JP2017028384A - Mems素子 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (3)
- バックチャンバーを備えた基板と、該基板上に、スペーサーを挟んで固定電極と可動電極とを配置することでエアーギャップが形成されているMEMS素子において、
前記固定電極あるいは前記可動電極の少なくともいずれか一方は、誘電体膜を挟み第1の電極と第2の電極が、前記第1の電極を前記エアーギャップ側に配置するように積層し、かつ該第1の電極の一部が除去され前記誘電体膜の一部を露出する構造とし、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に前記誘電体膜が分極する電圧を印加し、前記固定電極あるいは前記可動電極と、対向する前記可動電極あるいは前記固定電極を構成する前記第2の電極との間に、前記第1の電極と前記第2の電極との間に印加される電圧より大きな電圧を印加することができる電圧印加手段を備えていることを特徴とするMEMS素子。 - 請求項1記載のMEMS素子において、
前記第1の電極および前記第2の電極は、前記誘電体膜に蓄積した電荷を放電する放電電極の機能を有することを特徴とするMEMS素子。 - 請求項1または2いずれか記載のMEMS素子において、
前記誘電体膜は、常誘電体膜または強誘電体膜であることを特徴とするMEMS素子。
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---|---|---|---|---|
JP2004356707A (ja) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Hosiden Corp | 音響検出機構 |
JP2007298297A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Saitama Univ | 機械電気変換素子及びその製造方法 |
JP2009118264A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-05-28 | Panasonic Corp | マイクロホン装置 |
JP2009296238A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Panasonic Corp | 除電装置およびこれを用いたマイクロホンのエレクトレット化方法およびエレクトレット化装置 |
JP2010087994A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Panasonic Corp | 微小コンデンサマイクロホンの製造方法およびエレクトレット化装置 |
JP2011004314A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Panasonic Corp | Memsデバイスのエレクトレット化方法およびエレクトレット化装置 |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004356707A (ja) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Hosiden Corp | 音響検出機構 |
JP2007298297A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Saitama Univ | 機械電気変換素子及びその製造方法 |
JP2009118264A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-05-28 | Panasonic Corp | マイクロホン装置 |
JP2009296238A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Panasonic Corp | 除電装置およびこれを用いたマイクロホンのエレクトレット化方法およびエレクトレット化装置 |
JP2010087994A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Panasonic Corp | 微小コンデンサマイクロホンの製造方法およびエレクトレット化装置 |
JP2011004314A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Panasonic Corp | Memsデバイスのエレクトレット化方法およびエレクトレット化装置 |
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