JP2017028707A - 高周波信号伝送線路及び電子機器 - Google Patents
高周波信号伝送線路及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017028707A JP2017028707A JP2016164411A JP2016164411A JP2017028707A JP 2017028707 A JP2017028707 A JP 2017028707A JP 2016164411 A JP2016164411 A JP 2016164411A JP 2016164411 A JP2016164411 A JP 2016164411A JP 2017028707 A JP2017028707 A JP 2017028707A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal line
- section
- frequency signal
- line
- characteristic impedance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
- H01P3/081—Microstriplines
- H01P3/082—Multilayer dielectric
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/06—Coaxial lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
- H01P3/085—Triplate lines
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
- H05K1/025—Impedance arrangements, e.g. impedance matching, reduction of parasitic impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
- H05K1/0224—Patterned shielding planes, ground planes or power planes
- H05K1/0225—Single or multiple openings in a shielding, ground or power plane
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
- H05K1/025—Impedance arrangements, e.g. impedance matching, reduction of parasitic impedance
- H05K1/0253—Impedance adaptations of transmission lines by special lay-out of power planes, e.g. providing openings
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/147—Structural association of two or more printed circuits at least one of the printed circuits being bent or folded, e.g. by using a flexible printed circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09218—Conductive traces
- H05K2201/09272—Layout details of angles or corners
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09218—Conductive traces
- H05K2201/09281—Layout details of a single conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
- H05K2201/09727—Varying width along a single conductor; Conductors or pads having different widths
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10189—Non-printed connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
【課題】挿入損失を低減できる高周波信号伝送線路及び電子機器を提供することである。【解決手段】本発明に係る高周波信号伝送線路は、素体と、第1の端部及び第2の端部を有している線状の信号線路と、グランド導体と、を備えており、グランド導体は、絶縁体層を介して信号線路と対向しており、グランド導体には、複数の開口が設けられており、信号線路、グランド導体及び素体によって特性インピーダンスが発生しており、信号線路は、第1の端部における第1の特性インピーダンス以上の特性インピーダンスを発生させ、かつ、第1の端部を含んだ連続する第1の区間と、第1の特性インピーダンスよりも低い特性インピーダンスを発生させ、かつ、第1の区間に隣接する第2の区間と、を含んでおり、複数の開口のそれぞれが信号線路と重なっている面積は、第1の端部から第2の端部に向かうにしたがって小さくなっている。【選択図】図8A
Description
本発明は、高周波信号伝送線路及び電子機器に関し、より特定的には、信号線路及びグランド導体を備えた高周波信号伝送線路及び電子機器に関する。
従来の高周波信号伝送線路としては、例えば、特許文献1に記載の高周波信号線路が知られている。該高周波信号線路は、誘電体素体、信号線、第1のグランド導体及び第2のグランド導体を備えている。信号線、第1のグランド導体及び第2のグランド導体は、誘電体素体に設けられている。また、第1のグランド導体及び第2のグランド導体は、信号線を上下方向から挟んでいる。すなわち、信号線、第1のグランド導体及び第2のグランド導体は、ストリップライン構造をなしている。更に、第2のグランド導体には、信号線と重なる複数の開口が設けられている。以上のような高周波信号線路によれば、第2のグランド導体に開口を設けることにより、第2のグランド導体と信号線との間に発生する容量を小さくすることができるので、第2のグランド導体と信号線とを近づけて、誘電体素体の薄型化を図ることができる。
ところで、特許文献1に記載の高周波信号線路において、挿入損失をより低減したいという要望が存在する。
そこで、本発明の目的は、挿入損失を低減できる高周波信号伝送線路及び電子機器を提供することである。
本発明の一形態に係る高周波信号伝送線路は、素体と、前記素体に設けられ、かつ、第1の端部及び第2の端部を有している線状の信号線路と、前記素体に設けられ、かつ、前記信号線路に沿って延在している少なくとも1以上のグランド導体と、を備えており、前記素体は、絶縁体層が積層されて構成されており、前記グランド導体は、前記絶縁体層を介して前記信号線路と対向しており、前記グランド導体には、該信号線路に沿って並ぶ複数の開口が設けられており、前記信号線路、前記グランド導体及び前記素体によって特性インピーダンスが発生しており、前記信号線路は、前記第1の端部における第1の特性インピーダンス以上の特性インピーダンスを発生させ、かつ、該第1の端部を含んだ連続する第1の区間と、該第1の特性インピーダンスよりも低い特性インピーダンスを発生させ、かつ、該第1の区間に隣接する第2の区間と、を含んでおり、前記信号線路に沿って並ぶ前記複数の開口のそれぞれが前記信号線路と重なっている面積は、前記第1の端部から前記第2の端部に向かうにしたがって小さくなっていること、を特徴とする。
本発明の一形態に係る電子機器は、高周波信号伝送線路と、前記高周波信号伝送線路を収容する筐体と、を備えており、前記高周波信号伝送線路は、素体と、前記素体に設けられ、かつ、第1の端部及び第2の端部を有している線状の信号線路と、前記素体に設けられ、かつ、前記信号線路に沿って延在している少なくとも1以上のグランド導体と、を備えており、前記素体は、絶縁体層が積層されて構成されており、前記グランド導体は、前記絶縁体層を介して前記信号線路と対向しており、前記グランド導体には、該信号線路に沿って並ぶ複数の開口が設けられており、前記信号線路、前記グランド導体及び前記素体によって特性インピーダンスが発生しており、前記信号線路は、前記第1の端部における第1の特性インピーダンス以上の特性インピーダンスを発生させ、かつ、該第1の端部を含んだ連続する第1の区間と、該第1の特性インピーダンスよりも低い特性インピーダンスを発生させ、かつ、該第1の区間に隣接する第2の区間と、を含んでおり、前記信号線路に沿って並ぶ前記複数の開口のそれぞれが前記信号線路と重なっている面積は、前記第1の端部から前記第2の端部に向かうにしたがって小さくなっていること、を特徴とする。
本発明によれば、挿入損失を低減できる。
以下に、本発明の一実施形態に係る高周波信号伝送線路及び電子機器について図面を参照しながら説明する。
(高周波信号伝送線路の構成)
以下に、本発明の第1の実施形態に係る高周波信号伝送線路の構成について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る高周波信号伝送線路10の外観斜視図である。図2は、図1の高周波信号伝送線路10の誘電体素体12の分解図である。図3は、図1の高周波信号伝送線路10の断面構造図である。図4は、高周波信号伝送線路10の断面構造図である。図5Aは、コネクタ100b及び接続部12cを示した斜視図である。図5Bは、コネクタ100bの断面構造図である。図5Cは、高周波信号伝送線路10の特性インピーダンスを示したグラフである。図5Cにおいて、縦軸は特性インピーダンスを示し、横軸はx座標を示している。図1ないし図4において、高周波信号伝送線路10の積層方向をz軸方向と定義する。また、高周波信号伝送線路10の長手方向をx軸方向と定義し、x軸方向及びz軸方向に直交する方向をy軸方向と定義する。
以下に、本発明の第1の実施形態に係る高周波信号伝送線路の構成について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る高周波信号伝送線路10の外観斜視図である。図2は、図1の高周波信号伝送線路10の誘電体素体12の分解図である。図3は、図1の高周波信号伝送線路10の断面構造図である。図4は、高周波信号伝送線路10の断面構造図である。図5Aは、コネクタ100b及び接続部12cを示した斜視図である。図5Bは、コネクタ100bの断面構造図である。図5Cは、高周波信号伝送線路10の特性インピーダンスを示したグラフである。図5Cにおいて、縦軸は特性インピーダンスを示し、横軸はx座標を示している。図1ないし図4において、高周波信号伝送線路10の積層方向をz軸方向と定義する。また、高周波信号伝送線路10の長手方向をx軸方向と定義し、x軸方向及びz軸方向に直交する方向をy軸方向と定義する。
また、以下では、長さとは、信号線路20等のx軸方向の長さを意味する。幅とは、信号線路20等のy軸方向の幅を意味する。厚さとは、誘電体シート18等のz軸方向の厚さを意味する。
高周波信号伝送線路10は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、2つの高周波回路を接続するために用いられる。高周波信号伝送線路10は、図1ないし図3に示すように、誘電体素体12、外部端子16a,16b、信号線路20、グランド導体22,24、ビアホール導体b1,b2,B1〜B4及びコネクタ100a,100bを備えている。
誘電体素体12は、z軸方向から平面視したときに、x軸方向に延在する帯状をなしており、線路部12a、接続部12b,12cを含んでいる。誘電体素体12は、図2に示す保護層14及び誘電体シート18a〜18cがz軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。以下では、誘電体素体12及び誘電体シート18a〜18cのz軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体素体12及び誘電体シート18a〜18cのz軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。
線路部12aは、x軸方向に延在している。接続部12b,12cはそれぞれ、線路部12aのx軸方向の負方向側の端部及びx軸方向の正方向側の端部に接続されている。接続部12b,12cはそれぞれ、後述するコネクタ100a,100bが実装される領域である。接続部12b,12cの幅は、線路部12aの幅と同じである。
誘電体シート18a〜18cは、z軸方向から平面視したときに、x軸方向に延在しており、誘電体素体12と同じく帯状をなしている。誘電体シート18a〜18cは、ポリイミドや液晶ポリマー等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。誘電体シート18aの厚さT1は、図4に示すように、誘電体シート18bの厚さT2と実質的に等しい。例えば、誘電体シート18a〜18cの積層後において、厚さT1,T2は50〜300μmである。本実施形態では、厚さT1,T2は150μmである。
また、誘電体シート18aは、線路部18a−a及び接続部18a−b,18a−cにより構成されている。誘電体シート18bは、線路部18b−a及び接続部18b−b,18b−cにより構成されている。誘電体シート18cは、線路部18c−a及び接続部18c−b,18c−cにより構成されている。線路部18a−a,18b−a,18c−aは、線路部12aを構成している。接続部18a−b,18b−b,18c−bは、接続部12bを構成している。接続部18a−c,18b−c,18c−cは、接続部12cを構成している。
外部端子16aは、図1及び図2に示すように、接続部18a−bの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子16bは、図1及び図2に示すように、接続部18a−cの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子16a,16bは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子16a,16bの表面には、金めっきが施されている。
信号線路20は、図2に示すように、誘電体素体12内に設けられている線状導体であり、誘電体シート18bの表面においてx軸方向に延在している。これにより、信号線路20は、x軸方向の負方向側の端部(第1の端部)及びx軸方向の正方向側の端部(第2の端部)を有している。信号線路20のx軸方向の両端はそれぞれ、z軸方向から平面視したときに、外部端子16a,16bと重なっている。信号線路20は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。以上のように構成された信号線路20には、高周波信号が伝送される。信号線路20の線幅については、後述する。
グランド導体22は、図2に示すように、誘電体素体12内において信号線路20よりもz軸方向の正方向側に設けられ、より詳細には、誘電体シート18aの表面に設けられている。グランド導体22は、誘電体シート18aの表面においてx軸方向に延在しており、誘電体シート18aを介して信号線路20と対向している。グランド導体22は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
また、グランド導体22は、線路部22a、端子部22b,22cにより構成されている。線路部22aは、線路部18a−aの表面に設けられ、x軸方向に延在している。線路部22aには、実質的に開口が設けられていない。すなわち、線路部22aは、信号線路20に沿ってx軸方向に連続的に延在する導体、所謂ベタ状の導体である。ただし、高周波信号伝送線路10の製造時に形成される意図しない微細な孔は線路部22aに形成されていてもよい。端子部22bは、接続部18a−bの表面に設けられ、外部端子16aの周囲を囲む矩形状の環をなしている。端子部22bは、線路部22aのx軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部22cは、接続部18a−cの表面に設けられ、外部端子16bの周囲を囲む環状の矩形状をなしている。端子部22cは、線路部22aのx軸方向の正方向側の端部に接続されている。以上のように構成されたグランド導体22には、接地電位が印加される。
グランド導体24は、図2に示すように、誘電体素体12内において信号線路20よりもz軸方向の負方向側に設けられ、より詳細には、誘電体シート18cの表面に設けられている。グランド導体24は、誘電体シート18cの表面においてx軸方向に延在しており、誘電体シート18bを介して信号線路20と対向している。すなわち、グランド導体24は、信号線路20を挟んでグランド導体22と対向している。グランド導体24は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
また、グランド導体24は、線路部24a、端子部24b,24cにより構成されている。線路部24aは、線路部18c−aの表面に設けられ、x軸方向に延在している。線路部24aには、実質的に開口が設けられていない。すなわち、線路部24aは、信号線路20に沿ってx軸方向に連続的に延在する導体、所謂ベタ状の導体である。ただし、高周波信号伝送線路10の製造時に形成される意図しない微細な孔は線路部24aに形成されていてもよい。端子部24bは、接続部18c−bの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部24bは、線路部24aのx軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部24cは、接続部18c−cの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部24cは、線路部24aのx軸方向の正方向側の端部に接続されている。以上のように構成されたグランド導体24には、接地電位が印加される。
以上のように、信号線路20は、z軸方向の両側から誘電体シート18a,18bを介してグランド導体22,24によって挟まれている。すなわち、信号線路20及びグランド導体22,24は、トリプレート型のストリップライン構造をなしている。また、信号線路20とグランド導体22との間隔は、図4に示すように誘電体シート18aの厚さT1と略等しく、例えば、50μm〜300μmである。本実施形態では、信号線路20とグランド導体22との間隔は、150μmである。また、信号線路20とグランド導体24との間隔は、図4に示すように誘電体シート18bの厚さT2と略等しく、例えば、50μm〜300μmである。本実施形態では、信号線路20とグランド導体24との間隔は、150μmである。
ビアホール導体b1は、誘電体シート18aの接続部18a−bをz軸方向に貫通しており、外部端子16aと信号線路20のx軸方向の負方向側の端部とを接続している。ビアホール導体b2は、誘電体シート18aの接続部18a−cをz軸方向に貫通しており、外部端子16bと信号線路20のx軸方向の正方向側の端部とを接続している。これにより、信号線路20は、外部端子16a,16b間に接続されている。ビアホール導体b1,b2は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
ビアホール導体B1,B2はそれぞれ、誘電体シート18a,18bの線路部18a−a,18b−aをz軸方向に貫通しており、z軸方向から平面視したときに、信号線路20よりもy軸方向の正方向側に設けられている。ビアホール導体B1,B2はそれぞれ、線路部18a−a,18b−aに複数設けられており、x軸方向に一列に並んでいる。そして、ビアホール導体B1,B2は、互いに接続されることにより1本のビアホール導体を構成しており、グランド導体22とグランド導体24とを接続している。ビアホール導体B1,B2は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
ビアホール導体B3,B4はそれぞれ、誘電体シート18a,18bの線路部18a−a,18b−aをz軸方向に貫通しており、z軸方向から平面視したときに、信号線路20よりもy軸方向の負方向側に設けられている。ビアホール導体B3,B4はそれぞれ、線路部18a−a,18b−aに複数設けられており、x軸方向に一列に並んでいる。そして、ビアホール導体B3,B4は、互いに接続されることにより1本のビアホール導体を構成しており、グランド導体22とグランド導体24とを接続している。ビアホール導体B3,B4は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
保護層14は、誘電体シート18aの表面の略全面を覆っている。これにより、保護層14は、グランド導体22を覆っている。保護層14は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。
また、保護層14は、図2に示すように、線路部14a及び接続部14b,14cにより構成されている。線路部14aは、線路部18a−aの表面の全面を覆うことにより、線路部22aを覆っている。
接続部14bは、線路部14aのx軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部18a−bの表面を覆っている。ただし、接続部14bには、開口Ha〜Hdが設けられている。開口Haは、接続部14bの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子16aは、開口Haを介して外部に露出している。また、開口Hbは、開口Haのy軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Hcは、開口Haのx軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Hdは、開口Haのy軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部22bは、開口Hb〜Hdを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。
接続部14cは、線路部14aのx軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部18a−cの表面を覆っている。ただし、接続部14cには、開口He〜Hhが設けられている。開口Heは、接続部14cの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子16bは、開口Heを介して外部に露出している。また、開口Hfは、開口Heのy軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Hgは、開口Heのx軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Hhは、開口Heのy軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部22cは、開口Hf〜Hhを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。
コネクタ100a,100bはそれぞれ、接続部12b,12cの表面上に実装される。コネクタ100a,100bの構成は同じであるので、以下にコネクタ100bの構成を例に挙げて説明する。
コネクタ100bは、図1、図5A及び図5Bに示すように、コネクタ本体102、外部端子104,106及び中心導体108及び外部導体110により構成されている。コネクタ本体102は、矩形状の板状部分と、該板状部分からz軸方向の正方向側に突出する円筒部分により構成されており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。
外部端子104は、コネクタ本体102の板状部分のz軸方向の負方向側の面において、外部端子16bと対向する位置に設けられている。外部端子106は、コネクタ本体102の板状部分のz軸方向の負方向側の面において、開口Hf〜Hhを介して露出している端子部22cに対応する位置に設けられている。
中心導体108は、コネクタ本体102の円筒部分の中心に設けられており、外部端子104と接続されている。中心導体108は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体110は、コネクタ本体102の円筒部分の内周面に設けられており、外部端子106と接続されている。外部導体110は、接地電位に保たれるグランド端子である。
以上のように構成されたコネクタ100bは、外部端子104が外部端子16bと接続され、外部端子106が端子部22cと接続されるように、接続部12cの表面上に実装される。これにより、信号線路20は、中心導体108に電気的に接続されている。また、グランド導体22,24は、外部導体110に電気的に接続されている。
ところで、高周波信号伝送線路10は、挿入損失を低減するために、以下に説明する構成を有している。より詳細には、信号線路20は、図2に示すように、区間A1,A2を有している。区間A1は、図5Cに示すように、信号線路20のx軸方向の負方向側の端部における特性インピーダンスZ1(例えば、50Ω)以上の特性インピーダンスを発生させ、信号線路20のx軸方向の負方向側の端部を含んだ連続する区間である。すなわち、区間A1は、信号線路20のx軸方向の負方向側の端部を起点としてx軸方向の正方向側に向かって伸びる区間である。本実施形態では、区間A1に発生している特性インピーダンスは、特性インピーダンスZ1で均一である。
区間A2は、図5Cに示すように、特性インピーダンスZ1よりも低い特性インピーダンスを発生させ、かつ、区間A1に隣接している。すなわち、区間A2は、区間A1のx軸方向の正方向側の端部を起点としてx軸方向の正方向側に向かって伸びる区間であり、信号線路20のx軸方向の正方向側の端部を含んでいる。また、区間A2は、区間A1よりも長い。
更に、区間A2には、インピーダンス変換区間a1及び均一区間a2が含まれている。インピーダンス変換区間a1は、区間A1に隣接しており、区間A1のx軸方向の正方向側の端部を起点としてx軸方向の正方向側に向かって伸びる区間である。インピーダンス変換区間a1の特性インピーダンスは、図5Cに示すように、区間A1から離れるにしたがって(すなわち、x軸方向の正方向側に行くにしたがって)、低下する方向に変化している。均一区間a2は、インピーダンス変換区間a1に隣接しており、インピーダンス変換区間a1のx軸方向の正方向側の端部を起点としてx軸方向の正方向側に向かって伸びる区間である。均一区間a2は、図5Cに示すように、実質的に均一な特性インピーダンスZ10(例えば、30Ω)を発生させている。均一区間a2は、信号線路20のx軸方向の正方向側の端部を含んでいる。したがって、信号線路20のx軸方向の正方向側の端部における特性インピーダンスは、特性インピーダンスZ10と実質的に等しい。
また、インピーダンス変換区間a1の長さは、信号線路20を伝送される高周波信号の波長の1/5倍以上であることが好ましく、より好ましくは、信号線路20を伝送される高周波信号の波長の1/4倍以上であることが好ましい。また、インピーダンス変換区間a1の長さは、信号線路20を伝送される高周波信号の波長の2倍以下であることが好ましい。
高周波信号伝送線路10では、特性インピーダンスが発生するように、信号線路20の線幅を各区間において異ならせている。より詳細には、区間A1では、信号線路20の線幅は、幅w1(例えば、100μm)である。均一区間a2では、信号線路20の線幅は、幅w1よりも大きい幅w2(例えば、300μm)である。このように、区間A1では、信号線路20の線幅が相対的に小さいので、信号線路20とグランド導体22,24との単位長さ当たりの対向面積が相対的に小さくなる。これにより、区間A1では、信号線路20とグランド導体22,24との間に発生する単位長さ当たりの容量も相対的に小さくなり、高周波信号伝送線路の特性インピーダンスZ1も相対的に大きくなる。一方、均一区間a2では、信号線路20の線幅が相対的に大きいので、信号線路20とグランド導体22,24との単位長さ当たりの対向面積が相対的に大きくなる。これにより、均一区間a2では、信号線路20とグランド導体22,24との間に発生する単位長さ当たりの容量も相対的に大きくなり、高周波信号伝送線路10の特性インピーダンスZ10も相対的に小さくなる。
また、インピーダンス変換区間a1のx軸方向の負方向側の端部における信号線路20の線幅は、幅w1であり、インピーダンス変換区間a1のx軸方向の正方向側の端部における信号線路20の線幅は、幅w2である。すなわち、インピーダンス変換区間a1における信号線路20の線幅は、x軸方向の負方向側から正方向側へと行くにしたがって(すなわち、区間A1から離れるにしたがって)大きくなっている。また、インピーダンス変換区間a1における信号線路20の線幅は、連続的に変化している。連続的に変化するとは、階段状に変化するように不連続に変化していないことを意味する。これにより、インピーダンス変換区間a1に発生する特性インピーダンスは、特性インピーダンスZ1から特性インピーダンスZ10へとx軸方向の負方向側から正方向側へと進むにしたがって連続的に小さくなる。
以上のように、高周波信号伝送線路10の特性インピーダンスは、信号線路20、グランド導体22,24及び誘電体素体12により発生している。よって、インピーダンス変換区間a1に発生する特性インピーダンスを変化させるために、信号線路20、グランド導体22,24及び誘電体素体12を含まないバラン等の回路を高周波信号伝送線路10に用いていない。
高周波信号伝送線路10は、以下に説明するように用いられる。図6Aは、高周波信号伝送線路10が用いられた電子機器200をy軸方向から平面視した図である。図6Bは、高周波信号伝送線路10が用いられた電子機器200をz軸方向から平面視した図である。
電子機器200は、高周波信号伝送線路10、回路基板202a,202b、レセプタクル204a,204b、バッテリーパック206及び筐体210を備えている。
筐体210は、高周波信号伝送線路10、回路基板202a,202b、レセプタクル204a,204b及びバッテリーパック206を収容している。回路基板202aには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板202bには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック206は、例えば、リチウムイオン2次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板202a、バッテリーパック206及び回路基板202bは、x軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。
レセプタクル204a,204bはそれぞれ、回路基板202a,202bのz軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル204a,204bにはそれぞれ、コネクタ100a,100bが接続される。これにより、コネクタ100a,100bの中心導体108には、回路基板202a,202b間を伝送される例えば600MHz〜6GHz(本実施形態では、2GHz)の周波数を有する高周波信号がレセプタクル204a,204bを介して印加される。また、コネクタ100a,100bの外部導体110は、回路基板202a,202b及びレセプタクル204a,204bを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号伝送線路10は、回路基板202a,202b間を電気的、物理的に接続している。
ここで、誘電体素体12の表面(より正確には、保護層14の表面)は、図6Aに示すように、バッテリーパック206に対して接触している。そして、誘電体素体12の表面とバッテリーパック206とは、接着剤等により固定されている。誘電体素体12の表面は、信号線路20に関してグランド導体22側に位置する主面である。よって、信号線路20とバッテリーパック206との間には、ベタ状の(x軸方向に連続的に延在する)グランド導体22が位置している。
(高周波信号線路の製造方法)
以下に、高周波信号伝送線路10の製造方法について図2を参照しながら説明する。以下では、一つの高周波信号伝送線路10が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号伝送線路10が作製される。
以下に、高周波信号伝送線路10の製造方法について図2を参照しながら説明する。以下では、一つの高周波信号伝送線路10が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号伝送線路10が作製される。
まず、表面の全面に銅箔が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート18a〜18cを準備する。誘電体シート18a〜18cに形成された銅箔の表面は、例えば、防錆のための亜鉛鍍金が施されることにより、平滑化されている。誘電体シート18a〜18cは、50μm〜150μmの厚みを有する液晶ポリマーである。また、銅箔の厚みは、10μm〜20μmである。
次に、フォトリソグラフィ工程により、図2に示す外部端子16a,16b及びグランド導体22を誘電体シート18aの表面に形成する。具体的には、誘電体シート18aの銅箔上に、図2に示す外部端子16a,16b及びグランド導体22と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジストを除去する。これにより、図2に示すような、外部端子16a,16b及びグランド導体22が誘電体シート18aの表面に形成される。
次に、フォトリソグラフィ工程により、図2に示す信号線路20を誘電体シート18bの表面に形成する。また、フォトリソグラフィ工程により、図2に示すグランド導体24を誘電体シート18cの表面に形成する。なお、これらのフォトリソグラフィ工程は、外部端子16a,16b及びグランド導体22を形成する際のフォトリソグラフィ工程と同様であるので、説明を省略する。
次に、誘電体シート18a,18bのビアホール導体b1,b2,B1〜B4が形成される位置に対して、裏面側からレーザービームを照射して、貫通孔を形成する。その後、誘電体シート18a,18bに形成した貫通孔に対して、導電性ペーストを充填する。
次に、グランド導体22、信号線路20及びグランド導体24がストリップライン構造をなすように、誘電体シート18a〜18cをz軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねる。そして、誘電体シート18a〜18cに対してz軸方向の正方向側及び負方向側から熱及び圧力を加えることにより、誘電体シート18a〜18cを軟化させて圧着・一体化するとともに、貫通孔に充填された導電性ペーストを固化して、図2に示すビアホール導体b1,b2,B1〜B4を形成する。なお、誘電体シート18a〜18cは、熱圧着に代えてエポキシ系樹脂等の接着剤を用いて一体化されてもよい。また、ビアホール導体b1,b2,B1〜B4は、誘電体シート18a〜18cを一体化した後に、貫通孔を形成し、貫通孔に導電性ペーストを充填するかめっき膜を形成することによって形成されてもよい。
次に、樹脂(レジスト)ペーストを塗布することにより、誘電体シート18a上に保護層14を形成する。最後に、接続部12b,12c上にはんだによりコネクタ100a,100bを実装する。これにより、図1に示す高周波信号伝送線路10が得られる。
(効果)
高周波信号伝送線路10及び電子機器200によれば、挿入損失の低減を図ることができる。より詳細には、特許文献1に記載の高周波信号線路では、信号線全体が実質的に均一な特性インピーダンス(例えば、50Ω)が発生している。
高周波信号伝送線路10及び電子機器200によれば、挿入損失の低減を図ることができる。より詳細には、特許文献1に記載の高周波信号線路では、信号線全体が実質的に均一な特性インピーダンス(例えば、50Ω)が発生している。
一方、信号線路20は、区間A1,A2を含んでいる。区間A1は、信号線路20のx軸方向の負方向側の端部における特性インピーダンスZ1(例えば、50Ω)以上の特性インピーダンスを発生させ、かつ、信号線路20のx軸方向の正方向側の端部を含んでいる。また、区間A2は、特性インピーダンスZ1よりも低い特性インピーダンスを発生させ、かつ、区間A1に隣接している。すなわち、高周波信号伝送線路10の信号線路20には、一部(区間A2)において、信号線路20のx軸方向の正方向側の負方向側の端部における特性インピーダンスZ1よりも低い特性インピーダンスが発生している。よって、高周波信号伝送線路10では、特許文献1に記載の高周波信号伝送線路に比べて、区間A2における伝送ロスが低減されている。その結果、高周波信号伝送線路10によれば、特許文献1に記載の高周波信号線路に比べて、挿入損失の低減が図られている。
また、高周波信号伝送線路10では、区間A2における伝送ロスを低減するために、区間A2に発生している特性インピーダンスを信号線路20のx軸方向の正方向側の端部における特性インピーダンスZ1よりも小さくしている。そこで、高周波信号伝送線路10では、区間A2における信号線路20の線幅w2を区間A1における信号線路20の線幅w1よりも大きくしている。これにより、区間A2における信号線路20の抵抗値の低減が図られる。その結果、区間A2を高周波信号が伝送される際に発生する導体損が低減され、高周波信号伝送線路10において挿入損失の低減が図られる。
また、高周波信号伝送線路10では、インピーダンス変換区間a1において、信号線路20の線幅は連続的に変化しているので、インピーダンス変換区間a1の特性インピーダンスも連続的に変化する。そのため、インピーダンス変換区間a1に発生している特性インピーダンスが急激に変動することが抑制され、インピーダンス変換区間a1における高周波信号の反射が抑制される。
また、高周波信号伝送線路10では、以下の理由によっても、挿入損失の低減が図られている。より詳細には、高周波信号伝送線路において、例えば、インピーダンス変換区間a1に相当する部分に、バランを設けて、信号線路に発生している特性インピーダンスを変化させることが考えられる。ただし、バランにおいて伝送ロスが発生するため、高周波信号伝送線路の挿入損失が大きくなってしまう。
そこで、高周波信号伝送線路10の特性インピーダンスは、信号線路20、グランド導体22,24及び誘電体素体12により発生している。よって、インピーダンス変換区間a1に発生している特性インピーダンスを変化させるために、信号線路20、グランド導体22,24及び誘電体素体12を含まないバラン等の回路を高周波信号伝送線路10に用いない。その結果、高周波信号伝送線路10の挿入損失が低減される。
また、インピーダンス変換区間a1の長さを、信号線路20を伝送される高周波信号の波長の1/5倍以上又は1/4倍以上とすることにより、インピーダンス変換区間a1が不整合素子として機能することを抑制できる。すなわち、インピーダンス変換区間a1において、高周波信号の反射が抑制される。その結果、高周波信号伝送線路10の挿入損失が低減される。なお、インピーダンス変換区間a1の長さの上限値は存在しない。ただし、高周波信号伝送線路10を電子機器200に用いるにあたって、高周波信号伝送線路10の適切な長さが存在する。そこで、実使用上の観点から、インピーダンス変換区間a1の長さの上限値は信号線路20を伝送される高周波信号の波長の2倍であることが好ましい。
(第1の変形例)
以下に、第1の変形例に係る高周波信号伝送線路10aについて図面を参照しながら説明する。図7Aは、高周波信号伝送線路10aの誘電体素体12の分解図である。
以下に、第1の変形例に係る高周波信号伝送線路10aについて図面を参照しながら説明する。図7Aは、高周波信号伝送線路10aの誘電体素体12の分解図である。
高周波信号伝送線路10aは、信号線路20が区間A1〜A3を含んでいる点において、高周波信号伝送線路10と相違する。より詳細には、高周波信号伝送線路10aでは、区間A2は、信号線路20のx軸方向の正方向側の端部を含んでいない。その代わりに、区間A3は、信号線路20のx軸方向の正方向側の端部を含んでおり、区間A2に隣接している。すなわち、区間A3は、区間A2のx軸方向の正方向側の端部を起点としてx軸方向の正方向側に向かって伸びる区間である。また、区間A3は、信号線路20のx軸方向の正方向側の端部における特性インピーダンスZ4(例えば、50Ω)以上の特性インピーダンスを発生させる連続した区間である。本実施形態では、区間A3に発生している特性インピーダンスは、特性インピーダンスZ4と等しい。
区間A2は、特性インピーダンスZ1,Z4よりも低い特性インピーダンスを発生させ、かつ、区間A1,A3に隣接している。すなわち、区間A2は、区間A1と区間A3とに挟まれた区間である。また、区間A2は、区間A1,A3よりも長い。本実施形態では、区間A2は、区間A1と区間A3との合計の長さよりも長い。
更に、区間A2は、インピーダンス変換区間a1,a3及び均一区間a2を含んでいる。インピーダンス変換区間a1は、区間A1に隣接しており、区間A1のx軸方向の正方向側の端部を起点としてx軸方向の正方向側に向かって伸びる区間である。インピーダンス変換区間a1に発生している特性インピーダンスは、区間A1から離れるにしたがって(すなわち、x軸方向の正方向側に行くにしたがって)、低下する方向に変化している。均一区間a2は、インピーダンス変換区間a1に隣接しており、インピーダンス変換区間a1のx軸方向の正方向側の端部を起点としてx軸方向の正方向側に向かって伸びる区間である。均一区間a2は、実質的に均一な特性インピーダンスZ10(例えば、30Ω)を発生させている。インピーダンス変換区間a3は、均一区間a2に隣接しており、均一区間a2のx軸方向の正方向側の端部を起点としてx軸方向の正方向側に向かって伸びる区間である。インピーダンス変換区間a1に発生している特性インピーダンスは、区間A2から離れるにしたがって(すなわち、x軸方向の正方向側に行くにしたがって)、増加している。
また、インピーダンス変換区間a3の長さは、インピーダンス変換区間a1の長さと同様に、信号線路20を伝送される高周波信号の波長の1/5倍以上であることが好ましく、より好ましくは、信号線路20を伝送される高周波信号の波長の1/4倍以上であることが好ましい。また、インピーダンス変換区間a3の長さは、インピーダンス変換区間a1の長さと同様に、信号線路20を伝送される高周波信号の波長の2倍以下であることが好ましい。
高周波信号伝送線路10aでは、以上のような特性インピーダンスが発生するように、信号線路20の線幅を各区間において異ならせている。より詳細には、区間A1,A3では、信号線路20の線幅は、幅w1である。均一区間a2では、信号線路20の線幅は、幅w2よりも大きい幅w2である。このように、区間A1,A3では、信号線路20の線幅が相対的に小さいので、信号線路20とグランド導体22,24との単位長さ当たりの対向面積が相対的に小さくなる。これにより、区間A1,A3では、信号線路20とグランド導体22,24との間に発生する単位長さ当たりの容量も相対的に小さくなり、高周波信号伝送線路10aの特性インピーダンスZ1も相対的に大きくなる。一方、均一区間a2では、信号線路20の線幅が相対的に大きいので、信号線路20とグランド導体22,24との単位長さ当たりの対向面積が相対的に大きくなる。これにより、均一区間a2では、信号線路20とグランド導体22,24との間に発生する単位長さ当たりの容量も相対的に大きくなり、高周波信号伝送線路10aの特性インピーダンスZ10も相対的に小さくなる。
また、インピーダンス変換区間a1のx軸方向の負方向側の端部における信号線路20の線幅は、幅w1であり、インピーダンス変換区間a1のx軸方向の正方向側の端部における信号線路20の線幅は、幅w2である。すなわち、インピーダンス変換区間a1における信号線路20の線幅は、x軸方向の負方向側から正方向側へと行くにしたがって(すなわち、区間A1から離れるにしたがって)大きくなっている。また、インピーダンス変換区間a1における信号線路20の線幅は、連続的に変化している。これにより、インピーダンス変換区間a1に発生する特性インピーダンスは、x軸方向の負方向側から正方向側へと進むにしたがって、特性インピーダンスZ1から特性インピーダンスZ10へと連続的に減少する。
また、インピーダンス変換区間a3のx軸方向の負方向側の端部における信号線路20の線幅は、幅w2であり、インピーダンス変換区間a3のx軸方向の正方向側の端部における信号線路20の線幅は、幅w1である。すなわち、インピーダンス変換区間a3における信号線路20の線幅は、x軸方向の負方向側から正方向側へと行くにしたがって(すなわち、区間A2から離れるにしたがって)小さくなっている。また、インピーダンス変換区間a3における信号線路20の線幅は、連続的に変化している。これにより、インピーダンス変換区間a3に発生する特性インピーダンスは、x軸方向の負方向側から正方向側へと、特性インピーダンスZ10から特性インピーダンスZ4へと進むにしたがって連続的に増加する。
高周波信号伝送線路10aの特性インピーダンスは、信号線路20、グランド導体22,24及び誘電体素体12により発生している。よって、インピーダンス変換区間a1,a3の特性インピーダンスを変化させるために、信号線路20、グランド導体22,24及び誘電体素体12を含まないバラン等の回路を高周波信号伝送線路10に用いていない。
以上のように構成された高周波信号伝送線路10aも、高周波信号伝送線路10と同じ作用効果を奏することができる。
ところで、本願発明者は、高周波信号伝送線路10aにおいて、挿入損失が低減されていることを明らかにするため、及び、インピーダンス変換区間a3の適切な長さを決定するために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。より詳細には、本願発明者は、高周波信号伝送線路10aの第1のモデル、及び、比較例に係る高周波信号伝送線路の第2のモデルを作製した。比較例に係る高周波信号伝送線路は、均一な線幅を有する信号線を備えることにより均一な特性インピーダンスを発生させている。そして、第1のモデル及び第2のモデルにおける挿入損失(I.L.)及び反射損失(R.L.)と周波数との関係を調べた。挿入損失は、入力信号の電力に対する出力信号の電力の比の値である。反射損失は、入力信号の電力に対する反射信号の電力の比の値である。図7Bは、シミュレーション結果を示したグラフである。縦軸は減衰量を示し、横軸は周波数を示す。
図7Bによれば、1.8GHz以上の周波数帯域において、第1のモデルの挿入損失は、第2のモデルの挿入損失よりも良好であることが分かる。よって、高周波信号伝送線路10aでは、挿入損失の低減が図られていることが分かる。
なお、第1のモデルの挿入損失と第2のモデルの挿入損失との差は、図7Bに示すように、3.3GHz近傍において小さくなっている。これは、第1のモデルの反射損失が3.3GHz近傍において大きくなっているためである。一方、第1のモデルの挿入損失と第2のモデルの挿入損失との差は、図7Bに示すように、2.5GHz近傍及び4.7GHz近傍において大きくなっている。これは、第1のモデルの反射損失が、2.5GHz近傍及び4.7GHz近傍において小さくなっているためである。したがって、図7Bの第1のモデルの反射損失の谷の位置が、信号線路20を伝送される高周波信号の周波数と一致するように高周波信号伝送線路10aを設計すればよい。
また、図7Bによれば、1.8GHz以下の帯域では、第1のモデルの挿入損失の方が第2のモデルの挿入損失よりも悪化しているのに対して、1.8GHzより高い帯域では、第1のモデルの挿入損失の方が第2のモデルの挿入損失よりも良好である。このような現象が生じる原因は、インピーダンス変換区間a1,a3の長さと信号線路20を伝送される高周波信号との関係による。具体的には、インピーダンス変換区間a1,a3の長さが信号線路20を伝送される高周波信号の波長の1/4の整数倍であるときに、インピーダンス変換区間a1,a3における反射が抑制されて、第1のモデルの反射損失が小さくなる。よって、インピーダンス変換区間a1,a3の長さは、信号線路20を伝送される高周波信号の波長の1/4以上が好ましく、より好ましくは、信号線路20を伝送される高周波信号の波長の1/4の整数倍が好ましい。なお、本実施形態では、インピーダンス変換区間a1,a3の長さは、2.5GHzの高周波信号の波長の1/4(すなわち、約10GHzの高周波信号の波長)に設定されている。これにより、第1のモデルの挿入損失が2.5GHzにおいて小さくなっている。
また、高周波信号伝送線路10aでは、区間A2において信号線路20の線幅を大きくすることにより、挿入損失の低減を図っている。区間A2において信号線路20の線幅を大きくすることによる挿入損失の低減のメリットと、インピーダンス変換区間a1,a3の長さが信号線路20を伝送される高周波信号の波長の1/4より短いことによる反射損失の増加のデメリットとが相殺される周波数が1.8GHzである。前記の通り、インピーダンス変換区間a1,a3の長さは、約10GHzの高周波信号の波長に設定されている。換言すれば、インピーダンス変換区間a1,a3の長さは、1.8GHzの高周波信号の波長の約1/5に設定されている。よって、インピーダンス変換区間a1,a3の長さは、信号線路20を伝送される高周波信号の波長の1/5以上であってもよい。
(第2の変形例)
以下に、第2の変形例に係る高周波信号伝送線路10bについて図面を参照しながら説明する。図8Aは、高周波信号伝送線路10bの誘電体素体12の分解図である。図8Bは、高周波信号伝送線路10bのA−Aにおける断面構造図である。図8Cは、高周波信号伝送線路10bの特性インピーダンスを示したグラフである。図8Cにおいて、縦軸は特性インピーダンスを示し、横軸はx座標を示している。
以下に、第2の変形例に係る高周波信号伝送線路10bについて図面を参照しながら説明する。図8Aは、高周波信号伝送線路10bの誘電体素体12の分解図である。図8Bは、高周波信号伝送線路10bのA−Aにおける断面構造図である。図8Cは、高周波信号伝送線路10bの特性インピーダンスを示したグラフである。図8Cにおいて、縦軸は特性インピーダンスを示し、横軸はx座標を示している。
高周波信号伝送線路10bは、以下の3点において、高周波信号伝送線路10と相違する。
第1の相違点:信号線路20の幅が均一である点
第2の相違点:グランド導体24に開口30a〜30fが設けられている点
第3の相違点:信号線路20がグランド導体22よりもグランド導体24の近くに設けられている点
以下に、かかる相違点を中心に高周波信号伝送線路10bについて説明する。
第1の相違点:信号線路20の幅が均一である点
第2の相違点:グランド導体24に開口30a〜30fが設けられている点
第3の相違点:信号線路20がグランド導体22よりもグランド導体24の近くに設けられている点
以下に、かかる相違点を中心に高周波信号伝送線路10bについて説明する。
第1の相違点について
信号線路20は、図8Aに示すように、均一な線幅w3を有している。幅w3は、幅w1,w2よりも大きい。
信号線路20は、図8Aに示すように、均一な線幅w3を有している。幅w3は、幅w1,w2よりも大きい。
第2の相違点について
グランド導体24には、図8Aに示すように、信号線路20に沿って並ぶ複数の開口30a〜30fが設けられている。開口30a〜30fは、z軸方向から平面視したときに、信号線路20と重なっており、x軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。開口30a〜30fは、円形をなしている。開口30a,30bの直径は、等しく、開口30a〜30fの直径の中で最大である。また、開口30c〜30fの直径は、この順番に小さくなっていく。これにより、開口30a,30bが信号線路20と重なっている面積が、開口30a〜30fが信号線路20と重なっている面積の中で最大となる。また、開口30c〜30fが信号線路20と重なっている面積は、この順に小さくなっていく。
グランド導体24には、図8Aに示すように、信号線路20に沿って並ぶ複数の開口30a〜30fが設けられている。開口30a〜30fは、z軸方向から平面視したときに、信号線路20と重なっており、x軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。開口30a〜30fは、円形をなしている。開口30a,30bの直径は、等しく、開口30a〜30fの直径の中で最大である。また、開口30c〜30fの直径は、この順番に小さくなっていく。これにより、開口30a,30bが信号線路20と重なっている面積が、開口30a〜30fが信号線路20と重なっている面積の中で最大となる。また、開口30c〜30fが信号線路20と重なっている面積は、この順に小さくなっていく。
第3の相違点について
信号線路20は、図8Bに示すように、グランド導体22よりもグランド導体24の近くに設けられている。
信号線路20は、図8Bに示すように、グランド導体22よりもグランド導体24の近くに設けられている。
以上のような高周波信号伝送線路10bでは、開口30a〜30fが設けられることにより、開口30a〜30fが設けられている区間における信号線路20とグランド導体24とが対向する面積が、残余の区間における信号線路20とグランド導体24とが対向する面積よりも小さくなる。よって、開口30a〜30fが設けられている区間における信号線路20とグランド導体24との間に発生する容量は、残余の区間における信号線路20とグランド導体24との間に発生する容量よりも小さくなる。これにより、開口30a〜30fが設けられている区間に発生する特性インピーダンスが、残余の区間に発生する特性インピーダンスよりも大きくなる。
更に、開口30a,30bの直径は、等しく、開口30a〜30fの直径の中で最大である。また、開口30c〜30fの直径は、この順番に小さくなっていく。これにより、開口30a,30bが信号線路20と重なっている面積が、開口30a〜30fが信号線路20と重なっている面積の中で最大となる。また、開口30c〜30fが信号線路20と重なっている面積は、この順に小さくなっていく。よって、高周波信号伝送線路10bの特性インピーダンスは、図8Cに示すように変動する。具体的には、高周波信号伝送線路10bの特性インピーダンスは、開口30a,30bが設けられている区間では、特性インピーダンスZ1以上の値で増加と減少を繰り返す。高周波信号伝送線路10bの特性インピーダンスは、開口30c〜30fが設けられている区間では、増加と減少を繰り返しながら特性インピーダンスZ1から特性インピーダンスZ10へと減少する。そして、高周波信号伝送線路10bの特性インピーダンスは、開口が設けられていない区間では、特性インピーダンスZ10となる。
以上のような高周波信号伝送線路10bでは、図8Aに示すように、信号線路20のx軸方向の負方向側の端部から開口30cのx軸方向の負方向側の端部までの区間が、区間A1に相当する。また、開口30cのx軸方向の負方向側の端部から開口30fのx軸方向の正方向側の端部までの区間が、インピーダンス変換区間a1に相当する。また、開口30fのx軸方向の正方向側の端部から信号線路20のx軸方向の正方向側の端部までの区間が、均一区間a2に相当する。
更に、高周波信号伝送線路10bでは、開口30a〜30fが設けられることにより、信号線路20とグランド導体24との間に発生する容量が小さくなる。そのため、開口30a〜30fが設けられている区間において、高周波信号伝送線路10bの特性インピーダンスが小さくなり過ぎるおそれがある。そこで、高周波信号伝送線路10bでは、高周波信号伝送線路10よりも、信号線路20とグランド導体24との距離を小さくすると共に、信号線路20の線幅を大きくしている。
以上のように構成された高周波信号伝送線路10bによれば、高周波信号伝送線路10と同じ効果を奏することができる。
また、高周波信号伝送線路10bでは、薄型化及び挿入損失の低減が図られる。より詳細には、グランド導体24に開口30a〜30fを設けることにより、信号線路20とグランド導体24との距離を小さくすることができ、高周波信号伝送線路10bを薄型化できる。ただし、グランド導体24に開口30a〜30fが設けられると、放射損が発生し、高周波信号伝送線路10bの挿入損失が悪化する。放射損とは、開口を介して信号線路20から高周波信号伝送線路10b外にノイズが放射されることにより生じる損失である。
そこで、開口30c〜30fの面積は、インピーダンス変換区間a1において、区間A1から離れるにしたがって、この順に小さくなっていく。これにより、インピーダンス変換区間a1において、区間A1から離れるにしたがって、放射損が減少していく。そして、均一区間a2では、開口が設けられていないので、放射損が最小となる。すなわち、区間A2において、放射損の発生が抑制されている。このように、高周波信号伝送線路10bでは、開口30a〜30fを設けることにより、高周波信号伝送線路10bの薄型化を図りつつ、開口30a〜30fの形状を工夫することにより、区間A2における放射損を減少させている。よって、高周波信号伝送線路10bによれば、薄型化及び挿入損失の低減が図られる。
また、高周波信号伝送線路10bによれば、信号線路20の線幅が大きくなっているので、信号線路20を高周波信号が伝送される際に発生する導体損が低減される。その結果、高周波信号伝送線路10bにおいて挿入損失の低減が図られる。
また、高周波信号伝送線路10bによれば、信号線路20とグランド導体24とが近くなるので、誘電体素体12の薄型化が図られる。その結果、高周波信号伝送線路10bを容易に折り曲げることが可能となる。
(第3の変形例)
以下に、第3の変形例に係る高周波信号伝送線路10cについて図面を参照しながら説明する。図9Aは、高周波信号伝送線路10cの誘電体素体12の分解図である。図9Bは、高周波信号伝送線路10cの特性インピーダンスを示したグラフである。高周波信号伝送線路10cの断面構造図は、図8Bを援用する。
以下に、第3の変形例に係る高周波信号伝送線路10cについて図面を参照しながら説明する。図9Aは、高周波信号伝送線路10cの誘電体素体12の分解図である。図9Bは、高周波信号伝送線路10cの特性インピーダンスを示したグラフである。高周波信号伝送線路10cの断面構造図は、図8Bを援用する。
高周波信号伝送線路10cは、以下の3点において、高周波信号伝送線路10と相違する。
第1の相違点:信号線路20の幅がx軸方向の負方向側から正方向側に行くにしたがって大きくなっている点
第2の相違点:グランド導体24に複数の開口30が設けられている点
第3の相違点:信号線路20がグランド導体22よりもグランド導体24の近くに設けられている点
以下に、かかる相違点を中心に高周波信号伝送線路10cについて説明する。
第1の相違点:信号線路20の幅がx軸方向の負方向側から正方向側に行くにしたがって大きくなっている点
第2の相違点:グランド導体24に複数の開口30が設けられている点
第3の相違点:信号線路20がグランド導体22よりもグランド導体24の近くに設けられている点
以下に、かかる相違点を中心に高周波信号伝送線路10cについて説明する。
第1の相違点について
信号線路20は、図9Aに示すように、x軸方向の負方向側から正方向側に行くにしたがって連続的に大きくなっている。
信号線路20は、図9Aに示すように、x軸方向の負方向側から正方向側に行くにしたがって連続的に大きくなっている。
第2の相違点について
グランド導体24には、図9Aに示すように、信号線路20に沿って並ぶ複数の開口30が設けられている。複数の開口30は、z軸方向から平面視したときに、信号線路20と重なっており、長方形状をなしている。これにより、グランド導体24は、梯子状をなしている。また、グランド導体24において、開口30によりx軸方向の両側から挟まれている部分をブリッジ部60と呼ぶ。
グランド導体24には、図9Aに示すように、信号線路20に沿って並ぶ複数の開口30が設けられている。複数の開口30は、z軸方向から平面視したときに、信号線路20と重なっており、長方形状をなしている。これにより、グランド導体24は、梯子状をなしている。また、グランド導体24において、開口30によりx軸方向の両側から挟まれている部分をブリッジ部60と呼ぶ。
第3の相違点について
信号線路20は、図8Bに示すように、グランド導体22よりもグランド導体24の近くに設けられている。
信号線路20は、図8Bに示すように、グランド導体22よりもグランド導体24の近くに設けられている。
以上のような高周波信号伝送線路10cでは、開口30における信号線路20とグランド導体24との間に発生する容量は、ブリッジ部60における信号線路20とグランド導体24との間に発生する容量よりも小さい。したがって、開口30における高周波信号伝送線路10bの特性インピーダンスは、ブリッジ部60における高周波信号伝送線路10bの特性インピーダンスよりも大きくなる。信号線路20は、開口30及びブリッジ部60と交互に重なっている。よって、高周波信号伝送線路10bの特性インピーダンスは、図9Bに示すように、増加と減少とを繰り返す。
ただし、信号線路20の線幅は、x軸方向の負方向側から正方向側に行くにしたがって大きくなっている。したがって、信号線路20とグランド導体24との間に発生する容量は、x軸方向の負方向側から正方向側に行くにしたがって大きくなる。その結果、図9Bに示すように、高周波信号伝送線路10bの特性インピーダンスは、x軸方向の負方向側から正方向側に行くにしたがって、増加と減少を繰り返しながら小さくなる。
以上のような高周波信号伝送線路10bでは、図9Bに示すように、高周波信号伝送線路10bの特性インピーダンスは、信号線路20のx軸方向の負方向側の端部において特性インピーダンスZ1となり、x軸方向に進むといったん増加する。そして、信号線路20のx軸方向の負方向側の端部から、信号線路20のx軸方向の負方向側の端部を起点としてx軸方向の正方向側に進行して最初に特性インピーダンスが特性インピーダンスZ1になる位置までの区間が区間A1となる。すなわち、区間A1は、特性インピーダンスZ1以上の特性インピーダンスを発生させる連続した区間である。本実施形態では、信号線路20のx軸方向の負方向側の端部から複数のブリッジ部60の内の最もx軸方向の負方向側に設けられているブリッジ部60までの区間が区間A1である。
また、区間A2は、区間A1のx軸方向の正方向側の端部から信号線路20のx軸方向の正方向側の端部までの区間である。なお、区間A2に発生する特性インピーダンスは、実質的に減少している。そのため、高周波信号伝送線路10bにおいて、均一区間a2は存在しない。よって、高周波信号伝送線路10bでは、区間A2とインピーダンス変換区間a1とは同一である。
以上のように構成された高周波信号伝送線路10cによれば、高周波信号伝送線路10と同じ効果を奏することができる。
また、高周波信号伝送線路10cによれば、信号線路20とグランド導体24とが近くなるので、誘電体素体12の薄型化が図られる。その結果、高周波信号伝送線路10bを容易に折り曲げることが可能となる。
ところで、本願発明者は、高周波信号伝送線路10cにおいて、挿入損失を低減できることを明確にするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。より詳細には、以下に説明する第3のモデルないし第5のモデルを作製した。
第3のモデルは、高周波信号伝送線路10cの構成を有するモデルである。なお、特性インピーダンスZ1は、50Ωであり、特性インピーダンスZ4は、30Ωである。
第4のモデルは、特許文献1に記載の高周波信号線路の構成を有するモデルである。高周波信号線路の特性インピーダンスは50Ωで均一である。
第5のモデルは、特許文献1に記載の高周波信号線路にバランを設けたモデルである。信号線の一端における特性インピーダンスは50Ωであり、信号線の他端における特性インピーダンスは30Ωである。
本願発明者は、第3のモデルないし第5のモデルを用いて、反射特性及び通過特性と周波数との関係を調べた。図10Aは、第3のモデルの反射特性を示したグラフである。図10Bは、第3のモデルの通過特性を示したグラフである。図11Aは、第4のモデルの反射特性を示したグラフである。図11Bは、第4のモデルの通過特性を示したグラフである。図12Aは、第5のモデルの反射特性を示したグラフである。図12Bは、第5のモデルの通過特性を示したグラフである。通過特性とは、外部端子16aへの入力信号の強度に対する外部端子16bからの出力信号の強度の比の値である。反射特性とは、外部端子16aへの入力信号の強度に対する外部端子16aからの反射信号の強度の比の値である。
第3のモデルでは、2.4GHzにおいて反射特性が最も良好となっている。そして、第3のモデルでは、通過特性は、2.4Hzにおいて−0.477dBとなっている。
第4のモデルでは、2.4GHzにおいて反射特性が最も良好となっている。そして、第4のモデルでは、通過特性は、2.4GHzにおいて−0.504dBとなっている。
第5のモデルでは、2.4GHzにおいて反射特性が最も良好となっている。そして、第5のモデルでは、通過特性は、2.4GHzにおいて−1.307dBとなっている。
以上のように、第3のモデルの2.4GHzにおける通過特性は、第4のモデル及び第5のモデルの2.4GHzにおける通過特性よりも良好であることが分かる。したがって、高周波信号伝送線路10cでは、特許文献1に記載の高周波信号線路及びバランが適用された高周波信号線路よりも、挿入損失が低減されることが分かる。
(その他の実施形態)
本発明に係る高周波信号伝送線路は、前記高周波信号伝送線路10,10a〜10cに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
本発明に係る高周波信号伝送線路は、前記高周波信号伝送線路10,10a〜10cに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
なお、グランド導体22,24は、少なくともいずれか一方が設けられていればよい。すなわち、高周波信号伝送線路10,10a〜10cは、マイクロストリップライン構造であってもよい。
また、誘電体素体12は、積層体ではなくてもよい。誘電体素体12は、例えば、同軸ケーブルのように円形状の断面形状を有するケーブルであってもよい。この場合、信号線の周囲を囲むように円環状の断面形状を有する外部導体が設けられる。
また、高周波信号伝送線路10cにおいて、開口30が設けられていなくてもよい。この場合、高周波信号伝送線路10cの特性インピーダンスは、特性インピーダンスZ1から特性インピーダンスZ4へと直線的に減少する。そのため、区間A1は、信号線路20のx軸方向の負方向側の端部のみとなる。また、区間A2は、信号線路20のx軸方向の負方向側の端部を除く部分となる。更に、均一区間a2は存在しない。
なお、高周波信号伝送線路10,10a〜10cの構成を任意に組み合わせてもよい。
以上のように、本発明は、高周波信号伝送線路及び電子機器に関し、挿入損失を低減させることができる点において優れている。
10,10a〜10c:高周波信号伝送線路
12:誘電体素体
18a〜18c:誘電体シート
20:信号線路
22,24:グランド導体
30,30a〜30f:開口
60:ブリッジ部
200:電子機器
210:筐体
A1〜A3:区間
a1,a3:インピーダンス変換区間
a2:均一区間
12:誘電体素体
18a〜18c:誘電体シート
20:信号線路
22,24:グランド導体
30,30a〜30f:開口
60:ブリッジ部
200:電子機器
210:筐体
A1〜A3:区間
a1,a3:インピーダンス変換区間
a2:均一区間
Claims (4)
- 素体と、
前記素体に設けられ、かつ、第1の端部及び第2の端部を有している線状の信号線路と、
前記素体に設けられ、かつ、前記信号線路に沿って延在している少なくとも1以上のグランド導体と、
を備えており、
前記素体は、絶縁体層が積層されて構成されており、
前記グランド導体は、前記絶縁体層を介して前記信号線路と対向しており、
前記グランド導体には、該信号線路に沿って並ぶ複数の開口が設けられており、
前記信号線路、前記グランド導体及び前記素体によって特性インピーダンスが発生しており、
前記信号線路は、前記第1の端部における第1の特性インピーダンス以上の特性インピーダンスを発生させ、かつ、該第1の端部を含んだ連続する第1の区間と、該第1の特性インピーダンスよりも低い特性インピーダンスを発生させ、かつ、該第1の区間に隣接する第2の区間と、を含んでおり、
前記信号線路に沿って並ぶ前記複数の開口のそれぞれが前記信号線路と重なっている面積は、前記第1の端部から前記第2の端部に向かうにしたがって小さくなっていること、
を特徴とする高周波信号伝送線路。 - 前記第2の区間には、前記第1の区間に隣接し、かつ、該第1の区間から離れるにしたがって特性インピーダンスが低下する方向に変化する特性インピーダンス変換区間が含まれていること、
を特徴とする請求項1に記載の高周波信号伝送線路。 - 高周波信号伝送線路と、
前記高周波信号伝送線路を収容する筐体と、
を備えており、
前記高周波信号伝送線路は、
素体と、
前記素体に設けられ、かつ、第1の端部及び第2の端部を有している線状の信号線路と、
前記素体に設けられ、かつ、前記信号線路に沿って延在している少なくとも1以上のグランド導体と、
を備えており、
前記素体は、絶縁体層が積層されて構成されており、
前記グランド導体は、前記絶縁体層を介して前記信号線路と対向しており、
前記グランド導体には、該信号線路に沿って並ぶ複数の開口が設けられており、
前記信号線路、前記グランド導体及び前記素体によって特性インピーダンスが発生しており、
前記信号線路は、前記第1の端部における第1の特性インピーダンス以上の特性インピーダンスを発生させ、かつ、該第1の端部を含んだ連続する第1の区間と、該第1の特性インピーダンスよりも低い特性インピーダンスを発生させ、かつ、該第1の区間に隣接する第2の区間と、を含んでおり、
前記信号線路に沿って並ぶ前記複数の開口のそれぞれが前記信号線路と重なっている面積は、前記第1の端部から前記第2の端部に向かうにしたがって小さくなっていること、
を特徴とする電子機器。 - 前記第2の区間には、前記第1の区間に隣接し、かつ、該第1の区間から離れるにしたがって特性インピーダンスが低下する方向に変化する特性インピーダンス変換区間が含まれていること、
を特徴とする請求項3に記載の電子機器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014019079 | 2014-02-04 | ||
JP2014019079 | 2014-02-04 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015561186A Division JP6090480B2 (ja) | 2014-02-04 | 2014-12-26 | 高周波信号伝送線路及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017028707A true JP2017028707A (ja) | 2017-02-02 |
JP6233473B2 JP6233473B2 (ja) | 2017-11-22 |
Family
ID=53777607
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015561186A Active JP6090480B2 (ja) | 2014-02-04 | 2014-12-26 | 高周波信号伝送線路及び電子機器 |
JP2016164411A Active JP6233473B2 (ja) | 2014-02-04 | 2016-08-25 | 高周波信号伝送線路及び電子機器 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015561186A Active JP6090480B2 (ja) | 2014-02-04 | 2014-12-26 | 高周波信号伝送線路及び電子機器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10044086B2 (ja) |
JP (2) | JP6090480B2 (ja) |
CN (1) | CN205564941U (ja) |
WO (1) | WO2015118791A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9651751B1 (en) * | 2016-03-10 | 2017-05-16 | Inphi Corporation | Compact optical transceiver by hybrid multichip integration |
WO2018063684A1 (en) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | Intel Corporation | 3d high-inductive ground plane for crosstalk reduction |
EP3639638A4 (en) | 2017-06-12 | 2021-01-06 | Qualcomm Incorporated | FLEXIBLE CIRCUIT BOARDS FOR USB 3.0 CONNECTIONS IN MOBILE DEVICES |
WO2019207828A1 (ja) * | 2018-04-25 | 2019-10-31 | 株式会社村田製作所 | ミリ波モジュール |
CN219350634U (zh) * | 2020-06-11 | 2023-07-14 | 株式会社村田制作所 | 传输线路 |
JP7414147B2 (ja) | 2020-07-29 | 2024-01-16 | 株式会社村田製作所 | 回路基板及び電子機器 |
CN219718562U (zh) * | 2021-01-08 | 2023-09-19 | 株式会社村田制作所 | 多层基板以及电子设备 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0730310A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-01-31 | Murata Mfg Co Ltd | ストリップライン装置 |
JP2001053511A (ja) * | 1999-08-11 | 2001-02-23 | Kyocera Corp | 高周波用配線基板および接続構造 |
JP2006514482A (ja) * | 2003-03-07 | 2006-04-27 | エリクソン テレコムニカソンイス ソシエダット アノニマ | インピーダンス−マッチング・カプラ |
JP2007123740A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Sony Corp | フレキシブル基板、光送受信モジュール及び光送受信装置 |
US20090302976A1 (en) * | 2008-06-09 | 2009-12-10 | Shu-Ying Cho | Microstrip Lines with Tunable Characteristic Impedance and Wavelength |
JP2011023547A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 回路基板 |
WO2012074101A1 (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波信号線路及び電子機器 |
WO2014003088A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-03 | 株式会社村田製作所 | フラットケーブル |
WO2014002764A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-03 | 株式会社村田製作所 | 積層型フラットケーブル及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006211070A (ja) | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Hirose Electric Co Ltd | 多層配線基板 |
CN204994053U (zh) * | 2013-03-26 | 2016-01-20 | 株式会社村田制作所 | 高频传输线路及电子设备 |
-
2014
- 2014-12-26 WO PCT/JP2014/084523 patent/WO2015118791A1/ja active Application Filing
- 2014-12-26 CN CN201490000988.5U patent/CN205564941U/zh active Active
- 2014-12-26 JP JP2015561186A patent/JP6090480B2/ja active Active
-
2016
- 2016-02-08 US US15/017,812 patent/US10044086B2/en active Active
- 2016-08-25 JP JP2016164411A patent/JP6233473B2/ja active Active
-
2018
- 2018-07-06 US US16/028,462 patent/US10305157B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0730310A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-01-31 | Murata Mfg Co Ltd | ストリップライン装置 |
JP2001053511A (ja) * | 1999-08-11 | 2001-02-23 | Kyocera Corp | 高周波用配線基板および接続構造 |
JP2006514482A (ja) * | 2003-03-07 | 2006-04-27 | エリクソン テレコムニカソンイス ソシエダット アノニマ | インピーダンス−マッチング・カプラ |
JP2007123740A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Sony Corp | フレキシブル基板、光送受信モジュール及び光送受信装置 |
US20090302976A1 (en) * | 2008-06-09 | 2009-12-10 | Shu-Ying Cho | Microstrip Lines with Tunable Characteristic Impedance and Wavelength |
JP2011023547A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 回路基板 |
WO2012074101A1 (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波信号線路及び電子機器 |
WO2014003088A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-03 | 株式会社村田製作所 | フラットケーブル |
WO2014002764A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-03 | 株式会社村田製作所 | 積層型フラットケーブル及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2015118791A1 (ja) | 2017-03-23 |
JP6233473B2 (ja) | 2017-11-22 |
US20160156087A1 (en) | 2016-06-02 |
US20180316080A1 (en) | 2018-11-01 |
JP6090480B2 (ja) | 2017-03-08 |
CN205564941U (zh) | 2016-09-07 |
WO2015118791A1 (ja) | 2015-08-13 |
US10044086B2 (en) | 2018-08-07 |
US10305157B2 (en) | 2019-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5310949B2 (ja) | 高周波信号線路 | |
JP6233473B2 (ja) | 高周波信号伝送線路及び電子機器 | |
JP5754562B1 (ja) | 高周波信号線路及び電子機器 | |
JP5477422B2 (ja) | 高周波信号線路 | |
JP5751343B2 (ja) | 高周波信号線路の製造方法 | |
JP2014099657A (ja) | 高周波信号線路及びこれを備えた電子機器 | |
JP5488774B2 (ja) | 高周波信号伝送線路及び電子機器 | |
WO2013190859A1 (ja) | 積層型多芯ケーブル | |
JP5472553B2 (ja) | 高周波信号線路及び電子機器 | |
WO2015015959A1 (ja) | 高周波信号伝送線路及び電子機器 | |
JP5472555B2 (ja) | 高周波信号伝送線路及び電子機器 | |
JP2016201370A (ja) | 高周波信号伝送線路及び電子機器 | |
JP5472551B2 (ja) | 高周波信号線路及び電子機器 | |
JP5472552B2 (ja) | 高周波信号線路及び電子機器 | |
JP5655998B1 (ja) | 高周波信号伝送線路及び電子機器 | |
JP2013135173A (ja) | 高周波信号線路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170921 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170926 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171009 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6233473 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |