TWI613069B

TWI613069B - 具有低輻射塗層且該塗層包括具其他金屬之含氧化錫層的經塗覆物件

Info

Publication number: TWI613069B
Application number: TW102140121A
Authority: TW
Inventors: 穆罕默德伊姆倫; 布蘭特博伊斯; 讓馬克萊姆; 馬庫斯法蘭克; 徐勇力
Original assignee: 加爾汀工業公司
Priority date: 2012-11-19
Filing date: 2013-11-05
Publication date: 2018-02-01
Also published as: WO2014078054A1; TW201431672A; CN105050979A; EP2920126A1; BR112015011161A2; RU2015123667A; JP2016504253A; KR20150087261A; US20140141259A1; US9796620B2; MX2015006202A; US20150064480A1; US8889272B2; US9028983B2; IN2015DN04159A; US20150232379A1

Abstract

一種經塗覆物件包含一塗層，諸如，一低輻射(低-E)塗層，其係由一基材(例如，玻璃基材)支撐。此塗層包含至少一含有以其它金屬摻雜之氧化錫之介電層。此塗層亦可含有一或多個紅外線(IR)反射層，其係或含有諸如銀等之材料，用於反射至少一些紅外線輻射。於某些例示實施例，經塗覆物件可經熱處理(例如，熱回火、熱彎曲，及/或熱強化)。依據本發明某些例示實施例之經塗覆物件可用於窗的情況下，包含建築物用之單片窗、建築物用之IG窗等。

Description

具有低輻射塗層且該塗層包括具其他金屬之含氧化錫層的經塗覆物件

本發明之例示實施例係有關於一經塗覆物件，其包含一藉由一基材(例如，玻璃基材)支撐之塗層，諸如，一低輻射(low-E)塗層。此塗層包含至少一介電層，此介電層包含以另外金屬摻雜之氧化錫。此塗層亦可包含一或多個係或包含諸如銀等之材料的紅外線(IR)反射層，用以反射至少一些紅外線輻射。於某些例示實施例，經塗覆物件可經熱處理(例如，熱回火、熱彎曲及/或熱強化)。依據本發明某些例示實施例之經塗覆物件可用於窗的情況下，包含建築物用之單片窗、建築物用之IG窗、車窗，及/或任何其它適合應用。

背景

經塗覆物件於此項技藝係已知用於窗應用，諸如，絕緣玻璃(IG)窗單元、車窗等。已知於某些情況，為了回火、彎曲等目的，所欲地係使此等經塗覆物件熱處理(例如，熱回火、熱彎曲及/或熱強化)。經塗覆物件之熱處理(HT)典型上需使用至少580℃，更佳係至少約600℃，且更佳係至少620℃之溫度。此等高溫(例如，5-10分鐘或更久)通常造成塗層破損及/或以一不可預期方式惡化或改變。因此，所欲地係使塗層能以一不會使塗層顯著受損之可預期方式抵擋需要時之此等熱處理(例如，熱回火)。

於某些情況，經塗覆物件之設計者努力結合所欲可見光透射、所欲顏色、低輻射(或輻射率)，及低片電阻(R_s)。低輻射(低-E)及/或低片電阻特徵使此等經塗覆物件阻所大量紅外線輻射以便降低，例如，汽車或建築物內部之非所欲熱。

在此被併入以供參考之美國專利第7,521,096號案揭露一種低輻射塗層，其於以銀為主之紅外線反射層下使用氧化鋅(ZnO)接觸層，及於底部以銀(Ag)為主之紅外線反射層上使用一NiCrO_x接觸層及其後之一中間氧化錫(SnO₂)介電層。‘096專利案之塗層中之SnO₂已被發現於熱處理時顯示微結晶化及應力，此會於SnO₂、ZnO及Ag間造成粗糙界面，此會導致耐用性惡化及影響透射顏色。含有粗糙金屬之界面易於起始所謂之表面電漿，此造成一全層堆疊中選擇性吸收，特別是於低可見光譜區(380-550nm)。此易造成一或多個不可預期之光學特徵，較少之中性顏色、較低可見光透射，及/或較低LSG。再者，已發現氧化錫(例如，SnO₂)於加熱時經歷於結晶化及應力顯著改變，此易使ZnO之結構及因而之其上的Ag生長降低。再者，此會導致差的Ag品質及/或此塗層差的熱穩定性，諸如，非所欲之高△E*值。

例示實施例概要

基於上述，對熟習此項技藝者明顯的是存在需要具有具至少一不會遭受純SnO₂介電層之一或多個上述問題之介電層的塗層(例如，低輻射塗層)之經塗覆物件。於某些例示實施例，已發現於一含有氧化錫(例如，SnO₂)之介電層中包含某些其它金屬可克服一或多個上述問題。例如，一或多種下列金屬可於濺鍍沉積此一塗層之一介電層時添加至氧化錫：Pd、Ag、Bi、In、Sb、Al、Mg，及/或Cu。三元及/或二元合金(包含其氧化物)可用以替代以此氧化物為主之層中之某些錫，以便使介電層及整體塗層於選擇性之熱處理(HT)前及/或後更為熱穩定，及降低及/或減慢於選擇性熱處理方法期間之應力改變。具有其它金屬之含有氧化錫之介電層的結構係更無序且使此層及塗層更穩定。已發現此材料之結構更無序，其會更穩定(例如，於熱處理時)。於本發明之某些例示實施例，此一具有添加其它金屬之含氧化錫之介電層可作為任何適合低輻射塗層中之一介電層，諸如，於至少一第一及第二紅外線反射層間，於紅外線反射層下，及/或於紅外線反射層上。但是，並非此塗層中之所有介電層需具有此一材料。於某些例示實施例，具有添加其它金屬之一含氧化錫之介電層可用於一亦含有諸如氮化矽(例如，Si₃N₄)、SnO₂、ZnO等之材料的其它介電層之塗層。

於本發明之某些例示實施例，提供一種經塗覆物件，其包含一位於一玻璃基材上之低輻射塗層，此塗層包含：一第一介電層；第一及第二紅外線反射層，其等係於玻璃基材且位於至少第一介電層上；及一第二介電層，其係位於至少第一及第二紅外線反射層之間，其中，第二介電層包含下列之一或多者之氧化物：SnPd、SnAg、SnMg、SnSb、SnZnBi、SnInZn、SnZnSb、SnZnAl、SnZnMg、SnCuSb、SnCuBi、SnBi、SnW、SnSbBi、SnZnCu、SnZnBiIn，及SnInGa。

於本發明之某些例示實施例，提供一種經塗覆物件，其包含一於玻璃基材上之低輻射塗層，此塗層包含：一介電層及一於玻璃基材上之紅外線反射層；且其中，介電層包含下列之一或多者之氧化物：SnPd、SnAg、SnMg、SnSb、SnZnBi、SnInZn、SnZnSb、SnZnAl、SnZnMg、SnCuSb、SnCuBi、SnBi、SnW、SnSbBi、SnZnCu，及SnInGa。

於本發明之某些例示實施例，提供一種經塗覆物件，包含一於一玻璃基材上之低輻射塗層，此塗層包含：一介電層及一於玻璃基材上之紅外線反射層；且其中，介電層包含下列之一或多者之氧化物：SnPd、SnAg、SnInZn、SnCuSb、SnCuBi、SnW、SnZnCu、SnZnBiIn，及SnInGa。介電層可位於紅外線反射層之上及/或之下。

1‧‧‧玻璃基材

3，14‧‧‧Si_xN_y

7，17‧‧‧ZnO

9，19‧‧‧Ag

11，21‧‧‧NiCrO_x

13，15，23，40‧‧‧介電層

25‧‧‧Si₃N₄

27‧‧‧ZrO_x

30，60，70‧‧‧塗層

50‧‧‧保護層

圖式簡要說明

圖1係依據本發明之一例示實施例之一經塗覆物件之截面圖。

圖2係依據本發明之另一例示實施例之一經塗覆物件之截面圖。

圖3係依據本發明之另一例示實施例之一經塗覆物件之截面圖。

圖4係依據本發明之另一例示實施例之一經塗覆物件之截面圖。

本發明實施例之詳細說明

於此處之圖式各處，相同參考編號係指相同零件。圖1-4之實施例中之層於本發明之例示實施例中較佳係藉由經由陶瓷或金屬靶材之濺鍍沉積而形成。

依據本發明之某些例示實施例之經塗覆物件可用於窗的情況下，包含建築物用之單片窗、建築物用之IG窗、車窗，及/或任何其它適合應用。

於某些例示實施例，已發現於一含氧化錫(例如，SnO₂)之介電層(見圖式中之層13，15，23，及40之一或多者)含有某些其它金屬可克服上述問題之一或多者。例如，於使介電層13、15、23，及40之一或多者濺鍍沉積於此一塗層時，下列金屬之一或多者可添加至氧化錫：Pd、Ag、Bi、In、Sb、Al、Mg，及/或Cu。三元及/或二元合金可用以替代以氧化物為主之介電層(例如，13、15、23、40之一或多者)中之一些錫，以便使介電層及全部之塗層30，60，70於選擇性之熱處理(HT)之前及/或之後更為熱穩定，及降低及/或減緩選擇性熱處理方法期間之應力改變。例如，一SnPd二元合金可用以替代以氧化物為主之介電層(例如，層13、15、23、40一或多者)中之一些錫，以便使介電層及全部之塗層30，60，70更為熱穩定。作為其它例子，SnAg、SnSb、SnBi、SnW，或SnMg之二元合金可用以替代以氧化物為主之介電層(例如，層13，15，23，40之一或多者)中之一些錫，以便使介電層及整體之塗層30，60，70更為熱穩定。作為其它例子，SnZnBi、SnInZn、SnZnSb、SnZnAl、SnZnMg、SnZnCu、SnInGa、SnSbBi、SnCuBi，或SnCuSb之三元合金可用以替代以氧化物為主之介電層(例如，層13，15，23，40之一或多者)中之一些錫，以便使介電層及全部之塗層30，60，70更為熱穩定。當然，此等三元或二元合金之一者的氧化物可用於層13、15、23，及/或40之一或二者，而此等三元或二元合金之另一者的氧化物可用於層13、15、23、40之其它者。其內含有其它金屬之此等含氧化錫之介電層較佳係氫完全或實質上完全氧化，且於選擇性熱處理後可為非結晶性。

具其它金屬之含氧化錫之介電層的結構係更無序，且使此層及塗層更穩定。已發現此材料之結構更為無序，其更為穩定(例如，於熱處理時)。於本發明之某些例示實施例，具有添加其它金屬之此一含氧化錫之介電層可作為任何適合低輻射塗層中之一介電層，諸如，於至少第一及第二紅外線反射層9，19之間，於紅外線反射層9，19之下，及/或於紅外線反射層9，19之上。於本發明之各種實施例，此等層可用於單銀、雙銀，或三銀低輻射塗層。但是，並非此塗層中之所有介電層需為此一材料。如圖1-4所示，於某些例示實施例，一具有添加其它金屬之含氧化錫之介電層可用於一亦含有諸如氮化矽(例如，Si₃N₄)、SnO₂、ZnO等之材料的其它介電層之塗層。使用一或多個其它含有另外金屬之此等含氧化錫之介電層能改良熱穩定性，諸如，較低玻璃側反射△E*值被達成。於本發明之某些例示實施例，與若僅SnO₂被用於此等層相比，包含玻璃基材1及於其上之低輻射塗層的經塗覆物件具有係低至少1.0(更佳係低至少1.5或2.0)之由於熱處理之玻璃側反射△E*值。於本發明之某些例示實施例，包含玻璃基材1及於其上之低輻射塗層的經塗覆物件具有不大於5.0，更佳係不大於4.5或4.0之玻璃側反射△E*。

於某些例示實施例，具有包含於其內的其它金屬之含氧化錫之介電層(13、15及/或40)係位於支撐一紅外線反射層(9及/或19)之一含氧化鋅之晶種層(7及/或17)下且直接接觸，以便改良紅外線反射層的品質-例如，見圖1-2中之層15，圖3中之層40，及圖4中之層13。於以ZnO為主之接觸層(7或17)下之層的結構及熱穩定性係與ZnO之質地生長(002)及其上之Ag生長(111)有關。純的SnO₂層遭窗包含高應力之結構改變，此易於，例如，熱處理時使塗層之光學及熱穩定性降低。純SnO₂層於濺鍍沉積時典型上係非結晶性，但於熱處理時變成結晶性。此處探討之於含氧化錫的介電層中提供其它金屬降低此結構改變且改良此層於熱處理前後之應力控制，且於某些例示實施例使此層保持非結晶性或實質上非結晶性，即使於熱處理後。此會改良低輻射塗層之整體性能。

於本發明之某些例示實施例(例如，圖1-2及4)，塗層包含一雙銀堆疊，即使本發明於所有情況並不如此限制。依據本發明例示實施例之具有低輻射塗層的經塗覆物件具有少於或等於7.0(更佳係少於或等於5.0，更佳係少於或等於4.0或3.0)之片電阻(R_s)(於選擇性之熱處理前及/或後測量)。依據本發明例示實施例之具有低輻射塗層的經塗覆物件具有不大於約0.09，更佳係不大於約0.07，且最佳係不大於約0.05或0.04之正常發射率(E_n)(於選擇性之熱處理前及/或後測量)。於某些例示實施例，於選擇性熱處理(HT)前及/或後及以單片形式測量時，依據本發明例示實施例之經塗覆物件具有至少約30%，更佳係至少約40%，更佳係至少約50%，且可能係至少約60%之可見光透射率(Ill.C，2度)。

術語"熱處理"及"加熱處理"於此處使用時意指使物件加熱至足以使含玻璃之經塗覆物件達到熱回火、熱彎曲及/或熱強化之溫度。此定義包含，例如，使一經塗覆物件於一烘箱或爐內，於至少約580℃，更佳係至少約600°C，之溫度加熱一段能回火、彎曲及/或熱強化之時間。於某些例子，熱處理可持續至少約4或5分鐘或更久。於本發明不同例示實施例，經塗覆物件可經熱處理或不經熱處理。

圖1係依據本發明之一例示的非限制性實施例之一經塗覆物件之側截面圖。此經塗覆物件包含基材1(例如，從約1.0至10.0mm厚，更佳係從約1.0mm至3.5mm厚之透明綠色、青銅色，或藍綠色玻璃基材)，及直接或間接設於基材1上之低輻射塗層(或層系統)30。塗層(或層系統)30包含：底含氮化矽之介電層3，其於本發明不同實施例中可為Si₃N₄，用於降低濁度之富Si型，或任何其它適合化學計量，第一下接觸層7(其接觸紅外線反射層9)，第一導性且較佳係金屬或實質上金屬之紅外線(IR)反射層9，第一上接觸層11(其接觸層9)，含氧化錫之介電層13，另一含氮化矽之層14，含氧化錫之介電層15，第二下接觸層17(其接觸紅外線反射層19)，第二導性且較佳係金屬或實質上金屬之紅外線反射層19，第二上接觸層21(其接觸層19)，於某些例示例子中可含氧化錫之介電層23，含氮化矽之介電層25，及選擇性之保護介電層27，其係或含有氧化鋯。"接觸"層7，11，17及21每一者接觸至少一紅外線反射層(例如，以Ag為主之層)。前述經濺鍍沉積之層3-27構成低輻射(即，低輻射性)塗層30，其係設於玻璃或塑膠基材1上。

於單片例子，如圖1(及亦於圖2-4)中所例示，經塗覆物件僅含有一玻璃基材1。但是，此處之單片經塗覆物件(例如，見圖1-4)可用於諸如疊層式汽車擋風玻璃、IG窗單元等之裝置。至於IG窗單元，一IG窗單元可含有二間隔開之基材。一例示之IG窗單元係例示及描述於，例如，美國專利第6,632,491號，其揭露內容在此併入本案以為參考資料。一例示之IG窗單元可含有，例如，於圖1-4之任一者(或此處於其它地方描述)中所示之經塗覆玻璃基材1，其係經由分隔物、密封劑等與另一玻璃基材(未示出)耦合，其間係界定一間隙。IG單元實施例中之基材間之此間隙於某些例子中可以諸如氬(Ar)之氣體填充。

圖2實施例係與圖1實施例相同，除了圖2實施例中之介電層23係SnO₂以便強調此塗層可含有一或多個其中未添加其它金屬之SnO₂介電層。圖2強調SnO₂可用以替代層13，15，23之一或二者中之具其它金屬之氧化錫材料。

圖3實施例係例示一其中低輻射塗層60係一與一雙銀塗層不同之單銀塗層的經塗覆物件。圖3實施例中以圖1指示之參考編號指示之層可被認為係相同層。

圖4實施例係例示依據本發明另一例示實施例之一含有一低輻射塗層70之經塗覆物件。圖4實施例於眾多方面係不同於圖1實施例。例如，圖1實施例之層14，15，及27無需存在於圖4實施例。另外，圖4實施例包含一係或含有氧化鈦(例如，TiO₂)之介電層4，其係位於底含氮化矽之層3與底含氧化鋅之層7間。如上所述，於圖式各處，相同參考編號係指相同零件/層。

於本發明之某些實施例，介電層3，14，及25可為或含有氮化矽。除其它方面外，氮化矽層3及14可改良經塗覆物件之熱處理性，例如，諸如熱回火等。氮化矽可為化學計量型式(例如，Si₃N₄)，或另外地，於本發明不同實施例中係富Si型式。例如，於一以銀為主之紅外線反射層下與氧化鋅及/或氧化錫混合之富Si之氮化矽3(及/或14)能使銀以使其片電阻與若某些另外材料係低於銀者相比係更少之方式沉積(例如，經由濺鍍等)。再者，於一富Si之含氮化矽的層3中存在游離Si能使於熱處理(HT)期間自玻璃1向外遷移之諸如鈉(Na)的某些原子於能達到銀且使其受損前藉由此富Si之含氮化矽的層更有效地停止。因此，相信於本發明某些例示實施例，藉由熱處理造成之氧化能使可見光透射增加，且層3中之富Si之Si_xN_y，例如，可降低熱處理期間對銀層造成之損害量，藉此使片電阻(R_s)以一令人滿意的方式減少或保持於約相同。

於某些例示實施例，當富Si之氮化物用於層3及/或14時，沉積之此富Si之氮化矽層特徵可在於Si_xN_y層，其中，x/y可為從0.76至1.5，更佳係從0.8至1.4，更佳係從0.85至1.2。再者，於某些例示實施例，於熱處理之前及/或之後，此富Si之Si_xN_y層可具有至少2.05，更佳係至少2.07，且有時係至少2.10(例如，632nm)之折射率"n"(注意：亦可使用之化學計量Si₃N₄具有2.02-2.04之折射率"n")。於某些例示實施例，驚人地發現改良之熱穩定性係特別於沉積之富Si的Si_xN_y層具有至少2.10，更佳係至少2.20，且最佳係從2.2至2.4之折射率"n"時可實現。再者，於某些例示實施例之富Si的Si_xN_y層可具有至少0.001，更佳係至少0.003之消光係數"k"(注意：化學計量Si₃N₄具有有效之0的消光係數"k")。再者，於某些例示實施例，驚人地發現改旅之熱穩定性可於沉積時富Si之Si_xN_y層的"k"係從0.001至0.05(550nm)時實現。注意n及k易由於熱處理而下降。

於本發明之某些例示實施例，此處所探討之任何及/或所有之氮化矽層可以諸如不銹鋼或鋁之其它材料摻雜。例如，於本發明之某些例示實施例，此處所探討之任何及/或所有之氮化矽層可選擇性地含有從約0-15%之鋁，更佳係從約1至10%之鋁。於本發明之某些實施例，氮化矽可於一至少含有氮氣之氛圍中藉由濺鍍Si或SiAl靶材而沉積。

紅外線(IR)反射層9及19較佳係實質上或完全為金屬及/或導性，且可包含或實質上由銀(Ag)、金，或任何其它適合之紅外線反射材料所組成。紅外線反射層9及19助於使塗層具有低輻射及/或良好太陽控制特徵。但是，於本發明之某些實施例，紅外線反射層會些微氧化。

於本發明之某些例示實施例，上接觸層11及21可為或包含鎳(Ni)氧化物、鉻/鉻金屬(Cr)氧化物，或諸如鎳鉻氧化物(NiCrO_x)之鎳合金氧化物，或其它適合材料。於此等層(11及/或21)中使用，例如，NiCrO_x或NiCr能改良耐用性。於本發明之某些實施例，層11及/或21之NiCrO_x可被完全氧化(即，完全化學計量)，或另外地，可僅被部份氧化(即，次氧化物)，或另外地，於NiCr實施例中可為金屬。於某些例子，NiCrO_x層11及/或21可為至少約50%被氧化。接觸層11及/或21(例如，係或包含Ni及/或Cr之氧化物)於本發明不同實施例中可為或不為階級化之氧化。氧化階級化意指此層之氧化程度於此層之整個厚度係改變。例如，一接觸層11及/或21係為階級化，以便與接觸層之距離緊鄰的紅外線反射層更遠或較遠/最遠之部份相比，於接觸界面處係更少與緊鄰之紅外線反射層氧化。各種型式之氧化階級化接觸層之說明係闡述於美國專利第6,576,349號案，其揭露內容在此併入本案以為參考資料。於本發明之不同實施例，接觸層11及/或21(例如，係或包含Ni及/或Cr)於紅外線反射層下之全部可為連續。

於本發明之某些例示實施例，介電晶種層7及17可為或包含氧化鋅。但是，如此處之其它層，其它材料可於不同例子中使用。於某些較佳實施例，下接觸層7及/或17係或包含ZnO。層7及17之氧化鋅亦可含有諸如Al之其它材料(例如，形成ZnAlO_x)。例如，於本發明之某些例示實施例，一或多個氧化鋅層7，17可以從約1至10%之Al，更佳係從約1至5%之Al，且最佳係約1至4%之Al摻雜。

於本發明之某些例示實施例，保護層(overcoat)介電層27可為或包含氧化鋯(例如，ZrO₂)。如同此處探討之其它層，此層係選擇性且於本發明之某些例示實施例係無需提供。

參考圖1-4，於本發明之某些例示實施例，介電層13，15，23，40之一或多者可為或包含SnPd之氧化物，其中，此等層係實質上透明且完全或實質上完全氧化。例如，SnPd氧化物材料可僅用於圖1-2實施例中之層15，且基本上，SnO₂或其它適合介電材料被用於層13及23。另外，例如，SnPd氧化物材料可用於圖1實施例中之層13，15，及23之二者或全部三者。作為另一例子，SnPd氧化物材料可用於圖3實施例中之層40及/或13之一或二者，且可用於圖4實施例中之層13及/或23之一或二者。例如，若SnPd氧化物被用於圖4實施例中之層13，SnO₂、SnZnO，或其它適合介電材料可用於層23。於某些例示實施例，當SnPd氧化物用於層13，15，23，40之一或多者，此層較佳係含有比Pd實質上更多之Sn，且一例子係此層之金屬含量從約50-99.5%之Sn(更佳係從約60-99.5%，更佳係從約70-99%，更佳係從約80-98%之Sn)及從約0.5-50%之Pd(更佳係從約0.5-30%，更佳係從約1-20%，且最佳係從約3-15%之Pd)。一例子係其中金屬含量係約90%之Sn及約10%之Pd的SnPd氧化物。此處之材料百分率(%)係原子%。當然，小量之其它材料亦可被己含於此等層中。於本發明之其它實施例，具有其它金屬Pd之此含氧化錫材料可用於美國專利第7,521,096、7,879,448、8,142,622、7,648,769、8,017,243、7,597,965，或7,858,191號案之任何者中之任何塗層中之任何以氧化錫為主之介電層，此等專利案在此併入本案以為參考資料。

參考圖1-4，於本發明之某些例示實施例，介電層13，15，23，40之一或多者可為或含有SnAg之氧化物，其中，此等層係實質上透明，且完全或實質上完全氧化。例如，SnAg氧化物材料可僅用於圖1-2實施例中之層15，且基本上，SnO₂或其它適合介電材料係用於層13及23。另外，例如，SnAg氧化物材料可用於圖1實施例中之層13、15，及23之二者或全部三者。作為另一例子，SnAg氧化物材料可用於圖3實施例中之層40及/或13之一者或二者，且可用於圖4實施例中之層13及/或23之一者或二者。例如，若SnAg氧化物用於圖4實施例中之層13，SnO₂、SnZnO，或其它適合介電材料可用於層23。於某些例示實施例，當SnAg氧化物用於層13，15，23，40之一或多者，此層較佳係含有比Ag實質上更多之Sn，且一例子係此層之金屬含量係從約60-99.5%之Sn(更佳係從約70-99.5%，更佳係從約75-99%，更佳係從約85-99%或90-98%之Sn)及從約0.5-40%之Ag(更佳係從約0.5-30%，更佳係從約1-20%，且最佳係從約1-10%之Ag)。一例子係其中金屬含量係約95%之Sn及約5%之Ag的SnAg氧化物。當然，小量之其它材料亦可被包含此於層中。於本發明之其它實施例，具有其它金屬Ag之此含氧化錫之材料可用於美國專利第7,521,096、7,879,448、8,142,622、7,648,769、8,017,243、7,597,965，或7,858,191號案之任何者中之任何塗層中之任何以氧化錫為主之介電層。

參考圖1-4，於本發明之某些例示實施例，介電層13，15，23，40之一或多者可為或包含SnMg之氧化物，其中，此等層係實質上透明且完全或實質上完全氧化。例如，SnMg氧化物材料可僅用於圖1-2實施例中之層15，且其本上，SnO₂或其它適合介電材料係用於層13及23。另外，例如，SnMg氧化物材料可用於圖1實施例之層13，15，及23之二者或全部三者。作為另一例子，SnMg氧化物材料可用於圖3實施例中之層40及/或13之一或二者，且可用於圖4實施例中之層13及/或23之一或二者。例如，若SnMg氧化物用於圖4實施例中之層13，SnO₂、SnZnO，或其它適合介電材料可用於層23。於某些例示實施例，當SnMg氧化物用於層13，15，23，40之一或多者，此等層較佳係含有比Mg實質上更多之Sn；且一例子係此層之金屬含量係從約50-99.5%之Sn(更佳係從約60-99.5%，更佳係從約70-99%，更佳係從約80-98%之Sn)及從約0.5-50%之Mg(更佳係從約0.5-30%，更佳係從約1-20%，且最佳係從約3-15%之Mg)。一例子係其中金屬含量係約90%之Sn及約10%之Mg的SnMg氧化物。當然，小量之其它材料亦可被包含於此等層中。於本發明之其它實施例，具有其它金屬Mg之此含氧化錫之材料可用於美國專利第7,521,096、7,879,448、8,142,622、7,648,769、8,017,243、7,597,965，或7,858,191之任何者中之任何塗層中之任何以氧化錫為主之介電層。

參考圖1-4，於本發明之某些例示實施例，介電層13，15，23，40之一或多者可為或包含SnSb之氧化物，其中，此等層係實質上透明且完全或實質上完全氧化。例如，SnSb氧化物材料可僅用於圖1-2實施例中之層15，且其本上，SnO₂或其它適合介電材料係用於層13及23。另外，例如，SnSb氧化物材料可用於圖1實施例之層13，15，及23之二者或全部三者。作為另一例子，SnSb氧化物材料可用於圖3實施例中之層40及/或13之一或二者，且可用於圖4實施例中之層13及/或23之一或二者。例如，若SnSb氧化物用於圖4實施例中之層13，SnO₂、SnZnO，或其它適合介電材料可用於層23。於某些例示實施例，當SnSb氧化物用於層 13，15，23，40之一或多者，此等層較佳係含有比Sb實質上更多之Sn；且一例子係此層之金屬含量係從約60-99.5%之Sn(更佳係從約70-99.5%，更佳係從約75-99%，更佳係從約85-99%或90-98%之Sn)及從約0.5-40%之Sb(更佳係從約0.5-30%，更佳係從約1-20%，且最佳係從約1-10%之Sb)。一例子係其中金屬含量係約95%之Sn及約5%之Sb的SnSb氧化物。當然，小量之其它材料亦可被包含於此等層中。於本發明之其它實施例，具有其它金屬Sb之此含氧化錫之材料可用於美國專利第7,521,096、7,879,448、8,142,622、7,648,769、8,017,243、7,597,965，或7,858,191之任何者中之任何塗層中之任何以氧化錫為主之介電層。

參考圖1-4，於本發明之某些例示實施例，介電層13，15，23，40之一或多者可為或包含SnZnBi之氧化物，其中，此等層係實質上透明且完全或實質上完全氧化。例如，SnZnBi氧化物材料可僅用於圖1-2實施例中之層15，且其本上，SnO₂或其它適合介電材料係用於層13及23。另外，例如，SnZnBi氧化物材料可用於圖1實施例之層13，15，及23之二者或全部三者。作為另一例子，SnZnBi氧化物材料可用於圖3實施例中之層40及/或13之一或二者，且可用於圖4實施例中之層13及/或23之一或二者。例如，若SnZnBi氧化物用於圖4實施例中之層13，SnO₂、SnZnO，或其它適合介電材料可用於層23。於某些例示實施例，當SnZnBi氧化物用於層13，15，23，40之一或多者，此等層較佳係含有比Bi實質上更多之Sn及Zn；且一例子係此層之金屬含量係從約10-70%之Sn(更佳係從約20-60%，更佳係從約30-50%，更佳係從約35-45%之Sn)，從約20-80%之Zn(更佳係從約30-70%，更佳係從約40-60%，更佳係從約45-55%之Zn)，及從約1-60%之Bi(更佳係從約1-30%，更佳係從約2-20%，且最佳係從約3-15%之Bi)。一例子係其中金屬含量係約40%之Sn，約50%之Zn，及約10%之Bi的SnZnBi氧化物。當然，小量之其它材料亦可被包含於此等層中。於本發明之其它實施例，具有其它金屬Zn及Bi之此含氧化錫之材料可用於美國專利第7,521,096、7,879,448、8,142,622、7,648,769、8,017,243、7,597,965，或7,858,191之任何者中之任何塗層中之任何以氧化錫為主之介電層。

參考圖1-4，於本發明之某些例示實施例，介電層13，15，23，40之一或多者可為或包含SnInZn之氧化物，其中，此等層係實質上透明且完全或實質上完全氧化。例如，SnInZn氧化物材料可僅用於圖1-2實施例中之層15，且其本上，SnO₂或其它適合介電材料係用於層13及23。另外，例如，SnInZn氧化物材料可用於圖1實施例之層13，15，及23之二者或全部三者。作為另一例子，SnInZn氧化物材料可用於圖3實施例中之層40及/或13之一或二者，且可用於圖4實施例中之層13及/或23之一或二者。例如，若SnInZn氧化物用於圖4實施例中之層13，SnO₂、SnZnO，或其它適合介電材料可用於層23。於某些例示實施例，當SnInZn氧化物用於層13，15，23，40之一或多者，此等層較佳係含有比Zn實質上更多之Sn及In；且一例子係此層之金屬含量係從約10-70%之Sn(更佳係從約20-60%，更佳係從約30-55%，更佳係從約40-50%之Sn)，從約20-80%之In(更佳係從約30-70%，更佳係從約40-60%，更佳係從約45-55%之In)，及從約0.5-50%之Zn(更佳係從約0.5-30%，更佳係從約1-20%，且最佳係從約1-10%之Zn)。一例子係其中金屬含量係約46%之Sn，約52%之In，及約2%之Zn的SnInZn氧化物。當然，小量之其它材料亦可被包含於此等層中。於本發明之其它實施例，具有其它金屬Zn及In之此含氧化錫之材料可用於美國專利第7,521,096、7,879,448、8,142,622、7,648,769、8,017,243、7,597,965，或7,858,191之任何者中之任何塗層中之任何以氧化錫為主之介電層。

參考圖1-4，於本發明之某些例示實施例，介電層13，15，23，40之一或多者可為或包含SnZnSb之氧化物，其中，此等層係實質上透明且完全或實質上完全氧化。例如，SnZnSb氧化物材料可僅用於圖1-2實施例中之層15，且其本上，SnO₂或其它適合介電材料係用於層13及23。另外，例如，SnZnSb氧化物材料可用於圖1實施例之層13，15，及23之二者或全部三者。作為另一例子，SnZnSb氧化物材料可用於圖3實施例中之層40及/或13之一或二者，且可用於圖4實施例中之層13及/或23之一或二者。例如，若SnZnSb氧化物用於圖4實施例中之層13，SnO₂、SnZnO，或其它適合介電材料可用於層23。於某些例示實施例，當SnZnSb氧化物用於層13，15，23，40之一或多者，此等層較佳係含有比Sb實質上更多之Sn及Zn；且一例子係此層之金屬含量係從約10-70%之Sn(更佳係從約10-55%，更佳係從約20-40%，更佳係從約25-35%之Sn)，從約20-80%之Zn(更佳係從約30-70%，更佳係從約40-60%，更佳係從約45-55%之Zn)，及從約1-60%之Sb(更佳係從約5-40%，更佳係從約10-30%，且最佳係從約15-25%之Sb)。一例子係其中金屬含量係約30%之Sn，約50%之Zn，及約20%之Sb的SnZnSb氧化物。當然，小量之其它材料亦可被包含於此等層中。於本發明之其它實施例，具有其它金屬Zn及Sb之此含氧化錫之材料可用於美國專利第7,521,096、7,879,448、8,142,622、7,648,769、8,017,243、7,597,965，或7,858,191之任何者中之任何塗層中之任何以氧化錫為主之介電層。

參考圖1-4，於本發明之某些例示實施例，介電層13，15，23，40之一或多者可為或包含SnZnAl之氧化物，其中，此等層係實質上透明且完全或實質上完全氧化。例如，SnZnAl氧化物材料可僅用於圖1-2實施例中之層15，且其本上，SnO₂或其它適合介電材料係用於層13及23。另外，例如，SnZnAl氧化物材料可用於圖1實施例之層13，15，及23之二者或全部三者。作為另一例子，SnZnAl氧化物材料可用於圖3實施例中之層40及/或13之一或二者，且可用於圖4實施例中之層13及/或23之一或二者。例如，若SnZnAl氧化物用於圖4實施例中之層13，SnO₂、SnZnO，或其它適合介電材料可用於層23。於某些例示實施例，當SnZnAl氧化物用於層13，15，23，40之一或多者，此等層較佳係含有比Al實質上更多之Sn及Zn；且一例子係此層之金屬含量係從約30-95%之Sn(更佳係從約40-93%，更佳係從約60-90%，更佳係從約75-86%之Sn)，從約0.5-60%之Zn(更佳係從約2-35%，更佳係從約4-20%，更佳係從約5-15%之Zn)，及從約0.5-20%之Al(更佳係從約0.5-15%，更佳係從約1-15%，且最佳係從約3-10%之Al)。一例子係其中金屬含量係約83%之Sn，約10%之Zn，及約7%之Al的SnZnAl氧化物。當然，小量之其它材料亦可被包含於此等層中。於本發明之其它實施例，具有其它金屬Zn及Al之此含氧化錫之材料可用於美國專利第7,521,096、7,879,448、8,142,622、7,648,769、8,017,243、7,597,965，或7,858,191之任何者中之任何塗層中之任何以氧化錫為主之介電層。

參考圖1-4，於本發明之某些例示實施例，介電層13，15，23，40之一或多者可為或包含SnZnMg之氧化物，其中，此等層係實質上透明且完全或實質上完全氧化。例如，SnZnMg氧化物材料可僅用於圖1-2實施例中之層15，且其本上，SnO₂或其它適合介電材料係用於層13及23。另外，例如，SnZnMg氧化物材料可用於圖1實施例之層13，15，及23之二者或全部三者。作為另一例子，SnZnMg氧化物材料可用於圖3實施例中之層40及/或13之一或二者，且可用於圖4實施例中之層13及/或23之一或二者。例如，若SnZnMg氧化物用於圖4實施例中之層13，SnO₂、SnZnO，或其它適合介電材料可用於層23。於某些例示實施例，當SnZnMg氧化物用於層13，15，23，40之一或多者，此等層較佳係含有比Mg實質上更多之Sn及Zn；且一例子係此層之金屬含量係從約30-95%之Sn(更佳係從約40-93%，更佳係從約60-90%，更佳係從約75-87%之Sn)，從約0.5-60%之Zn(更佳係從約2-35%，更佳係從約4-20%，更佳係從約5-15%之Zn)，及從約0.5-20%之Mg(更佳係從約0.5-12%，更佳係從約1-15%，且最佳係從約3-10%之Mg)。一例子係其中金屬含量係約85%之Sn，約10%之Zn，及約5%之Mg的SnZnMg氧化物。當然，小量之其它材料亦可被包含於此等層中。於本發明之其它實施例，具有其它金屬Zn及Mg之此含氧化錫之材料可用於美國專利第7,521,096、7,879,448、8,142,622、7,648,769、8,017,243、7,597,965，或7,858,191之任何者中之任何塗層中之任何以氧化錫為主之介電層。

參考圖1-4，於本發明之某些例示實施例，介電層13，15，23，40之一或多者可為或包含SnCuSb之氧化物，其中，此等層係實質上透明且完全或實質上完全氧化(注意“實質上完全氧化”於此處使用時係意指氧化至完全氧化之至少約80%)。例如，SnCuSb氧化物材料可僅用於圖1-2實施例中之層15，且其本上，SnO₂或其它適合介電材料係用於層13及23。另外，例如，SnCuSb氧化物材料可用於圖1實施例之層13，15，及23之二者或全部三者。作為另一例子，SnCuSb氧化物材料可用於圖3實施例中之層40及/或13之一或二者，且可用於圖4實施例中之層13及/或23之一或二者。例如，若SnCuSb氧化物用於圖4實施例中之層13，SnO₂、SnZnO，或其它適合介電材料可用於層23。於某些例示實施例，當SnCuSb氧化物用於層13，15，23，40之一或多者，此等層較佳係含有比Cu及Sb實質上更多之Sn；且一例子係此層之金屬含量係從約30-97%之Sn(更佳係從約45-95%，更佳係從約60-95%，更佳係從約80-95%之Sn)，從約0.1-20%之Cu(更佳係從約0.1-10%，更佳係從約1-8%，更佳係從約2-7%之Cu)，及從約0.1-20%之Sb(更佳係從約0.5-15%，更佳係從約1-10%，且最佳係從約2-8%之Sb)。一例子係其中金屬含量係約91%之Sn，約4.5%之Cu，及約4.5%之Sb的SnCuSb氧化物。當然，小量之其它材料亦可被包含於此等層中。於本發明之其它實施例，具有其它金屬Cu及Sb之此含氧化錫之材料可用於美國專利第7,521,096、7,879,448、8,142,622、7,648,769、8,017,243、7,597,965，或7,858,191之任何者中之任何塗層中之任何以氧化錫為主之介電層。

參考圖1-4，於本發明之某些例示實施例，介電層13，15，23，40之一或多者可為或包含SnCuBi之氧化物，其中，此等層係實質上透明且完全或實質上完全氧化。例如，SnCuBi氧化物材料可僅用於圖1-2實施例中之層15，且其本上，SnO₂或其它適合介電材料係用於層13及23。另外，例如，SnCuBi氧化物材料可用於圖1實施例之層13，15，及23之二者或全部三者。作為另一例子，SnCuBi氧化物材料可用於圖3實施例中之層40及/或13之一或二者，且可用於圖4實施例中之層13及/或23之一或二者。例如，若SnCuBi氧化物用於圖4實施例中之層13，SnO₂、SnZnO，或其它適合介電材料可用於層23。於某些例示實施例，當SnCuBi氧化物用於層13，15，23，40之一或多者，此等層較佳係含有比Cu及Bi實質上更多之Sn；且一例子係此層之金屬含量係從約30-97%之Sn(更佳係從約45-95%，更佳係從約60-95%，更佳係從約80-95%之Sn)，從約0.1-20%之Cu(更佳係從約0.1-10%，更佳係從約1-8%，更佳係從約2-7%之Cu)，及從約0.1-20%之Bi(更佳係從約0.5-15%，更佳係從約1-10%，且最佳係從約2-8%之Bi)。一例子係其中金屬含量係約91%之Sn，約4.5%之Cu，及約4.5%之Bi的SnCuBi氧化物。當然，小量之其它材料亦可被包含於此等層中。於本發明之其它實施例，具有其它金屬Cu及Bi之此含氧化錫之材料可用於美國專利第7,521,096、7,879,448、8,142,622、7,648,769、8,017,243、7,597,965，或7,858,191之任何者中之任何塗層中之任何以氧化錫為主之介電層。

參考圖1-4，於本發明之某些例示實施例，介電層13，15，23，40之一或多者可為或包含SnZnBiLn之氧化物，其中，此等層係實質上透明且完全或實質上完全氧化。例如，SnZnBiIn氧化物材料可僅用於圖1-2實施例中之層15，且其本上，SnO₂或其它適合介電材料係用於層13及23。另外，例如，SnZnBiIn氧化物材料可用於圖1實施例之層13，15，及23之二者或全部三者。作為另一例子，SnZnBiIn氧化物材料可用於圖3實施例中之層40及/或13之一或二者，且可用於圖4實施例中之層13及/或23之一或二者。例如，若SnZnBiIn氧化物用於圖4實施例中之層13，SnO₂、SnZnO，或其它適合介電材料可用於層23。於某些例示實施例，當SnZnBiIn氧化物用於層13，15，23，40之一或多者，此等層較佳係含有比Zn、Bi及In實質上更多之Sn；且一例子係此層之金屬含量係從約30-95%之Sn(更佳係從約40-95%，更佳係從約70-93%，更佳係從約75-91%之Sn)，從約1-50%之Zn(更佳係從約1-30%，更佳係從約2-15%，更佳係從約3-10%之Zn)，從約0.5-20%之Bi(更佳係從約0.5-15%，更佳係從約1-10%，且最佳係從約2-7%之Bi)，及從約0.1-20%之In(更佳係從約0.1-15%，更佳係從約0.1-6%，且最佳係從約2-7%之In)。一例子係其中金屬含量係約86.5%之Sn，約5.5%之Zn，約3.5%之Bi，及約4.5%之In的SnZnBiIn氧化物。當然，小量之其它材料亦可被包含於此等層中。於本發明之其它實施例，具有其它金屬Zn、Bi及In之此含氧化錫之材料可用於美國專利第7,521,096、7,879,448、8,142,622、7,648,769、8,017,243、7,597,965，或7,858,191之任何者中之任何塗層中之任何以氧化錫為主之介電層。

於例示塗層之下及之上的其它層亦可被提供。因此，雖然此層系統或塗層係(直接或間接)於基材1"上"或"受其支撐"，其它層可於其間提供。因此，例如，圖1-4之塗層可被認為係於基材1"上"及"受其支撐"，即使其它層於層3及基材1間提供。再者，於未偏離本發明某些實施例之整體精神，於某些實施例中，例示塗層之某些層可被移除，而其它者可添加於各種層之間，或於本發明之其它實施例，各種層可被分開，且其它層係添加於分開區段之間。

雖然於本發明不同實施例中各種厚度及材料可用於層中，圖1-2實施例中於玻璃基材1上之個別層的例示厚度及材料係如下，其係從玻璃基材向外(注意氧化錫+其下之M層之一或多者可為上述之任何材料，其中，介電層係或含有具其它金屬之氧化錫，或另外地，可僅係氧化錫)：

於本發明之某些例示實施例，提供一種經塗覆物件，包含一位於一玻璃基材上之低輻射塗層，此塗層包含：一第一介電層；第一及第二第二紅外線反射層，其等係於玻璃基材上且位於至少第一介電層上；及一第二介電層，其係位於至少第一及第二第二紅外線反射層之間，其中，第二介電層(例如，見圖式中之13及/或15)包含下列之一或多者之氧化物：SnPd、SnAg、SnMg、SnSb、SnZnBi、SnInZn、SnZnSb、SnZnAl、SnZnMg、SnCuSb、SnCuBi、SnBi、SnW、SnSbBi、SnZnCu、SnZnBiIn，及SnInGa。第二介電層可完全或實質上完全氧化。於某些例示例子，此塗層可具有二或三個紅外線反射層(例如，係或含有銀)。

於前段落之經塗覆物件中，第一及第二第二紅外線反射層可為或含有銀。

於前二段落中任一者之經塗覆物件中，第一介電層可包含氧化鋅且可位於玻璃基材與第一紅外線反射層之間，且包含氧化鋅之第一介電層可與第一紅外線反射層直接接觸。

於前三段落中任一者之經塗覆物件中，塗層可進一步包含一包含氮化矽之層，其係於玻璃基材與第一紅外線反射層之間。

於前四段落中任一者之經塗覆物件中，塗層可進一步包含一第三介電層，其係位於至少第一與第二紅外線反射層之間，其中，第二及第三介電層係藉由至少一第四介電層而彼此分開，且其中，第三介電層可包含下列之一或多者之氧化物：SnPd、SnAg、SnMg、SnSb、SnZnBi、SnInZn、SnZnSb、SnZnAl、SnZnMg、SnCuSb、SnCuBi、SnBi、SnW、SnSbBi、SnZnCu、SnZnBiIn，及SnInGa。第四介電層可包含氮化矽。塗層可進一步包含另一包含氧化鋅之層，其係於該第二紅外線反射層下且與其直接接觸。

如前五段落中任一者之經塗覆物件可具有至少30%，更佳係至少約30%，更佳係至少約50%或60%之可見光透射率。

於前六段落中任一者之經塗覆物件中，塗層可具有不大於5歐姆/平方之片電阻。

如前七段落中任一者之經塗覆物件可經熱處理(例如，熱回火)。經塗覆物件由於此熱處理可具有不大於5.0(更佳係不大於4.5或4.0)之玻璃側反射△E*值。

於前八段落中任一者之經塗覆物件中，第二介電層可包含或基本上由SnPd之氧化物所組成。第二介電層之金屬含量可包含約70-99%之Sn及從約1-20%之Pd。於前八段落中任一者之經塗覆物件中，第二介電層可包含或基本上由SnAg之氧化物所組成。第二介電層之金屬含量可包含從約75-99%之Sn及從約1-10%之Ag。於前八段落中任一者之經塗覆物件中，第二介電層可包含或基本上由SnMg之氧化物所組成。第二介電層之金屬含量可包含從約70-99%之Sn及從約1-20%之Mg。於前八段落中任一者之經塗覆物件中，第二介電層可包含或基本上由SnSb之氧化物所組成。第二介電層之金屬含量可包含從約75-99%之Sn及從約1-20%之Sb。於前八段落中任一者之經塗覆物件中，第二介電層可包含或基本上由SnZnBi之氧化物所組成。第二介電層之金屬含量可包含從約20-60%之Sn，從約30-70%之Zn，及從約2-20%之Bi。於前八段落中任一者之經塗覆物件中，第二介電層可包含或基本上由SnInZn之氧化物所組成。第二介電層之金屬含量可包含從約20-60%之Sn，從約30-70%之In，及從約1-20%之Zn。於前八段落中任一者之經塗覆物件，第二介電層可包含或基本上由SnZnSb之氧化物所組成。第二介電層之金屬含量可包含從約10-55%之Sn，從約30-70%之Zn，及從約5-40%之Sb。於前八段落中任一者之經塗覆物件中，第二介電層可包含或基本上由SnZnAl之氧化物所組成。第二介電層之金屬含量可包含從約40-93%之Sn，從約2-35%之Zn，及從約1-15%之Al。於前八段落中任一者之經塗覆物件中，第二介電層可包含或基本上由SnZnMg之氧化物所組成。於前八段落中任一者之經塗覆物件，第二介電層可包含或基本上由SnCuSb之氧化物所組成。於前八段落中任一者之經塗覆物件中，第二介電層可包含或基本上由SnCuBi之氧化物所組成。於前八段落中任一者之經塗覆物件中，第二介電層可包含或基本上由SnZnBiIn之氧化物所組成。於本發明之某些例示實施例，塗層之不同介電層可為此等材料之各種不同者。

於前九段落中任一者之經塗覆物件中，第二介電層可包含或基本上由下列之一或多者之氧化物所組成：SnPd、SnAg、SnInZn、SnCuSb、SnCuBi、SnW、SnZnCu、SnZnBiIn，及SnInGa。

於前十段落中任一者中之經塗覆物件中，第二介電層可包含或基本上由一二元合金之氧化物所組成。

雖然本發明已連同現今被認為最實際且較佳之實施例作說明，但需瞭解本發明不限於所揭露之實施例，相反地，係意欲涵蓋包含於所附申請專利範圍之精神及範圍內之修改及等化配置。

1‧‧‧玻璃基材

3，14，‧‧‧Si_xN_y

7，17‧‧‧ZnO

9，19‧‧‧Ag

11，21‧‧‧NiCrO_x

13，15，23‧‧‧介電層

25‧‧‧Si₃N₄

27‧‧‧ZrO_x

30‧‧‧塗層

Claims

一種經塗覆物件，包含一於一玻璃基材上之低輻射塗層，該塗層包含：一第一介電層；第一及第二紅外線反射層，其係於該玻璃基材上且位於至少該第一介電層上；及一第二介電層，其係位於至少該第一及第二紅外線反射層之間，其中，該第二介電層包含下列之一或多者之氧化物：SnPd、SnAg、SnMg、SnSb、SnZnBi、SnInZn、SnZnSb、SnZnAl、SnZnMg、SnCuSb、SnCuBi、SnBi、SnW、SnSbBi、SnZnCu、SnZnBiIn，及SnInGa，其中，該塗層進一步包含一第三介電層，其係位於至少該第一與第二紅外線反射層之間，其中，該第二及第三介電層係藉由至少一第四介電層彼此分開，且其中，該第三介電層包含下列之一或多者之氧化物：SnPd、SnAg、SnMg、SnSb、SnZnBi、SnInZn、SnZnSb、SnZnAl、SnZnMg、SnCuSb、SnCuBi、SnBi、SnW、SnSbBi、SnZnCu、SnZnBiIn，及SnInGa。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該第一及第二紅外線反射層包含銀。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該第一介電層包含氧化鋅且係位於該玻璃基材與該第一紅外線反射層之間，且其中，包含氧化鋅之該第一介電層係與該第一紅外線反射層直接接觸。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該塗層進一步包含一包含氮化矽之層，其係於該玻璃基材與該第一紅外線反射層之間。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該第四介電層包含氮化矽。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該塗層進一步包含另一含氧化鋅之層，其係於該第二紅外線反射層下方且與其直接接觸。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該經塗覆物件具有至少30%之可見光透射率，且其中，該介電層係實質上完全氧化及/或完全氧化。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該經塗覆物件具有至少50%之可見光透射率。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該塗層具有不大於5歐姆/平方之片電阻。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該經塗覆物件係經熱處理。
一種經塗覆物件，包含一於一玻璃基材上之低輻射塗層，該塗層包含：一第一介電層；第一及第二紅外線反射層，其係於該玻璃基材上且位於至少該第一介電層上；及一第二介電層，其係位於至少該第一及第二紅外線反射層之間，其中，該第二介電層包含下列之一或多者之氧化物：SnPd、SnAg、SnMg、SnSb、SnZnBi、SnInZn、SnZnSb、SnZnAl、SnZnMg、SnCuSb、SnCuBi、SnBi、SnW、SnSbBi、SnZnCu、SnZnBiIn，及SnInGa，其中，該經塗覆物件係經熱處理，且由於該熱處理而具有不大於5.0之玻璃側反射△E*值。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該第二介電層包含SnPd之氧化物。
一種經塗覆物件，包含一於一玻璃基材上之低輻射塗層，該塗層包含：一第一介電層；第一及第二紅外線反射層，其係於該玻璃基材上且位於至少該第一介電層上；及一第二介電層，其係位於至少該第一及第二紅外線反射層之間，其中，該第二介電層包含下列之一或多者之氧化物：SnPd、SnAg、SnMg、SnSb、SnZnBi、SnInZn、SnZnSb、SnZnAl、SnZnMg、SnCuSb、SnCuBi、SnBi、SnW、SnSbBi、SnZnCu、SnZnBiIn，及SnInGa，其中，該第二介電層包含SnPd之氧化物，其中，該第二介電層之金屬含量包含從約70-99%之Sn及從約1-20%之Pd。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該第二介電層係基本上由SnPd之氧化物所組成。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該第二介電層包含SnAg 之氧化物。
一種經塗覆物件，包含一於一玻璃基材上之低輻射塗層，該塗層包含：一第一介電層；第一及第二紅外線反射層，其係於該玻璃基材上且位於至少該第一介電層上；及一第二介電層，其係位於至少該第一及第二紅外線反射層之間，其中，該第二介電層包含下列之一或多者之氧化物：SnPd、SnAg、SnMg、SnSb、SnZnBi、SnInZn、SnZnSb、SnZnAl、SnZnMg、SnCuSb、SnCuBi、SnBi、SnW、SnSbBi、SnZnCu、SnZnBiIn，及SnInGa，其中，該第二介電層包含SnAg之氧化物，其中，該第二介電層之金屬含量包含從約75-99%之Sn及從約1-10%之Ag。
如請求項1或16之經塗覆物件，其中，該第二介電層係基本上由SnAg之氧化物所組成。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該第二介電層包含SnMg之氧化物。
如請求項18之經塗覆物件，其中，該第二介電層之金屬含量包含從約70-99%之Sn及從約1-20%之Mg。
如請求項1或19之經塗覆物件，其中，該第二介電層係基本上由SnMg之氧化物所組成。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該第二介電層包含SnSb之氧化物。
一種經塗覆物件，包含一於一玻璃基材上之低輻射塗層，該塗層包含：一第一介電層；第一及第二紅外線反射層，其係於該玻璃基材上且位於至少該第一介電層上；及一第二介電層，其係位於至少該第一及第二紅外線反射層之間，其中，該第二介電層包含下列之一或多者之氧化物：SnPd、SnAg、SnMg、SnSb、SnZnBi、SnInZn、SnZnSb、SnZnAl、SnZnMg、SnCuSb、SnCuBi、SnBi、SnW、SnSbBi、SnZnCu、SnZnBiIn，及SnInGa，其中，該第二介電層包含SnSb之氧化物，其中，該第二介電層之金屬含量包含從約75-99%之Sn及從約1-20%之Sb。
如請求項1或22之經塗覆物件，其中，該第二介電層係基本上由SnSb之氧化物所組成。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該第二介電層包含SnZnBi之氧化物。
一種經塗覆物件，包含一於一玻璃基材上之低輻射塗層，該塗層包含：一第一介電層；第一及第二紅外線反射層，其係於該玻璃基材上且位於至少該第一介電層上；及一第二介電層，其係位於至少該第一及第二紅外線反射層之間，其中，該第二介電層包含下列之一或多者之氧化物：SnPd、SnAg、SnMg、SnSb、SnZnBi、SnInZn、SnZnSb、SnZnAl、SnZnMg、SnCuSb、SnCuBi、SnBi、SnW、SnSbBi、SnZnCu、SnZnBiIn，及SnInGa，其中，該第二介電層包含SnZnBi之氧化物，其中，該第二介電層之金屬含量包含從約20-60%之Sn，從約30-70%之Zn，及從約2-20%之Bi。
如請求項1或25之經塗覆物件，其中，該第二介電層係基本上由SnZnBi之氧化物所組成。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該第二介電層包含SnInZn之氧化物。
一種經塗覆物件，包含一於一玻璃基材上之低輻射塗層，該塗層包含：一第一介電層；第一及第二紅外線反射層，其係於該玻璃基材上且位於至少該第一介電層上；及一第二介電層，其係位於至少該第一及第二紅外線反射層之間，其中，該第二介電層包含下列之一或多者之氧化物：SnPd、SnAg、SnMg、SnSb、SnZnBi、SnInZn、SnZnSb、SnZnAl、SnZnMg、SnCuSb、SnCuBi、SnBi、SnW、SnSbBi、SnZnCu、SnZnBiIn，及SnInGa，其中，該第二介電層包含SnInZn之氧化物，其中，該第二介電層之金屬含量包含從約20-60%之Sn，從約30-70%之In，及從約1-20%之Zn。
如請求項1或28之經塗覆物件，其中，該第二介電層係基本上由SnZnIn之氧化物所組成。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該第二介電層包含SnZnSb之氧化物。
一種經塗覆物件，包含一於一玻璃基材上之低輻射塗層，該塗層包含：一第一介電層；第一及第二紅外線反射層，其係於該玻璃基材上且位於至少該第一介電層上；及一第二介電層，其係位於至少該第一及第二紅外線反射層之間，其中，該第二介電層包含下列之一或多者之氧化物：SnPd、SnAg、SnMg、SnSb、SnZnBi、SnInZn、SnZnSb、SnZnAl、SnZnMg、SnCuSb、SnCuBi、SnBi、SnW、SnSbBi、SnZnCu、SnZnBiIn，及SnInGa，其中，該第二介電層包含SnZnSb之氧化物，其中，該第二介電層之金屬含量包含從約10-55%之Sn，從約30-70%之Zn，及從約5-40%之Sb。
如請求項1或31之經塗覆物件，其中，該第二介電層係基本上由SnZnSb之氧化物所組成。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該第二介電層包含SnZnAl之氧化物。
一種經塗覆物件，包含一於一玻璃基材上之低輻射塗層，該塗層包含：一第一介電層；第一及第二紅外線反射層，其係於該玻璃基材上且位於至少該第一介電層上；及一第二介電層，其係位於至少該第一及第二紅外線反射層之間，其中，該第二介電層包含下列之一或多者之氧化物：SnPd、SnAg、SnMg、SnSb、SnZnBi、SnInZn、SnZnSb、SnZnAl、SnZnMg、SnCuSb、SnCuBi、SnBi、SnW、SnSbBi、SnZnCu、SnZnBiIn，及SnInGa，其中，該第二介電層包含SnZnAl之氧化物，其中，該第二介電層之金屬含量包含從約40-93%之Sn，從約2-35%之Zn，及從約1-15%之Al。
如請求項1或34之經塗覆物件，其中，該第二介電層係基本上由SnZnAl之氧化物所組成。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該第二介電層包含SnZnMg之氧化物。
如請求項1或36之經塗覆物件，其中，該第二介電層係基本上由SnZnMg之氧化物所組成。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該第二介電層包含SnCuSb之氧化物。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該第二介電層係基本上由SnCuSb之氧化物所組成。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該第二介電層包含SnCuBi之氧化物。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該第二介電層係基本上由SnCuBi之氧化物所組成。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該第二介電層包含 SnZnBiIn之氧化物。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該第二介電層係基本上由一二元合金之氧化物所組成。
如請求項1之經塗覆物件，其中，該第二介電層包含下列之一或多者之氧化物：SnPd、SnAg、SnInZn、SnCuSb、SnCuBi、SnW、SnZnCu、SnZnBiIn，及SnInGa。
一種經塗覆物件，包含一於一玻璃基材上之低輻射塗層，該塗層包含：一介電層及一紅外線反射層，其等係於該玻璃基材上；且其中，該介電層包含下列之一或多者之氧化物：SnPd、SnAg、SnInZn、SnCuSb、SnCuBi、SnW、SnZnCu、SnZnBiIn，及SnInGa，其中，該介電層之金屬含量包含從約70-99%之Sn及從約1-20%之Pd。
如請求項45之經塗覆物件，其中，該介電層包含SnPd之氧化物。
一種經塗覆物件，包含一於一玻璃基材上之低輻射塗層，該塗層包含：一第一介電層；第一及第二紅外線反射層，其係於該玻璃基材上且位於至少該第一介電層上；及一第二介電層，其係位於至少該第一及第二紅外線反射層之間，其中，該第二介電層包含下列之一或多者之氧化物：SnPd、SnAg、SnMg、SnSb、SnZnBi、SnInZn、SnZnSb、SnZnAl、SnZnMg、SnCuSb、SnCuBi、SnBi、SnW、SnSbBi、SnZnCu、SnZnBiIn，及SnInGa，其中，該介電層包含SnAg之氧化物，其中，該介電層之金屬含量包含從約75-99%之Sn及從約1-10%之Ag。