JP2017041554A - インプリント装置およびインプリント方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】容易にパターンの位置ずれを抑制することができるインプリント装置を提供すること。
【解決手段】実施形態のインプリント装置は、吸着部と、補正情報算出装置と、制御部と、を備えている。前記吸着部は、第1および第2のテンプレートの裏面を吸着して固定する。前記補正情報算出装置は、平坦度関係式と、前記第2のテンプレートの平坦度と、に基づいて、第1の応答係数の中から前記第2のテンプレートの第2の応答係数を算出する。前記第1の応答係数は、第1の調整入力値に対する前記第1のテンプレートの実際の位置ずれ量である。前記平坦度関係式は、前記第1のテンプレートの平坦度と、前記第1の応答係数と、の関係を示している。前記制御部は、前記第2の応答係数を用いて、前記第2のテンプレートの形状および大きさを調整する第1の調整入力値を補正する。
【選択図】図4

Description

本発明の実施形態は、インプリント装置およびインプリント方法に関する。
半導体プロセスのリソグラフィ法の1つであるインプリントリソグラフィは、等倍のテンプレートを用いて被転写基板にパターン転写を行う技術である。インプリントリソグラフィでは、レイヤ間の位置ずれなどを防止するために、テンプレートを被転写基板上のレジストに押し当てる際に、テンプレートの側面に応力をかけている。これにより、テンプレートパターンのサイズを倍率調整したうえでレジストにパターンを転写している。
ところが、テンプレートの側面に応力をかけるための倍率入力値(倍率調整値)と、実際に形成されるショットパターンの倍率との間には、ずれが生じる。このため、従来は、倍率入力値と実際のショットパターンの倍率との関係式から、倍率応答係数を算出している。そして、倍率応答係数に基づいて倍率入力値を補正したうえで、テンプレートの側面に応力をかけている。
しかしながら、この倍率応答係数は、テンプレート毎に異なるので、テンプレート毎に倍率応答係数を算出していた。このため、インプリントを行う際の条件出しに長時間を要していた。
特許第5395769号公報 特許第5687640号公報 特許第5398502号公報
本発明が解決しようとする課題は、容易にパターンの位置ずれを抑制することができるインプリント装置およびインプリント方法を提供することである。
実施形態によれば、インプリント装置が提供される。前記インプリント装置は、調整部と、吸着部と、接触処理部と、補正情報算出装置と、制御部と、を備えている。前記調整部は、第1のテンプレートを用いて第1のインプリント処理を実行する際には、第1の調整入力値に応じた量だけ前記第1のテンプレートの形状および大きさを調整する。また、前記調整部は、第2のテンプレートを用いて第2のインプリント処理を実行する際には、第2の調整入力値に応じた量だけ前記第2のテンプレートの形状および大きさを調整する。前記吸着部は、前記第1のインプリント処理を実行する際には、前記第1のテンプレートの裏面を吸着して固定する。また、前記吸着部は、前記第2のインプリント処理を実行する際には、前記第2のテンプレートの裏面を吸着して固定する。前記接触処理部は、前記第2のテンプレートのおもて面側に形成されたテンプレートパターンと、レジストの配置された基板と接触させて、前記レジストを前記テンプレートパターンに充填させる。前記補正情報算出装置は、平坦度関係式と、前記吸着部によって吸着された状態での前記第2のテンプレートの平坦度と、に基づいて、第1の応答係数の中から前記第2のテンプレートに対応する第2の応答係数を補正情報として算出する。前記第1の応答係数は、前記第1の調整入力値に対する前記第1のテンプレートの実際の位置ずれ量である。前記平坦度関係式は、前記吸着部によって吸着された状態での前記第1のテンプレートの平坦度と、前記第1の応答係数と、の関係を示している。前記制御部は、前記補正情報を用いて前記第2の調整入力値を補正する。また、前記制御部は、補正後の第2の調整入力値で前記調整部に前記第2のテンプレートの形状および大きさを調整させる。
図1は、実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。 図2は、インプリント工程の処理手順を説明するための図である。 図3は、実施形態に係る押当部の構成を示す上面図である。 図4は、実施形態に係る倍率補正値算出装置の構成を示す図である。 図5は、倍率応答係数の、実施形態に係る算出処理手順を示すフローチャートである。 図6は、倍率応答係数を用いた、実施形態に係る倍率補正値算出処理手順を示すフローチャートである。 図7は、テンプレートへの押力とテンプレートのショット倍率との関係を説明するための図である。 図8は、倍率応答係数を説明するための図である。 図9は、位置ずれ成分の例を示す図である。 図10は、ゼルニケ項を説明するための図である。 図11は、実施形態に係るおもて面平坦度の算出例を示す図である。 図12は、実施形態に係る倍率応答係数の算出例を示す図である。 図13は、実施形態に係るおもて面関係式の作成例を示す図である。 図14は、実施形態に係る補正情報算出装置のハードウェア構成を示す図である。
以下に添付図面を参照して、実施形態に係るインプリント装置およびインプリント方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
(実施形態)
図1は、実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。図1では、インプリント装置101をY軸方向から見た場合の構成を示している。なお、本実施形態では、ウエハWxの載置される面がXY平面であり、ウエハWxの上面はZ軸と垂直に交わっている。
インプリント装置101は、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)などのインプリント処理を行う装置である。インプリント装置101は、ウエハWxなどの被転写基板(半導体基板)に、モールド基板であるテンプレートTxのテンプレートパターンを転写する。テンプレートは、主面が矩形状の板状部材を用いて形成された原版の型であり、テンプレートパターンは、回路パターンなどの凹凸パターンである。テンプレートパターンは、テンプレートTxのおもて面上の台座部(mesa)に形成されている。
インプリント装置101は、ウエハWx上にステップ&リピート方式でウエハWxの全面にレジストパターンを形成する。インプリント装置101は、テンプレート毎にテンプレートパターンのサイズを倍率調整する。
本実施形態のインプリント装置101は、学習用テンプレートL(図示せず)を用いて、テンプレートおもて面に影響を与える平坦度と、倍率応答係数との関係式(以下、おもて面関係式という)を、予め算出しておく。
倍率応答係数は、テンプレートの側面に応力をかけるための倍率入力値(倍率調整値)と、実際に形成されるショットパターンの倍率との間の関係を示すものである。換言すると、倍率応答係数は、倍率入力値に対して、実際にはどのようなショット倍率でウエハWx上にパターンが形成されるかを示す補正情報である。
インプリント装置101は、インプリントを実行する際に、テンプレートTxの平坦度と、おもて面関係式と、に基づいて、テンプレートTxの平坦度に対応する倍率応答係数を算出する。さらに、インプリント装置101は、倍率応答係数を用いて、倍率補正値を算出する。倍率補正値は、テンプレートTxのショット(テンプレートパターン領域)のサイズや形状を補正する際に用いられる補正値である。
テンプレートの側面に応力をかけるための倍率入力値(倍率調整値)と、実際に形成されるショットパターンの倍率との間には、ずれが生じる。このずれを補正する際に用いられるのが、倍率補正値である。したがって、倍率入力値と実際に形成されるショットパターンの倍率が同じである場合には、倍率補正値は0となる。
学習用テンプレートLは、おもて面関係式の算出時に用いられる。本実施形態では、複数の学習用テンプレートLが準備される。各学習用テンプレートLは、学習用テンプレートL毎に種々の裏面平坦度を有している。インプリント装置101は、複数の学習用テンプレートLを用いることによって、テンプレートパターン面の平坦度毎におもて面関係式を作成する。インプリント装置101は、例えば、第1の学習用テンプレートLを用いることによって、第1の平坦度に対応するおもて面関係式を作成し、第M(Mは自然数)の学習用テンプレートLを用いることによって、第Mの平坦度に対応するおもて面関係式を作成する。
インプリント装置101が、インプリント時に用いるテンプレートTxは、種々のテンプレートT1〜TN(Nは自然数)である。インプリント装置101は、テンプレートTxに対応するおもて面関係式を用いて倍率補正値を算出する。
インプリント装置101は、原版ステージ2X、試料ステージ5、基準マーク6、アライメントセンサ7、基板チャック8、ステージベース9、光源10、押当部31を備えている。また、本実施形態のインプリント装置101は、補正情報算出装置20、制御装置30、平坦度計測装置35を備えている。
試料ステージ5は、ウエハWxを載置するとともに、載置したウエハWxと平行な平面内(水平面内)を移動する。試料ステージ5は、転写材としてのレジスト40Xが略全面(エッジ以外の全面)に塗布されたウエハWxを搬入して、テンプレートTxの下方側に移動させる。また、試料ステージ5は、ウエハWxへの押印処理を行う際には、ウエハWx上の各ショット位置を順番にテンプレートTxの下方側に移動させる。
試料ステージ5上には、基板チャック8が設けられている。基板チャック8は、ウエハWxを試料ステージ5上の所定位置に固定する。また、試料ステージ5上には、基準マーク6が設けられている。基準マーク6は、試料ステージ5の位置を検出するためのマークであり、ウエハWxを試料ステージ5上にロードする際の位置合わせに用いられる。
ステージベース9の底面側(ウエハWx側)には、原版ステージ2Xが設けられている。原版ステージ2Xは、テンプレートTxの裏面側(テンプレートパターンの形成されていない側の面)からテンプレートTxを真空吸着などによって所定位置に固定する。
また、原版ステージ2Xの底面側には、押当部31が設けられている。押当部31は、アクチュエータなどを用いて構成されており、テンプレートTxの側面に応力をかける。押当部31は、マニュピレータの機能を有している。押当部31は、テンプレートTxの四方の側面側からテンプレートTxを押すことによって、テンプレートTxの形状や大きさを調整する。これにより、テンプレートTxの台座面(mesa)が変形する。この結果、テンプレートTxに形成されているテンプレートパターンの位置ずれなどが補正される。
ステージベース9は、原版ステージ2XによってテンプレートTxを支持するとともに、テンプレートTxのテンプレートパターンをウエハWx上のレジスト40Xに押し当てる。ステージベース9は、上下方向(鉛直方向)に移動することにより、テンプレートTxのレジスト40Xへの押し当てと、テンプレートTxのレジスト40Xからの引き離し(離型)と、を行う。
インプリントに用いるレジスト40Xは、例えば、光硬化性などの特性を有した樹脂(光硬化剤)である。また、ステージベース9上には、アライメントセンサ7が設けられている。アライメントセンサ7は、ウエハWxの位置検出やテンプレートTxの位置検出を行うセンサである。
光源10は、UV光などの光を照射する光源であり、ステージベース9の上方に設けられている。光源10は、テンプレートTxがレジスト40Xに押し当てられた状態で、透明なテンプレートTx上からUV光を照射する。
制御装置30は、インプリント装置101の各構成要素に接続され、各構成要素を制御する。図1では、制御装置30が、押当部31に接続されているところを図示しており、他の構成要素との接続は図示省略している。制御装置30は、倍率入力値(倍率調整値)を押当部31に送ることによって、押当部31を制御する。押当部31は、倍率入力値に応じた大きさの力でテンプレートTxの側面を押す。
制御装置30は、原版ステージ2Xが学習用テンプレートLを吸着する際には、倍率入力値を補正することなく、倍率入力値を押当部31に送る。また、制御装置30は、補正なしの倍率入力値を平坦度計測装置35にも送る。
制御装置30は、原版ステージ2XがテンプレートTxを吸着する際には、補正情報算出装置20から送られてくる倍率応答係数を用いて、倍率補正値を算出する。制御装置30は、倍率補正値を用いて倍率入力値を補正する。制御装置30は、原版ステージ2XがテンプレートTxを吸着する際には、補正した倍率入力値を押当部31に送る。
平坦度計測装置35は、テンプレートTxや学習用テンプレートLの裏面平坦度を計測する。平坦度計測装置35は、原版ステージ2Xが、テンプレートTxや学習用テンプレートLを吸着した状態で裏面平坦度を計測する。平坦度計測装置35は、計測した裏面平坦度を補正情報算出装置20に送る。
補正情報算出装置20は、学習用テンプレートLの裏面平坦度を用いて、テンプレートパターン面毎のおもて面関係式を作成する。また、補正情報算出装置20は、おもて面関係式およびテンプレートTxの裏面平坦度に基づいて、倍率補正値を算出する。補正情報算出装置20は、算出した倍率補正値を制御装置30に送る。
なお、以下では、学習用テンプレートLを用いてインプリントを行う際には、ウエハWy(図示せず)が用いられ、テンプレートTxを用いてインプリントを行う際には、ウエハWxが用いられるものとして説明する。
ウエハWxへのインプリントを行う際には、レジスト40Xが塗布または滴下されたウエハWxがテンプレートTxの直下まで移動させられる。そして、テンプレートTxがウエハWx上のレジスト40Xに押し当てられる。
また、ウエハWyへのインプリントを行う際には、レジスト40Xが塗布または滴下されたウエハWyが学習用テンプレートLの直下まで移動させられる。そして、学習用テンプレートLがウエハWy上のレジスト40Xに押し当てられる。
なお、インプリント装置101は、テンプレートTxや学習用テンプレートLをレジスト40Xに押し当てる代わりに、レジスト40Xや学習用テンプレートLをテンプレートTxに押し当ててもよい。この場合、試料ステージ5がウエハWxまたは学習用テンプレートL上のレジスト40XをテンプレートTxまたは学習用テンプレートLに押し当てる。このように、インプリント装置101は、テンプレートパターンをレジスト40Xに押し当てる際には、テンプレートTxまたは学習用テンプレートLと、レジスト40Xの配置されたウエハWx,Wyとの間の距離を所定の距離に近づける。これにより、テンプレートパターンとレジスト40Xとが接触させられる。
つぎに、インプリント工程の処理手順について説明する。図2は、インプリント工程の処理手順を説明するための図である。図2では、インプリント工程におけるウエハWxやテンプレートTxなどの断面図を示している。
図2の(a)に示すように、ウエハWxの上面には、インクジェット方式によってレジスト40Xが滴下される。レジスト40Xは、光硬化性樹脂材料などのインプリント材料である。レジスト40Xには、low-k(低誘電率)膜や有機材料などが用いられる。
レジスト40Xが滴下された後、図2の(b)に示すように、テンプレートTxがレジスト40X側に移動させられ、図2の(c)に示すように、テンプレートTxがレジスト40Xに押し当てられる。石英基板等を掘り込んで作られたテンプレートTxがレジスト40Xに接触させられると、毛細管現象によってテンプレートTxのテンプレートパターン内にレジスト40Xが流入する。テンプレートパターンは、プラズマエッチングなどで形成された凹凸パターンである。
テンプレートTxとレジスト40Xとは、所定時間だけ接触させられる。これにより、レジスト40Xがテンプレートパターンに充填させられる。この状態で光源10からのUV光がテンプレートTxを介してレジスト40Xに照射されると、レジスト40Xが硬化する。
この後、図2の(d)に示すように、テンプレートTxが、硬化したレジスト(レジストパターン)40Yから離型されることにより、テンプレートパターンを反転させたレジストパターン40YがウエハWx上に形成される。インプリント装置101は、ウエハWx上の第1のショットへのインプリント処理を実行した後、ウエハWx上の第2のショットへのインプリント処理を実行する。
なお、ここでは、テンプレートTxによるウエハWxへのインプリント処理について説明したが、学習用テンプレートLによるウエハWyへのインプリント処理についても同様の処理が行われる。
つぎに、実施形態に係る押当部31の構成について説明する。図3は、実施形態に係る押当部の構成を示す上面図である。図3では、押当部31およびテンプレートTxをZ軸方向から見た場合の上面図を示している。
テンプレートTxは、その中央領域に、テンプレートパターンが形成されたパターン領域65を有している。パターン領域65は、例えば矩形状の領域である。パターン領域65は、テンプレートTxのおもて面側の領域である。テンプレートTxは、裏面側から原版ステージ2Xによって固定されている。テンプレートTxは、パターン領域65よりも外側の領域が、原版ステージ2Xによって吸着されている。原版ステージ2XがテンプレートTxを吸着する吸着領域66は、例えば、円環状領域である。
押当部31は、テンプレートTxの側面を押すことができるよう、テンプレートTxの側面側に配置されている。押当部31は、テンプレートTxの側面のうち、−X方向を向いた側面と、+X方向を向いた側面と、+Y方向を向いた側面と、−Y方向を向いた側面と、を押す。テンプレートTxの各側面を押す押当部31は、1つでもよいし、複数でもよい。押当部31は、学習用テンプレートLに対しても、テンプレートTxと同様の押当てを行う。
図4は、実施形態に係る倍率補正値算出装置の構成を示す図である。なお、図4では、押当部31がテンプレートTxに押力を与える場合を図示しているが、押当部31は、テンプレートTxまたは学習用テンプレートLに押力を与える。
補正情報算出装置20は、入力部21、吸着部平坦度抽出部22、球面近似部23、おもて面平坦度算出部24、関係式作成部25、補正情報算出部26、出力部27を備えている。
インプリント装置101では、押当部31がテンプレートTxまたは学習用テンプレートLの側面を押す。また、制御装置30は、押当部31および位置ずれ量測定装置37に接続されている。なお、図4では、制御装置30と位置ずれ量測定装置37の接続の図示を省略している。制御装置30は、倍率入力値を押当部31および位置ずれ量測定装置37に送る。
平坦度計測装置35は、テンプレートTxまたは学習用テンプレートLの裏面平坦度を計測して、計測結果を補正情報算出装置20に送る。位置ずれ量測定装置37は、補正情報算出装置20に接続されている。位置ずれ量測定装置37は、ウエハWy上に形成されたレジストパターンの位置ずれ量を測定する装置である。位置ずれ量測定装置37は、測定結果である位置ずれ量と、制御装置30からの倍率入力値とが対応付けされた対応関係情報を補正情報算出装置20に送る。
入力部21は、平坦度計測装置35から送られてくる裏面平坦度(測定結果)を入力して、吸着部平坦度抽出部22に送る。また、入力部21は、位置ずれ量測定装置37から送られてくる対応関係情報を入力して、関係式作成部25に送る。
吸着部平坦度抽出部22は、裏面平坦度の中から、裏面吸着部での平坦度(以下、吸着部平坦度という)を抽出する。具体的には、吸着部平坦度抽出部22は、テンプレートTx、学習用テンプレートLの裏面平坦度の中から、テンプレートTx、学習用テンプレートLのうち裏面吸着されている領域の平坦度(吸着部平坦度)を抽出する。吸着部平坦度抽出部22は、吸着部平坦度を球面近似部23に送る。
球面近似部23は、吸着部平坦度を極座標で関数近似した場合の係数を算出する。具体的には、球面近似部23は、吸着部平坦度をゼルニケ級数で近似することによって、ゼルニケ係数を算出する。球面近似部23は、ゼルニケ係数をおもて面平坦度算出部24に送る。
おもて面平坦度算出部24は、ゼルニケ係数に基づいて、テンプレートTxまたは学習用テンプレートLのおもて面(テンプレートパターン面)に影響を与える平坦度(以下、おもて面平坦度という)を算出する。
おもて面平坦度算出部24は、学習用テンプレートLのおもて面平坦度を算出した場合には、算出したおもて面平坦度を関係式作成部25に送る。また、おもて面平坦度算出部24は、テンプレートTxのおもて面平坦度を算出した場合には、算出したおもて面平坦度を補正情報算出部26に送る。
インプリント装置101は、制御装置30からの指示により、各学習用テンプレートLに対して種々の倍率入力値でインプリント処理を実行する。例えば、インプリント装置101は、第1の学習用テンプレートに対して第1〜第P(Pは2以上の自然数)の倍率入力値でインプリント処理を実行する。また、インプリント装置101は、第Q(Qは2以上の自然数)の学習用テンプレートに対して第1〜第Pの倍率入力値でインプリント処理を実行する。
ウエハWx上へは、テンプレートTxを用いてレジストパターンが形成される。また、ウエハWy上へは、学習用テンプレートLを用いてレジストパターンが形成される。
インプリント処理によって形成されたウエハWx,Wy上の各レジストパターンは、位置ずれ量測定装置37によって位置ずれ量が計測される。この位置ずれ量と倍率入力値とが対応付けされた対応関係情報は、入力部21を介して関係式作成部25に送られる。
関係式作成部25は、対応関係情報に基づいて、倍率応答係数(ショット倍率応答係数)を算出する。具体的には、関係式作成部25は、計測された位置ずれ量と倍率入力値との対応関係に基づいて、学習用テンプレートL毎の倍率応答係数を算出する。
各学習用テンプレートLは、固有のおもて面平坦度を有している。そして、学習用テンプレートLを用いてインプリント処理が実行される際には、学習用テンプレートLのおもて面平坦度に応じた倍率入力値が入力されてインプリント処理が実行される。このため、学習用テンプレートL毎に、倍率入力値や位置ずれ量が異なる。したがって、学習用テンプレートL毎に、おもて面平坦度および倍率応答係数が異なる。
本実施形態では、種々の学習用テンプレートLを用いてインプリント処理を実行しておく。そして、関係式作成部25が、おもて面平坦度と倍率応答係数との間の関係式(おもて面関係式)を作成する。このおもて面関係式は、関係式作成部25で記憶しておく。
補正情報算出部26は、おもて面平坦度算出部24から送られてくるテンプレートTxのおもて面平坦度と、関係式作成部25から送られてくるおもて面関係式と、に基づいて、テンプレートTxの倍率調整量を補正するための補正情報(テンプレートTxの倍率応答係数)を算出する。さらに、補正情報算出部26は、算出した倍率応答係数を出力部27に送る。出力部27は、倍率応答係数を制御装置30に送る。
制御装置30は、下層側パターンの位置ずれ量に基づいて、倍率入力値を算出する。下層側パターンは、テンプレートTxを用いたインプリント処理の際に位置合わせが行われるパターンである。下層側パターンは、レジスト40Xよりも下層側に配置されている。テンプレートTxを用いたインプリント処理の際には、下層側パターンの位置ずれ量に応じた量だけ、テンプレートパターンの倍率が調整される。このときの倍率調整は、倍率入力値に基づいて実行される。
このように、本実施形態では、学習用テンプレートLを用いておもて面関係式(おもて面平坦度と倍率応答係数との間の関係式)が作成される。そして、テンプレートTxに対しておもて面平坦度が算出される。さらに、テンプレートTxのおもて面平坦度に基づいて、おもて面関係式から倍率補正係数が抽出される。そして、倍率補正係数を用いてテンプレートTxへの倍率入力値が補正される。
本実施形態では、制御装置30は、倍率応答係数を用いて、倍率入力値を補正するための倍率補正値を算出する。制御装置30は、テンプレートTxを用いてインプリント処理を実行する際に、倍率補正値で倍率入力値を補正する。制御装置30は、補正した倍率入力値を押当部31に送る。
つぎに、倍率応答係数の算出処理手順と、倍率補正値の算出処理手順について説明する。図5は、倍率応答係数の、実施形態に係る算出処理手順を示すフローチャートである。倍率応答係数は、学習用テンプレートLの裏面平坦度を用いて算出される。
平坦度計測装置35は、各学習用テンプレートLの裏面平坦度を計測する(ステップS10)。平坦度計測装置35は、原版ステージ2Xが学習用テンプレートLを吸着した状態で裏面平坦度を計測する。平坦度計測装置35は、計測した裏面平坦度を補正情報算出装置20に送る。
裏面平坦度は、入力部21を介して吸着部平坦度抽出部22に送られる。吸着部平坦度抽出部22は、裏面平坦度の中から、裏面吸着部での平坦度である吸着部平坦度を抽出する(ステップS20)。吸着部平坦度抽出部22は、学習用テンプレートL毎に、吸着部平坦度を抽出する。
球面近似部23は、吸着部平坦度をゼルニケ級数で近似することによって、ゼルニケ係数を算出する。これにより、球面近似部23は、学習用テンプレートL毎に、吸着部平坦度を球面近似する(ステップS30)。
おもて面平坦度算出部24は、ゼルニケ係数に基づいて、テンプレートTxのテンプレートパターン面に影響を与えるおもて面平坦度を算出する(ステップS40)。おもて面平坦度算出部24は、学習用テンプレートL毎に、おもて面平坦度を算出する。
インプリント装置101は、学習用テンプレートL毎に、種々の倍率入力値でウエハWy上にインプリントを行う(ステップS50)。これにより、ウエハWy上には、裏面平坦度毎、倍率入力値毎のレジストパターンが形成される。
位置ずれ量測定装置37は、ウエハWy上に形成された各レジストパターンの位置ずれ量を測定する(ステップS60)。位置ずれ量測定装置37は、位置ずれ量と、制御装置30からの倍率入力値とを対応付けした対応関係情報を作成する。位置ずれ量測定装置37は、裏面平坦度毎(学習用テンプレートL毎)に対応関係情報を作成する。
各対応関係情報は、入力部21を介して関係式作成部25に送られる。関係式作成部25は、対応関係情報に基づいて、対応関係情報毎に倍率応答係数を算出する。これにより、関係式作成部25は、裏面平坦度毎の倍率応答係数を算出する。さらに、関係式作成部25は、学習用テンプレートLのおもて面平坦度と、倍率応答係数との関係式である、おもて面関係式を作成する(ステップS70)。関係式作成部25は、裏面平坦度毎におもて面関係式を作成する。そして、関係式作成部25は、おもて面関係式を記憶しておく。
図6は、倍率応答係数を用いた、実施形態に係る倍率補正値算出処理手順を示すフローチャートである。製品用のウエハWxなどにインプリント処理を実行する際には、テンプレートTxがインプリント装置101に搬入される。
平坦度計測装置35は、テンプレートTxの裏面平坦度を計測する(ステップS110)。平坦度計測装置35は、原版ステージ2XがテンプレートTxを吸着した状態で裏面平坦度を計測する。平坦度計測装置35は、計測した裏面平坦度を補正情報算出装置20に送る。
裏面平坦度は、入力部21を介して吸着部平坦度抽出部22に送られる。吸着部平坦度抽出部22は、裏面平坦度の中から、裏面吸着部での平坦度である吸着部平坦度を抽出する(ステップS120)。
球面近似部23は、吸着部平坦度をゼルニケ級数で近似することによって、ゼルニケ係数を算出する。これにより、球面近似部23は、テンプレートTx毎に、吸着部平坦度を球面近似する(ステップS130)。
おもて面平坦度算出部24は、ゼルニケ係数に基づいて、テンプレートTxのテンプレートパターン面に影響を与えるおもて面平坦度を算出する(ステップS140)。
補正情報算出部26は、テンプレートTxのおもて面平坦度と、おもて面関係式と、に基づいて、テンプレートTxの倍率応答係数(補正情報)を算出する。具体的には、補正情報算出部26は、おもて面関係式を用いてテンプレートTxのおもて面平坦度に対応する倍率補正係数を算出する(ステップS150)。出力部27は、倍率応答係数を制御装置30に送る。
制御装置30は、下層側パターンの位置ずれ量に基づいて、倍率入力値を算出する。このように、本実施形態のインプリント装置101は、テンプレートTxの倍率応答係数の条件出しを行うことなく、倍率補正値を算出する。
さらに、制御装置30は、算出した倍率応答係数を用いて、倍率入力値を補正するための倍率補正値を補正する(ステップS160)。このように、制御装置30は、算出した倍率応答係数を用いて倍率入力値を補正する。換言すると、制御装置30は、おもて面関係式に基づいて、倍率応答係数を加味した倍率補正値を算出する。そして、補正された倍率入力値でインプリントが実行される(ステップS170)。
このように、インプリント装置101は、テンプレートTxの倍率応答係数をテンプレートTxの裏面平坦度から予測している。そして、インプリント装置101は、予測した倍率応答係数を用いて、ショット倍率を補正し、インプリント処理を実行している。インプリント装置101によってショット倍率が補正されることにより、下層側パターンと、レジスト40Xで形成されたレジストパターンと、の重ね合わせを正確に行うことが可能となる。
ここで、テンプレートTx毎に倍率入力値の補正が必要な理由について説明する。図7は、テンプレートへの押力とテンプレートのショット倍率との関係を説明するための図である。ここでは、テンプレートT1,T2に対し、mesaを変形させるために倍率を3条件振った場合のテンプレートサイズについて説明する。テンプレートT1,T2の変形量は、位置ずれ量測定装置37などによって計測される。
テンプレートTxの一例であるテンプレートT1は、例えば、押当部31による押力に対して倍率調整量が少ない。換言すると、テンプレートT1は、倍率入力値に対する反応量が小さい。
一方、テンプレートTxの一例であるテンプレートT2は、例えば、押当部31による押力に対して倍率調整量が多い。換言すると、テンプレートT2は、倍率入力値に対する反応量が大きい。
このような場合、押当部31が、テンプレートT1の側面に大押力を加えると、テンプレートT1は所望サイズよりも少しだけ倍率が小さくなる。そして、押当部31が、テンプレートT1の側面に適度な力(中押力)を加えると、テンプレートT1は適切な大きさに倍率補正される。また、押当部31が、テンプレートT1の側面に小押力を加えると、テンプレートT1は所望サイズよりも少しだけ倍率が大きくなる。このように、テンプレートT1は、倍率の変化量が少ない。
一方、押当部31が、テンプレートT2の側面に大押力を加えると、テンプレートT2は所望サイズよりも、倍率が非常に小さくなる。そして、押当部31が、テンプレートT2の側面に適度な力(中押力)を加えると、テンプレートT2は適切な大きさに倍率補正される。また、押当部31が、テンプレートT2の側面に小押力を加えると、テンプレートT2は所望サイズよりも倍率が非常に大きくなる。このように、テンプレートT2は、倍率の変化量が多い。
このように、テンプレートT1,T2では、倍率の変化量が異なるので、倍率応答係数も異なる。このため、テンプレートTx毎に、テンプレートTxに応じた倍率補正が必要となる。このため、テンプレートTxは、テンプレートTx毎に倍率入力値の補正が必要となる。なお、テンプレートT1を適切な大きさとするための中押力と、テンプレートT2を適切な大きさとするための中押力とは、大きさが同じであるとは限らない。
図8は、倍率応答係数を説明するための図である。図8に示す対応関係情報51,52は、テンプレートT1,T2の側面に応力をかけるための倍率入力値(倍率調整値)と、実際に形成されるショットパターンの倍率との間の関係に基づいて導出される。対応関係情報51は、テンプレートT1の対応関係情報であり、対応関係情報52は、テンプレートT2の対応関係情報である。
対応関係情報51の傾きが、テンプレートT1の倍率応答係数であり、対応関係情報52の傾きが、テンプレートT2の倍率応答係数である。図8に示すように、テンプレートT1は、倍率の変化量が少なく、倍率応答係数も小さい。テンプレートT2は、倍率の変化量が多く、倍率応答係数も大きい。
ところで、下層側パターンとレジストパターン40Yとの間の位置ずれ量(重ね合わせ誤差)には、種々の成分がある。ここで、位置ずれ成分について説明する。図9は、位置ずれ成分の例を示す図である。
図9では、(a)オフセット成分、(b)倍率成分、(c)菱形成分、(d)偏心倍率成分、(e)台形成分、(f)扇形成分、(g)C字倍率成分、(h)アコーディオン成分、(i)C字ひずみ成分、(j)川の流れ成分を示している。
(a)オフセット成分は、Δdx=K1、Δdy=K2である。
(b)倍率成分は、Δdx=K3・x、Δdy=K4・yである。
(c)菱形成分は、Δdx=K5・y、Δdy=K6・xである。
(d)偏心倍率成分は、Δdx=K7・x2、Δdy=K8・y2である。
(e)台形成分は、Δdx=K9・x・y、Δdy=K10・x・yである。
(f)扇形成分は、Δdx=K11・y2、Δdy=K12・x2である。
(g)C字倍率成分は、Δdx=K13・x3、Δdy=K14・y3である。
(h)アコーディオン成分は、Δdx=K15・x2・y、Δdy=K16・x・y2である。
(i)C字歪み成分は、Δdx=K17・x・y2、Δdy=K18・x2・yである。
(j)川の流れ成分は、Δdx=K19・y3、Δdy=K20・x3である。
下層側パターンとレジストパターン40Yとの間の位置ずれは、これらの成分の組合せである。このような位置ずれは、吸着部平坦度に対応しているので、球面近似部23は、吸着部平坦度をゼルニケ級数で近似することによって、ゼルニケ係数を算出する。ここで、ゼルニケ多項式のゼルニケ項について説明する。
図10は、ゼルニケ項を説明するための図である。ゼルニケ多項式(円形多項式)のゼルニケ項Z1〜Z81のうち、吸着部平坦度に影響を与えるゼルニケ項は、図10の(a)に示すZ6,図10の(b)に示すZ7,図10の(c)に示すZ9などである。
図11は、実施形態に係るおもて面平坦度の算出例を示す図である。図11の(a)では、学習用テンプレートL1,L2の裏面平坦度45−1,45−2を示している。また、図11の(b)では、学習用テンプレートL1,L2の吸着部平坦度46−1,46−2を示している。図11の(c)では、学習用テンプレートL1,L2のおもて面平坦度47−1,47−2を示している。
図11の(b)に示す吸着部平坦度46−1,46−2は、図11の(a)に示す裏面平坦度45−1,45−2を用いて算出されたものである。学習用テンプレートL1の吸着部平坦度46−1は、ゼルニケ多項式のZ9成分を有している。また、学習用テンプレートL2の吸着部平坦度46−2は、ゼルニケ多項式のZ6成分を有している。図11の(c)に示すおもて面平坦度47−1,47−2は、図11の(b)に示す吸着部平坦度46−1,46−2を用いて算出されたものである。
図12は、実施形態に係る倍率応答係数の算出例を示す図である。インプリント装置101は、学習用テンプレートL1,L2に対して、それぞれ種々の倍率入力値でウエハWy上にインプリントを行う。
図12の(a)では、インプリントの際の倍率入力値を示している。学習用テンプレートL1,L2への倍率入力値は、A1〜A4である。A1〜A4は、例えば、以下のとおりである。
A1=X/Y=−1.0/−1.0ppm
A2=X/Y=−2.0/−2.0ppm
A3=X/Y=−3.0/−3.0ppm
A4=X/Y=−4.0/−4.0ppm
図12の(b)では、インプリントで形成されたレジストパターンの位置ずれ量の計測結果(OL(Overlay)計測値)(調整結果)を示している。図12の(b)に示す位置ずれ量は、図12の(a)に示す倍率入力値で形成されたレジストパターンの位置ずれ量(倍率)である。
学習用テンプレートL1の位置ずれ量は、B1〜B4であり、学習用テンプレートL2の位置ずれ量は、B5〜B8である。B1〜B4は、それぞれ学習用テンプレートL1のA1〜A4に対応し、B5〜B8は、それぞれ学習用テンプレートL2のA1〜A4に対応している。
B1〜B4は、例えば、以下のとおりである。
B1=X/Y=−0.9/−0.2ppm
B2=X/Y=−1.7/−1.4ppm
B3=X/Y=−2.7/−2.5ppm
B4=X/Y=−3.5/−4.0ppm
また、B5〜B8は、例えば、以下のとおりである。
B5=X/Y=0.1/1.2ppm
B6=X/Y=−0.3/−0.6ppm
B7=X/Y=−2.0/−2.0ppm
B8=X/Y=−3.7/−3.7ppm
図12の(c)では、倍率応答係数を示している。図12の(c)に示す倍率応答係数は、図12の(a)に示す倍率入力値および図12の(b)に示す位置ずれ量を用いて算出されたものである。
図12の(c)に示すグラフの横軸は、図12の(a)に示す倍率入力値(ppm)である。図12の(c)に示すグラフの縦軸は、図12の(b)に示す位置ずれ量(ppm)である。
学習用テンプレートL1のX方向の関係は、y=−0.9251x+0.0566、R2=0.9969である。学習用テンプレートL1のY方向の関係は、y=−1.2122x+0.9969、R2=0.9977である。したがって、学習用テンプレートL1のX方向の倍率応答係数(傾き)は、X=−0.93であり、Y方向の倍率応答係数(傾き)は、X=−1.21である。
学習用テンプレートL2のX方向の倍率応答係数は、y=−1.2486x+1.5813、R2=0.996である。学習用テンプレートL2のY方向の倍率応答係数は、y=−1.6032x+2.7953、R2=0.9994である。したがって、学習用テンプレートL2のX方向の倍率応答係数(傾き)は、X=−1.25であり、Y方向の倍率応答係数(傾き)は、X=−1.60である。
図13は、実施形態に係るおもて面関係式の作成例を示す図である。おもて面関係式は、おもて面平坦度と、倍率応答係数と、の関係式である。図13では、ゼルニケ多項式のZ9成分を有した学習用テンプレートのおもて面関係式と、ゼルニケ多項式のZ6成分を有した学習用テンプレートのおもて面関係式と、について説明する。
関係式作成部25は、ゼルニケ多項式のZ9成分を有した複数の学習用テンプレートに対し、各学習用テンプレートにおける、おもて面平坦度と、倍率応答係数と、を算出する。関係式作成部25は、例えば、第1の学習用テンプレートに対し、おもて面平坦度61Aと倍率応答係数71Aとの対応関係81Aを算出する。また、関係式作成部25は、第2の学習用テンプレートに対し、おもて面平坦度62Aと倍率応答係数72Aとの対応関係82Aを算出する。また、関係式作成部25は、第3の学習用テンプレートに対し、おもて面平坦度63Aと倍率応答係数73Aとの対応関係83Aを算出する。
おもて面平坦度61Aは、Z9=3.0μmのおもて面平坦度であり、倍率応答係数(傾き)71Aは、X=−0.93、Y=−1.21である。おもて面平坦度62Aは、Z9=2.0μmのおもて面平坦度であり、倍率応答係数(傾き)72Aは、X=−0.96、Y=−1.13である。おもて面平坦度63Aは、Z9=1.0μmのおもて面平坦度であり、倍率応答係数(傾き)73Aは、X=−0.98、Y=−1.06である。
関係式作成部25は、対応関係81A〜83Aに基づいて、おもて面関係式85Aを算出する。おもて面関係式85Aのグラフは、横軸が倍率補正値であり、縦軸がおもて面平坦度である。このおもて面関係式85Aが、ゼルニケ多項式のZ9成分に対応している。おもて面関係式85Aは、例えば、X方向またはY方向のおもて面関係式である。関係式作成部25は、対応関係81A〜83Aに基づいて、X方向のおもて面関係式と、Y方向のおもて面関係式とを作成しておく。
また、関係式作成部25は、ゼルニケ多項式のZ6成分を有した複数の学習用テンプレートに対し、各学習用テンプレートにおける、おもて面平坦度と、倍率応答係数と、を算出する。関係式作成部25は、例えば、第4の学習用テンプレートに対し、おもて面平坦度61Bと倍率応答係数71Bとの対応関係81Bを算出する。また、関係式作成部25は、第5の学習用テンプレートに対し、おもて面平坦度62Bと倍率応答係数72Bとの対応関係82Bを算出する。また、関係式作成部25は、第6の学習用テンプレートに対し、おもて面平坦度63Bと倍率応答係数73Bとの対応関係83Bを算出する。
おもて面平坦度61Bは、Z6=3.0μmのおもて面平坦度であり、倍率応答係数(傾き)71Bは、X=−1.25、Y=−1.60である。おもて面平坦度62Bは、Z6=2.0μmのおもて面平坦度であり、倍率応答係数(傾き)72Bは、X=−1.16、Y=−1.43である。おもて面平坦度63Bは、Z6=1.0μmのおもて面平坦度であり、倍率応答係数(傾き)73Bは、X=−1.08、Y=−1.26である。
関係式作成部25は、対応関係81B〜83Bに基づいて、おもて面関係式85Bを算出する。おもて面関係式85Bのグラフは、横軸が倍率補正値であり、縦軸がおもて面平坦度である。このおもて面関係式85Bが、ゼルニケ多項式のZ6成分に対応している。おもて面関係式85Bは、例えば、X方向またはY方向のおもて面関係式である。関係式作成部25は、対応関係81B〜83Bに基づいて、X方向のおもて面関係式と、Y方向のおもて面関係式とを作成しておく。
つぎに、補正情報算出装置20のハードウェア構成について説明する。図14は、実施形態に係る補正情報算出装置のハードウェア構成を示す図である。補正情報算出装置20は、CPU(Central Processing Unit)91、ROM(Read Only Memory)92、RAM(Random Access Memory)93、表示部94、入力部95を有している。補正情報算出装置20では、これらのCPU91、ROM92、RAM93、表示部94、入力部95がバスラインを介して接続されている。
CPU91は、コンピュータプログラムである補正情報算出プログラム97を用いて倍率応答係数を算出する。補正情報算出プログラム97は、コンピュータで実行可能な、倍率応答係数を算出するための複数の命令を含むコンピュータ読取り可能かつ非遷移的な記録媒体(nontransitory computer readable recording medium)を有するコンピュータプログラムプロダクトである。補正情報算出プログラム97では、前記複数の命令が倍率補正値を算出することをコンピュータに実行させる。
表示部94は、液晶モニタなどの表示装置であり、CPU91からの指示に基づいて、裏面平坦度、吸着部平坦度、おもて面平坦度、位置ずれ量、対応関係情報、おもて面関係式、補正情報である倍率応答係数などを表示する。
入力部95は、マウスやキーボードを備えて構成され、使用者から外部入力される指示情報(倍率応答係数の算出に必要なパラメータ等)を入力する。入力部95へ入力された指示情報は、CPU91へ送られる。
補正情報算出プログラム97は、ROM92内に格納されており、バスラインを介してRAM93へロードされる。図14では、補正情報算出プログラム97がRAM93へロードされた状態を示している。
CPU91はRAM93内にロードされた補正情報算出プログラム97を実行する。具体的には、補正情報算出装置20では、使用者による入力部95からの指示入力に従って、CPU91がROM92内から補正情報算出プログラム97を読み出してRAM93内のプログラム格納領域に展開して各種処理を実行する。CPU91は、この各種処理に際して生じる各種データをRAM93内に形成されるデータ格納領域に一時的に記憶させておく。
補正情報算出装置20で実行される補正情報算出プログラム97は、吸着部平坦度抽出部22、球面近似部23、おもて面平坦度算出部24、関係式作成部25、補正情報算出部26を含むモジュール構成となっており、これらが主記憶装置上にロードされ、これらが主記憶装置上に生成される。
半導体装置(半導体集積回路)が製造される際には、倍率応答係数の算出や倍率補正値の算出が、例えばウエハプロセスのレイヤ毎に行われる。そして、テンプレートTxが倍率補正されたうえで、インプリント処理が実行される。
具体的には、ウエハWx上に下層膜が形成され、下層膜上にレジストが塗布される。そして、テンプレートTxを倍率補正した状態でインプリント処理が実行される。この後、レジストパターンをマスクとして下層膜をエッチングする。これにより、レジストパターンに対応する実パターンがウエハWx上に形成される。半導体装置を製造する際には、上述した、倍率応答係数の算出、テンプレートTxの倍率補正、下層膜の形成、レジストの塗布、テンプレートTxの倍率補正、インプリント処理、エッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。
なお、本実施形態では、被転写基板がウエハWxである場合について説明したが、被転写基板はテンプレートであってもよい。
このように実施形態では、原版ステージ2Xが学習用テンプレートL(第1のテンプレート)を吸着した状態での学習用テンプレートLの平坦度が測定される。また、倍率入力値(第1の調整入力値)に対する学習用テンプレートLの実際の位置ずれ量を示す応答係数と、学習用テンプレートLの平坦度と、の関係を示す平坦度関係式が作成される。
また、原版ステージ2XがテンプレートTxを吸着した状態でのテンプレートTxの平坦度が測定される。そして、テンプレートTxの平坦度と、平坦度関係式と、に基づいて、補正情報算出装置20が、応答係数の中からテンプレートTxに対応する応答係数(補正情報)を算出する。さらに、制御装置30が、テンプレートTxに対応する応答係数を用いてテンプレートTxへの倍率調整入力値を補正する。そして、制御装置30が、補正後の倍率調整入力値で押当部31にテンプレートTxの形状および大きさを調整させる。したがって、容易にパターンの位置ずれを抑制することが可能となる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
2X…原版ステージ、20…補正情報算出装置、22…吸着部平坦度抽出部、23…球面近似部、24…おもて面平坦度算出部、25…関係式作成部、26…補正情報算出部、30…制御装置、31…押当部、35…平坦度計測装置、37…位置ずれ量測定装置、40X…レジスト、40Y…レジストパターン、45−1,45−2…裏面平坦度、46−1,46−2…吸着部平坦度、47−1,47−2…おもて面平坦度、51,52…対応関係情報、61A〜63A,61B〜63B…おもて面平坦度、65…パターン領域、66…吸着領域、71A〜73A,71B〜73B…倍率応答係数、85A,85B…おもて面関係式、101…インプリント装置、L…学習用テンプレート、Tx…テンプレート、Wx…ウエハ。

Claims (6)

  1. 第1のテンプレートを用いて第1のインプリント処理を実行する際には、第1の調整入力値に応じた量だけ前記第1のテンプレートの形状および大きさを調整し、第2のテンプレートを用いて第2のインプリント処理を実行する際には、第2の調整入力値に応じた量だけ前記第2のテンプレートの形状および大きさを調整する調整部と、
    前記第1のインプリント処理を実行する際には、前記第1のテンプレートの裏面を吸着して固定し、前記第2のインプリント処理を実行する際には、前記第2のテンプレートの裏面を吸着して固定する吸着部と、
    前記第2のテンプレートのおもて面側に形成されたテンプレートパターンと、レジストの配置された基板と接触させて、前記レジストを前記テンプレートパターンに充填させる接触処理部と、
    前記吸着部によって吸着された状態での前記第1のテンプレートの平坦度と、前記第1の調整入力値に対する前記第1のテンプレートの実際の位置ずれ量を示す第1の応答係数と、の関係を示す平坦度関係式と、
    前記吸着部によって吸着された状態での前記第2のテンプレートの平坦度と、
    に基づいて、前記第1の応答係数の中から前記第2のテンプレートに対応する第2の応答係数を補正情報として算出する補正情報算出装置と、
    前記補正情報を用いて前記第2の調整入力値を補正するとともに、補正後の第2の調整入力値で前記調整部に前記第2のテンプレートの形状および大きさを調整させる制御部と、
    を備えることを特徴とするインプリント装置。
  2. 前記第1のテンプレートの平坦度は、前記第1のテンプレートのおもて面に影響を与える第1のおもて面平坦度であり、前記第2のテンプレートの平坦度は、前記第2のテンプレートの平坦度のおもて面に影響を与える第2のおもて面平坦度である、
    ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
  3. 前記第1のテンプレートに対しては、前記吸着部によって吸着された状態での前記第1のテンプレートの第1の裏面平坦度を計測し、前記第2のテンプレートに対しては、前記吸着部によって吸着された状態での前記第2のテンプレートの第2の裏面平坦度を計測する平坦度計測装置をさらに備え、
    前記補正情報算出装置は、前記第1の裏面平坦度に基づいて前記第1のおもて面平坦度を算出し、前記第2の裏面平坦度に基づいて前記第2のおもて面平坦度を算出するおもて面平坦度算出部を備える、
    ことを特徴とする請求項2に記載のインプリント装置。
  4. 前記補正情報算出装置は、
    前記第1の裏面平坦度から前記吸着部における第1の吸着部平坦度を抽出し、前記第2の裏面平坦度から前記吸着部における第2の吸着部平坦度を抽出する吸着部平坦度算出部と、
    前記第1の吸着部平坦度を極座標で関数近似して前記第1のおもて面平坦度を算出し、前記第2の吸着部平坦度を極座標で関数近似して前記第2のおもて面平坦度を算出する近似部と、
    をさらに備えることを特徴とする請求項3に記載のインプリント装置。
  5. 前記近似部は、
    前記第1の吸着部平坦度を極座標で関数近似して第1のゼルニケ係数を求め、前記第1のゼルニケ係数に基づいて前記第1のおもて面平坦度を算出し、前記第2の吸着部平坦度を極座標で関数近似して第2のゼルニケ係数を求め、前記第2のゼルニケ係数に基づいて前記第2のおもて面平坦度を算出する、
    ことを特徴とする請求項4に記載のインプリント装置。
  6. 吸着部によって裏面が吸着された状態での第1のテンプレートの平坦度を算出し、
    第1の調整入力値に応じた量だけ前記第1のテンプレートの形状および大きさを調整し、
    前記第1の調整入力値に対する前記第1のテンプレートの実際の位置ずれ量を示す第1の応答係数を算出し、
    前記第1のテンプレートの平坦度と、前記第1の応答係数と、の関係を示す平坦度関係式を作成し、
    前記吸着部によって裏面が吸着された状態での第2のテンプレートの平坦度を算出し、
    前記平坦度関係式と、前記第2のテンプレートの平坦度と、に基づいて、前記第1の応答係数の中から前記第2のテンプレートに対応する第2の応答係数を補正情報として算出し、
    前記補正情報を用いて前記第2のテンプレートへの第2の調整入力値を補正し、
    補正後の第2の調整入力値で前記第2のテンプレートの形状および大きさを調整する、
    ことを特徴とするインプリント方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020194893A (ja) * 2019-05-28 2020-12-03 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220128901A1 (en) * 2020-10-28 2022-04-28 Canon Kabushiki Kaisha System and Method for Shaping a Film with a Scaled Calibration Measurement Parameter
WO2022159468A1 (en) * 2021-01-20 2022-07-28 Applied Materials, Inc. Anti-slippery stamp landing ring

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060024591A1 (en) * 2004-07-27 2006-02-02 Masamitsu Itoh Exposure mask manufacturing method, drawing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and mask blanks product
JP2008103512A (ja) * 2006-10-18 2008-05-01 Hoya Corp 反射型マスクブランクの製造方法及び反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
US20120061875A1 (en) * 2010-09-13 2012-03-15 Takuya Kono Template chuck, imprint apparatus, and pattern forming method
JP2013191777A (ja) * 2012-03-14 2013-09-26 Canon Inc インプリント装置、モールド、インプリント方法及び物品の製造方法
JP2015040985A (ja) * 2013-08-22 2015-03-02 Hoya株式会社 マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5398502B2 (ja) 2009-12-10 2014-01-29 株式会社東芝 パターン作成方法、プロセス決定方法およびデバイス製造方法
JP5687640B2 (ja) 2012-02-15 2015-03-18 株式会社東芝 インプリント装置およびインプリント方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060024591A1 (en) * 2004-07-27 2006-02-02 Masamitsu Itoh Exposure mask manufacturing method, drawing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and mask blanks product
JP2006039223A (ja) * 2004-07-27 2006-02-09 Toshiba Corp 露光用マスクの製造方法、露光装置、半導体装置の製造方法およびマスクブランクス製品
JP2008103512A (ja) * 2006-10-18 2008-05-01 Hoya Corp 反射型マスクブランクの製造方法及び反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
US20120061875A1 (en) * 2010-09-13 2012-03-15 Takuya Kono Template chuck, imprint apparatus, and pattern forming method
JP2012060079A (ja) * 2010-09-13 2012-03-22 Toshiba Corp テンプレートチャック、インプリント装置、及びパターン形成方法
JP2013191777A (ja) * 2012-03-14 2013-09-26 Canon Inc インプリント装置、モールド、インプリント方法及び物品の製造方法
US20150021803A1 (en) * 2012-03-14 2015-01-22 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus, mold, imprint method, and method of manufacturing article
JP2015040985A (ja) * 2013-08-22 2015-03-02 Hoya株式会社 マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020194893A (ja) * 2019-05-28 2020-12-03 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP7317575B2 (ja) 2019-05-28 2023-07-31 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法

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