に示すようにソース電極３及びドレイン電極４として、くし型に配置された銀からなる電極（厚み１５０ｎｍ、ゲート幅Ｗ＝１００μｍ、ゲート長Ｌ＝１００μｍ）を、マスクを用いて真空蒸着により形成した。

次いで、ゲート絶縁層２、ソース電極３及びドレイン電極４を覆うように、上記有機薄膜トランジスタ用材料１を、２５℃でスピンコート（回転数８００ｒｐｍ）により塗布し、塗膜を成膜した。塗膜は成膜後に成分が相分離し、有機半導体化合物の結晶層である有機半導体層１と、その隣接する下層（すなわち、ゲート絶縁層２と有機半導体層１との界面領域）に負膨張材料を含むポリスチレン層（中間層）７が形成された。
こうして、厚さ３００ｎｍの有機半導体層１と、厚さ１２０ｎｍの中間層７を成膜し、実施例１３の有機薄膜トランジスタ（ボトムゲート・ボトムコンタクト型）を得た。

[実施例１４、１５]
有機薄膜トランジスタ用材料１に含まれる負膨張材料の配合量を表１に示すように変更した以外は実施例１３と同様の方法により、それぞれ実施例１４、１５の有機薄膜トランジスタを作製した。

[実施例１６、１７、１８]
有機半導体層形成用組成物を下記の組成に変更した以外は、実施例１、２、３と同様の方法により、それぞれ実施例１６、１７、１８の有機薄膜トランジスタを作製した。

＜有機半導体層形成用組成物（負膨張材料なし、界面活性剤あり）の調製＞
有機半導体化合物（ＯＳＣ−１）０．５質量％と、バインダー（Ｍｗ＝５０万のポリスチレン）０．５質量％と、界面活性剤（ＰＭＭＡ-ｂ-ＰＤＭＳ：ポリメチルメタクリレートとポリジメチルシロキサンの共重合体（Ｐｏｌｙｍｅｒ ｓｏｒｕｃｅ社製、重量平均分子量６万 ガラス転移温度１００℃））０．０２５質量％とを、溶媒であるアニソールに溶解させることで、有機半導体層形成用組成物を調製した。

[実施例１９、２０、２１]
実施例１６、１７、１８の有機半導体層形成用組成物に含まれる界面活性剤を、ＰＭＭＡ-ｂ-ＰＤＭＳからＢＹＫ−３２３（シリコン系表面調整剤（ビックケミー・ジャパン株式会社製）、ガラス転移温度２０℃以下（常温常圧下で液体））に変更し、ＴＦＴ構成をボトムゲート・ボトムコンタクト構造からトップゲート・トップコンタクト構造にし、それぞれ実施例１９、２０、２１の有機薄膜トランジスタを作製した。
以下、トップゲート・トップコンタクト構造の有機薄膜トランジスタの作製手順について詳述する。

基板６として厚さ１ｍｍのドープシリコン基板（ゲート電極５を兼ねる）を用い、その上に、上記のようにして得られた有機半導体層組成物を、２５℃で、スピンコート（回転数１０００ｒｐｍ）にて有機半導体層１が３００ｎｍとなるように形成した。
次いで、図２（Ｃ）に示すようにソース電極３及びドレイン電極４として、くし型に配置された銀からなる電極（厚み１５０ｎｍ、ゲート幅Ｗ＝１００μｍ、ゲート長Ｌ＝１００μｍ）を、マスクを用いて真空蒸着により形成した。
次いで、有機半導体層１、ソース電極３及びドレイン電極４を覆うように、上記で得られたゲート絶縁膜組成物（負膨張材料含有）を、２５℃でスピンコート（回転数８００ｒｐｍ）により塗布し、塗膜を成膜した。さらにゲート電極として金からなる電極（厚み５０ｎｍ、１００μｍ）を、マスクを用いて真空蒸着により形成した。こうして、実施例１９〜２１の有機薄膜トランジスタ（ボトムゲート・ボトムコンタクト型）を得た。

[実施例２２〜２４]
有機半導体層形成用組成物を下記の組成及び成膜方法に変更し、ゲート絶縁層形成用組成物を実施例１３で使用したもの（負膨張材料非含有）に変更した以外は、実施例１と同様の方法により、実施例２２〜２４の有機薄膜トランジスタを作製した。

＜有機薄膜トランジスタ用材料２の調製＞
有機半導体化合物（ＯＳＣ−１）を０．５質量％と、バインダーとしてポリスチレン（Ｍｗ＝５０万）を０．５質量％と、負膨張材料としてタングステン酸ジルコニウム（合成品（上述したもの）；平均粒径：２００ｎｍ、アスペクト比：１０、シランカップリング表面処理）を０．０５６質量％と、界面活性剤（ＰＭＭＡ-ｂ-ＰＤＭＳ：ポリメチルメタクリレートとポリジメチルシロキサンの共重合体（Polymer soruce社製、重量平均分子量６万 ガラス転移温度１００℃）を０．０２５質量％とを、溶媒であるアニソールに溶解させることで有機薄膜トランジスタ用材料２を作製し、実施例２２の有機半導体層（有機半導体膜）及び有機半導体層に隣接し、負膨張材料を含む中間層の形成に用いた。

＜有機薄膜トランジスタ用材料２の成膜方法＞
ゲート絶縁層２、ソース電極３及びドレイン電極４を覆うように、上記有機薄膜トランジスタ用材料を２５℃でスピンコート（回転数８００ｒｐｍ）により塗布し、塗膜を成膜した。塗膜は成膜後に成分が相分離し、有機半導体化合物の結晶層である有機半導体層１と、その隣接する下層（すなわち、ゲート絶縁層２と有機半導体層１との界面領域）に負膨張材料を含むポリスチレン層（中間層）７が形成された。
こうして、厚さ３００ｎｍの有機半導体層１と、厚さ１２０ｎｍの中間層７を成膜した。

[実施例２５]
有機半導体層形成用組成物を実施例２２と同様の有機薄膜トランジスタ用材料２及びその成膜方法に変更した以外は、実施例１と同様の方法により、実施例２５の有機薄膜トランジスタを作製した。

[比較例１]
＜有機薄膜トランジスタ（ボトムゲート・ボトムコンタクト構造）の製造＞
実施例１と同様の有機半導体層形成用組成物及び実施例１３と同様のゲート絶縁層形成用組成物を用いて、図１（Ａ）に示すボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタ（比較例１）を以下の手順で作製した。
比較例１の有機薄膜トランジスタは、負膨張材料がいずれの層にも含有されない構成である。

基板６として厚さ１ｍｍのドープシリコン基板（ゲート電極５を兼ねる）を用い、その上にゲート絶縁層２を形成した。
ゲート絶縁層２は、まず、ゲート絶縁層形成用組成物を基板６上に塗布し、これを乾燥して成膜した後、１００℃に加熱して架橋構造を形成させることで厚さ０．７μｍの膜とした。

次いで、図１（Ａ）に示すようにソース電極３及びドレイン電極４として、くし型に配置された銀からなる電極（厚み１５０ｎｍ、ゲート幅Ｗ＝１００μｍ、ゲート長Ｌ＝１００μｍ）を、マスクを用いて真空蒸着により形成した。

次いで、ゲート絶縁層２、ソース電極３及びドレイン電極４を覆うように、上記有機半導体層形成用組成物を、２５℃でスピンコート（回転数８００ｒｐｍ）により塗布した。その後、ホットプレート上にて６０℃で１２０分加熱し、有機半導体層１を成膜した。
こうして、厚さ３００ｎｍの有機半導体層１を成膜し、比較例１の有機薄膜トランジスタ（ボトムゲート・ボトムコンタクト型）を得た。

[比較例２]
ゲート絶縁層形成用組成物を実施例１３で使用したもの（負膨張材料非含有）に変更した以外は、実施例１と同様の方法により、比較例２の有機薄膜トランジスタを作製した。

なお、実施例１〜２５、比較例１、２の有機半導体層形成用組成物の調製において、有機半導体化合物が溶解しくにい場合には、必要に応じて５０℃程度の加熱をしながら攪拌して、各成分を溶解させた。

＜評価試験＞
得られた各有機薄膜トランジスタについて、クラック発生の有無、キャリア移動度、高温高湿条件下での経時安定性、膜厚均一性を下記方法により評価することでその性能を調べた。

（クラックの発生評価）
作製した有機薄膜トランジスタに１５０℃、１時間の条件で熱を与えた後、目視により有機半導体層のクラックの発生を評価した。クラックが発生した場合は「ＮＧ」、クラックが発生しなかった場合には「ＯＫ」とした。
得られた結果を下記表に示す。

（キャリア移動度評価）
作製した各有機薄膜トランジスタのソース電極３−ドレイン電極４間に−４０Ｖの電圧を印加し、ゲート電圧を＋１０Ｖ〜−６０Ｖの範囲で変化させ、ドレイン電流Ｉ_dを表わす下記式を用いてキャリア移動度μを算出した。
Ｉ_d＝（ｗ／２Ｌ）μＣ_i（Ｖ_g−Ｖ_th）²
式中、Ｌはゲート長、ｗはゲート幅、Ｃ_iはゲート絶縁層２の単位面積当たりの容量、Ｖ_gはゲート電圧、Ｖ_thは閾値電圧を表す。
キャリア移動度μは高いほど好ましく、実用上は０．５以上であることが好ましい。
得られた結果を下記表に示す。

（高温高湿下での経時安定性）
各作製した各有機薄膜トランジスタを７０℃、湿度８０％下で２４時間保管した後、上記「キャリア移動度評価」と同様の方法によりキャリア移動度を測定した。測定結果から、キャリア移動度維持率（下記式）を以下の５段階で評価し、高温高湿下での経時安定性の指標とした。この値が大きいほど高温高湿下での経時安定性が高く、実用上は「Ｂ」以上であることが必要であり、「Ａ」以上であることがより好ましい。
高温高湿下保管後のキャリア移動度維持率（％）＝｛キャリア移動度（高温高湿下保管後）／キャリア移動度（高温高湿下保管前）｝×１００
「Ａ」：９０％以上
「Ｂ」：７５％以上９０％未満
「Ｃ」：５０％以上７５％未満
「Ｄ」：２５％以上５０％未満
「Ｅ」：２５％未満
得られた結果を下記表に示す。

（膜均一性評価）
塗布後の素子をＦＩＢ（Focused Ion Beam System（Ｇａイオンビーム）)により断面を切り出し、ＳＥＭ観察を行う事で膜の厚さ方向の均一性評価を行った。測定結果から、膜厚均一性評価を以下の３段階で評価し、その指標とした。
「Ａ」：各層の膜厚が平均膜厚に対して±５０％以内で製膜できている
「Ｂ」：層間混合なく製膜できている
「Ｃ」：層間の混合が発生している

表１において、ゲート絶縁層欄における「負膨張材料の添加量（質量％）」は、層全固形分に対する負膨張材料の含有量を表す。
また、有機半導体層／中間層欄における「界面活性剤の添加量（質量％）」は、有機半導体組成物全量に対する界面活性剤の含有量を表す。
また、有機半導体層／中間層欄における「有機半導体化合物／バインダー（固形分濃度比）」とは、有機半導体層形成用組成物中に含まれる有機半導体化合物とバインダーの固形分濃度比を表す。
また、有機半導体層／中間層欄における「負膨張材料の添加量（質量％）」は、中間層全固形分に対する負膨張材料の含有量を表す。

表１に示すように、本発明の有機薄膜トランジスタは、加熱プロセスを経ても有機半導体層にクラックが生じないことが確認された。

また、ゲート絶縁層中に負膨張材料を導入した実施例１〜９を対比すると、負膨張材料としてタングステン酸ジルコニウムを用いた場合において、キャリア移動度及びその高温高湿条件下での維持率がより優れていることが確認された。通常、ゲート絶縁層は負膨張材料が含まれると表面自由エネルギーが上昇し、上層に形成される有機半導体層の塗膜性に影響を与えることで有機薄膜トランジスタのキャリア移動度が低くなる傾向にあると想定される。しかし、特にタングステン酸ジルコニウムを用いた場合には、キャリア移動度への影響が見られなかった。さらに、ゲート絶縁層が高温高湿条件下で長期に渡って熱膨張せずに安定に保持されることで、高温高湿条件下での維持率にも優れていた。

また、実施例１〜３と実施例１０〜１２をそれぞれ対比すると、低分子系有機半導体化合物を用いた場合に、キャリア移動度がより優れることが確認された。

また、実施例１〜３、実施例１３〜１５、実施例２２〜２４の対比から明らかなように、有機半導体化合物と中間層の作製の際に、負膨張材料とガラス転移温度が５０℃以上の界面活性剤（好ましくは、ガラス転移温度が５０℃以上のポリマー鎖を含むブロック共重合体）とを併用することで、クラックを生じさせず、また、キャリア移動度及びその高温高湿条件下での維持率を低下させずに、膜厚均一性をより向上させることが確認された。
更に、実施例１６〜１８からも明らかなように、ゲート絶縁層中に負膨張材料を添加した場合においても、有機半導体層中にガラス転移温度が５０℃以上の界面活性剤（好ましくは、ガラス転移温度が５０℃以上のポリマー鎖を含むブロック共重合体）を添加することで、上述の効果が得られることが確認された。
一方、実施例１〜３、実施例１９〜２１の対比から明らかなように、ガラス転移温度が５０℃未満の界面活性剤を用いた場合には、膜厚均一性はより向上したものの、高温高湿条件下での維持率が低下した。
なお、比較例２が示すように、負膨張材料を用いずに、ガラス転移温度が５０℃以上の界面活性剤（好ましくは、ガラス転移温度が５０℃以上のポリマー鎖を含むブロック共重合体）のみを単独で有機半導体層に導入した場合には、負膨張材料及び界面活性剤をいずれも使用しない比較例１と比べて、より多くのクラックが発生し、またキャリア移動度（加熱前）も低くなる。つまり、上述するガラス転移温度が５０℃以上の界面活性剤は、負膨張材料と用いられることで、初めて、クラックを生じさせず、また、キャリア移動度及びその高温高湿条件下での維持率を低下させずに、膜厚均一性をより向上させることができる。

一方、比較例の有機薄膜トランジスタは、有機半導体層の周辺部に負膨張材料を含有しないため、加熱プロセスを経ると有機半導体層にクラックが生じた。

[実施例２６、２７、２８]
有機薄膜トランジスタ材料を用いて有機半導体層と中間層を作製した実施例１３、１４、１５において、有機薄膜トランジスタ材料に代えて、中間層形成用組成物を用いてゲート絶縁層上に負膨張材料を含む中間層を形成し、その上層に有機半導体層形成用組成物を用いて別途有機半導体層を設けた以外は同様の方法により、それぞれ実施例２６、２７、２８の有機薄膜トランジスタを作製した。
具体的には、タングステン酸ジルコニウム（平均粒径２００ｎｍ、アスペクト比１０）１質量％と、バインダーとしてエチレンプロピレンゴム（ＪＳＲ社製、ＥＰ２２）０．５質量％をアニソールに溶解させることで中間層形成用組成物を作製し、これをゲート絶縁層２上へスピンコートにより塗布し、厚さ１００ｎｍの層を形成した。その上に上記実施例１と同様の有機半導体層形成用組成物を用いて有機半導体層（厚さ３００ｎｍ）を形成した。
得られた有機薄膜トランジスタの各種性能（クラック発生の有無、キャリア移動度（加熱前）、高温高湿下での維持率、膜厚均一性）を評価したところ、実施例１３、１４，１５と同等の性能が得られることが確認された。

１ 有機半導体層、 ２，１２ ゲート絶縁層、 ３ ソース電極、 ４ ドレイン電極、 ５ ゲート電極、 ６ 基板、 ７ 中間層

Claims (11)

1. ゲート電極と、有機半導体層と、前記ゲート電極及び前記有機半導体層の間に設けられたゲート絶縁層と、前記有機半導体層に接して設けられ、前記有機半導体層を介して連結されたソース電極及びドレイン電極と、を有する有機薄膜トランジスタであって、
   前記ゲート絶縁層中、及び、前記有機半導体層に隣接して配置された中間層中の少なくともいずれかに負膨張材料を含有する、有機薄膜トランジスタ。
2. 前記負膨張材料の平均粒径が１０〜１０００ｎｍである、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ。
3. 前記負膨張材料のアスペクト比が２〜５０である、請求項１又は２に記載の有機薄膜トランジスタ。
4. 前記負膨張材料がタングステン酸ジルコニウムである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機薄膜トランジスタ。
5. 前記ゲート絶縁層が有機材料により形成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機薄膜トランジスタ。
6. 前記負膨張材料が前記ゲート絶縁層に含有された、請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機薄膜トランジスタ。
7. 前記負膨張材料が前記有機半導体層に隣接して配置された中間層に含有された、請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機薄膜トランジスタ。
8. 前記有機半導体層が、ガラス転移温度が５０℃以上の界面活性剤を含有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機薄膜トランジスタ。
9. 有機半導体化合物、バインダー及び負膨張材料を少なくとも含有する、有機薄膜トランジスタ用材料。
10. 有機半導体化合物を少なくとも含む組成物と、バインダー及び負膨張材料を少なくとも含む組成物と、を備えた、有機薄膜トランジスタ用材料セット。
11. ゲート電極と、有機半導体層と、前記ゲート電極及び前記有機半導体層の間に設けられたゲート絶縁層と、前記有機半導体層に接して設けられ、前記有機半導体層を介して連結されたソース電極及びドレイン電極と、を有する有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
    請求項９に記載の有機薄膜トランジスタ用材料又は請求項１０に記載の有機薄膜トランジスタ用材料セットを用いて、前記有機半導体層と、前記有機半導体層に隣接して形成され、バインダー及び負膨張材料を含有する中間層と、を形成する、有機薄膜トランジスタの製造方法。