JP2017050409A - 薄膜キャパシタ - Google Patents
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Abstract
Description
上部電極層(第2電極層)13は少なくとも1つの導電層を含む。例えば、図1では、上部電極層(第2電極層)13は1つの導電層を有する、また、図2では、上部電極層13は、第1導電層13A、第2導電層13B、第3導電層13Cを有する。
下部電極層11の材料は、例えば、金属、金属酸化物、導電性有機材料等の導電性材料から選択される。下部電極層11としては、金属を含む導電性の箔、金属を含む焼結体、及び、任意の基板上に形成された導電性薄膜等が挙げられる。すなわち、下部電極層11は、導電性を有する限り、金属系材料である必要はないが、金属系材料であることが好ましい。
誘電体層12の材料は、誘電材料であればよいが、誘電率の大きいペロブスカイト型の酸化物誘電体であることが好ましく、環境保全の観点から、鉛を含まないチタン酸バリウム系の誘電体であることが好ましい。チタン酸バリウム系の誘電体は、Baサイトの一部をCa、Sr等のアルカリ土類金属原子で置換したものであってもよく、Tiサイトの一部をZr、Sn、Hf等の原子で置換したものであってもよい。さらに、これらの誘電体に希土類原子、Mn、V、Nb、Ta等の原子が添加されていてもよい。
本実施形態に係る薄膜キャパシタによれば、電圧印加時の変位量を低減させ得る薄膜キャパシタが提供される。
このような薄膜キャパシタは以下のようにして製造できる。まず、金属箔等の下部電極層11を用意する。次に、下部電極層11上に公知の方法で誘電体層12を形成する。その後、誘電体層12上に上部電極層13を形成する。
(実施例1)
大きさ110mm×110mm及び厚さ30μmを有するNi金属箔上に誘電体層(BaTiO3系誘電体)をスパッタリング法により800nmの厚さで形成した。その後、アニールし、Ni金属箔上の誘電体層を結晶化させた。スパッタリングターゲットにそれぞれTiを25ppm添加したNiと、Feを20ppm添加したCuを用い、誘電体層上に、厚さ0.5μmのNi層及び厚さ5μmの第1Cu層をこの順でスパッタリング法により形成した。次に、第1Cu層上に電解めっきにより、厚さ13μmの第2Cu層を形成した。第2Cu層にはCrが添加されており、電解めっき液には第2Cu層中のCr含有量が10ppmになるようにCr量を調整したものを用いた。以上のようにして、誘電体層上にNi層、第1Cu層及び第2Cu層からなる上部電極層を形成した。上部電極層形成後、上部電極層のパターニングを行い、その後レーザー加工機で裁断し20×20mmの大きさを有する実施例1の100個の薄膜キャパシタを得た。上部電極層中の主成分金属、添加原子及び添加原子の含有量をまとめて表1に示す。
上部電極層の製造において、Ni層の添加原子の種類及び含有量、第1Cu層の添加原子の種類及び含有量、及び第2Cu層の添加原子の種類及び含流量を、表1〜3に記載のとおりに変更したこと以外は、実施例1と同様にして、実施例2〜19及び比較例1〜7の薄膜キャパシタを得た。
スパッタリングターゲットにMgを100ppm添加したAlを用い、誘電体層上に厚さ18.5μmのAl層をスパッタリング法により形成した。上記Al層を上部電極層とした。上部電極層形成後、上部電極層のパターニングを行い、実施例20の薄膜キャパシタを得た。上部電極層中の主成分金属、添加原子及び添加原子の含有量をまとめて表2に示す。
上部電極層の製造において、Al層の添加原子の種類及び含有量を表3に記載のとおりに変更したこと以外は、実施例20と同様にして、比較例8〜10の薄膜キャパシタを得た。
(容量値)
実施例及び比較例で得られた薄膜キャパシタ100個の容量値(F)を、LCRメーター(商品名:4284A、アジレント・テクノロジー株式会社製)を使用して、1kHz、1Vrms、室温(25℃)の条件で測定した。測定した容量値の平均値を表1〜3に示す。
実施例及び比較例で得られた薄膜キャパシタ100個の絶縁抵抗値(Ω)を、高抵抗計(商品名:4339B、アジレント・テクノロジー株式会社製)を使用して、DC4V、室温(25℃)の条件で測定した。100個のうち、測定した絶縁抵抗値が5×108Ωより高かった個数の割合を計算し、上記割合を絶縁抵抗歩留りとして評価した。絶縁抵抗歩留りの評価結果を表1〜3に示す。
実施例及び比較例で得られた薄膜キャパシタ100個の深さ方向の変位量(nm)を測定した。変位量の測定には、レーザー干渉変位計(商品名:LV−2100A、株式会社小野測器製)を使用した。また、室温(25℃)、AC1kHz、VO−P5Vの条件で、薄膜キャパシタのうちの主面の一辺の中点から、薄膜キャパシタの主面の中央部側(内側)へ0.1mmの距離にある点における変位量(振動における平均振幅)を測定した。測定した変位量の平均値を表1〜3に示す。
Claims (4)
- 第1電極層と、前記第1電極層上に設けられた誘電体層と、前記誘電体層上に設けられた第2電極層とを備え、
前記第2電極層は、Ni、Cu及びAlからなる群より選択されるいずれか1つの金属を主成分とする導電層を少なくとも1つ含み、
前記導電層は、さらに周期表の第2周期〜第4周期に属する原子(Ne、Ar及びKrを除く)から選択される少なくとも1種の添加原子を含有し、
各前記添加原子の含有量は1〜1000質量ppmである、薄膜キャパシタ。 - 前記導電層がNiを主成分として含有し、前記添加原子がTi、V、Cr、Mn、Fe、Co、Cu、Al、C、Si、F、N、及びClからなる群より選択される少なくとも1種の添加原子である、請求項1に記載の薄膜キャパシタ。
- 前記導電層がCuを主成分として含有し、前記添加原子がCr、Mn、Fe、Co、Ni、Al、C、Si、N、P、O、S、F、及びClからなる群より選択される少なくとも1種の添加原子である、請求項1に記載の薄膜キャパシタ。
- 前記第2電極層は、前記導電層を2つ以上含む、請求項1又は2に記載の薄膜キャパシタ。
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