JP2016511502A - メモリセルを検知するシステムおよび方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2013年3月15日に出願した所有者が共通の米国非仮出願第13/835,251号の優先権を主張し、その内容が全体として参照により本明細書に明示的に組み込まれる。
102 検知回路
104 データセル
106 基準セル
108 スイッチトキャパシタ回路
110 センスアンプ
112 プログラマブル抵抗ベースメモリ素子
114 第1の抵抗ベースメモリ素子
116 第2の抵抗ベースメモリ素子
118 データセルアクセストランジスタ
120 第1のアクセストランジスタ
122 第2のアクセストランジスタ
124 データセル選択トランジスタ
126 第1の選択トランジスタ
128 第2の選択トランジスタ
129 クランプトランジスタ
130 負荷トランジスタ
131 ソース縮退トランジスタ
132 データコンデンサ
134 第1のコンデンサ
136 第2のコンデンサ
150 データ分岐
152 第1の基準分岐
154 第2の基準分岐
200 メモリシステム
202 検知回路
204 データセル
206 基準セル
208 スイッチトキャパシタ回路
210 センスアンプ
212 プログラマブル抵抗ベースメモリ素子
214 基準抵抗ベースメモリ素子
218 データセルアクセストランジスタ
220 基準セルアクセストランジスタ
222 第1の選択トランジスタ
224 第2の選択トランジスタ
226 第3の選択トランジスタ
228 第4の選択トランジスタ
232 第1のコンデンサ
234 第2のコンデンサ
236 第3のコンデンサ
238 第4のコンデンサ
240 第1の検知経路
242 第2の検知経路
251 第1のクランプトランジスタ
252 第1の負荷トランジスタ
253 第1のソース縮退トランジスタ
254 第2のクランプトランジスタ
255 第2の負荷トランジスタ
256 第2のソース縮退トランジスタ
260 第1の抵抗器
262 第2の抵抗器
264 第3の抵抗器
266 第4の抵抗器
400 ワイヤレスデバイス
402 検知回路
404 データセル
406 基準セル
408 スイッチトキャパシタ回路
410 プロセッサ
422 システムインパッケージまたはシステムオンチップデバイス
426 ディスプレイコントローラ
428 ディスプレイ
430 入力デバイス
432 メモリ
434 コーダ/デコーダ(CODEC)
436 スピーカ
438 マイクロホン
440 ワイヤレスコントローラ
442 アンテナ
444 電源
456 実行可能命令
490 無線周波数(RF)インターフェース
490 センスアンプ(SA)
Vdd システム電源
Sel(0)〜Sel(4) 選択信号
Sw(0) データセルスイッチ
Sw(1) 第1のスイッチ
Sw(2) 第2のスイッチ
Sw(3) 第3のスイッチ
Sw(4) 第4のスイッチ
Sw(5) 第5のスイッチ
Sw(6) 第6のスイッチ
Claims (41)
- データ電圧を生成するためにデータセルの状態を検知するステップであって、前記データセルの前記状態が前記データセルのプログラマブル抵抗ベースメモリ素子の状態に対応するステップと、
基準電圧を生成するために基準セルの状態を検知するステップであって、前記データセルの前記状態と前記基準セルの前記状態が共通の検知経路を介して検知されるステップと、
前記データ電圧および前記基準電圧に基づいて前記データセルの論理値を求めるステップとを備える、方法。 - 前記検知経路の1つまたは複数の構成要素のプロセス変動による前記データ電圧への影響が、前記1つまたは複数の構成要素の前記プロセス変動による前記基準電圧への影響によって少なくとも部分的に相殺される、請求項1に記載の方法。
- 前記データ電圧を前記基準電圧と比較するステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。
- 前記データセルの前記論理値が、前記データ電圧が前記基準電圧よりも低い場合、第1の値に対応し、前記データセルの前記論理値が、前記データ電圧が前記基準電圧よりも高い場合、第2の値に対応する、請求項3に記載の方法。
- 前記データセルの前記状態が第1の検知段階の間に検知される、請求項1に記載の方法。
- 前記基準セルの前記状態を検知するステップが、
第1の基準電圧を生成するために前記基準セルの第1の状態を第2の検知段階の間に検知するステップであって、前記基準セルの前記第1の状態が前記基準セルの第1の抵抗ベースメモリ素子の状態に対応するステップと、
第2の基準電圧を生成するために前記基準セルの第2の状態を第3の検知段階の間に検知するステップであって、前記基準セルの前記第2の状態が前記基準セルの第2の抵抗ベースメモリ素子の状態に対応するステップとを含む、請求項5に記載の方法。 - 前記基準電圧を生成するために前記第1の基準電圧と前記第2の基準電圧を平均化するステップをさらに備える、請求項6に記載の方法。
- 前記第1の検知段階が第1の期間に相当し、前記第2の検知段階が第2の期間に相当し、かつ前記第3の検知段階が第3の期間に相当する、請求項6に記載の方法。
- 前記データセルの前記状態を検知するステップが、
第1のデータ電圧を生成するために前記データセルの第1の状態を第1の検知段階の間に第1の検知経路を用いて検知するステップと、
第2のデータ電圧を生成するために前記データセルの第2の状態を第2の検知段階の間に第2の検知経路を用いて検知するステップとを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記共通の検知経路が前記第1の検知経路および前記第2の検知経路を備える、請求項9に記載の方法。
- 前記データ電圧を生成するために前記第1のデータ電圧を前記第2のデータ電圧と平均化するステップをさらに備える、請求項9に記載の方法。
- 前記基準セルの前記状態を検知するステップが、
第1の基準電圧を生成するために前記基準セルの第1の状態を前記第1の検知段階の間に前記第2の検知経路を用いて検知するステップと、
第2の基準電圧を生成するために前記基準セルの第2の状態を前記第2の検知段階の間に前記第1の検知経路を用いて検知するステップとを含む、請求項9に記載の方法。 - 前記基準電圧を生成するために前記第1の基準電圧を前記第2の基準電圧と平均化するステップをさらに備える、請求項12に記載の方法。
- 前記プログラマブル抵抗ベースメモリ素子が磁気トンネル接合(MTJ)デバイスである、請求項1に記載の方法。
- 前記プログラマブル抵抗ベースメモリ素子の前記状態が前記プログラマブル抵抗ベースメモリ素子の抵抗に対応する、請求項1に記載の方法。
- 前記共通の検知経路がクランプトランジスタ、負荷トランジスタ、およびソース縮退トランジスタを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記データセルの前記状態を検知するステップ、前記基準セルの前記状態を検知するステップ、および前記データセルの前記論理値を求めるステップが電子デバイスに統合されるプロセッサによって開始される、請求項1に記載の方法。
- データ電圧を生成するためにデータセルの状態を検知し、前記データセルの前記状態が前記データセルのプログラマブル抵抗ベースメモリ素子の状態に対応し、かつ
基準電圧を生成するために基準セルの状態を検知し、前記データセルの前記状態と前記基準セルの前記状態が共通の検知経路を介して検知されるように構成される検知回路と、
前記データ電圧を前記基準電圧と比較し、前記比較に基づいて比較出力を生成するように構成されるセンスアンプとを備える、装置。 - 前記検知回路が、
第1のデータ電圧を生成するために前記データセルの第1の状態を第1の検知段階の間に第1の検知経路を用いて検知し、かつ
第2のデータ電圧を生成するために前記データセルの第2の状態を第2の検知段階の間に第2の検知経路を用いて検知するように構成され、
前記データ電圧が前記第1のデータ電圧と前記第2のデータ電圧の平均に基づいて生成され、かつ前記共通の検知経路が前記第1の検知経路および前記第2の検知経路を備える、請求項18に記載の装置。 - 前記比較出力が前記データセルの論理値に対応する、請求項18に記載の装置。
- 前記データセルの前記論理値が、前記データ電圧が前記基準電圧よりも低い場合、第1の値に対応し、前記データセルの前記論理値が、前記データ電圧が前記基準電圧よりも高い場合、第2の値に対応する、請求項20に記載の装置。
- 前記検知経路の1つまたは複数の構成要素のプロセス変動による前記データ電圧への影響が、論理値を求める際のプロセス変動による前記基準電圧への影響によって少なくとも部分的に相殺される、請求項18に記載の装置。
- 前記検知回路および前記センスアンプが少なくとも1つの半導体ダイに統合される、請求項18に記載の装置。
- 前記検知回路および前記センスアンプが統合されるセットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置データユニット、およびコンピュータからなる群から選択されるデバイスをさらに備える、請求項18に記載の装置。
- データ電圧を生成するためにデータセルの状態を検知するための手段であって、前記データセルの前記状態が前記データセルのプログラマブル抵抗ベースメモリ素子の状態に対応する手段と、
基準電圧を生成するために基準セルの状態を検知するための手段であって、前記データセルの前記状態と前記基準セルの前記状態が共通の経路を介して検知される手段と、
前記データ電圧および前記基準電圧に基づいて前記データセルの論理値を求めるための手段とを備える、装置。 - 前記データ電圧を前記基準電圧と比較するための手段をさらに備える、請求項25に記載の装置。
- 前記データセルの前記論理値を求めるための前記手段が前記データ電圧を前記基準電圧と比較するための前記手段に基づく、請求項26に記載の装置。
- 前記データセルの前記状態を検知するための前記手段、前記基準セルの前記状態を検知するための前記手段、および前記データセルの前記論理値を求めるための前記手段が統合されるセットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置データユニット、およびコンピュータからなる群から選択されるデバイスをさらに備える、請求項25に記載の装置。
- プロセッサによって実行されると、前記プロセッサに、
データセルへの検知回路の結合を可能にさせ、前記データセルへの前記検知回路の前記結合に基づいてデータ電圧を生成するために前記データセルの状態が検知され、かつ前記データセルの前記状態が前記データセルのプログラマブル抵抗ベースメモリ素子の状態に対応し、
基準セルへの前記検知回路の結合を可能にさせ、前記基準セルへの前記検知回路の前記結合に基づいて基準電圧を生成するために前記基準セルの状態が検知され、かつ前記データセルの前記状態と前記基準セルの前記状態が共通の検知経路を介して検知され、かつ
前記データ電圧および前記基準電圧に基づいて前記データセルの論理値を求めさせる命令を備える、非一時的コンピュータ可読媒体。 - 前記データセルへの前記検知回路の前記結合を可能にさせることが、前記検知回路と前記プログラマブル抵抗ベースメモリ素子とに結合される第1の選択トランジスタを第1の検知段階の間、有効化することを含む、請求項29に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- 前記基準セルへの前記検知回路の前記結合を可能にさせることが、
第1の基準電圧を生成するために、前記検知回路と前記基準セルの第1の抵抗ベースメモリ素子とに結合される第2の選択トランジスタを第2の検知段階の間、有効化することと、
第2の基準電圧を生成するために、前記検知回路と前記基準セルの第2の抵抗ベースメモリ素子とに結合される第3の選択トランジスタを第3の検知段階の間、有効化することとを含む、請求項30に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。 - 前記基準電圧が前記第1の基準電圧と前記第2の基準電圧の平均に相当する、請求項31に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- 前記データセルへの前記検知回路の前記結合を可能にさせることが、
第1のデータ電圧を生成するために、第1の検知経路と前記データセルとに結合される第1の選択トランジスタを第1の検知段階の間、有効化することと、
第2のデータ電圧を生成するために、第2の検知経路と前記データセルとに結合される第2の選択トランジスタを第2の検知段階の間、有効化することとを含む、請求項29に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。 - 前記基準セルへの前記検知回路の前記結合を可能にさせることが、
第1の基準電圧を生成するために、前記第2の検知経路と前記基準セルとに結合される第3の選択トランジスタを前記第1の検知段階の間、有効化することと、
第2の基準電圧を生成するために、前記第1の検知経路と前記基準セルとに結合される第4の選択トランジスタを前記第2の検知段階の間、有効化することとを含む、請求項33に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。 - 前記データ電圧が前記第1のデータ電圧と前記第2のデータ電圧の平均に相当し、かつ前記基準電圧が前記第1の基準電圧と前記第2の基準電圧の平均に相当する、請求項34に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- 前記プロセッサが、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置データユニット、およびコンピュータからなる群から選択されるデバイスに統合される、請求項29に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- データ電圧を生成するためにデータセルの状態を検知するためのステップであって、前記データセルの前記状態が前記データセルのプログラマブル抵抗ベースメモリ素子の状態に対応するステップと、
基準電圧を生成するために基準セルの状態を検知するためのステップであって、前記データセルの前記状態と前記基準セルの前記状態が共通の検知経路を介して検知されるステップと、
前記データ電圧および前記基準電圧に基づいて前記データセルの論理値を求めるためのステップとを備える、方法。 - 前記データセルの前記論理値を求めるための前記ステップが電子デバイスに統合されるプロセッサで行われる、請求項37に記載の方法。
- 半導体デバイスの少なくとも1つの物理的性質を表す設計情報を受入れるステップであって、前記半導体デバイスが、
データ電圧を生成するためにデータセルの状態を検知し、前記データセルの前記状態が前記データセルのプログラマブル抵抗ベースメモリ素子の状態に対応し、かつ
基準電圧を生成するために基準セルの状態を検知し、前記データセルの前記状態と前記基準セルの前記状態が共通の検知経路を介して検知されるように構成される検知回路と、
前記データ電圧を前記基準電圧と比較し、前記比較に基づいて比較出力を生成するように構成されるセンスアンプとを備えるステップと、
前記設計情報をファイル形式に準拠して変換するステップと、
前記変換された設計情報を含むデータファイルを生成するステップとを備える、方法。 - 前記データファイルがGDSII形式を備える、請求項39に記載の方法。
- 前記データファイルがGERBER形式を備える、請求項39に記載の方法。
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