JP2017044892A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017044892A5 JP2017044892A5 JP2015167664A JP2015167664A JP2017044892A5 JP 2017044892 A5 JP2017044892 A5 JP 2017044892A5 JP 2015167664 A JP2015167664 A JP 2015167664A JP 2015167664 A JP2015167664 A JP 2015167664A JP 2017044892 A5 JP2017044892 A5 JP 2017044892A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- mask
- hard mask
- mask blank
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 9
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 claims 7
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 claims 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 5
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 claims 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims 4
- 238000006011 modification reaction Methods 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 3
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N Bis(trimethylsilyl)amine Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
Claims (13)
- 基板上に、パターニング材料膜と、ケイ素を含有するハードマスク膜とをこの順に成膜する成膜工程と、
有機ケイ素化合物を用いた処理により、前記ハードマスク膜の表面のシラノール基を化学修飾基で修飾する改質処理工程と、
前記改質処理された前記ハードマスク膜上にレジスト膜を形成する工程とを有し、
前記改質処理は、室温２３℃における前記ハードマスク膜の表面の水接触角が４０°以上５５°以下の範囲となるように行う
マスクブランクの製造方法。 - 基板上に、パターニング材料膜と、ケイ素を含有するハードマスク膜とをこの順に成膜する成膜工程と、
有機ケイ素化合物を用いた処理により、前記ハードマスク膜の表面のシラノール基を化学修飾基で修飾する改質処理工程と、
前記改質処理された前記ハードマスク膜上にレジスト膜を形成する工程とを有し、
前記改質処理は、前記シラノール基の前記化学修飾基による被覆率が、飽和被覆率を１００％とした場合に４５％以上、８５％以下の範囲となるように処理を行う
マスクブランクの製造方法。 - 前記成膜工程では、前記パターニング材料膜として、クロムを含有する材料膜を成膜する
ことを特徴とする請求項１または２記載のマスクブランクの製造方法。 - 前記有機ケイ素化合物は、アミンを有している
ことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。 - 前記有機ケイ素化合物は、ヘキサメチルジシラザンである
ことを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。 - 前記ハードマスク膜の膜厚は、１．５ｎｍ以上１５ｎｍ未満である
ことを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。 - 前記ハードマスク膜は、酸素および窒素のうちの少なくとも一方とケイ素とからなる
ことを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載のマスクブランクの製造方法。 - 請求項１〜７の何れかに記載のマスクブランクの製造方法によって製造されたマスクブランクを用いる転写用マスクの製造方法であって、
リソグラフィー法により前記レジスト膜にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとし、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記ハードマスク膜をパターニングする工程と、
前記パターニングされたハードマスク膜をマスクとして前記パターニング材料膜をエッチングすることにより、当該パターニング材料膜をパターニングする工程とを有する
転写用マスクの製造方法。 - 前記成膜工程では、前記パターニング材料膜として、クロムを含有する材料膜を成膜し、
前記パターニング材料膜をパターニングする工程では、前記ハードマスク膜をマスクとし、塩素系ガスを用いたドライエッチングより、前記クロムを含有する材料膜をパターニングする
ことを特徴とする請求項８記載の転写用マスクの製造方法。 - 基板上に、パターニング材料膜と、ケイ素を含有するハードマスク膜とがこの順で成膜されたマスクブランクであって、
前記ハードマスク膜は、有機ケイ素化合物を用いた処理によって、表面のシラノール基が化学修飾基で修飾されており、修飾された表面の室温２３℃における水接触角が４０°以上５５°以下である
ことを特徴とするマスクブランク。 - 基板上に、パターニング材料膜と、ケイ素を含有するハードマスク膜とがこの順で成膜されたマスクブランクであって、
前記ハードマスク膜は、有機ケイ素化合物を用いた処理によって、表面のシラノール基が化学修飾基で修飾されており、修飾された表面の前記化学修飾基による被覆率が飽和被覆率を１００％とした場合に４５％以上８５％以下である
ことを特徴とするマスクブランク。 - 前記有機ケイ素化合物は、アミノ基を有している
ことを特徴とする請求項１０または１１記載のマスクブランク。 - 前記有機ケイ素化合物は、ヘキサメチルジシラザンである
ことを特徴とする請求項１０〜１２の何れかに記載のマスクブランク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015167664A JP6523873B2 (ja) | 2015-08-27 | 2015-08-27 | マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、およびマスクブランク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015167664A JP6523873B2 (ja) | 2015-08-27 | 2015-08-27 | マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、およびマスクブランク |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019085890A Division JP6738935B2 (ja) | 2019-04-26 | 2019-04-26 | マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、およびマスクブランク |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017044892A JP2017044892A (ja) | 2017-03-02 |
| JP2017044892A5 true JP2017044892A5 (ja) | 2018-05-31 |
| JP6523873B2 JP6523873B2 (ja) | 2019-06-05 |
Family
ID=58211290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015167664A Active JP6523873B2 (ja) | 2015-08-27 | 2015-08-27 | マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、およびマスクブランク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6523873B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6744100B2 (ja) * | 2016-01-15 | 2020-08-19 | Hoya株式会社 | 転写用マスクの製造方法 |
| JP6979337B2 (ja) * | 2017-11-17 | 2021-12-15 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
| WO2021002167A1 (ja) | 2019-07-01 | 2021-01-07 | 株式会社フルヤ金属 | ルテニウム系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001291655A (ja) * | 2000-04-07 | 2001-10-19 | Tokyo Electron Ltd | 疎水化処理の評価方法、レジストパターンの形成方法及びレジストパターン形成システム |
| JP5704754B2 (ja) * | 2010-01-16 | 2015-04-22 | Hoya株式会社 | マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 |
| JP5518772B2 (ja) * | 2011-03-15 | 2014-06-11 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
| KR20150014009A (ko) * | 2013-07-25 | 2015-02-06 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 미세 패턴 형성 방법 |
| JP6258151B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2018-01-10 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクおよびその製造方法 |
-
2015
- 2015-08-27 JP JP2015167664A patent/JP6523873B2/ja active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2018503259A5 (ja) | ||
| JP2017034246A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2017223890A5 (ja) | ||
| JP2016066793A5 (ja) | ||
| JP2011164598A5 (ja) | ||
| JP2015200883A5 (ja) | ||
| JP2013257593A5 (ja) | 転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2010056579A5 (ja) | ||
| WO2009105347A3 (en) | Process sequence for formation of patterned hard mask film (rfp) without need for photoresist or dry etch | |
| JP2009060084A5 (ja) | ||
| JP2008244460A5 (ja) | ||
| JP2009265620A5 (ja) | ||
| JP2013153160A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2017045869A5 (ja) | ||
| JP2012033896A5 (ja) | ||
| JP2015517021A5 (ja) | ||
| JP2015222448A5 (ja) | ||
| JP2016066792A5 (ja) | ||
| JP2017044892A5 (ja) | ||
| SG10201908125SA (en) | Photomask blank, method for manufacturing photomask, and mask pattern formation method | |
| JP2007522673A5 (ja) | ||
| JP2015220277A5 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JP2016181630A5 (ja) | ||
| JP2018037656A5 (ja) | ||
| JP2012004349A5 (ja) |