CN101849334A - 具有增大的强度的扩展腔半导体激光设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种扩展腔半导体激光设备，其包括：至少两个半导体增益元件(20，21)的阵列，所述半导体增益元件(20，21)中的每一个包括形成第一端镜(2)和活性介质(3)的层结构(1)。设备内部的耦合部件(22)将所述半导体增益元件(20，21)阵列发射的基本激光辐射组合成单个组合的激光束(25)。第二端镜(23)将所述单个组合的激光束(23)的至少一部分反射回所述耦合部件(22)，从而与第一端镜(2)形成扩展腔。由于若干扩展腔半导体激光器的这种相干耦合，产生了具有增大的强度、良好的光束分布图和窄的光谱带宽的单束基本辐射。该增大强度的光束远比扩展腔半导体激光部件阵列的各光束更适合于通过上转换或者通过二次谐波生成进行频率转换。因此，大大增强了频率转换的效率。

Description

具有增大的强度的扩展腔半导体激光设备

技术领域

本发明涉及扩展腔半导体激光设备，其包括至少两个半导体增益元件的阵列，所述半导体增益元件中的每一个包括形成第一端镜和活性(active)介质的层结构。

背景技术

在绿色波长区域缺乏集成的激光光源直到现在仍然阻碍了将激光器广泛用于显示或照明应用。如今使用的用于绿色波长区域的激光光源依赖于通过上转换(upconversion)或者通过红外激光光源的二次谐波生成(SHG)进行的频率转换。对于该频率转换过程的效率而言，泵浦源的强度是最重要的。虽然在大多数情况下上转换过程的转换效率线性依赖于泵浦强度，但是二次谐波生成甚至呈二次地(quadratically)依赖于泵浦强度。因此，高度希望发出高强度光束的泵浦源用于高效的频率转换。

依赖于上转换或二次谐波生成的相当紧凑的设置可以利用光学泵浦以及特别是利用电泵浦表面发射半导体激光器来实现。这种电泵浦腔内倍频激光器的一个实例基于如图1所示的具有扩展腔的垂直腔表面发射激光器(VCSEL)(VECSEL：垂直扩展腔表面发射激光器)。在扩展腔内部，倍频晶体将来自该VECSEL的红外辐射转换成可见辐射。已知的倍频晶体由非线性材料制成，所述非线性材料例如周期性极化铌酸锂(PPLN)、周期性极化KTP(PPKTP)或者通常用于二次谐波生成的其他材料，比如BBO、BiBO、KTP或者LBO。对于高效的倍频，需要高红外功率密度以及窄带红外操作。后者例如通过使用体布拉格光栅(volume Bragg grating，VBG)作为输出耦合器来实现，所述体布拉格光栅反射红外辐射并且透射倍频的辐射。该VBG典型地具有大约～0.2nm的窄反射带宽。通常设置在VECSEL的活性介质的腔内侧的部分透射DBR(分布式布拉格反射器)需要用来降低用于该低增益设备的激光阈值。此外，对于二次谐波辐射的高效生成，必须使红外激光偏振，因为二次谐波生成过程通常仅适用于一个特定偏振并且具有其他偏振方向的红外光对于二次谐波生成将损失掉。这是利用腔内的某种偏振控制器来实现的，所述偏振控制器可以例如为偏振分束器或者以适当角度放置的镜。该设置的进一步复杂化在于热管理。虽然红外激光器具有其中输出功率几乎保持恒定的大约10℃的相对较宽的操作范围，但是非线性材料的温度必须控制在小于1℃的温度范围内。

尽管玻璃基质(glass-host)内的上转换表现出相对较宽的吸收分布图(profile)并且相应地对于泵浦二极管的光谱宽度仅具有低的要求，但是晶体内的上转换以及尤其是二次谐波生成对于窄带泵浦源最有效。因此，已经提出了一些用于二次谐波生成激光器的相当复杂的方法，其中泵浦二极管的带宽通过泵浦激光谐振器中的附加光学元件(比如滤光器或体布拉格光栅)而变窄。

由于热约束的原因，单个设备的输出功率在许多情况下局限于数百毫瓦。对于需要更高输出功率的应用而言，若干单个设备耦合到激光器阵列。在这种情况下，总设备的电光转换效率(wall-plugefficiency)与单个激光光源的电光转换效率相同。

US5131002A中描述了另一种方法。该文献公开了一种扩展腔半导体激光系统，其中利用泵浦源阵列激励彼此分离的多段半导体材料。该泵浦系统展开热负载，同时提供高功率激光束。扩展激光腔内活性介质的所述多个段的系列操作也导致外耦合的激光束的改进的光束质量。

发明内容

本发明的目的是提供一种半导体激光设备，特别是VECSEL设备，其产生具有显著减小的光谱带宽的高功率基本激光辐射。

这个目的是利用依照权利要求1的扩展腔半导体激光设备，特别是VECSEL设备来实现的。该设备的有利实施例是从属权利要求的主题或者在说明书的后续部分中加以描述。

所述扩展腔半导体激光设备包括至少两个半导体增益元件的阵列，这些半导体增益元件中的每一个包括形成第一端镜和活性介质的层结构。将所述半导体增益元件阵列发射的基本激光辐射组合成单个组合的激光束的耦合部件设置在该半导体增益元件阵列与第二端镜之间，所述第二端镜将所述单个组合的激光束的至少一部分反射回所述耦合部件，从而与所述第一端镜形成扩展腔。在一个最优选的实施例中，所述扩展腔半导体激光设备为基于代表半导体增益元件的VCSEL部件的阵列的VECSEL设备。因此，在下文中使用VECSEL的实例描述提出的激光设备以及该设备的有利实施例。然而，本发明和优选的实施例同样适用于其他扩展腔激光设备，比如边缘发射激光器。

所述阵列的VECSEL部件优选地具有与普通VCSEL相同的构造，区别在于，形成这些VCSEL的端镜的DBR之一在一定程度上部分透射，使得在没有附加外部端镜的情况下不实现激光发射。这样的VECSEL部件的阵列可以是一维阵列或二维阵列，可以由所有VECSEL部件公共的单个衬底形成。此外，所述阵列或者每个单个VECSEL部件可以设置在用于在操作期间散热的适当热沉上。

本发明基于若干VECSEL的激光束通过相长干涉的相干耦合。不同VECSEL部件的光束通过充当干涉测量(interferometric)光束组合器的耦合部件而叠加(overlay)。该光束组合器优选地提供一个或多个分束区域以便适当地将不同激光束组合成一个单一激光束。在这样的分束区域处，例如当组合两个激光束时，这些激光束之一的一部分被反射或透射到扩展腔的外部。由于激光器将总是倾向于工作在最小化损耗的模式下，因此两个激光束之间的干涉将这样调节，使得损耗通道的光束将相消干涉，而扩展腔内的光束将相长干涉。因此，即使原则上在这种类型的腔内将预期大量的损耗，损耗也可以通过相消干涉而避免，并且所述两个激光束相长相加，从而导致两个光束的相干发射。这同样适用于当使用超过两个VECSEL部件的阵列时超过两个激光束的耦合。由于该相干耦合的原因，实现了显著的光谱变窄，因为所有耦合的激光在工作于不同长度的激光谐振器内时必须共享共同的纵向腔模式。同样的理由对于横模也成立。因此，不同VECSEL部件的相干耦合也导致光束质量的充分改善。所提出的VECSEL设备的输出随着设备内包含的VECSEL部件数量的增加而相应地增大。由于显著的光谱变窄、改善的光束质量以及基本辐射(优选地红外辐射)的更高的强度的原因，特别是当使用像例如用于二次谐波生成的晶体那样的频率转换晶体时，所提出的激光设备可以非常有利地用于腔内或腔外频率转换。

由于相干耦合的激光束的光谱变窄，因而无需腔内的任何附加光谱选择性。因此，可以采用比体布拉格光栅简单得多的外耦合镜。例如，廉价的宽带电介质(dielectric)镜可以用于外耦合，或者电介质涂层可以直接应用到其中激光束被耦合的光学耦合部件的出射表面。所提出的激光设备允许实现用于产生希望的激光辐射的非常紧凑的构造。

为了产生例如在绿色波长区域内的倍频辐射，可以在外耦合的基本激光束的光束路径上将产生上转换的激光辐射的频率转换介质设置在耦合的激光部件的外部腔之外。在这种情况下，设备的第二端镜被设计成形成用于所述基本激光辐射的外耦合镜，即它一方面对于所述基本激光辐射是部分透射的，但是仍然允许激光设备工作于激光阈值之上。不用说，外耦合的基本激光束可以由适当的光学元件(比如一个或多个透镜)聚焦到频率转换介质内。

产生倍频辐射的另一种可能性是将频率转换介质设置在耦合部件与设备的第二端镜之间。在这种情况下，第二端镜被设计成形成用于转换的激光辐射的外耦合镜并且对于基本激光辐射是高反射的。

在所述两种情况下，频率转换介质可以是用于频率上转换的掺杂的基质材料或者二次谐波生成晶体，如在本说明书的引言部分中已经描述的。

所述耦合部件优选地包括用于光束耦合的两个相对的反射表面。这些表面之一对于基本激光辐射是高反射的(反射率≥95％)，而另一个表面对于基本激光辐射具有介于40与60％之间，优选地50％的反射率，以及介于40与60％之间，优选地50％的透射率。利用这样的耦合部件，可以通过使用所述两个相对的表面之间的多次内反射组合大量的激光束。在其中在扩展腔外实现频率上转换的一个有利的实施例中，耦合部件直接附接到第二端镜，即用于基本辐射的外耦合镜，或者该镜由耦合部件的外耦合表面上的适当涂层形成。这导致整个设备的非常紧凑的构造。

在另一有利的实施例中，第二端镜附接到平移台，利用该平移台可以对第二端镜移位以便改变扩展腔的长度。这样的平移台可以由适当的致动器(例如压电致动器)形成。当使用测量外耦合的激光辐射的强度的光学检测器时，激光腔的长度可以通过适当的控制单元基于测量的强度来改变。利用这样的布置，可以优化激光设备的操作以具有希望的特性，例如最大输出强度和/或稳定的操作。这允许补偿任何腔长失谐(detuning)，所述腔长失谐可能例如在激光设备的温度在操作期间变化并且外部腔的光程长度由于半导体材料内造成的折射率变化的原因而变化时出现。

当使用具有频率转换介质的提出的激光设备时，可以以高功率产生绿色激光辐射。因此，这种设备可以有利地用作RGB激光光源的部件之一或者用作激光投影设备内的光源之一。

本发明的这些和其他方面根据以下描述的实施例将是清楚明白的，并且将参照这些实施例进行阐述。

附图说明

在下文中，通过举例结合附图描述了所提出的半导体激光设备，这没有限制由权利要求书限定的保护范围。这些附图示出：

图1示出了本领域已知的具有内部倍频的VECSEL设备的实例；

图2示意性地示出了所提出的激光设备的第一实例；

图3示意性地示出了所提出的激光设备的第二实例；

图4示意性地示出了所提出的激光设备的第三实例；以及

图5示意性地示出了所提出的激光设备的第四实例。

具体实施方式

图1示出了本领域已知的具有腔内倍频的扩展腔垂直表面发射激光器(VECSEL)的示意图。该激光器由包括第一端镜2、活性层3和部分透射DBR 4的层结构1形成。活性层3，例如基于GaAs的量子阱结构，夹在形成第一端镜2的DBR与所述部分透射DBR 4之间。部分透射DBR 4需要用来降低该低增益设备的激光阈值以便避免在第一端镜2与部分透射DBR 4之间产生激光。电接触5置于该层结构的两侧以便注入用于产生激光的必要的载流子。扩展激光腔在扩展镜6与第一端镜2之间形成。扩展镜6附接到设置在扩展腔的内部的SHG晶体7。该第二端镜被设计成对于活性层3发射的基本红外辐射是高反射的，并且另一方面形成用于倍频的可见辐射的外耦合镜。因此，该激光设备发射可见波长区域内的激光束8。该激光设备附接到用于所需的散热的热沉9。此外，在层结构中示出了热透镜10。该热透镜10在激光设备的操作期间由于热致折射率调制而产生并且在二次谐波生成晶体7内导致腔内基本光束的束腰。这也在图1中示出。在扩展腔内部，使用了偏振控制器11以便为倍频晶体7产生希望的偏振。该偏振控制器可以是例如偏振分束器。

这种VECSEL设备的激光功率由于该设备内的热产生而是有限的。此外，必须采取若干措施来在光谱上使基本激光辐射变窄以便允许实现高效的二次谐波生成。

图2示出了依照本发明的激光设备的实例，其在无需复杂的附加措施的情况下实现了基本激光辐射的高得多的强度并且同时确保了该基本辐射的窄谱带宽度。因此，这种激光设备有利地对于像二次谐波生成那样的上转换是有用的。所提出的设备使用了两个半导体增益元件20、21，其并排设置在公共热沉24(例如铜板)上。这两个半导体增益元件20、21包括形成第一端镜和活性介质的层结构。这些半导体增益元件例如可以像图1的VECSEL的层结构1那样设计。

这些半导体增益元件20、21发射的激光辐射由耦合部件22组合以形成单个激光束25。耦合部件22是在一侧涂敷了高反射涂层并且在相对侧涂敷了大约50％的反射的涂层(每一个对于基本红外辐射而言)的光学元件。该光学元件由对于基本辐射透明的材料制成，例如由玻璃或者适当塑料材料制成。来自也称为泵浦二极管的半导体增益元件20、21的辐射如图2所示进入该光学元件。第一半导体增益元件20的辐射在腔外该部件侧面上部分地反射。光束阑(beam stop)26设置在该光束路径上以便避免来自外耦合的部分的任何损害。然而，在所述激光设备的适当操作下，没有辐射到达光束阑26，因为该路径经受在该方向上叠加的所述两个半导体增益元件的激光辐射的相消干涉。半导体增益元件20的激光辐射的其他部分在所述光学元件内叠加在第二半导体增益元件21的辐射上以形成单个光束25。为了避免在所述光学元件的其他侧面上的任何损耗，这些表面可以涂敷高反射涂层或者涂敷针对基本红外辐射的抗反射涂层，如图2所示。第二端镜23与半导体增益元件20和21的第一端镜形成两个扩展腔。该第二端镜23被设计成用于基本红外辐射的外耦合镜。因此，产生的基本辐射的一部分在该镜处向外耦合并且被定向到用于二次谐波生成的二次谐波晶体27。在当前实例中，该二次谐波晶体27为PPLN。

由图2可见并且如上面已经解释的，进入耦合部件22的光在高反射侧完全反射并且在另一侧部分反射。发射器之一的部分反射的光束与邻近发射器的部分透射的光束叠加并且组合的光束在谐振器中沿着相同的路径。当使用并排设置的超过两个半导体增益元件时，可以适当地扩展耦合部件22以便允许在所述两个相对的表面之间的多次反射。此外，也可以串联地设置若干这样的耦合部件。

耦合出该激光腔的得到的光束具有单个VECSEL的接近两倍的功率。这导致在二次谐波辐射中接近四倍的功率增大。此外，输出耦合镜可以由廉价的宽带电介质镜形成，因为不需要对相干耦合的激光束进行附加的光谱变窄。

图3中绘出了所提出的激光设备的另一实例。在该集成设置中，所有需要的光学功能都集成到一个正确定形和涂敷的光学设备中。如图3所示，耦合部件22形成两个相对的表面之间的通道，其中一个表面对于基本激光辐射是高反射的，另一个表面对于基本激光辐射是部分透射的。左光束首先撞击的表面涂敷了高反射涂层，而右光束垂直撞击的第一表面具有抗反射涂层。两个光束在45°下撞击的第二表面具有带有50％的反射的涂层，并且组合这两个光束。可以由适当玻璃或塑料材料形成的外耦合镜23具有适当的高反射涂层，该高反射涂层具有为设备的最佳操作而设计的外耦合度。所述半导体增益元件20、21的阵列可以与图2中的相同。

如已经描述的，所提出的激光设备当然并不限于腔外频率转换，而是也可以用于频率转换介质在激光腔内的情况。图4中描绘了用于腔内频率转换的这种设置。在该设备中，频率转换晶体27(例如PPLN)设置在耦合部件22与第二端镜23之间。在该实例中，第二端镜23被设计成对于基本红外辐射是高反射的并且对于产生的可见波长范围内的二次谐波辐射是高透射的。此外，如图所示，耦合部件22的表面被涂敷成对于该可见辐射是高反射的。所述半导体增益元件20、21的阵列可以与前面的图2和图3中的相同。

现在，让我们详细地考虑两个VECSEL激光器，其应当在如上所述的设置中相干耦合。如已经提到的，扩展腔对于这两个设备具有不同的长度。令L₁为具有较短扩展腔的VECSEL的激光腔的光学长度。于是，第二激光器的扩展腔可以具有长度L₂＝L₁+D。附加的长度D主要由所述阵列上两个半导体增益元件之间的几何距离给出，但是也可以考虑耦合设备中两个光束之间的光程差。对于所述两个激光器的最佳耦合而言，应当保护它们的纵向腔模式的频率重叠(overlap)。激光腔中纵模的频率间隔有时也称为自由光谱范围(FSR)，由下式给出

$\mathrm{\Δ}{v}_{\mathrm{FSR}}=\frac{c}{2L}$

(c：光速，L：腔长)。

纵模的(半)宽度Δv_FWHM通过以下关系依赖于谐振器的精细度(finesse)F

$\mathrm{\Δ}{v}_{\mathrm{FWHM}}=\frac{\mathrm{\Δ}{v}_{\mathrm{FSR}}}{F}$

并且精细度由限定各扩展腔的两个镜的反射率R₁和R₂决定：

$F=\frac{{\mathrm{\π}}^4\sqrt{R_1{R}_2}}{1-\sqrt{R_1{R}_2}}$

通常，不能期望来自所述两个耦合的腔的两个纵模在激光增益分布图的光谱宽度内完美地重叠，因为这两个腔具有不同的长度并且纵模的线宽Δv_FWHM通常非常小。

作为一个实例，考虑分别具有用于两个腔的R₁＝99.8和R₂＝99.5％以及L₁＝8mm和L₂＝13mm的腔长的典型设计。于是，两个腔的精细度为F≈896，并且自由光谱范围对于较短的腔为Δv_FSR1≈18.7GHz，对于较长的腔为Δv_FSR2≈11.5GHz。线宽为Δv_FWHM1≈20.9MHz以及小得多的Δv_FWHM2≈12.9MHz，并且优选地采取附加的措施以便确保所述两个耦合的腔的至少两个纵模相互匹配。

上面的实例中相当高的精细度适用于其中不直接使用半导体激光器中产生的红外辐射，而是在扩展腔内借助于例如SHG或者上转换将其转换成其他优选地可见的波长的设备。在这里，外耦合镜的反射率被选择成尽可能地高，以便实现扩展腔内最高的可能的红外强度以及最低的可能的激光阈值。在其中应当直接使用产生的红外激光的应用中，红外辐射的外耦合度将更高，并且外耦合镜的反射率R₂的更低值将被选择，从而导致更低的精细度。但是，即使具有比如R₂＝80％的反射率以及F≈28的得到的精细度，优化纵模的频率重叠的附加措施也会是有利的。

图5示出了其中采取上述措施的另一实例。该实例与图4的实例近乎相同。因此，与图4的部件相同的部件利用相同的附图标记来标记并且不再次进行描述。与图4的设备的区别是平移台28，第二端镜23安装到该平移台上。该平移台28可以是压电致动器，允许改变两个扩展腔的长度。需要的腔长通过例如借助于光电二极管测量外耦合的红外辐射或者产生的可见辐射的输出功率来控制。该检测器提供适当的反馈信号给控制单元，该控制单元通过平移台28控制外耦合镜23的纵向位置。

以下考虑应当得到平移台28的最小纵向调谐范围，这是确保可以实现两个有关的纵模的最佳重叠所需的。考虑当所述两个耦合的激光设备的两个纵模理想地匹配时的情况。纵向腔模式的波长由谐振器长度是半波长的整数倍这一边界条件给出，即对于两个腔：

L₁＝m₁·λ/2且L₂＝L₁+D＝m₂·λ/2

整数m₁和m₂代表纵模的所谓的阶次，并且匹配模式的阶次满足以下关系

L₁/m₁＝(L₁+D)/m₂                        (1)

这也表明，较短的腔比较长的腔具有更低的模式阶次(m₁＜m₂)。

现在考虑导致所述两个耦合的腔的长度变化ΔL的外耦合镜的运动。对于每个纵模，得到的波长移动为

Δλ＝2/m·ΔL                          (2)

由于波长移动与模式阶次成反比，因而较短的腔的纵模在波长方面比较长的腔的纵模移动得更快。腔长增大ΔL之后邻近纵模的下一次匹配因而将在来自第一腔的模数m₁与第二腔的模数(m₂-1)一致时实现，从而得到条件

(L₁+ΔL)/m₁＝(L₁+D+ΔL)/(m₂-1)          (3)

将等式(1)插入等式(3)，经过一些计算之后，得到用于平移台的最大必要纵向调谐范围：

ΔL＝L₁/(m₂-m₁-1)≈L₁/Δm其中Δm＝m₂-m₁。

使用上面给定实例的典型数量(L₁＝8mm，L₂＝13mm，D＝5mm)并且假设λ＝1μm的典型红外波长，得到m₁＝16000，m₂＝26000，Δm＝10000并且最终ΔL≈800nm。依照等式(2)，两个相干腔的纵模重叠所在的谐振波长仅移动Δλ≈0.1nm，其通常远低于半导体激光材料的增益宽度。

尽管在所述附图和前面的描述中已经详细地图示和描述了本发明，但是这样的图示和描述应当被认为是说明性或示例性的，而不是限制性的，本发明并不限于所公开的实施例。上面以及权利要求书中描述的不同实施例也可以加以组合。本领域技术人员在实施要求保护的本发明时，根据对于所述附图、本公开内容以及所附权利要求书的研究，应当能够理解并实施所公开实施例的其他变型。例如，提出的设置并不限于半导体增益元件的线性阵列或者仅仅两个半导体增益元件，而是也可以用于二维阵列具有更高数量的半导体增益元件的情况。此外，不仅基于VCSEL的结构，而且像边缘发射激光器结构那样的其他结构可以用来实现类似的优点。为了实现所公开的优点，所述层结构的确切构造并不是关键的，因此，可以像本领域中公知的那样使用形成第一端镜和活性增益介质的不同层结构。

在权利要求书中，措词“包括/包含”并没有排除其他的元件或步骤，并且不定冠词“一”并没有排除复数。在相互不同的从属权利要求中陈述了若干技术措施这一事实并不意味着这些技术措施的组合不可以加以利用。权利要求中的附图标记不应当被视为对这些权利要求的范围的限制。

附图标记列表：

1层结构

2第一端镜(DBR)

3活性层

4部分透射DBR

5电接触

6第二端镜

7SHG晶体

8外耦合的激光束

9热沉

10热透镜

11偏振控制器

20第一半导体增益元件

21第二半导体增益元件

22耦合部件

23第二端镜(外耦合镜)

24热沉

25组合的单个激光束

26光束阑

27SHG晶体

28平移台

Claims (12)

1.一种扩展腔半导体激光设备，包括：

-至少两个半导体增益元件(20，21)的阵列，所述半导体增益元件(20，21)中的每一个包括形成第一端镜(2)和活性介质(3)的层结构(1)，

-耦合部件(22)，其将所述半导体增益元件(20，21)阵列发射的基本激光辐射组合成单个组合的激光束(25)，以及

-第二端镜(23)，其将所述单个组合的激光束(25)的至少一部分反射回所述耦合部件(22)，从而与所述第一端镜(2)形成扩展腔。

2.依照权利要求1的激光设备，

其中所述半导体增益元件(20，21)为VECSEL部件。

3.依照权利要求1或2的激光设备，

其中产生上转换的激光辐射或二次谐波激光辐射的频率转换介质(27)设置在所述耦合部件(22)与所述第二端镜(23)之间，所述第二端镜(23)被设计成形成用于所述上转换的激光辐射的外耦合镜。

4.依照权利要求1或2的激光设备，

其中所述第二端镜(23)被设计成形成用于所述基本激光辐射的外耦合镜。

5.依照权利要求4的激光设备，

其中产生上转换的激光辐射或二次谐波激光辐射的频率转换介质设置在外耦合的基本激光辐射的光束路径上。

6.依照权利要求1或2的激光设备，

其中所述耦合部件(22)包括一个或多个分束区域。

7.依照权利要求1或2的激光设备，

其中所述耦合部件(22)包括两个相对的反射表面，这些反射表面的第一个对于基本激光辐射是高反射的，并且这些反射表面的第二个对于基本激光辐射具有介于40与60％之间的反射率以及介于40与60％之间的透射率。

8.依照权利要求4的激光设备，

其中所述耦合部件(22)附接到所述第二端镜(23)，或者所述第二端镜(23)形成为所述耦合部件(22)上的涂层。

9.依照权利要求1或2的激光设备，

其中所述第二端镜(23)附接到平移台(28)，所述平移台被设计成允许通过对所述第二端镜(23)移位而改变所述设备的腔长。

10.依照权利要求9的激光设备，

其中光学检测器被设置成测量耦合出所述设备的激光辐射的强度，所述光学检测器连接到控制单元，该控制单元根据测量的强度控制所述平移台(28)以便稳定和/或最大化耦合出所述设备的激光辐射的强度。

11.一种RGB激光光源，包括依照权利要求1或2的在腔内部或外部具有频率转换介质(27)的至少一个激光设备。

12.一种投影设备，包括依照权利要求1或2的在腔内部或外部具有频率转换介质(27)的作为光源的至少一个激光设备。

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