JP2016225518A - ゲッタリング層形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数のデバイス(3)が表面(1a)に形成されたウエーハ(1)の裏面(1b)に金属イオンを吸着保持するゲッタリング層(1g)を形成する。ゲッタリング層の形成は、先ず、ウエーハをチャンバ(21)に搬入し、真空圧の真空チャンバ内に酸素ガスを供給する。その後、酸素ガスを高周波電力によってイオン化させ、酸素ガスがイオン化された酸素イオンをウエーハの裏面にスパッタさせる。このスパッタによって、ウエーハの裏面に酸化膜が形成されると共に酸化膜に歪み(1e、1f)が形成されるゲッタリング層(1g)が形成される。
【選択図】図6
Description
ガス種:SF6
距離D:10mm
高周波周波数:13.56MHz
高周波電力:100W−5KW
チャンバ内圧力:1〜200Pa(絶対真空を0Paとした時(絶対圧表記))
処理時間:10秒〜10分
ガス種:酸素ガス
距離D:50〜100mm
高周波周波数:2MHz〜5MHz
高周波電力:100W−5KW
チャンバ内圧力:1〜800Pa(絶対真空を0Paとした時(絶対圧表記))
処理時間:10秒〜10分
1a 表面
1b 裏面
1c SiO2膜(酸化膜)
1e、1f 歪み
1g ゲッタリング層
3 デバイス
20 加工装置
21 チャンバ(真空チャンバ)
Claims (1)
- 複数のデバイスが表面に形成された半導体ウエーハの裏面に金属イオンを吸着保持するゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成方法であって、
半導体ウエーハを真空チャンバに搬入し真空圧の該真空チャンバ内に酸素ガスを供給し、該酸素ガスを高周波電力によってイオン化させ、該酸素ガスがイオン化された酸素イオンをウエーハの裏面にスパッタさせウエーハの裏面に酸化膜を形成すると共に該酸化膜に歪みを形成するゲッタリング層を形成することを特徴とするゲッタリング層形成方法。
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