MX2015006202A - Articulo revestido con recubrimiento de baja-e que incluye capa(s) inclusiva(s) de oxido de estaño con metal(es) adicional(es). - Google Patents

Articulo revestido con recubrimiento de baja-e que incluye capa(s) inclusiva(s) de oxido de estaño con metal(es) adicional(es).

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MX2015006202A
MX2015006202A MX2015006202A MX2015006202A MX2015006202A MX 2015006202 A MX2015006202 A MX 2015006202A MX 2015006202 A MX2015006202 A MX 2015006202A MX 2015006202 A MX2015006202 A MX 2015006202A MX 2015006202 A MX2015006202 A MX 2015006202A
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Marcus Frank
Jean-Marc Lemmer
Brent Boyce
Yongli Xu
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Abstract

Un artículo revestido incluye un recubrimiento, tal como un recubrimiento de baja emisividad (baja-E), soportado por un substrato (por ejemplo, un substrato de vidrio). El recubrimiento incluye por lo menos una capa dieléctrica que incluyen óxido de estaño que está impurificado con otro(s) metal(es). El recubrimiento también puede incluir una o más capas reflectantes de radiación infrarroja (IR) de o que incluyen un material tal como plata o similares, para reflejar por lo menos algo de radiación IR. En ciertas modalidades ejemplares, el artículo revestido puede ser tratado con calor (por ejemplo, templado térmicamente, doblado con calor y/o endurecido con calor). Los artículos revestidos de acuerdo con ciertas modalidades ejemplares de esta invención se pueden utilizar en el contexto de ventanas, que incluyen ventanas monolíticas para edificios, ventanas de IG para edificios, etc. La figura más representativa de la invención es la número 1.

Description

ARTÍCULO REVESTIDO CON RECUBRIMIENTO DE BAJA-E QUE INCLUYE CAPA (S) INCLUSIVA (S) DE ÓXIDO DE ESTAÑO CON METAL(ES) ADICIONAL(ES) CAMPO DE LA INVENCIÓN Las modalidades ejemplares de esta invención se refieren a un artículo revestido que incluye un recubrimiento, tal como un recubrimiento de baja emisividad (baja-E), soportado por un substrato (por ejemplo, un substrato de vidrio). El recubrimiento incluye por lo menos una capa dieléctrica que comprende óxido de estaño que está impurificado con otro(s) metal (es). El recubrimiento también puede incluir una o más capas reflectantes de radiación infrarroja (IR) de o que incluyen un material tal como plata o similares, para reflejar por lo menos algo de radiación IR. En ciertas modalidades ejemplares, el artículo revestido puede ser tratado con calor (por ejemplo, templado térmicamente, doblado con calor y/o endurecido con calor). Los artículos revestidos de acuerdo con ciertas modalidades ejemplares de esta invención se pueden utilizar en el contexto de ventanas, que incluyen ventanas monolíticas para edificios, ventanas de IG para edificios, ventanas de vehículos y/o en cualquier otra aplicación adecuada.
ANTECEDENTES DE LA INVENCIÓN Los artículos revestidos se conocen en el campo para el uso en aplicaciones de ventanas tales como unidades de ventanas de vidrio aislante (IG, por sus siglas en inglés), ventanas de vehículos y/o similares. Se sabe que en ciertos casos, es deseable tratar con calor (por ejemplo, templar térmicamente, doblar con calor y/o endurecer con calor) estos artículos revestidos para propósitos de templadura, doblamiento o similares. El tratamiento con calor (HT, por sus siglas en inglés) de artículos revestidos requiere típicamente el uso de temperatur (s) de por lo menos 580°C, más preferiblemente de por lo menos aproximadamente 600°C y aún más preferiblemente de por lo menos 620°C. Estas temperaturas altas (por ejemplo, durante 5-10 minutos o más) causan frecuentemente que los recubrimientos se descompongan y/o deterioren o cambien de una manera impredecible. De esta manera, es deseable que los recubrimientos sean capaces de resistir estos tratamientos con calor (por ejemplo, templadura térmica), si se desea, de una manera predecible que no dañe significativamente el recubrimiento.
En ciertas situaciones, los diseñadores de artículos revestidos se esfuerzan por lograr una combinación de transmisión visible deseable, color deseable, e isividad (o emitancia) baja y resistencia laminar baja (Rs). Las características de emisividad baja (baja-E) y/o resistencia laminar baja permiten que estos artículos revestidos bloqueen cantidades significativas de radiación IR con el fin de reducir por ejemplo el calentamiento indeseable del interior del vehículo o edificio.
La Patente de los Estados Unidos No.7,521,096, incorporada en este documento a manera de referencia, da a conocer un recubrimiento de baja-E el cual utiliza capas de contacto de óxido de zinc (ZnO) debajo de las capas reflectantes de IR basadas en plata y arriba de la capa reflectante de IR basada en plata (Ag) de fondo utiliza una capa de contacto de NiCrOx seguida por una capa dieléctrica de óxido de estaño (SnC>2) central. Se ha descubierto que el Sn02 en el recubrimiento de la patente ?96 muestra una micro-cristalización y tensión con el HT lo cual causa zonas interfaciales ásperas entre el Sn02, el ZnO y la Ag, lo cual puede conducir a la degradación de la durabilidad y puede afectar el color transmitido. Las zonas interfaciales ásperas inclusivas de metal tienden a iniciar los comúnmente llamados plasmones de superficie los cuales dan por resultado la absorción selectiva en una pila completa de capas especialmente en la región espectral visible más baja (380-550 nm). Esto tiende a causar una o más de las características ópticas impredecibles, menos color neutro, transmisión visible más baja y/o una LSG más baja. Por otra parte, se ha descubierto que el óxido de estaño (por ejemplo, Sn02) pasa por un cambio significativo en la cristalización y la tensión con el calentamiento el cual tiende a degradar la estructura del ZnO y por lo tanto el crecimiento de Ag sobre el mismo. Nuevamente, esto puede conducir a una calidad deficiente de Ag y/o una escaza estabilidad térmica del recubrimiento tal como valores DE* indeseablemente altos.
SUMARIO DE LA INVENCIÓN En vista de lo anterior, será aparente para aquellas personas expertas en el campo que existe la necesidad de artículos revestidos que tengan recubrimientos (por ejemplo, recubrimientos de baja-E) con por lo menos una capa dieléctrica que no padezca de uno o más de los problemas identificados anteriormente con capas dieléctricas de Sn02 puro. En ciertas modalidades ejemplares, se ha descubierto que la inclusión de cierto(s) metal(es) adicional(es) en una capa dieléctrica inclusiva de óxido de estaño (por ejemplo, Sn02) puede superar uno o más de los problemas identificados anteriormente. Por ejemplo, uno o más de los siguientes metales se pueden agregar al óxido de estaño en la deposición por pulverización iónica de una capa dieléctrica en este recubrimiento: Pd, Ag, Bi, In, Sb, Al, Mg y/o Cu. Las aleaciones ternarias y/o binarias (incluyendo óxidos de las mismas) se pueden utilizar para reemplazar algo del estaño en la(s) capa(s) basada(s) en óxido con el propósito de hacer que la capa dieléctrica y el recubrimiento total sea más estable térmicamente antes y/o después del tratamiento con calor (HT) opcional y reducir y/o disminuir la velocidad del cambio de tensión durante el proceso del tratamiento con calor opcional. La estructura de la capa dieléctrica inclusiva de óxido de estaño, que tiene el(los) metal(es) adicional(es), es más caótica y causa que la capa y el recubrimiento sean más estables. Se ha descubierto que mientras más caótica es la estructura del material, más estable puede ser (por ejemplo, con el HT). Esta capa dieléctrica inclusiva de óxido de estaño, con otro(s) metal(es) agregado(s) a la misma, se puede utilizar como una capa dieléctrica en cualquier recubrimiento de baja-E adecuado en ciertas modalidades ejemplares de esta invención, tal como entre por lo menos la primera capa reflectante de IR y la segunda capa reflectante de IR, bajo las capas reflectantes de IR y/o encima de las capas reflectantes de IR. Sin embargo, no todas las capas dieléctricas en el recubrimiento necesitan ser de este material. En ciertas modalidades ejemplares, una capa dieléctrica inclusiva de óxido de estaño, con otro(s) metal(es) agregado(s) a la misma, se puede utilizar en un recubrimiento que también incluye otras capas dieléctricas de materiales tales como nitruro de silicio (por ejemplo, SÍ3N4), Sn02, ZnO y/o similares.
En ciertas modalidades ejemplares de esta invención, se proporciona un artículo revestido que incluye un recubrimiento de baj -E sobre un substrato de vidrio, el recubrimiento comprende: una primera capa dieléctrica; una primera capa reflectante de IR y una segunda capa reflectante de IR sobre el substrato de vidrio y localizadas encima de por lo menos la primera capa dieléctrica; y una segunda capa dieléctrica localizada entre por lo menos la primera capa reflectante de IR y la segunda capa reflectante de IR, en donde la segunda capa dieléctrica comprende un óxido de uno o más de: SnPd, SnAg, SnMg, SnSb, SnZnBi, SnlnZn, SnZnSb, SnZnAl, SnZnMg, SnCuSb, SnCuBi, SnBi, SnW, SnSbBi, SnZnCu, SnZnBiln y SnlnGa.
En ciertas modalidades ejemplares de esta invención, se proporciona un artículo revestido que incluye un recubrimiento de baja-E sobre un substrato de vidrio, el recubrimiento comprende: una capa dieléctrica y una capa reflectante de IR sobre el substrato de vidrio; y en donde la capa dieléctrica comprende un óxido de uno o más de: SnPd, SnAg, SnMg, SnSb, SnZnBi, SnlnZn, SnZnSb, SnZnAl, SnZnMg, SnCuSb, SnCuBi, SnBi, SnW, SnSbBi, SnZnCu y SnlnGa.
En ciertas modalidades ejemplares de esta invención, se proporciona un artículo revestido que incluye un recubrimiento de baja-E sobre un substrato de vidrio, el recubrimiento comprende: una capa dieléctrica y una capa reflectante de IR sobre el substrato de vidrio; y en donde la capa dieléctrica comprende un óxido de uno o más de: SnPd, SnAg, SnlnZn, SnCuSb, SnCuBi, Sn , SnZnCu, SnZnBiln y SnlnGa. La capa dieléctrica puede estar localizada encima de y/o bajo la capa reflectante de IR.
BREVE DESCRIPCION DE LAS FIGURAS La FIGURA 1 es una vista transversal de un artículo revestido de acuerdo con una modalidad ejemplar de esta invención.
La FIGURA 2 es una vista transversal de un artículo revestido de acuerdo con otra modalidad ejemplar de esta invención.
La FIGURA 3 es una vista transversal de un artículo revestido de acuerdo con otra modalidad ejemplar de esta invención.
La FIGURA 4 es una vista transversal de un artículo revestido de acuerdo con otra modalidad ejemplar de esta invención.
DESCRIPCIÓN DETALLADA DE LA INVENCIÓN Los números de referencia similares se refieren a partes similares por todos los dibujos en este documento. Las capas en las modalidades de las Figuras 1-4 se forman preferiblemente por medio de la deposición por pulverización iónica, por vía de objetivo(s) cerámico(s) o metálico(s), en modalidades ejemplares de esta invención.
Los artículos revestidos de acuerdo con ciertas modalidades ejemplares de esta invención se pueden utilizar en el contexto de ventanas, que incluyen ventanas monolíticas para edificios, ventanas de IG para edificios, ventanas de vehículos y/o en cualquier otra aplicación adecuada.
En ciertas modalidades ejemplares, se ha descubierto que la inclusión de cierto(s) metal(es) adicional(es) en una capa dieléctrica inclusiva de óxido de estaño (por ejemplo, SnCh) (véase una o más de las capas 13, 15, 23 y 40 en las figuras) puede superar uno o más de los problemas identificados anteriormente. Por ejemplo, uno o más de los siguientes metales se pueden agregar al óxido de estaño en la deposición por pulverización iónica de una o más de las capas dieléctricas 13, 15, 23 y 40 en este recubrimiento: Pd, Ag, Bi, In, Sb, Al, Mg y/o Cu. Las aleaciones ternarias y/o binarias se pueden utilizar para reemplazar algo del estaño en la(s) capa(s) dieléctrica(s) basada(s) en óxido (por ejemplo, una o más de 13, 15, 23, 40) con el propósito de hacer que la capa dieléctrica y el recubrimiento total 30, 60, 70 sean más estables térmicamente antes y/o después del tratamiento con calor (HT) opcional, y reducir y/o disminuir la velocidad del cambio de tensión durante el proceso de tratamiento con calor opcional. Por ejemplo, una aleación binaria de SnPd se puede utilizar para reemplazar algo del estaño en la(s) capa(s) dieléctrica(s) basada(s) en óxido (por ejemplo, una o más de las capas 13, 15, 23, 40) con el propósito de hacer que la capa dieléctrica y el recubrimiento total 30, 60, 70 sean más estables térmicamente. Como otros ejemplos, una aleación binaria de SnAg, SnSb, SnBi, SnW o SnMg se puede utilizar para reemplazar algo del estaño en la(s) capa(s) dieléctrica(s) basada(s) en óxido (por ejemplo, una o más de las capas 13, 15, 23, 40) con el propósito de hacer que la capa dieléctrica y el recubrimiento total 30, 60, 70 sean más estables térmicamente. Como otros ejemplos, una aleación ternaria de SnZnBi, SnlnZn, SnZnSb, SnZnAl, SnZnMg, SnZnCu, SnlnGa, SnSbBi, SnCuBi o SnCuSb se puede utilizar para reemplazar algo del estaño en la(s) capa(s) dieléctrica(s) basada(s) en óxido (por ejemplo, una o más de las capas 13, 15, 23, 40) con el propósito de hacer que la capa dieléctrica y el recubrimiento total 30, 60, 70 sean más estables térmicamente. Naturalmente, un óxido de una de esas aleaciones ternarias o binarias se puede utilizar para una o dos de las capas 13, 15, 23 y/o 40, mientras que un óxido de otra de esas aleaciones ternarias o binarias se puede utilizar para otra(s) de las capas 13, 15, 23, 40. Estas capas dieléctricas inclusivas de óxido de estaño, con metal(es) adicional(es) incluido(s) en las mismas, son de preferencia oxidadas de manera completa o sustancialmente completa, y pueden ser amorfas después del HT opcional.
La estructura de la capa dieléctrica inclusiva de óxido de estaño, que tiene el(los) metal(es) adicional(es), es más caótica y causa que la capa y el recubrimiento sean más estables. Se ha descubierto que mientras más caótica es la estructura del material, más estable puede ser (por ejemplo, con el HT). Esta capa dieléctrica inclusiva de óxido de estaño, con otro(s) metal(es) agregado(s) a la misma, se puede utilizar como una capa dieléctrica en cualquier recubrimiento de baja-E adecuado en ciertas modalidades ejemplares de esta invención, tal como entre por lo menos la primera capa reflectante de IR 9 y la segunda capa reflectante de IR 19, bajo las capas reflectantes de IR 9, 19 y/o encima de las capas reflectantes de IR 9, 19. Estas capas se pueden utilizar en recubrimientos de baja-E de plata individual, plata doble o plata triple en varias modalidades de esta invención. Sin embargo, no todas las capas dieléctricas en el recubrimiento necesitan ser de este material. En ciertas modalidades ejemplares, una capa dieléctrica inclusiva de óxido de estaño, con otro(s) metal(es) agregado(s) a la misma, se puede utilizar en un recubrimiento que también incluye otras capas dieléctricas de materiales tales como nitruro de silicio (por ejemplo, S13N4), SnCh, ZnO y/o similares como se muestra en las Figuras 1-4. El uso de una o más de estas capas dieléctricas inclusivas de óxido de estaño, con metal(es) adicional(es) en las mismas, permite que se logre una estabilidad térmica mejorada tal como valores DE* reflectantes del lado del vidrio más bajos. En ciertas modalidades ejemplares de esta invención, el artículo revestido que incluye el substrato de vidrio 1 y el recubrimiento de baja-E sobre el mismo tiene un valor DE* reflectante del lado del vidrio debido al HT el cual es por lo menos 1.0 más bajo (más preferiblemente por lo menos 1.5 o 2.0 más bajo) en comparación con lo que sería si solo se utilizara Sn02 para la(s) capa(s). En ciertas modalidades ejemplares de esta invención, el artículo revestido que incluye el substrato, de vidrio 1 y un recubrimiento de baja-E sobre el mismo tiene un valor DE* reflectante del lado del vidrio no mayor que 5.0, más preferiblemente no mayor que 4.5 o 4.0.
En ciertas modalidades ejemplares, la capa dieléctrica inclusiva de óxido de estaño (13, 15 y/o 40), con metal(es) adicional(es) incluido(s) en la misma, se localiza debajo y haciendo contacto directamente con una capa semilla inclusiva de óxido de zinc (7 y/o 17) que soporta una capa reflectante de IR (9 y/o 19) con el propósito de mejorar la calidad de la capa reflectante de IR - por ejemplo, véase la capa 15 en las Figuras 1-2, la capa 40 en la Figura 3 y la capa 13 en la Figura 4. La estructura y la estabilidad térmica de la capa debajo de la capa de contacto basada en ZnO (7 o 17) es relevante para el crecimiento texturizado de ZnO (002) y el crecimiento de Ag encima del mismo (111). Las capas de SnÜ2 puro se sujetan al cambio estructural que incluye una tensión alta la cual tiende a degradar la estabilidad óptica y térmica del recubrimiento, por ejemplo, con el HT. Las capas de Sn02 puro son amorfas típicamente ya que se depositan por pulverización iónica, pero con el HT se vuelven cristalinas. El(los) metal(es) adicional(es) proporcionado(s) en la capa dieléctrica inclusiva de óxido de estaño planteada en este documento reducen estos cambios estructurales y mejoran el control de tensión de la capa antes y después del HT, y en ciertas modalidades ejemplares permiten que la capa permanezca amorfa o sustancialmente amorfa incluso después del HT. Esto mejorará el desempeño total del recubrimiento de baja-E.
En ciertas modalidades ejemplares de esta invención (por ejemplo, las Figuras 1-2 y 4), el recubrimiento incluye una pila de doble plata, aunque esta invención no está limitada de esta manera en todo caso. Los artículos revestidos que tienen recubrimientos de baja-E de acuerdo con modalidades ejemplares de esta invención tienen una resistencia laminar (Rs) menor que o igual a 7.0 (más preferiblemente menor que o igual a 5.0, aún más preferiblemente menor que o igual a 4.0 o 3.0) (medida antes y/o después del HT opcional). Los artículos revestidos que tienen recubrimientos de baja-E de acuerdo con modalidades ejemplares de esta invención tienen una emisividad normal (En) no mayor que aproximadamente 0.09, más preferiblemente no mayor que aproximadamente 0.07 y más preferiblemente no mayor que aproximadamente 0.05 o 0.04 (medida antes y/o después del HT opcional). En ciertas modalidades ejemplares, antes y/o después del tratamiento con calor opcional (HT) y medida en forma monolítica, los artículos revestidos de acuerdo con modalidades ejemplares de esta invención tienen una transmisión visible (111. C, 2 grados) de por lo menos aproximadamente 30%, más preferiblemente de por lo menos aproximadamente 40%, aún más preferiblemente de por lo menos aproximadamente 50% y posiblemente de por lo menos aproximadamente 60%.
Los términos "tratamiento con calor" y "tratar con calor" utilizados en este documento significan calentar el artículo a una temperatura suficiente para lograr la templadura térmica, doblamiento con calor y/o endurecimiento con calor del artículo revestido inclusivo de vidrio. Esta definición incluye, por ejemplo, calentar un artículo revestido en un horno u hornillo a una temperatura de por lo menos aproximadamente 580°C, más preferiblemente por lo menos aproximadamente 600°C, durante un período suficiente para permitir la templadura, doblamiento y/o endurecimiento con calor. En ciertos casos, el HT puede ser durante por lo menos aproximadamente 4 o 5 minutos o más. Los artículos revestidos pueden ser o no tratados con calor en diferentes modalidades ejemplares de esta invención.
La Figura 1 es una vista transversal lateral de un artículo revestido de acuerdo con una modalidad ejemplar no limitante de esta invención. El artículo revestido incluye el substrato 1 (por ejemplo, un substrato de vidrio claro, color verde, bronce o verde azulado de aproximadamente 1.0 a 10.0 mm de espesor, más preferiblemente de aproximadamente 1.0 mm a 3.5 mm de espesor) y un recubrimiento de baja-E (o sistema de capas) 30 proporcionado sobre el substrato 1 ya sea directa o indirectamente. El recubrimiento (o sistema de capas) 30 incluye: la capa dieléctrica inclusiva de nitruro de silicio de fondo 3 la cual puede ser de S13N4, del tipo rico en Si para la reducción de la opacidad o de cualquier otra estequiometría adecuada en diferentes modalidades de esta invención, la primera capa de contacto inferior 7 (la cual hace contacto con la capa reflectante de IR 9), la primera capa reflectante de radiación infrarroja (IR) conductiva y preferiblemente metálica o sustancialmente metálica 9, la primera capa de contacto superior 11 (la cual hace contacto con la capa 9), la capa dieléctrica inclusiva de óxido de estaño 13, otra capa inclusiva de nitruro de silicio 14, la capa dieléctrica inclusiva de óxido de estaño 15, la segunda capa de contacto inferior 17 (la cual hace contacto con la capa reflectante de IR 19), la segunda capa reflectante de IR conductiva y preferiblemente metálica o sustancialmente metálica 19, la segunda capa de contacto superior 21 (la cual hace contacto con la capa 19), la capa dieléctrica 23 la cual puede incluir óxido de estaño en ciertos casos ejemplares, la capa dieléctrica inclusiva de nitruro de silicio 25 y la capa dieléctrica, protectora, opcional 27 de o que incluye óxido de zirconio. Las capas de "contacto" 7, 11, 17 y 21 hacen contacto cada una con por lo menos una capa reflectante de IR (por ejemplo, una capa basada en Ag). Las capas depositadas por pulverización iónica mencionadas anteriormente 3-27 constituyen el recubrimiento de baja-E (es decir, baja emisividad) 30 el cual se proporciona sobre el substrato de vidrio o plástico 1.
En casos monolíticos, el artículo revestido incluye solo un substrato de vidrio 1 como se ilustra en la Figura 1 (y también en las Figuras 2-4). Sin embargo, los artículos revestidos monolíticos descritos en este documento (por ejemplo, véase las Figuras 1-4) se pueden utilizar en dispositivos tales como parabrisas laminados de vehículos, unidades de ventanas de IG y similares. En lo que respecta a las unidades de ventana de IG, una unidad de ventana de IG puede incluir dos substratos separados. Una unidad de ventana de IG ejemplar se ilustra y se describe, por ejemplo, en la Patente de los Estados Unidos No. 6,632,491, la descripción de la cual se incorpora por este acto en este documento a manera de referencia. Un unidad de ventana de IG ejemplar puede incluir, por ejemplo, el substrato de vidrio revestido 1 que se muestra en cualquiera de las Figuras 1-4 (o descrito en alguna otra parte en este documento) acoplado a otro substrato de vidrio (el cual no se muestra) por vía de separador(es), sellador(es) o similares en donde una abertura se define entre los mismos. Esta abertura entre los substratos en las modalidades de unidades de IG puede ser llenada en ciertos casos con un gas tal como argón (Ar).
La modalidad de la Figura 2 es la misma que la modalidad de la Figura 1 excepto que la capa dieléctrica 23 en la modalidad de la Figura 2 es de Sn02 con el propósito de enfatizar que el recubrimiento puede incluir una o más capas dieléctricas de Sn02 donde el (los) metal(es) adicional(es) no se agrega(n) al mismo. La Figura 2 enfatiza que el Sn02 se puede utilizar para reemplazar el óxido de estaño con un material de metal(es) adicional(es) en una o dos de las capas 13, 15, 23.
La modalidad de la Figura 3 ilustra un artículo revestido donde el recubrimiento de baja-E 60 es un recubrimiento de plata individual, contrariamente a un recubrimiento de doble plata. Las capas en la modalidad de Figura 3 identificadas con los números de referencia identificados en la Figura 1 se pueden considerar capas similares.
La modalidad de la Figura 4 ilustra un artículo revestido que incluye un recubrimiento de baja-E 70 de acuerdo con otra modalidad ejemplar de esta invención. La modalidad de la Figura 4 difiere de la modalidad de la Figura 1 en numerosos aspectos. Por ejemplo, las capas 14, 15 y 27 de la modalidad de la Figura 1 no necesitan estar presente en la modalidad de la Figura 4. Adicionalmente, la modalidad de la Figura 4 incluye una capa dieléctrica 4 de o que incluye óxido de titanio (por ejemplo, Ti02) entre la capa inclusiva de nitruro de silicio de fondo 3 y la capa inclusiva de óxido de zinc de fondo 7. Como se mencionara anteriormente, los números de referencia similares se refieren a partes/capas similares por todas las figuras.
Las capas dieléctricas 3, 14 y 25 pueden ser de o pueden incluir nitruro de silicio en ciertas modalidades de esta invención. Las capas de nitruro de silicio 3 y 14 pueden mejorar, entre otras cosas, la capacidad de tratamiento con calor de los artículos revestidos, por ejemplo, tal como la templadura térmica o similares. El nitruro de silicio de las capas 3 y/o 14 puede ser del tipo estequiométrico (es decir, S13N4), o alternativamente del tipo rico en Si en diferentes modalidades de esta invención. Por ejemplo, el nitruro de silicio rico en Si 3 (y/o 14) combinado con óxido de zinc y/u óxido de estaño bajo una capa reflectante de IR basada en plata puede permitir que la plata sea depositada (por ejemplo, por vía de la pulverización iónica o similares) de una manera la cual causa que su resistencia laminar sea disminuida en comparación con lo que sería si otro(s) cierto(s) material(es) estuvier (n) bajo la plata. Por otra parte, la presencia de Si libre en la capa inclusiva de nitruro de silicio rica en Si 3 puede permitir que ciertos átomos tales como sodio (Na) los cuales emigran hacia afuera del vidrio 1 durante el tratamiento con calor (HT) sean detenidos más eficientemente por la capa inclusiva de nitruro de silicio rica en Si antes de que puedan alcanzar la plata y puedan dañarla. De esta manera, se cree que la oxidación causada por el tratamiento con calor permite que la transmisión visible se incremente y que el SixNy rico en Si en la capa 3 por ejemplo pueda reducir la cantidad de daño realizado a la(s) capa(s) de plata durante el HT en ciertas modalidades ejemplares de esta invención permitiendo de ese modo que la resistencia laminar (Rs) disminuya o permanezca aproximadamente igual de una manera satisfactoria.
En ciertas modalidades ejemplares, cuando el nitruro de silicio rico en Si se utiliza en la capa 3 y/o 14, la capa de nitruro de silicio rico en Si como se depositó puede ser caracterizada por capa(s) de SixNy, donde x/y puede ser de 0.76 a 1.5, más preferiblemente de 0.8 a 1.4, aún más preferiblemente de 0.85 a 1.2. Por otra parte, en ciertas modalidades ejemplares, antes y/o después del HT la(s) capa(s) de SixNy rico en Si puede(n) tener un índice de refracción "n" de por lo menos 2.05, más preferiblemente de por lo menos 2.07 y algunas veces por lo menos 2.10 (por ejemplo, 632 nm) (nota: el S13N4 estequiométrico el cual también se puede utilizar tiene un índice "n" de 2.02-2.04). En ciertas modalidades ejemplares, se ha descubierto sorprendentemente que la estabilidad térmica mejorada se puede hacer realidad especialmente cuando la(s) capa(s) de SixNy rico en Si como se depositó tiene un índice de refracción "n" de por lo menos 2.10, más preferiblemente de por lo menos 2.20 y mucho más preferiblemente de 2.2 a 2.4. también la capa de SixNy rico en Si puede tener en ciertas modalidades ejemplares un coeficiente de extinción "k" de por lo menos 0.001, más preferiblemente de por lo menos 0.003 (nota: el Si3N4 estequiométrico tiene un coeficiente de extinción "k" de efectivamente 0). Nuevamente, en ciertas modalidades ejemplares, se ha descubierto sorprendentemente que una estabilidad térmica mejorada se puede hacer realidad cuando "k" para la(s) capa(s) de SixNy rico en Si es de 0.001 a 0.05 como se depositó (550 nm). Se observa que n y k tienden a descender debido al tratamiento con calor.
Cualquiera y/o la totalidad de las capas de nitruro de silicio planteadas en este documento pueden ser impurificadas con otros materiales tales como acero inoxidable o aluminio en ciertas modalidades ejemplares de esta invención. Por ejemplo, cualquiera y/o la totalidad de capas de nitruro de silicio planteadas en este documento pueden incluir opcionalmente de aproximadamente 0-15% de aluminio, más preferiblemente de aproximadamente 1 a 10% de aluminio, en ciertas modalidades ejemplares de esta invención. El nitruro de silicio se puede depositar por medio de la pulverización iónica a un objetivo de Si o SiAl en una atmósfera que incluye por lo menos nitrógeno gaseoso en ciertas modalidades de esta invención.
Las capas reflectantes de radiación infrarroja (IR) 9 y 19 son de preferencia sustancial o completamente metálicas y/o conductivas, y pueden comprender o consistir esencialmente de plata (Ag), oro o cualquier otro material reflectante de IR adecuado. Las capas reflectantes de IR 9 y 19 ayudan a permitir que el recubrimiento tenga características de baja-E y/o buen control solar. Sin embargo, las capas reflectantes de IR pueden ser oxidadas ligeramente en ciertas modalidades de esta invención.
Las capas de contacto superiores 11 y 21 pueden ser de o pueden incluir óxido de níquel (Ni), óxido de cromio/cromo (Cr) o un óxido de aleación de níquel tal como óxido de níquel-cromo (NiCrOx) u otro(s) material(es) adecuado(s), en ciertas modalidades ejemplares de esta invención. El uso de, por ejemplo, NiCrOx o NiCr en esas capas (11 y/o 21) permite que la durabilidad se mejore. El NiCrOx de las capas 11 y/o 21 puede ser oxidado completamente en ciertas modalidades de esta invención (es decir, completamente estequiométrico), o alternativamente puede ser oxidado solo parcialmente (es decir, sub-óxido), o alternativamente puede ser metálico en modalidades de NiCr. En ciertos casos, las capas de NiCrOx 11 y/o 21 pueden ser oxidadas por lo menos aproximadamente 50%. Las capas de contacto 11 y/o 21 (por ejemplo, de o que incluyen un óxido de Ni y/o Cr) pueden tener o no un grado de oxidación en diferentes modalidades de esta invención. La graduación de oxidación significa que el grado de oxidación en la capa cambia por todo el espesor de la capa. Por ejemplo, una capa de contacto 11 y/o 21 puede tener un grado con el fin de que esté menos oxidada en la superficie de contacto con la capa reflectante de IR inmediatamente adyacente que una porción de la(s) capa(s) de contacto más lejana o más/mucho más distante de la capa reflectante de IR inmediatamente adyacente. Las descripciones de varios tipos de capas de contacto con grado de oxidación se exponen en la Patente de los Estados Unidos No.6,576,349, la descripción de la cual se incorpora por este acto en este documento a manera de referencia. Las capas de contacto 11 y/o 21 (por ejemplo, de o que incluyen Ni y/o Cr) pueden ser o no continuas en diferentes modalidades de esta invención a través de la capa reflectante de IR subyacente completa.
Las capas semilla dieléctricas 7 y 17 pueden ser de o pueden incluir óxido de zinc en ciertas modalidades ejemplares de esta invención. Sin embargo, al igual que con otras capas descritas en este documento, otros materiales se pueden utilizar en diferentes casos. En ciertas modalidades preferidas, las capas de contacto inferiores 7 y/o 17 son de o incluyen ZnO. El óxido de zinc de las capas 7 y 17 puede contener otros materiales así como también Al (por ejemplo, para formar ZhAIOc). Por ejemplo, en ciertas modalidades ejemplares de esta invención, una o más de las capas de óxido de zinc 7, 17 pueden ser impurificadas con de aproximadamente 1 a 10% de Al, más preferiblemente de aproximadamente 1 a 5% de Al y mucho más preferiblemente de aproximadamente 1 a 4% de Al.
La capa dieléctrica de recubrimiento exterior 27 puede ser de o puede incluir óxido de zirconio (por ejemplo, Zr02) en ciertas modalidades ejemplares de esta invención. Esta capa, como otras capas planteadas en este documento, es opcional y no necesita ser proporcionada en ciertas modalidades ejemplares de esta invención.
Con referencia a las Figuras 1-4, una o más de las capas dieléctricas 13, 15, 23, 40 pueden ser de o pueden incluir un óxido de SnPd en ciertas modalidades ejemplares de esta invención, donde la(s) capa(s) es(son) sustancialmente transparente(s) y oxidada(s) de manera completa o sustancialmente completa. Por ejemplo, el material de óxido de SnPd se puede utilizar solo para la capa 15 en las modalidades de las Figuras 1-2, en donde esencialmente el Sn02 u otro material dieléctrico adecuado se utiliza para las capas 13 y 23. Alternativamente, por ejemplo, el material de óxido de SnPd se puede utilizar para dos o las tres capas 13, 15 y 23 en la modalidad de la Figura 1. Como otro ejemplo, el material de óxido de SnPd se puede utilizar para una o ambas capas 40 y/o 13 en la modalidad de la Figura 3 y se puede utilizar para una o ambas capas 13 y/o 23 en la modalidad de la Figura 4. Por ejemplo, si el óxido de SnPd se utiliza para la capa 13 en la modalidad-de la Figura 4, el SnC»2, SnZnO u otro material dieléctrico adecuado se puede utilizar para la capa 23. En ciertas modalidades ejemplares, cuando el óxido de SnPd se utiliza en o para una o más de las capas 13, 15, 23, 40, la capa contiene de preferencia más sustancialmente Sn que Pd; en donde un ejemplo es que el contenido de metal de la capa es de aproximadamente 50-99.5% de Sn (más preferiblemente de aproximadamente 60-99.5%, aún más preferiblemente de aproximadamente 70-99%, aún más preferiblemente de aproximadamente 80-98% de Sn) y de aproximadamente 0.5-50% de Pd (más preferiblemente de aproximadamente 0.5-30%, más preferiblemente de aproximadamente 1-20% y mucho más preferiblemente de aproximadamente 3-15% de Pd). Un ejemplo es óxido de SnPd, donde el contenido de metal es aproximadamente 90% de Sn y aproximadamente 10% de Pd. Los porcentajes de material (%) en este documento son % atómico. Naturalmente, pequeñas cantidades de otros materiales también se pueden incluir en la(s) capa(s). En otras modalidades de esta invención, este material inclusivo de óxido de estaño con el metal Pd adicional se puede utilizar para cualquiera de las capas dieléctricas basadas en óxido de estaño en cualquier recubrimiento en cualquiera de las Patentes de los Estados Unidos Nos. 7,521,096, 7,879,448, 8,142,622, 7,648,769, 8,017,243, 7,597,965 o 7,858,191, las descripciones de las cuales se incorporan por este acto en este documento a manera de referencia.
Con referencia a las Figuras 1-4, una o más de las capas dieléctricas 13, 15, 23, 40 pueden ser de o pueden incluir un óxido de SnAg en ciertas modalidades ejemplares de esta invención, donde la(s) capa(s) es(son) sustancialmente transparente(s) y oxidada(s) de manera completa o sustancialmente completa. Por ejemplo, el material de óxido de SnAg se puede utilizar solo para la capa 15 en las modalidades de las Figuras 1-2, en donde esencialmente el Sn02 u otro material dieléctrico adecuado se utiliza para las capas 13 y 23. Alternativamente, por ejemplo, el material de óxido de SnAg se puede utilizar para dos o las tres capas 13, 15 y 23 en la modalidad de la Figura 1. Como otro ejemplo, el material de óxido de SnAg se puede utilizar para una o ambas capas 40 y/o 13 en la modalidad de la Figura 3 y se puede utilizar para una o ambas capas 13 y/o 23 en la modalidad de la Figura 4. Por ejemplo, si el óxido de SnAg se utiliza para la capa 13 en la modalidad de la Figura 4, el SnC>2, SnZnO u otro material dieléctrico adecuado se puede utilizar para la capa 23. En ciertas modalidades ejemplares, cuando el óxido de SnAg se utiliza en o para una o más de las capas 13, 15, 23, 40, la capa contiene de preferencia más sustancialmente Sn que Ag; en donde un ejemplo es que el contenido de metal de la capa es de aproximadamente 60-99.5% de Sn (más preferiblemente de aproximadamente 70-99.5%, aún más preferiblemente de aproximadamente 75-99%, aún más preferiblemente de aproximadamente 85-98% o 90-98% de Sn) y de aproximadamente 0.5-40% de Ag (más preferiblemente de aproximadamente 0.5-30%, más preferiblemente de aproximadamente 1-20% y mucho más preferiblemente de aproximadamente 1-10% de Ag). Un ejemplo es óxido de SnAg, donde el contenido de metal es aproximadamente 95% de Sn y aproximadamente 5% de Ag. Naturalmente, pequeñas cantidades de otros materiales también se pueden incluir en la(s) capa(s). En otras modalidades de esta invención, este material inclusivo de óxido de estaño con el metal Ag adicional se puede utilizar para cualquiera de las capas dieléctricas basadas en óxido de estaño en cualquier recubrimiento en cualquiera de las Patentes de los Estados Unidos Nos.7,521,096, 7,879,448, 8,142,622, 7,648,769, 8,017,243, 7,597,965 o 7,858,191.
Con referencia a las Figuras 1-4, una o más de las capas dieléctricas 13, 15, 23, 40 pueden ser de o pueden incluir un óxido de SnMg en ciertas modalidades ejemplares de esta invención, donde la(s) capa(s) es(son) sustancialmente transparente(s) y oxidada(s) de manera completa o sustancialmente completa. Por ejemplo, el material de óxido de SnMg se puede utilizar solo para la capa 15 en las modalidades de las Figuras 1-2, en donde esencialmente el Sn02 u otro material dieléctrico adecuado se utiliza para las capas 13 y 23. Alternativamente, por ejemplo, el material de óxido de SnMg se puede utilizar para dos o las tres capas 13, 15 y 23 en la modalidad de la Figura 1. Como otro ejemplo, el material de óxido de SnMg se puede utilizar para una o ambas capas 40 y/o 13 en la modalidad de la Figura 3 y se puede utilizar para una o ambas capas 13 y/o 23 en la modalidad de la Figura 4. Por ejemplo, si el óxido de SnMg se utiliza para la capa 13 en la modalidad de la Figura 4, el SnCh, SnZnO u otro material dieléctrico adecuado se puede utilizar para la capa 23. En ciertas modalidades ejemplares, cuando el óxido de SnMg se utiliza en o para una o más de las capas 13, 15, 23, 40, la capa contiene de preferencia más sustancialmente Sn que Mg,-en donde un ejemplo es que el contenido de metal de la capa es de aproximadamente 50-99.5% de Sn (más preferiblemente de aproximadamente 60-99.5%, aún más preferiblemente de aproximadamente 70-99%, aún más preferiblemente de aproximadamente 80-98% de Sn) y de aproximadamente 0.5-50% de Mg (más preferiblemente de aproximadamente 0.5-30%, más preferiblemente de aproximadamente 1-20% y mucho más preferiblemente de aproximadamente 3-15% de Mg). Un ejemplo es óxido de SnMg, donde el contenido de metal es aproximadamente 90% de Sn y aproximadamente 10% de Mg. Naturalmente, pequeñas cantidades de otros materiales también se pueden incluir en la(s) capa(s). En otras modalidades de esta invención, este material inclusivo de óxido de estaño con el metal Mg adicional se puede utilizar para cualquiera de las capas dieléctricas basadas en óxido de estaño en cualquier recubrimiento en cualquiera de las Patentes de los Estados Unidos Nos.7,521,096, 7,879,448, 8,142,622, 7,648,769, 8,017,243, 7,597,965 o 7,858,191.
Con referencia a las Figuras 1-4, una o más de las capas dieléctricas 13, 15, 23, 40 pueden ser de o pueden incluir un óxido de SnSb en ciertas modalidades ejemplares de esta invención, donde la(s) capa(s) es(son) sustancialmente transparente(s) y oxidada(s) de manera completa o sustancialmente completa. Por ejemplo, el material de óxido de SnSb se puede utilizar solo para la capa 15 en las modalidades de las Figuras 1-2, en donde esencialmente el Sn02 u otro material dieléctrico adecuado se utiliza para las capas 13 y 23. Alternativamente, por ejemplo, el material de óxido de SnSb se puede utilizar para dos o las tres capas 13, 15 y 23 en la modalidad de la Figura 1. Como otro ejemplo, el material de óxido de SnSb se puede utilizar para una o ambas capas 40 y/o 13 en la modalidad de la Figura 3 y se puede utilizar para una o ambas capas 13 y/o 23 en la modalidad de la Figura 4. Por ejemplo, si el óxido de SnSb se utiliza para la capa 13 en la modalidad de la Figura 4, el SnC>2, SnZnO u otro material dieléctrico adecuado se puede utilizar para la capa 23. En ciertas modalidades ejemplares, cuando el óxido de SnSb se utiliza en o para una o más de las capas 13, 15, 23, 40, la capa contiene de preferencia más sustancialmente Sn que Sb; en donde un ejemplo es que el contenido de metal de la capa es de aproximadamente 60-99.5% de Sn (más preferiblemente de aproximadamente 70-99.5%, aún más preferiblemente de aproximadamente 75-99%, aún más preferiblemente de aproximadamente 85-99% o 90-98% de Sn) y de aproximadamente 0.5-40% de Sb (más preferiblemente de aproximadamente 0.5-30%, más preferiblemente de aproximadamente 1-20% y mucho más preferiblemente de aproximadamente 1-10% de Sb). Un ejemplo es óxido de SnSb, donde el contenido de metal es aproximadamente 95% de Sn y aproximadamente 5% de Sb. Naturalmente, pequeñas cantidades de otros materiales también se pueden incluir en la(s) capa(s). En otras modalidades de esta invención, este material inclusivo de óxido de estaño con el metal Sb adicional se puede utilizar para cualquiera de las capas dieléctricas basadas en óxido de estaño en cualquier recubrimiento en cualquiera de las Patentes de los Estados Unidos Nos. 7,521,096, 7,879,448, 8,142,622, 7,648,769, 8,017,243, 7,597,965 O 7,858,191.
Con referencia a las Figuras 1-4, una o más de las capas dieléctricas 13, 15, 23, 40 pueden ser de o pueden incluir un óxido de SnZnBi en ciertas modalidades ejemplares de esta invención, donde la(s) capa(s) es(son) sustancialmente transparente(s) y oxidada (s) de manera completa o sustancialmente completa. Por ejemplo, el material de óxido de SnZnBi se puede utilizar solo para la capa 15 en las modalidades de las Figuras 1-2, en donde esencialmente el SnCh u otro material dieléctrico adecuado se utiliza para las capas 13 y 23. Alternativamente, por ejemplo, el material de óxido de SnZnBi se puede utilizar para dos o las tres capas 13, 15 y 23 en la modalidad de la Figura 1. Como otro ejemplo, el material de óxido de SnZnBi se puede utilizar para una o ambas capas 40 y/o 13 en la modalidad de la Figura 3 y se puede utilizar para una o ambas capas 13 y/o 23 en la modalidad de la Figura 4. Por ejemplo, si el óxido de SnZnBi se utiliza para la capa 13 en la modalidad de la Figura 4, el Sn02, SnZnO u otro material dieléctrico adecuado se puede utilizar para la capa 23. En ciertas modalidades ejemplares, cuando el óxido de SnZnBi se utiliza en o para una o más de las capas 13, 15, 2 233,, 4 400,, la capa contiene de preferencia más sustancialmente Sn y Zn que Bi; en donde un ejemplo es que el contenido de metal de la capa es de aproximadamente 10-70% de Sn (más preferiblemente de aproximadamente 20-60%, aún más preferiblemente de aproximadamente 30-50%, aún más preferiblemente de aproximadamente 35-45% de Sn), de aproximadamente 20-80% de Zn (más preferiblemente de aproximadamente 30-70%, aún más preferiblemente de aproximadamente 40-60%, aún más preferiblemente de aproximadamente 45-55% de Zn) y de aproximadamente 1-60% de Bi (más preferiblemente de aproximadamente 1-30%, más preferiblemente de aproximadamente 2-20% y mucho más preferiblemente de aproximadamente 3-15% de Bi). Un ejemplo es óxido de SnZnBi, donde el contenido de metal es aproximadamente 40% de Sn, aproximadamente 50% de Zn y aproximadamente 10% de Bi. Naturalmente, pequeñas cantidades de otros materiales también se pueden incluir en la(s) capa(s). En otras modalidades de esta invención, este material inclusivo de óxido de estaño con los metales Zn y Bi adicionales se puede utilizar para cualquiera de las capas dieléctricas basadas en óxido de estaño en cualquier recubrimiento en cualquiera de las Patentes de los Estados Unidos Nos. 7,521,096, 7,879,448, 8,142,622, 7,648,769, 8,017,243, 7,597,965 O 7,858,191.
Con referencia a las Figuras 1-4, una o más de las capas dieléctricas 13, 15, 23, 40 pueden ser de o pueden incluir un óxido de SnlnZn en ciertas modalidades ejemplares de esta invención, donde la(s) capa(s) es(son) sustancialmente transparente(s) y oxidada(s) de manera completa o sustancialmente completa. Por ejemplo, el material de óxido de SnlnZn se puede utilizar solo para la capa 15 en las modalidades de las Figuras 1-2, en donde esencialmente el Sn02 u otro material dieléctrico adecuado se utiliza para las capas 13 y 23. Alternativamente, por ejemplo, el material de óxido de SnlnZn se puede utilizar para dos o las tres capas 13, 15 y 23 en la modalidad de la Figura 1. Como otro ejemplo, el material de óxido de SnlnZn se puede utilizar para una o ambas capas 40 y/o 13 en la modalidad de la Figura 3 y se puede utilizar para una o ambas capas 13 y/o 23 en la modalidad de la Figura 4. Por ejemplo, si el óxido de SnlnZn se utiliza para la capa 13 en la modalidad de la Figura 4, el SnC>2, SnZnO u otro material dieléctrico adecuado se puede utilizar para la capa 23. En ciertas modalidades ejemplares, cuando el óxido de SnlnZn se utiliza en o para una o más de las capas 13, 15, 23, 40, la capa contiene de preferencia más sustancialmente Sn e In que Zn; en donde un ejemplo es que el contenido de metal de la capa es de aproximadamente 10-70% de Sn (más preferiblemente de aproximadamente 20-60%, aún más preferiblemente de aproximadamente 30-55%, aún más preferiblemente de aproximadamente 40-50% de Sn), de aproximadamente 20-80% de In (más preferiblemente de aproximadamente 30-70%, aún más preferiblemente de aproximadamente 40-60%, aún más preferiblemente de aproximadamente 45-55% de In) y de aproximadamente 0.5-50% de Zn (más preferiblemente de aproximadamente 0.5-30%, más preferiblemente de aproximadamente 1-20% y mucho más preferiblemente de aproximadamente 1-10% de Zn). Un ejemplo es óxido de SnlnZn, donde el contenido de metal es aproximadamente 46% de Sn, aproximadamente 52% de In y aproximadamente 2% de Zn. Naturalmente, pequeñas cantidades de otros materiales también se pueden incluir en la(s) capa(s). En otras modalidades de esta invención, este material inclusivo de óxido de estaño con los metales Zn e In adicionales se puede utilizar para cualquiera de las capas dieléctricas basadas en óxido de estaño en cualquier recubrimiento en cualquiera de las Patentes de los Estados Unidos Nos. 7,521,096, 7,879,448, 8,142,622, 7,648,769, 8,017,243, 7,597,965 o 7,858,191.
Con referencia a las Figuras 1-4, una o más de las capas dieléctricas 13, 15, 23, 40 pueden ser de o pueden incluir un óxido de SnZnSb en ciertas modalidades ejemplares de esta invención, donde la(s) capa(s) es(son) sustancialmente transparente(s) y oxidada(s) de manera completa o sustancialmente completa. Por ejemplo, el material de óxido de SnZnSb se puede utilizar solo para la capa 15 en las modalidades de las Figuras 1-2, en donde esencialmente el Sn02 u otro material dieléctrico adecuado se utiliza para las capas 13 y 23. Alternativamente, por ejemplo, el material de óxido de SnZnSb se puede utilizar para dos o las tres capas 13, 15 y 23 en la modalidad de la Figura 1. Como otro ejemplo, el material de óxido de SnZnSb se puede utilizar para una o ambas capas 40 y/o 13 en la modalidad de la Figura 3 y se puede utilizar para una o ambas capas 13 y/o 23 en la modalidad de la Figura 4. Por ejemplo, si el óxido de SnZnSb se utiliza para la capa 13 en la modalidad de la Figura 4, el Sn02, SnZnO u otro material dieléctrico adecuado se puede utilizar para la capa 23. En ciertas modalidades ejemplares, cuando el óxido de SnZnSb se utiliza en o para una o más de las capas 13, 15, 23, 40, la capa contiene de preferencia más sustancialmente Sn y Zn que Sb; en donde un ejemplo es que el contenido de metal de la capa es de aproximadamente 10-70% de Sn (más preferiblemente de aproximadamente 10-55%, aún más preferiblemente de aproximadamente 20-40%, aún más preferiblemente de aproximadamente 25-35% de Sn), de aproximadamente 20-80% de Zn (más preferiblemente de aproximadamente 30-70%, aún más preferiblemente de aproximadamente 40-60%, aún más preferiblemente de aproximadamente 45-55% de Zn) y de aproximadamente 1-60% de Sb (más preferiblemente de aproximadamente 5-40%, más preferiblemente de aproximadamente 10-30% y mucho más preferiblemente de aproximadamente 15-25% de Sb). Un ejemplo es óxido de SnZnSb, donde el contenido de metal es aproximadamente 30% de Sn, aproximadamente 50% de Zn y aproximadamente 20% de Sb. Naturalmente, pequeñas cantidades de otros materiales también se pueden incluir en la(s) capa(s). En otras modalidades de esta invención, este material inclusivo de óxido de estaño con los metales Zn y Sb adicionales se puede utilizar para cualquiera de las capas dieléctricas basadas en óxido de estaño en cualquier recubrimiento en cualquiera de las Patentes de los Estados Unidos Nos. 7,521,096, 7,879,448, 8,142,622, 7,648,769, 8,017,243, 7,597,965 O 7,858,191.
Con referencia a las Figuras 1-4, una o más de las capas dieléctricas 13, 15, 23, 40 pueden ser de o pueden incluir un óxido de SnZnAl en ciertas modalidades ejemplares de esta invención, donde la(s) capa(s) es(son) sustancialmente transparente(s) y oxidada(s) de manera completa o sustancialmente completa. Por ejemplo, el material de óxido de SnZnAl se puede utilizar solo para la capa 15 en las modalidades de las Figuras 1-2, en donde esencialmente el Sn02 u otro material dieléctrico adecuado se utiliza para las capas 13 y 23. Alternativamente, por ejemplo, el material de óxido de SnZnAl se puede utilizar para dos o las tres capas 13, 15 y 23 en la modalidad de la Figura 1. Como otro ejemplo, el material de óxido de SnZnAl se puede utilizar para una o ambas capas 40 y/o 13 en la modalidad de la Figura 3 y se puede utilizar para una o ambas capas 13 y/o 23 en la modalidad de la Figura 4. Por ejemplo, si el óxido de SnZnAl se utiliza para la capa 13 en la modalidad de la Figura 4, el Sn02, SnZnO u otro material dieléctrico adecuado se puede utilizar para la capa 23. En ciertas modalidades ejemplares, cuando el óxido de SnZnAl se utiliza en o para una o más de las capas 13, 15, 23, 40, la capa contiene de preferencia más sustancialmente Sn y Zn que Al; en donde un ejemplo es que el contenido de metal de la capa es de aproximadamente 30-95% de Sn (más preferiblemente de aproximadamente 40-93%, aún más preferiblemente de aproximadamente 60-90%, aún más preferiblemente de aproximadamente 75-86% de Sn), de aproximadamente 0.5-60% de Zn (más preferiblemente de aproximadamente 2-35%, aún más preferiblemente de aproximadamente 4-20%, aún más preferiblemente de aproximadamente 5-15% de Zn) y de aproximadamente 0.5-20% de Al (más preferiblemente de aproximadamente 0.5-15%, más preferiblemente de aproximadamente 1-15% y mucho más preferiblemente de aproximadamente 3-10% de Al). Un ejemplo es óxido de SnZnAl, donde el contenido de metal es aproximadamente 83% de Sn, aproximadamente 10% de Zn y aproximadamente 7% de Al. Naturalmente, pequeñas cantidades de otros materiales también se pueden incluir en la(s) capa(s). En otras modalidades de esta invención, este material inclusivo de óxido de estaño con los metales Zn y Al adicionales se puede utilizar para cualquiera de las capas dieléctricas basadas en óxido de estaño en cualquier recubrimiento en cualquiera de las Patentes de los Estados Unidos Nos. 7,521,096, 7,879,448, 8,142,622, 7,648,769, 8,017,243, 7,597,965 O 7,858,191.
Con referencia a las Figuras 1-4, una o más de las capas dieléctricas 13, 15, 23, 40 pueden ser de o pueden incluir un óxido de SnZnMg en ciertas modalidades ejemplares de esta invención, donde la(s) capa(s) es(son) sustancialmente transparente(s) y oxidada(s) de manera completa o sustancialmente completa. Por ejemplo, el material de óxido de SnZnMg se puede utilizar solo para la capa 15 en las modalidades de las Figuras 1-2, en donde esencialmente el Sn02 u otro material dieléctrico adecuado se utiliza para las capas 13 y 23. Alternativamente, por ejemplo, el material de óxido de SnZnMg se puede utilizar para dos o las tres capas 13, 15 y 23 en la modalidad de la Figura 1. Como otro ejemplo, el material de óxido de SnZnMg se puede utilizar para una o ambas capas 40 y/o 13 en la modalidad de la Figura 3 y se puede utilizar para una o ambas capas 13 y/o 23 en la modalidad de la Figura 4. Por ejemplo, si el óxido de SnZnMg se utiliza para la capa 13 en la modalidad de la Figura 4, el Sn02, SnZnO u otro material dieléctrico adecuado se puede utilizar para la capa 23. En ciertas modalidades ejemplares, cuando el óxido de SnZnMg se utiliza en o para una o más de las capas 13, 15, 23, 40, la capa contiene de preferencia más sustancialmente Sn y Zn que Mg; en donde un ejemplo es que el contenido de metal de la capa es de aproximadamente 30-95% de Sn (más preferiblemente de aproximadamente 40-93%, aún más preferiblemente de aproximadamente 60-90%, aún más preferiblemente de aproximadamente 75-87% de Sn), de aproximadamente 0.5-60% de Zn (más preferiblemente de aproximadamente 2-35%, aún más preferiblemente de aproximadamente 4-20%, aún más preferiblemente de aproximadamente 5-15% de Zn) y de aproximadamente 0.5-20% de Mg (más preferiblemente de aproximadamente 0.5-12%, más preferiblemente de aproximadamente 1-15% y mucho más preferiblemente de aproximadamente 3-10% de Mg). Un ejemplo es óxido de SnZnMg, donde el contenido de metal es aproximadamente 85% de Sn, aproximadamente 10% de Zn y aproximadamente 5% de Mg. Naturalmente, pequeñas cantidades de otros materiales también se pueden incluir en la(s) capa(s). En otras modalidades de esta invención, este material inclusivo de óxido de estaño con los metales Zn y Mg adicionales se puede utilizar para cualquiera de las capas dieléctricas basadas en óxido de estaño en cualquier recubrimiento en cualquiera de las Patentes de los Estados Unidos Nos. 7,521,096, 7,879,448, 8,142,622, 7,648,769, 8,017,243, 7,597,965 o 7,858,191.
Con referencia a las Figuras 1-4, una o más de las capas dieléctricas 13, 15, 23, 40 pueden ser de o pueden incluir un óxido de SnCuSb en ciertas modalidades ejemplares de esta invención, donde la(s) capa(s) es(son) sustancialmente transparente(s) y oxidada(s) de manera completa o sustancialmente completa (se debe observar que "oxidada de manera completa o sustancialmente completa" como se utiliza en este documento significa oxidada a por lo menos aproximadamente 80% de ser oxidada completamente). Por ejemplo, el material de óxido de SnCuSb se puede utilizar solo para la capa 15 en las modalidades de las Figuras 1-2, en donde esencialmente el SnC>2 u otro material dieléctrico adecuado se utiliza para las capas 13 y 23. Alternativamente, por ejemplo, el material de óxido de SnCuSb se puede utilizar para dos o las tres capas 13, 15 y 23 en la modalidad de la Figura 1. Como otro ejemplo, el material de óxido de SnCuSb se puede utilizar para una o ambas capas 40 y/o 13 en la modalidad de la Figura 3 y se puede utilizar para una o ambas capas 13 y/o 23 en la modalidad de la Figura 4. Por ejemplo, si el óxido de SnCuSb se utiliza para la capa 13 en la modalidad de la Figura 4, el SnC>2, SnZnO u otro material dieléctrico adecuado se puede utilizar para la capa 23. En ciertas modalidades ejemplares, cuando el óxido de SnCuSb se utiliza en o para una o más de las capas 13, 15, 23, 40, la capa contiene de preferencia más sustancialmente Sn que Cu y Sb; en donde un ejemplo es que el contenido de metal de la capa es de aproximadamente 30-97% de Sn (más preferiblemente de aproximadamente 45-95%, aún más preferiblemente de aproximadamente 60-95%, aún más preferiblemente de aproximadamente 80-95% de Sn), de aproximadamente 0.1-20% de Cu (más preferiblemente de aproximadamente 0.1-10%, aún más preferiblemente de aproximadamente 1-8%, aún más preferiblemente de aproximadamente 2-7% de Cu) y de aproximadamente 0.1-20% de Sb (más preferiblemente de aproximadamente 0.5-15%, más preferiblemente de aproximadamente 1-10% y mucho más preferiblemente de aproximadamente 2-8% de Sb). Un ejemplo es óxido de SnCuSb, donde el contenido de metal es aproximadamente 91% de Sn, aproximadamente 4.5% de Cu y aproximadamente 4.5% de Sb. Naturalmente, pequeñas cantidades de otros materiales también se pueden incluir en la(s) capa(s). En otras modalidades de esta invención, este material inclusivo de óxido de estaño con los metales Cu y Sb adicionales se puede utilizar para cualquiera de las capas dieléctricas basadas en óxido de estaño en cualquier recubrimiento en cualquiera de las Patentes de los Estados Unidos Nos. 7,521,096, 7,879,448, 8,142,622, 7,648,769, 8,017,243, 7,597,965 o 7,858,191.
Con referencia a las Figuras 1-4, una o más de las capas dieléctricas 13, 15, 23, 40 pueden ser de o pueden incluir un óxido de SnCuBi en ciertas modalidades ejemplares de esta invención, donde la(s) capa(s) es(son) sustancialmente transparente(s) y oxidada(s) de manera completa o sustancialmente completa. Por ejemplo, el material de óxido de SnCuBi se puede utilizar solo para la capa 15 en las modalidades de las Figuras 1-2, en donde esencialmente el SnC>2 u otro material dieléctrico adecuado se utiliza para las capas 13 y 23. Alternativamente, por ejemplo, el material de óxido de SnCuBi se puede utilizar para dos o las tres capas 13, 15 y 23 en la modalidad de la Figura 1. Como otro ejemplo, el material de óxido de SnCuBi se puede utilizar para una o ambas capas 40 y/o 13 en la modalidad de la Figura 3 y se puede utilizar para una o ambas capas 13 y/o 23 en la modalidad de la Figura 4. Por ejemplo, si el óxido de SnCuBi se utiliza para la capa 13 en la modalidad de la Figura 4, el Sn02, SnZnO u otro material dieléctrico adecuado se puede utilizar para la capa 23. En ciertas modalidades ejemplares, cuando el óxido de SnCuBi se utiliza en o para una o más de las capas 13, 15, 23, 40, la capa contiene de preferencia más sustancialmente Sn que Cu y Bi; en donde un ejemplo es que el contenido de metal de la capa es de aproximadamente 30-97% de Sn (más preferiblemente de aproximadamente 45-95%, aún más preferiblemente de aproximadamente 60-95%, aún más preferiblemente de aproximadamente 80-95 de Sn), de aproximadamente 0.1-20% de Cu (más preferiblemente de aproximadamente 0.1-10%, aún más preferiblemente de aproximadamente 1-8%, aún más preferiblemente de aproximadamente 2-7% de Cu) y de aproximadamente 0.1-20% de Bi (más preferiblemente de aproximadamente 0.5-15%, más preferiblemente de aproximadamente 1-10% y mucho más preferiblemente de aproximadamente 2-8% de Bi). Un ejemplo es óxido de SnCuBi, donde el contenido de metal es aproximadamente 91% de Sn, aproximadamente 4.5% de Cu y aproximadamente 4.5% de Bi. Naturalmente, pequeñas cantidades de otros materiales también se pueden incluir en la(s) capa(s). En otras modalidades de esta invención, este material inclusivo de óxido de estaño con los metales Cu y Bi adicionales se puede utilizar para cualquiera de las capas dieléctricas basadas en óxido de estaño en cualquier recubrimiento en cualquiera de las Patentes de los Estados Unidos Nos. 7,521,096, 7,879,448, 8,142,622, 7,648,769, 8,017,243, 7,597,965 o 7,858,191.
Con referencia a las Figuras 1-4, una o más de las capas dieléctricas 13, 15, 23, 40 pueden ser de o pueden incluir un óxido de SnZnBiln en ciertas modalidades ejemplares de esta invención, donde la(s) capa(s) es(son) sustancialmente transparente(s) y oxidada(s) de manera completa o sustancialmente completa. Por ejemplo, el material de óxido de SnZnBiln se puede utilizar solo para la capa 15 en las modalidades de las Figuras 1-2, en donde esencialmente el Sn02 u otro material dieléctrico adecuado se utiliza para las capas 13 y 23. Alternativamente, por ejemplo, el material de óxido de SnZnBiln se puede utilizar para dos o las tres capas 13, 15 y 23 en la modalidad de la Figura 1. Como otro ejemplo, el material de óxido de SnZnBiln se puede utilizar para una o ambas capas 40 y/o 13 en la modalidad de la Figura 3 y se puede utilizar para una o ambas capas 13 y/o 23 en la modalidad de la Figura 4. Por ejemplo, si el óxido de SnZnBiln se utiliza para la capa 13 en la modalidad de la Figura 4, el Sn02, SnZnO u otro material dieléctrico adecuado se puede utilizar para la capa 23. En ciertas modalidades ejemplares, cuando el óxido de SnZnBiln se utiliza en o para una o más de las capas 13, 15, 23, 40, la capa contiene de preferencia más sustancialmente Sn que Zn, Bi e In; en donde un ejemplo es que el contenido de metal de la capa es de aproximadamente 30-95% de Sn (más preferiblemente de aproximadamente 40-95%, aún más preferiblemente de aproximadamente 70-93%, aún más preferiblemente de aproximadamente 75-91% de Sn), de aproximadamente 1-50% de Zn (más preferiblemente de aproximadamente 1-30%, aún más preferiblemente de aproximadamente 2-15%, aún más preferiblemente de aproximadamente 3-10% de Zn), de aproximadamente 0.5-20% de Bi (más preferiblemente de aproximadamente 0.5-15%, más preferiblemente de aproximadamente 1-10% y mucho más preferiblemente de aproximadamente 2-7% de Bi) y de aproximadamente 0.1-20% de In (más preferiblemente de aproximadamente 0.1-15%, más preferiblemente de aproximadamente 0.1-6% y mucho más preferiblemente de aproximadamente 2-7% de In). Un ejemplo es óxido de SnBiZnln, donde el contenido de metal es aproximadamente 86.5% de Sn, aproximadamente 5.5% de Zn, aproximadamente 3.5% de Bi y aproximadamente 4.5% de In. Naturalmente, pequeñas cantidades de otros materiales también se pueden incluir en la(s) capa(s). En otras modalidades de esta invención, este material inclusivo de óxido de estaño con los metales Zn, Bi e In adicionales se puede utilizar para cualquiera de las capas dieléctricas basadas en óxido de estaño en cualquier recubrimiento en cualquiera de las Patentes de los Estados Unidos Nos. 7,521,096, 7,879,448, 8,142,622, 7,648,769, 8,017,243, 7,597,965 O 7,858,191.
También se pueden proporcionar otra(s) capa(s) abajo o arriba de los recubrimientos ilustrados. De esta manera, mientras que el sistema de capas o recubrimiento está "sobre" o es "soportado por" el substrato 1 (directa o indirectamente), se puede(n) proporcionar otra(s) capa(s) entre el mismo. De esta manera, por ejemplo, los recubrimientos de las Figuras 1-4 se pueden considerar "sobre" y "soportado por" el substrato 1 incluso si se proporciona(n) otra(s) capa(s) entre la capa 3 y el substrato 1. Por otra parte, ciertas capas del recubrimiento ilustrado pueden ser retiradas en ciertas modalidades, mientras que se pueden agregar otras entre las diversas capas y la(s) diversa(s) capa(s) se puede(n) dividir con otra(s) capa(s) agrega'da(s) entre las secciones divididas en otras modalidades de esta invención sin apartarse del espíritu completo de ciertas modalidades de esta invención.
Mientras que varios espesores y materiales se pueden utilizar en capas en diferentes modalidades de esta invención, los espesores y materiales ejemplares para las capas respectivas sobre el substrato de vidrio 1 en las modalidades de las Figuras 1-2 son de la siguiente manera, desde el substrato de vidrio hacia afuera (se debe observar que una o más de las capas de óxido de estaño + M posteriores pueden ser cualquiera de los materiales descritos anteriormente donde la capa dieléctrica es de o incluye óxido de estaño con un(unos) metal(es) adicional(es), o alternativamente pueden ser solo de óxido de estaño): Materiales/Espesores Ejemplares Capa Intervalo Preferido (Á) Intervalo Más Preferido (Á) Ejemplo(A) Vidrio (1-10 mm de espesor) SixNy (capa 3) 40-450 A 70-300A 186A ZnOx (capa 7) 10-300 A 40-150A 107A Ag (capa 9) 50-250 A 80-120A 107A NiCrOx (capa 11 ) 10-100 A 12-40A 30A SnÜ2 + M (capa 13) 0-1,000 A 200-700A 412A SixNy (capa 14) 50-450 A 80-200A 131A SnÜ2 + M (capa 15) 30-250 A 50-200A 108A ZnOx (capa 17) 10-300 A 40-150A 119A Ag (capa 19) 50-250 A 80-220A 103A NiCrOx (capa 21 ) 10-100 A 20-45A 33A Sn02 + M (capa 23) 0-750 A 40-400A 337A S13N4 (capa 25) 10-750 A 20-100A 53A ZrOx (capa 27) 0-200A 10-50A 22A En ciertas modalidades ejemplares de esta invención, se proporciona un artículo revestido que incluye un recubrimiento de baja-E sobre un substrato de vidrio, el recubrimiento comprende: una primera capa dieléctrica; una primera capa reflectante de IR y una segunda capa reflectante de IR sobre el substrato de vidrio y localizadas encima de por lo menos la primera capa dieléctrica; y una segunda capa dieléctrica localizada entre por lo menos la primera capa reflectante de IR y la segunda capa reflectante de IR, en donde la segunda capa dieléctrica (por ejemplo, véase 13 y/o 15 en las figuras) comprende un óxido de uno o más de: SnPd, SnAg, SnMg, SnSb, SnZnBi, SnlnZn, SnZnSb, SnZnAl, SnZnMg, SnCuSb, SnCuBi, SnBi, SnW, SnSbBi, SnZnCu, SnZnBiln y SnlnGa. La segunda capa dieléctrica puede ser oxidada de manera completa o sustancialmente completa. El recubrimiento puede tener, en ciertos casos ejemplares, dos o tres capas reflectantes de IR (por ejemplo, de o que incluyen plata).
En el artículo revestido del párrafo inmediatamente anterior, la primera capa reflectante de IR y la segunda capa reflectante de IR pueden ser de o pueden incluir plata.
En el artículo revestido de cualquiera de los dos párrafos anteriores, la primera capa dieléctrica puede comprender óxido de zinc y puede estar localizada entre el substrato de vidrio y la primera capa reflectante de IR, y la primera capa dieléctrica que comprende óxido de zinc puede hacer contacto directamente con la primera capa reflectante de IR.
En el artículo revestido de cualquiera de los tres párrafos anteriores, el recubrimiento puede comprender además una capa que comprende nitruro de silicio entre el substrato de vidrio y la primera capa reflectante de IR.
En el artículo revestido de cualquiera de los cuatro párrafos anteriores, el recubrimiento puede comprender además una tercera capa dieléctrica localizada entre por lo menos la primera capa reflectante de IR y la segunda capa reflectante de IR, en donde la segunda capa dieléctrica y la tercera capa dieléctrica son separadas entre sí por vía de por lo menos una cuarta capa dieléctrica y en donde la tercera capa dieléctrica puede comprender un óxido de uno o más de: SnPd, SnAg, SnMg, SnSb, SnZnBi, SnlnZn, SnZnSb, SnZnAl, SnZnMg,. SnCuSb, SnCuBi, SnBi, SnW, SnSbBi, SnZnCu, SnZnBiln y SnlnGa. La cuarta capa dieléctrica puede comprender nitruro de silicio. El recubrimiento puede comprender además otra capa que comprende óxido de zinc que está bajo y hace contacto directamente con la segunda capa reflectante de IR.
El artículo revestido de cualquiera de los cinco párrafos anteriores puede tener una transmisión visible de por lo menos 30%, más preferiblemente de por lo menos aproximadamente 30%, aún más preferiblemente de por lo menos aproximadamente 50% o 60%.
En el artículo revestido de cualquiera de los seis párrafos anteriores, el recubrimiento puede tener una resistencia laminar no mayor que 5 ohmios/cuadrado.
El artículo revestido de cualquiera de los siete párrafos anteriores puede ser tratado con calor (por ejemplo, templado térmicamente). El artículo revestido puede tener un valor DE* reflectante del lado del vidrio no mayor que 5.0 (más preferiblemente no mayor que 4.5 o 4.0) debido al tratamiento con calor.
En el artículo revestido de cualquiera de los ocho párrafos anteriores, la segunda capa dieléctrica puede comprender o consistir esencialmente de un óxido de SnPd. El contenido de metal de la segunda capa dieléctrica puede comprender de aproximadamente 70-99% de Sn y de aproximadamente 1-20% de Pd. En el artículo revestido de cualquiera de los ocho párrafos anteriores, la segunda capa dieléctrica puede comprender o consistir esencialmente de un óxido de SnAg. El contenido de metal de la segunda capa dieléctrica puede comprender de aproximadamente 75-99% de Sn .y de aproximadamente 1-10% de Ag. En el artículo revestido de cualquiera de los ocho párrafos anteriores, la segunda capa dieléctrica puede comprender o consistir esencialmente de un óxido de SnMg. El contenido de metal de la segunda capa dieléctrica puede comprender de aproximadamente 70-99% de Sn y aproximadamente 1-20% de Mg. En el artículo revestido de cualquiera de los ocho párrafos anteriores, la segunda capa dieléctrica puede comprender o consistir esencialmente de un óxido de SnSb. El contenido de metal de la segunda capa dieléctrica puede comprender de aproximadamente 75-99% de Sn y de aproximadamente 1-20% de Sb. En el artículo revestido de cualquiera de los ocho párrafos anteriores, la segunda capa dieléctrica puede comprender o consistir esencialmente de un óxido de SnZnBi. El contenido de metal de la segunda capa dieléctrica puede comprender de aproximadamente 20-60% de Sn, de aproximadamente 30-70% de Zn y de aproximadamente 2-20% de Bi. En el artículo revestido de cualquiera de los ocho párrafos anteriores, la segunda capa dieléctrica puede comprender o consistir esencialmente de un óxido de SnlnZn. El contenido de metal de la segunda capa dieléctrica puede comprender de aproximadamente 20-60% de Sn, de aproximadamente 30-70% de In y de aproximadamente 1-20% de Zn. En el artículo revestido de cualquiera de los ocho párrafos anteriores, la segunda capa dieléctrica puede comprender o consistir esencialmente de un óxido de SnZnSb. El contenido de metal de la segunda capa dieléctrica puede comprender de aproximadamente 10-55% de Sn, de aproximadamente 30-70% de Zn y de aproximadamente 5-40% de Sb. En el artículo revestido de cualquiera de los ocho párrafos anteriores, la segunda capa dieléctrica puede comprender o consistir esencialmente de un óxido de SnZnAl. El contenido de metal de la segunda capa dieléctrica puede comprender de aproximadamente 40-93% de Sn, de aproximadamente 2-35% de Zn y de aproximadamente 1-15% de Al. En el artículo revestido de cualquiera de los ocho párrafos anteriores, la segunda capa dieléctrica puede comprender o consistir esencialmente de un óxido de SnZnMg. En el artículo revestido de cualquiera de los ocho párrafos anteriores, la segunda capa dieléctrica puede comprender o consistir esencialmente de un óxido de SnCuSb. En el artículo revestido de cualquiera de los ocho párrafos anteriores, la segunda capa dieléctrica puede comprender o consistir esencialmente de un óxido de SnCuBi. En el artículo revestido de cualquiera de los ocho párrafos anteriores, la segunda capa dieléctrica puede comprender o consistir esencialmente de un óxido de SnZnBiln. Las diferentes capas dieléctricas del recubrimiento pueden ser de varios de esos materiales en ciertas modalidades ejemplares de esta invención.
En el artículo revestido de cualquiera de los nueve párrafos anteriores, la segunda capa dieléctrica puede comprender o consistir esencialmente de un óxido de uno o más de: SnPd, SnAg, SnlnZn, SnCuSb, SnCuBi, SnW, SnZnCu, SnZnBiln y SnlnGa.
En el artículo revestido de cualquiera de los diez párrafos anteriores, la segunda capa dieléctrica puede comprender o consistir esencialmente de un óxido de una aleación binaria.
Mientras que la invención ha sido descrita en relación con lo que se considera actualmente que es la modalidad más práctica y preferida, se debe entender que la invención no debe ser limitada a la modalidad dada a conocer, sino que por el contrario, se pretende cubrir varias modificaciones y ordenaciones equivalentes que están incluidas dentro del espíritu y alcance de las reivindicaciones anexas.

Claims (54)

REIVINDICACIONES
1. Un artículo revestido, caracterizado porque incluye un recubrimiento de baja-E sobre un substrato de vidrio, el recubrimiento comprende: una primera capa dieléctrica; una primera capa reflectante de IR y una segunda capa reflectante de IR sobre el substrato de vidrio y localizadas encima de por lo menos la primera capa dieléctrica; y una segunda capa dieléctrica localizada entre por lo menos la primera capa reflectante de IR y la segunda capa reflectante de IR, en donde la segunda capa dieléctrica comprende un óxido de uno o más de: SnPd, SnAg, SnMg, SnSb, SnZnBi, SnlnZn, SnZnSb, SnZnAl, SnZnMg, SnCuSb, SnCuBi, SnBi, SnW, SnSbBi, SnZnCu, SnZnBiln y SnlnGa.
2. El artículo revestido de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque la primera capa reflectante de IR y la segunda capa reflectante de IR comprenden plata.
3. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado porque la primera capa dieléctrica comprende óxido de zinc y está localizada entre el substrato de vidrio y la primera capa reflectante de IR, y en donde la primera capa dieléctrica que comprende óxido de zinc hace contacto directamente con la primera capa reflectante de IR.
4. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado porque el recubrimiento comprende además una capa que comprende nitruro de silicio entre el substrato de vidrio y la primera capa reflectante de IR.
5. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado porque el recubrimiento comprende además una tercera capa dieléctrica localizada entre por lo menos la primera capa reflectante de IR y la segunda reflectante de IR, en donde la segunda capa dieléctrica y la tercera capa dieléctrica son separadas entre sí por vía de por lo menos una cuarta capa dieléctrica y en donde la tercera capa dieléctrica comprende un óxido de uno o más de: SnPd, SnAg, SnMg, SnSb, SnZnBi, SnlnZn, SnZnSb, SnZnAl, SnZnMg, SnCuSb, SnCuBi, SnBi, SnW, SnSbBi, SnZnCu, SnZnBiln y SnlnGa.
6. El artículo revestido de conformidad con la reivindicación 5, caracterizado porque la cuarta capa dieléctrica comprende nitruro de silicio.
7. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado porque el recubrimiento comprende además otra capa que comprende óxido de zinc que está debajo y hace contacto directamente con la segunda capa reflectante de IR.
8. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado porque el artículo revestido tiene una transmisión visible de por lo menos 30% y en donde la capa dieléctrica es oxidada de manera completa y/o sustancialmente completa.
9. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado porque el artículo revestido tiene una transmisión visible de por lo menos 50%.
10. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado porque el recubrimiento tiene una resistencia laminar no mayor que 5 ohmios/cuadrado.
11. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado porque el artículo revestido es tratado con calor
12. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado porque el artículo revestido se trata con calor y tiene un valor DE* reflectante del lado del vidrio no mayor que 5.0 debido al tratamiento con calor.
13. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica comprende un óxido de SnPd.
14. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado porque un contenido de metal de la segunda capa dieléctrica comprende de aproximadamente 70-99% de Sn y de aproximadamente 1-20% de Pd.
15. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica consiste esencialmente de un óxido de SnPd.
16. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1-12, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica comprende un óxido de SnAg.
17. El artículo revestido de conformidad con la reivindicación 16, caracterizado porque un contenido de metal de la segunda capa dieléctrica comprende de aproximadamente 75-99% de Sn y de aproximadamente 1-10% de Ag.
18. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1 o 16-17, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica consiste esencialmente de un óxido de SnAg.
19. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1-12, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica comprende un óxido de SnMg.
20. El artículo revestido de conformidad con la reivindicación 19, caracterizado porque un contenido de metal de la segunda capa dieléctrica comprende de aproximadamente 70-99% de Sn y de aproximadamente 1-20% de Mg.
21. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1 o 19-20, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica consiste esencialmente de un óxido de SnMg.
22. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1-12, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica comprende un óxido de SnSb.
23. El artículo revestido de conformidad con la reivindicación 22, caracterizado porque un contenido de metal de la segunda capa dieléctrica comprende de aproximadamente 75-99% de Sn y de aproximadamente 1-20% de Sb.
24. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1 o 22-23, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica consiste esencialmente de un óxido de SnSb.
25. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1-12, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica comprende un óxido de SnZnBi.
26. El artículo revestido de conformidad con la reivindicación 25, caracterizado porque un contenido de metal de la segunda capa dieléctrica comprende de aproximadamente 20-60% de Sn, de aproximadamente 30-70% de Zn y de aproximadamente 2-20% de Bi.
27. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1 o 25-26, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica consiste esencialmente de un óxido de SnZnBi.
28. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1-12, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica comprende un óxido de SnlnZn.
29. El artículo revestido de conformidad con la reivindicación 28, caracterizado porque un contenido de metal de la segunda capa dieléctrica comprende de aproximadamente 20-60% de Sn, de aproximadamente 30-70% de In y de aproximadamente 1-20% de Zn.
30. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1 o 28-29, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica consiste esencialmente de un óxido de SnZnln.
31. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1-12, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica comprende un óxido de SnZnSb.
32. El artículo revestido de conformidad con la reivindicación 31, caracterizado porque un contenido de metal de la segunda capa dieléctrica comprende de aproximadamente 10-55% de Sn, de aproximadamente 30-70% de Zn y de aproximadamente 5-40% de Sb.
33. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1 o 31-32, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica consiste esencialmente de un óxido de SnZnSb.
34. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1-12, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica comprende un óxido de SnZnAl.
35. El artículo revestido de conformidad con la reivindicación 34, caracterizado porque un contenido de metal de la segunda capa dieléctrica comprende de aproximadamente 40-93% de Sn, de aproximadamente 2-35% de Zn y de aproximadamente 1-15% de Al.
36. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1 o 34-35, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica consiste esencialmente de un óxido de SnZnAl.
37. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1-12, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica comprende un óxido de SnZnMg.
38. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1-12 o 37, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica consiste esencialmente de un óxido de SnZnMg.
39. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1-12, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica comprende un óxido de SnCuSb.
40. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1-12, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica consiste esencialmente de un óxido de SnCuSb.
41. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1-12, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica comprende un óxido de SnCuBi.
42. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1-12, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica consiste esencialmente de un óxido de SnCuBi.
43. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1-12, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica comprende un óxido de SnZnBiln.
44. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1-24, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica consiste esencialmente de un óxido de una aleación binaria.
45. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1-12, caracterizado porque la segunda capa dieléctrica comprende un óxido de uno o más de; SnPd, SnAg, SnlnZn, SnCuSb, SnCuBi, SnW, SnZnCu, SnZnBiln y SnlnGa.
46. Un artículo revestido, caracterizado porque incluye un recubrimiento de baja-E sobre un substrato de vidrio, el recubrimiento comprende: una capa dieléctrica y una capa reflectante de IR sobre el substrato de vidrio; y en donde la capa dieléctrica comprende un óxido de uno o más de: SnPd, SnAg, SnlnZn, SnCuSb, SnCuBi, SnW, SnZnCu, SnZnBiln y SnlnGa.
47. El artículo revestido de conformidad con la reivindicación 46, caracterizado porque la capa dieléctrica comprende un óxido de SnPd.
48. El artículo revestido de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 46-47, caracterizado porque un contenido de metal de la capa dieléctrica comprende de aproximadamente 70-99% de Sn y de aproximadamente 1-20% de Pd.
49. El artículo revestido de conformidad con la -reivindicación 46, caracterizado porque la capa dieléctrica comprende un óxido de SnAg.
50. El artículo revestido de conformidad con la reivindicación 46 o 49, caracterizado porque un contenido de metal de la capa dieléctrica comprende de aproximadamente 75-99% de Sn y de aproximadamente 1-10% de Ag.
51. El artículo revestido de conformidad con la reivindicación 46, caracterizado porque la capa dieléctrica comprende un óxido de SnlnZn.
52. El artículo revestido de conformidad con la reivindicación 46, caracterizado porque la capa dieléctrica comprende un óxido de SnCuSb.
53. El artículo revestido de conformidad con la reivindicación 46, caracterizado porque la capa dieléctrica comprende un óxido de SnCuBi.
54. El artículo revestido de conformidad con la reivindicación 46, caracterizado porque la capa dieléctrica comprende un óxido de SnZnBiln.
MX2015006202A 2012-11-19 2013-10-25 Articulo revestido con recubrimiento de baja-e que incluye capa(s) inclusiva(s) de oxido de estaño con metal(es) adicional(es). MX2015006202A (es)

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