JP2017034096A - 光半導体素子搭載用基板、光半導体装置及びそれらの製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 190
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 164
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 257
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 121
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 94
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 77
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 75
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 108
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 108
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 62
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical group [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 16
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
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Abstract
Description
従来、半導体や光半導体等の半導体素子を搭載した半導体装置は、導電性基板をエッチング加工又はプレス加工してリードフレームを作製し、このリードフレームに半導体素子を搭載し、ワイヤボンディング等による接続を行い、その後、封止樹脂で全体を覆い半導体装置を作製していた。ところが、小型化、軽量化を目的に、導電性基板を最終的に除去するタイプの半導体装置が提案されている。
しかし、外装めっきが端子分離後になるため、めっき方法は無電解めっきや、バッチ式のめっき等に限定され、めっきの生産性は低くかつ端子毎のめっき厚さがばらつきやすい等品質的な問題がある。
(記)
(1)導電性基板を用意する導電性基板準備工程。
(2)前記導電性基板の両面を、第1のレジストで覆う第1のレジスト被覆工程。
(3)所定パターンを、露光・現像して開口部を有するめっきマスクを形成する第1の露光・現像工程。
(4)前記開口部を有するめっきマスクを用いて、前記開口部にめっきを行い、各表裏めっき層を形成し、その後、前記めっきマスクを除去するめっき・第1のレジスト除去工程。
(5)めっき・第1のレジスト除去工程後、導電性基板の両面を、第2のレジストで覆う第2のレジスト被覆工程。
(6)所定のパターンを、露光・現像して開口部を有するエッチングマスクを形成する第2の露光・現像工程。
(7)導電性基板の裏面を、前記エッチングマスクを用いてエッチング加工するエッチング工程。
(8)前記エッチングマスクを除去する第2のレジスト除去工程。
(記)
(A)光半導体素子搭載用基板のダイパッド部及びリード部の光半導体素子搭載部と光半導体素子とリード部の接続部を含む周辺部を取り囲み、前記ダイパッド部及びリード部の上部を押える形で、前記周辺部の上方に開口部を有するように第1の封止樹脂を用いて封止する第1の樹脂封止工程。
(B)前記光半導体素子搭載用基板のダイパッド部の光半導体素子搭載領域に光半導体素子を搭載する光半導体素子搭載工程。
(C)前記光半導体素子の電極部とリード表面めっき層とを、ボンディングワイヤを用いて電気的に接続するワイヤボンディング工程。
(D)前記開口部から透明樹脂を充填し、前記光半導体素子、ダイパッド表面めっき層、リード表面めっき層、及びボンディングワイヤを封止する透明樹脂封止工程。
(E)樹脂封止されていない導電性基板の裏面方向から、リード金属部側面、表面連結金属部裏面、ダイパッド金属部側面に同時にエッチングを行い、金属部毎に個別に分割して、ダイパッド部及びリード部を電気的接続以外は独立状態にする透明樹脂封止後のエッチング工程。
(F)リード部、ダイパッド部を、第2の封止樹脂で封止して、前記第2の封止樹脂の表面にリード裏面めっき層、ダイパッド裏面めっき層を露出した形態とする第2の樹脂封止工程。
また、ダイパッド部裏面めっき層及びリード裏面めっき層をエッチングマスクとしているが、ダイパッド金属部側面及びリード金属部側面よりエッチングが開始されるため、この部分にめっきバリが起きづらく、めっきバリ不具合を防止することが出来る。
図1は、本発明の実施形態に係る光半導体素子搭載用基板の一例を示した図である。
図1に示すように、光半導体素子搭載用基板100は、導電性基板10から形成された表面連結金属部11及び金属部2と、光半導体素子搭載領域110としてのダイパッド部50と、光半導体素子の電極と接続し、かつ、外部機器と接続するリード部20と、から構成される。
即ち、ダイパッド部50、及びリード部20の表面めっき層1の最上面は、光半導体素子からの下面方向への光をダイパッド部50やリード部20の最表面で光を反射させ上面に光を集約する機能があるため、反射率の高いめっきの種類を選定する。また、リード部20の表面めっき層1は、ワイヤボンディングによって接続する内部電極部の役割を含むため、ボンディングワイヤとの接続に適しためっき金属を選定する。
したがって、両方の条件を満たすものであれば良く、例えば、光沢のあるAgめっき等がよい。
また、表面めっき層と裏面めっき層のめっき金属の種類を違えてもよい。例えば、表面は光の反射率が高いAgめっきとし、裏面ははんだ濡れ性がよいNi、Pd、Auの順に積層する積層めっきとしてもよい。
このような窪み部4の深さは、板厚の1/2から板厚−0.03mmである。窪み部の深さが板厚の1/2未満だと、樹脂封止後のエッチング加工の量が多くなり、エッチング時間が長くなり、エッチング液がめっき層の一部を溶解してしまう不具合発生しやすくなる。一方、板厚−0.03mmを超える場合、残存ずる表面連結金属部の強度が弱く、搬送中に変形不具合が発生する可能性がある。好ましくは、板厚−0.05mmから板厚−0.03mmである。
表面連結金属部11と同様にリード金属部22の側面は、樹脂封止後にエッチング加工されるため、同じようにエッチングされる量だけ大きくする。
次に、上記光半導体素子搭載用基板(図1、符号100参照)をリードフレームとして使用した光半導体装置について、図2を参照して説明する。図2において、Iは光半導体素子搭載用基板100を用いた光半導体装置である。
ダイパッド部を持たずに光半導体素子搭載領域を備えるタイプ、例えば、ワイヤボンディングではなく、フリップチップ方式では、リードと光半導体素子の電極部を直接整合し、リード部の上に光半導体素子を搭載する場合等がある。
また、光半導体素子101、ワイヤボンディング5を含む周辺部を取り囲み、その上方が広がるような開口部7を持つ第1の封止樹脂102が形成されている。この第1の封止樹脂の開口部7を埋める形で光半導体素子、ワイヤボンディング部を含む周辺部は、透明樹脂で封止される(透明樹脂104の形成)。その後、封止されたリードフレームを裏面側からエッチング加工して、ダイパッド部50、リード部20を独立させる。
また、リード裏面めっき層をエッチングマスクとしており、裏面よりエッチング加工が開始され、裏面めっき層に比べ導電性基板の方のエッチングが早く、溶解時間が長くなるに従い、裏面めっき層周辺の導電性基板がエッチングされて、裏面めっき層が庇形状になり、これがバリとなり不具合が発生していた。
図3は、本発明の実施形態に係る光半導体装置の一例を示す図、(a)はその平面図で、(b)はその断面図である。図4は、本発明の実施形態に係る光半導体素子搭載用基板の一例を示す断面図である。図3、4において、Iは半導体装置、Sはダイパッド部とリード部間の隙間領域、Ed、Elはそれぞれダイパッド部、リード部の縁部である。
このような形態は、光半導体装置ではなく、一般的な半導体装置では光を反射させる必要がないため表面めっき層よりダイパッド部やリード部の金属部が露出しても問題ないが、光半導体装置では、この金属部露出は、貴金属めっきが施されていないため、この部分の面積の分だけ反射率が低下する。
さらに、その加工によりダイパッド部とリード部が相対する側の各表面めっき層の縁部とダイパッド金属部やリード金属部の上面の縁部では、各表面めっき層51、21が庇形状になるように、図3(b)に示す庇寸法「XD」、「XL」が0より大きくなるようにする。好ましくは、5μmから25μmである。なお、この庇寸法の値は、ダイパッド部、リード部で同じであっても異なっていても良い。
上記説明したように、表面めっき層と裏面めっき層の位置を適切に設定することにより、光半導体素子からの光反射量を低下させずに光半導体装置が得られる。
次に、本発明の実施形態に係る光半導体素子搭載用基板100の製造方法について、図5−1、図5−2を用いて説明する。
図5−1、図5−2は、本発明の実施形態に係る光半導体素子搭載用基板100の製造方法の一例の一連の工程を示す図である。なお、以後の説明において、今まで説明した構成要素と同様の構成要素には、今までの説明と同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
図5−1(a)は、導電性基板を用意する準備工程の一例を示す図である。
導電性基板の準備工程においては、導電性基板10を準備する。
使用する導電性基板10の材質は、導電性が得られるものであれば特に限定はないが、一般的にはCu合金を用いる。
図5−1(b)は、第1のレジスト被覆工程の一例を示す図である。
第1のレジスト被覆工程においては、導電性基板10の両面を、レジスト160、161で被覆する。用いるレジスト160、161としては、ドライフィルムレジストをラミネートや液状レジストを導電性基板10の両面に塗布する等、従来の方法を用いることができる。
図5−1(c)は、第1の露光・現像工程の一例を示す図である。
第1の露光工程においては、露光装置(図示せず)内において、露光マスク(図示せず)を、レジスト160、161の上下に設置し、紫外光(図示せず)を照射して露光を行う。
なお、露光マスクのパターンは、表面にリード表面めっき層、ダイパッド表面めっき層、及び裏面にリード裏面めっき層、ダイパッド裏面めっき層が形成されるようにパターンを作製する。これにより、レジスト160、161に未露光部が形成される。
図5−1(d)は、めっき・第1のレジスト除去工程の一例を示す図である。
図5−1(c)に示された、第1の現像工程で形成したレジスト160及びレジスト161をめっきマスクとして用い、マスクに覆われていない開口部にめっきを行い、リード表面めっき層21、ダイパッド表面めっき層51、及び裏面にリード裏面めっき層23、ダイパッド裏面めっき層53を形成する。
図5−2(e)は、第2のレジスト被覆工程の一例を示す図である。
第2のレジスト被覆工程においては、導電性基板10に表面めっき層、裏面めっき層が形成された状態で、導電性基板10の両面をレジスト165、166で被う。レジスト165、166としては、図5−1(b)で説明した第1のレジスト被覆工程と同様、ドライフィルムレジストをラミネートや液状レジストを塗布する等、従来の方法を用いることができる。
図5−2(f)は、第2の露光・現像工程の一例を示した図である。
第2の露光工程では、露光装置(図示せず)内において、露光マスク(図示せず)を、レジスト165、166の上下に設置し、紫外光(図示せず)にて露光を行う。第2の露光工程で使用する露光マスクは、導電性基板10の表面めっき層が形成されている表面全面を覆い、裏面は、リード裏面めっき層23、ダイパッド裏面めっき層53がマスクで覆うようにパターンを形成する。
これは、樹脂封止後のエッチング加工でほぼ同時にエッチング加工が完了するためである。
図5−2(g)は、エッチング加工により裏面から窪み領域を形成するエッチング工程の一例を示す図である。
エッチンング工程においては、導電性基板10の裏面を、図5−2(f)で形成したレジストをエッチング用マスクに用い、エッチング液にてエッチング加工して、窪み領域4を形成する。また、これにより、リード金属部22、ダイパッド金属部52、表面連結金属部11が形成される。
図5−2(h)は、第2のレジストを除去する工程である。なお、第2のレジスト剥離は、例えば、液状のレジスト剥離剤を用いて行われてもよい。この後、必要に応じて所定の寸法にシート状に切断しても良い。
以上の製造方法により、本発明に係る光半導体素子搭載用基板100が完成する。
次に、本発明の光半導体素子搭載用基板を使用した光半導体装置の製造方法を、図6−1、図6−2を用いて説明する。
図6−1、図6−2は、本発明の実施形態に係る光半導体装置の製造方法の一例を示す図である。
[第1の樹脂封止工程]
図6−1(a)は、第1の樹脂封止工程の一例を示す図である。
第1の樹脂封止工程においては、光半導体素子搭載用基板100のダイパッド部50及びリード部20の光半導体搭載部と光半導体素子とリード部の接続部を含む周辺部を取り囲むように第1の封止樹脂102で樹脂封止する。樹脂の種類は、光の反射率が高い樹脂を選定する。
図6−1(b)は、光半導体素子搭載工程の一例を示す図である。
この光半導体素子搭載工程においては、光半導体素子搭載用基板100のダイパッド部50の光半導体素子搭載領域110に、Agペースト等を用いて光半導体素子101を搭載する。
図6−1(c)は、ワイヤボンディング工程の一例を示す図である。ワイヤボンディング工程においては、光半導体素子101の電極部(図示せず)とリード表面めっき層21とを、ボンディングワイヤ5等を用いて電気的に接続する。
図6−1(d)は、透明樹脂封止工程の一例を示す図である。透明樹脂封止工程においては、図6−1(a)で形成した第1の封止樹脂の光半導体素子101とリード部の接続部を含む周辺部の開口部7を、透明樹脂により樹脂封止し、光半導体素子101、ボンディングワイヤ5、リード表面めっき層21、ダイパッド表面めっき層51を封止する。
図6−2(e)は、透明樹脂封止後のエッチング工程の一例を示す図である。透明樹脂封止後のエッチング工程においては、樹脂封止されていない金属部の方向(黒矢印)より、エッチングを行い、リード金属部22側面、表面連結金属部(図1、符号11参照)、ダイパッド金属部52側面を同時にエッチングする。これにより、金属部毎に個別に分割され、それぞれダイパッド部、リード部として独立する。
そのエッチング量は、図5−2(g)でそれぞれ同量になるように設定しており、最小限の時間で同時にエッチング完了することが望ましい。
図6−2(f)は、第2の樹脂封止工程の一例を示す図である。
第2の樹脂封止工程においては、リード部20、ダイパッド部50等を第2の封止樹脂103で樹脂封止し、第2の封止樹脂103よりリード裏面めっき層、ダイパッド裏面めっき層を露出される。
第2の樹脂封止後、最後に、所定の形状になるように切断等にて図6−2(g)に示すような個々の光半導体装置Iとする。
その切断は、切断箇所に金属部はなく、全て樹脂であり、切断負荷の軽減を可能としている。
導電性基板として板厚0.2mmのCu板(古河電気工業株式会社製:EFTEC64−T)を幅140mmの長尺板状に加工した。
[第1のレジスト被覆工程]
次に、厚み0.025mmの感光性ドライフィルムレジストを、この導電性基板の両面に貼り付けた。
[第1の露光・現像工程]
次に、表面にリード表面めっき層、ダイパッド表面めっき層を、裏面にリード裏面めっき層、ダイパッド裏面めっき層の所望のパターンを形成したガラスマスク(露光マスク)をパターン位置合わせした状態で表裏面上に被せて、この両面にガラスマスクを介して、紫外光で露光した。なお、ダイパッド部とリード部が相対して設けられる箇所では、その相対側におけるダイパッド部、リード部の各裏面めっき層の端部位置は、エッチング取り代50μmに、エッチング時の拡がり量を100μm、庇寸法10μmを加えて表裏面めっき層位置ずれ量「y=160μm」を求め、各表面めっき層よりyの値だけ各表面めっき層が各裏面めっき層より突出する形になるようなパターンとした。
その後、ドライフィルムレジストを炭酸ナトリウム溶液にて、紫外光の照射が遮られて感光しなかった未硬化のドライフィルムレジストを溶かす現像処理を行って開口部を形成した。
次に、ドライフィルムが溶解され導電性基板の金属表面が露出した開口部にめっきを行った。めっきは、下地めっきとしてCuめっきを行い、その上にAgめっきを3.0μm形成した。
その後、水酸化ナトリウム溶液でドライフィルムレジストを剥離した。これにより、導電性基板の表裏面にめっき層を形成した。その後、めっき用のレジストを除去した。
[第2のレジスト被覆工程]
次に、厚み0.025mmの感光性ドライフィルムレジストを、上記表裏面にめっき層を形成した導電性基板の両面に貼り付けた。
[第2の露光・現像工程]
レジストの被覆後、表面は表面めっき層を含み全面を覆い、裏面は、リード裏面めっき層及びダイパッド裏面めっき層の外周より全周に渡って0.05mmの間隔で大きく包含するように、所望のパターンを形成したガラスマスクを露光マスクとして用い、ドライフィルムレジストの上に被せ、紫外光で露光した。
その後、ドライフィルムレジストを炭酸ナトリウム溶液にて、紫外光の照射が遮られて感光しなかった未硬化のドライフィルムレジストを溶かす現像処理を行った。
[エッチング工程]
次に、作製されたレジストでマスクし、塩化第二鉄液で、裏面側より選択的エッチングを行い、導電性基板に深さ0.15mmの窪み領域を作製した。このエッチング加工により、リード金属部、ダイパッド金属部、表面連結金属部が形成された。
その後、所定寸法に切断することにより、本発明に係る光半導体素子搭載用基板が得られた。
実施例1に係る光半導体素子搭載用基板100を使用し、その光半導体素子搭載用基板のダイパッド部50の光半導体搭載部110及びリード部20のボンディングワイヤとの接続部を含む周辺部を取り囲むように第1の封止樹脂102で樹脂封止した。
次に、光半導体素子搭載用基板のダイパッド表面めっき層51に,Agペーストを使用して光半導体素子101を搭載、固定し、光半導体素子の電極部(図示せず)とリード表面めっき層21をワイヤボンディング5で接続し、第1の封止樹脂102で取り囲まれた開口部7を、透明樹脂104により樹脂封止した。
その後、リード裏面めっき層23、ダイパッド裏面めっき層53をマスクとして、表面連結金属部11、リード金属部側面、ダイパッド金属部側面を同時にエッチング加工し、ダイパッド部50、リード部20を各々独立させた。
次に、ダイパッド部50及びリード部20を第2の封止樹脂103で樹脂封止して成形した。なお、第1の封止樹脂102と第2の封止樹脂103は同種の樹脂を使用した。
最後に、所定の光半導体装置の寸法になるように切断し、光半導体装置Iを完成させた。
実施例1及び実施例2で作製した光半導体素子搭載用基板100、及び光半導体装置Iについて、リード裏面めっき層23にめっき剥がれやめっきバリ等が発生しているか顕微鏡により観察を行ったが、リード裏面めっき層23には、めっき剥がれやめっきバリ等の発生がなく良好であることを確認した。
また、ダイパッド部50とリード部20の対向面において、ダイパッド部、リード部の縁部に金属部が露出していないことも確認した。
2 金属部
3 裏面めっき層
4 窪み部
5 ボンディングワイヤ
7 開口部
10 導電性基板
11 表面連結金属部
20 リード部
21 リード表面めっき層
22 リード金属部
23 リード裏面めっき層
50 ダイパッド部
51 ダイパッド表面めっき層
52 ダイパッド金属部
53 ダイパッド裏面めっき層
100 光半導体素子搭載用基板
101 光半導体素子
102 第1の封止樹脂
103 第2の封止樹脂
104 透明樹脂
110 光半導体素子搭載領域
160、161 導電性基板10の両面に設けられた第1のレジスト
163 第1のレジストの開口部
165、166 第2のレジスト
168 第2のレジストの開口部
I 光半導体装置
Ed ダイパッド金属部縁部
El リード金属部縁部
S ダイパッド部とリード部間の隙間領域
Claims (9)
- 光半導体素子搭載用基板であって、
導電性基板の表面に、
光半導体素子を搭載、固定する光半導体素子搭載領域を有するダイパッド表面めっき層と、前記光半導体素子領域に搭載される光半導体素子の電極と電気的に接続するリード表面めっき層を有し、
前記導電性基板の裏面に、
前記ダイパッド表面めっき層と前記導電性基板を介して対向した位置に、外部機器と電気的に接続するダイパッド裏面めっき層、及び前記リード表面めっき層と前記導電性基板を介して対向した位置に、外部機器と電気的に接続するリード裏面めっき層を備え、
且つ、少なくとも前記導電性基板の裏面側から表面に向かって、前記ダイパッド表面めっき層、リード表面めっき層の略平面形状に沿って導電性基板の一部からダイパッド金属部、リード金属部、及び表面連結金属部を形成する非貫通の窪み領域を備えることを特徴とする光半導体素子搭載用基板。 - 前記ダイパッド部とリード部が相対する側における前記リード部のリード裏面めっき層の縁部の位置が、前記リード部のリード表面めっき層の縁部の位置より前記ダイパッド部から離れた位置に配置されていることを特徴とする請求項1の光半導体搭載用基板。
- 前記リード金属部のリード裏面めっき層側の接合面の形状が、前記リード裏面めっき層の形状を包含する大きさであることを特徴とする請求項1又は2に記載の光半導体素子搭載用基板。
- 光半導体素子と、
前記光半導体素子を搭載するダイパッド表面めっき層と、前記ダイパッド表面めっき層と接合するダイパッド金属部と、前記ダイパッド金属部のダイパッド表面めっき層との接合面の対向面に接合する外部からの電気的接続が可能なダイパッド裏面めっき層を有するダイパッド部と、
前記光半導体素子と電気的に接続可能なリード表面めっき層と、前記リード表面めっき層と接合したリード金属部と、前記リード金属部のリード表面めっき層との接合面の対向面に接合する外部からの電気的接続が可能なリード裏面めっき層を有する前記光半導体素子の周囲に配置されるリード部と、
前記光半導体素子と前記リード表面めっき層とを電気的に接続するボンディングワイヤと、
前記ダイパッド表面めっき層上に搭載された光半導体素子とリード表面めっき層とをボンディングワイヤにて電気的に接続した接続部を含む前記ダイパッド表面めっき層、リード表面めっき層、及び光半導体素子の周辺部を取り囲む第1の封止樹脂と、
前記第1の封止樹脂で取り囲まれた領域を封止する透明樹脂と、
前記ダイパッド金属部側面、リード金属部側面、ダイパッド裏面めっき層側面、及びリード裏面めっき層側面を封止する第2の封止樹脂と、
を有する光半導体装置。 - 少なくとも前記ダイパッド部とリード部が対向して配置されている場合、表面めっき層が形成されている前記対向して配置されているダイパッド部及びリード部が備える各金属部表面の対向側縁部におけるダイパッド金属部及びリード金属部が、露出していないことを特徴とする請求項4の光半導体装置。
- 前記第2の封止樹脂から、少なくともリード裏面めっき層が露出していることを特徴とする請求項4又は5に記載の光半導体装置。
- 下記(1)から(8)の工程を順に含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光半導体素子搭載用基板の製造方法。
(記)
(1)導電性基板を用意する導電性基板準備工程。
(2)前記導電性基板の両面を、第1のレジストで覆う第1のレジスト被覆工程。
(3)所定パターンを、露光・現像して開口部を有するめっきマスクを形成する第1の露光・現像工程。
(4)前記開口部を有するめっきマスクを用いて、前記開口部にめっきを行い、各表裏めっき層を形成し、その後、前記めっきマスクを除去するめっき・第1のレジスト除去工程。
(5)めっき・第1のレジスト除去工程後、導電性基板の両面を、第2のレジストで覆う第2のレジスト被覆工程。
(6)所定のパターンを、露光・現像して開口部を有するエッチングマスクを形成する第2の露光・現像工程。
(7)導電性基板の裏面を、前記エッチングマスクを用いてエッチング加工するエッチング工程。
(8)前記エッチングマスクを除去する第2のレジスト除去工程。 - 前記(3)の第1の露光・現像工程における前記露光マスクの所定パターンにおいて、
ダイパッド部とリード部が隣接するパターンを形成する際に、少なくとも前記リード部を構成する表面めっき層を形成する開口部が、前記リード部を構成する裏面めっき層を形成する開口部の位置よりダイパッド部を構成する開口部側に位置することを特徴とする請求項7記載の光半導体素子搭載用基板の製造方法。 - 下記(A)から(F)の工程を順に含むことを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1項に記載の光半導体装置の製造方法。
(記)
(A)光半導体素子搭載用基板のダイパッド部及びリード部の光半導体素子搭載部と光半導体素子とリード部の接続部を含む周辺部を取り囲み、前記ダイパッド部及びリード部の上部を押える形で、前記周辺部の上方に開口部を有するように第1の封止樹脂を用いて封止する第1の樹脂封止工程。
(B)前記光半導体素子搭載用基板のダイパッド部の光半導体素子搭載領域に光半導体素子を搭載する光半導体素子搭載工程。
(C)前記光半導体素子の電極部とリード表面めっき層とを、ボンディングワイヤを用いて電気的に接続するワイヤボンディング工程。
(D)前記開口部から透明樹脂を充填し、前記光半導体素子、ダイパッド表面めっき層、リード表面めっき層、及びボンディングワイヤを封止する透明樹脂封止工程。
(E)樹脂封止されていない導電性基板の裏面方向から、リード金属部側面、表面連結金属部裏面、ダイパッド金属部側面を同時にエッチングを行い、金属部毎に個別に分割して、ダイパッド部及びリード部を電気的接続以外は独立状態にする透明樹脂封止後のエッチング工程。
(F)リード部、ダイパッド部を、第2の封止樹脂で封止して、前記第2の封止樹脂の表面にリード裏面めっき層、ダイパッド裏面めっき層を露出した形態とする第2の樹脂封止工程。
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JP2015152872A JP6610927B2 (ja) | 2015-07-31 | 2015-07-31 | 光半導体装置及びその製造方法と、光半導体素子搭載用基板の製造方法 |
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JP2017034096A true JP2017034096A (ja) | 2017-02-09 |
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