JP2016219825A - 圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波デバイス及びセンサー - Google Patents

Abstract

【課題】環境負荷が小さく且つリーク電流の発生を抑制することができる液体噴射ヘッドを提供する。【解決手段】圧電体層と圧電体層を挟む電極とを備えた圧電素子であって、密着層５６上には、第１電極６０と、厚さが３μｍ以下、好ましくは０．３〜１．５μｍの薄膜である圧電体層７０と、第２電極８０とが、積層形成されて、圧力発生室１２に圧力変化を生じさせる圧力発生手段としての圧電素子３００である。前記圧電体層は、ビスマス、鉄、バリウム、チタン、コバルト及びナトリウムを含み、前記ナトリウムの含有量が５モル％以上２５モル％以下であり、ペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電素子とする。【選択図】図３

Description

本発明は、圧電材料からなる圧電体層及び電極を有する圧電素子を具備し、ノズル開口から液滴を吐出させる液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子に関する。

液体噴射ヘッドの代表例としては、例えば、インク滴を吐出するノズルと連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板を圧電素子により変形させて圧力発生室のインクを加圧してノズルからインク滴として吐出させるインクジェット式記録ヘッドがある。インクジェット式記録ヘッドに用いられる圧電素子としては、電気的機械変換機能を呈する圧電材料、例えば、結晶化した誘電材料からなる圧電体層（圧電体膜）を、２つの電極で挟んで構成されたものがある。

このような圧電素子を構成する圧電体層として用いられる圧電材料には高い圧電特性が求められており、圧電材料の代表例として、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）が挙げられる（特許文献１参照）。しかしながら、環境問題の観点から、非鉛又は鉛の含有量を抑えた圧電材料が求められている。鉛を含有しない圧電材料としては、例えば、Ｂｉ、Ｂａ、Ｆｅ及びＴｉを含む圧電材料がある（特許文献２参照）。

特開２００１−２２３４０４号公報 特開２００７−２８７７４５号公報

しかしながら、このようなＢｉ、Ｂａ、Ｆｅ及びＴｉを含む圧電材料は、絶縁性が低くリーク電流が発生するという問題がある。なお、このような問題はインクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドに限定されず、他の圧電素子においても同様に存在する。

本発明はこのような事情に鑑み、環境負荷が小さく且つリーク電流の発生を抑制することができる液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子を提供することを目的とする。

上記課題を解決する本発明の態様は、圧電体層と前記圧電体層を挟む電極とを備えた圧電素子であって、前記圧電体層は、ビスマス、鉄、バリウム、チタン、コバルト及びナトリウムを含み、前記ナトリウムの含有量が５モル％以上２５モル％以下であり、ペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなることを特徴とする圧電素子にある。
かかる態様では、ビスマス、鉄、バリウム、チタン、コバルト及びナトリウムを含み、該ナトリウムの含有量が５モル％以上２５モル％以下であり、ペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層とすることにより、絶縁性が高くなりリーク電流の発生を抑制することができる。また、鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減できる。

本発明の他の態様は、上記圧電素子を具備することを特徴とする液体噴射ヘッド、及び当該液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。かかる態様では、絶縁性が高くリーク電流の発生を抑制することができる圧電素子を有するため、絶縁破壊等が防止され信頼性に優れた液体噴射ヘッド、及び液体噴射装置となる。また、鉛の含有量を抑え環境への負荷が低減された液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供できる。

また、本発明の他の態様は、上記圧電素子を具備することを特徴とする超音波デバイス、あるいは、上記圧電素子を具備するセンサーにある。かかる態様では、絶縁性が高くなりリーク電流の発生を抑制することができる圧電素子を有するため、絶縁破壊等が防止され信頼性に優れた超音波デバイス、あるいは、センサー実現することができる。また、鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷が低減された超音波デバイス、あるいは、センサーを提供できる。

実施形態１に係る記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図。 実施形態１に係る記録ヘッドの平面図。 実施形態１に係る記録ヘッドの断面図。 実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図。 実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図。 実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図。 実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図。 実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図。 本発明の一実施形態に係る記録装置の概略構成を示す図。

（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図２は、図１の平面図であり、図３は図２のＡ−Ａ′線断面図である。図１〜図３に示すように、本実施形態の流路形成基板１０は、シリコン単結晶基板からなり、その一方の面には二酸化シリコンからなる弾性膜５０が形成されている。

流路形成基板１０には、複数の圧力発生室１２がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向外側の領域には連通部１３が形成され、連通部１３と各圧力発生室１２とが、各圧力発生室１２毎に設けられたインク供給路１４及び連通路１５を介して連通されている。連通部１３は、後述する保護基板のマニホールド部３１と連通して各圧力発生室１２の共通のインク室となるマニホールドの一部を構成する。インク供給路１４は、圧力発生室１２よりも狭い幅で形成されており、連通部１３から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。なお、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路１４を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。本実施形態では、流路形成基板１０には、圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５からなる液体流路が設けられていることになる。

また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。

一方、このような流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、例えば厚さ３０〜５０ｎｍ程度の酸化チタン等からなり、弾性膜５０等の第１電極６０の下地との密着性を向上させるための密着層５６が設けられている。なお、弾性膜５０上に、必要に応じて酸化ジルコニウム等からなる絶縁体膜が設けられていてもよい。

さらに、この密着層５６上には、第１電極６０と、厚さが３μｍ以下、好ましくは０．３〜１．５μｍの薄膜である圧電体層７０と、第２電極８０とが、積層形成されて、圧力発生室１２に圧力変化を生じさせる圧力発生手段としての圧電素子３００を構成している。ここで、圧電素子３００は、第１電極６０、圧電体層７０及び第２電極８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。本実施形態では、第１電極６０を圧電素子３００の共通電極とし、第２電極８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、ここでは、圧電素子３００と当該圧電素子３００の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアクチュエーター装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜５０、密着層５６、第１電極６０及び必要に応じて設ける絶縁体膜が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜５０や密着層５６を設けなくてもよい。また、圧電素子３００自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。

本実施形態においては、圧電体層７０を構成する圧電材料は、ビスマス（Ｂｉ）、鉄（Ｆｅ）、バリウム（Ｂａ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）及びナトリウム（Ｎａ）を含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物である。そして、この複合酸化物中に含まれるＮａの含有量は、５モル％以上２５モル％以下である。なお、ペロブスカイト構造、すなわち、ＡＢＯ₃型構造のＡサイトは酸素が１２配位しており、また、Ｂサイトは酸素が６配位して８面体（オクタヘドロン）をつくっている。本実施形態においては、このＡサイトにＢｉ、Ｂａ及びＮａが、ＢサイトにＦｅ、Ｔｉ及びＣｏが位置している。

このように、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｃｏ及びＮａを含み且つこのＮａの含有量が５モル％以上２５モル％以下であり、ペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層７０とすることにより、絶縁性が向上しリーク電流の発生を抑制することができる。また、このようにＢｉ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｃｏ及びＮａを含み且つこのＮａの含有量が５モル％以上２５モル％以下でありペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層７０としても、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｔｉ及びＣｏを含みＮａを含まないペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層７０と同等の変位量を得ることができる。すなわち、Ｎａを含むことによりリーク電流の発生を抑制することができるという効果を発揮しつつ、変位量が維持できる。

このようなＢｉ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｃｏ及びＮａを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物は、鉄酸コバルト酸ビスマスとチタン酸バリウムとチタン酸ビスマスナトリウムとの混晶のペロブスカイト構造を有する複合酸化物、または、鉄酸コバルト酸ビスマスとチタン酸バリウムとチタン酸ビスマスナトリウムが均一に固溶した固溶体としても表される。なお、Ｘ線回折パターンにおいて、鉄酸コバルト酸ビスマス、チタン酸バリウムやチタン酸ビスマスナトリウムは、単独では検出されないものである。

ここで、鉄酸コバルト酸ビスマス、チタン酸バリウムやチタン酸ビスマスナトリウムは、それぞれペロブスカイト構造を有する公知の圧電材料であり、それぞれ種々の組成のものが知られている。例えば、鉄酸コバルト酸ビスマス、チタン酸バリウムやチタン酸ビスマスナトリウムとして、Ｂｉ（Ｃｏ，Ｆｅ）Ｏ_３、ＢａＴｉＯ_３やＢｉ_０．５Ｎａ_０．５ＴｉＯ_３以外に、元素が一部欠損する又は過剰であったり、元素の一部が他の元素に置換されたものも知られているが、本発明で鉄酸コバルト酸ビスマス、チタン酸バリウム、チタン酸ビスマスナトリウムと表記した場合、基本的な特性が変わらない限り、欠損・過剰により化学量論の組成からずれたものや元素の一部が他の元素に置換されたものも、鉄酸コバルト酸ビスマス、チタン酸バリウムやチタン酸ビスマスナトリウムの範囲に含まれるものとする。

このようなペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層７０の組成は、例えば、下記一般式（１）で表される混晶として表される。また、この式（１）は、下記式（１’）で表すこともできる。ここで、式（１）及び式（１’）の記述は化学量論に基づく組成表記であり、上述したように、ペロブスカイト構造を取り得る限りにおいて、格子不整合、酸素欠損等による不可避な組成のずれは勿論、元素の一部置換等も許容される。例えば、化学量論比が１とすると、０．８５〜１．２０の範囲内のものは許容される。
（１−ｘ−ｙ）［Ｂｉ（Ｆｅ_１−ａＣｏ_ａ）Ｏ_３］−ｘ［ＢａＴｉＯ_３］−ｙ［（Ｂｉ_０．５Ｎａ_０．５）ＴｉＯ_３］ （１）
（０＜ｘ＜０．４０、０．１０≦ｙ≦０．５０、０．０１＜ａ＜０．０９）
（Ｂｉ_{１−ｘ−０．５ｙ}Ｂａ_ｘＮａ_０．５ｙ）（（Ｆｅ_１−ａＣｏ_ａ）_{１−ｘ−ｙ}Ｔｉ_ｘ＋ｙ） （１’）
（０＜ｘ＜０．４０、０．１０≦ｙ≦０．５０、０．０１＜ａ＜０．０９）

このような圧電素子３００の個別電極である各第２電極８０には、インク供給路１４側の端部近傍から引き出され、弾性膜５０上や必要に応じて設ける絶縁体膜上にまで延設される、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０が接続されている。

このような圧電素子３００が形成された流路形成基板１０上、すなわち、第１電極６０、弾性膜５０や必要に応じて設ける絶縁体膜及びリード電極９０上には、マニホールド１００の少なくとも一部を構成するマニホールド部３１を有する保護基板３０が接着剤３５を介して接合されている。このマニホールド部３１は、本実施形態では、保護基板３０を厚さ方向に貫通して圧力発生室１２の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板１０の連通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通のインク室となるマニホールド１００を構成している。また、流路形成基板１０の連通部１３を圧力発生室１２毎に複数に分割して、マニホールド部３１のみをマニホールドとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板１０に圧力発生室１２のみを設け、流路形成基板１０と保護基板３０との間に介在する部材（例えば、弾性膜５０、必要に応じて設ける絶縁体膜等）にマニホールド１００と各圧力発生室１２とを連通するインク供給路１４を設けるようにしてもよい。

また、保護基板３０の圧電素子３００に対向する領域には、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部３２が設けられている。圧電素子保持部３２は、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。

このような保護基板３０としては、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。

また、保護基板３０には、保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３３が設けられている。そして、各圧電素子３００から引き出されたリード電極９０の端部近傍は、貫通孔３３内に露出するように設けられている。

また、保護基板３０上には、並設された圧電素子３００を駆動するための駆動回路１２０が固定されている。この駆動回路１２０としては、例えば、回路基板や半導体集積回路（ＩＣ）等を用いることができる。そして、駆動回路１２０とリード電極９０とは、ボンディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線１２１を介して電気的に接続されている。

また、このような保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。ここで、封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、この封止膜４１によってマニホールド部３１の一方面が封止されている。また、固定板４２は、比較的硬質の材料で形成されている。この固定板４２のマニホールド１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、マニホールド１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。

このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドＩでは、図示しない外部のインク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、マニホールド１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路１２０からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの第１電極６０と第２電極８０との間に電圧を印加し、弾性膜５０、密着層５６、第１電極６０及び圧電体層７０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出する。

次に、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドの製造方法の一例について、図４〜図８を参照して説明する。なお、図４〜図８は、圧力発生室の長手方向の断面図である。

まず、図４（ａ）に示すように、シリコンウェハーである流路形成基板用ウェハー１１０の表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）等からなる二酸化シリコン膜を熱酸化等で形成する。次いで、図４（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜）上に、酸化チタン等からなる密着層５６を、スパッターリング法や熱酸化等で形成する。

次に、図５（ａ）に示すように、密着層５６の上に、白金、イリジウム、酸化イリジウム又はこれらの積層構造等からなる第１電極６０をスパッターリング法や蒸着法等により全面に形成する。次に、図５（ｂ）に示すように、第１電極６０上に所定形状のレジスト（図示無し）をマスクとして、密着層５６及び第１電極６０の側面が傾斜するように同時にパターニングする。

次いで、レジストを剥離した後、この第１電極６０上に、圧電体層７０を積層する。圧電体層７０の製造方法は特に限定されないが、例えば、金属錯体を含む溶液を塗布乾燥し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層（圧電体膜）を得るＭＯＤ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ Ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やゾル−ゲル法等の化学溶液法を用いて圧電体層７０を製造できる。その他、レーザーアブレーション法、スパッターリング法、パルス・レーザー・デポジション法（ＰＬＤ法）、ＣＶＤ法、エアロゾル・デポジション法など、液相法や固相法でも圧電体層７０を製造することができる。

圧電体層７０を化学溶液法で形成する場合の具体的な形成手順例としては、まず、図５（ｃ）に示すように、第１電極６０上に、金属錯体、具体的には、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｃｏ及びＮａを含有する金属錯体を含むＭＯＤ溶液やゾルからなる圧電体膜形成用組成物（前駆体溶液）をスピンコート法などを用いて、塗布して圧電体前駆体膜７１を形成する（塗布工程）。

塗布する前駆体溶液は、焼成によりＢｉ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｃｏ及びＮａを含む複合酸化物を形成しうる金属錯体を混合し、該混合物を有機溶媒に溶解または分散させたものである。Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｎａをそれぞれ含む金属錯体の混合割合は、各金属が所望のモル比となるように混合すればよい。Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｎａをそれぞれ含む金属錯体としては、例えば、アルコキシド、有機酸塩、βジケトン錯体などを用いることができる。Ｂｉを含む金属錯体としては、例えば２−エチルヘキサン酸ビスマス、酢酸ビスマスなどが挙げられる。Ｆｅを含む金属錯体としては、例えば２−エチルヘキサン酸鉄、酢酸鉄、トリス（アセチルアセトナト）鉄などが挙げられる。Ｂａを含む金属錯体としては、例えばバリウムイソプロポキシド、２−エチルヘキサン酸バリウム、バリウムアセチルアセトナートなどが挙げられる。Ｔｉを含有する金属錯体としては、例えばチタニウムイソプロポキシド、２−エチルヘキサン酸チタン、チタン（ジ−ｉ−プロポキシド）ビス（アセチルアセトナート）などが挙げられる。Ｃｏを含む有機金属化合物としては、例えば２−エチルヘキサン酸コバルト、コバルト（III）アセチルアセトナートなどが挙げられる。Ｎａを含む金属錯体としては、例えば２−エチルヘキサン酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、ナトリウムアセチルアセトナート、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシドなどが挙げられる。勿論、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｎａを二種以上含む金属錯体を用いてもよい。また、前駆体溶液の溶媒としては、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、オクタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、オクタン、デカン、シクロヘキサン、キシレン、トルエン、テトラヒドロフラン、酢酸、オクチル酸などが挙げられる。

次いで、この圧電体前駆体膜７１を所定温度（例えば、１５０〜２００℃）に加熱して一定時間乾燥させる（乾燥工程）。次に、乾燥した圧電体前駆体膜７１を所定温度（例えば、３５０〜４５０℃）に加熱して一定時間保持することによって脱脂する（脱脂工程）。ここで言う脱脂とは、圧電体前駆体膜７１に含まれる有機成分を、例えば、ＮＯ_２、ＣＯ_２、Ｈ_２Ｏ等として離脱させることである。乾燥工程や脱脂工程の雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。なお、塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を複数回行ってもよい。

次に、図６（ａ）に示すように、圧電体前駆体膜７１を所定温度、例えば６００〜８５０℃程度に加熱して、一定時間、例えば、１〜１０分間保持することによって結晶化させ、ビスマス、鉄、バリウム、チタン、コバルト及びナトリウムを含み該ナトリウムの含有量が５モル％以上２５モル％以下でありペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体膜７２を形成する（焼成工程）。この焼成工程においても、雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱するＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）装置やホットプレート等が挙げられる。

次いで、上述した塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程や、塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程を所望の膜厚等に応じて複数回繰り返して複数の圧電体膜７２からなる圧電体層７０を形成することで、図６（ｂ）に示すように複数層の圧電体膜７２からなる所定厚さの圧電体層７０を形成する。例えば、塗布溶液の１回あたりの膜厚が０．１μｍ程度の場合には、例えば、１０層の圧電体膜７２からなる圧電体層７０全体の膜厚は約１．１μｍ程度となる。なお、本実施形態では、圧電体膜７２を積層して設けたが、１層のみでもよい。

このように圧電体層７０を形成した後は、図７（ａ）に示すように、圧電体層７０上に白金等からなる第２電極８０をスパッターリング法等で形成し、各圧力発生室１２に対向する領域に圧電体層７０及び第２電極８０を同時にパターニングして、第１電極６０と圧電体層７０と第２電極８０からなる圧電素子３００を形成する。なお、圧電体層７０と第２電極８０とのパターニングでは、所定形状に形成したレジスト（図示なし）を介してドライエッチングすることにより一括して行うことができる。その後、必要に応じて、例えば、６００〜８５０℃の温度域でアニールを行ってもよい。これにより、圧電体層７０と第１電極６０や第２電極８０との良好な界面を形成することができ、かつ、圧電体層７０の結晶性を改善することができる。

次に、図７（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０の全面に亘って、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０を形成後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン（図示なし）を介して各圧電素子３００毎にパターニングする。

次に、図７（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０の圧電素子３００側に、シリコンウェハーであり複数の保護基板３０となる保護基板用ウェハー１３０を接着剤３５を介して接合した後に、流路形成基板用ウェハー１１０を所定の厚さに薄くする。

次に、図８（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０上に、マスク膜５２を新たに形成し、所定形状にパターニングする。

そして、図８（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０をマスク膜５２を介してＫＯＨ等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチング（ウェットエッチング）することにより、圧電素子３００に対応する圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５等を形成する。

その後は、流路形成基板用ウェハー１１０及び保護基板用ウェハー１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハー１１０の保護基板用ウェハー１３０とは反対側の面のマスク膜５２を除去した後にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板用ウェハー１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、流路形成基板用ウェハー１１０等を図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドＩとする。

以下、実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
まず、（１００）単結晶シリコン（Ｓｉ）基板の表面に熱酸化により膜厚１１００ｎｍの酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜を形成した。次に、ＳｉＯ_２膜上にＲＦマグネトロンスパッター法により膜厚４０ｎｍのチタン膜を作製し、熱酸化することで酸化チタン膜を形成した。次に、酸化チタン膜上にＲＦマグネトロンスパッター法により、（１１１）面に配向し厚さ１００ｎｍの白金膜（第１電極６０）を形成した。

次いで、第１電極６０上に圧電体膜をスピンコート法により形成し、圧電体層７０とした。その手法は以下のとおりである。まず、２−エチルヘキサン酸ビスマス、２−エチルヘキサン酸鉄及び２−エチルヘキサン酸コバルトとｎ−オクタン溶液を、各元素がモル比でＢｉ：Ｆｅ：Ｃｏ＝１：０．９８：０．０２となるように混合した第１溶液と、２−エチルヘキサン酸バリウム及び２−エチルヘキサン酸チタンとｎ−オクタン溶液を、各元素がモル比でＢａ：Ｔｉ＝１：１となるように混合した第２溶液と、２−エチルヘキサン酸ビスマス、２−エチルヘキサン酸ナトリウム及び２−エチルヘキサン酸チタンとｎオクタン溶液を、各元素がモル比でＢｉ：Ｎａ：Ｔｉ＝０．５：０．５：１となるように混合した第３溶液とを作製した。そして、これら第１溶液、第２溶液及び第３溶液を、ペロブスカイト構造となるモルで換算して第１溶液のモル：第２溶液のモル：第３溶液のモル＝７５：１５：１０となるように混合して、すなわち、第１溶液のＢｉのモル数：第２溶液のＢａのモル数：第３の溶液のＴｉのモル数＝７５：１５：１０となるように混合して、前駆体溶液を調製した。

そしてこの前駆体溶液を、第１電極６０が形成された基板上に滴下し、３０００ｒｐｍで基板を回転させて圧電体前駆体膜を形成した（塗布工程）。次に、ホットプレート上で、１８０℃で２分間乾燥した（乾燥工程）。次いで、４５０℃で２分間脱脂を行った（脱脂工程）。この塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程からなる工程を７回繰り返し行った後に、酸素雰囲気中で、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）装置で、７５０℃で５分間焼成を行った（焼成工程）。そして、全体で厚さ５２５ｎｍの圧電体層７０を形成した。

その後、圧電体層７０上に、第２電極８０としてスパッター法により厚さ１００ｎｍの白金膜（第２電極８０）を形成した後、酸素雰囲気中で、ＲＴＡ装置を用いて７５０℃で５分間焼成を行うことで、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｃｏ及びＮａを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物であって、Ｎａ含有量が５モル％である複合酸化物を圧電体層７０とする圧電素子３００を形成した。かかる圧電体層７０は、０．７５（ＢｉＦｅ_０．９８Ｃｏ_０．０２Ｏ_３）−０．１５（ＢｉＴｉＯ_３）−０．１０（Ｂｉ_０．５Ｎａ_０．５ＴｉＯ_３）の混晶の組成を有するものであった。

（実施例２〜１１）
第１溶液、第２溶液及び第３溶液の混合比を表１に示す値とした前駆体溶液を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行った。

（比較例１）
第３溶液を用いず、第１溶液及び第２溶液の混合比を表１に示す値とした前駆体溶液を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行った。

（比較例２）
２−エチルヘキサン酸ビスマス及び２−エチルヘキサン酸鉄とｎ−オクタン溶液を、各元素がモル比でＢｉ：Ｆｅ＝１：１となるように混合した第４溶液と、第２溶液とを、ペロブスカイト構造となるモルで換算して第４溶液のモル：第２溶液のモル＝７５：２５となるように混合して、すなわち、第４溶液のＢｉのモル数：第２溶液のＢａのモル数＝７５：２５となるように混合して得られた前駆体溶液を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行った。

（比較例３）
第２溶液を用いず、第４溶液のみからなる前駆体溶液を用いた以外は、比較例２と同様の操作を行った。

（試験例１）
実施例１〜１１及び比較例１〜３の圧電素子について、印加電圧と電流密度との関係を、ヒューレットパッカード社製「４１４０Ｂ」を用い、室温において測定した。印加電圧＋３０Ｖ及び−３０Ｖそれぞれにおける電流密度を各２点測定し、計４点の平均から印加電圧３０Ｖにおける電流密度を測定した。結果を表１に示す。なお、比較例２及び３は、リーク電流が大きくショートを起こし電流密度を測定することはできなかった。

この結果、表１に示すように、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｃｏ及びＮａを含み且つＮａの含有量が５モル％以上２５モル％以下でありペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層７０を有する実施例１〜１１は、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｔｉ及びＣｏを含みＮａを含まない比較例１や、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ及びＴｉを含みＮａ及びＣｏを含まない比較例２、Ｂｉ及びＦｅを含みＢａ、Ｔｉ、Ｃｏ及びＮａを含まない比較例３と比べて、顕著にリーク電流が小さかった。

（試験例２）
実施例１〜１１及び比較例１〜３の各圧電素子について、アグザクト社製の変位測定装置（ＤＢＬＩ）を用い室温で、φ＝５００μｍの電極パターンを使用し、周波数１ｋＨｚで３０Ｖの電圧を印加して、電界誘起歪（変位量）を求めた。結果を表１に示す。

この結果、表１に示すように、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｃｏ及びＮａを含み且つＮａの含有量が５モル％以上２５モル％以下でありペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層７０を有する実施例１〜１１は、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｂａ、Ｔｉ及びＣｏを含みＮａを含まない比較例１とほとんど同等の変位量であり、Ｎａ等の添加により、変位量がほとんど小さくならないことが確認された。なお、比較例２及び比較例３はリーク電流が大きすぎて、測定できなかった。

（他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、流路形成基板１０として、シリコン単結晶基板を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、ＳＯＩ基板、ガラス等の材料を用いるようにしてもよい。

さらに、上述した実施形態では、基板（流路形成基板１０）上に第１電極６０、圧電体層７０及び第２電極８０を順次積層した圧電素子３００を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、圧電材料と電極形成材料とを交互に積層させて軸方向に伸縮させる縦振動型の圧電素子にも本発明を適用することができる。

また、これら実施形態のインクジェット式記録ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載される。図９は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。

図９に示すインクジェット式記録装置ＩＩにおいて、インクジェット式記録ヘッドＩを有する記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、インク供給手段を構成するカートリッジ２Ａ及び２Ｂが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３は、装置本体４に取り付けられたキャリッジ軸５に軸方向移動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。

そして、駆動モーター６の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト７を介してキャリッジ３に伝達されることで、記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３はキャリッジ軸５に沿って移動される。一方、装置本体４にはキャリッジ軸５に沿ってプラテン８が設けられており、図示しない給紙ローラーなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートＳがプラテン８に巻き掛けられて搬送されるようになっている。

なお、上述した実施形態では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレイ、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。

また、本発明にかかる圧電素子は、液体噴射ヘッドに用いられる圧電素子に限定されず、その他のデバイスにも用いることができる。その他のデバイスとしては、例えば、超音波発信器等の超音波デバイス、超音波モーター、温度−電気変換器、圧力−電気変換器、強誘電体トランジスター、圧電トランス、赤外線等の有害光線の遮断フィルター、量子ドット形成によるフォトニック結晶効果を使用した光学フィルター、薄膜の光干渉を利用した光学フィルター等のフィルターなどが挙げられる。また、センサーとして用いられる圧電素子、強誘電体メモリーとして用いられる圧電素子にも本発明は適用可能である。圧電素子が用いられるセンサーとしては、例えば、赤外線センサー、超音波センサー、感熱センサー、圧力センサー、焦電センサー、及びジャイロセンサー（角速度センサー）等が挙げられる。

Ｉ インクジェット式記録ヘッド（液体噴射ヘッド）、 ＩＩ インクジェット式記録装置（液体噴射装置）、 １０ 流路形成基板、 １２ 圧力発生室、 １３ 連通部、 １４ インク供給路、 ２０ ノズルプレート、 ２１ ノズル開口、 ３０ 保護基板、 ３１ マニホールド部、 ３２ 圧電素子保持部、 ４０ コンプライアンス基板、 ５０ 弾性膜、 ６０ 第１電極、 ７０ 圧電体層、 ８０ 第２電極、 ９０ リード電極、 １００ マニホールド、 １２０ 駆動回路、 ３００ 圧電素子

Claims (5)

1. 圧電体層と前記圧電体層を挟む電極とを備えた圧電素子であって、
   前記圧電体層は、ビスマス、鉄、バリウム、チタン、コバルト及びナトリウムを含み、前記ナトリウムの含有量が５モル％以上２５モル％以下であり、ペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなることを特徴とする圧電素子。
2. 請求項１に記載の圧電素子を具備することを特徴とする液体噴射ヘッド。
3. 請求項２に記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
4. 請求項１に記載の圧電素子を具備することを特徴とする超音波デバイス。
5. 請求項１に記載する圧電素子を具備することを特徴とするセンサー。

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