JP2017098315A - 半導体装置用基板とその製造方法、および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、本発明の第1実施形態に係る半導体装置用基板及び半導体装置について、図1ないし図6に基づいて説明する。本実施形態に係る半導体装置用基板1は、図2に示すように、導電性を有する材質からなる母型基板10と、この母型基板10上に形成され、本基板を用いて製造される半導体装置70における電極部11bとなる金属部11とを備える構成である。
10 母型基板
11 金属部
11a 半導体素子搭載部
11b 電極部
11c 張出部
11d 突出部
11e 窪み部
12 第一レジスト層
13 表面金属層
14 半導体素子
15 ワイヤ
16 第二レジスト層
17 薄膜
19 封止材
20 凹部
70 半導体装置
Claims (11)
- 母型基板(10)上に少なくとも電極部(11b)となる金属部(11)が形成されており、前記金属部(11)の母型基板面側には部分的に突出する突出部(11d)が設けられていることを特徴とする半導体装置用基板。
- 前記金属部(11)の母型基板面側とは反対側の面には窪み部(11e)が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置用基板。
- 前記突出部(11d)と前記窪み部(11e)が前記金属部(11)の厚み方向において重なる位置に設けられていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置用基板。
- 前記突出部(11d)の突出形状と前記窪み部(11e)の窪み形状が相似形であることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体装置用基板。
- 母型基板(10)上に少なくとも電極部(11b)となる金属部(11)が形成されており、前記金属部(11)の母型基板面側には部分的に突出する突出部(11d)が設けられている半導体装置用基板の製造方法であって、
前記母型基板(10)上に、第一レジスト層(12)を形成する工程と、
前記母型基板(10)の前記第一レジスト層(12)で覆われていない露出領域に、凹部(20)を形成する工程と、
前記第一レジスト層(12)を除去する工程と、
前記母型基板(10)上に、第二レジスト層(16)を形成する工程と、
前記母型基板(10)の前記第二レジスト層(16)で覆われていない露出領域に、前記金属部(11)を形成する工程と、
前記第二レジスト層(16)を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。 - 前記金属部(11)を形成する工程において、前記母型基板(10)及び前記凹部(20)の表面に、前記金属部(11)をめっき成長させることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置用基板の製造方法。
- 前記金属部(11)を形成する工程において、前記第二レジスト層(16)の厚さを越えて前記金属部(11)をめっき成長させることを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置用基板の製造方法。
- 半導体素子(14)と電気的に接続する電極部(11b)となる金属部(11)を有し、前記金属部(11)上への前記半導体素子(14)の搭載、前記半導体素子(14)と前記金属部(11)との電気的接続、封止材(19)による封止がなされる半導体装置であって、
前記封止材(19)の裏面から前記金属部(11)の裏面が露出されており、前記金属部(11)の裏面には前記封止材(19)の裏面より突出形成された突出部(11d)が設けられ、前記突出部(11d)を除く前記金属部(11)の裏面と前記封止材(19)の裏面とが略同一平面となっていることを特徴とする半導体装置。 - 前記金属部(11)の表面には窪み部(11e)が設けられていることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。
- 前記突出部(11d)と前記窪み部(11e)が前記金属部(11)の厚み方向において重なる位置に設けられていることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
- 前記突出部(11d)の突出形状と前記窪み部(11e)の窪み形状が相似形であることを特徴とする請求項9または10に記載の半導体装置用基板。
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