JP2017034201A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置1の構成を示す断面図である。本実施の形態では、半導体装置1として、窒化物半導体を用いたヘテロ接合電界効果型トランジスタ(以下、単に「トランジスタ」という場合がある)を説明する。
図8は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置2の構成を示す断面図である。本実施の形態では、窒化物半導体を用いたヘテロ接合電界効果型トランジスタの他の例として、半導体装置2を説明する。本実施の形態の半導体装置2は、前述の実施の形態1の半導体装置1と構成が類似しているので、同一の構成については同一の参照符号を付して、共通する説明を省略する。
図10は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置3の構成を示す断面図である。本実施の形態では、窒化物半導体を用いたヘテロ接合電界効果型トランジスタの他の例として、半導体装置3を説明する。本実施の形態の半導体装置3は、前述の実施の形態1の半導体装置1と構成が類似しているので、同一の構成については同一の参照符号を付して、共通する説明を省略する。
図12は、本発明の実施の形態4に係る半導体装置4の構成を示す断面図である。本実施の形態では、窒化物半導体を用いたヘテロ接合電界効果型トランジスタの他の例として、半導体装置4を説明する。本実施の形態の半導体装置4は、前述の実施の形態1〜3の半導体装置1〜3と構成が類似しているので、同一の構成については同一の参照符号を付して、共通する説明を省略する。
Claims (12)
- 基板上に設けられた単結晶の窒化物半導体から成るチャネル層と、
前記チャネル層上に設けられ、アモルファスの窒化物半導体を含むバリア層と、
前記バリア層上に、互いに離隔して設けられるソース電極およびドレイン電極と、
前記バリア層上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられたゲート電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記バリア層は、
前記ソース電極の下方に設けられた第1の不純物領域と、
前記ドレイン電極の下方に設けられた第2の不純物領域と、
前記第1の不純物領域と前記第2の不純物領域との間に挟まれたチャネル領域とを備え、
前記第1の不純物領域および前記第2の不純物領域は、前記チャネル領域よりも高い濃度でn型不純物を含み、
前記ゲート電極は、前記絶縁膜を介して、前記第1の不純物領域の端部、前記チャネル領域、および前記第2の不純物領域の端部と対向することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記バリア層は、
前記ソース電極の下方に設けられた第1の不純物領域と、
前記ドレイン電極の下方に設けられた第2の不純物領域と、
前記第2の不純物領域よりも前記ソース電極側に設けられ、前記第2の不純物領域と隣接する第3の不純物領域と、
前記第1の不純物領域と前記第3の不純物領域との間に挟まれたチャネル領域とを備え、
前記第3の不純物領域は、前記チャネル領域よりも高い濃度でn型不純物を含み、
前記第1の不純物領域および前記第2の不純物領域は、前記第3の不純物濃度よりも高い濃度でn型不純物を含み、
前記ゲート電極は、前記絶縁膜を介して、前記第1の不純物領域の端部、前記チャネル領域、および前記第3の不純物領域の端部と対向することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記チャネル層と前記バリア層との間に、単結晶の窒化物半導体から成るスペーサ層を備えることを特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記スペーサ層は、単結晶のAlNから成ることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記バリア層と前記スペーサ層とは、同一の組成の窒化物半導体から成ることを特徴とする請求項4または5に記載の半導体装置。
- 前記バリア層は、アモルファスのAlNを含むことを特徴とする請求項1から6のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記チャネル層は、単結晶のGaNから成ることを特徴とする請求項1から7のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 基板上に、単結晶の窒化物半導体から成るチャネル層を成長するチャネル層成長工程と、
前記チャネル層上に、アモルファスの窒化物半導体を含むバリア層を成長するバリア層成長工程と、
前記バリア層成長工程の後に、成長された前記チャネル層および前記バリア層を用いて、前記基板上にヘテロ接合電界効果型トランジスタを形成するトランジスタ形成工程とを備え、
前記チャネル層成長工程と前記バリア層成長工程とは、同一の反応炉内で連続的に行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板上に、単結晶の窒化物半導体から成るチャネル層を成長するチャネル層成長工程と、
前記チャネル層上に、単結晶の窒化物半導体から成るスペーサ層を成長するスペーサ層成長工程と、
前記スペーサ層上に、アモルファスの窒化物半導体を含むバリア層を成長するバリア層成長工程と、
前記バリア層成長工程の後に、成長された前記チャネル層、前記スペーサ層および前記バリア層を用いて、前記基板上にヘテロ接合電界効果型トランジスタを形成するトランジスタ形成工程とを備え、
前記チャネル層成長工程と前記スペーサ層成長工程と前記バリア層成長工程とは、同一の反応炉内で連続的に行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記バリア層成長工程において前記バリア層を成長する温度は、前記スペーサ層成長工程において前記スペーサ層を成長する温度よりも低いことを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記バリア層成長工程の後、かつ前記トランジスタ形成工程の前に、前記バリア層にn型不純物をイオン注入することによって、第1の不純物領域および第2の不純物領域、ならびに前記第1の不純物領域と前記第2の不純物領域とに挟まれた領域において前記第1の不純物領域と離間し、前記第2の不純物領域と隣接する第3の不純物領域を形成する不純物領域形成工程を備え、
前記トランジスタ形成工程では、前記ヘテロ接合電界効果型トランジスタを構成するソース電極およびドレイン電極のうち、前記ソース電極を前記第1の不純物領域上に形成し、前記ドレイン電極を前記第2の不純物領域上に形成し、
前記不純物領域形成工程では、前記第1の不純物領域および前記第2の不純物領域を、前記第3の不純物領域よりも高い濃度で前記n型不純物をイオン注入することによって形成することを特徴とする請求項9から11のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
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