JP2016525802A - 調節可能な偏光を有するレーザデバイス - Google Patents

調節可能な偏光を有するレーザデバイス Download PDF

Info

Publication number
JP2016525802A
JP2016525802A JP2016530477A JP2016530477A JP2016525802A JP 2016525802 A JP2016525802 A JP 2016525802A JP 2016530477 A JP2016530477 A JP 2016530477A JP 2016530477 A JP2016530477 A JP 2016530477A JP 2016525802 A JP2016525802 A JP 2016525802A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
laser light
polarization
sub
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016530477A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6568065B2 (ja
JP2016525802A5 (ja
Inventor
ウルリッヒ ワイシュマン
ウルリッヒ ワイシュマン
マーク カーパイイ
マーク カーパイイ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips NV filed Critical Koninklijke Philips NV
Publication of JP2016525802A publication Critical patent/JP2016525802A/ja
Publication of JP2016525802A5 publication Critical patent/JP2016525802A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6568065B2 publication Critical patent/JP6568065B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18355Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a defined polarisation
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G01B11/25Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures by projecting a pattern, e.g. one or more lines, moiré fringes on the object
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J4/00Measuring polarisation of light
    • G01J4/04Polarimeters using electric detection means
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/50Depth or shape recovery
    • G06T7/55Depth or shape recovery from multiple images
    • G06T7/593Depth or shape recovery from multiple images from stereo images
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/06821Stabilising other output parameters than intensity or frequency, e.g. phase, polarisation or far-fields
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18386Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/42Arrays of surface emitting lasers
    • H01S5/423Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N13/00Stereoscopic video systems; Multi-view video systems; Details thereof
    • H04N13/20Image signal generators
    • H04N13/204Image signal generators using stereoscopic image cameras

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Measurement Of Optical Distance (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)

Abstract

本発明は、レーザ発光体100のアレイ50と制御ユニット200とを有するレーザデバイス10について述べており、アレイ50は、少なくともレーザ発光体の第1のサブアレイ110及びレーザ発光体の第2のサブアレイ120を有し、第1のサブアレイ110は、第1の偏光のレーザ光を放射し、第2のサブアレイ120は、第1の偏光とは異なる第2の偏光のレーザ光を放射し、制御ユニット200は、アレイ50により放射されたレーザ光の偏光が変えられ得るように第1のサブアレイ110及び第2のサブアレイ120を制御するように適合される。本発明は、更に、斯様なレーザデバイス10を有する、センサデバイス300及び光学検出システム400について述べている。更に、光学検出システム400によってオブジェクトの形状を決定する方法が述べられている。

Description

本発明は、調節可能な偏光を有するレーザデバイス、斯様なレーザデバイスを有するセンサデバイス及び光学検出システムに関する。本発明は、更に、オブジェクトの三次元形状を決定する方法に関する。
WO01/05008A1は、垂直キャビティ面発光レーザ(VCSEL:Vertical Cavity Surface Emitting Laser)のレーザ放出の偏光の制御を開示している。更に、単一の処理ステップにおけるVCSELの全体のアレイに渡る一次元格子構造による同じ偏光の偏光制御されたVCSELのアレイの製作が述べられている。
述べられたアレイにはフレキシビリティが欠如しており、従って、潜在的なアプリケーションは制限される。
それ故、本発明の目的は、改良されたフレキシビリティをもつ改良されたレーザデバイスを提供することである。
第1の態様によれば、レーザ発光体のアレイ及び制御ユニットを有するレーザデバイスが提案される。前記アレイは、少なくともレーザ発光体の第1のサブアレイ及びレーザ発光体の第2のサブアレイを有し、第1のサブアレイは、第1の偏光のレーザ光を放射し、第2のサブアレイは、第1の偏光とは異なる第2の偏光のレーザ光を放射する。第1のサブアレイ及び/又は第2のサブアレイは、レーザ発光体のサブセットを有する。制御ユニットは、アレイにより放射されるレーザ光の偏光が制御され得るように第1のサブアレイ及び第2のサブアレイを制御するように適合される。少なくとも、第1のサブセットにより放射されたレーザ光は、第2のサブセットにより放射されたレーザ光に対して干渉性がない。制御ユニットは、放射されたレーザ光のコヒーレンスが制御され得るように第1のサブアレイ及び/又は第2のサブアレイのレーザ発光体のサブセットを独立して制御するように更に適合される。
レーザ発光体は、好ましくは、垂直キャビティ面発光レーザ(VCSEL)又は側面発光体としての半導体レーザである。VCSELは、異なる偏光のレーザ光を放射するVCSELのアレイが各VCSEL上の発光面の上部の表面格子によって生成され得るように、ウエハスケールで生成され得るという利点を有し得る。VCSELの多数の表面格子は、1つのエッチングステップにおいて生成され得る。側面発光体は、これらが本質的に偏向されるという利点を有し得る。それ故、規定された偏光のレーザ発光体を得るために追加の技術的な手段は必要とされない。
第1のサブアレイ及び第2のサブアレイは、1つのチップ上で一体化されてもよい。前記チップは、第1の偏光のレーザ光を放射するレーザデバイスの第1の隣接エリアと第2の偏光のレーザ光を放射するレーザデバイスの第2の隣接エリアとを有してもよい。前記チップは、3、4又はそれ以上の偏光のレーザ光を放射するレーザ発光体のサブアレイを有する3、4又はそれ以上の隣接エリアを有してもよい。隣接エリア上に設けられる2又はそれ以上のサブアレイは同じ偏光のレーザ光を放射することが可能であってもよい。斯様な隣接エリアは、第1及び第2の偏光のレーザ光を放射するレーザデバイスの正方形、矩形、三角形又はライン又はストライプであってもよい。
代わりに、サブアレイは、前記チップ上で同じエリアを共有してもよい。隣接するレーザ発光体は、この場合、異なる偏光のレーザ光を放射してもよい。例えば市松模様状又は六角形のパターンで設けられる異なる偏光のレーザ光を放射する2つの異なる種類のレーザ発光体のみがあってもよい。代替アプローチにおいて、異なる偏光のレーザ光を放射する3、4又はそれ以上のレーザ発光体は、反復的な順序のラインにおいて、又は、2若しくはそれ以上のラインにおいて続いて設けられてもよい。複数のラインにおけるレーザ発光体のシーケンスは、シフトされてもよく、又は、順序が変えられてもよい。それ故、異なる偏光のレーザ光を放射するレーザ発光体のパターンは規則的であってもよく、又は、不規則であってもよい。互いの隣に異なる偏光のレーザ光を放射するレーザ発光体を設けることは、異なる偏光のレーザドットのパターンが追加の光学要素を伴うことなくオブジェクト上へ直接投射され得るという利点を有し得る。レンズの単純な配列は、レーザドットの斯様なパターンを広げるのに十分であり得る。
代わりに、規定された偏光のレーザ光を放射するレーザ発光体のサブアレイは、異なるチップ上に設けられてもよい。この場合、異なる偏光は、アレイ内で使用されるチップ又はサブアレイの数及びそれぞれのアプリケーションのために必要とされる偏光の数に依存して、例えば45°、90°、120°又は他の角度で互いに対してチップの方向を変えることにより可能にされ得る。
制御ユニットは、サブアレイを互いに対して独立して制御してもよい。それ故、レーザデバイスにより放射されるレーザ光の偏光は、(双方のサブアレイが同じ強度のレーザ光を放射する)偏光を伴わないレーザ光に対する(第1のサブアレイだけがレーザ光を放射する)第1の偏光のレーザ光から(第2のサブアレイだけがレーザ光を放射する)第2の偏光のレーザ光に継続的に変えられてもよい。右の角度下の追加の偏光子が追加されてもよく、従って、偏光が、右と左との間で循環して偏向するよう切り替えられてもよい。より洗練された制御は、2つだけのサブアレイの場合でも偏光角の連続的な変更を可能にする各サブアレイのレーザデバイスのコヒーレント結合により可能にされてもよい。
サブアレイのレーザ発光体は、サブセットに設けられる。サブセットは、コントローラによって独立して制御される。後者は、各レーザ発光体の制御と比較して、レーザデバイスの簡略化された制御を可能にしてもよい。サブセットのレーザデバイスは、サブアレイにより放射されるレーザ光のコヒーレンスが制御可能になり得るように、コヒーレントに結合されてもよい。コヒーレントなレーザデバイスのサブセットは、この場合、規定された偏光のコヒーレントなレーザ光を放射してもよく、これにより、サブアレイの2又はそれ以上のサブセットは、これらがレーザ光を同時に放射するようにコントローラによって制御される場合に、規定された偏光の非干渉レーザ光を放射する。
異なる偏光の幾つかのサブアレイは、レーザデバイスのコントローラによってそれぞれのサブアレイ上で切り替わることにより2つより多い偏光のレーザ光を放射することを可能にしてもよい。各サブアレイに供給される電力は、連続的な手段において制御可能であってもよい。更に、コントローラによって、レーザ発光体の一部のみに給電することが可能であってもよく、又は、サブアレイの単一のレーザに給電することも可能であってもよい。コントローラは、外部電源又は内部電源(例えば、バッテリ)に接続されるだろう。
センサデバイスは、前述したレーザデバイス及び検出器を有してもよい。検出器は、オブジェクトによる放射されたレーザ光の反射の後にサブアレイにより放射されるレーザ光の異なる偏光を検出するように適合されてもよい。検出器は、CCD(Charge Coupled Device)のようなカメラチップ及び偏光フィルタを有してもよい。偏光フィルタは、固定されてもよく、又は、制御モジュールによって制御可能であってもよい。制御可能な偏光フィルタは、カメラチップにより受信されたレーザ光の偏光を自動的に調整することを可能にしてもよい。また、偏光フィルタを伴うことなく検出器を用いることが可能であってもよい。制御モジュールは、この場合、偏光フィルタが必要とされない態様で異なる偏光のレーザ光を提示するように適合されてもよい。制御信号は、例えば、レーザデバイスによって提示されてもよく、レーザ光の偏光が制御信号によって識別されるように検出器によって受信されてもよい。制御信号は、レーザ光のそれぞれの偏光を識別するために、例えばセンサデバイスが結合される分析ユニット又はセンサの制御モジュールによって、後の処理において用いられてもよい。オブジェクトは、偏光を変えるレーザ光によって照射されてもよく、放射されたレーザ光の偏光に関する情報との組み合わせにおいて反射されたレーザ光の強度の局所的バリエーションがオブジェクトの表面特性の分析を可能にしてもよい。
代替アプローチにおいて、偏光ビームスプリッタ及び2つのカメラチップが用いられる。偏光ビームスプリッタは、2つの偏光のレーザ光の強度が独立して検出され得るように、第1の偏光のレーザ光を第1のカメラチップに伝達し、第2の偏光のレーザ光を第2のカメラチップに伝達するように構成されてもよい。この場合、レーザデバイスは、2つの異なる好ましい直交偏光のレーザ光のみを供給してもよい。偏光ビームスプリッタは、直交偏光を有する2つの偏光フィルタと組み合わせたビームスプリッタであってもよい。
光学検出システムは、前述したレーザデバイスを有してもよい。光学検出システムは、更に、レシーバ及び処理ユニットを有する。処理ユニットは、1又はそれ以上のメモリデバイスを含む任意の種類のプロセッサ、マイクロプロセッサ又はコンピュータであってもよい。レーザデバイスは、少なくとも第1の偏光を有するレーザ光の第1のサブパターンと第2の偏光を有するレーザ光の第2のサブパターンとを有するレーザ光のパターンを放射するように適合されてもよい。レシーバは、オブジェクトにより反射された、レーザデバイスにより放射された第1及び第2のサブパターンを受信するように適合されてもよく、処理ユニットは、反射された第1及び第2のサブパターンによってオブジェクトの形状を決定するように適合されてもよい。
レシーバは、例えば、カメラチップ及び規定された偏光の偏光フィルタを有してもよい。処理ユニットは、レーザデバイスの制御ユニットと通信してもよい。レーザデバイスは、異なる偏光を有するドットのパターンを放射し、それぞれの情報を処理ユニットと交換してもよく、従って、処理ユニットは、それぞれのパターンに関する情報が通知される。各パターンは、例えばパターンの放射の前に、レーザデバイスによって放射された固有の識別子を有してもよく、従って、処理ユニットは、それぞれのパターンがレシーバによって受信されたときに通知される。制御ユニットは、パターンを変えるように更に適合されてもよい。それ故、処理ユニットは、多数の異なるパターンに基づいて放射されたパターン及び受信したパターンに関する情報を比較することによりオブジェクトの形状を決定することができてもよい。
検出器は、代替アプローチにおいて、制御可能な偏光フィルタを有する検出器を有してもよい。レーザデバイスは、この場合、一定のパターンを放射してもよく、制御モジュールは、異なる偏光のレーザ光が異なる時間に制御可能な偏光を通過させ得るように制御可能な偏光フィルタの設定を変えてもよい。放射されたパターンに関する情報、受信したパターンの歪み及び制御可能な偏光フィルタの設定に関するパターンのドットの強度は、オブジェクトの形状を決定するために処理ユニットによって用いられてもよい。
光学検出システムは、オブジェクトの画像を記録するためのカメラを更に有してもよい。処理ユニットは、オブジェクトの決定された形状及びオブジェクトの画像に基づいてオブジェクトの三次元画像を決定するように適合されてもよい。従来のカメラによって与えられた情報は、オブジェクトの決定された形状と組み合わせられてもよい。それ故、オブジェクトの現実的な三次元画像を供給することが可能であってもよい。更に、レシーバの前における偏光フィルタの使用は、周囲光の強度を50%まで低減し、従って、パターンのコントラストが向上し得る。前記パターンは、好ましくは、レーザ光のパターンがカメラによる画像のレコーディングを妨害しないように、画像と異なる波長(例えば、カメラにより記録された可視スペクトルと比較した赤外線スペクトル)において放射される。
本発明の他の態様によれば、オブジェクトの形状を決定する方法が提供される。本方法は、少なくとも第1の偏光を有するレーザ光の第1のサブパターンと第2の偏光を有するレーザ光の第2のサブパターンとを有するレーザ光のパターンを放射するステップと、第1のサブアレイ及び/又は第2のサブアレイのレーザ発光体のサブセットを独立して制御することによって、制御ユニットによりレーザ光のコヒーレンスを制御するステップであって、少なくとも第1のサブセットにより放射されたレーザ光は第2のサブセットにより放射されたレーザ光に対して干渉性がない、ステップと、オブジェクトにより反射されたレーザ光のパターンのレーザ光を受信するステップと、第1及び第2のサブパターンの受信したレーザ光を用いてオブジェクトの形状を決定するステップとを有する。
第1及び第2のサブパターンによって供給される情報は、サブパターンにおけるレーザ光の異なる偏光を介して追加の情報に与えることにより、オブジェクトの形状の決定を向上させ得る。
本方法は、時間において変化する、レーザ光のパターンを供給する追加のステップと、前記オブジェクトの形状が前記変化に関する情報に基づいて決定されるように前記情報を処理ユニットに供給するステップとを有してもよい。
代替アプローチにおいて、本方法は、異なる偏光のレーザ光がオブジェクトに関する追加の情報を与えるためにフィルタリングされ得るように、制御可能な偏光フィルタの設定を変えるステップを有する。
本発明の好ましい実施形態は、従属請求項の、それぞれの独立請求項との任意の組み合わせであってもよいことが理解されるべきである。
更に有利な実施形態が以下で規定される。
本発明のこれらの及び他の態様は、後述される実施形態から明らかになり、これらを参照して説明されるだろう。
本発明は、添付図面を参照して実施形態に基づいて、例によって、述べられるだろう。
第1のレーザデバイスの主要な略図を示す。 第1のレーザアレイの主要な略図を示す。 第2のレーザアレイの主要な略図を示す。 第2のレーザデバイスの主要な略図を示す。 センサデバイスの主要な略図を示す。 光学検出システムの主要な略図を示す。 異なる偏光を有するレーザ光のラインのパターンによって照射されたオブジェクトの主要な略図を示す。 オブジェクトの形状を決定する方法の主要な略図を示す。
図中、類似の数字はこの文書において類似のオブジェクトに言及する。図中のオブジェクトは、実寸で描かれているわけではない。
本発明の種々の実施形態は、図面によって説明されるだろう。
図1は、第1のレーザデバイス10の主要な略図を示している。レーザデバイス10は、制御ユニット200とレーザ発光体100のアレイ50とを有する。レーザ発光体100は、第1の偏光のレーザ光111を放射するレーザ発光体の第1のサブアレイ110と、第2の偏光のレーザ光122を放射するレーザ発光体の第2のサブアレイ120とにおいて構成される。レーザ発光体100は、例えば、垂直キャビティ面発光レーザ(VCSEL)であり、これは、それぞれのVCSELにより放射されたレーザ光の偏光をセットするためにVCSELのレーザ発光表面上に設けられた格子を有する。制御ユニット200(マイクロプロセッサ又は同種のもの)は、レーザ発光体110,120の第1及び第2のサブアレイを独立して制御するように適合される。レーザ発光体の第1のサブアレイ110は、例えば、レーザ発光体の第2のサブアレイ120が給電されていない時間tにおいて給電されてもよい。tの後の時間tにおいて、レーザ発光体の第1のサブアレイ110が給電されていないときに、レーザ発光体の第2のサブアレイ120が給電される。また、制御ユニットは、ゼロパワーとフルパワーとの間の各中間パワーレベルにおいてレーザ発光体110,120の第1及び第2のサブアレイの各々に給電するように適合されてもよい。更に、双方のサブアレイは、同時に給電されてもよい。それ故、放射されたレーザ光111,122の偏光状態は、連続的手段において制御されてもよい。
図2は、レーザアレイ50のVCSEL100が設けられ、取り付けられたチップ60を示している。レーザ発光体110,120の第1及び第2のサブアレイは、市松パターンで設けられ、第1の偏光のレーザ光111及び第1の偏光に対して直角か又はこれに直交する第2の偏光のレーザ光122を放射する。市松パターンも、例えば六角形のパターン又は同種のものも、それぞれのサブアレイの放射と重なり合うために光学要素は必要とされないという利点を有し得る。アレイ50における単一のVCSELがコヒーレントに結合されない限り、アレイ放射の偏光は、2つの直交する偏光方向において偏光されたものと偏光の変化する度合いを伴う偏光されていない放射との間においてのみ変化され得る。追加の偏光子は、右の角度下で追加されてもよく、従って、偏光は、左と右との間で循環的に偏光されるよう切り替えられ得る。同じ偏光を放射するアレイ50における全ての要素の放射をコヒーレントに結合するための追加の手段は、偏光の角度を継続的に変えることを可能にするだろう。VCSELのコヒーレントな結合のための斯様な手段は、例えば、J. Baier, U. Weichmann; Extended cavity semiconductor laser device with increased intensity, US 2010/0265975 A1において述べられる。
代わりに、隣り合うレーザ発光体100が異なる偏光のレーザ光を放射する場合、2つを超えるサブアレイがチップ60上に設けられてもよい。レーザ発光体100の偏光は、例えば、3つのサブアレイの場合には120°の間で段階的に変化してもよく、4つのサブアレイの場合には、偏光は、45°の間で変化してもよい。このように、多数の異なる偏光状態が考えられる。異なる偏光を有するレーザ発光体100の不規則なパターンを有することが可能であってもよい。後者は、1つのエッチングステップにおいて異なる表面格子を与えることにより各VCSELにより放射されるレーザ光の偏光を規定するために1つのマスクしか必要とされないように、ウェーハ処理において生成されたVCSELによって容易に可能にされ得る。サブアレイの偏光は、制御ユニット200のメモリデバイスにおいて格納されてもよく、又は、較正手順において規定された偏光状態のレーザ光のみを受信する適切な検出器によって決定されてもよい。アレイ50のレーザ発光体100により放射されたレーザ光は、適切な光学要素によって操作されてもよい。レンズは、例えば、放射されたレーザ光のビームを広げるために用いられてもよい。ミラーは、完全なビームの方向又はビームの部分を変えるために用いられてもよい。
図3は、アレイ50におけるレーザ発光体100の代替配列を示している。第1の偏光のレーザ光を放射するレーザ発光体105の5つのサブセットを有する第1のチップ115、及び、第2の偏光のレーザ光を放射するレーザ発光体105の5つのサブセットを有する第2のチップ125が示されている。レーザ発光体105の各サブセットは独立して駆動され得る。サブセット毎のレーザ発光体100の数及び偏光毎のサブセットの数は、サブセットがオン/オフにしか切り替えられない場合において、アレイ50によって放射されたレーザ光の偏光について制御の程度を決定してもよい。後者は、アレイ50を制御するために必要とされる制御ユニット200の複雑性を制限してもよい。連続制御は、レーザ発光体105の各サブセットに供給される電力が連続的な手段において制御され得る場合に可能にされてもよい。レーザ発光体100は、この場合、偏光されたレーザ光を放射する端面発光レーザダイオードである。15の端面発光レーザは、第1のチップ115上に設けられ、更なる15個は、第2のチップ125状に設けられ、端面発光レーザによって放射されるレーザ光の偏光に対して位置調整される。第2のチップ上に設けられたレーザ発光体100によって放射されたレーザ光の偏光は、第1のチップ115に取り付けられた端面発光レーザと比較して端面発光レーザを90°だけねじることにより、90°だけねじられる。代わりに、レーザ発光体は、レーザ発光体110,120の各サブアレイ上の放射の偏光に対して同様に設けられてもよい。後者は、第1又は第2のチップ115,125のより長い側面に関する放射されたレーザ光の偏光が同じであってもよいことを意味する。放射されたレーザ光の偏光は、第1及び第2のチップ115,125を互いに対してねじることによってねじられてもよい。チップの形状は、この場合、サブアレイを配列するために用いられてもよい。正三角形の形状を有するレーザ発光体100を有するチップは、適切な回路基板上でチップを単純に回すことによる容易な手段で3つの異なる偏光のレーザ光を供給するために用いられてもよい。チップの形状は、放射されたレーザ光の考えられる偏光の数を決定してもよい。代わりに、それぞれの目的のために必要とされる放射されたレーザ光の非常に異なる偏光を与えるために、方形又は円形チップを与え、これらのチップを回路基板又はベースチップ上に設けることが可能であってもよい。アレイ50、サブアレイ110,120又はサブセット105毎のレーザ発光体100のサイズ及び数は、放射されたレーザ光のコヒーレンスを制御するために用いられてもよい。コヒーレントに結合されたレーザ発光体100だけがコヒーレントなレーザ光を放射する。それ故、コヒーレンスは、コヒーレントに結合されていないサブセット105又はサブアレイを用いることによって、制御ユニット200によって制御されてもよい。コヒーレントに結合されていないアレイ50において単一のレーザ発光体100を組み合わせることが有利であってもよい。
図4は、図3に示されたアレイ50を有するレーザデバイス10を示している。制御ユニット200は、サブセットを単純にオン又はオフに切り替えることにより、レーザ発光体105の各サブセットを制御する。レーザデバイス10は、レーザ発光体110,120の第1及び第2のサブアレイにより放射されたレーザ光を重畳するために、光学デバイス150を更に有する。光学デバイス150は、例えば、レーザ光の交互の偏光を有するレーザスポットの重畳された市松パターンを与えるために2つの回折要素を有してもよい。代わりに、ミラー、半透明ミラー及びレンズの配列が同様のパターンを与えるために用いられてもよい。
加えて又は代わりに、隣り合うラインのレーザ光の異なる偏光を有するラインのパターンを与えるために投射レンズが用いられてもよい。前記ラインは、基準表面に対して垂直又は水平方向に投射されてもよい。投射レンズ及び/又は追加の光学要素は、例えばラインのパターンが垂直と水平との間で切り替えられ得るように、切り替え可能であってもよい。更に、より洗練されたパターン及び切り替え状態が、適切な光学デバイス150によって可能にされてもよい。光学デバイス150の切り替えは、制御ユニット200によって制御されてもよい。代わりに、追加の制御デバイスが、光学デバイス150の切り替えを制御するために用いられてもよい。図4に示された実施形態のフレームワークにおいて述べられた光学デバイス150は、図1に示されたレーザデバイス10により放射されたレーザビームのパターンを切り替えることを可能にするために用いられてもよい。
図5は、本発明の一実施形態によるセンサデバイス300の主要な略図を示している。センサデバイス300は、例えば前述したようなレーザデバイス10を有する。レーザデバイス10は、第1の偏光及びこの第1の偏光と直交する第2の偏光のレーザ光を放射する。レーザ光は、オブジェクト500により反射され、調節可能な偏光フィルタ330を通過した後にカメラチップ320により受信される。カメラチップ320及び偏光フィルタ330は、検出器310の部分である。制御モジュール340は、検出器320を制御し、この検出器310によって受信した測定結果を格納するためのメモリデバイス(図示省略)を有する。偏光フィルタを通過するレーザ光の偏光は、例えば、制御モジュール340によって調整されてもよい。
制御モジュール340は、代替アプローチにおいて、レーザデバイス10を制御するように適合されてもよい。これは、レーザデバイス10の制御ユニット200を介して生じてもよい。この場合、制御ユニット200は、制御モジュール340によってトリガされてもよい。制御モジュール340は、レーザデバイス10が時間tにおいて第1の偏光のレーザ光を放射するとともに後の時間tにおいて第2の偏光のレーザ光を放射するように、レーザデバイス10を制御してもよい。制御モジュール340は、この場合、規定された偏光のレーザ光がいつ放射されるかを知ってもよく、オブジェクト500までの距離が知られている場合には、それぞれのレーザ光が検出器によって受信される時間が計算されてもよい。オブジェクト500までの距離は、センサデバイス300の特定のアプリケーションにおいて固定されてもよいが、他のアプリケーションにおいて、距離測定が必要とされてもよい。斯様な距離測定は、例えば、飛行時間測定によって、又は、制御モジュール340によって制御され得る適切な距離センサ(図示省略)を用いたレーザ自己混合によって実行されてもよい。斯様な場合、偏光フィルタ330は無関係であるかもしれない。制御モジュール340は、規定された偏光を伴うレーザ光の放射の時間と既知の距離に基づいてそれぞれのレーザ光を受信する時間とに基づいてレーザ光の偏光を決定する。未知の距離の場合に距離センサを省くことが可能であってもよい。制御モジュール340は、例えば、レーザデバイス10により放射されたレーザ光の各偏光に対して特有であるレーザパルスの固有のシーケンスを放射してもよい。検出器310は、レーザパルスのシーケンスによって、受信したレーザ光のそれぞれの偏光を決定する。従って、偏光フィルタ330もオブジェクト50までの距離についての如何なる認識も必要ではないかもしれない。レーザ光の測定ビームを識別するこのアプローチは、放射されたレーザ光が例えば前述されたような規定された偏光又は規定されたコヒーレンスのような或る手段において特徴付けられるそれぞれの場合において用いられてもよい。制御モジュール340及び制御ユニット200は、レーザデバイス10及び検出器310の双方を制御する1つのデバイスであってもよい。センサデバイス300は、レーザ光をオブジェクト500に指向又は集光するように適合される機械的要素及び/又は光学的要素を更に有してもよい。レーザデバイス10及び/又は検出器310は、例えば、1又はそれ以上の軸の周りで回転可能であってもよい。
センサデバイス300は、例えば携帯端末診断法のようなバイオセンサアプリケーションにおいて用いられてもよい。このバイオセンサは、明視野検出と暗視野検出との間で切り替わる単純な手段を与える。一方の偏光からの反射された光が信号(明視野)をもたらす一方で、他方の偏光は任意の信号(暗視野)をもたらさないだろう。表面上の粒子は、レーザデバイス10により放射されるレーザ光を散乱させ、レーザ光の偏光を変えるだろう。従って、これらは、明視野検出における暗いスポットとして、及び、暗視野検出における信号として見られる。このような方法で、検出の双方の手段が用いられ、高感度に達する。
センサデバイス300のための可能な用途のより多くの例は、分光学及びセンシングの分野において見出され得る。明視野検出と暗視野検出との間の単純な切り替えの能力は、これらのアプリケーションの感度を増大させるために用いられてもよい。斯様なセンサデバイス300のためのアプリケーションの他の分野は、光化学である。ここで、異なる化学反応は、励起の偏光を変えることにより導かれ得る。
図6は、光学検出システム400の主要な略図を示している。光学検出システム400は、異なる偏光をもつレーザ光のパターンを放射するレーザデバイス10を有する。前記パターンは、図7に示された異なる偏光のレーザ光の交互のラインを有するラインパターンであってもよい。図7は、ラインパターンを伴うレーザデバイス10によって照射されたシリンダを示している。第1のサブパターン510は、オブジェクト500が配置される表面と平行な第1の偏光のレーザ光と、オブジェクト500が配置される表面と直交する第2の偏光のレーザ光の第2のサブパターン520とを有する。
代わりに、隣り合うレーザスポットに関する異なる偏光を有するレーザスポットのドットパターンは、レーザデバイス10によって放射されてもよい。前記パターンは、規則的であってもよく、又は、不規則であってもよい。光学検出システム400は、(例えばオブジェクト500により反射されたレーザ光を受信するためのカメラチップとしての)レシーバ420と、制御可能な偏光子440とを更に有する。制御可能な偏光子440は、レーザデバイス10により放射されたレーザ光の異なる偏光の間で、処理ユニット430によって切り替えられる。処理ユニット430は、前述したセンサデバイスに関して述べられたものと同じ又は同様の手段において、レーザデバイス10、レシーバ420及び制御可能な偏光子440を制御するために用いられてもよい。処理ユニット400は、オブジェクト500の形状によりもたらされるパターンの歪みに基づいてオブジェクト500の三次元形状を決定するように更に適合されてもよい。レーザ光の偏光は、放射されたパターンの特徴を改良するために用いられる。これは、三角形分割による三次元検出のための構造化された光を用いた既知のアプローチと比較して、三次元オブジェクトの改良された検出を可能にし得る。異なる偏光が追加の情報をパターンに追加するためである。とりわけ、後の順序において異なる偏光の例えば垂直及び平行ラインのパターンを変えることは、水平及び垂直方向におけるオブジェクト500の形状に関する情報を与えることにより前記検出を改良し得る。偏光を用いることはコントラストを増大させ得る。調節可能な偏光フィルタ440によりブロックされる偏光の光は測定を妨害しないためである。更に、前述された多数の異なる偏光の既知であるが特に固有のパターンが、三次元オブジェクト上に投射されてもよい。規定された偏光の異なるスポットは、調節可能な偏光フィルタ440を通過した後に、レシーバ420によって検出されてもよい。2つを超える偏光が用いられる場合、受信したレーザ光の強度が追加の情報として用いられてもよい。調節可能な偏光フィルタ440と平行でない偏光を有する反射されたレーザ光の規定された部分のみが、調節可能な偏光フィルタ440を通過し、レシーバ420によって受信されるためである。また、レーザ発光体100、レーザ発光体105のサブセット又はサブアレイを適宜制御することにより2又はそれ以上の偏光を有するレーザ光のサブパターンを後に送ることも可能であり得る。処理ユニット430は、移動オブジェクト500の形状でさえも決定され得るように、レシーバ420により受信されたパターンを処理してもよい。それ故、移動オブジェクト500の三次元フィルムが与えられてもよい。
図5に示された光学検出デバイスは、オブジェクト500の従来の画像を受信するためのオプショナルなカメラ450を更に有する。レーザデバイス10は、赤外線スペクトル範囲におけるレーザ光を放射するVCSELのようなレーザ発光体100を有し得る。それ故、レーザパターンは、カメラ450による従来の画像の記録を妨害しない。更に、オブジェクト500により反射されて制御可能な偏光フィルタ440を通過する周囲光は50%まで減衰され、これにより、制御可能な偏光フィルタ440と同一線上にあるレーザ光は、減衰することなくフィルタを通過する。それ故、周囲光に関する受信したパターンのコントラストは改良され得る。加えて、レーザ発光体100のスペクトル範囲外の周囲光がレシーバ420によって受信された信号に寄与しないように、スペクトルフィルタがレシーバ420に追加されてもよい。レーザ発光体100としてVCSELを用いることは、製造工程における適切なエッチングマスクを用いることにより隣り合うVCSELsの開口の形状が異なり得るという追加の利点を有し得る。VCSELの開口は、この追加の手段が更なる情報をレーザ光のパターンに追加するために用いられ得るように、投射されたレーザドットの形式に影響する。
図8は、オブジェクト500の形状を決定する方法の主要な略図を示している。ステップ605において、少なくとも第1の偏光510を有するレーザ光の第1のサブパターンと第2の偏光520を有するレーザ光の第2のサブパターンとを有するレーザ光のパターンが与えられる。ステップ610において、オブジェクト500により反射されたレーザ光のパターンのレーザ光が受信される。ステップ615において、オブジェクト500の形状は、受信したレーザ光に基づいて決定される。
本発明が図面及び前述の説明において詳細に示され、述べられた一方で、斯様な図及び説明は、例証又は例示的であり、限定的ではないものと見なされるべきである。
本開示を読みとることから、他の変形が当業者にとって明らかになるだろう。斯様な変形は、従来技術において既に知られている他の特徴、及び、ここで既に述べられた特徴の代わりに又はそれに加えて用いられ得る他の特徴を含んでもよい。
開示された実施形態のバリエーションは、図面、開示及び添付の特許請求の範囲の研究から、当業者により理解され、遂行され得る。請求項において、"有する"という用語は、他の要素又はステップを除外するものではなく、単数表記は、複数の要素又はステップを除外するものではない。特定の手段が相互に異なる従属請求項に記載されるという単なる事実は、これらの手段の組み合わせが有効に用いられ得ないことを示すものではない。
請求項中の任意の参照符号は、その範囲を限定するものとして解釈されるべきでない。
10 レーザデバイス
50 アレイ
60 チップ
100 レーザ発光体
105 レーザ発光体のサブセット
110 レーザ発光体の第1のサブアレイ
111 第1の偏光のレーザ光
115 第1のチップ
120 レーザ発光体の第2のサブアレイ
122 第2の偏光のレーザ光
125 第2のチップ
150 光学デバイス
200 制御ユニット
300 センサデバイス
310 検出器
320 カメラチップ
330 偏光フィルタ
340 制御モジュール
400 光学検出システム
420 レシーバ
430 処理ユニット
450 カメラ
440 調節可能な偏光フィルタ
500 オブジェクト
605 レーザ光のパターンを放射するステップ
610 オブジェクトにより反射されたレーザ光のパターンのレーザ光を受信するステップ
615 オブジェクトの形状を決定するステップ

Claims (13)

  1. レーザ発光体のアレイ及び制御ユニットを有するレーザデバイスであって、
    前記アレイは、少なくともレーザ発光体の第1のサブアレイ及びレーザ発光体の第2のサブアレイを有し、前記第1のサブアレイは、第1の偏光のレーザ光を放射し、前記第2のサブアレイは、前記第1の偏光とは異なる第2の偏光のレーザ光を放射し、
    前記第1のサブアレイ及び/又は前記第2のサブアレイは、前記レーザ発光体のサブセットを有し、
    前記制御ユニットは、前記アレイにより放射されるレーザ光の偏光が変えられ得るように前記第1のサブアレイ及び前記第2のサブアレイを制御するように適合され、
    前記制御ユニットは、前記第1のサブアレイ及び/又は前記第2のサブアレイのレーザ発光体のサブセットを独立して制御するように更に適合され、
    少なくとも、第1のサブセットにより放射されたレーザ光は、第2のサブセットにより放射されたレーザ光に対して干渉性がなく、従って、放射されたレーザ光のコヒーレンスが制御され得る、レーザデバイス。
  2. 前記レーザ発光体は、偏光されたレーザ光を放射するための格子を有する垂直キャビティ面発光レーザである、請求項1に記載のレーザデバイス。
  3. 前記第1のサブアレイ及び前記第2のサブアレイは、1つのチップ上で一体化される、請求項2に記載のレーザデバイス。
  4. 前記第1のサブアレイは、第1のチップ上に設けられ、前記第2のサブアレイは、第2のチップ上に設けられる、請求項1又は請求項2に記載のレーザデバイス。
  5. 前記第1のサブアレイのレーザ発光体及び前記第2のサブアレイのレーザ発光体は、市松模様又は六角形のパターンで構成される、請求項3に記載のレーザデバイス。
  6. 前記アレイは、複数のサブアレイを有し、
    各サブアレイは、異なる偏光のレーザ光を放射し、
    前記制御ユニットは、各サブアレイを独立して制御するように適合される、請求項1又は請求項2に記載のレーザデバイス。
  7. 請求項1−6のうちいずれか一項に記載のレーザデバイスと、前記サブアレイにより放射されてオブジェクトにより反射されたレーザ光の異なる偏光を検出するように適合される検出器とを有する、センサデバイス。
  8. 前記検出器は、カメラチップ及び偏光フィルタを有する、請求項7に記載のセンサデバイス。
  9. 前記偏光フィルタは、制御可能な偏光フィルタであり、
    前記検出器は、カメラにより受信されたレーザ光の偏光が自動的に調整され得るように前記偏光フィルタを制御するように適合される制御モジュールを有する、請求項8に記載のセンサデバイス。
  10. 請求項1−6のうちいずれか一項に記載のレーザデバイスと、レシーバと、処理ユニットとを有する光学検出システムであって、
    前記レーザデバイスは、少なくとも第1の偏光を有するレーザ光の第1のサブパターンと第2の偏光を有するレーザ光の第2のサブパターンとを有するレーザ光のパターンを放射するように適合され、
    前記レシーバは、オブジェクトにより反射された、前記レーザデバイスにより放射された前記第1のサブパターン及び前記第2のサブパターンを受信するように適合され、
    前記処理ユニットは、反射された第1及び第2のサブパターンによって前記オブジェクトの形状を決定するように適合される、光学検出システム。
  11. 制御可能な偏光フィルタを更に有し、
    前記処理ユニットは、前記制御可能な偏光フィルタによって、前記レシーバにより受信されたレーザ光の偏光を制御するように適合される、請求項10に記載の光学検出システム。
  12. 前記オブジェクトの画像を記録するためのカメラを更に有し、
    前記処理ユニットは、前記オブジェクトの決定された形状及び前記オブジェクトの画像に基づいて前記オブジェクトの三次元画像を決定するように適合される、請求項10に記載の光学検出システム。
  13. オブジェクトの形状を決定する方法であって、
    少なくとも第1の偏光を有するレーザ光の第1のサブパターンと第2の偏光を有するレーザ光の第2のサブパターンとを有するレーザ光のパターンを放射するステップと、
    第1のサブアレイ及び/又は第2のサブアレイのレーザ発光体のサブセットを独立して制御することによって、制御ユニットによりレーザ光のコヒーレンスを制御するステップであって、少なくとも第1のサブセットにより放射されたレーザ光は第2のサブセットにより放射されたレーザ光に対して干渉性がない、ステップと、
    オブジェクトにより反射されたレーザ光のパターンのレーザ光を受信するステップと、
    前記第1のサブパターン及び前記第2のサブパターンの受信したレーザ光を用いて前記オブジェクトの形状を決定するステップとを有する、方法。
JP2016530477A 2013-08-02 2014-07-28 調節可能な偏光を有するレーザデバイス Active JP6568065B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP13179072.7 2013-08-02
EP13179072 2013-08-02
PCT/EP2014/066185 WO2015014797A1 (en) 2013-08-02 2014-07-28 Laser device with adjustable polarization

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016525802A true JP2016525802A (ja) 2016-08-25
JP2016525802A5 JP2016525802A5 (ja) 2017-09-07
JP6568065B2 JP6568065B2 (ja) 2019-08-28

Family

ID=48906169

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016530477A Active JP6568065B2 (ja) 2013-08-02 2014-07-28 調節可能な偏光を有するレーザデバイス

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10135225B2 (ja)
EP (1) EP3028353B1 (ja)
JP (1) JP6568065B2 (ja)
CN (1) CN105474482B (ja)
BR (1) BR112016001885A2 (ja)
RU (1) RU2659749C2 (ja)
WO (1) WO2015014797A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190051696A (ko) * 2017-11-07 2019-05-15 삼성전자주식회사 메타 프로젝터 및 이를 포함하는 전자 장치
WO2020022185A1 (ja) * 2018-07-25 2020-01-30 株式会社小糸製作所 センサシステム
JP2020525956A (ja) * 2017-06-28 2020-08-27 トルンプ フォトニック コンポーネンツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング コンピュータ媒介現実用の表示装置
JP2021501892A (ja) * 2017-11-02 2021-01-21 トルンプ フォトニック コンポーネンツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 改善された深度画像再構成
WO2024024354A1 (ja) * 2022-07-26 2024-02-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 照明装置、測距装置及び車載装置

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2677961A4 (en) 2011-02-24 2014-10-29 Eximo Medical Ltd HYBRID CATHETER FOR VASCULAR INTERVENTION
US9581554B2 (en) * 2013-05-30 2017-02-28 Seagate Technology Llc Photon emitter array
EP3552571A3 (en) 2014-05-18 2019-11-27 Eximo Medical Ltd. System for tissue ablation using pulsed laser
US9984494B2 (en) * 2015-01-26 2018-05-29 Uber Technologies, Inc. Map-like summary visualization of street-level distance data and panorama data
RU2672767C1 (ru) * 2015-02-19 2018-11-19 Конинклейке Филипс Н.В. Устройство инфракрасного лазерного освещения
CN107407559B (zh) * 2015-03-30 2019-10-18 富士胶片株式会社 距离图像获取装置以及距离图像获取方法
WO2017191644A1 (en) 2016-05-05 2017-11-09 Eximo Medical Ltd Apparatus and methods for resecting and/or ablating an undesired tissue
DE102017002235A1 (de) * 2017-03-08 2018-09-13 Blickfeld GmbH LIDAR-System mit flexiblen Scanparametern
CN106840007A (zh) * 2017-04-07 2017-06-13 赵�怡 一种结合可调激光测距探头阵列与智能终端的空间扫描系统及方法
CN107706734A (zh) * 2017-10-13 2018-02-16 中国电子科技集团公司第十三研究所 一种密集排列脉冲激光器
KR102526929B1 (ko) * 2018-04-04 2023-05-02 삼성전자 주식회사 메타 표면이 형성된 투명 부재를 포함하는 광원 모듈 및 이를 포함하는 전자 장치
DE102018205984A1 (de) * 2018-04-19 2019-10-24 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen einer Position von mindestens einem Objekt
US20210247504A1 (en) * 2018-05-09 2021-08-12 Ams Sensors Asia Pte. Ltd Three-dimensional imaging and sensing applications using polarization specific vcsels
US10901310B2 (en) 2018-07-24 2021-01-26 Qualcomm Incorporated Adjustable light distribution for active depth sensing systems
CN109541817A (zh) * 2019-01-15 2019-03-29 深圳市安思疆科技有限公司 一种偏振态可控的结构光投射模组及3d成像装置
US10985531B2 (en) * 2019-01-27 2021-04-20 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Intensity noise mitigation for vertical-cavity surface emitting lasers
CN109669271A (zh) * 2019-02-14 2019-04-23 杭州驭光光电科技有限公司 分束光学模组及其制造方法
WO2020164346A1 (zh) * 2019-02-14 2020-08-20 杭州驭光光电科技有限公司 分束光学模组及其制造方法
US11022813B2 (en) 2019-04-08 2021-06-01 Qualcomm Incorporated Multifunction light projector with multistage adjustable diffractive optical elements
DE102021102799A1 (de) * 2021-02-05 2022-08-11 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Laserdiodenanordnung, beleuchtungseinheit und laserprojektionsvorrichtung
DE102022127126A1 (de) 2022-09-16 2024-03-21 Trumpf Photonic Components Gmbh Vertikalemittierendes Halbleiterlaserbauteil, Array und Chip mit Vorzugsrichtung
CN115200550B (zh) * 2022-09-16 2022-12-06 济宁鲁威液压科技股份有限公司 罐道倾斜测量装置及其使用方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002213931A (ja) * 2001-01-17 2002-07-31 Fuji Xerox Co Ltd 3次元形状計測装置および3次元形状計測方法
JP2007258657A (ja) * 2005-09-13 2007-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 面発光レーザ装置、受光装置及びそれを用いた光通信システム
JP2008060433A (ja) * 2006-09-01 2008-03-13 Rohm Co Ltd レーザアレイ
JP2009094308A (ja) * 2007-10-10 2009-04-30 Fuji Xerox Co Ltd 半導体発光モジュール
US20110261174A1 (en) * 2010-04-27 2011-10-27 Silverstein Barry D Stereoscopic digital projection apparatus using polarized light

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0722706B2 (ja) 1987-05-18 1995-03-15 三菱重工業株式会社 メタン含有ガス製造用触媒
JPS649306A (en) 1987-07-01 1989-01-12 Fujitsu Ltd Detector for light transmitting fine pattern
US5198877A (en) * 1990-10-15 1993-03-30 Pixsys, Inc. Method and apparatus for three-dimensional non-contact shape sensing
US5589822A (en) * 1992-10-20 1996-12-31 Robotic Vision Systems, Inc. System for detecting ice or snow on surface which specularly reflects light
JP3477744B2 (ja) * 1993-06-23 2003-12-10 ソニー株式会社 発光装置及びこれを用いた立体視覚装置及びその視覚方法及びその駆動方法
JPH0791929A (ja) 1993-09-20 1995-04-07 Mitsubishi Heavy Ind Ltd テレビカメラによる3次元形状計測装置
US5956070A (en) 1995-12-22 1999-09-21 Xerox Corporation Color xerographic printer with multiple linear arrays of surface emitting lasers with dissimilar polarization states and dissimilar wavelengths
JP3482824B2 (ja) 1997-07-29 2004-01-06 セイコーエプソン株式会社 面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイ
US6154480A (en) * 1997-10-02 2000-11-28 Board Of Regents, The University Of Texas System Vertical-cavity laser and laser array incorporating guided-mode resonance effects and method for making the same
GB9916145D0 (en) 1999-07-10 1999-09-08 Secr Defence Control of polarisation of vertical cavity surface emitting lasers
DE10239468A1 (de) * 2002-08-28 2004-03-11 Sick Ag Objekterfassung
EP1869526B1 (en) 2005-03-30 2019-11-06 Necsel Intellectual Property, Inc. Manufacturable vertical extended cavity surface emitting laser arrays
US7873090B2 (en) 2005-09-13 2011-01-18 Panasonic Corporation Surface emitting laser, photodetector and optical communication system using the same
US8102893B2 (en) 2007-06-14 2012-01-24 Necsel Intellectual Property Multiple emitter VECSEL
CN101849334A (zh) 2007-11-07 2010-09-29 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有增大的强度的扩展腔半导体激光设备
US7959297B2 (en) * 2008-05-15 2011-06-14 Eastman Kodak Company Uniform speckle reduced laser projection using spatial and temporal mixing
JP5326677B2 (ja) * 2009-03-09 2013-10-30 ソニー株式会社 半導体レーザおよびその製造方法
JP5511333B2 (ja) * 2009-11-30 2014-06-04 株式会社豊田中央研究所 光走査装置、レーザレーダ装置、及び光走査方法
CN110249423B (zh) 2017-02-02 2023-04-04 株式会社钟化 层间热接合构件、层间热接合方法、层间热接合构件的制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002213931A (ja) * 2001-01-17 2002-07-31 Fuji Xerox Co Ltd 3次元形状計測装置および3次元形状計測方法
JP2007258657A (ja) * 2005-09-13 2007-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 面発光レーザ装置、受光装置及びそれを用いた光通信システム
JP2008060433A (ja) * 2006-09-01 2008-03-13 Rohm Co Ltd レーザアレイ
JP2009094308A (ja) * 2007-10-10 2009-04-30 Fuji Xerox Co Ltd 半導体発光モジュール
US20110261174A1 (en) * 2010-04-27 2011-10-27 Silverstein Barry D Stereoscopic digital projection apparatus using polarized light

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020525956A (ja) * 2017-06-28 2020-08-27 トルンプ フォトニック コンポーネンツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング コンピュータ媒介現実用の表示装置
US11093031B2 (en) 2017-06-28 2021-08-17 Trumpf Photonic Components Gmbh Display apparatus for computer-mediated reality
JP2021501892A (ja) * 2017-11-02 2021-01-21 トルンプ フォトニック コンポーネンツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 改善された深度画像再構成
US11099259B2 (en) 2017-11-02 2021-08-24 Trumpf Photonic Components Gmbh Polarization detection improved sensing
KR20190051696A (ko) * 2017-11-07 2019-05-15 삼성전자주식회사 메타 프로젝터 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102464368B1 (ko) * 2017-11-07 2022-11-07 삼성전자주식회사 메타 프로젝터 및 이를 포함하는 전자 장치
WO2020022185A1 (ja) * 2018-07-25 2020-01-30 株式会社小糸製作所 センサシステム
JPWO2020022185A1 (ja) * 2018-07-25 2021-08-05 株式会社小糸製作所 センサシステム
JP7316277B2 (ja) 2018-07-25 2023-07-27 株式会社小糸製作所 センサシステム
WO2024024354A1 (ja) * 2022-07-26 2024-02-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 照明装置、測距装置及び車載装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20160164258A1 (en) 2016-06-09
JP6568065B2 (ja) 2019-08-28
US10135225B2 (en) 2018-11-20
EP3028353B1 (en) 2018-07-18
CN105474482A (zh) 2016-04-06
RU2016107384A (ru) 2017-09-07
CN105474482B (zh) 2019-04-23
EP3028353A1 (en) 2016-06-08
RU2659749C2 (ru) 2018-07-03
WO2015014797A1 (en) 2015-02-05
BR112016001885A2 (pt) 2017-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6568065B2 (ja) 調節可能な偏光を有するレーザデバイス
JP7037830B2 (ja) 眼安全性走査lidarシステム
RU2672767C1 (ru) Устройство инфракрасного лазерного освещения
CN106461378B (zh) 具有用于非接触式测量的扫描系统的车辆装备
KR20200043952A (ko) 구조형 광의 프로젝터
CN109154661A (zh) 用于基于lidar的3-d成像的集成照射和检测
JP6063942B2 (ja) 3次元共焦点測定の方法及び装置
US20220146250A1 (en) Detector with a projector for illuminating at least one object
US6765606B1 (en) Three dimension imaging by dual wavelength triangulation
US20230204724A1 (en) Reducing interference in an active illumination environment
US10746603B2 (en) Optical device for obtaining 3D spatial information
CN112912766A (zh) 一种探测装置、控制方法、融合探测系统及终端
JP2009222616A (ja) 方位測定方法及び方位測定装置
JPWO2018193609A1 (ja) 距離計測装置及び移動体
EP3925210A2 (en) System and method for glint reduction
CN1591468B (zh) 用于光学导引的方法和设备
CN111830533A (zh) 偏振敏感激光雷达系统
JP4358516B2 (ja) ターゲットの特性決定のための訓練可能レーザ光センシングシステム
TW201432222A (zh) 立體距離測定方法及其系統
US20050012055A1 (en) Optical method for detecting object
JP4589648B2 (ja) 光学測定装置及びこれらの距離測定方法
JP2023532676A (ja) 拡散照射及び構造化光用プロジェクタ
TWI753452B (zh) 從具有機發光二極體顯示螢幕的設備投射結構光圖案
US11869206B2 (en) Controllable laser pattern for eye safety and reduced power consumption for image capture devices
JPH08178632A (ja) 表面形状測定装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20170214

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170725

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170725

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180629

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180731

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20190108

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20190308

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190329

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20190410

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190705

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190801

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6568065

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250