JPH01202866A - 分子素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は分子素子基板の材料構成に関する。

〔従来の技術〕

従来、分子素子は、ガラス基板上やシリコン上に、酸化
シリコン膜を形成した基板上等に形成されるのが通例で
あった。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、上記従来技術によると、例えば通常のソーダ・
ガラス上にステアリン酸カドミウムの高分子膜をテング
ミエア・プロジェット法で２０分子層形成したダイオー
ドを作成すると、ステアリン酸カドミニウム膜にクラッ
クが発生し、素子が破壊に至ると云う問題点があった。

本発明は、かかる従来技術の問題点をなくし、クラック
のない分子素子を作るための基板材料構成を提供する事
を目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記問題点を解決するために１本発明は、分子素子に関
し、ポリイミドあるいはエポキシ上に高分子から成る電
子素子を形成する手段をとる。

〔実施例〕

以下、実施例により本発明を詳述する。

第１図は本発明の一実施例を示す分子素子の断面図であ
る。すなわち、ガラス基板１の表面にはポリイミド膜あ
るいはエポキシ樹脂膜からなる高分子膜基板２を塗布し
、該高分子膜基板２上に、ポリアニリン３．ゲート絶縁
膜４．ゲー）［極５から成る電界効果型トランジスタを
形成したものである。尚、該電界効果型トランジスタの
素子分離あるいは表面保護膜にポリイミド膜を用いても
良いことは云うまでもない。又、本発明はトラン。

ジスタに限らずダイオードや抵抗体あるいは容量体等の
他の高分子による電子素子であってもよい事は云うまで
もなく、高分子膜基板２はポリイミド膜単体あるいはエ
ポキシ樹脂単体であってガラス基板１は無くても良く、
更にガラス基板１は、金属板等であっても良い。

〔発明の効果〕

本発明により、ポリイミド膜やエポキシ樹脂はガラス基
板１と高分子素子との熱膨張率差を緩和する働きをし、
高分子素子がクラックして破壊するのを防止することが
できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す分子素子の断面図であ
る。 １・・・・・・・・・ガラス基板 ２・・・・・・・・・高分子膜基板 ３・・・・・・・・・ポリアニリン ４・・・・・・・・・ゲート絶縁膜 ５・・・・・・・・・ゲー　ト電極 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士最上筋（他１名）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　ポリイミドあるいはエポキシ上には高分子から成る電
   子素子が形成されて成る事を特徴とする分子素子。