JP2017021142A - 表示装置およびシステム - Google Patents
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Abstract
Description
特開2004−226597号公報(特許文献1)では、液晶表示装置内の電源電圧の低下を検出する回路等の残像除去回路を液晶表示パネル外の液晶表示装置本体または液晶表示パネル内に設けることが提案されている。
その他の課題と新規な特徴は、本開示の記述および添付図面から明らかになるであろう。
すなわち、表示装置はゲート線とソース線と前記ゲート線を走査するゲート走査回路とドライバICとを備える。前記ドライバICは、外部電源の電圧のレベルを検出する電圧検知回路と、前記ゲート線を駆動する電圧を生成する電圧生成回路と、前記電圧生成回路の出力電圧と前記外部電源の電圧とを切り替える切替回路と、前記ソース線を駆動する駆動回路と、を備える。前記電圧検知回路が所定電圧範囲内の電圧を検出するとき、前記切替回路は前記電圧生成回路の出力電圧を前記ゲート走査回路に供給するようにされ、前記ゲート走査回路は順次ゲート線を選択し、前記電圧生成回路の電圧を出力するようにされ、前記駆動回路は映像信号に対応した電圧を前記ソース線に供給するようにされる。前記電圧検知回路が前記所定電圧範囲外の電圧を検出するとき、前記切替回路は前記外部電源の電圧を前記ゲート走査回路に供給するようにされ、前記ゲート走査回路はすべてのゲート線を選択し、前記外部電源の電圧を出力するようにされ、前記駆動回路はすべてのソース線にGNDレベルを供給するようにされる。
まず、本開示に先立って検討した第1技術(比較例1)について図1および図2を用いて説明する。
図1は比較例1に係るシステムの構成を示す図である。図2は比較例1に係るシステムのタイミングチャートである。
比較例1に係るシステム1Rは表示装置10Rやバッテリ21、パワーマネージメントIC22等から構成されている。表示装置10Rには3種類の電源電圧が入力される。3種類の電源電圧はロジック用の電源電圧(以下、IOVCCという。)とアナログ用の正電源電圧(以下、VSPという。)とアナログ用の負電源電圧(以下、VSNという。)である。IOVCCが1.8V、VSPが+5.0V、VSNが−5.0Vである。表示装置10Rは表示パネル11やドライバIC12R、フレキシブルなプリント回路基板(Flexible Print Circuit、以下、FPCと略す。)13、コネクタ14等から構成されている。FPC13には安定化コンデンサ15R、16Rが搭載されている。また、システム側20の電源回路200(バッテリ21やパワーマネージメントIC22)にも安定化コンデンサ23を備える。
ドライバIC12Rには入力電源の電圧レベル低下を検出する電圧検知回路120を搭載している。電圧検知回路120は入力電源の電圧レベルが所定電圧(検知電圧ともいい、以下、Vdetと記す。)以下になったことを検知した際、電圧検知信号(VDS)のHighレベルを出力し、ドライバIC12Rはシステム側20の電源回路200に異常が発生したと判断し、表示を中止する。ドライバIC12Rは、表示中止直前の画像に応じて表示後に電荷が残り、液晶に焼き付きが発生するのを防止するため、表示中止直前にGND(ノーマリブラックの場合の黒電圧)を書き込むリフレッシュ動作を行う電荷抜き機能を搭載している。
この電荷抜き機能を行う場合、ドライバIC12RはFPC13上に搭載しているゲート高電圧(以下、VGHと記す。)用の安定化コンデンサ15Rから表示パネル11のゲート走査回路110にゲート電圧(以下、Vgと記す。)としてドライバIC12Rの内部で生成したVGHを供給し、ゲート制御信号(GCS)のhighレベルに基づいて全ゲート線を選択して電荷抜きを行う。安定化コンデンサ15Rの容量は1〜2.2μFである。
図3は比較例2に係るシステムの構成を示す図である。図4Aおよび図4Bは比較例2に係るシステムの課題を説明するための図である。図4Aは通常表示時の容量を示す図である。図4Bは電圧低下検知時の容量を示す図である。
比較例2に係るシステム1Sは、部品点数削減のためFPC13上に実装していたコンデンサ等の実装部品をドライバIC12Sに内蔵したものであり、その他は比較例1に係るシステム1Rと同じである。ドライバIC12Sは、コンデンサ等の実装部品を内蔵した点を除き、ドライバIC12Rと同じ構成である。ドライバIC12S内部のVGH用の安定化コンデンサ15の容量(以下、Cinと記す。)は1nF程度のものしか形成することができない。Cinは、比較例1の安定化コンデンサ15Rの容量の1000分の1以下である。図4Aに示すように、例えば1ライン当たりの容量を約20pFとし、1279ラインあるとすると、全ゲート線の容量(以下、Crと記す。)は約25.6nFになる。ここで、画面は1280ラインで構成されると表示中は1ラインが選択されており、電源異常時に残り1279ラインを新たに選択することになるので、全ゲート線の容量は1279ラインで計算している。また、安定化コンデンサ15の電圧(以下、VGHOと記す。)を6.5V、Cinを960pF、ゲート低電圧(以下、VGLと記す。)を−5.4Vとする。図4Bに示すように、電圧低下検知時に安定化コンデンサ15から全ゲート線へ電荷を供給しようとすると、VgがGND以下(−4.9V)となる。すなわち、電荷抜きをしようと安定化コンデンサ15から全ゲート線にVGHを供給すると画素トランジスタがONするまでVgが上昇せず、黒電圧の書込みができず、電荷が残ってしまい、焼き付き等の画質劣化が発生することが懸念される。
次に、実施の形態に係るシステムについて図5および図6を用いて説明する。
図5は実施の形態に係るシステムの構成を示す図である。図6は実施の形態に係るシステムのタイミングチャートである。
実施の形態に係るシステム1は表示装置10やバッテリ21、パワーマネージメントIC22等から構成されている。表示装置10は表示パネル11やドライバIC12、FPC13、コネクタ14等から構成されている。システム側20の電源回路200(バッテリ21やパワーマネージメントIC22)に安定化コンデンサ23を備える。表示装置10にはIOVCCとVSPとVSNとが入力される。
ドライバIC12には入力電源レベル低下を検出する電圧検知回路120とVGHの安定化コンデンサ15を内蔵している。電圧検知回路120は入力電源の電圧レベルがVdet以下になった等所定の電圧範囲内にないことを検知した際、電圧検知信号(VDS)のHighレベルを出力し、ドライバIC12はシステム側20の電源回路200に異常が発生したと判断し、表示を中止する。なお、電圧検知回路120は入力電源の電圧レベルがVdet以下になった等所定の電圧範囲内にないことを検知した際、電圧検知信号(VDS)をLowレベルにするようにしてもよい。ドライバIC12は、表示中止直前の画像に応じて表示後に電荷が残り、液晶に焼き付きが発生するのを防止するため、表示中止直前にGND(ノーマリブラックの場合の黒電圧)を書き込むリフレッシュ動作を行う電荷抜き機能を搭載している。
この電荷抜き機能を行う場合、ドライバIC12は表示装置10の外部に搭載している電源用の安定化コンデンサ23から表示パネル11のゲート走査回路110にVSPを供給し、ゲート制御信号(GCS)のhighレベルに基づいて全ゲート線を選択して電荷抜きを行う。なお、ゲート制御信号(GCS)のLowレベルに基づいて全ゲート線を選択して電荷抜きを行うようにしてもよい。すなわち、ドライバIC12は、電圧異常を検知した際に、ゲート走査回路110に供給するVgを内部で生成したVGHから表示装置10の外部から供給されるVSPに切り替える。
図7および図7Bは実施の形態に係るシステムの効果を説明するための図である。図7Aは通常表示時の容量を示す図である。図7Bは電圧低下検知時の容量を示す図である。
図7Aに示すように、例えば1ライン当たりの容量を約20pFとし、1279ラインあるとすると、Crは約25.6nFになる。また、安定化コンデンサ23の容量(以下、Cpsと記す。)を1.0μF、安定化コンデンサ23の電圧(VSP=Vdet)を3.0V、VGLを−5.4Vとする。図7Bに示すように、電圧低下検知時に安定化コンデンサ23から全ゲート線へ電荷を供給しようとすると、Vgが2.79Vとなる。すなわち、ソース線の電圧(以下、Vsと記す。)=GNDおよび共通電極の電圧(以下、Vcomと記す。)=GNDに対して画素電極に黒電圧の書込みが可能なVgとなる。
電源電圧の低下を検出する回路等の残像除去回路をドライバICに内蔵することができる。これにより、表示装置の部品点数の増加および表示パネルの表示領域外の面積の増加を抑えことができる。
図8は実施例に係るシステムの構成を示す図である。図9は実施例に係るドライバICのブロック図である。図10は実施例に係る表示装置のタイミングチャートである。
実施例に係るシステム1は表示装置10とセット側基板(システム側)20を備える。システム1は、例えばスマートフォンやタブレット端末等の携帯機器である。表示装置10は表示パネル11やドライバIC12、FPC13、コネクタ14等から構成されている。表示パネル11は、図示していない、アレイ基板と、対向基板と、アレイ基板と対向基板に挟持される液晶と、アレイ基板に貼られる偏光板と、対向基板に貼られる偏光板と、を備える。また、表示パネル11はアレイ基板にゲート走査回路110とゲート線111_1、111_nとソース線112_1、112_mと画素113を備える。FPC13は映像信号(VS)および制御信号(CS)を伝送する信号線131と、IOVCCをドライバIC12に供給する電源線132と、アナログ電源用の正電圧(以下、AVDDと記す。)をドライバIC12に供給する電源線133と、アナログ電源用の負電圧(以下、AVEEと記す。)をドライバIC12に供給する電源線134と、を備える。IOVCCが1.8V、AVDDが+5.0V、AVEEが−5.0Vである。AVDDは前述のVSPと、AVEEは前述のVSNと同じものである。セット側基板20はセット側の電源回路200(バッテリ21やパワーマネージメントIC22)と、電源の安定化コンデンサ23と、表示装置10を制御するMPU(Micro Processor Unit)205とを備える。電源の安定化コンデンサ23には、IOVCCの安定化コンデンサ231と、AVDDの安定化コンデンサ232と、AVEEの安定化コンデンサ233を備える。MPU205は信号線201およびコネクタ14を介して映像信号および制御信号を伝送する。電源回路200は、IOVCCを電源線202によって、AVDDを電源線203によって、AVEEを電源線204によって、コネクタ14に供給する。ゲート走査回路110はアレイ基板上に薄膜トランジスタで形成され、パネルゲート高電圧(以下、VGHPと記す。)、パネルゲート低電圧(以下、VGLPと記す。)、スタート信号(VST)、シフトクロック信号(VCK)、異常検知信号(ABN)等で動作する。シフトクロック信号(VCK)には第1シフトクロック信号(VCK1。)と第2シフトクロック信号(VCK2)がある。異常検知信号(ABN)は前述のゲート制御信号(GCS)と同様の信号である。
外部端子T1に入力されるIOVCCはドライバIC12内のロジック回路の電源に使用される。外部端子T2に入力されるAVDDはゲート高電圧生成回路124およびソース出力回路129で使用される。外部端子T2に入力されるAVEEはゲート低電圧生成回路124およびソース出力回路129で使用される。
ゲート高電圧生成回路124はAVDDを昇圧しVGHを生成する。ゲート低電圧生成回路125はAVEEを昇圧しVGLを生成する。これにより電源回路200の電圧を低くすることができ、システムを低電圧化することができる。
第1電圧検知回路121はIOVCC用の電圧検知回路である。第2電圧検知回路122はAVDD用の電圧検知回路である。第3電圧検知回路123はAVEE用の電圧検知回路である。第1電圧検知回路121や第2電圧検知回路122、第3電圧検知回路123のそれぞれは記憶回路127に設定された値に基づいてVdetレベルが設定され、検知機能のON/OFFも設定される。第1電圧検知回路121や第2電圧検知回路122、第3電圧検知回路123のそれぞれは入力電圧がVdet以下(所定電圧の範囲外)の場合に、第1電圧検知信号(VDS1)、第2電圧検知信号(VDS2)、第3電圧検知信号(VDS3)をそれぞれHighレベル(第1レベル)にする。第1電圧検知回路121や第2電圧検知回路122、第3電圧検知回路123のそれぞれは入力電圧がVdetより高い(所定電圧の範囲内)の場合に、第1電圧検知信号(VDS1)、第2電圧検知信号(VDS2)、第3電圧検知信号(VDS3)をそれぞれLowレベル(第2レベル)にする。ここで、入力電圧が負である場合は、Vdet以下とは絶対値同士の比較において同じか小さいことをいい、Vdetより高いとは絶対値同士の比較において大きいことをいう。また、第1電圧検知回路121や第2電圧検知回路122、第3電圧検知回路123の検知機能がOFFされているときは、第1電圧検知信号(VDS1)、第2電圧検知信号(VDS2)、第3電圧検知信号(VDS3)をそれぞれLowレベル(第2レベル)にする。第1電圧検知信号(VDS1)、第2電圧検知信号(VDS2)、第3電圧検知信号(VDS3)のいずれか1つ、いずれか2つまたはいずれもがHighレベルの場合に、ゲート制御信号出力回路126は電源異常を検知する。ゲート制御信号出力回路126は電源異常を検知したときは、異常検知信号(ABN)をHighレベルにして外部端子T4に出力すると共に、VGHおよびVGLに替えてAVDDおよびAVEEをVGHP、VGLPとして外部端子T5に出力する。電源正常時、ゲート制御信号出力回路126は、異常検知信号(ABN)をLowレベルにして外部端子T4に出力すると共に、VGHおよびVGLをそれぞれVGHPおよびVGLPとして外部端子T5に出力する。電源正常時、ゲート制御信号出力回路126はスタート信号(VST)、第1シフトクロック信号(VCK1)、第2シフトクロック信号(VCK2)を外部端子T4に出力する。ゲート制御信号出力回路126が第1電圧検知信号(VDS1)、第2電圧検知信号(VDS2)、第3電圧検知信号(VDS3)のいずれかでまたはいずれかの組合せで電源異常を検知するかは、第1電圧検知回路121、第2電圧検知回路122、第3電圧検知回路123の検知機能のON/OFFの設定値によって決定される。
TCC128は外部端子T6上の制御信号(CS)に基づいてゲート走査回路110およびソース出力回路129に必要が制御信号を生成する。記憶回路127はMPU205から信号線131およびTCC128を介してデータが書き込めるようにされる。記憶回路127はRAMやレジスタ等の揮発性メモリ、EEPROMやフラッシュメモリ等の不揮発性メモリのいずれであってもよいし、揮発性メモリと不揮発性メモリの組合せであってもよい。
第1電圧検知信号(VDS1)、第2電圧検知信号(VDS2)、第3電圧検知信号(VDS3)のいずれか1つ、いずれか2つまたはいずれもがHighレベルの場合に、ソース出力回路129は電源異常を検知し、すべての外部端子TS1、・・・、TSmにGNDレベル(ノーマリーブラックでの黒電圧)を出力する。電源正常時は、ソース出力回路129は映像信号をアナログ信号に変換して外部端子TS1、・・・、TSmに出力する。ソース出力回路129が第1電圧検知信号(VDS1)、第2電圧検知信号(VDS2)、第3電圧検知信号(VDS3)のいずれで電源異常を検知するかは、第1電圧検知回路121や第2電圧検知回路122、第3電圧検知回路123の検知機能のON/OFFの設定値によって決定される。なお、ゲート制御信号出力回路126から出力される異常検知信号(ABN)をソース出力回路129に入力することにより、ソース出力回路129は電源異常を検知するようにしてもよい。
なお、外部端子T4、T5、T6はそれぞれ複数の端子から構成されている。また、ドライバIC12は、図示していない基準電位(GND)を入力する外部端子を備える。
図10に示すように、電源正常時は、第3電圧検知信号(VDS3)がLowレベルであり、異常検知信号(ABN)もLowレベルである。ゲート制御信号出力回路126は、ゲート走査回路110にスタート信号(VST)、第1シフトクロック信号(VCK1)、第2シフトクロック信号(VCK2)を出力する。ゲート走査回路110は第1ゲート信号(G1)のHighレベルをゲート線111_1、第2ゲート信号(G2)のHighレベルをゲート線111_2、・・・、第nゲート信号(Gn)のHighレベルをゲート線111_nに順次出力する。なお、G1、G2、・・・、GnのHighレベルはそれぞれVGHである。G1、G2、・・・、GnのLowレベルはそれぞれVGLである。ソース出力回路129は第1ソース信号(S1)をソース線112_1に、第mソース信号(Sm)をソース線112_mにそれぞれ出力する。これらによって、ライン毎に画素にソース信号を書き込み表示する。例えば、カラム反転駆動であれば、S1、・・・、Smの極性は1フレーム(スタート信号(VST)とスタート信号(VST)の間)ごとに反転する。
AVEEの電圧が低下し(電位がGNDに近づいて)、例えば−4.5V以下(Vdet=−4.5V)になったとき、第3電圧検知信号(VDS3)がHighレベルになるとする。第3電圧検知信号(VDS3)がHighレベルになると、ソース出力回路129はすべてのソース線112_1、・・・、112_mにGNDの信号を出力し、ゲート制御信号出力回路126は、VGHP/VGLPをゲート高電圧生成回路124およびゲート低電圧生成回路125で生成したVGH/VGLから外部電源であるAVDD/AVEEに切り替え、異常検知信号(ABN)をHighレベルにする。ゲート走査回路110は、異常検知信号(ABN)のHighレベルに応答してすべてのゲート線111_1、・・・、111_nをHighレベルにする。ゲート線111_1、・・・、111_nのHighレベルはAVDDである。これらにより、すべての画素の電荷を引き抜くことができる。
IOVCCまたはAVDDが所定電圧以下(所定電圧の範囲外)になったときも同様に、電圧検知信号や異常検知信号によって画素電荷の引き抜きをすることができる。例えば、IOVCCのVdetは1.2V、AVDDのVdetは4Vとする。なお、AVDDが電圧低下しても安定化コンデンサ232によって電圧が保持されるので、保持される期間内にゲート線にAVDDを供給することができる。例えば、保持される期間は1ms程度であり、この期間に画素電荷を引き抜くことができる。
第1電圧検知回路121や第2電圧検知回路122、第3電圧検知回路123のそれぞれは入力電圧がVdet以下(所定電圧の範囲外)の場合に、第1電圧検知信号(VDS1)、第2電圧検知信号(VDS2)、第3電圧検知信号(VDS3)をそれぞれLowレベル(第1レベル)にしてもよい。また、第1電圧検知回路121や第2電圧検知回路122、第3電圧検知回路123のそれぞれは入力電圧がVdetより高い(所定電圧の範囲内)の場合に、第1電圧検知信号(VDS1)、第2電圧検知信号(VDS2)、第3電圧検知信号(VDS3)をそれぞれHighレベル(第2レベル)にしてもよい。また、第1電圧検知回路121や第2電圧検知回路122、第3電圧検知回路123の検知機能がOFFされているときは、第1電圧検知信号(VDS1)、第2電圧検知信号(VDS2)、第3電圧検知信号(VDS3)をそれぞれhighレベル(第2レベル)にしてもよい。
ゲート制御信号出力回路126は電源異常を検知したときは、異常検知信号(ABN)をLowレベルにし、電源正常時、ゲート制御信号出力回路126は、異常検知信号(ABN)をHighレベルにしてもよい。
10・・・表示装置
11・・・表示パネル
12・・・ドライバIC
13・・・フレキシブルなプリント回路基板(FPC)
14・・・コネクタ
15・・・安定化コンデンサ
20・・・システム側
21・・・パワーマネージメント
22・・・バッテリ
23・・・安定化コンデンサ
110・・・ゲート走査回路
111_1、111_n・・・ゲート線
112_1、112_m・・・ソース線
113・・・画素
120・・・電圧検知回路
121・・・第1電圧検出回路(VDC1)
122・・・第2電圧検出回路(VDC2)
123・・・第3電圧検出回路(VDC3)
124・・・ゲート高電圧発生回路(GHVC)
125・・・ゲート低電圧発生回路(GLVC)
126・・・ゲート制御信号出力回路(GCO)
127・・・記憶回路(MC)
128・・・信号処理およびタイミング制御回路(TCC)
129・・・ソース出力回路(SOC)
131、201・・・信号線
132、133.134、202、203、204・・・電源線
200・・・電源回路
205・・・MPU
231、232、233・・・安定化コンデンサ
Claims (17)
- 表示装置は、
ゲート線と、
ソース線と、
前記ゲート線を走査するゲート走査回路と、
ドライバICと、
を備え、
ドライバICは、
外部電源の電圧のレベルを検出する電圧検知回路と、
前記ゲート線を駆動する電圧を生成する電圧生成回路と、
前記電圧生成回路の出力電圧と前記外部電源の電圧とを切り替える切替回路と、
前記ソース線を駆動する駆動回路と、
を備え、
前記電圧検知回路が所定電圧範囲内の電圧を検出するとき、
前記切替回路は前記電圧生成回路の出力電圧を前記ゲート走査回路に供給するようにされ、
前記ゲート走査回路は順次ゲート線を選択し、前記電圧生成回路の電圧を出力するようにされ、
前記駆動回路は映像信号に対応した電圧を前記ソース線に供給するようにされ、
前記電圧検知回路が前記所定電圧範囲外の電圧を検出するとき、
前記切替回路は前記外部電源の電圧を前記ゲート走査回路に供給するようにされ、
前記ゲート走査回路はすべてのゲート線を選択し、前記外部電源の電圧を出力するようにされ、
前記駆動回路はすべてのソース線にGNDレベルを供給するようにされる。 - 請求項1の表示装置において、
前記電圧検知回路が前記所定電圧範囲外の電圧を検出するとき、前記電圧検知回路は電圧検知信号を第1レベルにするようにされ、
前記電圧検知回路が前記所定電圧範囲内の電圧を検出するとき、前記電圧検知回路は前記電圧検知信号を第2レベルにするようにされ、
前記電圧検知信号に基づいて、前記切替回路は前記電圧生成回路の出力電圧と前記外部電源の電圧とを切り替えるようにされる。 - 請求項2の表示装置において、さらに記憶回路を備え、
前記所定電圧範囲は前記記憶回路により変更可能である。 - 請求項3の表示装置において、
前記所定電圧範囲内は所定電圧よりも高い電圧であり、
前記所定電圧範囲外は前記所定電圧以下の電圧である。 - 表示装置は、
ゲート線と、
前記ゲート線を走査するゲート走査回路と、
ドライバICと、
を備え、
ドライバICは、
第1外部電源の電圧のレベルを検出する第1電圧検知回路と、
第2外部電源の電圧のレベルを検出する第2電圧検知回路と、
前記ゲート線を駆動する電圧を生成する電圧生成回路と、
前記電圧生成回路の出力電圧と外部電源の電圧とを切り替える切替回路と、
を備え、
前記第1電圧検知回路が第1所定電圧範囲外の電圧を検出するとき、および前記第2電圧検知回路が第2所定電圧範囲外の電圧を検出するとき、前記切替回路は前記外部電源の電圧を前記ゲート走査回路に供給するようにされる。 - 請求項5の表示装置において、
前記第1電圧検知回路が前記第1所定電圧範囲外の電圧を検出するとき、前記第1電圧検知回路は第1電圧検知信号を第1レベルにするようにされ、
前記第1電圧検知回路が前記第1所定電圧範囲内の電圧を検出するとき、前記第1電圧検知回路は前記第1電圧検知信号を第2レベルにするようにされ、
前記第2電圧検知回路が前記第2所定電圧範囲外の電圧を検出するとき、前記第2電圧検知回路は第2電圧検知信号を第1レベルにするようにされ、
前記第2電圧検知回路が前記第2所定電圧範囲内の電圧を検出するとき、前記第2電圧検知回路は前記第2電圧検知信号を第2レベルにするようにされる。 - 請求項6の表示装置において、
前記第1電圧検知信号が前記第1レベルのとき、および前記第2電圧検知信号が前記第1レベルのとき、前記ゲート走査回路はすべてのゲート線を選択し、前記外部電源の電圧を出力するようにされる。 - 請求項7の表示装置において、さらに、
ソース線と前記ソース線を駆動する駆動回路とを備え、
前記第1電圧検知信号が前記第1レベルのとき、および前記第2電圧検知信号が前記第1レベルのとき、前記駆動回路はすべてのソース線にGNDレベルを供給するようにされる。 - 請求項5の表示装置において、
前記第1外部電源は前記外部電源である。 - 請求項5の表示装置において、さらに記憶回路を備え、
前記第1所定範囲および前記第2所定範囲は前記記憶回路により変更可能である。 - 請求項6の表示装置において、
前記第1所定電圧範囲内は第1所定電圧よりも高い電圧であり、
前記第1所定電圧範囲外は前記第1所定電圧以下の電圧であり、
前記第2所定電圧範囲内は第2所定電圧よりも高い電圧であり、
前記第2所定電圧範囲外は前記第2所定電圧以下の電圧である。 - システムは、
表示装置と、
第1電源と第2電源と第3電源とを有する電源回路と、
前記第1電源の第1安定化コンデンサと、
前記第2電源の第2安定化コンデンサと、
前記第3電源の第3安定化コンデンサと、
を備え、
表示装置は、
ゲート線と、
ソース線と、
前記ゲート線を走査するゲート走査回路と、
ドライバICと、
を備え、
前記ドライバICは、
第1電源の電圧のレベルを検出する第1電圧検知回路と、
第2電源の電圧のレベルを検出する第2電圧検知回路と、
第3電源の電圧のレベルを検出する第3電圧検知回路と、
前記ゲート線を駆動する第1電圧および第2電圧を生成する電圧生成回路と、
前記第1電圧および前記第2電圧と、前記第2外部電源の電圧および前記第3外部電源の電圧と、を切り替える切替回路と、
前記ソース線を駆動する駆動回路と、
記憶回路と、
を備え、
前記第1電圧検知回路、前記第2電圧検知回路、前記第3電圧検知回路のいずれか1つの出力またはいずれか2つの出力またはいずれもの出力が第1レベルになったとき、前記切替回路は、電源異常信号、前記第2外部電圧および前記第3外部電圧を前記ゲート走査回路に供給するようにされる。 - 請求項12のシステムにおいて、
前記第1電圧検知回路が前記第1電圧より低い電圧を検出するとき、前記第1電圧検知回路は第1電圧検知信号を第1レベルにするようにされ、
前記第1電圧検知回路が前記第1電圧より高い電圧を検出するときおよび前記第1電圧検知回路の電圧検知機能がOFFされているとき、前記第1電圧検知回路は前記第1電圧検知信号を第2レベルにするようにされ、
前記第2電圧検知回路が前記第2電圧より低い電圧を検出するとき、前記第2電圧検知回路は第2電圧検知信号を前記第1レベルにするようにされ、
前記第2電圧検知回路が前記第2電圧より高い電圧を検出するときおよび前記第2電圧検知回路の電圧検知機能がOFFされているとき、前記第2電圧検知回路は前記第2電圧検知信号を前記第2レベルにするようにされ、
前記第3電圧検知回路が前記第3電圧より低い電圧を検出するとき、前記第3電圧検知回路は第3電圧検知信号を前記第1レベルにするようにされ、
前記第3電圧検知回路が前記第3電圧より高い電圧を検出するときおよび前記第3電圧検知回路の電圧検知機能がOFFされているとき、前記第3電圧検知回路は前記第3電圧検知信号を前記第2レベルにするようにされる。 - 請求項13のシステムにおいて、
前記電源異常信号が前記第1レベルのとき、前記ゲート走査回路はすべての前記ゲート線を選択し、前記第2外部電圧を前記ゲート線に出力するようにされる。 - 請求項14のシステムにおいて、
前記電源異常信号が第1レベルのとき、前記駆動回路はすべて前記のソース線にGNDレベルを供給するようにされる。 - 請求項15のシステムにおいて、
前記第1電圧、前記第2電圧、前記第3電圧、前記第1電圧検知回路の電圧検知機能のON/OFF、前記第2電圧検知回路の電圧検知機能のON/OFFおよび前記第3電圧検知回路の電圧検知機能のON/OFFは前記記憶回路により変更可能である。 - 請求項16のシステムにおいて、
前記第1電源の電圧は前記ドライバICのロジック用電源電圧であり、
前記第2電源の電圧は前記ドライバICのアナログ用正電源電圧であり、
前記第3電源の電圧は前記ドライバICのアナログ用負電源電圧である。
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