TWI821705B - 模擬方法、模擬裝置、膜形成裝置、物件製造方法和非暫態儲存媒體 - Google Patents
模擬方法、模擬裝置、膜形成裝置、物件製造方法和非暫態儲存媒體 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI821705B TWI821705B TW110125239A TW110125239A TWI821705B TW I821705 B TWI821705 B TW I821705B TW 110125239 A TW110125239 A TW 110125239A TW 110125239 A TW110125239 A TW 110125239A TW I821705 B TWI821705 B TW I821705B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- simulation
- range
- hardenable composition
- information
- droplets
- Prior art date
Links
- 238000004088 simulation Methods 0.000 title claims abstract description 307
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 89
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 166
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 38
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 31
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 106
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 54
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 20
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 17
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000852 hydrogen donor Substances 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/20—Design optimisation, verification or simulation
- G06F30/28—Design optimisation, verification or simulation using fluid dynamics, e.g. using Navier-Stokes equations or computational fluid dynamics [CFD]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/20—Design optimisation, verification or simulation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2113/00—Details relating to the application field
- G06F2113/18—Chip packaging
Abstract
公開了模擬方法、模擬裝置、膜形成裝置、物件製造方法和非暫態儲存媒體。本發明提供了一種預測在使配置在第一構件上的可硬化組合物的多個液滴與第二構件接觸並在第一構件與第二構件之間的空間中形成可硬化組合物的膜的處理中可硬化組合物的行為的模擬方法,該方法包括:確定用於執行以比第一精度高的第二精度預測行為的第二模擬的第二範圍,第二範圍被包括在用於執行以第一精度預測行為的第一模擬的第一範圍中並且第二範圍小於第一範圍;在第二範圍中執行第二模擬;以及顯示在第二範圍中執行的第二模擬的結果。
Description
本發明關於模擬方法、模擬裝置、膜形成裝置、物件製造方法和非暫態儲存媒體。
提供了藉由在基板上配置可硬化組合物,使可硬化組合物與模具接觸並將可硬化組合物硬化來在基板上形成由可硬化組合物的硬化產物製成的膜的膜形成技術。這種膜形成技術被應用於壓印技術和平坦化技術。在壓印技術中,藉由使用具有圖案的模具,藉由使基板上的可硬化組合物與模具的圖案接觸並硬化可硬化組合物來將模具的圖案轉印到基板上的可硬化組合物。在平坦化技術中,藉由使用具有平坦表面的模具,藉由使基板上的可硬化組合物與平坦表面接觸並硬化可硬化組合物來形成具有平坦上表面的膜。
可硬化組合物以液滴的形式配置在基板上,並且然後將模具壓靠可硬化組合物的液滴。這使基板上的可硬化組合物的液滴擴散,由此形成可硬化組合物的膜。此時,重要的是形成具有均勻厚度的可硬化組合物的膜,並且在膜中不留下氣泡。為了實現這一點,調整可硬化組合物的液滴的配置、用於將模具壓靠可硬化組合物的方法和條件等。為了藉由使用裝置反復試驗來實現該調整操作,需要大量的時間和成本。為了應對這個問題,期望開發支持這種調整操作的模擬器。
日本專利No.5599356公開了用於預測配置在圖案形成表面上的多個液滴的濕擴散(wet spreading)和聚集(液滴的合併)的模擬方法。在該模擬方法中,藉由預測基板上的可硬化組合物的每個液滴的擴散形狀來減少計算量。
在壓印處理中,當可硬化組合物的液滴被濕擴散並形成膜時,如果在膜中留下氣泡,則留有氣泡的部分(未填充部分)成為缺陷。為了減少缺陷的出現,藉由模擬來預測氣泡的產生是有效的。為了預測氣泡的產生,需要考慮模具和基板的局部形狀並考慮液滴的相互作用的流體計算。
然而,這樣的模擬需要高計算量,從而導致計算成本的增加。作為用於具有高計算成本的模擬的對策,可設想到在限制(指定)計算區域的同時執行計算,由此降低總計算成本。然而,藉由限制計算區域而獲得的效果大幅受到限制計算區域的使用者(操作者)的能力(才能)的影響。例如,由於使用者的錯誤,計算可能重新進行並且計算成本可能增加。
本發明提供了可以在維持模擬精度的同時減少計算成本的模擬方法。
根據本發明的第一態樣,提供了一種預測在使配置在第一構件上的可硬化組合物的多個液滴與第二構件接觸並在第一構件與第二構件之間的空間中形成可硬化組合物的膜的處理中可硬化組合物的行為的模擬方法,該方法包括:確定用於執行以比第一精度高的第二精度預測行為的第二模擬的第二範圍,第二範圍被包括在用於執行以第一精度預測行為的第一模擬的第一範圍中並且第二範圍小於第一範圍;在第二範圍中執行第二模擬;以及顯示在第二範圍中執行的第二模擬的結果,其中,在該確定中,基於第一構件的設計資訊、第二構件的設計資訊、可硬化組合物的多個液滴的配置資訊、第二構件的與可硬化組合物的多個液滴接觸的接觸表面的位置資訊、以及關於在第一範圍中執行的第一模擬的結果的資訊當中的至少一條資訊來確定第二範圍。
根據本發明的第二態樣,提供了一種預測在使配置在第一構件上的可硬化組合物的多個液滴與第二構件接觸並在第一構件與第二構件之間的空間中形成可硬化組合物的膜的處理中可硬化組合物的行為的模擬方法,該方法包括:確定包括在用於執行預測行為的模擬的第一範圍中的第二範圍,第二範圍小於第一範圍;在第二範圍中執行所述模擬;以及顯示在第二範圍中執行的模擬的結果,其中,在該確定中,基於關於藉由執行處理而形成的可硬化組合物的膜的測量結果的資訊來確定第二範圍。
根據本發明的第三態樣,提供了一種預測在使配置在第一構件上的可硬化組合物的多個液滴與第二構件接觸並在第一構件與第二構件之間的空間中形成可硬化組合物的膜的處理中可硬化組合物的行為的模擬裝置,其中,確定用於執行以比第一精度高的第二精度預測行為的第二模擬的第二範圍,第二範圍被包括在用於執行以第一精度預測行為的第一模擬的第一範圍中並且第二範圍小於第一範圍,在第二範圍中執行第二模擬,顯示在第二範圍中執行的第二模擬的結果,並且當確定第二範圍時,基於第一構件的設計資訊、第二構件的設計資訊、可硬化組合物的多個液滴的配置資訊、第二構件的與可硬化組合物的多個液滴接觸的接觸表面的位置資訊、以及關於在第一範圍中執行的第一模擬的結果的資訊當中的至少一條資訊來確定第二範圍。
根據本發明的第四態樣,提供了一種預測在使配置在第一構件上的可硬化組合物的多個液滴與第二構件接觸並在第一構件與第二構件之間的空間中形成可硬化組合物的膜的處理中可硬化組合物的行為的模擬裝置,其中,確定包括在用於執行預測行為的模擬的第一範圍中的第二範圍,第二範圍小於第一範圍;在第二範圍中執行模擬,顯示在第二範圍中執行的模擬的結果,並且當確定第二範圍時,基於關於藉由執行處理而形成的可硬化組合物的膜的測量結果的資訊來確定第二範圍。
根據本發明的第五態樣,提供了一種包含以上模擬裝置的膜形成裝置,其中,基於由模擬裝置執行的可硬化組合物的行為的預測,控制使配置在第一構件上的可硬化組合物的多個液滴與第二構件接觸並在第一構件與第二構件之間的空間中形成可硬化組合物的膜的處理。
根據本發明的第六態樣,提供了一種物件製造方法,該物件製造方法包括:在重複以上模擬方法的同時,確定使配置在第一構件上的可硬化組合物的多個液滴與第二構件接觸並在第一構件與第二構件之間的空間中形成可硬化組合物的膜的處理的條件,以及根據該條件執行該處理。
根據本發明的第七態樣,提供了一種儲存用於使電腦執行以上模擬方法的程式的非暫態儲存媒體。
根據以下參考圖式對示例性實施例的描述,本發明的其它態樣將變得清楚。
下文中,將參考圖式詳細地描述實施例。注意的是,以下實施例不旨在限制要求保護的本發明的範圍。在實施例中描述了多個特徵,但是並不限制需要所有這樣的特徵的發明,並且可以適當地組合多個這樣的特徵。此外,在圖式中,相同的圖式標記被賦予相同或類似的配置,並且省略其冗餘描述。
圖1是示出根據本發明的實施例的膜形成裝置IMP和模擬裝置1的配置的示意圖。膜形成裝置IMP執行使配置在基板S上的可硬化組合物IM的多個液滴與模具M接觸並在基板S與模具M之間的空間中形成可硬化組合物IM的膜的處理。膜形成裝置IMP可以被形成為例如壓印裝置或平坦化裝置。基板S和模具M是可互換的,並且藉由使配置在模具M上的可硬化組合物IM的多個液滴與基板S接觸,可以在模具M與基板S之間的空間中形成可硬化組合物IM的膜。因此,膜形成裝置IMP全面地是執行使配置在第一構件上的可硬化組合物IM的多個液滴與第二構件接觸並在第一構件與第二構件之間的空間中形成可硬化組合物IM的膜的處理的裝置。該實施例藉由假定第一構件作為基板S並假定第二構件作為模具M來提供描述。然而,第一構件可以被假定為模具M並且第二構件可以被假定為基板S。在這種情況下,以下描述中的基板S和模具M是互換的。
壓印裝置使用具有圖案的模具M,以將模具M的圖案轉印到基板S上的可硬化組合物IM。壓印裝置使用具有設置有圖案的圖案區域PR的模具M。作為壓印處理,壓印裝置使基板S上的可硬化組合物IM與模具M的圖案區域PR接觸,用可硬化組合物IM填充模具M與要形成基板S的圖案的區域之間的空間,並且然後硬化可硬化組合物IM。這將模具M的圖案區域PR的圖案轉印到基板S上的可硬化組合物IM。例如,壓印裝置在基板S的多個壓射區域中的每個中形成由可硬化組合物IM的硬化產物製成的圖案。
作為平坦化處理,使用具有平坦表面的模具M,平坦化裝置使基板S上的可硬化組合物IM與模具M的平坦表面接觸,並硬化可硬化組合物IM,由此形成具有平坦上表面的膜。如果使用具有覆蓋基板S的整個區域的尺寸(大小)的模具M,則平坦化裝置在基板S的整個區域上形成由可硬化組合物IM的硬化產物製成的膜。
作為可硬化組合物,使用要藉由接收硬化能量而硬化的材料。作為硬化能量,可以使用電磁波或熱。電磁波包括例如從10 nm(包括)至1 mm(包括)的波長範圍中選擇的光,並且更具體地,包括紅外光、可見光束或紫外線。可硬化組合物是藉由光照射或加熱而硬化的組合物。藉由光照射而硬化的光可硬化組合物包含至少可聚合化合物和光聚合引發劑,並還可以根據需要包含不可聚合化合物或溶劑。不可聚合化合物是從由敏化劑、氫供體、內部脫模劑、表面活性劑、抗氧劑和聚合物組分組成的組中選擇的至少一種材料。可硬化組合物的黏度(25℃時的黏度)例如為1 mPa·s(包括)至100 mPa·s(包括)。
作為基板的材料,使用例如玻璃、陶瓷、金屬、半導體、樹脂等。根據需要,可以在基板的表面上設置由不同於基板的材料製成的構件。基板包括例如矽晶元、化合物半導體晶元或石英玻璃。
在說明書和圖式中,將在XYZ座標系上指示方向,在XYZ座標系中與基板S的表面平行的方向被定義為X-Y平面。平行於XYZ座標系的X軸、Y軸和Z軸的方向分別是X方向、Y方向和Z方向。繞X軸的旋轉、繞Y軸的旋轉和繞Z軸的旋轉分別是θX、θY和θZ。關於X軸、Y軸和Z軸的控制或驅動分別是指關於平行於X軸的方向、平行於Y軸的方向和平行於Z軸的方向的控制或驅動。另外,關於θX軸、θY軸和θZ軸的控制或驅動分別是指關於繞與X軸平行的軸的旋轉、繞與Y軸平行的軸的旋轉以及繞與Z軸平行的軸的旋轉的控制或驅動。另外,位置是基於X軸、Y軸和Z軸上的座標指定的資訊,並且取向是藉由θX軸、θY軸和θZ軸上的值指定的資訊。定位是指控制位置及/或取向。
膜形成裝置IMP包括保持基板S的基板保持器SH、藉由驅動基板保持器SH來移動基板S的基板驅動機構SD以及支撐基板驅動機構SD的基座SB。另外,膜形成裝置IMP包括保持模具M的模具保持器MH以及藉由驅動模具保持器MH來移動模具M的模具驅動機構MD。
基板驅動機構SD和模具驅動機構MD形成相對移動機構,該相對移動機構移動基板S和模具M中的至少一個,以便調整基板S與模具M之間的相對位置。藉由相對移動機構進行的基板S與模具M之間的相對位置的調整包括使基板S上的可硬化組合物IM與模具M接觸的驅動以及使模具M與基板S上的硬化的可硬化組合物IM分開的驅動。另外,藉由相對移動機構進行的基板S與模具M之間的相對位置的調整包括基板S與模具M之間的定位。基板驅動機構SD被配置為相對於多個軸(例如,包括X軸、Y軸和θZ軸的三個軸,優選地,包括X軸、Y軸、Z軸、θX軸、θY軸和θZ軸的六個軸)驅動基板S。模具驅動機構MD被配置為相對於多個軸(例如,包括Z軸、θX軸和θY軸的三個軸,優選地,包括X軸、Y軸、Z軸、θX軸、θY軸和θZ軸的六個軸)驅動模具M。
膜形成裝置IMP包括用於硬化用於填充基板S與模具M之間的空間的可硬化組合物IM的硬化單元CU。例如,硬化單元CU藉由經由模具M向可硬化組合物IM施加硬化能量來使基板S上的可硬化組合物IM硬化。
膜形成裝置IMP包括用於在模具M的後側(與基板S相對的表面的相對側)形成空間SP的透射構件TR。透射構件TR由透射來自硬化單元CU的硬化能量的材料製成,並可以向基板S上的可硬化組合物IM施加硬化能量。
膜形成裝置IMP包括壓力控制單元PC,該壓力控制單元PC藉由控制空間SP的壓力來控制模具M在Z軸方向上的變形。例如,當壓力控制單元PC使空間SP的壓力高於大氣壓力時,模具M朝向基板S變形成凸形。
膜形成裝置IMP包括用於在基板S上配置、供應或分配可硬化組合物IM的分配器DSP。然而,由其它裝置配置可硬化組合物IM的基板S可以被供應(裝載)到膜形成裝置IMP。在這種情況下,膜形成裝置IMP不需要包括分配器DSP。
膜形成裝置IMP可以包括用於測量基板S(或基板S的壓射區域)與模具M之間的位置偏移(對準誤差)的對準觀察儀(alignment scope)AS。
模擬裝置1執行預測在由膜形成裝置IMP執行的處理中可硬化組合物IM的行為的計算。更具體地,模擬裝置1執行預測在使配置在基板S上的可硬化組合物IM的多個液滴與模具M接觸並在基板S與模具M之間的空間中形成可硬化組合物IM的膜的處理中可硬化組合物IM的行為的計算。
模擬裝置1例如藉由在通用或專用電腦中裝入模擬程式(simulation program)21來形成。注意的是,模擬裝置1可以由諸如FPGA(現場可程式化閘陣列)之類的PLD(可程式化邏輯裝置)形成。可替換地,模擬裝置1可以由ASIC(特殊應用積體電路)形成。
在該實施例中,模擬裝置1藉由將模擬程式21儲存在包括處理器10、記憶體20、顯示器30和輸入設備40的電腦中的記憶體20中來形成。記憶體20可以是半導體記憶體、諸如硬碟之類的盤或其它形式的記憶體。模擬程式21可以被儲存在電腦可讀儲存媒體中,或者經由諸如電信網路之類的通信設施提供到模擬裝置1。
根據本發明的模擬方法和模擬裝置關於在基板與模具之間的空間中形成可硬化組合物的膜的處理(例如,壓印處理)中的可硬化組合物的行為的模擬。下面,將更具體地描述每個實施例中的由模擬裝置1執行的模擬方法。
<第一實施例>
圖2是示出與根據第一實施例的模擬方法關聯的模擬裝置1的顯示器30上設置(顯示)的使用者介面的示例的視圖。在該實施例中,如圖2中所示,用於預測可硬化組合物IM的行為的模擬是藉由使用者在參考設置在顯示器30上的使用者介面的同時經由輸入設備40輸入需要的資訊來執行的。
例如,當輸入用於模擬的條件(下文中,將被稱為“模擬條件”)時,設定檔案201被預先建立並被儲存在記憶體20中。設定檔案201是整合並管理要模擬的壓印處理的條件的檔案。在設定檔案201中,包括模具M的設計資訊的模具設計檔案202、包括基板S的設計資訊的基板設計檔案203以及指示可硬化組合物IM的液滴的排出量和配置的液滴配置檔案204被指定為設定條件。
注意的是,在該實施例中,為了便於描述的緣故,作為關於設定檔案201中指定的壓印處理的條件的設定條件,示出了三個具體檔案(模具設計檔案202、基板設計檔案203和液滴配置檔案204)。然而,該實施例中未示出的壓印處理的條件也可以被設定為設定條件,並且其檔案可以被建立並被儲存在記憶體20中以形成庫(library)。
通常地,預先儲存在記憶體20中的檔案被用作設定檔案201中指定的每個檔案。如上所述,藉由在記憶體20中儲存多個檔案並形成庫,可以促進分析條件的設定。在設定檔案201中指定的每個檔案的檔案名被顯示在條件顯示窗口205中。關於設定檔案201的影像資訊被顯示在可視窗口206中,以防止設定檔案201的錯誤輸入。
還在設定檔案201中設定模擬條件。例如,與諸如將模具M壓靠配置在基板S上的可硬化組合物IM的力(壓力)以及將模具M壓靠可硬化組合物IM的時間(填充時間)之類的壓印有關的資訊被設定為模擬條件。
還在設定檔案201中設定計算模式。計算模式確定模擬的步驟。根據計算模式,執行模擬(其每個步驟中的計算)。
在執行模擬時,使用者(操作者)檢查在條件顯示窗口205中顯示的資訊以及在可視窗口206中顯示的資訊。例如,如果資訊沒有問題,則使用者操作執行按鈕以執行模擬。
在可視窗口206中顯示模擬結果。注意的是,可視窗口206不限於圖2中示出的大小、形狀和數量。藉由根據可視窗口206中顯示的模擬結果自由地改變可視窗口206的大小、形狀和數量來在顯示器30上顯示可視窗口206。
圖3A至圖3C是示出根據該實施例的模擬方法的概況的視圖。參考圖3A至圖3C,將描述根據該實施例的模擬方法中的模擬(計算方法)。圖3A示出了模具M的圖案區域PR與基板S被重疊並且從+Z方向觀察的狀態。圖3B和圖3C中的每個示出了隨後將描述的模擬範圍306被擴大並且從 -Y方向觀察的狀態。圖3B示出了第一模擬(計算方法)的概況,並且圖3C示出了第二模擬(計算方法)的概況。這裡,模具M的圖案區域PR是模具M的與可硬化組合物IM接觸的接觸表面。
如圖3A至圖3C中所示,模具側標記301設置在模具M的圖案區域PR中。模具側標記301是用於諸如相對於基板S定位和壓印處理後的位置測量之類的多個應用的標記。例如,模具側標記301是由TTM(藉由模具)對準觀察儀檢測並被用於模具M與基板S之間的對準的標記。注意的是,許多標記和圖案設置在模具M中,但在圖3A至圖3C中省略了除了模具側標記301之外的標記和圖案的圖示。
基板側標記305設置在基板S中。基板側標記305例如經由模具M由TTM對準觀察儀檢測,並被用於模具M與基板S之間的對準。注意的是,許多標記和圖案設置在基板S中,但在圖3A至圖3C中省略了除了基板側標記305之外的標記和圖案的圖示。
可硬化組合物IM的液滴302配置在模具M和基板S之間。為了便於描述的緣故,圖3A中示出的液滴302的大小和數量被簡化。實際上,大量的液滴302配置在模具M和基板S之間。
在該實施例中,使用預測可硬化組合物IM的行為的精度不同的兩種模擬,也就是說,第一模擬和第二模擬。第一模擬是以第一精度預測可硬化組合物IM的行為的簡單計算方法,而第二模擬是以比第一精度高的第二精度預測可硬化組合物IM的行為的詳細計算方法。如圖3B中所示,第一模擬使用第一計算網格303預測(計算)可硬化組合物IM的行為,並且如圖3C中所示,第二模擬使用第二計算網格304預測(計算)可硬化組合物IM的行為。這裡,第一計算網格303和第二計算網格304中的每個是表示計算單元的計算組件的集合。在圖3B和圖3C中,被配置為形成網格的多個微小矩形中的每個是計算組件。在一般方法中,為了分析可硬化組合物IM的液滴302的行為,定義由足夠小於可硬化組合物IM的每個液滴302的尺寸的計算組件形成的計算網格。然後,提取與每個計算組件對應的模具M的圖案資訊,並且可硬化組合物IM的液滴302的行為被表示為可硬化組合物IM的液滴302的體積與每個計算組件的體積之間的比率。
模擬範圍306指示執行模擬的範圍。在該實施例中,為了減小計算成本(計算負荷),執行模擬的範圍,即,模擬範圍306被限制。在該實施例中,假定第一模擬使用模具M的整個圖案區域PR作為模擬範圍。然而,為了圖示的方便,模擬範圍306將被描述為執行第一模擬的範圍。
由於第一模擬是簡單計算方法,因此在模擬範圍306中定義的計算網格中的計算組件的數量小於用於第二模擬的計算組件的數量。例如,當藉由將液滴302視為連接模具M與基板S的一個柱(pillar)來簡化和計算流體行為時,用於模擬的第一計算網格303中的計算組件的數量可以相對少。另外,在第一模擬中,為了簡化計算,在計算中省略了在作為微小空間的模具側標記301和基板側標記305中的每個中定義的計算網格。在第一模擬中,藉由將計算網格的計算組件的數量抑制為少來減小計算成本。因此,可以在將模擬範圍設定為基板S上配置有可硬化組合物IM的多個液滴的區域(模具M的整個圖案區域PR)的同時執行計算。
第二模擬是詳細計算方法,並且被假定為計算可硬化組合物IM的液滴302連接的流體行為。例如,當計算模具M(其圖案區域PR)與基板S之間的空間中的液滴302的流體行為時,應該在模具M與基板S之間的空間中定義相對大量的計算網格的計算組件。另外,當計算進入模具側標記301的液滴302的行為(填充)時,還需要在模具側標記301中定義計算網格。
模具側標記301由凹部形成。當模具側標記301被可硬化組合物IM填充時,在壓印處理之後,在可硬化組合物IM的膜中形成與模具側標記301對應的凸部。液滴302的直徑約為幾百微米。另一方面,模具側標記301的線寬的範圍為幾微米至幾十微米。因此,模具側標記301(凹部)的空間非常小。因此,當計算模具側標記301中的可硬化組合物IM的填充性時,需要在模具側標記301以及基板S與模具M之間的空間中定義小計算組件。換句話說,針對在第二模擬中預測可硬化組合物IM的行為而定義的第二計算網格304的計算組件的數量大於針對在第一模擬中預測可硬化組合物IM的行為而定義的第一計算網格303的計算組件的數量。由於計算網格的計算組件的數量增加導致計算成本升高,因此難以將模擬範圍設定為基板S上配置有可硬化組合物IM的多個液滴的區域(模具M的整個圖案區域PR)。
根據該實施例的模擬方法藉由組合第一模擬和第二模擬來預測可硬化組合物IM的行為。在第一模擬中,模具M的整個圖案區域PR被設定為模擬範圍,並且計算液滴302的擴散、限制在液滴302之間的氣體的分佈、所限制的氣體的壓力分佈等。另一方面,在第二模擬中,基於第一模擬的結果來更詳細地計算可硬化組合物IM的行為。
如以上已經描述的,由於第二模擬是計算成本非常高的計算方法,因此將模具M的整個圖案區域PR設定為模擬範圍是不實際的。因此,藉由將用於執行第二模擬的模擬範圍306限制為可硬化組合物IM的行為(液滴302的擴散)變得特定的區域,更具體地,限制為出現填充不良的區域,計算成本降低。例如,模具側標記301附近的區域被設定為用於執行第二模擬的模擬範圍306。
可以從包括模具M的設計資訊的模具設計檔案202獲得模具M的圖案區域PR中的模具側標記301的位置。因此,從模具設計檔案202中提取模具側標記301的位置資訊,並且藉由將模擬範圍306限制為模具側標記301的位置附近的區域來執行第二模擬。即使考慮配置在遠離模具側標記301的區域中的液滴302的流動性,相對於其所需的計算成本,計算精度的提高小。因此,限制用於執行第二模擬的模擬範圍306導致計算成本減小。
參考圖4,將描述根據第一實施例的模擬方法。在該實施例中,將描述預測模具側標記301中可硬化組合物IM的填充性作為可硬化組合物IM的行為的示例。
在步驟S401中,模擬裝置1確定模擬條件。這裡,關於膜形成裝置IMP、模具M、基板S、分配器DS等的資訊被確定為模擬條件。為了在設定檔案201中反映這樣的資訊,檢查資訊是否已經被儲存在記憶體20中。如果該資訊尚未被儲存在記憶體20中,則經由輸入設備40將資訊儲存在記憶體20中。
在步驟S402中,模擬裝置1建立設定檔案201。在步驟S402中建立的設定檔案201被儲存在記憶體20中,並且執行模擬程式21。另外,在該實施例中,在設定檔案201中設定評估模具側標記301中的可硬化組合物IM的填充性的計算模式。在該計算模式下,參考模具設計檔案202中包括的模具側標記301的座標資訊(位置資訊),基於座標資訊來設定用於執行第二模擬的模擬範圍。模擬程式21設置有藉由設定這樣的計算模式來最佳化模擬設定的機制。
在步驟S403中,模擬裝置1執行第一模擬(第四步驟)。由於如上所述,第一模擬的計算成本低,因此在該實施例中,為了掌握模具M的整個圖案區域PR中的液滴302的行為,執行第一模擬。因此,在將模具M的整個圖案區域PR設定為模擬範圍的同時執行第一模擬。在第一模擬中,計算(預測)液滴302的總體擴散、限制在液滴302之間的氣泡的分佈等。藉由在第二模擬中參考第一模擬的結果,可以減小第二模擬中的計算成本。將模具M的整個圖案區域PR設定為用於執行第一模擬的模擬範圍的原因之一在於,此時用於執行第二模擬的模擬範圍不確定。
在步驟S404中,模擬裝置1確定用於執行第二模擬的模擬範圍。如以上已描述的,確定用於執行以比第一精度高的第二精度預測可硬化組合物IM的行為的第二模擬的第二範圍,第二範圍被包括在用於執行以第一精度預測可硬化組合物IM的行為的第一模擬的第一範圍中(第一步驟)。在該實施例中,由於設定了評估可硬化組合物IM的填充性的計算模式,因此參考模具設計檔案202,在可視窗口206中顯示模具側標記301的計算目標區域(用於執行第二模擬的模擬範圍)。
注意的是,在該實施例中,包括模具側標記301的區域被確定為用於執行第二模擬的模擬範圍,但也可以基於關於基板側標記305的資訊來確定用於執行第二模擬的模擬範圍。藉由在設定檔案201中設定以基板側標記305為目標的計算模式,可以參考基板設計檔案203中包括的基板側標記305的座標資訊(位置資訊)來確定用於執行第二模擬的模擬範圍。要被參考的資訊不限於基板側標記305的座標資訊,並且也可以參考關於基板設計檔案203中包括的其它標記、圖案等的資訊。
可替換地,可以設定基於第一模擬的結果來確定用於執行第二模擬的模擬範圍的計算模式。在該實施例中,藉由執行第一模擬,可以計算限制在液滴302之間的氣泡的分佈。因此,參考第一模擬的結果,例如,氣泡的數量和大小,指定異常部分,更具體地,出現填充不良的區域,並且用於執行第二模擬的模擬範圍可以被確定以包括所指定的區域。
在該實施例中,僅基於關於模具側標記301的資訊來確定用於執行第二模擬的模擬範圍,但本發明不限於此。例如,還可以不僅基於關於模具側標記301的資訊,而且基於關於基板側標記305的資訊或第一模擬的結果的組合來確定用於執行第二模擬的模擬範圍。
注意的是,用於執行第二模擬的模擬範圍可以由模擬程式21自動地確定。用於執行第二模擬的模擬範圍可以藉由根據使用者輸入調整由模擬程式21暫時確定(建議)的模擬範圍來確定。如果自動地確定了用於執行第二模擬的模擬範圍,則可以減少等待使用者輸入的時間,這導致計算成本的改進。例如,如果使用者調整了用於執行第二模擬的模擬範圍,則使用者可以參考第一模擬的結果,使得可以確定更合適的範圍。
在步驟S405中,模擬裝置1在步驟S404中確定的模擬範圍中執行第二模擬(第二步驟)。如果自動地確定了用於執行第二模擬的模擬範圍,則不需要手動地設定和調整模擬範圍,因此使用者不需要關心步驟S404和S405。因此,在第二模擬的執行中,可以實現效率的進一步提高。
在步驟S406中,模擬裝置1在可視窗口206中顯示在步驟S403中執行的第一模擬的結果或在步驟S405中執行的第二模擬的結果(第三步驟)。在該實施例中,由於設定了評估模具側標記301中的可硬化組合物IM的填充性的計算模式,因此在可視窗口206中顯示第二模擬的結果。可替換地,第一模擬的結果可以與第二模擬的結果一起被顯示在可視窗口206中。
根據該實施例,可以最佳地確定用於執行計算成本高的第二模擬的模擬範圍。這可以在維持模擬精度的同時減少計算成本。另外,可以在最小化使用者錯誤的同時執行模擬。以這種方式,根據該實施例的模擬方法可以實現維持模擬精度以及抑制計算成本。
注意的是,在該實施例中,已經描述了基於模具M的設計資訊來確定用於執行第二模擬的模擬範圍的示例,但本發明不限於此。例如,模擬範圍可以基於基板S的設計資訊、可硬化組合物IM的多個液滴的配置資訊、模具M的圖案區域PR的位置資訊、以及關於第一模擬的結果的資訊中的至少一個來確定。
如果基於模具M的設計資訊、基板S的設計資訊、可硬化組合物IM的多個液滴的配置資訊、以及模具M的圖案區域PR的位置資訊中的至少一個來確定模擬範圍,則步驟S404和S405可以與步驟S403平行執行。注意的是,如果步驟S403、S404和S405按此順序執行,則可以基於上述資訊來暫時確定模擬範圍,並且可以基於關於第一模擬的結果的資訊來調整暫時確定的模擬範圍。
<第二實施例>
參考圖5,將描述根據第二實施例的模擬方法。在該實施例中,將描述預測模具M的圖案區域PR的邊緣部分中的可硬化組合物IM的滲出或未填充作為可硬化組合物IM的行為的示例。在該實施例中,使用液滴配置檔案204確定用於執行第二模擬的模擬範圍。更具體地,從液滴配置檔案204建立維諾圖,並且參考可硬化組合物IM的液滴(其擴散)的密度。
在步驟S601中,模擬裝置1確定模擬條件。步驟S601與圖4中示出的步驟S401類似,這裡將省略其詳細描述。
在步驟S602中,模擬裝置1建立設定檔案201。在該實施例中,在設定檔案201中設定基於從維諾圖獲得的液滴面積資訊和液滴位置資訊來確定用於執行第二模擬的模擬範圍的計算模式。在該計算模式下,在建立模具M的整個圖案區域PR的維諾圖之後,用於執行第二模擬的模擬範圍是藉由基於可硬化組合物IM的液滴的位置資訊將其限制於圖案區域PR的邊緣部分附近的液滴來確定的。
在步驟S603中,模擬裝置1建立維諾圖。這裡,維諾圖是產生點被設定在配置在模具M和基板S之間的多個液滴302的位置處,並且基於接近模具M的圖案區域PR中的相應點的產生點來執行區域劃分的圖。另外,維諾圖是由多個液滴302和與相應液滴302對應的區域形成的圖。建立維諾圖對應於執行第一實施例中描述的第一模擬(第四步驟)。這裡,為了掌握與模具M的圖案區域PR中的液滴302對應的區域的所有面積,針對整個圖案區域PR建立維諾圖。當建立維諾圖時,配置有每個液滴302的位置的座標資訊和與每個液滴302對應的區域的面積資訊被轉換為數值並在記憶體20中列出。座標資訊和面積資訊被視覺化為維諾圖,以使使用者更容易經由可視窗口206檢查液滴配置。
圖6是示出了在步驟S603中建立的維諾圖501的示例的視圖。基於液滴配置檔案204中包括的液滴配置資訊來建立維諾圖501。如以上已描述的,在本實施例中建立模具M的整個圖案區域PR的維諾圖501,但在圖6中,圖案區域PR的邊緣部分502(拐角部分)被提取並被示出。
邊緣部分502是成為由可硬化組合物IM形成的膜的端部-即,模具M的圖案區域PR的最外周的部分。注意的是,邊緣部分502的座標資訊可以藉由參考模具設計檔案202或基板設計檔案203來獲得。
根據維諾圖501,可以預測多個液滴302中的每個的擴散區域,並掌握液滴302的密度。參考圖6,液滴302的配置在大面積的區域中是稀疏的,並且液滴302的配置在小面積的區域中是密集的。通常,來自分配器DSP的液滴302的排出量是恆定的。因此,在小面積的區域中,液滴302的高度變高,而在大面積的區域中,液滴302的高度變低。另外,在大面積的區域中關注可硬化組合物IM的未填充,而在小面積的區域中關注可硬化組合物IM的滲出。因此,藉由在液滴302的面積與其它液滴的面積非常不同的部分中執行第二模擬,可以抑制計算成本。
在步驟S604中,模擬裝置1確定用於執行第二模擬的模擬範圍(第一步驟)。在該實施例中,藉由將在步驟S603中建立的維諾圖501(液滴302的密度)與儲存在記憶體20中的列表進行比較,模具M的圖案區域PR的端部502附近的部分被確定為用於執行第二模擬的模擬範圍。在可視窗口206中顯示在步驟S604中確定的模擬範圍,並且使用者可以經由可視窗口206檢查用於執行第二模擬的模擬範圍。在可視窗口206中顯示的模擬範圍可以是根據使用者輸入可調整的。
在步驟S605中,模擬裝置1在步驟S604中確定的模擬範圍中執行第二模擬(第二步驟)。
在步驟S606中,模擬裝置1在可視窗口206中顯示在步驟S605中執行的第二模擬的結果(第三步驟)。在該實施例中,在可視窗口206中顯示相對於模具M的圖案區域PR的邊緣部分502出現了可硬化組合物IM的滲出或未填充的部分。
根據該實施例,可以最佳地確定用於執行計算成本高的第二模擬的模擬範圍。這可以在維持模擬精度的同時減少計算成本。另外,可以在最小化使用者錯誤的同時執行模擬。以這種方式,根據該實施例的模擬方法可以實現維持模擬精度以及抑制計算成本。
<第三實施例>
參考圖7,將描述根據第三實施例的模擬方法。在該實施例中,藉由使用作為外部測量裝置的顯微鏡,指定經由壓印處理形成在基板S上的可硬化組合物IM的膜中產生的諸如氣泡之類的缺陷的位置。然後,基於所指定的位置,在出現了許多缺陷的部分中執行第一模擬。
在步驟S701中,模擬裝置1確定模擬條件。步驟S701與圖4中示出的步驟S401類似,這裡將省略其詳細描述。
在步驟S702中,模擬裝置1建立設定檔案201。在該實施例中,在設定檔案201中設定基於隨後將描述的缺陷資訊來確定用於執行第一模擬的模擬範圍的計算模式。以這種方式,在該實施例中,重要的是在設定檔案201中反映在基板S上形成可硬化組合物IM的膜時的壓印條件。
在步驟S703中,模擬裝置1獲得指示在形成在基板S上的可硬化組合物IM的膜中出現的缺陷的位置的缺陷資訊。缺陷資訊是關於藉由執行壓印處理而形成的可硬化組合物IM的膜的測量結果的資訊。例如,藉由使用顯微鏡測量形成在基板S上的可硬化組合物IM的膜來獲得缺陷資訊。此時,缺陷的面積和座標資訊被列出並被儲存在記憶體20中。對模具M的整個圖案區域PR執行該列出。
在步驟S704中,模擬裝置1確定用於執行第一模擬的模擬範圍。以這種方式,確定用於執行預測可硬化組合物IM的行為的第一模擬的第二範圍(包括出現了缺陷的部分的範圍),第二範圍被包括在第一範圍(模具M的整個圖案區域PR)中並小於第一範圍(第一步驟)。在該實施例中,藉由將在步驟S703中獲得的缺陷資訊與儲存在記憶體20中的列表進行比較,出現了缺陷的部分被確定為用於執行第一模擬的模擬範圍。在該實施例中,設定檔案201被設定為使得執行第一模擬而不在可視窗口206中顯示上述資訊。因此,在使用者不調整模擬範圍的情況下根據模擬程式21自動地確定模擬範圍,並且自動地開始第一模擬。因此,在第一模擬的執行中,可以實現效率的進一步提高。此外,如果出現了缺陷的部分是有限區域,則不需要在模具M的整個圖案區域PR中執行第一模擬,使得模擬範圍可以被限制。這可以減少計算成本。
在步驟S705中,模擬裝置1在步驟S704中確定的模擬範圍中執行第一模擬(第二步驟)。
在步驟S706中,模擬裝置1在可視窗口206中顯示在步驟S705中執行的第一模擬的結果(第三步驟)。在該實施例中,關於出現了缺陷的部分的資訊被顯示在可視窗口206中作為可硬化組合物IM的行為。在該實施例中,可以將由顯微鏡獲得的缺陷資訊與第一模擬的結果相對比較。因此,變得較容易指定缺陷的原因。
如以上已描述的,在該實施例中,基於關於藉由執行壓印處理而形成的可硬化組合物IM的膜的測量結果的資訊,確定用於執行第一模擬的模擬範圍。據此,用於執行第一模擬的模擬範圍可以在適合於該目的的範圍中被適當地確定。這可以在維持模擬精度的同時減少計算成本。另外,可以在最小化使用者錯誤的同時執行模擬。以這種方式,根據該實施例的模擬方法可以實現維持模擬精度以及抑制計算成本。
本發明的(一個或多個)實施例還可以藉由讀出並執行記錄在儲存媒體(也可以被更完整地稱為“非暫態性電腦可讀儲存媒體”)上的電腦可執行指令(例如,一個或多個程式)以執行上述(一個或多個)實施例中的一個或多個實施例的功能及/或包括用於執行上述(一個或多個)實施例中的一個或多個實施例的功能一個或多個電路(例如,特殊應用積體電路(ASIC))的系統或裝置的電腦來實現,以及藉由例如從儲存媒體讀出並執行電腦可執行指令以執行上述(一個或多個)實施例中的一個或多個實施例的功能及/或控制一個或多個電路以執行上述(一個或多個)實施例中的一個或多個實施例的功能而藉由由系統或裝置的電腦執行的方法來實現。電腦可以包括一個或多個處理器(例如,中央處理單元(CPU)、微處理單元(MPU)),並且可以包括單獨電腦或單獨處理器的網路,以讀出並執行電腦可執行指令。電腦可執行指令可以例如從網路或儲存媒體提供到電腦。儲存媒體可以包括例如硬碟、隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、分散式計算系統的儲存裝置、光碟(諸如光碟(CD)、數位多功能光碟(DVD)或藍光光碟(BD)
TM)、快閃記憶體設備、記憶卡等中的一個或多個。
包含模擬裝置1的膜形成裝置IMP基於由模擬裝置1執行的可硬化組合物的行為的預測,控制使配置在第一構件上的可硬化組合物與第二構件接觸並形成可硬化組合物的膜的處理。
根據本發明的物件製造方法包括在重複上述模擬方法的同時確定使配置在第一構件上的可硬化組合物與第二構件接觸並形成可硬化組合物的膜的處理的條件的步驟以及根據該條件執行該處理的步驟。到目前為止,已經描述了模具包括圖案的模式,但本發明也適用於基板包括圖案的模式。
圖8A至圖8F示出了製造物件的方法的更具體示例。如圖8A中圖示的,準備具有諸如形成在表面上的絕緣體之類的經處理的材料的諸如矽晶元之類的基板。接下來,藉由噴墨方法等將壓印材料(可硬化組合物)施加到經處理的材料的表面。這裡示出了壓印材料作為多個液滴被施加到基板上的狀態。
如圖8B中所示,用於壓印的形成有凸起和凹槽圖案的模具的一側被使得面對基板上的壓印材料。如圖8C中圖示的,施加有壓印材料的基板與模具接觸,並施加壓力。模具與經處理的材料之間的間隙被用壓印材料填充。在該狀態下,當壓印材料藉由模具被用作硬化能量的光照射時,壓印材料被硬化。
如圖8D中所示,在壓印材料硬化之後,模具從基板脫離。因此,在基板上形成壓印材料的硬化產物的圖案。在硬化產物的圖案中,模具的凹槽對應於硬化產物的凸起,並且模具的凸起對應於硬化產物的凹槽。即,模具的凸起和凹槽圖案被轉印到壓印材料。
如圖8E中所示,當使用硬化產物的圖案作為抗刻蝕遮罩來執行刻蝕時,經處理的材料的表面不存在硬化產物或保留薄的部分被去除以形成凹槽。如圖8F中所示,當硬化產物的圖案被去除時,可以獲得在經處理的材料的表面形成有凹槽的物件。這裡硬化材料的圖案被去除,但是例如該圖案可以被用作半導體元件等中包括的層之間的絕緣膜而不在處理後被去除,換句話說,被用作物件的組成構件。
本發明不限於以上實施例,並且可以在本發明的精神和範圍內進行各種改變和修改。因此,為了使公眾知道本發明的範圍,提出隨附的申請專利範圍。
雖然已經參考示例性實施例描述了本發明,但要理解,本發明不限於所公開的示例性實施例。隨附申請專利範圍的範圍應被賦予最寬泛的解釋,以包含所有這樣的修改以及等同的結構和功能。
1:模擬裝置
10:處理器
20:記憶體
21:模擬
30:顯示器
40:輸入設備
201:設定檔案
202:模具設計檔案
203:基板設計檔案
204:液滴配置檔案
205:條件顯示窗口
206:可視窗口
301:模具側標記
302:液滴
303:第一計算網格
305:基板側標記
306:模擬範圍
501:維諾圖
502:邊緣部分
IM:可硬化組合物
IMP:膜形成裝置
M:模具
PR:圖案區域
S:基板
S401:步驟
S402:步驟
S403:步驟
S404:步驟
S405:步驟
S406:步驟
S601:步驟
S602:步驟
S603:步驟
S604:步驟
S605:步驟
S606:步驟
S701:步驟
S702:步驟
S703:步驟
S704:步驟
S705:步驟
S706:步驟
[圖1]是示出根據本發明的實施例的膜形成裝置和模擬裝置的配置的示意圖。
[圖2]是示出設置在模擬裝置的顯示器上的使用者介面的示例的視圖。
[圖3A]至[圖3C]是示出根據第一實施例的模擬方法的概況的視圖。
[圖4]是用於描述根據第一實施例的模擬方法的流程圖。
[圖5]是用於描述根據第二實施例的模擬方法的流程圖。
[圖6]是示出了維諾圖(Voronoi Diagram)的示例的視圖。
[圖7]是用於描述根據第三實施例的模擬方法的流程圖。
[圖8A]至[圖8F]是用於描述物件製造方法的視圖。
Claims (16)
- 一種模擬方法,所述模擬方法預測在使配置在第一構件上的可硬化組合物的多個液滴與第二構件接觸並在所述第一構件與所述第二構件之間的空間中形成可硬化組合物的膜的處理中可硬化組合物的行為,所述方法包括:確定用於執行以比第一精度高的第二精度預測所述行為的第二模擬的第二範圍,所述第二範圍被包括在用於執行以所述第一精度預測所述行為的第一模擬的第一範圍中並且所述第二範圍小於所述第一範圍;在所述第二範圍中執行所述第二模擬;以及顯示在所述第二範圍中執行的所述第二模擬的結果,其中,在所述確定中,基於所述第一構件的設計資訊、所述第二構件的設計資訊、可硬化組合物的所述多個液滴的配置資訊、所述第二構件的與可硬化組合物的所述多個液滴接觸的接觸表面的位置資訊、以及關於在所述第一範圍中執行的所述第一模擬的結果的資訊當中的至少一條資訊來確定所述第二範圍。
- 根據請求項1所述的方法,其中,在所述確定中,基於所述至少一條資訊,指定在所述第一構件上配置有可硬化組合物的所述多個液滴的區域中出現填充不良的區域,並且所述第二範圍被確定以便包括出現填充不良的區域。
- 根據請求項1所述的方法,還包括 在所述確定之前,在所述第一範圍中執行所述第一模擬。
- 根據請求項3所述的方法,其中,在所述顯示中,還顯示在所述第一範圍中執行的所述第一模擬的結果。
- 根據請求項1所述的方法,其中,所述確定包括基於所述第一構件的設計資訊、所述第二構件的設計資訊、可硬化組合物的所述多個液滴的配置資訊、以及所述第二構件的與可硬化組合物的所述多個液滴接觸的接觸表面的位置資訊當中的所述至少一條資訊來暫時確定所述第二範圍,並且藉由基於關於在所述第一範圍中執行的所述第一模擬的結果的資訊調整暫時確定的所述第二範圍來確定所述第二範圍。
- 根據請求項1所述的方法,其中,所述確定包括基於所述至少一條資訊來暫時確定所述第二範圍,並且藉由根據使用者輸入調整所述暫時確定的第二範圍來確定所述第二範圍。
- 根據請求項1所述的方法,其中,針對在所述第二模擬中預測所述行為而定義的計算網格的計算組件的數量大於針對在所述第一模擬中預測所述行為而定義的計算網格的計算組件的數量。
- 根據請求項1所述的方法,其中,用於在所述第二模擬中預測所述行為的計算負荷大於用於在所述第一模擬中預測所述行為的計算負荷。
- 一種模擬方法,所述模擬方法預測在使配置在第一構件上的可硬化組合物的多個液滴與第二構件接觸並在所述第一構件與所述第二構件之間的空間中形成可硬化組合物的膜的處理中可硬化組合物的行為,所述方法包括:確定包括在用於執行預測所述行為的模擬的第一範圍中的第二範圍,所述第二範圍小於所述第一範圍;在所述第二範圍中執行所述模擬;以及顯示在所述第二範圍中執行的所述模擬的結果,其中,在所述確定中,基於關於藉由執行所述處理而形成的可硬化組合物的膜的測量結果的資訊來確定所述第二範圍。
- 一種模擬裝置,所述模擬裝置預測在使配置在第一構件上的可硬化組合物的多個液滴與第二構件接觸並在所述第一構件與所述第二構件之間的空間中形成可硬化組合物的膜的處理中可硬化組合物的行為,其中,確定用於執行以比第一精度高的第二精度預測所述行為的第二模擬的第二範圍,所述第二範圍被包括在用於執行以所述第一精度預測所述行為的第一模擬的第一範圍中並且所述第二範圍小於所述第一範圍,在所述第二範圍中執行所述第二模擬, 顯示在所述第二範圍中執行的所述第二模擬的結果,並且當確定所述第二範圍時,基於所述第一構件的設計資訊、所述第二構件的設計資訊、可硬化組合物的所述多個液滴的配置資訊、所述第二構件的與可硬化組合物的所述多個液滴接觸的接觸表面的位置資訊、以及關於在所述第一範圍中執行的所述第一模擬的結果的資訊當中的至少一條資訊來確定所述第二範圍。
- 一種模擬裝置,所述模擬裝置預測在使配置在第一構件上的可硬化組合物的多個液滴與第二構件接觸並在所述第一構件與所述第二構件之間的空間中形成可硬化組合物的膜的處理中可硬化組合物的行為,其中,確定包括在用於執行預測所述行為的模擬的第一範圍中的第二範圍,所述第二範圍小於所述第一範圍;在所述第二範圍中執行所述模擬,顯示在所述第二範圍中執行的所述模擬的結果,並且當確定所述第二範圍時,基於關於藉由執行所述處理而形成的可硬化組合物的膜的測量結果的資訊來確定所述第二範圍。
- 一種包含請求項10中限定的模擬裝置的膜形成裝置,其中,基於由模擬裝置執行的可硬化組合物的行為的預測,控制使配置在所述第一構件上的可硬化組合物的多個液滴與所述第二構件接觸並在所述第一構件與所述第二構件之 間的空間中形成可硬化組合物的膜的處理。
- 一種包含請求項11中限定的模擬裝置的膜形成裝置,其中,基於由模擬裝置執行的可硬化組合物的行為的預測,控制使配置在所述第一構件上的可硬化組合物的多個液滴與所述第二構件接觸並在所述第一構件與所述第二構件之間的空間中形成可硬化組合物的膜的處理。
- 一種物件製造方法,包括:在重複請求項1中限定的模擬方法的同時,確定使配置在所述第一構件上的可硬化組合物的多個液滴與所述第二構件接觸並在所述第一構件與所述第二構件之間的空間中形成可硬化組合物的膜的處理的條件,以及根據所述條件執行所述處理。
- 一種物件製造方法,包括:在重複請求項9中限定的模擬方法的同時,確定使配置在所述第一構件上的可硬化組合物的多個液滴與所述第二構件接觸並在所述第一構件與所述第二構件之間的空間中形成可硬化組合物的膜的處理的條件,以及根據所述條件執行所述處理。
- 一種非暫態儲存媒體,儲存用於使電腦執行請求項1中限定的模擬方法的程式。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020-128507 | 2020-07-29 | ||
JP2020128507A JP2022025596A (ja) | 2020-07-29 | 2020-07-29 | シミュレーション方法、シミュレーション装置、膜形成装置、物品の製造方法及びプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202226026A TW202226026A (zh) | 2022-07-01 |
TWI821705B true TWI821705B (zh) | 2023-11-11 |
Family
ID=80003051
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110125239A TWI821705B (zh) | 2020-07-29 | 2021-07-09 | 模擬方法、模擬裝置、膜形成裝置、物件製造方法和非暫態儲存媒體 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220035968A1 (zh) |
JP (1) | JP2022025596A (zh) |
KR (1) | KR20220014827A (zh) |
CN (1) | CN114065465A (zh) |
TW (1) | TWI821705B (zh) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201243490A (en) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Fujifilm Corp | Simulation method, computer readable recording medium, method for producing droplet arrangement pattern, nanoimprinting method, method for producing patterned substrate, and ink jet apparatus |
TW201429721A (zh) * | 2013-01-09 | 2014-08-01 | Toray Industries | 積層薄膜 |
US20170285479A1 (en) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Curing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
CN109311956A (zh) * | 2015-08-25 | 2019-02-05 | 伊斯迪德股份公司 | 诱导组织形成的化合物及其应用 |
-
2020
- 2020-07-29 JP JP2020128507A patent/JP2022025596A/ja active Pending
-
2021
- 2021-07-09 TW TW110125239A patent/TWI821705B/zh active
- 2021-07-14 US US17/375,076 patent/US20220035968A1/en active Pending
- 2021-07-21 KR KR1020210095296A patent/KR20220014827A/ko active Search and Examination
- 2021-07-26 CN CN202110841384.XA patent/CN114065465A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201243490A (en) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Fujifilm Corp | Simulation method, computer readable recording medium, method for producing droplet arrangement pattern, nanoimprinting method, method for producing patterned substrate, and ink jet apparatus |
TW201429721A (zh) * | 2013-01-09 | 2014-08-01 | Toray Industries | 積層薄膜 |
CN109311956A (zh) * | 2015-08-25 | 2019-02-05 | 伊斯迪德股份公司 | 诱导组织形成的化合物及其应用 |
US20170285479A1 (en) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Curing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022025596A (ja) | 2022-02-10 |
US20220035968A1 (en) | 2022-02-03 |
CN114065465A (zh) | 2022-02-18 |
KR20220014827A (ko) | 2022-02-07 |
TW202226026A (zh) | 2022-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2023106129A (ja) | シミュレーション方法、シミュレーション装置、膜形成装置、物品の製造方法、およびプログラム | |
US20230166430A1 (en) | Imprint apparatus, method of manufacturing article, planarized layer forming apparatus, information processing apparatus, and determination method | |
US10168615B2 (en) | Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method | |
JP6363838B2 (ja) | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 | |
US11366400B2 (en) | Method of determining drop recipe, imprint apparatus, and article manufacturing method | |
JP6584176B2 (ja) | インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法 | |
US20210173986A1 (en) | Simulation method, simulation apparatus, and storage medium | |
US11721011B2 (en) | Information processing apparatus, film forming apparatus, method of manufacturing article, and non-transitory computer-readable storage medium | |
TWI821705B (zh) | 模擬方法、模擬裝置、膜形成裝置、物件製造方法和非暫態儲存媒體 | |
JP2015018983A (ja) | インプリント装置およびインプリント方法、それを用いた物品の製造方法 | |
KR102601383B1 (ko) | 정보 처리 장치, 저장 매체, 리소그래피 장치, 제품의 제조 방법, 및 제품의 제조 시스템 | |
TW202113651A (zh) | 模擬方法、模擬裝置、儲存媒體、成膜方法和固化產品製造的方法 | |
KR20220124105A (ko) | 시뮬레이션 방법, 저장 매체, 시뮬레이션 장치, 막 형성 장치, 및 물품의 제조 방법 | |
US20240005128A1 (en) | Prediction method, information processing apparatus, film forming apparatus, article manufacturing method and non-transitory storage medium | |
JP2017199731A (ja) | インプリント装置および物品製造方法 | |
KR20230174169A (ko) | 시뮬레이션 장치 및 프로그램 | |
US20220261521A1 (en) | Simulation method, simulation apparatus, film forming apparatus, article manufacturing method and nontransitory storage medium | |
US20220035969A1 (en) | Simulation method, simulation apparatus, film forming apparatus, article manufacturing method and non-transitory storage medium | |
JP7475147B2 (ja) | 表示制御方法、編集支援方法、物品製造方法、プログラムおよび情報処理装置 | |
JP2022134089A (ja) | シミュレーション方法、シミュレーション装置、膜形成装置、プログラム、および物品の製造方法 | |
JP7475222B2 (ja) | シミュレーション方法、プログラム、シミュレーション装置、データベース、膜形成装置および物品製造方法 | |
JP2022013434A (ja) | シミュレーション方法、プログラム、シミュレーション装置、データベース、膜形成装置および物品製造方法 | |
JP2022021187A (ja) | シミュレーション方法、シミュレーション装置、プログラム、膜形成装置および物品製造方法 | |
JP2023085012A (ja) | インプリント方法、および物品製造方法 | |
JP2020123719A (ja) | シミュレーション方法、シミュレーション装置およびプログラム |