JP2017098315A - 半導体装置用基板とその製造方法、および半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】配線が密集して形成された実装基板であっても、適確で信頼性の良い実装が可能な半導体装置用基板とその製造方法、および半導体装置を提供する。
【解決手段】母型基板１０上に少なくとも電極部１１ｂとなる金属部１１が形成されている。この金属部１１の母型基板面側には部分的に突出する突出部１１ｄが設けられている。係る構成の半導体装置用基板１を用いて製造された半導体装置であれば、配線が密集して形成された実装基板にも容易で信頼性良い実装が可能となる。
【選択図】図２

Description

本発明は、基板上にリードが形成された半導体装置用基板、該半導体装置用基板を用いて製造される半導体装置に関する。

半導体素子支持用の基板上に半導体素子を搭載し、半導体素子と外部導出用の金属端子とを配線接続した上で、樹脂等の保護材で半導体素子を含む基板全体を被覆した旧来の構造の半導体装置は、その構造上、小型化には限界があった。これに対し、半導体素子搭載部分や電極部分となる金属部を形成し、この金属部上に半導体素子を搭載し配線等の処理後、半導体素子や配線等のある金属部の表面側を樹脂等の封止材で封止し、金属部が底部に一部露出した構成とされる半導体装置は、その高さを低くして省スペース化が図れ、チップサイズなど超小型の半導体装置の分野で利用が進んでいる。

こうした半導体装置は、主に、導電性を有する母型基板上に半導体素子搭載部分や電極部分となる金属部を、メッキ（電鋳）により、半導体装置の所望個数分まとめて形成し、半導体素子が搭載され配線等の処理を経た金属部の表面側を封止材で封止した後、母型基板のみを除去し、一体にまとまった状態の多数の半導体装置を個別に切り分ける、といった製造過程を経て製造される。このような半導体装置の製造方法の一例として、特開２００２−９１９６号公報に開示されるものがある。

特開２００２−９１９６号公報 特開２００４−２１４２６５号公報

特許文献１には、半導体素子搭載部分や電極部分の裏面のいずれか一方もしくは両方を樹脂封止した際、封止材の裏面よりも若干突出（スタンドオフ）させるように構成した半導体装置が開示されている。このように、半導体素子搭載部分や電極部分の裏面を封止材の裏面から突出させることで、半導体装置を実装基板に実装する際に、半導体装置の電極部分（リード）と実装基板の電極部分（パッド）との接合を良好にすることができる。

近年、電子機器の小型化を実現するために、実装基板の電極部分や配線部分が密集して形成されつつあるが、上記半導体装置の構造では、半導体素子搭載部分や電極部分の裏面全体が封止材の裏面から突出しているため、半導体装置の半導体素子搭載部分（ダイパッド）や電極部分（リード）と実装基板の電極部分（パッド）や配線部分が所望せぬ箇所で接触するおそれがある。

本発明の目的は、半導体素子搭載部分や電極部分の一部を封止材の裏面から突出させて、得られる半導体装置の小型化を図れるとともに、配線が密集して形成された実装基板にも容易で信頼性良く実装可能な半導体装置を製造できる、半導体装置用基板とその製造方法、並びに、この半導体装置用基板を用いて製造される半導体装置とその製造方法を提供することにある。

本発明に係る半導体装置用基板は、母型基板１０上に少なくとも電極部１１ｂとなる金属部１１が形成されており、金属部１１の母型基板面側には部分的に突出する突出部１１ｄが設けられていることを特徴とする。

また、金属部１１の母型基板面側とは反対側の面には窪み部１１ｅが設けられていることを特徴とする。

また、突出部１１ｄと窪み部１１ｅが金属部１１の厚み方向において重なる位置に設けられていることを特徴とする。

また、突出部１１ｄの突出形状と窪み部１１の窪み形状が相似形であることを特徴とする。

本発明に係る半導体装置用基板の製造方法は、母型基板１０上に少なくとも電極部１１ｂとなる金属部１１が形成されており、金属部１１の母型基板面側には部分的に突出する突出部１１ｄが設けられている半導体装置用基板の製造方法であって、母型基板１０上に、第一レジスト層１２を形成する工程と、母型基板１０の第一レジスト層１２で覆われていない露出領域に凹部２０を形成する工程と、第一レジスト層１２を除去する工程と、母型基板１０上に、第二レジスト層１６を形成する工程と、母型基板１０の第二レジスト層１６で覆われていない露出領域に、金属部１１を形成する工程と、第二レジスト層１６を除去する工程とを有することを特徴とする。

また、金属部１１を形成する工程において、母型基板１０及び凹部２０の表面に、金属部１１をめっき成長させることを特徴とする。さらに、金属部１１を形成する工程において、第二レジスト層１６の厚さを越えて金属部１１をめっき成長させることを特徴とする。

本発明に係る半導体装置は、半導体素子１４と電気的に接続する電極部１１ｂとなる金属部１１を有し、金属部１１上への半導体素子１４の搭載、半導体素子１４と金属部１１との電気的接続、封止材１９による封止がなされる半導体装置であって、封止材１９の裏面から金属部１１の裏面が露出されており、金属部１１の裏面には封止材１９の裏面より突出形成された突出部１１ｄが設けられ、突出部１１ｄを除く金属部１１の裏面と封止材１９の裏面とが略同一平面となっていることを特徴とする。

また、金属部１１の表面には窪み部１１ｅが設けられていることを特徴とする。

また、突出部１１ｄと窪み部１１ｅが金属部１１の厚み方向において重なる位置に設けられていることを特徴とする。

また、突出部１１ｄの突出形状と窪み部１１の窪み形状が相似形であることを特徴とする。

本発明によれば、金属部１１の裏面に部分的に突出形成された突起部１１ｄが設けられているので、係る金属部１１を備えた半導体装置は、電極や配線が密集した実装基板に対しても、容易で的確な実装が可能となる。また、突起部１１ｄの径や幅を実装基板の電極に対応して小さく形成せざるを得なくても、金属部１１の表面（表面積）は突起部１１ｄに比べ大きく形成することができ、搭載する半導体素子１４の選択自由度を拡げることができる。

本発明の第１の実施形態に係る半導体装置用基板の部分平面図である。 本発明の第１の実施形態に係る半導体装置用基板の断面図及び平面図である。 本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の断面図及び底面図である。 本発明の第１の実施形態に係る半導体装置用基板の製造方法における工程説明図である。 本発明の第１の実施形態に係る半導体装置用基板の製造方法における工程説明図である。 本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法における工程説明図である。 本発明の他実施形態に係る半導体装置の断面図及び底面図である。

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態に係る半導体装置用基板及び半導体装置について、図１ないし図６に基づいて説明する。本実施形態に係る半導体装置用基板１は、図２に示すように、導電性を有する材質からなる母型基板１０と、この母型基板１０上に形成され、本基板を用いて製造される半導体装置７０における電極部１１ｂとなる金属部１１とを備える構成である。

母型基板１０は、ステンレス（ＳＵＳ４３０等）やアルミニウム、銅等の導電性の金属板（厚さ約０．１ｍｍ）で形成され、半導体装置の製造工程で除去されるまで、半導体装置用基板１の要部をなすものである。

金属部１１ｂは、ニッケルや銅、又はニッケル−コバルト等のニッケル合金からなり、メッキ形成されるものであり、図１に示すように、母型基板１０表面で、一又は複数配置される状態を一つの単位として、製造する半導体装置の数だけ多数整列状態で並べられた形態で形成されることとなる。

この金属部１１の母型基板面側（裏面）には、突出部１１ｄが形成されている。係る突出部１１ｄは、金属部１１の裏面から部分的に突出するように形成されている。また、母型基板面側とは反対側の面である金属部１１の表面、より詳しくは、突出部１１ｄの直上位置に窪み部１１ｅが形成されている。そして、金属部１１の上端部には、庇状に張り出す張出部１１ｃが形成されている。

金属部１１は、大部分を電解メッキに適した、例えば、ニッケルやニッケル合金等で形成されるが、金属部１１の裏面側には、半導体装置実装時のハンダ付けを適切に行えるようにするために、ニッケル等の主材質部よりハンダぬれ性の良好な金属、例えば金や銀、錫、パラジウム、ハンダ等の薄膜１７が配設される構成である。この薄膜１７には、エッチングによる母型基板１０の除去の際に、エッチング液による金属部１１の侵食劣化を防ぐ機能を与えることもできる。この薄膜１７の厚さは、０．０１〜１μｍ程度とするのが好ましい。

また、金属部１１の表面には表面金属層１３が形成されている。この表面金属層１３は、半導体素子１４の電極との接合性に優れる金や銀、パラジウム等からなるメッキ膜として形成され、母型基板１０ごとのメッキにより金属部１１の表面に所定の厚さ、例えば、金メッキの場合は約０．１〜１μｍ、銀メッキの場合は約１〜１０μｍの厚さがメッキ形成される。

そして、この半導体装置用基板１を用いて製造される半導体装置７０は、図３に示すように、半導体装置用基板１から得られる金属部１１に加えて、金属部１１のうちの電極部１１ｂと電気的に接続する半導体素子１４と、半導体素子１４や金属部１１の表面側を覆って封止する封止材１９とを備える構成である。

この半導体装置７０では、底部に金属部１１の裏面側が電極や放熱パッド等として露出した状態となり、この露出する金属部１１の裏面から突出部１１ｄが突出形成されるとともに、突出部１１ｄを除く金属部１１の裏面側と、装置外装の一部として現れる封止材１９の裏面側とが略同一平面上に位置する構成である。半導体装置７０における底部以外の各面は、装置外装をなす封止材１９のみがそれぞれ現れた状態となっている（図３（Ｂ）参照）。

半導体素子１４は、微細な電子回路が形成されたいわゆるチップであり、半導体素子１４表面に設けられた電極が電極部１１ｂと直接接合され、半導体素子１４と電極部１１ｂとを電気的に接続することとなる。

封止材１９は、物理的強度の高い熱硬化性エポキシ樹脂等であり、金属部１１や半導体素子１４を覆った状態で封止し、構造的に弱い部分を外部から隔離した保護状態とするものである。なお、半導体素子１４がＬＥＤ等の発光素子の場合、透光性の材質が用いられる。

この封止材１９は、十分な物理的強度を有しており、半導体装置７０の外装の一部として十分に内部を保護する機能を果し、母型基板１０を半導体装置側から引き剥がすなど力を加えて物理的に除去する場合にも、割れ等の破損もなく金属部１１との一体化状態を維持することとなる。

次に、本実施形態に係る半導体装置用基板の製造方法及び半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造方法の各工程について説明する。

半導体装置用基板の製造工程として、まず、母型基板１０を用意し、この母型基板１０上に金属部１１（電極部１１ｂ）の突出部１１ｄを形成するための凹部２０に対応する第一レジスト層１２を配設する（図４（Ａ）参照）。具体的には、母型基板１０の表面側に感光性レジスト材を配設し、この感光性レジスト材に対して、凹部２０（突出部１１ｄ）の形成位置に対応する所定パターンのマスクフィルムを載せた状態で、紫外線照射による露光での硬化、非照射部分のレジスト剤を除去する現像等の処理を行い、凹部２０（突出部１１ｄ）の形成位置が露出するように第一レジスト層１２を形成する。第一レジスト層１２は、母型基板１０表面に凹部２０を形成する際に使用するエッチング液に対する耐溶解性を備えた絶縁性材で形成されるものであり、詳しくは、アルカリ現像タイプの感光性レジスト材を母型基板１０に所定の厚さ、例えば５〜５０μｍの範囲、本実施形態では２０μｍの厚さとなるようにして密着配設される。

続いて、母型基板１０の第一レジスト層１２から露出する領域に凹部２０を形成する（図４（Ｂ）参照）。具体的には、母型基板１０の表面側のうち第一レジスト層１２で覆われていない露出領域に対して、エッチングを施すことで凹部２０を形成する。凹部２０の形状としては円形や多角形が考えられ、凹部２０の深さは５〜３０μｍが望ましい。なお、凹部２０の形成方法としては、エッチングに限らず、レーザー加工やブラスト処理によって形成しても良い。

続いて、母型基板１０に形成された第一レジスト層１２を除去（溶解除去、膨潤除去）することで、凹部２０が形成された母型基板１０を得る（図４（Ｃ）参照）。

続いて、この母型基板１０上に金属部１１（電極部１１ｂ）を形成するための第二レジスト層１６を配設する（図５（Ａ）参照）。具体的には、母型基板１０の表面側に感光性レジスト材を配設し、この感光性レジスト材に対して、金属部１１（電極部１１ｂ）の形成位置に対応する所定パターンのマスクフィルムを載せた状態で、紫外線照射による露光での硬化、非照射部分のレジスト剤を除去する現像等の処理を行い、凹部を含む金属部１１（電極部１１ｂ）の形成位置が露出するように第二レジスト層１６を形成する。第二レジスト層１６は、金属部１１や表面金属層１３を形成する際に使用するメッキ液に対する耐溶解性を備えた絶縁性材で形成されるものであり、詳しくは、アルカリ現像タイプの感光性レジスト材を母型基板１０に所定の厚さ、例えば１０〜８０μｍの範囲、本実施形態では５０μｍの厚さとなるようにして密着配設される。なお、第一レジスト層１２及び第二レジスト層１６については、感光性レジストに限られるものではなく、エッチング液やメッキ液に対し変質せず強度の高い塗膜が得られる塗料を、母型基板１０上における凹部２０並びに金属部１１の配置部分が露出されるように、電着塗装等により必要な塗膜厚さとなるように塗装して形成することもできる。

続いて、母型基板１０の第二レジスト層１６から露出する領域に金属部１１（電極部１１ｂ）を形成する（図５（Ｂ）参照）。具体的には、母型基板１０の表面側のうち第二レジスト層１６で覆われていない露出領域に対して、めっき前処理として、脱脂、酸浸漬、化学エッチング、電解処理、ストライクメッキなどを選択して施した後、ハンダぬれ性に優れる金属によって薄膜１７をめっき形成し、この薄膜１７上に、めっき（電鋳）により金属を積層して金属部１１（電極部１１ｂ）を形成しており、本実施例では、ステンレスの母型基板１０の露出領域に対して、化学エッチングを施した後、０．０１〜１μｍ厚の金の薄膜１７をめっき成長させ、この薄膜１７上にめっき（電鋳）により、例えば２０〜１００μｍの範囲、本実施形態では７０μｍの厚のニッケルを積層して金属部１１（電極部１１ｂ）を形成している。なお、めっき前処理は、母型基板１０及び金属部１１（薄膜１７）の材質によって、取捨選択して行うものであり、その中の化学エッチングとは、母型基板１０自体を溶解して、その表面の酸化被膜（不活性膜）を除去するものであり、母型基板１０の表面は粗面となる。また、薄膜１７の形成は、半導体装置のハンダ付け対策を目的とする場合、メッキで金属部１１の主材質部を形成する前に限られるものではなく、半導体装置７０の完成後（母型基板１０除去後）、封止材１９から露出した金属部１１の裏面にめっきにより薄膜１７を形成するようにしてもかまわない。

ここで、金属部１１を形成する際に、第二レジスト層１６の厚さを越えてめっき成長させることで、金属部１１の上端部に張出部１１ｃが形成される。この張出部１１ｃが存在することにより、半導体装置の製造工程において、封止材１９で封止する際に、封止材１９が張出部１１ｃにくい込み状に位置した状態で硬化されるため、母型基板１０を金属層１１及び封止材１９から引き剥がし除去する場合でも、封止材１９と張出部１１ｃとの食い付き効果により、金属部１１は封止材１９内に確実に残留し、母型基板１０とともにくっついて引き離されることはなく、金属層１１のズレや欠落等を防止することができる。なお、金属部１１を形成する際に、第二レジスト層１６の厚さを越えない範囲でめっき成長すれば、上端部に張出部のないストレート状の金属部１１を得ることができる。

また、金属部１１の裏面にはこの裏面の一部から部分的に突出する突出部１１ｄが形成されており、金属部１１の上面には窪み部１１ｅが形成されている。この窪み部１１ｅは突出部１１ｄの直上、つまり、突出部１１ｄと窪み部１１ｅは金属部１１の厚み方向において重なる位置に形成されている。これは、金属部１１をめっき形成する際、金属部１１を構成する金属は母型基板１０の第二レジスト層１６で覆われていない露出領域である凹部２０の底面（内面）を含む母型基板１０の表面からめっき成長され、凹部２０内に金属部１１を構成する金属がめっき成長されることで突出部１１ｄが形成される一方で、突出部１１ｄ（凹部２０）の直上に位置する金属部１１の表面においては、凹部２０の形状に倣って窪み部１１ｅが形成されるためである。なお、突出部１１ｄと窪み部１１ｅは相似、つまり、突出部１１ｄの突出形状と窪み部１１ｅの窪み形状が相似形となっており、突出部１１ｄの高さ寸法と窪み部１１ｅ（凹部２０）の深さ寸法は、突出部１１ｄの高さ寸法≧窪み部１１ｅ（凹部２０）の深さ寸法の関係にある。

続いて、所望の形状の金属部１１が得られたら、金属部１１（電極部１１ｂ）の表面に表面金属層１３を形成する（図５（Ｂ）参照）。具体的には、金属部１１（電極部１１ｂ）の表面に、１〜１０μｍ厚の銀の表面金属層１３をめっき形成している。なお、表面金属層１３をめっき形成する際に、例えば金属部１１がニッケルからなり、表面金属層１３が密着形成しにくい場合には、表面金属層１３のめっきの前にあらかじめ金属部１１表面に下地めっき（銅ストライク、ニッケルストライク、銀ストライク、又は金ストライク）を行い、表面金属層１３の金属部１１への密着性を高めることが望ましい。

続いて、母型基板１０に形成された第二レジスト層１６を除去（溶解除去、膨潤除去）することで、母型基板１０に金属部１１（電極部１１ｂ）が形成された半導体装置用基板が得られる（図５（Ｃ）参照）。係る金属部１１は、母型基板１０表面において、一又は複数配置される電極部１１ｂを一つの単位として、製造する半導体装置の数だけ多数整列状態で並べられた形態で形成されることとなり、本実施形態では、６つの電極部１１ｂを一つの単位としている。

なお、母型基板１０の表面側には第一レジスト層１２や第二レジスト層１６を形成するが、母型基板１０の裏面側にもレジスト層を形成しても良い。裏面側のレジスト層は、硬化状態でエッチング液とメッキ液への耐性のある材質で、且つ不要となったら容易に溶解除去可能なレジスト材、例えば、厚さ約５０μｍのアルカリ現像タイプの感光性フィルムレジストを熱圧着等により配設し、そのままマスクなしに紫外線照射による露光等の処理を経て、裏面全面にわたり硬化形成されるものとすることができる。この裏面側のレジスト層については、レジストに限られるものではなく、例えばカバーフィルムであっても良く、要は耐溶解性・絶縁性を有するものであれば良い。

次に、得られた半導体装置用基板１を用いた半導体装置の製造について説明すると、まず、半導体装置用基板１における電極部１１ｂ（金属部１１）上に、半導体素子１４を載置して、半導体素子１４の電極とこれに対応する各電極部１１ｂ（金属部１１）とを電気的接続状態とする（図６（Ａ）参照）。この電気的接続は、はんだ付けによって行われる。なお、半導体素子１４を載置する際、半導体素子１４の電極は電極部１１ｂ（金属部１１）の窪み部を避けた位置にて電気的接続することが好ましい。また、本実施形態では、半導体素子１４と電極部１１ｂとの電気的接続をフリップチップ方式で行っているが、もちろん、金、銅等の導電性線材からなるワイヤを用いたワイヤボンディング方式で行っても良い。

続いて、母型基板１０の表面側を熱硬化性エポキシ樹脂等の封止材１９で封止し、半導体素子１４を外部から隔離した保護状態とする（図６（Ｂ）参照）。詳細には、母型基板１０の表面側を上型となるモールド金型に装着し、母型基板１０に下型の役割を担わせつつ、モールド金型内に封止材１９となるエポキシ樹脂を圧入するという過程で封止が実行され、母型基板１０上では、一つの半導体装置となる複数の電極部１１ｂが多数整列状態のままで一様に封止され、半導体装置が多数つながった状態で現れることとなる。

続いて、母型基板１０を除去し、各半導体装置の底部に電極部１１ｂ（金属部１１）が露出した状態を得る（図６（Ｃ）参照）。ステンレス製である母型基板１０の除去には、半導体装置側から母型基板１０を物理的に引き剥がして除去する方法を用いる。母型基板１０に強度及び剥離性に優れるステンレスを用いることで、半導体装置側から母型基板１０を引き剥がして速やかに分離除去することができる。

この他、母型基板１０を除去する方法として、母型基板１０をエッチング（溶解）させる方法を用いることもできる。このエッチングの場合、母型基板１０は溶解するが薄膜１７や金属部１１の材質が冒されないような選択エッチング性を有するエッチング液を用いることとなる。溶解させて除去する場合では、半導体装置側に過大な力が加わらないため、母型基板１０の除去に伴う悪影響が生じる確率を小さくできる。母型基板１０をエッチング除去する場合は、耐食性を得るためにも金属部１１の形成に先立って薄膜１７を形成することが望ましい。

母型基板１０が除去された半導体装置の底部では、封止材１９の裏面側から突出部１１ｄが部分的に突出されるとともに、突出部１１ｄを除く金属部１１の裏面と、封止材１９の裏面とが略同一平面上に位置する状態となっている。母型基板１０の除去後、多数つながった状態の半導体装置を一つ一つ切り離せば、一つの半導体装置７０としての完成品となる。

このように、本実施形態に係る半導体装置用基板１は、母型基板１０上に形成された電極部１１ｂに突出部１１ｄを有することから、この半導体装置用基板１を用いた半導体装置７０の底部において、突出部１１ｄの高さ寸法分だけ封止材１９の裏面から突出形成されることによる配線逃げ構造が得られるので、電極部１１ｂの裏面全体が突出された形態に比べ、所望する実装基板の電極部分や配線部分以外での電極部１１ｂの接触・接合を避けることができ、信頼性に優れた半導体装置を得ることができる。また、この突出部１１ｄは電極部１１ｂ（金属部１１）の一部から部分的に突出形成されたものなので、半導体装置の実装基板への搭載自由度を増すことができる。

また、半導体装置７０内部において、金属部１１の上端周縁を張出部１１ｃとして略庇状に張り出し形成し、封止材１９による封止状態で張出部１１ｃが封止材１９に囲まれて固定されること（アンカー効果）で、樹脂同士で密着し強固に一体化した封止材１９に張出部１１ｃが食込んで、金属部１１に加わる外力に対する抵抗体の役割を果たすこととなり、母型基板１０にステンレス等を用い、半導体装置側から母型基板１０を物理的に引き剥がして除去する場合など、金属部１１裏面側に装置外装から引離そうとする外力が加わっても、該張出部１１ｃが金属部１１の移動を妨げ、金属部１１の他部分に対するズレ等をなくすことができ、製造時における歩留りを向上させられると共に、半導体装置としての強度を高められ、使用時の耐久性や半導体装置動作の信頼性も高められる。しかも、金属部１１の表面に窪み部１１ｅを有することで、この窪み部１１ｅ内に封止材１９が入り込むことになるので、張出部１１ｃによる食い付き効果と相まって、金属部１１と封止材１９との密着をより強固にでき、半導体装置としての強度を高められ、半導体素子１４の保護をより確実にできる。

上記実施形態において、突出部１１ｄの形状としては、丸状、円状、多角状、球体状、錐体状、柱体状が挙げられ、突出部１１ｄと金属部１１（裏面）との境はなだらかに連続する面となるように形成されるのが好ましい。また、上記実施形態において、半導体素子１４は電極部１１ｂ上に搭載しているが、金属部１１として半導体素子搭載部１１ａを設け、この半導体素子搭載部１１ａ上に半導体素子１４を搭載するようにしても良い。なお、金属部１１（半導体素子搭載部１１ａ、電極部１１ｂ）上に半導体素子１４を搭載するための接着材としては、固体状、粘体状、液体状のものがあり、例えば、はんだ、銀ペースト、樹脂ペースト、ダイアタッチフィルムが挙げられる。

また、上記実施形態において、図３に示すように、金属部１１（電極部１１ｂ）を直線状に形成することで、半導体装置の底部（封止材１９の裏面）における有効利用面積（金属部１１形成領域を除く領域）を最大限にできるので、実装基板における配線が複雑に配置されていても不具合を起こすおそれを減少させることができる。また、図７に示すように、半導体装置の底部（封止材１９の裏面）において、金属部１１の一端を外周部分に配設し、金属部１１の他端を中心部分に集中するように配設すれば、隣り合う金属部１１の配置間隔を一定にすることができる。係る構成は、半導体素子１４の電極（実装基板の電極）が多数設けられているときに有効である。

１ 半導体装置用基板
１０ 母型基板
１１ 金属部
１１ａ 半導体素子搭載部
１１ｂ 電極部
１１ｃ 張出部
１１ｄ 突出部
１１ｅ 窪み部
１２ 第一レジスト層
１３ 表面金属層
１４ 半導体素子
１５ ワイヤ
１６ 第二レジスト層
１７ 薄膜
１９ 封止材
２０ 凹部
７０ 半導体装置

Claims (11)

1. 母型基板（１０）上に少なくとも電極部（１１ｂ）となる金属部（１１）が形成されており、前記金属部（１１）の母型基板面側には部分的に突出する突出部（１１ｄ）が設けられていることを特徴とする半導体装置用基板。
2. 前記金属部（１１）の母型基板面側とは反対側の面には窪み部（１１ｅ）が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用基板。
3. 前記突出部（１１ｄ）と前記窪み部（１１ｅ）が前記金属部（１１）の厚み方向において重なる位置に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置用基板。
4. 前記突出部（１１ｄ）の突出形状と前記窪み部（１１ｅ）の窪み形状が相似形であることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置用基板。
5. 母型基板（１０）上に少なくとも電極部（１１ｂ）となる金属部（１１）が形成されており、前記金属部（１１）の母型基板面側には部分的に突出する突出部（１１ｄ）が設けられている半導体装置用基板の製造方法であって、
   前記母型基板（１０）上に、第一レジスト層（１２）を形成する工程と、
   前記母型基板（１０）の前記第一レジスト層（１２）で覆われていない露出領域に、凹部（２０）を形成する工程と、
   前記第一レジスト層（１２）を除去する工程と、
   前記母型基板（１０）上に、第二レジスト層（１６）を形成する工程と、
   前記母型基板（１０）の前記第二レジスト層（１６）で覆われていない露出領域に、前記金属部（１１）を形成する工程と、
   前記第二レジスト層（１６）を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
6. 前記金属部（１１）を形成する工程において、前記母型基板（１０）及び前記凹部（２０）の表面に、前記金属部（１１）をめっき成長させることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置用基板の製造方法。
7. 前記金属部（１１）を形成する工程において、前記第二レジスト層（１６）の厚さを越えて前記金属部（１１）をめっき成長させることを特徴とする請求項５または６に記載の半導体装置用基板の製造方法。
8. 半導体素子（１４）と電気的に接続する電極部（１１ｂ）となる金属部（１１）を有し、前記金属部（１１）上への前記半導体素子（１４）の搭載、前記半導体素子（１４）と前記金属部（１１）との電気的接続、封止材（１９）による封止がなされる半導体装置であって、
   前記封止材（１９）の裏面から前記金属部（１１）の裏面が露出されており、前記金属部（１１）の裏面には前記封止材（１９）の裏面より突出形成された突出部（１１ｄ）が設けられ、前記突出部（１１ｄ）を除く前記金属部（１１）の裏面と前記封止材（１９）の裏面とが略同一平面となっていることを特徴とする半導体装置。
9. 前記金属部（１１）の表面には窪み部（１１ｅ）が設けられていることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
10. 前記突出部（１１ｄ）と前記窪み部（１１ｅ）が前記金属部（１１）の厚み方向において重なる位置に設けられていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
11. 前記突出部（１１ｄ）の突出形状と前記窪み部（１１ｅ）の窪み形状が相似形であることを特徴とする請求項９または１０に記載の半導体装置用基板。

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