JP2016534566A - セラミック多層デバイスを製造するための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
−材料損失、たとえば研磨しろによるものが低減される。
−小さな断面(たとえば3×3mm)を有するデバイスの歪みが低減される。
−裁断面が表面品質に対する要求を満たし、これよりさらなる加工(たとえば研磨)、たとえば各々のアクチュエータの2つの側面の研磨を全く必要としない。
−処理が完了した棒状体における裁断位置の調整により絶縁領域の対称性が高くなる。
−個々に分離されたアクチュエータの機械的損傷(たとえばエッジ欠け)が大幅に低減される。これは棒状体が後の処理ステップでやっとアクチュエータ(複数)に個々に分離されるからであり、これがこれらのアクチュエータの収率の向上を有利にもたらすからである。
−さらに、改善された電気的特性および/またはより長い寿命を有するアクチュエータの製造のためのセラミック層またはグリーン層の絶縁領域における、またはこの絶縁領域での内部電極層のエッチング等の新たな処理を、比較的僅かな製造コストで導入できる可能性がある。
2 : 裁断方向
3 : 部分ブロック
5 : グリーン層
6,7,8,9 : 側面
100 : セラミック多層デバイス
X : 長手方向
Y,Z : 方向
Claims (10)
- セラミック多層デバイス(100)を製造するための造方法であって、
前記セラミック多層デバイス(100)用のグリーン層(複数)(5)を準備するステップと、
前記グリーン層(5)を1つの積層体に積層し、続いて当該積層体をプレスして1つのブロック(1)とするステップと、
前記ブロック(1)を長手方向(X)に沿って部分ブロック(複数)(3)にそれぞれ個々に分離するステップと、
前記部分ブロック(3)を熱処理するステップ、および続いて当該部分ブロック(3)の表面(6,7,8,9)を機械加工するステップと、
前記部分ブロック(3)に外部電極(複数)を設けるステップと、
前記部分ブロック(3)をその長手方向(X)に対して横方向で個々に分離して、個々のセラミック多層デバイス(100)にする分離ステップと、
を備えることを特徴とする方法。 - 前記内部電極は銅(Cu)から成ることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ブロック(1)は、前記分離ステップのため、当該ブロック(1)の長手方向(X)に対し横方向に1回のみ裁断されることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 前記ブロック(1)は、前記分離ステップのため、当該ブロック(1)の長手方向(X)に対し横方向に複数回裁断されることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 前記ブロック(1)は、前記分離ステップのため、当該ブロック(1)の長手方向(X)に対し平行に、当該ブロック(1)の長手方向(X)に対して横方向に裁断するよりも多数回裁断されることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記部分ブロック(3)の前記表面(6,7,8,9)は、対向する側面(6,7)で機械加工され、当該部分ブロック(3)の当該側面に外部電極(複数)が設けられることを特徴とする、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記方法は、前記部分ブロック(3)に外部電極を設けた後に、たとえばはんだ、またははんだ処理によって、当該部分ブロック(3)に1つの外部接続部を設けるステップを備えることを特徴とする、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記セラミック多層デバイス(100)は、圧電多層デバイス、あるいは圧電アクチュエータであることを特徴とする、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記セラミック多層デバイス(100)は、多層コンデンサであることを特徴とする、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の方法。
- 請求項1乃至9のいずれか1項に記載の方法を用いて製造可能な、または製造されている圧電多層デバイス(100)。
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61208880A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-17 | Nec Corp | 電歪効果素子の製造方法 |
US20030070271A1 (en) * | 2001-10-17 | 2003-04-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing multilayer piezoelectric resonator |
DE602004004841T2 (de) * | 2003-08-29 | 2007-11-08 | Fujifilm Corp. | Laminierte Struktur, Verfahren zur Herstellung derselben und Vielfach-Ultraschallwandlerfeld |
DE102007004813A1 (de) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Siemens Ag | Piezokeramischer Vielschichtaktor und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP2009065014A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Nec Tokin Corp | 積層型圧電アクチュエータ素子 |
DE102009028259A1 (de) * | 2009-08-05 | 2011-02-10 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung von piezoelektrischen Werkstücken |
JP2012044148A (ja) * | 2010-07-21 | 2012-03-01 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品 |
JP2012191165A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 |
DE102012101351A1 (de) * | 2012-02-20 | 2013-08-22 | Epcos Ag | Vielschichtbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Vielschichtbauelements |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04214686A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-08-05 | Nec Corp | 電歪効果素子 |
JP2002314156A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Denso Corp | 圧電体素子 |
JP4035988B2 (ja) * | 2001-12-06 | 2008-01-23 | 株式会社デンソー | セラミック積層体及びその製造方法 |
JP2006245124A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Ibiden Co Ltd | 積層型圧電体素子 |
JP2007134561A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Fujitsu Ltd | 多層圧電素子の形成方法 |
EP1821351B1 (de) * | 2006-02-16 | 2008-04-16 | Delphi Technologies, Inc. | Verfahren zum Herstellen eines piezoelektrischen Bauteils |
DE102007040249A1 (de) * | 2007-08-27 | 2009-03-05 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Piezoaktors mit elektrisch isolierender Schutzschicht sowie Piezoaktormodul und Piezoaktor mit elektrisch isolierender Schutzschicht |
JPWO2011065235A1 (ja) * | 2009-11-25 | 2013-04-11 | 株式会社村田製作所 | 電気機械変換素子及びアクチュエータ |
DE102012105059A1 (de) * | 2012-06-12 | 2013-12-12 | Epcos Ag | Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtbauelements und Vielschichtbauelement |
-
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61208880A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-17 | Nec Corp | 電歪効果素子の製造方法 |
US20030070271A1 (en) * | 2001-10-17 | 2003-04-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing multilayer piezoelectric resonator |
DE602004004841T2 (de) * | 2003-08-29 | 2007-11-08 | Fujifilm Corp. | Laminierte Struktur, Verfahren zur Herstellung derselben und Vielfach-Ultraschallwandlerfeld |
DE102007004813A1 (de) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Siemens Ag | Piezokeramischer Vielschichtaktor und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP2009065014A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Nec Tokin Corp | 積層型圧電アクチュエータ素子 |
DE102009028259A1 (de) * | 2009-08-05 | 2011-02-10 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung von piezoelektrischen Werkstücken |
JP2012044148A (ja) * | 2010-07-21 | 2012-03-01 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品 |
JP2012191165A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 |
DE102012101351A1 (de) * | 2012-02-20 | 2013-08-22 | Epcos Ag | Vielschichtbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Vielschichtbauelements |
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