JP2016504253A

JP2016504253A - 追加金属を有するスズ酸化物含有層を含む低放射率コーティングを有する被覆製品

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Publication number: JP2016504253A
Application number: JP2015543066A
Authority: JP
Inventors: イムラン・ムハンマド; ボイス・ブレント; レマー・ジャン−マルク; フランク・マーカス; シュー・ヨンリ
Original assignee: Guardian Industries Corp
Current assignee: Guardian Industries Corp
Priority date: 2012-11-19
Filing date: 2013-10-25
Publication date: 2016-02-12
Also published as: RU2015123667A; WO2014078054A1; TWI613069B; IN2015DN04159A; KR20150087261A; BR112015011161A2; CN105050979A; US20150064480A1; MX2015006202A; US9028983B2; EP2920126A1; US20150232379A1; US9796620B2; TW201431672A; US20140141259A1; US8889272B2

Abstract

被覆製品は、基板（例えば、ガラス基板）によって支持される低放射率（低Ｅ）コーティングなどのコーティングを含む。コーティングは、他の金属でドープされたスズ酸化物を含む少なくとも１つの誘電体層を含む。コーティングは、少なくとも一部の赤外線（ＩＲ）照射を反射させるために銀などの材料又はこれを含む１つ以上のＩＲ反射層を含んでもよい。特定の例示的な実施形態において、被覆製品は、熱処理（例えば、焼き戻し処理、熱曲げ、及び／又は熱強化）されてもよい。本発明の特定の例示的な実施形態に従う被覆製品は、建物の一体型窓、建物のＩＧ窓などを含む、窓に関連して用いてもよい。【選択図】図１

Description

本発明の実施例の実施形態は、基板（例えば、ガラス基板）によって支持される低放射率コーティング（Ｌｏｗ−ｅｍｉｓｓｉｖｉｔｙｃｏａｔｉｎｇ）などのコーティングを含む被覆製品に関する。コーティングは、他の金属でドープされたスズ酸化物を含む少なくとも１つの誘電体層を含む。コーティングは、少なくとも一部の赤外線（ＩＲ）照射を反射させるために銀などの材料又はこれを含む１つ以上のＩＲ反射層を含んでもよい。特定の例示的な実施形態において、被覆製品は、熱処理（例えば、焼き戻し処理（ｔｈｅｒｍａｌｔｅｍｐｅｒｉｎｇ）、熱曲げ（ｈｅａｔｂｅｎｄｉｎｇ）、及び／又は熱強化（ｈｅａｔｓｔｒｅｎｇｔｈｅｎｉｎｇ））されてもよい。本発明の特定の例示的な実施形態に従う被覆製品は、建物の一体型窓、建物のＩＧ窓、車両の窓を含む、窓に関連して、かつ／又は任意のその他の適切な用途に用いてもよい。

当該分野において、断熱ガラス（ＩＧ）窓ユニット、車両の窓など窓の用途に用いられる被覆製品が知られている。特定の例において、焼き戻し、曲げなどの目的のために、このような被覆製品を熱処理（例えば、焼き戻し処理、熱曲げ、及び／又は熱強化）するのが好ましいことが知られている。典型的に、被覆製品の熱処理（ＨＴ）は、少なくとも５８０℃、さらに好ましくは少なくとも約６００℃、より好ましくは少なくとも６２０℃の温度の利用を必要とする。このような高温（例えば、５〜１０分以上）では、しばしばコーティングが破壊され、かつ/又は予測不可能な方法で劣化若しくは変化する。したがって、前記コーティングは、必要に応じて予測可能な方法で熱処理（例えば、焼き戻し処理）に顕著に損傷せずに耐えられることが好ましい。

特定の状況では、被覆製品の設計者は、所望の可視光線透過率、所望の色、低放射率（又は放射力）、及び低シート抵抗（Ｒ_ｓ）の組合せを試みている。このような被覆製品は、低放射率（ｌｏｗ−Ｅ）及び／又は低シート抵抗特徴によってかなりのＩＲ照射を遮断し、例えば、車両又は建物内の好ましくない加熱を低減することができる。

米国特許第７，５２１，０９６号は、本明細書に参考として含まれ、銀系のＩＲ反射層の下に亜鉛酸化物（ＺｎＯ）接触層を用いて下部の銀（Ａｇ）系ＩＲ反射層の上にＮｉＣｒＯ_ｘ接触層、次に中央にスズ酸化物（ＳｎＯ_２）誘電体層を用いる低放射率コーティングを開示する。米国特許第７，５２１，０９６号のコーティングでＳｎＯ_２は、熱処理の際に微細結晶質及び応力によりＳｎＯ_２、ＺｎＯ及びＡｇの間の界面が粗くなり、耐久性劣化につながって、伝達される色に影響を及ぼしかねないことが分かった。粗い金属含有界面は、特に低い可視スペクトル領域（３８０〜５５０ｎｍ）で全体層スタックで選択的な吸収をもたらす、いわゆる表面プラズモンを開始する傾向がある。これは、予測不可能な光学特性、あまり中間的でない色（ｌｅｓｓｎｅｕｔｒａｌｃｏｌｏｒ）、低い可視光線透過率及び／又は低いＬＳＧのうちの１つ以上を引き起こす傾向がある。また、スズ酸化物（例えば、ＳｎＯ_２）は、加熱時の応力及び結晶質が顕著に変化して、ＺｎＯの構造が劣化され、その上にＡｇが成長することが分かった。また、これは、好ましくない高いΔＥ^＊など、コーティングの不良Ａｇ品質及び／又は不良熱安定性につながり得る。

上記の点において、純粋なＳｎＯ_２誘電体層に関連する上述した１つ以上の問題を解決する少なくとも１つの誘電体層を含むコーティング（例えば、低放射率コーティング）を有する被覆製品が必要であることが当業者には明白であろう。特定の例示的な実施形態において、スズ酸化物（例えば、ＳｎＯ_２）含有誘電体層内に特定の追加金属が含まれれば、上述した１つ以上の問題を解決できることが分かった。例えば、このようなコーティング内に誘電体層をスパッタ蒸着する場合、Ｐｄ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｍｇ、及び／又はＣｕの金属のうちの１つ以上の金属をスズ酸化物に添加することができる。任意の熱処理（ＨＴ）前及び／又は後に誘電体層及び全体コーティングが熱的に安定するようにし、任意の熱処理工程中の応力変化を減少及び／又は遅くするために、酸化物系層中の一部のスズが三元合金及び／又は二元合金（その酸化物を含む）に交換されてもよい。追加金属を有するスズ酸化物含有誘電体層の構造が無秩序な状態になり、層及びコーティングはさらに安定化する。材料の構造がさらに無秩序になれば（例えば、ＨＴ時）、より安定するようになることが分かった。本発明の特定の例示的な実施形態において、その他の金属が添加されたこのようなスズ酸化物含有誘電体層は、任意の好適な低放射率コーティング内で誘電体層として用いることができ、例えば、少なくとも第１ＩＲ反射層と第２ＩＲ反射層との間、ＩＲ反射層の下、及び／又はＩＲ反射層の上である。しかし、コーティング内の全ての誘電体層がこのような材料によって構成される必要はない。特定の例示的な実施形態において、その他の金属が添加されたスズ酸化物含有誘電体層は、シリコン窒化物（例えば、Ｓｉ_３Ｎ_４）、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ、などのような材料で構成されたその他の誘電体層を含むコーティングで用いられてもよい。

本発明の特定の例示的な実施形態において、ガラス基板上に低放射率コーティングを含む被覆製品が提供され、コーティングは、第１誘電体層と、ガラス基板上で少なくとも第１誘電体層上に位置する第１ＩＲ反射層及び第２ＩＲ反射層と、少なくとも第１ＩＲ反射層と第２ＩＲ反射層との間に位置する第２誘電体層とを含み、第２誘電体層は、ＳｎＰｄ、ＳｎＡｇ、ＳｎＭｇ、ＳｎＳｂ、ＳｎＺｎＢｉ、ＳｎＩｎＺｎ、ＳｎＺｎＳｂ、ＳｎＺｎＡｌ、ＳｎＺｎＭｇ、ＳｎＣｕＳｂ、ＳｎＣｕＢｉ、ＳｎＢｉ、ＳｎＷ、ＳｎＳｂＢｉ、ＳｎＺｎＣｕ、ＳｎＺｎＢｉＩｎ、及びＳｎＩｎＧａのうちの１つ以上の酸化物を含む。

本発明の特定の例示的な実施形態において、ガラス基板上の低放射率コーティングを含む被覆製品が提供され、コーティングは、ガラス基板上の誘電体層及びＩＲ反射層を含み、誘電体層は、ＳｎＰｄ、ＳｎＡｇ、ＳｎＭｇ、ＳｎＳｂ、ＳｎＺｎＢｉ、ＳｎＩｎＺｎ、ＳｎＺｎＳｂ、ＳｎＺｎＡｌ、ＳｎＺｎＭｇ、ＳｎＣｕＳｂ、ＳｎＣｕＢｉ、ＳｎＢｉ、ＳｎＷ、ＳｎＳｂＢｉ、ＳｎＺｎＣｕ、及びＳｎＩｎＧａのうちの１つ以上の酸化物を含む。

本発明の特定の例示的な実施形態において、ガラス基板に低放射率コーティングを含む被覆製品が提供され、コーティングは、ガラス基板上の誘電体層及びＩＲ反射層を含み、前記誘電体層は、ＳｎＰｄ、ＳｎＡｇ、ＳｎＩｎＺｎ、ＳｎＣｕＳｂ、ＳｎＣｕＢｉ、ＳｎＷ、ＳｎＺｎＣｕ、ＳｎＺｎＢｉＩｎ、及びＳｎＩｎＧａのうちの１つ以上の酸化物を含む。誘電体層は、ＩＲ反射層上及び／又は下に配置されてもよい。

本発明の一実施形態に係る被覆製品の断面図である。本発明の他の実施形態に係る被覆製品の断面図である。本発明の他の実施形態に係る被覆製品の断面図である。本発明の他の実施形態に係る被覆製品の断面図である。

同様の参照番号は、本明細書に記載した図面における同様の部分を意味する。図１〜図４の実施形態において、層は、好ましくは本発明の実施例の実施形態でセラミック又は金属ターゲットによってスパッタ蒸着することによって形成される。

本発明の特定の例示的な実施形態に係る被覆製品は、建物の一体型窓、建物用ＩＧ窓、車両の窓を含む、窓に関連して、かつ／又は任意のその他の適切な用途に用いてもよい。

特定の例示的な実施形態において、スズ酸化物（例えば、ＳｎＯ_２）含有誘電体層内に特定の追加金属が含まれれば（図面中の層１３，１５，２３，４０のうちの１つ以上を参照）、上述した問題のうちの１つ以上の問題を解決できることが分かった。例えば、Ｐｄ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｍｇ、及び／又はＣｕのうちの１つ以上の金属が、このようなコーティング内に誘電体層１３，１５，２３，４０のうちの１つ以上をスパッタ蒸着する場合、スズ酸化物に添加されることができる。任意の熱処理（ＨＴ）前及び／又は後に誘電体層及び全体コーティング３０，６０，７０が熱的に安定するようにし、任意の熱処理工程中の応力変化を減少及び／又は遅くするために、酸化物系の誘電体層（例えば、１３，１５，２３，４０のうち１つ以上）内で一部のスズが三元合金及び／又は二元合金に交換されてもよい。例えば、ＳｎＰｄの二元合金は、誘電体層及び全体コーティング３０，６０，７０が熱的により安定できるようにするために、酸化物系の誘電体層（例えば、１３，１５，２３，４０のうち１つ以上）内で一部のスズを交換するために用いることができる。その他の例として、ＳｎＡｇ、ＳｎＳｂ、ＳｎＢｉ、ＳｎＷ、又はＳｎＭｇの二元合金は、誘電体層及び全体コーティング３０，６０，７０が熱的により安定できるようにするために、酸化物系の誘電体層（例えば、１３，１５，２３，４０のうち１つ以上）内で一部のスズを交換するために用いることができる。その他の例として、ＳｎＺｎＢｉ、ＳｎＩｎＺｎ、ＳｎＺｎＳｂ、ＳｎＺｎＡｌ、ＳｎＺｎＭｇ、ＳｎＺｎＣｕ、ＳｎＩｎＧａ、ＳｎＳｂＢｉ、ＳｎＣｕＢｉ、又はＳｎＣｕＳｂの三元合金は、誘電体層及び全体コーティング３０，６０，７０が熱的に安定できるようにするために、酸化物系の誘電体層（例えば、１３，１５，２３，４０のうち１つ以上）内で一部のスズを交換するために用いることができる。当然、このような三元合金又は二元合金のうちの１つの酸化物は、層（１３，１５，２３、及び／又は４０）の１つ又は２つに対して用いられてもよく、このような三元合金又は二元合金の他の酸化物を層１３，１５，２３，４０のうちの残りに対して用いてもよい。追加金属が含まれるこのようなスズ酸化物含有誘電体層は、好ましくは完全に酸化又は実質的に完全に酸化され、任意のＨＴ後に非晶質であってもよい。

追加金属を有するスズ酸化物含有誘電体層の構造がさらに無秩序になれば、層及びコーティングはさらに安定化する。材料の構造体が無秩序になれば、さらに安定化する（例えば、ＨＴ時）ことが分かった。その他の金属が添加されたこのようなスズ酸化物含有誘電体層は、本発明の特定の例示的な実施形態において、任意の適切な低放射率コーティングにおける誘電体層として用いることができ、例えば、少なくとも第１ＩＲ反射層９と第２ＩＲ反射層１９との間、ＩＲ反射層９，１９の下、及び／又はＩＲ反射層９，１９の上である。本発明の様々な実施形態において、このような層は、単一銀、二重銀、又は、三重銀の低放射率コーティングに用いてもよい。しかし、コーティング内の全ての誘電体層がこのような材料によって構成される必要はない。特定の例示的な実施形態において、その他の金属が添加されたスズ酸化物含有誘電体層は、図１〜図４に示すように、シリコン窒化物（例えば、Ｓｉ_３Ｎ_４）、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ、などのような材料で構成されるその他の誘電体層を含むコーティングに用いられてもよい。追加金属が含まれるこのような１つ以上のスズ酸化物含有誘電体層を用いれば、例えば、ガラス側反射率ΔＥ^＊の減少のような改善された熱安定性を可能にする。本発明の特定の例示的な実施形態において、ガラス基板１及び低放射率コーティングを含む被覆製品は、ＨＴによってガラス側反射率ΔＥ^＊が層にＳｎＯ_２だけを用いる場合の反射率より少なくとも１．０小さい（さらに好ましくは、少なくとも１．５又は２．０小さい）。本発明の特定の例示的な実施形態において、ガラス基板１及び低放射率コーティングを含む被覆製品は、ガラス側反射率ΔＥ^＊が５．０以下、好ましくは４．５又は４．０以下である。

特定の例示的な実施形態において、追加金属が含まれるスズ酸化物含有誘電体層（１３，１５及び／又は４０）は、ＩＲ反射層の品質を改善するために、ＩＲ反射層（９及び／又は１９）を支持する亜鉛酸化物含有シード層（７及び／又は１７）の下と直接接触して位置する（例えば、図１〜図２の層１５、図３の層４０、図４の層１３を参照）。ＺｎＯ系接触層（７又は１７）の下の層の構造及び熱安定性は、テクスチャ加工されたＺｎＯ成長００２及びＡｇ成長１１１に関連する。純粋なＳｎＯ_２の層は、高い応力などの構造的変化を起こし、例えば、ＨＴ時のコーティングの光及び熱安定性を劣化させる傾向がある。純粋なＳｎＯ_２の層は、典型的に、スパッタ蒸着時には非晶質であるが、ＨＴ時には結晶質になる。本明細書に記載したスズ酸化物含有誘電体層内に提供される追加金属は、このような構造変化を減らし、ＨＴ前後に層の応力制御を改善して、特定の例示的な実施形態において、層がＨＴ後にも非晶質又は実質的に非晶質の状態になる。これは、低放射率コーティングのパフォーマンスを向上させる。

本発明の特定の例示的な実施形態において（例えば、図１〜図２、及び図４）、コーティングは、二重銀スタックを含むが、本発明の全ての例において、このように限定されるものではない。本発明の例示的な実施形態によれば、低放射率コーティングを有する被覆製品は、シート抵抗（Ｒ_ｓ）は７．０以下（さらに好ましくは５．０以下、より好ましくは４．０又は３．０以下）である（任意のＨＴ前及び／又は後に測定される）。本発明の例示的な実施形態によれば、低放射率コーティングを有する被覆製品は、垂直放射率（Ｅ_ｎ）が約０．０９以下、好ましくは約０．０７以下、最も好ましくは約０．０５又は０．０４以下である（任意のＨＴ前及び／又は後に測定される）。特定の例示的な実施形態において、任意の熱処理（ＨＴ）前及び／又は後に一体型の形態で測定された本発明の例示的な実施形態によれば、被覆製品は、可視光線透過率（Ｉｌｌ．Ｃ、２度）が少なくとも約３０％、好ましくは少なくとも約４０％、さらに好ましくは少なくとも約５０％、場合により少なくとも約６０％である。

本明細書に記載する「熱処理」及び「熱処理する」は、ガラス含有被覆製品の焼き戻し処理、熱曲げ及び／又は熱強化を得るために十分な温度まで製品を加熱することを意味する。この定義は、焼き戻し、曲げ及び／又は熱強化を得るために、例えば、少なくとも約５８０℃、好ましくは少なくとも約６００℃の温度でオーブン又は炉で十分な期間の間被覆製品を加熱することを含む。特定の例において、ＨＴは、少なくとも約４から５分以上の間実施されてもよい。本発明の別の例示的な実施形態において、被覆製品は、熱処理してもしなくてもよい。

図１は、本発明の実施例の非限定的な実施形態による被覆製品の側断面図である。被覆製品は、基板１（例えば、厚さが約１．０から１０．０ｍｍ、さらに好ましくは約１．０から３．５ｍｍである、透明、緑色、青銅色、又は、青緑色ガラス基板）及び基板１上に直接又は間接的に提供される低放射率コーティング（又は層システム）３０を含む。コーティング（又は層システム）３０は、ヘイズ減少用Ｓｉリッチ型の、又は、本発明の他の実施形態において、任意の異なる適切な化学量論の、Ｓｉ_３Ｎ_４であり得る下部シリコン窒化物含有誘電体層３、第１下部接触層７（これは、ＩＲ反射層９と接触する）、第１伝導性（好ましくは金属性又は実質的に金属性）赤外線（ＩＲ）反射層９、第１上部接触層１１（ＩＲ反射層９に接触）、スズ酸化物含有誘電体層１３、他のシリコン窒化物含有層１４、スズ酸化物含有誘電体層１５、第２下部接触層１７（これは、ＩＲ反射層１９に接触する）、第２伝導性（好ましくは金属性又は実質的に金属性）ＩＲ反射層１９、第２上部接触層２１（ＩＲ反射層１９に接触する）、特定の例において、スズ酸化物を含んでもよい誘電体層２３、シリコン窒化物含有誘電体層２５、及びジルコニウム酸化物の又はこれを含有する任意の保護誘電体層２７を含む。「接触」層７，１１，１７，２１は、各々少なくとも１つのＩＲ反射層（例えば、Ａｇ系層）に接触する。前記スパッタ蒸着層３〜２７は、ガラス又はプラスチック基板１上に提供される低放射率コーティング３０を構成する。

一体型の例として、被覆製品は、図１（及び図２〜図４）で図に示すように１つのガラス基板１だけを含む。しかし、本明細書に記載した一体型被覆製品は（例えば、図１〜図４参照）、積層された車両遮蔽版、ＩＧ窓ユニットなどの装置に用いてもよい。ＩＧ窓ユニットに関しては、ＩＧ窓ユニットは、２つの離隔された基板を含んでもよい。例示のＩＧ窓ユニットは、米国特許第６，６３２，４９１号に図示して記載され、その全体内容は、参照として含まれる。例示のＩＧ窓ユニットは、例えば、図１〜図４に示した（又は本明細書に記載した）コーティングされたガラス基板１が他のガラス基板（図示せず）との間に限定された間隙を有するように、スペーサ、シール剤等を介して他のガラス基板に結合されたものを含む。ＩＧユニット実施形態で基板の間の間隙は、特定の例において、アルゴン（Ａｒ）などの気体で充填してもよい。

図２の実施形態は、コーティングに追加金属が追加されない１つ以上のＳｎＯ_２誘電体層を含むことを強調するために、図２の実施形態の誘電体層２３がＳｎＯ_２であることを除いて図１の実施形態と同一である。図２は、層１３，１５，２３のうちの１つ又は２つ内にＳｎＯ_２を追加金属材料を含むスズ酸化物に交換して使用してもよいことを強調する。

図３の実施形態は、低放射率コーティング６０が二重銀のコーティングでない単一銀のコーティングである被覆製品を示す。図１で識別された参照符号と同一の図３の実施形態の層は、同様の層であると考えてもよい。

図４の実施形態は、本発明の他の実施形態として低放射率コーティング７０を含む被覆製品を示す。図４の実施形態は、多数の面で図１の実施形態と互いに異なる。例えば、図１の実施形態からの層１４，１５，２７は、図４の実施形態に存在する必要はない。また、図４の実施形態は、下部シリコン窒化物含有層３と下部亜鉛酸化物含有層７との間にチタン酸化物（例えば、ＴｉＯ_２）又はこれを含む誘電体層４を含む。上記のように、同様の参照番号は、図面で類似の部分／層を意味する。

本発明の特定の実施形態において、誘電体層３，１４，２５は、シリコン窒化物であるかシリコン窒化物を含んでもよい。シリコン窒化物層３，１４は、特に被覆製品の熱処理性（例えば、焼き戻し処理など）を向上することができる。シリコン窒化物層（３及び／又は１４）は、化学量論形態（すなわち、Ｓｉ_３Ｎ_４）であったり、本発明の他の実施形態ではＳｉリッチ型のシリコン窒化物であってもよい。例えば、銀系のＩＲ反射層の下に亜鉛酸化物及び／又はスズ酸化物が組み合わせられたＳｉリッチシリコン窒化物（３及び／又は１４）により、銀が（例えば、スパッタリング等を介して）蒸着し、それによりシート抵抗は特定のその他の材料が銀の下にある場合に比べて減少する。また、Ｓｉリッチシリコン窒化物含有層３において、フリーＳｉ（ｆｒｅｅ−Ｓｉ）が存在すれば、熱処理（ＨＴ）中にガラス１から外側に移動するナトリウム（Ｎａ）などの特定の原子が銀に到達することができ、損傷する前にＳｉリッチシリコン窒化物含有層によって特定の原子が効率的に遮断されてもよい。したがって、熱処理による酸化は可視光線透過率を増加させ、本発明の特定の例示的な実施形態において、層３のＳｉリッチＳｉ_ｘＮ_ｙがＨＴ中に損傷する銀層の部分を減らし、シート抵抗（Ｒ_ｓ）を満足する方法によって減少させたり保持できることが分かる。

特定の例示的な実施形態において、Ｓｉリッチシリコン窒化物が層（３及び／又は１４）に用いられる場合、蒸着されたＳｉリッチシリコン窒化物層は、Ｓｉ_ｘＮ_ｙ層を特徴として、ｘ／ｙは、０．７６から１．５、さらに好ましくは０．８から１．４、より好ましくは０．８５から１．２であってもよい。また、特定の例示的な実施形態において、ＨＴ前及び／又は後に、ＳｉリッチＳｉ_ｘＮ_ｙ層は、屈折率「ｎ」が少なくとも２．０５、好ましくは少なくとも２．０７、場合によって少なくとも２．１０（例えば、６３２ｎｍ）である（注：用いることができる化学量論Ｓｉ_３Ｎ_４は、屈折率ｎが２．０２〜２．０４である）。特定の例示的な実施形態において、驚くべきことに、改善された熱安定性は、特に蒸着されたＳｉリッチＳｉ_ｘＮ_ｙ層の屈折率「ｎ」が少なくとも２．１０、好ましくは少なくとも２．２０、最も好ましくは２．２から２．４である場合に実現可能になることが分かった。また、特定の例示的な実施形態において、ＳｉリッチＳｉ_ｘＮ_ｙ層は、消滅係数「ｋ」が少なくとも０．００１、好ましくは少なくとも０．００３であってもよい（注：化学量論Ｓｉ_３Ｎ_４は、消滅係数ｋが効果的に０である）。また、特定の例示的な実施形態において、改善された熱安定性は、驚くべきことにＳｉリッチＳｉ_ｘＮ_ｙ層に対する「ｋ」が（５５０ｎｍの）蒸着時に０．００１から０．０５である場合に実現され得ることが分かった。ｎ及びｋは、熱処理のために減少する傾向があることに留意する。

本発明の特定の例示的な実施形態において、本明細書に検討されたシリコン窒化物層の一部及び／又は全部がステンレス鋼又はアルミニウムなどのその他の材料でドープされてもよい。例えば、本明細書で検討されたシリコン窒化物層の一部及び／又は全体は、本発明の特定の例示的な実施形態において、任意に約０〜１５％のアルミニウム、好ましくは約１〜１０％のアルミニウムを含んでもよい。シリコン窒化物は、本発明の特定の実施形態において、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気でＳｉ又はＳｉＡｌのターゲットをスパッタリングすることによって蒸着してもよい。

赤外線反射層（９及び１９）は、好ましくは実質的に又は全体的に金属性及び／又は伝導性を有し、銀（Ａｇ）、金、又は、任意のその他の適切なＩＲ反射材料を含んでもよく、本質的にこれらからなってもよい。ＩＲ反射層（９及び１９）は、コーティングが低Ｅ及び／又は良好な日光制御特徴を有するように助ける。しかし、本発明の特定の実施形態において、ＩＲ反射層は、僅かに酸化されてもよい。

本発明の特定の例示的な実施形態において、上部接触層１１，２１は、ニッケル（Ｎｉ）酸化物、クロム／クロム（Ｃｒ）酸化物、又は、ニッケル合金酸化物、例えば、ニッケルクロム酸化物（ＮｉＣｒＯ_ｘ）、又は、その他の適切な材料であったり、又はそれらを含んでもよい。例えば、このような層（１１及び／又は２１）において、ＮｉＣｒＯ_ｘ又はＮｉＣｒを用いれば、耐久性を向上させることができる。層（１１及び／又は２１）のＮｉＣｒＯ_ｘは、本発明の特定の実施形態で完全に酸化されたり（すなわち、完全に化学量論的）、又は部分的に酸化されたり（すなわち、下位酸化物）、又はＮｉＣｒの実施形態において金属性であってもよい。特定の例において、ＮｉＣｒＯ_ｘ層（１１及び／又は２１）は、少なくとも約５０％酸化されてもよい。本発明の他の実施形態において、接触層（１１及び／又は２１）（例えば、Ｎｉ及び／又はＣｒの酸化物又はそれを含む）は、酸化を段階的（ｏｘｉｄａｔｉｏｎｇｒａｄｅｄ）にしたり、段階的にしないこともある。酸化を段階的にするとは、層の厚さ全体で層の酸化程度が変化することを意味する。例えば、接触層（１１及び／又は２１）は、直接隣接したＩＲ反射層から、さらに又はより／最も遠い接触層の一部でよりも、直接隣接したＩＲ反射層と接触する界面において少なく酸化されるように段階的にすることができる。様々な形態の酸化物の段階的な接触層の説明は、米国特許第６，５７６，３４９号に記載されており、その開示は本明細書に参照として含まれる。本発明の他の実施形態において、接触層（１１及び／又は２１）（例えば、Ｎｉ及び／又はＣｒであったり、Ｎｉ及び／又はＣｒを含む）は、全体の下部ＩＲ反射層で連続的であっても連続的でなくてもよい。

本発明の特定の例示的な実施形態において、誘電体シード層７，１７は、亜鉛酸化物であるか、又は亜鉛酸化物を含んでもよい。しかし、他の例として、本明細書に記載したその他の層と同様に、その他の材料を用いてもよい。特定の好適な実施形態において、下部接触層（７及び／又は１７）は、ＺｎＯであってもよく、又はそれらを含んでもよい。亜鉛酸化物層７，１７は、その他の材料、例えば、Ａｌ（例えば、ＺｎＡｌＯ_ｘを形成するもの）を含有してもよい。例えば、本発明の特定の例示的な実施形態において、１つ以上の亜鉛酸化物層７，１７は、約１から１０％のＡｌ、好ましくは約１から５％のＡｌ、最も好ましくは約１から４％のＡｌでドープされてもよい。

本発明の特定の例示的な実施形態において、オーバーコート誘電体層２７は、ジルコニウム酸化物（例えば、ＺｒＯ_２）であってもよく、又はそれらを含んでもよい。本明細書に記載したその他の層のように、この層は、任意であって、本発明の特定の例示的な実施形態において提供される必要はない。

図１〜図４を参照すると、誘電体層１３，１５，２３，４０のうちの１つ以上は、本発明の特定の例示的な実施形態において、ＳｎＰｄの酸化物であったり、又はそれらを含んでもよく、層は、実質的に透明で完全に酸化又は実質的に完全に酸化される。例えば、ＳｎＰｄ酸化物材料は、図１〜図２の実施形態における層１５に対してだけ用いてもよく、基本的にＳｎＯ_２又はその他の適切な誘電体材料は、層１３，２３に対して用いられる。また、例えば、ＳｎＰｄの酸化物材料は、図１の実施形態に示された層１３，１５，２３のうち２つ又は３つに対して用いてもよい。別の例として、ＳｎＰｄ酸化物材料は、図３の実施形態における層（４０及び／又は１３）のうちの１つ又は両方に対して用いてもよく、図４の実施形態における層（１３及び／又は２３）のうちの１つ又は両方に対して用いてもよい。例えば、ＳｎＰｄ酸化物は、図４の実施形態における層１３に対して用いられる場合、ＳｎＯ_２、ＳｎＺｎＯ、又は、その他の適切な誘電体材料は、層２３に対して用いてもよい。特定の例示的な実施形態において、ＳｎＰｄ酸化物は、１つ以上の層１３，１５，２３，４０内に又はそのために用いられる場合、層は、好ましくは実質的にＰｄに比べて多くのＳｎを含有し；例えば、層の金属含量は、約５０〜９９．５％のＳｎ（好ましくは約６０〜９９．５％、さらに好ましくは約７０〜９９％、より好ましくは約８０〜９８％のＳｎ）、及び約０．５〜５０％のＰｄ（さらに好ましくは約０．５〜３０％、より好ましくは約１〜２０％、最も好ましくは約３〜１５％のＰｄ）である。一例として、ＳｎＰｄ酸化物を挙げることができ、金属含量は、約９０％のＳｎ及び約１０％のＰｄである。本明細書において、材料のパーセンテージ（％）は原子％を表す。当然、その他の少量の材料は層内に含まれてもよい。本発明のその他の実施形態において、追加金属Ｐｄが含まれるこのようなスズ酸化物含有材料は、米国特許第７，５２１，０９６号、同第７，８７９，４４８号、同第８，１４２，６２２号、同第７，６４８，７６９号、同第８，０１７，２４３号、同第７，５９７，９６５号、又は、同第７，８５８，１９１号の任意の文献における任意のコーティング中のスズ酸化物系の誘電体層のうちのいずれか１つに対して用いてもよく、このような文献は、本明細書に参照として含まれる。

図１〜図４を参照すると、誘電体層１３，１５，２３，４０のうちの１つ以上は、本発明の特定の例示的な実施形態において、ＳｎＡｇの酸化物であったり、又はそれを含んでもよく、層は、実質的に透明で完全に酸化又は実質的に完全に酸化される。例えば、ＳｎＡｇの酸化物材料は、図１〜図２の実施形態における層１５に対してだけ用いてもよく、基本的にＳｎＯ_２又はその他の適切な誘電体材料は、層１３，２３に対して用いられる。また、例えば、ＳｎＡｇの酸化物材料は、図１の実施形態に示された層１３，１５，２３のうち２つ又は３つに対して用いてもよい。別の例として、ＳｎＡｇの酸化物材料は、図３の実施形態における層（４０及び／又は１３）のうちの１つ又は両方に対して用いてもよく、図４の実施形態における層（１３及び／又は２３）のうちの１つ又は両方に対して用いてもよい。例えば、ＳｎＡｇの酸化物は、図４の実施形態における層１３に対して用いられる場合、ＳｎＯ_２、ＳｎＺｎＯ、又は、その他の適切な誘電体材料は、層２３に対して用いてもよい。特定の例示的な実施形態において、ＳｎＡｇの酸化物は、１つ以上の層１３，１５，２３，４０内に又はそのために用いられる場合、層は、好ましくは実質的にＡｇに比べて多くのＳｎを含有し；例えば層の金属含量は、約６０〜９９．５％のＳｎ（好ましくは約７０〜９９．５％、さらに好ましくは約７５〜９９％、より好ましくは約８５〜９９％の又は９０〜９８％のＳｎ）及び約０．５〜４０％のＡｇ（さらに好ましくは約０．５〜３０％、より好ましくは約１〜２０％、最も好ましくは約１〜１０％のＡｇ）である。一例として、ＳｎＡｇ酸化物を挙げることができ、金属含量は、約９５％のＳｎ及び約５％のＡｇである。当然、その他の少量の材料は層内に含まれてもよい。本発明のその他の実施形態において、追加金属Ａｇが含まれるこのようなスズ酸化物含有材料は、米国特許第７，５２１，０９６号、同第７，８７９，４４８号、同第８，１４２，６２２号、同第７，６４８，７６９号、同第８，０１７，２４３号、同第７，５９７，９６５号、又は、同第７，８５８，１９１号の任意の文献における任意のコーティング中のスズ酸化物系の誘電体層のうちのいずれか１つに対して用いてもよい。

図１〜図４を参照すると、誘電体層１３，１５，２３，４０のうちの１つ以上は、本発明の特定の例示的な実施形態において、ＳｎＭｇの酸化物であったり、又はそれを含んでもよく、層は、実質的に透明で完全に酸化又は実質的に完全に酸化される。例えば、ＳｎＭｇの酸化物材料は、図１〜図２の実施形態における層１５に対してだけ用いてもよく、基本的にＳｎＯ_２又はその他の適切な誘電体材料は、層１３，２３に対して用いられる。また、例えば、ＳｎＭｇの酸化物材料は、図１の実施形態に示された層１３，１５，２３のうち２つ又は３つに対して用いてもよい。別の例として、ＳｎＭｇの酸化物材料は、図３の実施形態における層（４０及び／又は１３）のうちの１つ又は両方に対して用いてもよく、図４の実施形態における層（１３及び／又は２３）のうちの１つ又は両方に対して用いてもよい。例えば、ＳｎＭｇの酸化物は、図４の実施形態における層１３に対して用いられる場合、ＳｎＯ_２、ＳｎＺｎＯ、又は、その他の適切な誘電体材料は、層２３に対して用いてもよい。特定の例示的な実施形態において、ＳｎＭｇの酸化物は、１つ以上の層１３，１５，２３，４０内に又はそのために用いられる場合、層は、好ましくは実質的にＭｇに比べて多くのＳｎを含有し；例えば、層の金属含量は、約５０〜９９．５％のＳｎ（好ましくは約６０〜９９．５％、さらに好ましくは約７０〜９９％、より好ましくは約８０〜９８％のＳｎ）及び約０．５〜５０％のＭｇ（さらに好ましくは約０．５〜３０％、より好ましくは約１〜２０％、最も好ましくは約３〜１５％のＭｇ）である。一例として、ＳｎＭｇ酸化物を挙げることができ、金属含量は、約９０％のＳｎ及び約１０％のＭｇである。当然、その他の少量の材料は層内に含まれてもよい。本発明のその他の実施形態において、追加金属Ｍｇが含まれるこのようなスズ酸化物含有材料は、米国特許第７，５２１，０９６号、同第７，８７９，４４８号、同第８，１４２，６２２号、同第７，６４８，７６９号、同第８，０１７，２４３号、同第７，５９７，９６５号、又は、同第７，８５８，１９１号の任意の文献における任意のコーティング中のスズ酸化物系の誘電体層のうちのいずれか１つに対して用いてもよい。

図１〜図４を参照すると、誘電体層１３，１５，２３，４０のうちの１つ以上は、本発明の特定の例示的な実施形態において、ＳｎＳｂの酸化物であったり、又はそれを含んでもよく、層は、実質的に透明で完全に酸化又は実質的に完全に酸化される。例えば、ＳｎＳｂの酸化物材料は、図１〜図２の実施形態における層１５に対してだけ用いてもよく、基本的にＳｎＯ_２又はその他の適切な誘電体材料は、層１３，２３に対して用いられる。また、例えば、ＳｎＳｂの酸化物材料は、図１の実施形態に示された層１３，１５，２３のうち２つ又は３つに対して用いてもよい。別の例として、ＳｎＳｂの酸化物材料は、図３の実施形態における層（４０及び／又は１３）のうちの１つ又は両方に対して用いてもよく、図４の実施形態における層（１３及び／又は２３）のうちの１つ又は両方に対して用いてもよい。例えば、ＳｎＳｂの酸化物は、図４の実施形態における層１３に対して用いられる場合、ＳｎＯ_２、ＳｎＺｎＯ、又は、その他の適切な誘電体材料は、層２３に対して用いてもよい。特定の例示的な実施形態において、ＳｎＳｂの酸化物は、１つ以上の層１３，１５，２３，４０内に又はそのために用いられる場合、層は、好ましくは実質的にＳｂに比べて多くのＳｎを含有し；例えば層の金属含量は、約６０〜９９．５％のＳｎ（好ましくは約７０〜９９．５％、さらに好ましくは約７５〜９９％、より好ましくは約８５〜９９％又は９０〜９８％のＳｎ）及び約０．５〜４０％のＳｂ（さらに好ましくは約０．５〜３０％、より好ましくは約１〜２０％、最も好ましくは約１〜１０％のＳｂ）である。一例として、ＳｎＳｂ酸化物を挙げることができ、金属含量は、約９５％のＳｎ及び約５％のＳｂである。当然、その他の少量の材料は層内に含まれてもよい。本発明のその他の実施形態において、追加金属Ｓｂが含まれるこのようなスズ酸化物含有材料は、米国特許第７，５２１，０９６号、同第７，８７９，４４８号、同第８，１４２，６２２号、同第７，６４８，７６９号、同第８，０１７，２４３号、同第７，５９７，９６５号、又は、同第７，８５８，１９１号の任意の文献における任意のコーティング中のスズ酸化物系の誘電体層のうちのいずれか１つに対して用いてもよい。

図１〜図４を参照すると、誘電体層１３，１５，２３，４０のうちの１つ以上は、本発明の特定の例示的な実施形態において、ＳｎＺｎＢｉの酸化物であったり、又はそれを含んでもよく、層は、実質的に透明で完全に酸化又は実質的に完全に酸化される。例えば、ＳｎＺｎＢｉの酸化物材料は、図１〜図２の実施形態における層１５に対してだけ用いてもよく、基本的にＳｎＯ_２又はその他の適切な誘電体材料は、層１３，２３に対して用いられる。また、例えば、ＳｎＺｎＢｉの酸化物材料は、図１の実施形態に示された層１３，１５，２３のうち２つ又は３つに対して用いてもよい。別の例として、ＳｎＺｎＢｉの酸化物材料は、図３の実施形態における層（４０及び／又は１３）のうちの１つ又は両方に対して用いてもよく、図４の実施形態における層（１３及び／又は２３）のうちの１つ又は両方に対して用いてもよい。例えば、ＳｎＺｎＢｉの酸化物は、図４の実施形態における層１３に対して用いられる場合、ＳｎＯ_２、ＳｎＺｎＯ、又は、その他の適切な誘電体材料は、層２３に対して用いてもよい。特定の例示的な実施形態において、ＳｎＺｎＢｉの酸化物は、１つ以上の層１３，１５，２３，４０内に又はそのために用いられる場合、層は、好ましくは実質的にＢｉに比べて多くのＳｎ及びＺｎを含有し、例えば層の金属含量は、約１０〜７０％のＳｎ（好ましくは約２０〜６０％、さらに好ましくは約３０〜５０％、より好ましくは約３５〜４５％のＳｎ）、約２０〜８０％のＺｎ（好ましくは約３０〜７０％、さらに好ましくは約４０〜６０％、より好ましくは約４５〜５５％のＺｎ）、及び約１〜６０％のＢｉ（さらに好ましくは約１〜３０％、より好ましくは約２〜２０％、最も好ましくは約３〜１５％のＢｉ）である。一例として、ＳｎＺｎＢｉ酸化物を挙げることができ、金属含量は、約４０％のＳｎ、約５０％のＺｎ、及び約１０％のＢｉである。当然、その他の少量の材料は層内に含まれてもよい。本発明のその他の実施形態において、追加金属Ｚｎ及びＢｉが含まれるこのようなスズ酸化物含有材料は、米国特許第７，５２１，０９６号、同第７，８７９，４４８号、同第８，１４２，６２２号、同第７，６４８，７６９号、同第８，０１７，２４３号、同第７，５９７，９６５号、又は、同第７，８５８，１９１号の任意の文献における任意のコーティング中のスズ酸化物系の誘電体層のうちのいずれか１つに対して用いてもよい。

図１〜図４を参照すると、誘電体層１３，１５，２３，４０のうちの１つ以上は、本発明の特定の例示的な実施形態において、ＳｎＩｎＺｎの酸化物であったり、又はそれを含んでもよく、層は、実質的に透明で完全に酸化又は実質的に完全に酸化される。例えば、ＳｎＩｎＺｎの酸化物材料は、図１〜図２の実施形態における層１５に対してだけ用いてもよく、基本的にＳｎＯ_２又はその他の適切な誘電体材料は、層１３，２３に対して用いられる。また、例えば、ＳｎＩｎＺｎの酸化物材料は、図１の実施形態に示された層１３，１５，２３のうち２つ又は３つに対して用いてもよい。別の例として、ＳｎＩｎＺｎの酸化物材料は、図３の実施形態における層（４０及び／又は１３）のうちの１つ又は両方に対して用いてもよく、図４の実施形態における層（１３及び／又は２３）のうちの１つ又は両方に対して用いてもよい。例えば、ＳｎＩｎＺｎの酸化物は、図４の実施形態における層１３に対して用いられる場合、ＳｎＯ_２、ＳｎＺｎＯ、又は、その他の適切な誘電体材料は、層２３に対して用いてもよい。特定の例示的な実施形態において、ＳｎＩｎＺｎの酸化物は、１つ以上の層１３，１５，２３，４０内に又はそのために用いられる場合、層は、好ましくは実質的にＺｎに比べて多くのＩｎ及びＳｎを含有し；例えば層の金属含量は、約１０〜７０％のＳｎ（好ましくは約２０〜６０％、さらに好ましくは約３０〜５５％、より好ましくは約４０〜５０％のＳｎ）、約２０〜８０％のＩｎ（好ましくは約３０〜７０％、さらに好ましくは約４０〜６０％、より好ましくは約４５〜５５％のＩｎ）、及び約０．５〜５０％のＺｎ（さらに好ましくは約０．５〜３０％、より好ましくは約１〜２０％、最も好ましくは約１〜１０％のＺｎ）である。一例として、ＳｎＩｎＺｎ酸化物を挙げることができ、金属含量は、約４６％のＳｎ、約５２％のＩｎ、及び約２％のＺｎである。当然、その他の少量の材料は層内に含まれてもよい。本発明のその他の実施形態において、追加金属Ｚｎ及びＩｎが含まれるこのようなスズ酸化物含有材料は、米国特許第７，５２１，０９６号、同第７，８７９，４４８号、同第８，１４２，６２２号、同第７，６４８，７６９号、同第８，０１７，２４３号、同第７，５９７，９６５号、又は、同第７，８５８，１９１号の任意の文献における任意のコーティング中のスズ酸化物系の誘電体層のうちのいずれか１つに対して用いてもよい。

図１〜図４を参照すると、誘電体層１３，１５，２３，４０のうちの１つ以上は、本発明の特定の例示的な実施形態において、ＳｎＺｎＳｂの酸化物であったり、又はそれを含んでもよく、層は、実質的に透明で完全に酸化又は実質的に完全に酸化される。例えば、ＳｎＺｎＳｂの酸化物材料は、図１〜図２の実施形態における層１５に対してだけ用いてもよく、基本的にＳｎＯ_２又はその他の適切な誘電体材料は、層１３，２３に対して用いられる。また、例えば、ＳｎＺｎＳｂの酸化物材料は、図１の実施形態に示された層１３，１５，２３のうち２つ又は３つに対して用いてもよい。別の例として、ＳｎＺｎＳｂの酸化物材料は、図３の実施形態における層（４０及び／又は１３）のうちの１つ又は両方に対して用いてもよく、図４の実施形態における層（１３及び／又は２３）のうちの１つ又は両方に対して用いてもよい。例えば、ＳｎＺｎＳｂの酸化物は、図４の実施形態における層１３に対して用いられる場合、ＳｎＯ_２、ＳｎＺｎＯ、又は、その他の適切な誘電体材料は、層２３に対して用いてもよい。特定の例示的な実施形態において、ＳｎＺｎＳｂの酸化物は、１つ以上の層１３，１５，２３，４０内に又はそのために用いられる場合、層は、好ましくは実質的にＳｂに比べて多くのＺｎ及びＳｎを含有し；例えば層の金属含量は、約１０〜７０％のＳｎ（好ましくは約１０〜５５％、さらに好ましくは約２０〜４０％、より好ましくは約２５〜３５％のＳｎ）、約２０〜８０％のＺｎ（好ましくは約３０〜７０％、さらに好ましくは約４０〜６０％、より好ましくは約４５〜５５％のＺｎ）、及び約１〜６０％のＳｂ（さらに好ましくは約５〜４０％、より好ましくは約１０〜３０％、最も好ましくは約１５〜２５％のＳｂ）である。一例として、ＳｎＺｎＳｂ酸化物を挙げることができ、金属含量は、約３０％のＳｎ、約５０％のＺｎ、及び約２０％のＳｂである。当然、その他の少量の材料は層内に含まれてもよい。本発明のその他の実施形態において、追加金属Ｚｎ及びＳｂが含まれるこのようなスズ酸化物含有材料は、米国特許第７，５２１，０９６号、同第７，８７９，４４８号、同第８，１４２，６２２号、同第７，６４８，７６９号、同第８，０１７，２４３号、同第７，５９７，９６５号、又は、同第７，８５８，１９１号の任意の文献における任意のコーティング中のスズ酸化物系の誘電体層のうちのいずれか１つに対して用いてもよい。

図１〜図４を参照すると、誘電体層１３，１５，２３，４０のうちの１つ以上は、本発明の特定の例示的な実施形態において、ＳｎＺｎＡｌの酸化物であったり、又はそれを含んでもよく、層は、実質的に透明で完全に酸化又は実質的に完全に酸化される。例えば、ＳｎＺｎＡｌの酸化物材料は、図１〜図２の実施形態における層１５に対してだけ用いてもよく、基本的にＳｎＯ_２又はその他の適切な誘電体材料は、層１３，２３に対して用いられる。また、例えば、ＳｎＺｎＡｌの酸化物材料は、図１の実施形態に示された層１３，１５，２３のうち２つ又は３つに対して用いてもよい。別の例として、ＳｎＺｎＡｌの酸化物材料は、図３の実施形態における層（４０及び／又は１３）のうちの１つ又は両方に対して用いてもよく、図４の実施形態における層（１３及び／又は２３）のうちの１つ又は両方に対して用いてもよい。例えば、ＳｎＺｎＡｌの酸化物は、図４の実施形態における層１３に対して用いられる場合、ＳｎＯ_２、ＳｎＺｎＯ、又は、その他の適切な誘電体材料は、層２３に対して用いてもよい。特定の例示的な実施形態において、ＳｎＺｎＡｌの酸化物は、１つ以上の層１３，１５，２３，４０内に又はそのために用いられる場合、層は、好ましくは実質的にＡｌに比べて多くのＺｎ及びＳｎを含有し；例えば層の金属含量は、約３０〜９５％のＳｎ（好ましくは約４０〜９３％、さらに好ましくは約６０〜９０％、より好ましくは約７５〜８６％のＳｎ）、約０．５〜６０％のＺｎ（好ましくは約２〜３５％、さらに好ましくは約４〜２０％、より好ましくは約５〜１５％のＺｎ）、及び約０．５〜２０％のＡｌ（さらに好ましくは約０．５〜１５％、より好ましくは約１〜１５％、最も好ましくは約３〜１０％のＡｌ）である。一例として、ＳｎＺｎＡｌ酸化物を挙げることができ、金属含量は、約８３％のＳｎ、約１０％のＺｎ、及び約７％のＡｌである。当然、その他の少量の材料は層内に含まれてもよい。本発明のその他の実施形態において、追加金属Ｚｎ及びＡｌが含まれるこのようなスズ酸化物含有材料は、米国特許第７，５２１，０９６号、同第７，８７９，４４８号、同第８，１４２，６２２号、同第７，６４８，７６９号、同第８，０１７，２４３号、同第７，５９７，９６５号、又は、同第７，８５８，１９１号の任意の文献における任意のコーティング中のスズ酸化物系の誘電体層のうちのいずれか１つに対して用いてもよい。

図１〜図４を参照すると、誘電体層１３，１５，２３，４０のうちの１つ以上は、本発明の特定の例示的な実施形態において、ＳｎＺｎＭｇの酸化物であったり、又はそれを含んでもよく、層は、実質的に透明で完全に酸化又は実質的に完全に酸化される。例えば、ＳｎＺｎＭｇの酸化物材料は、図１〜図２の実施形態における層１５に対してだけ用いてもよく、基本的にＳｎＯ_２又はその他の適切な誘電体材料は、層１３，２３に対して用いられる。また、例えば、ＳｎＺｎＭｇの酸化物材料は、図１の実施形態に示された層１３，１５，２３のうち２つ又は３つに対して用いてもよい。別の例として、ＳｎＺｎＭｇの酸化物材料は、図３の実施形態における層（４０及び／又は１３）のうちの１つ又は両方に対して用いてもよく、図４の実施形態における層（１３及び／又は２３）のうちの１つ又は両方に対して用いてもよい。例えば、ＳｎＺｎＭｇの酸化物は、図４の実施形態における層１３に対して用いられる場合、ＳｎＯ_２、ＳｎＺｎＯ、又は、その他の適切な誘電体材料は、層２３に対して用いてもよい。特定の例示的な実施形態において、ＳｎＺｎＭｇの酸化物は、１つ以上の層１３，１５，２３，４０内に又はそのために用いられる場合、層は、好ましくは実質的にＭｇに比べて多くのＺｎ及びＳｎを含有し；例えば層の金属含量は、約３０〜９５％のＳｎ（好ましくは約４０〜９３％、さらに好ましくは約６０〜９０％、より好ましくは約７５〜８７％のＳｎ）、約０．５〜６０％のＺｎ（好ましくは約２〜３５％、さらに好ましくは約４〜２０％、より好ましくは約５〜１５％のＺｎ）、及び約０．５〜２０％のＭｇ（さらに好ましくは約０．５〜１２％、より好ましくは約１〜１５％、最も好ましくは約３〜１０％のＭｇ）である。一例として、ＳｎＺｎＭｇ酸化物を挙げることができ、金属含量は、約８５％のＳｎ、約１０％のＺｎ、及び約５％のＭｇである。当然、その他の少量の材料は層内に含まれてもよい。本発明のその他の実施形態において、追加金属Ｚｎ及びＭｇが含まれるこのようなスズ酸化物含有材料は、米国特許第７，５２１，０９６号、同第７，８７９，４４８号、同第８，１４２，６２２号、同第７，６４８，７６９号、同第８，０１７，２４３号、同第７，５９７，９６５号、又は、同第７，８５８，１９１号の任意の文献における任意のコーティング中のスズ酸化物系の誘電体層のうちのいずれか１つに対して用いてもよい。

図１〜図４を参照すると、誘電体層１３，１５，２３，４０のうちの１つ以上は、本発明の特定の例示的な実施形態において、ＳｎＣｕＳｂの酸化物であったり、又はそれを含んでもよく、層は、実質的に透明で完全に酸化又は実質的に完全に酸化される（本明細書に用いられた「実質的に完全に酸化された」は、完全に酸化された場合の少なくとも約８０％まで酸化されることを意味する）。例えば、ＳｎＣｕＳｂの酸化物材料は、図１〜図２の実施形態における層１５に対してだけ用いてもよく、基本的にＳｎＯ_２又はその他の適切な誘電体材料は、層１３，２３に対して用いられる。また、例えば、ＳｎＣｕＳｂの酸化物材料は、図１の実施形態に示された層１３，１５，２３のうち２つ又は３つに対して用いてもよい。別の例として、ＳｎＣｕＳｂの酸化物材料は、図３の実施形態における層（４０及び／又は１３）のうちの１つ又は両方に対して用いてもよく、図４の実施形態における層（１３及び／又は２３）のうちの１つ又は両方に対して用いてもよい。例えば、ＳｎＣｕＳｂの酸化物は、図４の実施形態における層１３に対して用いられる場合、ＳｎＯ_２、ＳｎＺｎＯ、又は、その他の適切な誘電体材料は、層２３に対して用いてもよい。特定の例示的な実施形態において、ＳｎＣｕＳｂの酸化物は、１つ以上の層１３，１５，２３，４０内に又はそのために用いられる場合、層は、好ましくは実質的にＣｕ及びＳｂに比べて多くのＳｎを含有し；例えば層の金属含量は、約３０〜９７％のＳｎ（好ましくは約４５〜９５％、さらに好ましくは約６０〜９５％、より好ましくは約８０〜９５％のＳｎ）、約０．１〜２０％のＣｕ（好ましくは約０．１〜１０％、さらに好ましくは約１〜８％、より好ましくは約２〜７％のＣｕ）、及び約０．１〜２０％のＳｂ（さらに好ましくは約０．５〜１５％、より好ましくは約１〜１０％、最も好ましくは約２〜８％のＳｂ）である。一例として、ＳｎＣｕＳｂ酸化物を挙げることができ、金属含量は、約９１％のＳｎ、約４．５％のＣｕ、及び約４．５％のＳｂである。当然、その他の少量の材料は層内に含まれてもよい。本発明のその他の実施形態において、追加金属Ｃｕ及びＳｂが含まれるこのようなスズ酸化物含有材料は、米国特許第７，５２１，０９６号、同第７，８７９，４４８号、同第８，１４２，６２２号、同第７，６４８，７６９号、同第８，０１７，２４３号、同第７，５９７，９６５号、又は同第７，８５８，１９１号の任意の文献における任意のコーティング中のスズ酸化物系の誘電体層のうちのいずれか１つに対して用いてもよい。

図１〜図４を参照すると、誘電体層１３，１５，２３，４０のうちの１つ以上は、本発明の特定の例示的な実施形態において、ＳｎＣｕＢｉの酸化物であったり、又はそれを含んでもよく、層は、実質的に透明で完全に酸化又は実質的に完全に酸化される。例えば、ＳｎＣｕＢｉの酸化物材料は、図１〜図２の実施形態における層１５に対してだけ用いてもよく、基本的にＳｎＯ_２又はその他の適切な誘電体材料は、層１３，２３に対して用いられる。また、例えば、ＳｎＣｕＢｉの酸化物材料は、図１の実施形態に示された層１３，１５，２３のうち２つ又は３つに対して用いてもよい。別の例として、ＳｎＣｕＢｉの酸化物材料は、図３の実施形態における層（４０及び／又は１３）のうちの１つ又は両方に対して用いてもよく、図４の実施形態における層（１３及び／又は２３）のうちの１つ又は両方に対して用いてもよい。例えば、ＳｎＣｕＢｉの酸化物は、図４の実施形態における層１３に対して用いられる場合、ＳｎＯ_２、ＳｎＺｎＯ、又は、その他の適切な誘電体材料は、層２３に対して用いてもよい。特定の例示的な実施形態において、ＳｎＣｕＢｉの酸化物は、１つ以上の層１３，１５，２３，４０内に又はそのために用いられる場合、層は、好ましくは実質的にＣｕ及びＢｉに比べて多くのＳｎを含有し；例えば層の金属含量は、約３０〜９７％のＳｎ（好ましくは約４５〜９５％、さらに好ましくは約６０〜９５％、より好ましくは約８０〜９５％のＳｎ）、約０．１〜２０％のＣｕ（好ましくは約０．１〜１０％、さらに好ましくは約１〜８％、より好ましくは約２〜７％のＣｕ）、及び約０．１〜２０％のＢｉ（さらに好ましくは約０．５〜１５％、より好ましくは約１〜１０％、最も好ましくは約２〜８％のＢｉ）である。一例として、ＳｎＣｕＢｉ酸化物を挙げることができ、金属含量は、約９１％のＳｎ、約４．５％のＣｕ、及び約４．５％のＢｉである。当然、その他の少量の材料は層内に含まれてもよい。本発明のその他の実施形態において、追加金属Ｃｕ及びＢｉが含まれるこのようなスズ酸化物含有材料は、米国特許第７，５２１，０９６号、同第７，８７９，４４８号、同第８，１４２，６２２号、同第７，６４８，７６９号、同第８，０１７，２４３号、同第７，５９７，９６５号、又は同第７，８５８，１９１号の任意の文献における任意のコーティング中のスズ酸化物系の誘電体層のうちのいずれか１つに対して用いてもよい。

図１〜図４を参照すると、誘電体層１３，１５，２３，４０のうちの１つ以上は、本発明の特定の例示的な実施形態において、ＳｎＺｎＢｉＩｎの酸化物であったり、又はそれを含んでもよく、層は、実質的に透明で完全に酸化又は実質的に完全に酸化される。例えば、ＳｎＺｎＢｉＩｎの酸化物材料は、図１〜図２の実施形態における層１５に対してだけ用いてもよく、基本的にＳｎＯ_２又はその他の適切な誘電体材料は、層１３，２３に対して用いられる。また、例えば、ＳｎＺｎＢｉＩｎの酸化物材料は、図１の実施形態に示された層１３，１５，２３のうち２つ又は３つに対して用いてもよい。別の例として、ＳｎＺｎＢｉＩｎの酸化物材料は、図３の実施形態における層（４０及び／又は１３）のうちの１つ又は両方に対して用いてもよく、図４の実施形態における層（１３及び／又は２３）のうちの１つ又は両方に対して用いてもよい。例えば、ＳｎＺｎＢｉＩｎの酸化物は、図４の実施形態における層１３に対して用いられる場合、ＳｎＯ_２、ＳｎＺｎＯ、又は、その他の適切な誘電体材料は、層２３に対して用いてもよい。特定の例示的な実施形態において、ＳｎＺｎＢｉＩｎの酸化物は、１つ以上の層１３，１５，２３，４０内に又はそのために用いられる場合、層は、好ましくは実質的にＺｎ、Ｂｉ、及びＩｎに比べて多くのＳｎを含有し；例えば層の金属含量は、約３０〜９５％のＳｎ（好ましくは約４０〜９５％、さらに好ましくは約７０〜９３％、より好ましくは約７５〜９１％のＳｎ）、約１〜５０％のＺｎ（好ましくは約１〜３０％、さらに好ましくは約２〜１５％、より好ましくは約３〜１０％のＺｎ）、約０．５〜２０％のＢｉ（さらに好ましくは約０．５〜１５％、より好ましくは約１〜１０％、最も好ましくは約２〜７％のＢｉ）、及び約０．１〜２０％のＩｎ（さらに好ましくは約０．１〜１５％、より好ましくは約０．１〜６％、最も好ましくは約２〜７％のＩｎ）である。一例として、ＳｎＺｎＢｉＩｎ酸化物を挙げることができ、金属含量は、約８６．５％のＳｎ、約５．５％のＺｎ、約３．５％のＢｉ、及び約４．５％のＩｎである。当然、その他の少量の材料は層内に含まれてもよい。本発明のその他の実施形態において、追加金属Ｚｎ、Ｂｉ及びＩｎが含まれるこのようなスズ酸化物含有材料は、米国特許第７，５２１，０９６号、同第７，８７９，４４８号、同第８，１４２，６２２号、同第７，６４８，７６９号、同第８，０１７，２４３号、同第７，５９７，９６５号、又は同第７，８５８，１９１号の任意の文献における任意のコーティング中のスズ酸化物系の誘電体層のうちのいずれか１つに対して用いてもよい。

上述したコーティングの上又は下にその他の層がまた提供されてもよい。したがって、層システム又はコーティングが基板１「上に」あったり、基板１に「よって支持される」（直接又は間接的）ものであっても、その間に他の層が提供されてもよい。したがって、例えば、図１〜図４のコーティングは、層３と基板１との間にその他の層が提供されても、基板１「上に」あったり、基板１に「よって支持される」ものと見ることができる。また、特定の実施形態において、図示されたコーティングの特定の層は、除去されてもよいが、本発明の特定の実施形態の全体の思想を逸脱しない範囲で、その他の層が様々な層の間に追加されたり、本発明のその他の実施形態において、様々な層が分離した領域の間に追加されるその他の層によって分離されてもよい。

本発明の他の実施形態において、様々な厚さ及び材料が層に用いられるが、図１〜図２の実施形態において、ガラス基板１上のガラス基板から外部へのそれぞれの層の厚さ及び材料の例は次のようになる（下記スズ酸化物＋Ｍ層のうちの１つ以上は、誘電体層が追加金属を有するスズ酸化物又はそれを含む上述した材料中の任意のものであってもよく、又はスズ酸化物であってもよいことに注意する）。

本発明の特定の例示的な実施形態において、ガラス基板上に低放射率コーティングを含む被覆製品が提供され、コーティングは、第１誘電体層と、前記ガラス基板上に少なくとも前記第１誘電体層上に位置する第１ＩＲ反射層及び第２ＩＲ反射層と、少なくとも前記第１ＩＲ反射層と第２ＩＲ反射層との間に位置する第２誘電体層とを含み、前記第２誘電体層（例えば、図面内の１３及び／又は１５）は、ＳｎＰｄ、ＳｎＡｇ、ＳｎＭｇ、ＳｎＳｂ、ＳｎＺｎＢｉ、ＳｎＩｎＺｎ、ＳｎＺｎＳｂ、ＳｎＺｎＡｌ、ＳｎＺｎＭｇ、ＳｎＣｕＳｂ、ＳｎＣｕＢｉ、ＳｎＢｉ、ＳｎＷ、ＳｎＳｂＢｉ、ＳｎＺｎＣｕ、ＳｎＺｎＢｉＩｎ、及びＳｎＩｎＧａのうちの１つ以上の酸化物を含む。第２誘電体層は、完全に酸化されたり実質的に完全に酸化されてもよい。特定の例において、コーティングは（例えば、銀であるか銀を含む）２つ又は３つのＩＲ反射層を含んでもよい。

直前の段落の被覆製品で、第１ＩＲ反射層及び第２ＩＲ反射層は、銀であるか銀を含んでもよい。

前記２つの段落のうちいずれか１つの被覆製品において、前記第１誘電体層は、亜鉛酸化物を含み、前記ガラス基板と前記第１ＩＲ反射層との間に位置してよく、前記亜鉛酸化物を含む第１誘電体層は、前記第１ＩＲ反射層と直接接触してもよい。

前記３つの段落のうちいずれか１つの被覆製品において、前記コーティングは、前記ガラス基板と前記第１ＩＲ反射層との間にシリコン窒化物を含む層をさらに含んでもよい。

前記４つの段落のうちいずれか１つの被覆製品において、前記コーティングは、少なくとも前記第１ＩＲ反射層と第２ＩＲ反射層との間に位置する第３誘電体層をさらに含んでよく、前記第２及び第３誘電体層は、少なくとも第４誘電体層によって分離し、前記第３誘電体層は、ＳｎＰｄ、ＳｎＡｇ、ＳｎＭｇ、ＳｎＳｂ、ＳｎＺｎＢｉ、ＳｎＩｎＺｎ、ＳｎＺｎＳｂ、ＳｎＺｎＡｌ、ＳｎＺｎＭｇ、ＳｎＣｕＳｂ、ＳｎＣｕＢｉ、ＳｎＢｉ、ＳｎＷ、ＳｎＳｂＢｉ、ＳｎＺｎＣｕ、ＳｎＺｎＢｉＩｎ、及びＳｎＩｎＧａのうちの１つ以上の酸化物を含んでもよい。前記第４誘電体層は、シリコン窒化物を含んでもよい。前記コーティングは、前記第２ＩＲ反射層の下に直接接触する亜鉛酸化物を含む他の層をさらに含んでもよい。

前記５つの段落のうちいずれか１つの被覆製品は、可視光線透過率が少なくとも３０％、好ましくは少なくとも約３０％、さらに好ましくは少なくとも約５０％又は６０％であってもよい。

前記６つの段落のうちいずれか１つの被覆製品において、前記コーティングは、シート抵抗が５Ω／□以下であってもよい。

前記７つの段落のうちいずれか１つの被覆製品は、熱処理（例えば、焼き戻し処理）してもよい。被覆製品は、熱処理によってガラス側反射率ΔＥ^＊が５．０以下（好ましくは４．５又は４．０以下）であってもよい。

前記８つの段落のうちいずれか１つの被覆製品において、前記第２誘電体層は、ＳｎＰｄの酸化物を含んだり実質的にこれらからなってもよい。前記第２誘電体層の金属含量は、約７０〜９９％のＳｎ及び約１〜２０％のＰｄを含んでもよい。前記８つの段落のうちいずれか１つの被覆製品において、前記第２誘電体層は、ＳｎＡｇの酸化物を含んだり実質的にこれらからなってもよい。前記第２誘電体層の金属含量は、約７５〜９９％のＳｎ及び約１〜１０％のＡｇを含んでもよい。前記８つの段落のうちいずれか１つの被覆製品において、前記第２誘電体層は、ＳｎＭｇの酸化物を含んだり実質的にこれらからなってもよい。前記第２誘電体層の金属含量は、約７０〜９９％のＳｎ及び約１〜２０％のＭｇを含んでもよい。前記８つの段落のうちいずれか１つの被覆製品において、前記第２誘電体層は、ＳｎＳｂの酸化物を含んだり実質的にこれらからなってもよい。前記第２誘電体層の金属含量は、約７５〜９９％のＳｎ及び約１〜２０％のＳｂを含んでもよい。前記８つの段落のうちいずれか１つの被覆製品において、前記第２誘電体層は、ＳｎＺｎＢｉの酸化物を含んだり実質的にこれらからなってもよい。前記第２誘電体層の金属含量は、約２０〜６０％のＳｎ、約３０〜７０％のＺｎ、及び約２〜２０％のＢｉを含んでもよい。前記８つの段落のうちいずれか１つの被覆製品において、前記第２誘電体層は、ＳｎＩｎＺｎの酸化物を含んだり実質的にこれらからなってもよい。前記第２誘電体層の金属含量は、約２０〜６０％のＳｎ、約３０〜７０％のＩｎ、及び約１〜２０％のＺｎを含んでもよい。前記８つの段落のうちいずれか１つの被覆製品において、前記第２誘電体層は、ＳｎＺｎＳｂの酸化物を含んだり実質的にこれらからなってもよい。前記第２誘電体層の金属含量は、約１０〜５５％のＳｎ、約３０〜７０％のＺｎ、及び約５〜４０％のＳｂを含んでもよい。前記８つの段落のうちいずれか１つの被覆製品において、前記第２誘電体層は、ＳｎＺｎＡｌの酸化物を含んだり実質的にこれらからなってもよい。前記第２誘電体層の金属含量は、約４０〜９３％のＳｎ、約２〜３５％のＺｎ、及び約１〜１５％のＡｌを含んでもよい。前記８つの段落のうちいずれか１つの被覆製品において、前記第２誘電体層は、ＳｎＺｎＭｇの酸化物を含んだり実質的にこれらからなってもよい。前記８つの段落のうちいずれか１つの被覆製品において、前記第２誘電体層は、ＳｎＣｕＳｂの酸化物を含んだり実質的にこれらからなってもよい。前記８つの段落のうちいずれか１つの被覆製品において、前記第２誘電体層は、ＳｎＣｕＢｉの酸化物を含んだり実質的にこれらからなってもよい。前記８つの段落のうちいずれか１つの被覆製品において、前記第２誘電体層は、ＳｎＺｎＢｉＩｎの酸化物を含んだり実質的にこれらからなってもよい。本発明の特定の例示的な実施形態において、コーティングの異なる誘電体層は、このような材料からなる様々なコーティングであってもよい。

前記９つの段落のうちいずれか１つの被覆製品において、前記第２誘電体層は、ＳｎＰｄ、ＳｎＡｇ、ＳｎＩｎＺｎ、ＳｎＣｕＳｂ、ＳｎＣｕＢｉ、ＳｎＷ、ＳｎＺｎＣｕ、ＳｎＺｎＢｉＩｎ、及びＳｎＩｎＧａのうちの１つ以上の酸化物を含んだり実質的にこれらからなってもよい。

前記１０個の段落のうちいずれか１つの被覆製品において、第２誘電体層は、二元合金の酸化物を含んだり実質的にこれらからなってもよい。

本発明は、現在最も実用的かつ好ましい実施形態であると考えられるものに関して説明してきたが、本発明は開示された実施形態に限定されるものではなく、添付する請求の範囲の思想と範囲内に含まれる様々な変更及び同等な配列を含むものと理解される。

Claims

ガラス基板上に低放射率コーティングを含む被覆製品であって、
前記コーティングは、
第１誘電体層と、
少なくとも前記第１誘電体層上に位置する前記ガラス基板上の第１ＩＲ反射層及び第２ＩＲ反射層と、
少なくとも前記第１ＩＲ反射層と第２ＩＲ反射層との間に位置する第２誘電体層と、
を含み、
前記第２誘電体層は、ＳｎＰｄ、ＳｎＡｇ、ＳｎＭｇ、ＳｎＳｂ、ＳｎＺｎＢｉ、ＳｎＩｎＺｎ、ＳｎＺｎＳｂ、ＳｎＺｎＡｌ、ＳｎＺｎＭｇ、ＳｎＣｕＳｂ、ＳｎＣｕＢｉ、ＳｎＢｉ、ＳｎＷ、ＳｎＳｂＢｉ、ＳｎＺｎＣｕ、ＳｎＺｎＢｉＩｎ、及びＳｎＩｎＧａのうちの１つ以上の酸化物を含む、被覆製品。
前記第１ＩＲ反射層及び第２ＩＲ反射層は、銀を含む、請求項１に記載の被覆製品。
前記第１誘電体層は、亜鉛酸化物を含み、前記ガラス基板と前記第１ＩＲ反射層との間に位置して、前記亜鉛酸化物を含む第１誘電体層は、前記第１ＩＲ反射層と直接接触する、請求項１又は２に記載の被覆製品。
前記コーティングは、前記ガラス基板と前記第１ＩＲ反射層との間にシリコン窒化物を含む層をさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記コーティングは、少なくとも前記第１ＩＲ反射層と第２ＩＲ反射層との間に位置する第３誘電体層をさらに含み、前記第２及び第３誘電体層は、少なくとも第４誘電体層によって分離し、前記第３誘電体層は、ＳｎＰｄ、ＳｎＡｇ、ＳｎＭｇ、ＳｎＳｂ、ＳｎＺｎＢｉ、ＳｎＩｎＺｎ、ＳｎＺｎＳｂ、ＳｎＺｎＡｌ、ＳｎＺｎＭｇ、ＳｎＣｕＳｂ、ＳｎＣｕＢｉ、ＳｎＢｉ、ＳｎＷ、ＳｎＳｂＢｉ、ＳｎＺｎＣｕ、ＳｎＺｎＢｉＩｎ、及びＳｎＩｎＧａのうちの１つ以上の酸化物を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第４誘電体層は、シリコン窒化物を含む、請求項５に記載の被覆製品。
前記コーティングは、前記第２ＩＲ反射層の下に直接接触する亜鉛酸化物を含む他の層をさらに含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記被覆製品は、可視光線透過率が少なくとも３０％であって、前記誘電体層は、実質的に完全に酸化されて、かつ／又は完全に酸化される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記被覆製品は、可視光線透過率が少なくとも５０％である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記コーティングは、シート抵抗が５Ω／□以下である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記被覆製品は、熱処理される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記被覆製品は、熱処理され、前記熱処理によってガラス側反射率ΔＥ^＊が５．０以下である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、ＳｎＰｄの酸化物を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層の金属含量は、約７０〜９９％のＳｎ及び約１〜２０％のＰｄを含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、本質的にＳｎＰｄの酸化物からなる、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、ＳｎＡｇの酸化物を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層の金属含量は、約７５〜９９％のＳｎ及び約１〜１０％のＡｇを含む、請求項１６に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、本質的にＳｎＡｇの酸化物からなる、請求項１、１６、又は１７のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、ＳｎＭｇの酸化物を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層の金属含量は、約７０〜９９％のＳｎ及び約１〜２０％のＭｇを含む、請求項１９に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、本質的にＳｎＭｇの酸化物からなる、請求項１、１９、又は２０のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、ＳｎＳｂの酸化物を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層の金属含量は、約７５〜９９％のＳｎ及び約１〜２０％のＳｂを含む、請求項２２に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、本質的にＳｎＳｂの酸化物からなる、請求項１、２２、又は２３のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、ＳｎＺｎＢｉの酸化物を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層の金属含量は、約２０〜６０％のＳｎ、約３０〜７０％のＺｎ、及び約２〜２０％のＢｉを含む、請求項２５に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、本質的にＳｎＺｎＢｉの酸化物からなる、請求項１、２５、又は２６のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、ＳｎＩｎＺｎの酸化物を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層の金属含量は、約２０〜６０％のＳｎ、約３０〜７０％のＩｎ、及び約１〜２０％のＺｎを含む、請求項２８に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、本質的にＳｎＺｎＩｎの酸化物からなる、請求項１、２８、又は２９のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、ＳｎＺｎＳｂの酸化物を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層の金属含量は、約１０〜５５％のＳｎ、約３０〜７０％のＺｎ、及び約５〜４０％のＳｂを含む、請求項３１に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、本質的にＳｎＺｎＳｂの酸化物からなる、請求項１、３１、又は３２のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、ＳｎＺｎＡｌの酸化物を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層の金属含量は、約４０〜９３％のＳｎ、約２〜３５％のＺｎ、及び約１〜１５％のＡｌを含む、請求項３４に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、本質的にＳｎＺｎＡｌの酸化物からなる、請求項１、３４、又は３５のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、ＳｎＺｎＭｇの酸化物を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、本質的にＳｎＺｎＭｇの酸化物からなる、請求項１〜１２、又は３７のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、ＳｎＣｕＳｂの酸化物を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、本質的にＳｎＣｕＳｂの酸化物からなる、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、ＳｎＣｕＢｉの酸化物を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、本質的にＳｎＣｕＢｉの酸化物からなる、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、ＳｎＺｎＢｉＩｎの酸化物を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、本質的に二元合金の酸化物からなる、請求項１〜２４のいずれか一項に記載の被覆製品。
前記第２誘電体層は、ＳｎＰｄ、ＳｎＡｇ、ＳｎＩｎＺｎ、ＳｎＣｕＳｂ、ＳｎＣｕＢｉ、ＳｎＷ、ＳｎＺｎＣｕ、ＳｎＺｎＢｉＩｎ、及びＳｎＩｎＧａのうちの１つ以上の酸化物を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の被覆製品。
ガラス基板上に低放射率コーティングを含む被覆製品であって、前記コーティングは、
前記ガラス基板上の誘電体層及びＩＲ反射層を含み、
前記誘電体層は、ＳｎＰｄ、ＳｎＡｇ、ＳｎＩｎＺｎ、ＳｎＣｕＳｂ、ＳｎＣｕＢｉ、ＳｎＷ、ＳｎＺｎＣｕ、ＳｎＺｎＢｉＩｎ、及びＳｎＩｎＧａのうちの１つ以上の酸化物を含む、被覆製品。
前記誘電体層は、ＳｎＰｄの酸化物を含む、請求項４６に記載の被覆製品。
前記誘電体層の金属含量は、約７０〜９９％のＳｎ及び約１〜２０％のＰｄを含む、請求項４６又は４７に記載の被覆製品。
前記誘電体層は、ＳｎＡｇの酸化物を含む、請求項４６に記載の被覆製品。
前記誘電体層の金属含量は、約７５〜９９％のＳｎ及び約１〜１０％のＡｇを含む、請求項４６又は４９に記載の被覆製品。
前記誘電体層は、ＳｎＩｎＺｎの酸化物を含む、請求項４６に記載の被覆製品。
前記誘電体層は、ＳｎＣｕＳｂの酸化物を含む、請求項４６に記載の被覆製品。
前記誘電体層は、ＳｎＣｕＢｉの酸化物を含む、請求項４６に記載の被覆製品。
前記誘電体層は、ＳｎＺｎＢｉＩｎの酸化物を含む、請求項４６に記載の被覆製品。