JP2017050415A - 電子デバイスシート - Google Patents
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Abstract
Description
仮想円の中心から凸部までの最大距離をL、仮想円の半径をrとすると、比L/rは、1.02以上1.4以下であることが好ましい。比L/rが1.02以上であると、絶縁体パッチ材6に蓄積されたストレスに起因する電荷が外周部に均等に蓄積され難いため、絶縁体パッチ材6に大きな電荷が蓄積され難い。そのため、最終的には大きなエネルギーが一度に放出されることによる絶縁破壊を生じ難い。また、比L/rが1.4以下であると、凸部が尖りすぎないため、蓄積されたストレスに起因する電荷が凸部の先端部に集中しにくい。そのため、局所的なエネルギーの開放を誘発することによる絶縁破壊が生じ難い。
仮想円の中心から凹部までの最小距離をSとすると、上記仮想円の半径に対するSの比S/rは、0.6以上0.98以下であることが好ましい。ここで、Sは、一つの凹部について、仮想円に対して内側に存在する領域における境界線と仮想円の中心との距離のうち最小のものを言う。比S/rが0.6以上であると、凹部が尖りすぎないため、蓄積されたストレスに起因する電荷が凸部の先端部に集中しにくい。そのため、局所的なエネルギーの開放を誘発することによる絶縁破壊が生じ難い。比S/rが0.98以下であると、絶縁体パッチ材6に蓄積されたストレスに起因する電荷が外周部に均等に蓄積され難いため、絶縁体パッチ材6に大きな電荷が蓄積され難い。そのため、最終的には大きなエネルギーが一度に放出されることによる絶縁破壊が生じ難い。
吐出装置では、噴射部11から無機セラミック粒子を含有した高粘度分散液を、ステージ12上に置かれた積層体15の誘電体層3における中核部または所定の中心、およびその周辺部に微量を噴射吐出させて付着させる。このため噴射部11は、高粘度分散液を誘電体層3に微小な液滴として噴霧するノズルを有する。このノズルは、単純な円断面または矩形断面のノズルであってもよく、後述するように凹部と凸部とを主円と副円とを形成できるように同軸型としたノズルであってもよい。また、このようなノズルを複数束ねた構造であってもよい。例えば、いわゆるインクジェットプリンターに用いられるように、複数のノズルを直線状または平面状に束ねた構造を用いることができる。
凸部と凹部の具体的な作製方法としては、メタルマスクまたはレジストマスクを用いて誘電体層3の中核部または所定の中心を開放し、かつ不要部分を覆い、そこに高粘度分散液を吐出して形成することができる。また、このようなマスクを用いずにノズルの吐出のみで凹部と凸部とを形成することもできる。このような方法には、上述の同軸型のマスクを用い、中心軸側の液流(吐出速度若しくは圧力または液濃度)と外周側の液流とに差が生じるように、吐出する方法が例示できる。例えば、中心付近に主円となる部分の吐出を行いつつ、主円の円周付近に主円の直径に対して0.1から0.3の直径を持つ複数の副円の吐出を行う。吐出後の溶媒除去により、主円と副円が一体化した絶縁体パッチ材が形成され、主円の円周が凹部に相当し、副円の主円に対して外側部分が凸部に相当することになる。
100mm×100mmの大きさのNi金属箔上に誘電体層(BaTiO3系誘電体)をスパッタリング法により800nmの厚みで成膜した。その後、誘電体層が成膜されたNi金属箔をアニールし、Ni金属箔上の誘電体層を結晶化させて積層体を得た。絶縁体パッチ材を形成する前処理として、超音波洗浄により、上記積層体の誘電体層から異物などを除去した。次いで、誘電体層上に中核部を作製するために、平均粒径0.25μmのアルミナ粒子をイソプロピルアルコール(IPA)中に分散した分散液を用意した。当該分散液をインクジェット法により誘電体層上に吐出した。その後、IPAを蒸発させ、誘電体表面に、アルミナ粒子の突出部(中核部としては、アルミナ粒子との衝突により形成された誘電体層の凹部)を有する積層体を得た。
絶縁体パッチ材間の最近接距離を500μmにした以外は実施例1と同様の製造方法により電子デバイスシート素子を作製した。得られた電子デバイスシート素子について、実施例1と同様の評価条件で、容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、94%(94/100pcs)の良品が得られた。
絶縁体パッチ材間の最近接距離を800μmとした以外は実施例1と同様の製造方法により電子デバイスシート素子を作製した。得られた電子デバイスシート素子について、実施例1と同様の評価条件で、容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、95%(95/100pcs)の良品が得られた。
絶縁体パッチ材間の最近接距離を1mmとした以外は実施例1と同様の製造方法により電子デバイスシート素子を作製した。得られた電子デバイスシート素子について、実施例1と同様の評価条件で、容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、92%(92/100pcs)の良品が得られた。
絶縁体パッチ材間の最近接距離を4mmとした以外は実施例1と同様の製造方法により電子デバイスシート素子を作製した。得られた電子デバイスシート素子について、実施例1と同様の評価条件で、容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、98%(98/100pcs)の良品が得られた。
絶縁体パッチ材の材料をエポキシ樹脂とし、絶縁体パッチ材に最も近接した他の絶縁体パッチ材との離間距離が6mm、凸部の数が10個、凹部の数が10個となるよう、フォトレジストによってマスク形成を行った以外は実施例1と同様の製造方法により電子デバイスシート素子を作製した。得られた電子デバイスシート素子について、実施例1と同様の評価条件で、容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。なお、絶縁体パッチ材となるエポキシ樹脂はマスク形成後にインクジェット法によって塗布し、マスクのリフトオフによって絶縁体パッチ材の形状を得た。その結果、600時間後において、87%(87/100pcs)の良品が得られた。
絶縁体パッチ材の凸部の数を30個、凹部の数を30個とした以外は実施例6と同様の製造方法により電子デバイスシート素子を作製した。得られた電子デバイスシート素子について、実施例1と同様の評価条件で、容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、82%(82/100pcs)の良品が得られた。
絶縁体パッチ材の凸部の数を70個、凹部の数を70個とした以外は実施例6と同様の製造方法により電子デバイスシート素子を作製した。得られた電子デバイスシート素子について、実施例1と同様の評価条件で、容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、85%(85/100pcs)の良品が得られた。
絶縁体パッチ材の凸部の数を100個、凹部の数を100個とした以外は実施例6と同様の製造方法により電子デバイスシート素子を作製した。得られた電子デバイスシート素子について、実施例1と同様の評価条件で、容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、85%(85/100pcs)の良品が得られた。
絶縁体パッチ材の凸部の数を120個、凹部の数を120個とした以外は実施例6と同様の製造方法により電子デバイスシート素子を作製した。得られた電子デバイスシート素子について、実施例1と同様の評価条件で、容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、77%(77/100pcs)の良品が得られた。
絶縁体パッチ材の凸部の数を120個、凹部の数を120個とした以外は実施例6と同様の製造方法により電子デバイスシート素子を作製した。得られた電子デバイスシート素子について、実施例1と同様の評価条件で、容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、76%(76/100pcs)の良品が得られた。
絶縁体パッチ材のL/rを1.05およびS/rを0.95とし、中核部を形成しなかったこと以外は実施例6と同様の製造方法により電子デバイスシート素子を作製した。得られた電子デバイスシート素子について、実施例1と同様の評価条件で、容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、72%(72/100pcs)の良品が得られた。
絶縁体パッチ材のL/rを1.37およびS/rを0.62としたこと以外は実施例12と同様の製造方法により電子デバイスシート素子を作製した。得られた電子デバイスシート素子について、実施例1と同様の評価条件で、容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、71%(71/100pcs)の良品が得られた。
絶縁体パッチ材のL/rを1.5およびS/rを0.65としたこと以外は実施例12と同様の製造方法により電子デバイスシート素子を作製した。得られた電子デバイスシート素子について、実施例1と同様の評価条件で、容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、65%(65/100pcs)の良品が得られた。
絶縁体パッチ材のL/rを1.01およびS/rを0.97としたこと以外は実施例12と同様の製造方法により電子デバイスシート素子を作製した。得られた電子デバイスシート素子について、実施例1と同様の評価条件で、容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、67%(67/100pcs)の良品が得られた。
絶縁体パッチ材のL/rを1.3およびS/rを0.55としたこと以外は実施例12と同様の製造方法により電子デバイスシート素子を作製した。得られた電子デバイスシート素子について、実施例1と同様の評価条件で、容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、63%(63/100pcs)の良品が得られた。
絶縁体パッチ材の凸部の数を3個、凹部の数を3個とし、L/rを1.03およびS/rを0.99としたこと以外は実施例12と同様の製造方法により電子デバイスシート素子を作製した。得られた電子デバイスシート素子について、実施例1と同様の評価条件で、容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、600時間後において、62%(62/100pcs)の良品が得られた。
誘電体層に中核部を形成せず、絶縁体パッチ材に凸部または凹部を形成しなかった(すなわち境界線が円形である)以外は実施例12と同様の製造方法により電子デバイスシート素子を作製した。得られた電子デバイスシート素子について、実施例12と同様の評価条件で、容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、わずか3%(3/100pcs)しか良品が得られなかった。これは、絶縁体パッチ材の境界線に凸部または凹部が存在しないため、絶縁破壊が頻発したと考えられる。
絶縁体パッチ材形成しなかったことおよび中核部を形成しなかったこと以外は実施例1と同様の製造方法により電子デバイスシート素子を作製した。得られた電子デバイスシート素子について、実施例12と同様の評価条件で、容量値および絶縁抵抗値の測定並びに経時変化の評価を行った。その結果、わずか1%(1/100pcs)しか良品が得られなかった。これは、絶縁体パッチ材が存在しないため、絶縁破壊が頻発したと考えられる。
Claims (5)
- 一対の電極と、前記一対の電極の間に設けられた誘電体層と、前記誘電体層の一方の主面に設けられた絶縁体パッチ材とを備え、
前記絶縁体パッチ材が波型形状の境界線を有すること特徴とする電子デバイスシート。 - 前記境界線の凸部は、前記絶縁体パッチ材の重心を中心として前記絶縁体パッチ材と面積が等しい仮想円に対して外側に存在する領域を有し、
前記境界線の凹部は、前記仮想円の内側に存在する領域を有し、
前記仮想円の半径rと、前記仮想円の中心から前記凸部までの最大距離Lとの比L/rは1.02以上1.4以下であり、
前記仮想円の半径rと、前記仮想円の中心から前記凹部までの最小距離Sとの比S/rは0.6以上0.98以下であることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイスシート。 - 前記誘電体層が中核部を有し、前記中核部が前記絶縁体パッチ材に覆われていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電子デバイスシート。
- 前記絶縁体パッチ材が、凸部および凹部を、それぞれ2個以上120個以下有することを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の電子デバイスシート。
- 前記主面上に2個以上の前記絶縁体パッチ材を有し、前記絶縁体パッチ材間の最近接距離は、100μm以上5mm以下であることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の電子デバイスシート。
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