JP2017005052A - 基板及び回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】複数回のレジスト形成・レジスト除去を行っても、電解めっきに必要な導電性を保つことができることを課題とする。
【解決手段】絶縁基板２１の上面に、２つ以上の層からなる導電性薄膜１０を有し、この導電性薄膜１０における複数の層のうち、最も上の層がＴｉによって形成される第２Ｔｉ薄膜１３であり、第２Ｔｉ薄膜１３の下に、少なくともＮｉ以上の導電性を有する金属、具体的には、Ｃｕ、Ａｇ及びＮｉで構成される層である金属薄膜１２を有することを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、電解めっきにより素子を配線する配線めっき膜を形成するための基板及び回路基板の製造方法の技術に関する。

絶縁基板上に導電性の金属による薄膜（導電性薄膜）を形成し、該導電性薄膜を被めっき物として電解めっきを行うことにより、導電性薄膜上に電解めっき膜を形成することで配線パターンを形成することが行われている。
従来において、絶縁基板と電解めっき膜との間に形成する導電性薄膜は、絶縁基板との密着性に優れるＴｉ薄膜で下層を形成し、導電性に優れるＣｕ薄膜やＡｇ薄膜やＮｉ薄膜等で上層を形成する２層構造となっている。

特許文献１には、「活性な金属材料の下地膜２並びに導電膜３を基板１の板面にスパッタリングまたは真空蒸着で積層形成し、その導電膜３上にレジストフィルム４を貼り付けて露光，現象による所定パターンの抜き穴５を形成し、この抜き穴５の内部に導電層６並びにはんだ膜等の金属メッキ膜７を積層形成し、その後にレジストフィルム４を剥離し、はんだ膜等の金属メッキ膜７をメタルマスクとして余剰な下地膜２並びに導電膜３を基板１の板面からエッチング除去し、メタルマスクとした金属メッキ膜を全面剥離しまたははんだ膜７としてランド部のみに残して他を配線パターン３，６から剥取り除去する」配線パターンを有する回路基板の製造方法が開示されている（要約参照）。

特開平６−１１２６２８号公報

ところで、配線パターンを形成する際に、電解めっき膜を形成しない部分にマスクとしてのレジストを形成する。このレジストは、電解めっきが行われた後に、所定の溶剤（レジスト剥離液）によって剥離される必要がある。しかしながら、このレジスト剥離液は、導電性薄膜における上層を形成するＣｕ薄膜やＡｇ薄膜やＮｉ薄膜を腐食してしまうという課題がある。

また、電解めっき膜形成を２回以上に分けて行う必要がある場合がある。例えば、電界めっき膜で形成した電解Ｃｕめっき膜を酸化等から保護するためにＡｕや、Ｎｉ等を電界めっきによって電解Ｃｕめっき膜にコーティングする場合や、膜厚の違う電解めっき膜を形成する場合等である。
このような場合、電解めっき後におけるレジスト剥離工程に使う溶剤にて、導電性薄膜におけるＣｕ薄膜やＡｇ薄膜やＮｉ薄膜が腐食してしまうことで、その後に行われる電解めっき膜形成にて、該導電性薄膜の導通抵抗が高くなってしまい（導電性が低くなってしまい）、正常に電解めっき膜が形成されないという課題がある。

このような背景に鑑みて本発明がなされたのであり、本発明は、複数回のレジスト形成・レジスト除去を行っても、電解めっきに必要な導電性を保つことができることを課題とする。

前記した課題を解決するため、本発明は、絶縁基板の上面に、２つ以上の層からなる導電性薄膜を有し、前記導電性薄膜における複数の層のうち、最も上の層がＴｉによって形成され、前記Ｔｉの層の下に、少なくともＮｉ以上の導電性を有する金属の層を有することを特徴とする。

本発明によれば、複数回のレジスト形成・レジスト除去を行っても、電解めっきに必要な導電性を保つことができる。

第１実施形態に係る基板Ｓの構成を示す断面模式図である。 １つめの配線めっき膜を形成する工程を示す図（その１）であり、図２（ａ）は基板が準備された段階を示す図であり、図２（ｂ）はレジストが形成された段階を示す図（その１）であり、図２（ｃ）は電解Ｃｕめっき膜が形成された段階を示す図（その１）であり、図２（ｄ）はレジストが除去された段階を示す図（その１）である。 １つめの配線めっき膜を形成する工程を示す図（その２）であり、図３（ａ）はレジストが再形成された段階を示す図（その１）であり、図３（ｂ）は電解Ｎｉめっき膜が形成された段階を示す図（その１）であり、図３（ｃ）は電解Ａｕめっき膜が形成された段階を示す図（その１）であり、図３（ｄ）はレジストが除去された段階を示す図（その２）である。 配線めっき膜の形成が完了した段階を示す図であり、図４（ａ）は断面模式図であり、図４（ｂ）は上面図である。 ２つめの配線めっき膜を形成する工程を示す図（その１）であり、図５（ａ）は１つめの配線めっき膜の形成が完了した段階を示す図であり、図５（ｂ）はレジストが形成された段階を示す図（その２）であり、図５（ｃ）は電解Ｃｕめっき膜が形成された段階を示す図（その２）であり、図５（ｄ）はレジストが除去された段階を示す図（その３）である。 ２つめの配線めっき膜を形成する工程を示す図（その２）であり、図６（ａ）はレジストが再形成された段階を示す図（その２）であり、図６（ｂ）は電解Ｎｉめっき膜が形成された段階を示す図（その２）であり、図６（ｃ）は電解Ａｕめっき膜が形成された段階を示す図（その２）であり、図６（ｄ）はレジストが除去された段階を示す図（その４）である。 ２つの配線めっき膜の形成が完了した段階を示す図であり、図７（ａ）は断面模式図であり、図７（ｂ）は上面図である。 第２実施形態に係る基板を示す図である。 第３実施形態に係る基板を示す図である。 第４実施形態に係る基板を示す図である。

次に、本発明を実施するための形態（「実施形態」という）について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。

≪第１実施形態≫
（基板Ｓの構成）
図１は、本実施形態に係る基板Ｓの構成を示す断面模式図である。
図１に示すように、基板Ｓは絶縁基板２１の上に第１Ｔｉ薄膜１１が形成され、この第１Ｔｉ膜１１の上に金属薄膜１２が形成され、さらに金属薄膜１２の上に第２Ｔｉ薄膜１３が形成されている。第１Ｔｉ薄膜１１、金属薄膜１２及び第２Ｔｉ薄膜１３をまとめて導電性薄膜１０と称する。
第１Ｔｉ薄膜１１は、絶縁基板２１との密着性を確保するためのものである。なお、第１Ｔｉ薄膜１１は、Ｔｉで構成されていなくてもよく、例えば、Ｃｒ等で構成されてもよい。
金属薄膜１２は、電界めっきにおいて被めっき物となるため、導電性に優れる金属で形成されている。なお、ここでは、金属薄膜１２はＣｕで構成されているものとするが、Ｎｉ以上の導電性を有するものであればよく、ＮｉやＡｇ等で形成されてもよい。すなわち、金属薄膜１２は、少なくともＮｉ以上の導電性を有する金属の層である。
なお、金属薄膜１２の厚さは、０．０１〜５μｍ程度である。

第１Ｔｉ薄膜１１、金属薄膜１２、第２Ｔｉ薄膜１３を、絶縁基板２１上に形成する方法は、これらの薄膜を形成することができればよく、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、無電解めっき法等が用いられる。

Ｔｉは、後記するレジスト剥離時に用いられる溶剤（レジスト剥離液）に対して、耐腐食性を有する。従って、本実施形態のように導電性薄膜１０の最も上の層をＴｉで形成することにより、レジスト形成・レジスト除去を何度行っても、金属薄膜１２の導電性を良好な状態に保つことができる。

なお、絶縁基板２１は、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２等のセラミックスや、プリント基板等の樹脂製基板や、Ｓｉ、Ｇｅ等の半導体基板にＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４等の絶縁膜を形成したもの等である。

（１つめの配線めっき膜の形成）
次に、図２〜図４を参照して、本実施形態に係る配線めっき膜の生成方法を説明する。図２は、１つめの配線めっき膜を形成する工程を示す図（その１）であり、図２（ａ）は基板が準備された段階を示す図（その１）であり、図２（ｂ）はレジストが形成された段階を示す図（その１）であり、図２（ｃ）は電解Ｃｕめっき膜が形成された段階を示す図（その１）であり、図２（ｄ）はレジストが除去された段階を示す図（その１）である。図３は、１つめの配線めっき膜を形成する工程を示す図（その２）であり、図３（ａ）はレジストが再形成された段階を示す図（その１）であり、図３（ｂ）は電解Ｎｉめっき膜が形成された段階を示す図（その１）であり、図３（ｃ）は電解Ａｕめっき膜が形成された段階を示す図（その１）であり、図３（ｄ）はレジストが除去された段階を示す図（その２）である。そして、図４は、配線めっき膜の形成が完了した段階を示す図であり、図４（ａ）は断面模式図であり、図４（ｂ）は上面図である。

なお、ここでは、配線膜として電解Ｃｕめっき膜が用いられ、電解Ｃｕめっき膜の保護のために、電解Ｃｕめっき膜を覆うように電解Ｎｉめっき膜及び電解Ａｕめっき膜が形成されるものとする。なお、図２〜図４において、同様の構成を示すものには、同一の符号を付して、それぞれの図面での説明を省略する。

（Ａ１）図２（ａ）に示すように、絶縁基板２１を準備し、該絶縁基板２１上に、第１Ｔｉ薄膜１１、金属薄膜１２、第２Ｔｉ薄膜１３を順に形成することで、導電性薄膜１０が形成されることで、基板Ｓが準備される。なお、金属薄膜１２はＣｕで構成されるものとする。

（Ａ２）次に、レジスト３１ａが基板Ｓの上に形成される（図２（ｂ）参照）。図２（ｂ）に示されるようにレジスト３１ａは電解Ｃｕめっき膜４１ａ（図２（ｃ）参照）を形成したくない箇所に形成される。
（Ａ３）そして、工程Ａ２において、レジスト３１ａを形成された基板Ｓが、レジスト３１ａごとＣｕめっき用電解液に浸され、導電性薄膜１０が通電されることで、基板Ｓの導電性薄膜１０の上に電解Ｃｕめっき膜４１ａが形成される（図２（ｃ）参照）。図２（ｃ）に示されるように電解Ｃｕめっき膜４１ａはレジスト３１ａのない箇所に形成される。Ｃｕめっきの方法は公知であるので、ここでは説明を省略する。電解Ｃｕめっき膜４１ａの厚さは、１〜２００μｍ程度である。

（Ａ４）工程Ａ３の後、電解Ｃｕめっき膜４１ａを形成された基板Ｓが、レジスト３１ａ及び電解Ｃｕめっき膜４１ａごとレジスト剥離液に浸されることで、レジスト３１ａが除去される（図２（ｄ）参照）。図２（ｄ）に示されるように、導電性に優れる金属薄膜１２が。レジスト剥離時に使う溶剤に腐食されない（耐腐食性を有する）第２Ｔｉ薄膜１３に保護されているため、金属薄膜１２は腐食されず、金属薄膜１２の導通抵抗を低い（導電性が高い）状態に保つことができる。

（Ａ５）工程Ａ４の後、レジスト３１ｂが基板Ｓの上に形成される（図３（ａ）参照）。図３（ａ）に示すようにレジスト３１ｂは、電解Ｎｉめっき膜４２ａ（図３（ｂ）参照）や、電解Ａｕめっき膜４３ａ（図３（ｃ）参照）を形成したくない箇所に形成する。また、レジスト３１ｂは電解Ｃｕめっき膜４１ａから、やや距離をおいて形成される。電解Ｃｕめっき膜４１ａとレジスト３１ｂとの間の距離は、１〜１００μｍ程度である。
（Ａ６）工程Ａ５の後、レジスト３１ｂを形成された基板Ｓが、レジスト３１ｂ及び電解Ｃｕめっき膜４１ａごとＮｉめっき用電解液に浸され、導電性薄膜１０が通電されることで、電解Ｎｉめっき膜４２ａが形成される（図３（ｂ）参照）。図３（ｂ）に示されるように、電解Ｎｉめっき膜４２ａはレジスト３１ｂのない箇所に、電解Ｃｕめっき膜４１ａの周りを覆うように形成される。Ｎｉめっきの方法は公知であるので、ここでの説明を省略する。

（Ａ７）工程Ａ６で電解Ｎｉめっき膜４２ａを形成された基板Ｓが、レジスト３１ｂ、電解Ｃｕめっき膜４１ａ及び電解Ｎｉめっき膜４２ａごとＡｕめっき用電解液に浸され、導電性薄膜１０が通電されることで、電解Ａｕめっき膜４３ａが形成される（図３（ｃ）参照）。図３（ｃ）に示されるように電解Ａｕめっき膜４３ａはレジスト３１ｂのない箇所に電解Ｎｉめっき膜４２ａの周りを覆う構造で形成される。
このように、電解Ｃｕめっき膜４１ａの周囲を電解Ｎｉめっき膜４２ａ及び電解Ａｕめっき膜４３ａで覆うことで、電解Ｃｕめっき膜４１ａが酸化する等して、劣化することを防止することができる。以降、電解Ｃｕめっき膜４１ａ、電解Ｎｉめっき膜４２ａ及び電解Ａｕめっき膜４３ａをまとめて配線めっき膜４０ａと称する。

（Ａ８）続いて、基板Ｓが、レジスト３１ｂ及び配線めっき膜４０ａごとレジスト剥離液に浸されることで、レジスト３１ｂが除去される（図３（ｄ）参照）。工程Ａ４と同様、導電性に優れる金属薄膜１２が、レジスト剥離時に使う溶剤に腐食されない（耐腐食性を有する）第２Ｔｉ薄膜１３に保護されているため、金属薄膜１２は腐食されず、金属薄膜１２の導通抵抗が低い（導電性が高い）状態を保っている。

なお、図３（ｄ）のように、電解Ｃｕめっき膜４１ａの保護のため、電解Ｎｉめっき膜４２ａ及び電解Ａｕめっき膜４３ａを形成する場合、一般的には無電解めっきによって形成されることが多い。これは、前記したように、一般的には導電性薄膜の表面がＣｕ等で形成されているため、レジスト剥離液による導電性薄膜の腐食が生じ、導電性薄膜の導電性が低下してしまうためである。しかしながら、無電解めっきは、電解液の状態に左右されるという課題がある。

本実施形態によれば、金属薄膜１２の上に、レジスト剥離液に対して耐腐食性を有する第２Ｔｉ薄膜１３を有することで、レジスト３１ａの剥離時に金属薄膜１２が腐食しない。このため、電解Ｎｉめっき膜４２ａ及び電解Ａｕめっき膜４３ａを形成する際に、電解めっきを用いることができ、電解液の状態に左右されることなく電解Ｎｉめっき膜４２ａ及び電解Ａｕめっき膜４３ａを形成することができるという効果を有する。

（Ａ９）工程Ａ８の後、第２Ｔｉ薄膜１３、金属薄膜１２及び第１Ｔｉ薄膜１１のうち露出している部分が、以下の工程Ａ９−１〜工程Ａ９−３の手順で除去されることで基板Ｓに配線めっき膜４０ａ，４０ｂが形成された回路基板Ｔａが形成される（図４（ａ）参照）。
（Ａ９−１）工程Ａ８でレジスト３１ｂを除去された基板Ｓが、配線めっき膜４０ａごと弗化水素酸水溶液に浸されることで、第２Ｔｉ薄膜１３が除去される。

（Ａ９−２）工程Ａ９−１の後、基板Ｓが、配線めっき膜４０ａごと塩化第二鉄水溶液に浸されることで金属薄膜１２が除去される。なお、本実施形態では、金属薄膜１２がＣｕで構成されているものとしているので、基板Ｓが塩化第二鉄水溶液に浸されることで、金属薄膜１２が除去されたが、金属薄膜がＡｇで構成されている場合、基板Ｓが硝酸水溶液に浸され、金属薄膜１２がＮｉで構成されている場合、基板Ｓが塩化第二鉄水溶液に浸されることで、金属薄膜１２が除去される。
（Ａ９−３）工程Ａ９−２の後、基板Ｓが、配線めっき膜４０ａごと弗化水素酸水溶液に再度浸されることで、第１Ｔｉ薄膜１１が除去される。

なお、電解Ａｕめっき膜４３ａ及び絶縁基板２１は弗化水素酸や、塩化第二鉄や、硝酸等によって容易に腐食しないため、工程Ａ９−３が行われた後の基板Ｓは、図４（ａ）に示されるような構成となっている。すなわち、電解Ａｕめっき膜４３ａによって保護されている電解Ｎｉめっき膜４２ａ及び電解Ｃｕめっき膜４１ａが残るとともに、導電性薄膜１０のうち、電解Ａｕめっき膜４３ａで保護されている部分が残っている。

図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す回路基板の上面模式図である。
図４（ｂ）に示すように、回路基板Ｔａにおいて、電解Ｃｕめっき膜４１ａよりも溶剤に対する耐腐食性が高い（腐食性が低い）電解Ｎｉめっき膜４２ａが電解Ｃｕめっき膜４１ａを覆うように形成され、溶剤に対して強い耐腐食性を有するＡｕで構成される電解Ａｕめっき膜４３ａが電解Ｎｉめっき膜４２ａを、さらに覆うように形成されている。このような構成を有することで、電解Ｃｕめっき膜４１ａが、酸化する等して経年劣化することを防止することができる。

（２つめの配線めっき膜の形成）
次に、同一基板Ｓ内に膜厚違いの配線膜を形成する方法について、図５〜図７を参照して説明する。なお、第１の配線膜４０ａは図２〜図４で説明した方法によって、既に形成されているものとし、ここでは第１の配線膜４０ａとは異なる膜厚を有する第２の配線膜の形成方法について説明する。
図５は、２つめの配線めっき膜を形成する工程を示す図（その１）であり、図５（ａ）は１つめの配線めっき膜の形成が完了した段階を示す図であり、図５（ｂ）はレジストが形成された段階を示す図（その２）であり、図５（ｃ）は電解Ｃｕめっき膜が形成された段階を示す図（その２）であり、図５（ｄ）はレジストが除去された段階を示す図（その３）である。また、図６は、２つめの配線めっき膜を形成する工程を示す図（その２）であり、図６（ａ）はレジストが再形成された段階を示す図（その２）であり、図６（ｂ）は電解Ｎｉめっき膜が形成された段階を示す図（その２）であり、図６（ｃ）は電解Ａｕめっき膜が形成された段階を示す図（その２）であり、図６（ｄ）はレジストが除去された段階を示す図（その４）である。そして、図７は、２つの配線めっき膜の形成が完了した段階を示す図であり、図７（ａ）は断面模式図であり、図７（ｂ）は上面図である。
なお、図５〜図７において、図２〜図４と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。

（Ｂ１）図５（ａ）に示す基板Ｓは工程Ａ８（図３（ｄ））終了後の基板Ｓである。
（Ｂ２）レジスト３１ｃが、基板Ｓの上に形成される（図５（ｂ）参照）。図５（ｂ）に示されるようにレジスト３１ｃは電解Ｃｕめっき膜４１ｂ（図５（ｃ）参照）を形成したくない箇所に形成される。

（Ｂ３）そして、工程Ｂ２において、レジスト３１ｃを形成された基板Ｓが、レジスト３１ｃごとＣｕめっき用電解液に浸され、基板Ｓの導電性薄膜１０が通電されることで、基板Ｓの導電性薄膜１０の上に電解Ｃｕめっき膜４１ｂが形成される（図５（ｃ）参照）。図５（ｃ）に示されるように電解Ｃｕめっき膜４１ｂはレジスト３１ｃのない箇所に形成される。Ｃｕめっきの方法は公知であるので、ここでは説明を省略する。

なお、導電性薄膜１０への通電時間を調節することで、電解Ｃｕめっき膜４１ｂの膜厚を、電解Ｃｕめっき膜４１ａより薄くすることも厚くすることも可能である。例えば、電解Ｃｕめっき膜４１ｂの形成時における導電性薄膜１０への通電時間を、電解Ｃｕめっき膜４１ａの形成時における通電時間よりも短くすることで電解Ｃｕめっき膜４１ｂの膜厚を、電解Ｃｕめっき膜４１ａより薄くすることができる。同様に、電解Ｃｕめっき膜４１ｂの形成時における導電性薄膜１０への通電時間を、電解Ｃｕめっき膜４１ａの形成時における通電時間よりも長くすることで電解Ｃｕめっき膜４１ｂの膜厚を、電解Ｃｕめっき膜４１ａより厚くすることができる。

このようにして、電解Ｃｕめっき膜４１ａとは膜厚が異なる電解Ｃｕめっき膜４１ｂを形成することができる。

（Ｂ４）工程Ｂ３の後、電解Ｃｕめっき膜４１ｂを形成された基板Ｓが、レジスト３１ｃ及び電解Ｃｕめっき膜４１ｂごとレジスト剥離液に浸されることで、レジスト３１ｃが除去される（図５（ｄ）参照）。図５（ｄ）に示されるように、導電性に優れる金属薄膜１２がレジスト剥離時に使う溶剤に腐食されない（耐腐食性を有する）第２Ｔｉ薄膜１３に保護されているため、金属薄膜１２は腐食されず、金属薄膜１２は導通抵抗の低い（導電性の高い）状態を保つことができる。
（Ｂ５）工程Ｂ４の後、レジスト３１ｄが形成される（図６（ａ）参照）。図６（ａ）に示すようにレジスト３１ｄは、電解Ｎｉめっき膜４２ｂ（図６（ｂ）参照）や、電解Ａｕめっき膜４３ｂ（図６（ｃ）参照）を形成したくない箇所に形成される。
また、レジスト３１ｄは電解Ｃｕめっき膜４１ｂから、やや距離をおいて形成される。電解Ｃｕめっき膜４１ｂとレジスト３１ｄとの間の距離は、１〜１００μｍ程度である。

（Ｂ６）工程Ｂ５の後、レジスト３１ｄを形成された基板Ｓが、レジスト３１ｄ及び電解Ｃｕめっき膜４１ｂごとＮｉめっき用電解液に浸され、導電性薄膜１０が通電されることで、電解Ｎｉめっき膜４２ｂが形成される（図６（ｂ）参照）。図６（ｂ）に示されるように電解Ｎｉめっき膜４２ｂはレジスト３１ｄのない箇所に電解Ｃｕめっき膜４１ｂの周りを覆う構造で形成される。Ｎｉめっきの方法は公知であるので、ここでの説明を省略する。
（Ｂ７）工程Ｂ６で電解Ｎｉめっき膜４２ｂを形成された基板Ｓが、レジスト３１ｄ、電解Ｃｕめっき膜４１ｂ及び電解Ｎｉめっき膜４２ｂごとＡｕめっき用電解液に浸され、導電性薄膜１０が通電されることで、電解Ａｕめっき膜４３ｂが形成される（図６（ｃ）参照）。図６（ｃ）に示されるように電解Ａｕめっき膜４３ｂはレジスト３１ｄのない箇所に電解Ｎｉめっき膜４２ｂの周りを覆う構造で形成される。
このように、電解Ｃｕめっき膜４１ｂの周囲を電解Ｎｉめっき膜４２ｂ及び電解Ａｕめっき膜４３ｂで覆うことで、電解Ｃｕめっき膜４１ｂが酸化する等して、劣化することを防止することができる。
ここで、電解Ｃｕめっき膜４１ｂ、電解Ｎｉめっき膜４２ｂ及び電解Ａｕめっき膜４３ｂをまとめて配線めっき膜４０ｂと称する。

（Ｂ８）続いて、基板Ｓが、レジスト３１ｄ及び配線めっき膜４０ｂごとレジスト剥離液に浸されることで、レジスト３１ｄが除去される（図６（ｄ）参照）。工程Ｂ４と同様、導電性に優れる金属薄膜１２が。レジスト剥離時に使う溶剤に腐食されない（耐腐食性を有する）第２Ｔｉ薄膜１３に保護されているため、金属薄膜１２は腐食されず、金属薄膜１２の導通抵抗が低い正常な状態を保っている。

（Ｂ９）工程Ｂ８の後、第２Ｔｉ薄膜１３、金属薄膜１２及び第１Ｔｉ薄膜１１のうち露出している部分が除去されることで基板Ｓに配線めっき膜４０ａ，４０ｂが形成された回路基板Ｔｂが形成される（図７（ａ）参照）。第２Ｔｉ薄膜１３、金属薄膜１２及び第１Ｔｉ薄膜１１の除去方法は、工程Ａ９で説明した方法と同様であるので、ここでの説明は省略する。

このように、金属薄膜１２がレジスト剥離液に対して耐腐食性を有する第２Ｔｉ薄膜１３で保護されているため、レジスト形成・レジスト除去を複数回行っても、金属薄膜１２の導電性を良好に保つことができる。この結果、複数回の電解めっき膜（電解Ｃｕめっき膜４１ａ，４１ｂ、電解Ｎｉめっき膜４２ａ，４２ｂ、電解Ａｕめっき膜４３ａ，４３ｂ等）の形成を行っても、めっき形成の効率を損なうことがない。

なお、本実施形態では、２種類の膜厚を有する配線めっき膜を形成するところまで説明しているが、図５及び図６の処理を繰り返すことで、３種類以上の膜厚を有する配線めっき膜を形成することも可能である。
金属薄膜１２がレジスト剥離液に対して耐腐食性を有する第２Ｔｉ薄膜１３で保護されているため、３種類以上の膜厚を形成するために、レジスト形成・レジスト除去が複数回行われても、金属薄膜１２の導電性を良好に保つことができる。

図７（ｂ）は、図７（ａ）に示す回路基板の上面模式図である。
図７（ｂ）に示すように、回路基板Ｔｂにおいて、配線めっき膜４０ａは図４（ｂ）に示す配線めっき膜４０ａと同様の構成を有しているので、同一の符号を付して説明を省略する。
配線めっき膜４０ｂも、電解Ｃｕめっき膜４１ｂよりも溶剤に対する耐腐食性が高い（腐食性が低い）電解Ｎｉめっき膜４２ｂが電解Ｃｕめっき膜４１ｂを覆うように形成され、溶剤に対して強い耐腐食性を有するＡｕで構成される電解Ａｕめっき膜４３ｂが電解Ｎｉめっき膜４２ｂを、さらに覆うように形成されている。このような構成を有することで、電解Ｃｕめっき膜４１ｂが、酸化する等して経年劣化することを防止することができる。

≪第２実施形態≫
なお、本実施形態では、図１に示すように第１Ｔｉ薄膜１１、金属薄膜１２及び第２Ｔｉ薄膜１３の３層構造としているが、これに限らない。
図８は、第２実施形態に係る基板の断面模式図である。
図８に示す基板Ｓａのように、絶縁基板２１と金属薄膜１２との接着性が良好であれは、第１Ｔｉ薄膜１１が省略されてもよい。
すなわち、基板Ｓａにおいて、絶縁基板２１の上に金属薄膜１２が形成され、さらに金属薄膜１２の上に第２Ｔｉ薄膜１３が形成されることで、導電性薄膜１０ａが形成されてもよい。

≪第３実施形態≫
図９は、第３実施形態に係る基板の断面模式図である。
図９に示す基板Ｓｂのように、金属薄膜が２層となっていてもよい。
すなわち、基板Ｓｂにおいて、絶縁基板２１の上に第１Ｔｉ薄膜１１が形成され、この第１Ｔｉ膜１１の上に第１金属薄膜１２ａが形成され、さらに第１金属薄膜１２ａの上に第２金属薄膜１２ｂが形成され、第２金属薄膜１２ｂの上に第２Ｔｉ薄膜１３が形成されることで、導電性薄膜１０ｂが形成されている。

なお、図９では、第１金属薄膜１２ａがＣｕで構成され、第２金属薄膜１２ｂがＡｇで構成されているが、Ｃｕ，Ａｇ、Ｎｉ等、Ｎｉ以上の導電性を有する金属であれば、どのような組み合わせで構成されてもよい。
さらに、図９では、金属薄膜１２ａ，１２ｂが２層構造であるとしているが、これに限らず、３層以上で構成されていてもよい。

≪第４実施形態≫
図１０は、第４実施形態に係る基板の断面模式図である。
図１０に示す基板Ｓｃのように、２層の金属薄膜の間にＴｉ薄膜が存在する構成でもよい。
すなわち、基板Ｓｃにおいて、絶縁基板２１の上に第１Ｔｉ薄膜１１が形成され、この第１Ｔｉ膜１１の上に第３金属薄膜１２ｃが形成され、さらに第３金属薄膜１２ｃの上に第３Ｔｉ薄膜１４が形成され、第３Ｔｉ薄膜１４の上に第４金属薄膜１２ｄが形成され、第４金属薄膜１２ｄの上に第２Ｔｉ薄膜１３が形成されることで、導電性薄膜１０ｃが形成されている。

なお、図１０では、金属薄膜を第３金属薄膜１２ｃ及び第４金属薄膜１２ｄの２層とし、この２層の金属薄膜の間に第３Ｔｉ薄膜１４が構成されているが、これに限らず、金属薄膜が３層以上で構成され、各層を構成する金属薄膜の間にＴｉ薄膜が形成される構成としてもよい。

また、図１０では、第３金属薄膜１２ｃ及び第４金属薄膜１２ｄのそれぞれがＣｕで構成されているとしているが、Ａｇや、Ｎｉ等、Ｎｉ以上の導電性を有する金属であれば、どのような金属でもよい。また、第３金属薄膜１２ｃ及び第４金属薄膜１２ｄのそれぞれが異なる金属で構成されてもよい。
同様に、金属薄膜が３層以上で構成される場合においても、金属薄膜を構成する各層は、Ｎｉ以上の導電性を有する金属であれば、どのような金属でもよいし、各層のうち、少なくとも１つの層が、他の層とは異なる金属で構成されてもよい。

さらに、第１Ｔｉ薄膜１１及び第３Ｔｉ薄膜１４のうち、少なくとも一方がＣｒで構成されてもよい。同様に、基板Ｓｃが３つ以上のＴｉ薄膜を有する場合、最上層のＴｉ薄膜（第２Ｔｉ薄膜１３）以外のＴｉ薄膜のうち、少なくとも１つがＣｒで構成されてもよい。

本発明は前記した実施形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、前記した実施形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明したすべての構成を有するものに限定されるものではない。また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。また、各実施形態の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。

なお、電解Ｎｉめっき膜４２ａ，４２ｂ及び電解Ａｕめっき膜４３ａ，４３ｂは、形成されなくてもよい。
さらに、本実施形態では、配線めっき膜４０ａ，４０ｂを構成する金属として、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕが用いられているが、Ｐｔ、Ｐｄ等が用いられてもよい。

１０ 導電性薄膜
１１ 第１Ｔｉ薄膜
１２，１２ａ〜１２ｄ 金属薄膜
１３ 第２Ｔｉ薄膜
１４ 第３Ｔｉ薄膜
２１ 絶縁基板
３１ａ〜３１ｄ レジスト
４０ａ，４０ｂ 配線めっき膜
４１ａ，４１ｂ 電解Ｃｕめっき膜
４２ａ，４２ｂ 電解Ｎｉめっき膜
４３ａ，４３ｂ 電解Ａｕめっき膜
Ｓ 基板
Ｔａ，Ｔｂ 回路基板

Claims (7)

1. 絶縁基板の上面に、２つ以上の層からなる導電性薄膜を有し、
   前記導電性薄膜における複数の層のうち、最も上の層がＴｉによって形成され、
   前記Ｔｉの層の下に、少なくともＮｉ以上の導電性を有する金属の層を有する
   ことを特徴とする基板。
2. 請求項１において、
   前記Ｎｉ以上の導電性を有する金属は、Ｃｕ、Ａｇ及びＮｉである
   ことを特徴とする基板。
3. 請求項１において、
   前記複数の層は、３つの層であり、
   最も下の層が、ＴｉもしくはＣｒによって形成される
   ことを特徴とする基板。
4. 請求項１において、
   前記絶縁基板は、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２を含むセラミックスで形成されている
   ことを特徴とする基板。
5. 絶縁基板の上面に、複数の層からなる導電性薄膜を有し、前記導電性薄膜における複数の層のうち、最も上の層がＴｉによって形成され、前記Ｔｉの層の下に、少なくともＮｉ以上の導電性を有する金属の層を有する基板上に、レジストを形成し、
   電解めっきを前記導電性薄膜上に行うことで、前記基板上に電解めっき膜を形成し、
   レジスト剥離液に前記電界めっき後の基板を浸すことで、前記レジストを除去する
   ことを、複数回行う
   ことを特徴とする回路基板の製造方法。
6. 請求項５において、
   前記基板上に、第１のレジストを形成し、
   電解めっきを前記導電性薄膜上に行うことで、前記基板上に第１の電解めっき膜を形成し、
   レジスト剥離液に前記電界めっき後の基板を浸すことで、前記第１のレジストを除去し、
   前記第１の電解めっき膜から所定距離離れたところに第２のレジストを形成し、
   電解めっきを前記導電性薄膜上に行うことで、前記第１の電解めっき膜を覆うように、前記第１の電解めっき膜よりも溶剤に対する腐食性が低い金属による第２の電解めっき膜を形成し、
   前記レジスト剥離液に前記電界めっき後の基板を浸すことで、前記第２のレジストを除去する
   ことを特徴とする回路基板の製造方法。
7. 請求項６において、
   前記第２の電解めっき膜の形成後、電解めっきを行うことで、前記第２の電解めっき膜を覆うように、前記第１の電解めっき膜よりも溶剤に対する腐食性が低い金属による第３のめっき膜を形成する
   ことを複数回行い、
   最後の電解めっきとして、Ａｕの電解めっきを行う
   ことを特徴とする回路基板の製造方法。

Images