JP5840584B2 - 露光装置、露光方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
露光装置、露光方法および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5840584B2 JP5840584B2 JP2012196401A JP2012196401A JP5840584B2 JP 5840584 B2 JP5840584 B2 JP 5840584B2 JP 2012196401 A JP2012196401 A JP 2012196401A JP 2012196401 A JP2012196401 A JP 2012196401A JP 5840584 B2 JP5840584 B2 JP 5840584B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer side
- lower layer
- upper layer
- correction value
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Description
図1は、第1の実施形態に係る露光装置の構成を示す図である。露光装置(半導体リソグラフィ装置)1Aは、半導体装置を製造する際のリソグラフィ工程で用いられる装置である。
つぎに、図4を用いてこの発明の第2の実施形態について説明する。第2の実施形態では、反射型投影光学系を用いて構成される露光処理機構で露光を行う際に、下層アライメントデータ、下層入力補正値および下層フォーカスマップを用いて、下層側パターンに対する上層側パターンのアライメント補正値を算出する。
つぎに、図5を用いてこの発明の第3の実施形態について説明する。第3の実施形態では、レチクル形状に基づいて、下層側パターンに対する上層側パターンのアライメント補正値を算出する。
つぎに、図6を用いてこの発明の第4の実施形態について説明する。第4の実施形態では、レチクルの温度分布に基づいて、下層側パターンに対する上層側パターンのアライメント補正値を算出する。
つぎに、図7を用いてこの発明の第5の実施形態について説明する。第5の実施形態では、ウエハ15の温度分布に基づいて、下層側パターンに対する上層側パターンのアライメント補正値を算出する。
Claims (7)
- マスクパターンが形成された原版に露光光を照射することによって基板に前記マスクパターンに対応するパターンを転写する露光処理部と、
前記露光処理部を制御する制御部と、
を備え、
前記露光処理部は、
前記基板のマーク位置を示すアライメントデータを計測するアライメントデータ計測部と、
前記基板のフォーカスマップを計測するフォーカスマップ計測部と、
前記原版の表面形状を計測する原版形状計測装置と、
を有し、
前記制御部は、
これから露光処理を行う基板である露光対象基板の下層側パターンの位置に関する下層側位置情報と、前記露光対象基板に転写する上層側パターンの位置に関する上層側位置情報と、に基づいて、前記下層側パターンに対して前記上層側パターンを位置合わせする際に用いるアライメント補正値を算出するアライメント補正値算出部を有し、
前記下層側位置情報は、
前記下層側パターンを転写する際に計測された前記露光対象基板の下層側マーク位置を示す下層アライメントデータと、
前記下層側パターンを転写する際に計測されたフォーカスマップである下層フォーカスマップと、
前記露光対象基板よりも以前に露光処理された第1の基板から取得した下層側パターンと上層側パターンとの間の位置ずれ量の履歴に基づいて設定された前記位置合わせに対する補正値であって前記下層側パターンを形成する際に用いた下層補正値と、
前記下層側パターンの形成に用いられる下層用原版に対して前記下層側パターンを転写する際に計測された前記下層用原版の表面形状と、
を含み、
前記上層側位置情報は、
前記上層側パターンを転写する際に前記アライメントデータ計測部が計測した前記露光対象基板の上層側マーク位置を示す上層アライメントデータと、
前記上層側パターンを形成する際に計測したフォーカスマップである上層フォーカスマップと、
前記位置合わせに対する補正値であって前記上層側パターンを転写する際に用いる上層補正値と、
前記上層側パターンの形成に用いられる上層用原版に対して前記上層側パターンを転写する際に前記原版形状計測装置が計測した前記上層用原版の表面形状と、
を含み、
前記制御部は、前記アライメント補正値算出部が算出したアライメント補正値を用いて、前記下層側パターンに対する前記上層側パターンの位置合わせを制御することを特徴とする露光装置。 - マスクパターンが形成された原版に露光光を照射することによって基板に前記マスクパターンに対応するパターンを転写する露光処理部と、
前記露光処理部を制御する制御部と、
を備え、
前記露光処理部は、
前記基板のマーク位置を示すアライメントデータを計測するアライメントデータ計測部と、
前記基板のフォーカスマップを計測するフォーカスマップ計測部と、
を有し、
前記制御部は、
これから露光処理を行う基板である露光対象基板の下層側パターンの位置に関する下層側位置情報と、前記露光対象基板に転写する上層側パターンの位置に関する上層側位置情報と、に基づいて、前記下層側パターンに対して前記上層側パターンを位置合わせする際に用いるアライメント補正値を算出するアライメント補正値算出部を有し、
前記下層側位置情報は、
前記下層側パターンを転写する際に計測された前記露光対象基板の下層側マーク位置を示す下層アライメントデータと、
前記下層側パターンを転写する際に計測されたフォーカスマップである下層フォーカスマップと、
前記露光対象基板よりも以前に露光処理された第1の基板から取得した下層側パターンと上層側パターンとの間の位置ずれ量の履歴に基づいて設定された前記位置合わせに対する補正値であって前記下層側パターンを形成する際に用いた下層補正値と、
を含み、
前記上層側位置情報は、
前記上層側パターンを転写する際に前記アライメントデータ計測部が計測した前記露光対象基板の上層側マーク位置を示す上層アライメントデータと、
前記上層側パターンを形成する際に計測したフォーカスマップである上層フォーカスマップと、
前記位置合わせに対する補正値であって前記上層側パターンを転写する際に用いる上層補正値と、
を含み、
前記制御部は、前記アライメント補正値算出部が算出したアライメント補正値を用いて、前記下層側パターンに対する前記上層側パターンの位置合わせを制御することを特徴とする露光装置。 - 前記露光処理部は、前記原版の表面形状を計測する原版形状計測装置をさらに有し、
前記下層側位置情報は、前記下層側パターンの形成に用いられる下層用原版に対して前記下層側パターンを転写する際に計測された前記下層用原版の表面形状をさらに含み、
前記上層側位置情報は、前記上層側パターンの形成に用いられる上層用原版に対して前記上層側パターンを転写する際に前記原版形状計測装置が計測した前記上層用原版の表面形状をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の露光装置。 - 前記露光処理部は、前記原版の温度分布を計測する原版温度分布計測装置をさらに有し、
前記下層側位置情報は、前記下層側パターンの形成に用いられる下層用原版に対して前記下層側パターンを転写する際に計測された下層用原版の下層用原版温度分布をさらに含み、
前記上層側位置情報は、前記上層側パターンの形成に用いられる上層用原版に対して前記上層側パターンを転写する際に前記原版温度分布計測装置が計測した前記上層用原版の上層用原版温度分布をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の露光装置。 - 前記露光処理部は、前記基板の温度分布を計測する基板温度分布計測装置をさらに有し、
前記下層側位置情報は、前記下層側パターンを転写する際に計測された基板の下層側基板温度分布をさらに含み、
前記上層側位置情報は、前記上層側パターンを転写する際に前記基板温度分布計測装置が計測した基板の上層側基板温度分布をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の露光装置。 - 基板のマーク位置を示すアライメントデータを計測するアライメントデータ計測ステップと、
前記基板のフォーカスマップを計測するフォーカスマップ計測ステップと、
マスクパターンが形成された原版に露光光を照射することによって前記基板に前記マスクパターンに対応するパターンを転写する露光処理ステップと、
を有し、
前記露光処理を行う際には、これから露光処理を行う基板である露光対象基板の下層側パターンの位置に関する下層側位置情報と、前記露光対象基板に転写する上層側パターンの位置に関する上層側位置情報と、に基づいて、前記下層側パターンに対して前記上層側パターンを位置合わせする際に用いるアライメント補正値を算出し、
前記下層側位置情報は、
前記下層側パターンを転写する際に計測され前記露光対象基板の下層側マーク位置を示す下層アライメントデータと、
前記下層側パターンを転写する際に計測されたフォーカスマップである下層フォーカスマップと、
前記露光対象基板よりも以前に露光処理された第1の基板から取得した下層側パターンと上層側パターンとの間の位置ずれ量の履歴に基づいて設定された前記位置合わせに対する補正値であって前記下層側パターンを形成する際に用いた下層補正値と、
を含み、
前記上層側位置情報は、
前記上層側パターンを転写する際にアライメントデータ計測部が計測した前記露光対象基板の上層側マーク位置を示す上層アライメントデータと、
前記上層側パターンを形成する際に計測したフォーカスマップである上層フォーカスマップと、
前記位置合わせに対する補正値であって前記上層側パターンを転写する際に用いる上層補正値と、
を含み、
算出したアライメント補正値を用いて、前記下層側パターンに対する前記上層側パターンの位置合わせを制御することを特徴とする露光方法。 - 基板のマーク位置を示すアライメントデータを計測するアライメントデータ計測ステップと、
前記基板のフォーカスマップを計測するフォーカスマップ計測ステップと、
マスクパターンが形成された原版に露光光を照射することによって前記基板に前記マスクパターンに対応するパターンを転写する露光処理ステップと、
転写されたパターンに対応する基板上パターンを前記基板上に形成するパターン形成ステップと、
を有し、
前記露光処理を行う際には、これから露光処理を行う基板である露光対象基板の下層側パターンの位置に関する下層側位置情報と、前記露光対象基板に転写する上層側パターンの位置に関する上層側位置情報と、に基づいて、前記下層側パターンに対して前記上層側パターンを位置合わせする際に用いるアライメント補正値を算出し、
前記下層側位置情報は、
前記下層側パターンを転写する際に計測され前記露光対象基板の下層側マーク位置を示す下層アライメントデータと、
前記下層側パターンを転写する際に計測されたフォーカスマップである下層フォーカスマップと、
前記露光対象基板よりも以前に露光処理された第1の基板から取得した下層側パターンと上層側パターンとの間の位置ずれ量の履歴に基づいて設定された前記位置合わせに対する補正値であって前記下層側パターンを形成する際に用いた下層補正値と、
を含み、
前記上層側位置情報は、
前記上層側パターンを転写する際にアライメントデータ計測部が計測した前記露光対象基板の上層側マーク位置を示す上層アライメントデータと、
前記上層側パターンを形成する際に計測したフォーカスマップである上層フォーカスマップと、
前記位置合わせに対する補正値であって前記上層側パターンを転写する際に用いる上層補正値と、
を含み、
算出したアライメント補正値を用いて、前記下層側パターンに対する前記上層側パターンの位置合わせを制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012196401A JP5840584B2 (ja) | 2012-09-06 | 2012-09-06 | 露光装置、露光方法および半導体装置の製造方法 |
US13/779,209 US8953163B2 (en) | 2012-09-06 | 2013-02-27 | Exposure apparatus, exposure method, and method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012196401A JP5840584B2 (ja) | 2012-09-06 | 2012-09-06 | 露光装置、露光方法および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014053426A JP2014053426A (ja) | 2014-03-20 |
JP5840584B2 true JP5840584B2 (ja) | 2016-01-06 |
Family
ID=50188040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012196401A Active JP5840584B2 (ja) | 2012-09-06 | 2012-09-06 | 露光装置、露光方法および半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8953163B2 (ja) |
JP (1) | JP5840584B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10379447B2 (en) * | 2013-07-10 | 2019-08-13 | Qoniac Gmbh | Method and apparatus for simulation of lithography overlay |
US11366397B2 (en) | 2013-07-10 | 2022-06-21 | Qoniac Gmbh | Method and apparatus for simulation of lithography overlay |
TW201520702A (zh) * | 2013-11-19 | 2015-06-01 | Huang Tian Xing | 對準誤差補償方法、系統,及圖案化方法 |
KR102421913B1 (ko) * | 2014-12-29 | 2022-07-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 노광 방법, 이를 수행하기 위한 노광 장치 및 이를 이용한 표시 기판의 제조방법 |
JP6462614B2 (ja) * | 2016-03-16 | 2019-01-30 | 東芝メモリ株式会社 | パターン精度検出装置及び加工システム |
JP7262921B2 (ja) * | 2017-11-28 | 2023-04-24 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置、プログラム、リソグラフィ装置、リソグラフィシステム、および物品の製造方法 |
CN109916279B (zh) * | 2019-03-04 | 2020-09-22 | Oppo广东移动通信有限公司 | 终端盖板的平整度检测方法、装置、测试机台及存储介质 |
US11442021B2 (en) * | 2019-10-11 | 2022-09-13 | Kla Corporation | Broadband light interferometry for focal-map generation in photomask inspection |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05315222A (ja) * | 1992-05-13 | 1993-11-26 | Nikon Corp | 位置合わせ方法 |
JP4434372B2 (ja) * | 1999-09-09 | 2010-03-17 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置およびデバイス製造方法 |
JP4419233B2 (ja) * | 1999-12-15 | 2010-02-24 | ソニー株式会社 | 露光方法 |
JP2001267238A (ja) | 2000-03-15 | 2001-09-28 | Nikon Corp | 荷電ビーム露光装置及び荷電ビーム露光方法 |
JP4725822B2 (ja) * | 2000-07-10 | 2011-07-13 | 株式会社ニコン | 光学的位置ずれ検出装置 |
JP2002203773A (ja) | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2002359178A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Canon Inc | 投影露光方法および投影露光装置 |
DE10253919B4 (de) | 2002-11-19 | 2004-09-23 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Justage eines Substrates in einem Gerät zur Durchführung einer Belichtung |
US7218399B2 (en) * | 2004-01-21 | 2007-05-15 | Nikon Corporation | Method and apparatus for measuring optical overlay deviation |
JP4612412B2 (ja) * | 2004-08-06 | 2011-01-12 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7239368B2 (en) | 2004-11-29 | 2007-07-03 | Asml Netherlands B.V. | Using unflatness information of the substrate table or mask table for decreasing overlay |
US7433051B2 (en) | 2006-03-09 | 2008-10-07 | Ultratech, Inc. | Determination of lithography misalignment based on curvature and stress mapping data of substrates |
JP2009283600A (ja) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Nec Electronics Corp | 露光アライメント調整方法、露光アライメント調整プログラム、及び露光装置 |
JP4930477B2 (ja) * | 2008-09-04 | 2012-05-16 | 富士通セミコンダクター株式会社 | パターンレイヤ間の位置合わせ方法、位置合わせ処理装置、および半導体装置の製造方法 |
US9164400B2 (en) * | 2009-08-07 | 2015-10-20 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP5868813B2 (ja) * | 2012-08-31 | 2016-02-24 | 株式会社東芝 | 位置ずれ計測方法 |
-
2012
- 2012-09-06 JP JP2012196401A patent/JP5840584B2/ja active Active
-
2013
- 2013-02-27 US US13/779,209 patent/US8953163B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014053426A (ja) | 2014-03-20 |
US8953163B2 (en) | 2015-02-10 |
US20140065528A1 (en) | 2014-03-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5840584B2 (ja) | 露光装置、露光方法および半導体装置の製造方法 | |
JP5289343B2 (ja) | 露光量決定方法、半導体装置の製造方法、露光量決定プログラムおよび露光量決定装置 | |
TW201812474A (zh) | 預測由疊對誤差造成之圖案化缺陷之方法 | |
JP2022115887A (ja) | 自由形状歪み補正 | |
JP2017037194A (ja) | 露光装置の制御方法、露光装置、プログラム、および物品の製造方法 | |
KR102396135B1 (ko) | 계산 방법, 노광 방법, 기억 매체, 노광 장치 및 물품 제조 방법 | |
JP7362594B2 (ja) | 露光システムアライメントおよび較正方法 | |
JP2012252055A (ja) | マスク検査方法、マスク作製方法および半導体装置の製造方法 | |
JP2011233744A (ja) | 露光方法および半導体デバイスの製造方法 | |
JPH1145851A (ja) | 露光方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
TWI519905B (zh) | 微影裝置及器件製造方法 | |
JP2011035009A (ja) | ディストーション及び基板ステージの移動特性の計測方法、露光装置並びにデバイス製造方法 | |
JP2010050148A (ja) | 合わせずれ測定方法および合わせずれ検査マーク | |
JP2009104024A (ja) | 露光マスク、フォーカス測定方法及びパターン形成方法 | |
US11294294B2 (en) | Alignment mark positioning in a lithographic process | |
JP5684168B2 (ja) | フレア計測方法、反射型マスクおよび露光装置 | |
US8336004B2 (en) | Dimension assurance of mask using plurality of types of pattern ambient environment | |
JP2009170559A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP2009302154A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP6381180B2 (ja) | 露光装置、情報管理装置、露光システムおよびデバイス製造方法 | |
US8885949B2 (en) | Pattern shape determining method, pattern shape verifying method, and pattern correcting method | |
US20230296880A1 (en) | Resist modeling method for angled gratings | |
JP7426845B2 (ja) | 計測方法、露光方法、物品の製造方法、プログラム及び露光装置 | |
JP2018116155A (ja) | 評価方法、物品製造方法およびプログラム | |
JP2016032003A (ja) | リソグラフィ装置、照射方法、及びデバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140829 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150406 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150908 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150916 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151013 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151111 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5840584 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |