JP2016206791A - 表示装置およびタッチ検出装置 - Google Patents

Abstract

【課題】価格の上昇を抑制することが可能なタッチ検出機能付き表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、行列状に配置された複数の画素を有する画素配列と、画素配列の各行に配置され、対応する行に配置された複数の画素に走査信号を供給する複数の走査線と、画素配列の各列に配置され、対応する列に配置された複数の画素に、画像信号を供給する複数の信号線と、画素配列において、互いに平行に配置され、画像の表示のとき、複数の画素に対して駆動信号を供給する複数の駆動電極を備える。表示装置は、磁界を用いて、外部近接物体を検出するとき、駆動電極に磁界を発生させる磁界駆動信号を供給し、電界を用いて、外部近接物体を検出するとき、駆動電極に電界を発生させる電界駆動信号を供給する電極駆動回路（ＳＤ−Ｒ、ＳＤ−Ｌ）を備える。
【選択図】図７

Description

本発明は、表示装置およびタッチ検出装置に関し、特に外部近接物体を検出可能なタッチ検出機能付き表示装置および外部近接物体の検出が可能なタッチ検出装置に関する。

近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が注目されている。タッチパネルは、表示装置、例えば液晶表示装置上に装着または液晶表示装置と一体化され、タッチ検出機能付き表示装置として提供される。

外部近接物体として、例えばペンを用いることを可能にしたタッチパネルがある。ペンを用いることを可能とすることにより、例えば小さな領域を指定したり、手書き文字の入力が可能となる。ペンによるタッチを検出する技術は、種々ある。種々ある技術の一つとして、電磁誘導方式がある。この電磁誘導方式は、高精度、高い筆圧検出精度を実現することが可能であり、外部近接物体がタッチパネル表面から離間したホバリング検出機能も実現可能であるため、ペンによるタッチを検出する技術としては有力な技術である。

電磁誘導方式を用いたタッチ検出の技術は、例えば、特許文献１〜３に記載されている。

また、外部近接物体として、指等の検出が可能なタッチ検出装置がある。この場合、検出対象が、ペンと異なるため、タッチを検出する技術としては、電磁誘導方式とは異なる方式が採用されている。例えば、指等のタッチにより生じる光学的な変化、抵抗値の変化、あるいは電界の変化を検出する方式が存在する。これらの方式のなかで、電界の変化を検出する方式は、例えば静電容量を用いる静電容量方式がある。この静電容量方式は、比較的単純な構造を有し、低消費電力であるため、携帯情報端末などに用いられている。

特開平１０−４９３０１号公報 特開２００５−３５２５７２号公報 特開２００６−１６３７４５号公報

電磁誘導方式としては、ペンにコイルと電池を実装し、ペンにおいて磁界を発生させ、タッチパネルにおいて、磁界エネルギーを検出する方式がある。この場合、タッチパネルには、磁界エネルギーを受け取るセンサ板が必要とされる。また、ペンにコイルと容量を実装し、タッチパネルにおいて磁界を発生し、ペンに実装された容量に磁界エネルギーを蓄え、タッチパネルで検出する方式がある。この方式の場合には、タッチパネルにおいて磁界を発生し、ペンからの磁界エネルギーを受け取るセンサ板が必要とされる。

いずれの電磁誘導方式においても、タッチ検出機能付き表示装置を実現するためには、センサ板を追加することが必要とされ、価格（生産コスト）が上昇することになる。

また、静電容量方式の場合にも、タッチパネルに静電容量の変化を検出するための静電用電極が必要とされる。そのため、価格が上昇することになる。

本願発明者らは、ペンによるタッチの検出には、電磁誘導方式が適しており、指によるタッチの検出には、静電容量方式が適していると考え、ペンによるタッチの検出と指によるタッチの検出の両方が可能なタッチ検出機能付き表示装置を、価格の上昇を抑制しながら提供することを考えた。

特許文献１〜３には、電磁誘導方式を用いたタッチ検出装置が記載されている。ペンによるタッチの検出と指によるタッチの検出の両方が可能な技術は記載も、認識もされていない。

本発明の目的は、価格の上昇を抑制することが可能なタッチ検出機能付き表示装置を提供することにある。

本発明の一態様に係わる表示装置は、行列状に配置された複数の画素を有する画素配列と、画素配列の各行に配置され、対応する行に配置された複数の画素に走査信号を供給する複数の走査線と、画素配列の各列に配置され、対応する列に配置された複数の画素に、画像信号を供給する複数の信号線と、画素配列において、互いに平行に配置され、画像の表示のとき、複数の画素に対して駆動信号を供給する複数の駆動電極を備える。ここで、表示装置は、磁界を用いて、外部近接物体を検出するとき、駆動電極に磁界を発生させる磁界駆動信号を供給し、電界を用いて、外部近接物体を検出するとき、駆動電極に電界を発生させる電界駆動信号を供給する電極駆動回路を備える。

また、他の一態様に係わる表示装置は、行列状に配置された複数の画素を有する画素配列と、画素配列の各行に配置され、対応する行に配置された複数の画素に走査信号を供給する複数の走査線と、画素配列の各列に配置され、対応する列に配置された複数の画素に、画像信号を供給する複数の信号線と、画素配列において、互いに平行に配置され、画像の表示のとき、前記複数の画素に対して駆動信号を供給する複数の駆動電極を備える。ここで、複数の駆動電極は、外部近接物体を検出するとき、それぞれ駆動電極を有する複数のグループとされ、複数のグループのうちの第１グループにおいて、磁界を発生する外部近接物体を検出するとき、第１グループに隣接した第２および第３グループに含まれる駆動電極を巻線としてコイルが形成され、外部近接物体による電界の変化を検出するとき、第１グループに含まれる駆動電極に、電界を発生させる電界駆動信号が供給される。

さらに、他の一態様に係わるタッチ検出装置は、第１領域に、互いに並列に配置された複数の第１配線と、第１領域とは異なる領域に配置され、磁界を用いて、外部近接物体を検出するとき、第１配線によりコイルを形成するように、複数の第１電極間を電気的に接続する切換調整回路と、第１領域において、複数の第１電極と交差するように配置され、電界を用いて、外部近接物体を検出するとき、電界の変化に基づく検出信号を伝達する複数の第２配線を備えている。ここで、第１配線は、磁界を用いて、外部近接物体を検出するときと、電界を用いて、外部近接物体を検出するときとで兼用される。

タッチ検出機能付き液晶表示装置を有する電子装置とペンとの関係を示す説明図である。 電磁誘導方式の原理を示す説明図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、液晶表示装置の断面を示す断面図である。 センサレイヤの構成を示す平面図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態１に係わる液晶表示装置の構成を模式的に示す平面図および断面図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、静電容量方式の原理を示す説明図である。 実施の形態１に係わる液晶表示装置の構成を示すブロック図である。 実施の形態１に係わる液晶表示装置を実装したモジュールの構成を示す平面図である。 実施の形態１に係わる液晶表示装置の断面を示す断面図である。 実施の形態１に係わる液晶表示装置の表示領域の構成を示す回路図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態１に係わる電界タッチ検出および磁界タッチ検出を説明する説明図である。 実施の形態１に係わる液晶表示装置の構成を示すブロック図である。 実施の形態１に係わる液晶表示装置の表示領域の構成を示す平面図である。 実施の形態１に係わる液晶表示装置の選択制御回路および切換調整回路の構成を示すブロック図である。 実施の形態１に係わる液晶表示装置の切換調整回路の構成を示す回路図である。 実施の形態１に係わる液晶表示装置の切換調整回路の構成を示す回路図である。 実施の形態１に係わる液晶表示装置の切換調整回路および選択制御回路の構成を示す回路図である。 実施の形態１に係わる液晶表示装置の構成を示すブロック図である。 実施の形態１に係わる液晶表示装置の選択制御回路および切換調整回路の構成を示す回路図である。 実施の形態１に係わる液晶表示装置の選択制御回路および切換調整回路の構成を示す回路図である。 実施の形態２に係わる液晶表示装置の選択制御回路および切換調整回路の構成を示す回路図である。 実施の形態２に係わる液晶表示装置の選択制御回路および切換調整回路の構成を示す回路図である。 実施の形態３に係わる液晶表示装置の選択制御回路および切換調整回路の構成を示す回路図である。 実施の形態３に係わる液晶表示装置の選択制御回路および切換調整回路の構成を示す回路図である。 実施の形態４に係わる液晶表示装置の選択制御回路および切換調整回路の構成を示す回路図である。 実施の形態４に係わる液晶表示装置の選択制御回路および切換調整回路の構成を示す回路図である。 実施の形態５に係わる液晶表示装置の選択制御回路および切換調整回路の構成を示す回路図である。 実施の形態５に係わる液晶表示装置の選択制御回路および切換調整回路の構成を示す回路図である。 （Ａ）〜（Ｇ）は、実施の形態６に係わる液晶表示装置の動作を示すタイミング図である。 （Ａ）〜（Ｈ）は、実施の形態７に係わる液晶表示装置の動作を示すタイミング図である。 （Ａ）〜（Ｄ）は、実施の形態８に係わる液晶表示装置の動作を示すタイミング図である。 実施の形態９に係わる液晶表示装置の構成を示す回路図である。 実施の形態１０に係わる液晶表示装置の構成を示す回路図である。 （Ａ）〜（Ｆ）は、実施の形態１０に係わる液晶表示装置の動作を示す波形図である。 実施の形態１１に係わる液晶表示装置の構成を示す平面図である。

以下、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまでも一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。

また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

以下の説明は、タッチ検出機能付き表示装置としてタッチ検出機能付き液晶表示装置を例として述べる。しかしながら、これに限定されず、タッチ検出機能付きＯＬＥＤ表示装置にも適用することが可能である。また、電磁誘導方式としては、先に述べた２種類の方式が存在するが、実施の形態に係わるタッチ検出機能付き液晶表示装置は、ペンに電池を実装しなくてもよい後者の方式を採用している場合を説明する。ペンに電池を実装しなくてもよいため、ペンの小型化および／または形状の自由度を向上することが可能である。

（実施の形態１）
＜電磁誘導方式の基本原理＞
先ず、電磁誘導方式の基本原理を説明しておく。図１は、タッチ検出機能付き液晶表示装置を有する電子装置とペンとの関係を模式的に示した説明図である。また、図２は、電磁誘導方式の基本原理を模式的に示した説明図である。

図１において、電子装置は、金属カバーに納められた液晶表示装置１と、導光板と、センサ板と、磁性シートとを有している。同図に示した例では、液晶表示装置１と金属カバーとの間に、センサ板が実装されている。このセンサ板には、複数のコイルが設けられている。図１では、センサ板に設けられている複数のコイルのうちの１個のコイルが、センサ板内コイルＬ２として模式的に示されている。

また、外部近接物体に該当するペンには、コイルと容量素子とが内蔵されている。図１では、容量素子は省略されているが、ペンに内蔵されているコイルが、ペン内コイルＬ１として模式的に示されている。ペン内コイルＬ１とセンサ板内コイルＬ２との間は、磁界によって結合される。

なお、液晶表示装置１は、模式的にその構造を示すために、図１には、液晶表示装置１に含まれるＴＦＴガラス基板、カラーフィルタおよびＣＦガラス基板が描かれている。ＴＦＴガラス基板および図示しないＴＦＴを含んでＴＦＴ基板が形成され、ＣＦガラス基板およびカラーフィルタを含んでカラーフィルタ基板が形成される。ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板との間には図示しない液晶層が挟持されている。また、導光板は、液晶表示装置１とセンサ板との間に挟まれるように、固定部で固定されている。

ペンが、電子装置に近接することにより、ペン内コイルＬ１が、センサ板内コイルＬ２に近接することになる。これにより、ペン内コイルＬ１（以下、単にコイルＬ１とも称する）とセンサ板内コイルＬ２（以下、単にコイルＬ２とも称する）との間の磁界結合が発生し、ペンが近接したことが検出される。

この検出を、図２を用いて説明する。図２（Ａ）は、コイルＬ２が磁界を発生している状態を示しており、図２（Ｂ）は、コイルＬ１が磁界を発生している状態を示している。

図２において、コイルＬ２とペン内容量素子（以下、単に容量素子とも称する）Ｃとは並列的に接続されており、共振回路を構成している。コイルＬ１は、１回巻線のコイルが例として示されており、１対の端子を有している。タッチを検出するとき（タッチ検出のとき）、コイルＬ１の一方の端子ＰＴは、所定時間、送信アンプＡＰ１の出力に接続され、所定時間後に、受信アンプＡＰ２の入力に、所定時間、接続される。また、センサ板内コイルＬ１の他方の端子は、タッチ検出のとき、接地電圧Ｖｓに接続される。

図２（Ｃ）および（Ｄ）は、タッチ検出のときの動作を示す波形図である。図２（Ｃ）および（Ｄ）において、横軸は、時間を示しており、図２（Ｃ）は、送信アンプＡＰ１の出力の波形を示しており、図２（Ｄ）は、受信アンプＡＰ２の出力の波形を示している。

コイルＬ２の一方の端子ＰＴが、送信アンプＡＰ１の出力に接続されているとき、送信アンプＡＰ１の入力には、周期的に変化する送信信号ＩＮが供給される。これにより、送信アンプＡＰ１は、送信信号ＩＮの変化に従って、周期的に変化する駆動信号φ１を、図２（Ｃ）に示すように、所定時間（磁界発生期間）ＴＧ、コイルＬ２の一方の端子に供給する。これにより、コイルＬ２が磁界を発生する。このときの磁力線が、図２（Ａ）ではφＧとして示されている。

磁力線φＧは、コイルＬ２の巻線を中心として発生するため、コイルＬ２の内側の磁界が強くなる。コイルＬ１が、コイルＬ２に近接し、例えば図２（Ａ）に示すように、コイルＬ１の中心軸ＬＯが、コイルＬ２の内側に存在すると、コイルＬ１に、コイルＬ２の磁力線が到達する。すなわち、コイルＬ１が、コイルＬ２において発生している磁界内に配置され、コイルＬ１とコイルＬ２とが磁界結合されることになる。コイルＬ２は、駆動信号φ１の変化に従って、周期的に変化する磁界を発生する。そのため、コイルＬ２とコイルＬ１間の相互誘導の作用により、コイルＬ１には、誘起電圧を発生する。容量素子Ｃは、コイルＬ１によって発生した誘起電圧によって充電される。

所定時間後に、コイルＬ２の一方の端子ＰＴは、所定時間（磁界検出期間）ＴＤ、受信アンプＡＰ２の入力に接続される。磁界検出期間ＴＤにおいては、先の磁界発生期間ＴＧにおいて容量素子Ｃが、充電されていれば、容量素子Ｃに充電された電荷によって、コイルＬ１が、磁界を発生する。図２（Ｂ）には、容量素子Ｃに充電された電荷によって発生したコイルＬ１の磁力線が、φＤとして示されている。

タッチ検出のとき、すなわち、磁界発生期間ＴＧおよび磁界検出期間ＴＤのとき、ペン内コイルＬ１が、センサ板内コイルＬ２に近接していれば、磁界発生期間ＴＧのとき、容量素子Ｃに充電が行われ、磁界検出期間ＴＤのとき、コイルＬ１の磁力線φＤが、コイルＬ２に到達する。コイルＬ１と容量素子Ｃとにより共振回路が構成されているため、コイルＬ１の発生する磁界は、共振回路の時定数に従って変化する。コイルＬ１が発生する磁界が変化することにより、コイルＬ２に誘起電圧が発生する。この誘起電圧によって、コイルＬ２の一方の端子ＰＴにおいて、信号が変化する。この信号の変化が、検出信号φ２として、磁界検出期間ＴＤのとき、受信アンプＡＰ２に入力され、増幅され、センサ信号ＯＵＴとして受信アンプＡＰ２から出力される。

一方、タッチ検出のとき、ペン内コイルＬ１が、センサ板内コイルＬ２に近接していなれば、磁界発生期間ＴＧのとき、容量素子Ｃは充電されない、または充電される電荷量が少なくなる。その結果、磁界検出期間ＴＤのとき、コイルＬ１が発生する磁界の磁力線φＤは、コイルＬ２に到達しない。そのため、磁界検出期間ＴＤのとき、コイルＬ２の一方の端子ＰＴにおける検出信号φ２は変化しない。

図２（Ｃ）および（Ｄ）には、ペン内コイルＬ１が、センサ板内コイルＬ２に近接しているときと、近接していないときの両方の状態が示されている。すなわち、図２（Ｃ）および（Ｄ）において、左側には、コイルＬ１がコイルＬ２に近接していないときの状態が示されており、右側には、コイルＬ１がコイルＬ２に近接しているときの状態が示されている。そのため、図２（Ｄ）において、左側に示した磁界検出期間ＴＤでは、検出信号φ２は変化しておらず、右側に示した磁界検出期間ＴＤでは、検出信号φ２が変化している。検出信号φ２が変化している場合を、ペン有りと判定し、検出信号φ２が変化していない場合を、ペン無しと判定することにより、ペンによるタッチを検出することができる。

図２では、ペン有りとペン無しの判定を示したが、コイルＬ１とコイルＬ２との間の距離に従って、検出信号φ２の値が変化するため、ペンとセンサ板との間の距離あるいはペンの筆圧を判定することも可能である。

なお、コイルＬ２の端子ＰＴを、送信アンプＡＰ１の出力から受信アンプＡＰ２の入力へ切り替えるときは、センサ板内コイルＬ２に蓄積されたエネルギーが放電するまでの所定時間だけ、コイルＬ２の端子ＰＴをフローティング状態にし、所定時間後に端子ＰＴを受信アンプＡＰ２の入力に接続する。

このように、タッチ検出期間において、ペンが、センサ板内コイルＬ２の近接（接触を含む）に存在していると、磁界検出期間ＴＤのとき、受信アンプＡＰ２の出力信号は変化する。一方、ペンが、センサ板内コイルＬ２の近接（接触を含む）に存在していないと、磁界検出期間ＴＤのとき、受信アンプＡＰ２の出力信号は変化しない。すなわち、ペンがセンサ板内コイルＬ２の近接をタッチしているか否かを、受信アンプＡＰ２の出力信号によって、検出することが可能となる。また、センサ板内コイルＬ２とペン内コイルＬ１とが近接している場合、その間の距離に従って、ペン内コイルＬ１からセンサ板内コイルＬ２へ与えられる磁界エネルギーが変化するため、受信アンプＡＰ２の出力信号の値から、ペンの筆圧も判定することが可能となる。

＜液晶表示装置とセンサ板の一体化構造＞
本願発明者らは、図１に示したように、液晶表示装置１と、センサ板とを別々に準備した場合、センサ板が高価であるため、電子装置が高価になると考えた。そこで、本発明者らは、センサ板を、液晶表示装置１内の導電層（レイヤ）により形成し、液晶表示装置とセンサ板とを一体化することを考えた。本発明者らが考えた液晶表示装置を、図３を用いて説明する。

図３は、センサ板をセンサ層（レイヤ）として一体化した液晶表示装置１の模式的な断面を示す断面図である。図３は、図１と類似しているので、相違点を主に説明する。図３（Ａ）は、ＣＦガラス基板にセンサ板として機能するセンサレイヤを形成した場合の断面図である。図３（Ｂ）は、ＴＦＴガラス基板上に、センサレイヤを形成した場合の断面図である。また、図３（Ｃ）は、ＴＦＴガラス基板の裏面に、センサレイヤを形成した場合の断面図である。図１においては、液晶表示装置１とは別に、センサ板を準備し、導光板と磁性シートとの間に、センサ板を設けるようにしていた。これに対して、図３（Ａ）〜（Ｃ）においては、センサ板に相当するセンサレイヤが、液晶表示装置１に設けられるため、価格の上昇を抑制することが可能となる。

図４は、図３（Ａ）〜（Ｃ）において形成されるセンサレイヤの構成を示す平面図である。センサレイヤは、行列状に配置された複数のコイルを備えている。すなわち、センサレイヤは、図４において、縦方向に延在し、横方向に並べられた複数のコイルＸ（０）〜Ｘ（ｐ）と、横方向に延在し、縦方向に並べられた複数のコイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）を備えている。図４には、これらの複数のコイルのうち、コイルＸ（ｎ−１）〜Ｘ（ｎ＋１）とコイルＹ（ｎ−１）〜Ｙ（ｎ＋１）が示されている。図４に示した例では、それぞれのコイルは、複数巻線（同図では３回巻線）のコイルとなっている。

各列に配置されているコイルＸ（０）〜Ｘ（ｐ）において、互いに隣接したコイル間では、一部重なりが生じるように、コイルＸ（０）〜Ｘ（ｐ）は形成されている。図４に示したコイルＸ（ｎ）〜Ｘ（ｎ＋１）を例にすると、コイルＸ（ｎ）は、コイルＸ（ｎ−１）およびＸ（ｎ＋１）と隣接しており、コイルＸ（ｎ）はコイルＸ（ｎ−１）およびコイルＸ（ｎ＋１）のそれぞれと一部が重なっている。すなわち、コイルＸ（ｎ）の巻線の内側に、コイルＸ（ｎ−１）およびＸ（ｎ＋１）の巻線の一部が配置されるように形成されており、コイルが重なっている。コイルＸ（０）〜Ｘ（ｐ）は、１対の端部を有し、１対の端部のうちの一方の端部Ｘｐ１（０）〜Ｘｐ１（ｐ）には、磁界発生期間において、周期的に電圧値が変化する駆動信号が供給される。一方、磁界検出期間においては、一方の端部Ｘｐ１（０）〜Ｘｐ１（ｐ）における電圧の変化が検出される。また、コイルＸ（０）〜Ｘ（ｐ）の他方の端部Ｘｐ２（０）〜Ｘｐ２（ｐ）には、タッチ検出期間においては、所定の電圧（例えば、接地電圧Ｖｓ）が供給される。

磁界検出期間において、コイルＸ（０）〜Ｘ（ｐ）の一方の端部Ｘｐ１（０）〜Ｘｐ１（ｐ）における電圧が変化しているか否かを検出することにより、図２において述べたように、コイルＸ（０）〜Ｘ（ｐ）のいずれの近傍が、ペンによりタッチされたかを検出することが可能となる。

各行に配置されたコイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）についても、コイルＸ（０）〜Ｘ（ｐ）と同様である。すなわち、互いに隣接したコイル間では、一部重なりが生じるように、コイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）は形成されている。コイルＹ（ｎ−１）〜Ｙ（ｎ＋１）を例にすると、コイルＹ（ｎ）の巻線の内側に、コイルＹ（ｎ−１）およびＸ（Ｙ＋１）の巻線の一部が配置されるように形成されており、コイルが重なっている。コイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）の一方の端部Ｙｐ１（０）〜Ｙｐ１（ｐ）には、磁界発生期間において、周期的に電圧値が変化する駆動信号が供給される。一方、磁界検出期間においては、一方の端部Ｙｐ１（０）〜Ｙｐ１（ｐ）における電圧の変化が検出される。また、コイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）の他方の端部Ｙｐ２（０）〜Ｙｐ２（ｐ）には、タッチ検出期間においては、所定の電圧（例えば、接地電圧Ｖｓ）が供給される。これにより、タッチ検出期間における磁界検出期間において、コイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）の一方の端部Ｙｐ１（０）〜Ｙｐ１（ｐ）における電圧が変化しているか否かを検出することにより、図２において述べたように、コイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）のいずれの近傍が、ペンによりタッチされたかを検出することが可能となる。

コイルＸ（０）〜Ｘ（ｐ）とコイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）は、互いに交差するように配置されている。そのため、コイルＸ（０）〜Ｘ（ｐ）のいずれの近傍が、ペンによりタッチされたかを検出し、コイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）のいずれの近傍が、ペンによりタッチされたかを検出することにより、ペンによりタッチされた位置の座標を求めることが可能となる。なお、コイルＸ（０）〜Ｘ（ｐ）とコイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）は、互いに交差するように配置されているが、コイルＸ（０）〜Ｘ（ｐ）とコイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）との間には絶縁物が設けられている。

これにより、センサ板を用いなくても、ペンによるタッチを検出可能な液晶表示装置を提供することができる。以降、磁界を用いて、タッチの検出を行うことを、磁界タッチ検出とも称する。

液晶表示装置１においては、ＴＦＴガラス基板とカラーフィルタとの間に、後で説明する走査線、信号配線および駆動電極が形成される。これらの配線（走査線、信号配線、駆動電極）は、画像の表示の際に用いられるが、タッチ検出を行う際に、これらの配線によりコイルＸ（０）〜Ｘ（ｐ）および／またはコイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）を形成することにより、センサレイヤを追加することなく、図３（Ｂ）に示した構造を達成することが可能となる。これにより、液晶表示装置１の価格の上昇を抑制しながら、タッチ検出機能付きの液晶表示装置１を提供することが可能となる。以下では、図３（Ｂ）に示したように、ＴＦＴガラス基板の上にセンサレイヤを設ける場合の形態を説明する。

＜静電容量方式の基本原理＞
ペンによるタッチを検出する基本原理を、図１〜図４を用いてしたので、次に指によるタッチを検出する基本原理を説明しておく。ここでは、静電容量方式を例として説明する。

実施の形態１においては、図３（Ｂ）に示したＣＦガラス基板の上面側に、検出電極が形成される。この検出電極と、ＴＦＴガラス基板とカラーフィルタとの間に形成された駆動電極とによって、静電容量方式の電極が構成される。

図５は、液晶表示装置１の構成を模式的に示す図であり、図５（Ａ）は、液晶表示装置１の平面を、模式的に示しており、図５（Ｂ）は、液晶表示装置１の断面を、模式的に示している。図５（Ａ）および（Ｂ）において、ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、駆動電極を示しており、ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、検出電極を示している。

駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、ＴＦＴガラス基板に形成されている。それぞれの駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、図５（Ａ）において、横方向（行方向）に延在し、縦方向（列方向）に平行に配置されている。また、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、ＣＦガラス基板に形成されている。それぞれの検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、図５（Ａ）において、縦方向（列方向）に延在し、横方向（行方向）に平行に配置されている。

図５（Ａ）においては、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）とが分かるように、ＣＦガラス基板とＴＦＴガラス基板とが、分離されているように描かれている。しかしながら、図５（Ｂ）に示すように、ＣＦガラス基板は、ＴＦＴガラス基板の上側に、重なるように配置されている。すなわち、ＴＦＴガラス基板の上側に、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）が形成され、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の上側に、カラーフィルタが形成され、さらに上側にＣＦガラス基板が形成されている。このＣＦガラス基板の上側に、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）が形成され、さらに上側に、偏光板が形成されている。

図５では、説明を容易にするために、図５（Ｂ）に示すように、上側から目視した場合で、上側と説明したが、勿論、目視する方向により、上側は、下側あるいは横側に変わる。また、図５（Ｂ）では、駆動電極ＴＬ（ｎ）と検出電極ＲＬ（ｎ）との間で形成される容量素子が、破線で示されている。

駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は互いに物理的に分離されており、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）も互いに物理的に分離されている。駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、交差するように配置されているが、図５（Ｂ）に示すように、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）の間は物理的に分離されている。

ここで、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）には、表示のときには、表示用の駆動信号（表示駆動信号）が供給され、指によるタッチを検出するときには、タッチ検出用の駆動信号が供給される。この実施の形態１においては、指によるタッチの検出を電界を用いて行う。以降、磁界タッチ検出と区別するために、電界を用いて行うタッチの検出を、電界タッチ検出とも称する。表示のときと、電界タッチ検出のときの両方において、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）には、それぞれに対応した駆動信号が供給される。すなわち、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、表示のときと電界タッチ検出のときとで、共通に用いられる（兼用される）。表示時において、共通に用いられるという観点で見た場合、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、共通電極と見なすことができる。そのため、本明細書においては、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を共通電極と称する場合もある。

電界タッチ検出の期間においては、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）には、駆動信号Ｔｘが供給される。タッチを検出するように選択された駆動電極に対しては、その電圧が周期的に変化する信号が、駆動信号Ｔｘとして供給され、タッチを検出しないように非選択とされた駆動電極には、例えば所定の固定電圧が駆動信号Ｔｘとして供給される。電界タッチ検出の期間において、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、例えば順次、選択される。図５（Ａ）では、駆動電極ＴＬ（２）に、周期的に電圧が変化する信号が駆動信号Ｔｘ（２）として供給されている状態が示されているが、例えば、駆動電極ＴＬ（０）からＴＬ（ｐ）へ向けて、順次、駆動電極が選択され、周期的に電圧が変化する駆動信号が供給される。

これに対し、表示の期間においては、所定の固定電圧あるいは表示すべき画像に応じた電圧が、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）へ、表示駆動信号として供給される。

次に、図６を用いて、静電容量方式の基本原理を説明する。図６において、ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、図５に示した駆動電極であり、ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、図５に示した検出電極である。図６（Ａ）において、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、行方向に延在し、列方向に平行して配置されている。また、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれは、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と交差するように、列方向に延在し、行方向に平行して配置されている。検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）と駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）との間に隙間が生じるように、図５（Ｂ）に示したように、検出電極ＲＬ（０）〜Ｒ（ｐ）は、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の上方に形成されている。

図６（Ａ）において、１２−０〜１２−ｐのそれぞれは、単位駆動電極ドライバを模式的に示している。同図では、単位駆動電極ドライバ１２−０〜１２−ｐから、駆動信号Ｔｘ（０）〜Ｔｘ（ｐ）が出力される。また、１３−０〜１３−ｐのそれぞれは、単位増幅部を模式的に示している。図６（Ａ）において、実線の○で囲んだパルス信号は、選択された駆動電極へ供給される駆動信号Ｔｘの波形を示している。外部検出物体として、同図では、指がＦＧとして示されている。

図６の例では、駆動電極ＴＬ（２）に、単位駆動電極ドライバ１２−２から駆動信号Ｔｘ（２）として、パルス信号が供給されている。駆動電極ＴＬ（２）にパルス信号である駆動信号Ｔｘ（２）を供給することにより、図６（Ｂ）に示すように、駆動電極ＴＬ（２）と交差する検出電極ＲＬ（ｎ）との間で電界が発生する。このとき、指ＦＧが、液晶パネルの駆動電極ＴＬ（２）に近接している位置をタッチしていると、指ＦＧと駆動電極ＴＬ（２）との間でも電界が発生し、駆動電極ＴＬ（２）と検出電極ＲＬ（ｎ）との間で発生している電界が減少する。これにより、駆動電極ＴＬ（２）と検出電極ＲＬ（ｎ）との間の電荷量が減少する。その結果、図６（Ｃ）に示すように、駆動信号Ｔｘ（２）の供給に応答して生じる電荷量は、指ＦＧがタッチしているときは、タッチしていないときに比べてΔＱだけ減少する。電荷量の差は、電圧の差として検出信号Ｒｘ（ｎ）に表れ、単位増幅部１３−ｎに供給され、増幅される。

なお、図６（Ｃ）において、横軸は時間を示しており、縦軸は電荷量を示している。駆動信号Ｔｘ（２）の立ち上がりに応答して、電荷量は、増加（同図において、上側に増加）し、駆動信号Ｔｘ（２）の電圧の立ち下がりに応答して、電荷量は、増加（同図において、下側に増加）する。このとき、指ＦＧのタッチの有無によって、増加する電荷量が変わる。また、この図面では、電荷量が、上側に増加した後、下側へ増加する前に、リセットが行われており、同様に、電荷量が下側へ増加した後、上側へ増加する前に、電荷量のリセットが行われている。このようにして、リセットされた電荷量を基準として、上下に電荷量が変化する。

駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を、順次選択し、選択した駆動電極に、パルス信号である駆動信号Ｔｘ（０）〜Ｔｘ（ｐ）を、供給することにより、選択した駆動電極と交差する複数の検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれから、それぞれの交差部分に近接した位置に指ＦＧがタッチしているか否かに応じた電圧値を有する検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）が出力されることになる。電荷量に差ΔＱが生じている時刻において、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）のそれぞれを、サンプリングし、アナログ／デジタル変換（以下、Ａ／Ｄ変換と称する）部を用いて、デジタル信号へ変換する。Ａ／Ｄ変換部によって変換されたデジタル信号を信号処理することにより、タッチされた位置の座標を抽出する。

＜液晶表示装置の全体概要＞
図７は、実施の形態１に係わる液晶表示装置１の構成を示すブロック図である。図７において、液晶表示装置１は、表示パネル（液晶パネル）、表示制御装置４、ゲートドライバ５およびタッチ制御装置６を備えている。また、液晶表示装置１は、切換調整回路ＳＣ−Ｌ、ＳＣ−Ｒ、ＳＣＸ−Ｕ、ＳＣＸ−Ｄおよび選択制御回路ＳＲ−Ｌ、ＳＲ−ＲおよびＳＲＸ−Ｄを備えている。液晶表示装置１が備えるこれらの装置および回路については、あとで詳しく説明するので、ここでは全体概要を説明する。表示パネルは、表示を行う表示領域（表示部）と周辺領域（周辺部）とを備えている。表示と言う観点で見た場合、表示領域はアクティブ領域であり、周辺領域は非アクティブ領域である。図７では、２が、表示領域（アクティブ領域）として示されている。

表示領域２は、複数の画素が行列状に配置された画素配列ＬＣＤを有している。画素配列ＬＣＤには、複数の信号線、複数の駆動電極、複数の走査線および複数の検出電極が配置されている。ここで、信号線は、画素配列ＬＣＤのそれぞれの列に配置され、駆動電極は、画素配列ＬＣＤの行に配置され、複数の走査線は、画素配列ＬＣＤのそれぞれの行に配置され、検出電極は、画素配列ＬＣＤの列に配置されている。すなわち、同図において、信号配線は、縦方向（列方向）に延在し、横方向（行方向）に平行に配置されている。また、駆動電極は、横方向に延在し、縦方向に平行に配置されている。さらに、走査線は、横方向に延在し、縦方向に平行に配置され、検出電極は、縦方向に延在し、横方向に平行に配置されている。この場合、画素は、信号線と走査線とが交差する部分に配置されている。表示の期間（表示期間）においては、信号線と走査線により、画素が選択され、選択された画素には、そのときの信号線の電圧と、駆動電極の電圧が印加され、選択された画素は、信号線と駆動電極との間の電圧差に従った表示を行う。

表示制御装置４は、制御回路Ｄ−ＣＮＴと信号線ドライバＤ−ＤＲＶとを備えている。制御回路Ｄ−ＣＮＴは、外部端子Ｔｔに供給されるタイミング信号と入力端子Ｔｉに供給される画像情報とを受け、入力端子Ｔｉに供給されている画像情報に従った画像信号Ｓｎを形成し、信号線ドライバＤ−ＤＲＶへ供給する。信号線ドライバＤ−ＤＲＶは、供給された画像信号Ｓｎを、表示期間のとき、時分割的に、信号線セレクタ３へ供給する。また、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、外部端子Ｔｔに供給されるタイミング信号とタッチ制御装置６からの制御信号ＳＷとを受け、種々の制御信号を形成する。制御回路Ｄ−ＣＮＴが形成する制御信号としては、信号線セレクタ３に供給される選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２、同期信号ＴＳＨＤ、クロック信号ＣＬＫ、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮ、電界イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮ、周期的に電圧が変化する制御信号ＴＳＶＣＯＭ、タッチ検出に関する制御信号ＴＸ−ＣＮＴ、Ｙ−ＣＮＴ、コイルクロック信号ＣＣＬＫ、ハイインピーダンス制御信号ＨＺ−ＣＴ等がある。

この実施の形態１に係わる液晶表示装置１は、磁界タッチ検出と電界タッチ検出とが可能となるようにされている。制御回路Ｄ−ＣＮＴにより形成される信号のうち、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮは、磁界タッチ検出を実施することを示すイネーブル信号であり、電界イネーブル信号ＴＸ−ＥＮは、電界タッチ検出を実施することを示すイネーブル信号である。また、同期信号ＴＳＨＤは、表示領域２において表示を行う期間（表示期間）とタッチ検出を行う期間（タッチ検出期間）とを識別する同期信号である。

信号線ドライバＤ−ＤＲＶは、表示期間においては、選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２に従って、時分割的に、画像信号Ｓｎを信号線セレクタ３へ、供給する。信号線セレクタ３は、表示領域２に配置された複数の信号線に接続されており、表示期間のとき、供給されている画像信号を、選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２に従って、適切な信号線へ供給する。ゲートドライバ５は、表示期間のとき、制御回路Ｄ−ＣＮＴからのタイミング信号に従って走査線信号Ｖｓ０〜Ｖｓｐを形成し、表示領域２内の走査線に供給する。表示期間においては、ハイレベルの走査線信号が供給されている走査線に接続されている画素が選択され、選択された画素は、そのとき信号線に供給されている画像信号に従った表示を行うことにより、表示か行われる。

また、特に制限されないが、信号線ドライバＤ−ＤＲＶおよびゲートドライバ５には、制御回路Ｄ−ＣＮＴからハイインピーダンス制御信号ＨＺ−ＣＴが供給されている。信号線ドライバＤ−ＤＲＶおよびゲートドライバ５は、特に制限されないが、タッチ検出期間のとき、ハイインピーダンス制御信号ＨＺ−ＣＴによって、その出力が、ハイインピーダンス状態にされる。

タッチ制御装置６は、センス信号ＳＸ（０）〜ＳＸ（ｐ）およびＳＹ（ｎ）、ＳＹ（ｎ＋１）を受ける磁界検出回路ＳＣ−ＤＥＴと、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を受ける電界検出回路ＳＥ−ＤＥＴと、磁界検出回路ＳＣ−ＤＥＴからの検出信号ＳＣ−Ｏと電界検出回路ＳＥ−ＤＥＴからの検出信号ＳＥ−Ｏに対して処理を行い、タッチされた位置の座標を抽出する処理回路ＰＲＳと、制御回路Ｔ−ＣＮＴを備えている。制御回路Ｔ−ＣＮＴは、表示制御装置４から同期信号ＴＳＨＤ、クロック信号ＣＬＫおよび磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮ、電界イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮと受け、タッチ制御装置６が、表示制御装置４に同期して動作するように制御する。

すなわち、電界検出回路ＳＥ−ＤＥＴ、磁界検出回路ＳＣ−ＤＥＴおよび処理回路ＰＲＳが、同期信号ＴＳＨＤがタッチ検出期間を示しているとき、動作するように制御する。また、制御回路Ｔ−ＣＮＴは、磁界タッチ検出のとき、磁界検出回路ＳＣ−ＤＥＴを動作させ、電界タッチ検出のとき、電界検出回路ＳＥ−ＤＥＴを動作させる。さらに、制御回路Ｔ−ＣＮＴは、磁界検出回路ＳＣ−ＤＥＴおよび電界検出回路ＳＥ−ＤＥＴからの検出信号を受け、制御信号ＳＷを形成し、制御回路Ｄ−ＣＮＴへ供給する。処理回路ＰＲＳは、抽出した座標を、座標情報として、外部端子Ｔｏから出力する。

表示領域２は、画素配列ＬＣＤの行に平行した辺２−Ｕ、２−Ｄと、画素配列ＬＣＤの列に平行した辺２−Ｒ、２−Ｌを有している。ここで、辺２−Ｕと辺２−Ｄは、互いに対向した辺であり、この２辺の間に、画素配列ＬＣＤにおける複数の駆動電極と複数の走査線が挟まれるように配置されている。また、辺２−Ｕと辺２−Ｄも、互いに対向した辺であり、この２辺の間に、画素配列ＬＣＤにおける複数の信号線と複数の検出電極が挟まれるように配置されている。

切換調整回路ＳＣ−Ｒは、表示パネルの周辺領域であって、表示領域２の辺２−Ｒに沿って配置され、切換調整回路ＳＣ−Ｌも、表示パネルの周辺領域であって、表示領域２の辺２−Ｌに沿って配置されている。切換調整回路ＳＣ−Ｒは、表示領域２の辺２−Ｒ側において、表示領域２に配置されている複数の駆動電極に結合され、切換調整回路ＳＣ−Ｌは、表示領域２の辺２−Ｌ側において、表示領域２に配置されている複数の駆動電極に結合されている。すなわち、切換調整回路ＳＣ−ＲおよびＳＣ−Ｌは、表示パネルの周辺領域（外部）に配置され、表示領域２の辺において、表示領域２に配置されている駆動電極と接続されている。

選択制御回路ＳＲ−Ｒは、特に制限されないが、表示パネルの周辺領域であって、表示領域２の辺２−Ｒに沿って配置されており、同じ辺２−Ｒに沿って配置された切換調整回路ＳＣ−Ｒに対応し、タッチ検出期間において、対応する切換調整回路ＳＣ−Ｒを制御する。また、選択制御回路ＳＣ−Ｌは、表示パネルの周辺領域であって、表示領域２の辺２−Ｌに沿って配置されており、辺２−Ｌに沿って配置された切換調整回路ＳＣ−Ｌに対応し、タッチ検出期間において、対応する切換調整回路ＳＣ−Ｌを制御する。

すなわち、タッチ検出期間において、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮにより磁界タッチ検出が指定されている場合、選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌは、タッチを検出する領域に配置されている駆動電極によってコイルが形成されるように、切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌを制御する。切換調整回路ＳＣ−ＲまたはＳＣ−Ｌは、形成したコイルに対して、周期的に電圧が変化するコイルクロック信号ＣＣＬＫを、磁界駆動信号として供給する。

これにより、磁界タッチ検出のとき、タッチを検出する領域に、図１に示すようなペン（コイルＬ１と容量素子Ｃを有する）が、存在していると、磁界検出期間において、コイルの端部における電圧が変化する。この変化する電圧が、センス信号ＳＹ（ｎ）またはＳＹ（ｎ＋１）として、切換調整回路ＳＣ−ＲまたはＳＣ−Ｌから、タッチ制御装置６へ出力される。なお、図７に示したセンス信号ＳＹ（ｎ）、ＳＹ（ｎ＋１）において、ｎは、０〜ｐ−１であり、この実施の形態１においては、表示領域２の両方の辺２−Ｒ、２−Ｌに、切換調整回路と選択制御回路が配置されており、タッチ検出期間のとき、センス信号は交互に出力される。

タッチ検出期間において、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮではなく、電界イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮによって、電界タッチ検出が指定されている場合には、タッチを検出する領域に配置されている駆動電極に、切換調整回路ＳＣ−ＲおよびＳＣ−Ｌから、制御信号ＴＳＶＣＯＭが、電界駆動信号として供給される。制御信号ＴＳＶＣＯＭは、その電圧が周期的に変化するため、タッチを検出する領域に配置されている駆動電極の電圧も、周期的に変化することになる。

表示領域２には、駆動電極と交差するように、複数の検出電極が配置されている。タッチを検出する領域に配置されている駆動電極と検出電極とが交差する交差領域あるいはその近傍が、指によってタッチされると、図６で説明したように、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）が変化する。検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）は、タッチ制御装置６へ供給される。

表示パネルの周辺領域であって、表示領域２の辺２−Ｕに沿って、切換調整回路ＳＣＸ−Ｕが配置され、辺２−Ｕ側において、切換調整回路ＳＣＸ−Ｕは、表示領域２に配置された複数の信号線に結合されている。すなわち、切換調整回路ＳＣＸ−Ｕは、表示パネルの周辺領域（外部）に配置され、表示領域２の辺２−Ｕ側において、複数の信号線に接続されている。また、切換調整回路ＳＣＸ−Ｄは、表示領域２の辺２−Ｄに沿って配置された信号線セレクタ３を介して、表示領域２に配置された複数の信号線に結合されている。

タッチ検出期間において、磁界イネーブル信号ＣＳ＿ＥＮにより磁界タッチ検出が指定されている場合、切換調整回路ＳＣＸ−Ｕ、ＳＣＸ−Ｄは、表示領域２に配置されている信号線間を電気的に接続し、信号線を巻線とした複数のコイルを形成する。選択制御回路ＳＲＸ−Ｄは、タッチ検出期間において、信号線により形成された複数のコイルから、タッチを検出する領域に配置されている信号線により構成されているコイルに対して、その電圧が周期的に変化する磁界駆動信号を供給する。これにより、タッチを検出する領域に配置されている信号線により構成されているコイルにおいては、磁界発生期間において、磁界が発生する。また、磁界検出期間においては、ペンがタッチしている否かに応じた電圧の信号が発生し、センス信号ＳＸ（０）〜ＳＸ（ｐ）として、選択制御回路ＳＲＸ−Ｄからタッチ検出装置６へ供給される。

なお、切換調整回路ＳＣＸ−Ｕ、ＳＣＸ−Ｄによって、信号線を巻線としたコイルを形成するとき、信号線セレクタ３は、信号線と切換調整回路ＳＣＸ−Ｄ間を電気的に接続する。

タッチ検出期間において、磁界タッチ検出を指定した場合。磁界センスイネーブル信号ＳＣ＿ＥＮにより、タッチ制御装置６における磁界検出回路ＳＣ−ＤＥＴが動作する。磁界検出回路ＳＣ−ＤＥＴは、センス信号ＳＹ（ｎ）、ＳＹ（ｎ＋１）およびＳＸ（０）〜ＳＸ（ｐ）のそれぞれを増幅し、デジタル信号へ変換して、検出信号ＳＣ−Ｏとして、処理回路ＰＲＳへ供給する。供給された検出信号ＳＣ−Ｏに基づいて、処理回路ＰＲＳは、ペンがタッチした位置の座標を抽出し、位置情報として外部端子Ｔｏから出力する。

一方、タッチ検出期間において、電界タッチ検出を指定した場合には、電界イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮにより、タッチ制御装置６における電界検出回路ＳＥ−ＤＥＴが動作する。電界検出回路ＳＥ−ＤＥＴは、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を増幅して、デジタル信号へ変換し、検出信号ＳＥ−Ｏとして、処理回路ＰＲＳへ供給する。このとき、制御信号ＴＳＶＣＯＭが供給される駆動電極は、選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌへ供給された制御信号Ｙ−ＣＮＴおよびクロック信号ＣＬＫに基づいて定められている。制御信号Ｙ−ＣＮＴおよびクロック信号ＣＬＫを基にして、処理回路ＰＲＳは、制御信号ＴＳＶＣＯＭが供給される駆動電極を特定する。これにより、検出信号ＳＥ−Ｏに基づいて、指がタッチしている位置の座標を抽出し、座標情報として、外部端子Ｔｏから出力する。

タッチ検出期間における、切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌ、ＳＣＸ−Ｕ、ＳＣＸ−Ｄおよび選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌ、ＳＲＸ−Ｄの動作概要を説明したが、表示期間においては、次のように動作する。

すなわち、表示期間において、切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌは、複数の駆動電極に表示駆動信号を供給する。また、切換調整回路ＳＣＸ−Ｕ、ＳＣＸ−Ｄは、信号線間を電気的に分離する。これにより、表示期間においては、信号線ドライバＤ−ＤＲＶからの画像信号Ｓｎが信号線セレクタ３によって、適切な信号線に供給される。また、駆動電極には、表示駆動信号が供給されるため、走査線がハイレベルになることにより、選択された画素には、信号線に供給されている画像信号と駆動電極に供給されている表示駆動信号との電圧差が与えられることになり、画像信号に従った表示が行われる。

この実施の形態１においては、駆動電極は、磁界を発生するためのコイルの巻線、電界を発生するための電極および表示用の駆動電極として兼用されることになる。また、信号線は、磁界を発生するためのコイルの巻線と画像信号を伝達する信号線として兼用されることになる。これにより、磁界タッチ検出と、電界タッチ検出の機能を有する液晶表示装置１を、製造コストの上昇を抑制しながら提供することが可能となる。

実施の形態１においては、切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌと選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌとによって、駆動電極に、表示駆動信号、電界駆動信号または磁界駆動信号が供給される。そのため、切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌと選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌとによって、電極駆動回路ＳＤが構成されていると見なすことができる。このように見なした場合、電極駆動回路ＳＤは、切換調整回路ＳＣと選択制御回路ＳＲとを備えていると見なすこともできる。この場合、切換調整回路ＳＣは、表示領域２の辺２−Ｒ（第１辺）に沿って配置された第１切換調整回路ＳＣ−Ｒと、表示領域２の辺２−Ｌ（第２辺）に沿って配置された第２切換調整回路ＳＣ−Ｌを備えていると見なすことができる。また、選択制御回路ＳＲも、表示領域２の辺２−Ｒに沿って配置された第１電極駆動回路ＳＤ−Ｒと、表示領域２の辺２−Ｌに沿って配置された第２電極駆動回路ＳＤ−Ｌを備えていると見なすことができる。

同様に、切換調整回路ＳＣＸ−Ｕ、ＳＣＸ−Ｄおよび選択制御回路ＳＲＸ−Ｄによって、信号線に、画像信号または電界駆動信号が供給される。そのため、切換調整回路ＳＣＸ−Ｕ、ＳＣＸ−Ｄおよび選択制御回路ＳＲＸ−Ｄによって、信号線駆動回路が構成されていると見なすことができる。この場合も、信号線駆動回路は、表示領域２の辺２−Ｕに沿って配置された第１切換調整回路ＳＣＸ−Ｕと、表示領域２の辺２−Ｄ側に沿って配置された第２切換調整回路ＳＣＸ−Ｄと、選択制御回路ＳＲＸ−Ｄにより構成されていると見なすことができる。

＜液晶表示装置１のモジュール構成＞
図８は、液晶表示装置１を実装したモジュール５００の全体構成を示す模式的な平面図である。模式的ではあるが、図８は、実際の配置に合わせて描かれている。同図において、５０１は、図３（Ｂ）および図５で示したＴＦＴガラス基板における領域を示しており、５０２は、図３（Ｂ）および図５で示したＴＦＴガラス基板とＣＦガラス基板とを有する領域を示している。モジュール５００において、ＴＦＴガラス基板は一体となっている。すなわち、領域５０１と領域５０２とにおいて、ＴＦＴガラス基板は共通であり、領域５０２には、図３（Ｂ）および図５に示したように、ＴＦＴガラス基板の上方面（ＴＦＴガラス基板と対向する面）に、ＣＦガラス基板等が、さらに形成されている。

図８において、５００−Ｕは、モジュール５００の短辺を示しており、５００−Ｄは、モジュール５００の辺であって、短辺５００−Ｕと対向する短辺を示している。また、５００−Ｌは、モジュール５００の長辺を示しており、５００−Ｒは、モジュールの辺であって、長辺５００−Ｌに対向する長辺を示している。

領域５０２であって、表示領域２の辺２−Ｌとモジュール５００の長辺５００−Ｌとの間の領域には、図７で示したゲートドライバ５、切換調整回路ＳＣ−Ｌおよび選択制御回路ＳＲ−Ｌが配置されている。また、表示領域２（アクティブ領域）の辺２−Ｒとモジュール５００の長辺５００−Ｒとの間の領域には、図７で示した切換調整回路ＳＣ−Ｒ、および選択制御回路ＳＲ−Ｒが配置されている。表示領域２（アクティブ領域）の辺２−Ｕとモジュール５００の短辺５００−Ｕとの間の領域には、図７で示した切換調整回路ＳＣＸ−Ｕが配置されている。

また、表示領域２の辺２−Ｄとモジュール５００の短辺５００−Ｄとの間の領域には、図７で示した信号線セレクタ３、切換調整回路ＳＣＸ−Ｄ、選択制御回路ＳＲＸ−Ｄおよびドライブ用半導体装置ＤＤＩＣが配置されている。

この実施の形態１においては、図７に示した信号線ドライブＤ−ＤＲＶおよび制御回路Ｄ−ＣＮＴは、１個の半導体装置に内蔵されている。本明細書においては、この１個の半導体装置が、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣとして示されている。また、図７に示したタッチ制御装置６も、１個の半導体装置に内蔵されている。本明細書においては、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣと区別するために、タッチ制御装置６を内蔵した半導体装置をタッチ用半導体装置６と称する。勿論、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣおよびタッチ用半導体装置６のそれぞれは、複数の半導体装置で構成してもよい。また、例えばドライブ用半導体装置ＤＤＩＣに、切換調整回路ＳＣＸ−Ｄおよび選択制御回路ＳＲＸ−Ｄを内蔵させてもよい。

この実施の形態１においては、切換調整回路ＳＣＸ−Ｄおよび選択制御回路ＳＲＸ−Ｄは、領域５０１に配置されており、領域５０１のＴＦＴガラス基板に形成された配線および部品により構成されている。部品としては、スイッチ部品があり、スイッチ部品は例えば電界効果型トランジスタ（以下、ＭＯＳＦＥＴと称する）である。また、平面視的に、切換調整回路ＳＣＸ−Ｄおよび選択制御回路ＳＲＸ−Ｄを覆うように、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣが、ＴＦＴガラス基板に実装されている。これにより、表示領域２の下側額縁が大きくなるのを抑制することが可能となる。

また、切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌ、ＳＣＸ−Ｕおよび選択制御回路ＳＲ−Ｒ，ＳＲ−Ｌを構成する部品も、領域５０２におけるＴＦＴガラス基板上に形成されている。

図７において説明したセンス信号ＳＹ（ｎ）、ＳＹ（ｎ＋１）および検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）は、モジュール５００の長辺５００−Ｌ、５００−Ｒと表示領域２の辺２−Ｌ、２−Ｒとの間に配置された配線（図示せず）を介して、フレキシブルケーブルＦＢ１に伝達される。フレキシブルケーブルＦＢ１には、タッチ用半導体装置６が実装されており、フレキシブルケーブルＦＢ１内の配線を介して、タッチ用半導体装置６に検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）およびセンス信号ＳＹ（ｎ）、ＳＹ（ｎ＋１）が供給される。また、領域５０１には、フレキシブルケーブルＦＢ２が接続されており、このフレキシブルケーブルＦＢ２には、コネクタＣＮが実装されている。このコネクタＣＮを介して、センス信号Ｓｘ（０）〜Ｓｘ（ｐ）が、選択制御回路ＳＲＸ−Ｄからタッチ用半導体装置６に供給される。さらに、コネクタＣＮを介して、タッチ用半導体装置６とドライブ用半導体装置ＤＤＩＣとの間で信号の送受信が行われる。図８には、送受信される信号の例として、同期信号ＴＳＨＤが描かれている。

表示領域２には、既に述べたように、複数の画素が行列状に配置された画素配列を有しており、画素配列は、配列の行に沿って配置された複数の駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）と、配列の列に沿って配置された複数の信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と複数の検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）とを備えている。図８には、例として、２個の駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｍ）と２個の信号配線ＳＬ（ｋ）、ＳＬ（ｎ）とが示されている。なお、図８では、走査線と検出電極は、省略されている。信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と走査線あるいは駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）との交差部分には、画素が配置されている。図８に示した表示領域２の４辺に明示してあるＲ、Ｇ、Ｂは、３原色に対応した画素を示している。

＜表示領域の構造＞
図９は、実施の形態１に係わる液晶表示装置１に含まれる表示領域２の構成を示す断面図である。表示という観点で見た場合、表示パネルの表示部である表示領域２（第１領域）は、アクティブな領域（アクティブ領域）であり、表示パネルの周辺部（表示領域２の外部）の領域（第２領域）は非アクティブな領域（非アクティブ領域）あるいは周辺領域と見なすことができる。この場合、図８を例にして説明すると、アクティブ領域は、表示領域２の辺２−Ｕ、２−Ｄ、２−Ｒおよび２−Ｌによって囲まれた領域となる。

図９は、図８に示した表示領域２のＡ−Ａ’断面を示している。この実施の形態１においては、カラー表示を行うために、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）の３原色のそれぞれに対応した３個の画素を用いて、１個のカラー画素を表示する。すなわち、１個のカラー画素が、３個の副画素により構成されていると見なすことができる。この場合、表示期間において、カラー画像信号を伝達する信号線は、それぞれ３個の信号線により構成されることになる。図９においては、具体的に表示領域２の構造を示すために、カラー表示を行う場合を説明する。

図９を説明する前に、図９で用いる信号線の符号を説明しておく。信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）のそれぞれは、表示期間において、カラー画像信号を伝達する信号線を示している。それぞれの信号線は、３個の副画素に画像信号を伝達する３個の信号線を有している。図９においては、信号線の符号の後に対応する副画素の英字を付して、３個の信号線を区別している。信号線ＳＬ（ｎ）を例にすると、信号線ＳＬ（ｎ）は、信号線ＳＬ（ｎ）Ｒ、ＳＬ（ｎ）ＧおよびＳＬ（ｎ）Ｂを有している。ここで、符号ＳＬ（ｎ）の後に付した英字Ｒは、表示期間においては、三原色の赤（Ｒ）に対応する副画素へ画像信号を伝達する信号線を示しており、符号ＳＬ（ｎ）の後に付した英字Ｇは、三原色の緑（Ｇ）に対応する副画素へ画像信号を伝達する信号線を示しており、符号ＳＬ（ｎ）の後に付した英字Ｂは、三原色の青（Ｂ）に対応する副画素へ画像信号を伝達する信号線を示している。

図９において、６００は、ＴＦＴガラス基板を示している。ＴＦＴガラス基板６００には、第１配線層（金属配線層）６０１が形成されている。この第１配線層６０１に形成された配線によって、走査線ＧＬ（ｎ）が構成される。第１配線層６０１の上には、絶縁層６０２が形成されており、絶縁層６０２上には、第２配線層（金属配線層）６０３が形成されている。第２配線層６０３に形成された配線によって、信号線ＳＬ（ｎ）Ｒ、ＳＬ（ｎ）Ｇ、ＳＬ（ｎ）Ｂ、信号線ＳＬ（ｎ＋１）Ｒ、ＳＬ（ｎ＋１）Ｇ、ＳＬ（ｎ＋１）Ｂおよび信号線ＳＬ（ｎ＋２）Ｒ、ＳＬ（ｎ＋２）Ｇが構成されている。同図では、これらの信号線が第２配線層６０３によって構成されていることを示すために、信号線の符号の後に、第２配線層を示す符号６０３を［］内に記載している。例えば、信号線ＳＬ（ｎ）Ｇは、ＳＬ（ｎ）Ｇ［６０３］として示されている。

第２配線層６０３上には、絶縁層６０４が形成され、絶縁層６０４上には、第３配線層（金属配線層）６０５が形成されている。第３配線層６０５に形成された配線によって、駆動電極ＴＬ（ｎ）と補助電極ＳＭが構成されている。ここで、駆動電極ＴＬ（ｎ）は、透明電極（第１電極）である。また、補助電極ＳＭ（第２電極）は、駆動電極ＴＬ（ｎ）よりも抵抗値が低く、駆動電極ＴＬ（ｎ）と電気的に接続するように形成されている。透明電極である駆動電極ＴＬ（ｎ）の抵抗値は、比較的高いが、補助電極ＳＭを駆動電極ＴＬ（ｎ）と電気的に接続することにより、合成抵抗により駆動電極の抵抗を低減することが可能となっている。ここでも、駆動電極および補助電極の符号に付された［６０５］は、第３配線層６０５により構成されていることを示している。

第３配線層６０５上には、絶縁層６０６が形成され、絶縁層６０６の上面には画素電極ＬＤＰが形成されている。図６において、ＣＲ、ＣＢ、ＣＧのそれぞれは、カラーフィルタである。カラーフィルタＣＲ（赤）、ＣＧ（緑）、ＣＢ（青）と絶縁層６０６との間には液晶層６０７が挟まれている。ここで、画素電極ＬＤＰは、走査線と信号線との交点に設けられており、各画素電極ＬＤＰに対向して、それぞれの画素電極ＬＤＰに対応したカラーフィルタＣＲ、ＣＧあるいはＣＢが設けられている。各カラーフィルタＣＲ、ＣＧ、ＣＢ間にはブラックマトリクスＢＭが設けられている。

また、図９では、省略されているが、図３（Ｂ）および図５に示したように、ＣＦガラス基板の液晶層側にはカラーフィルタＣＲ、ＣＧ、ＣＢが形成されている。さらに、ＣＦガラス基板の上には、第４配線層が形成され、第４配線層の配線によって、図５に示した検出電極ＲＬ（ｎ）が構成されている。検出電極ＲＬ（ｎ）の上面には、さらに、図５に示すように、偏光板が配置されている。

＜画素配列＞
次に、表示領域２の回路構成を説明しておく。図１０は、図８に示した表示領域２の回路構成を示す回路図である。図１０においても、信号線は、図９と同じ表示形式で表されている。同図において、一点鎖線で示した複数個のＳＰｉｘのそれぞれは、１個の液晶表示素子（副画素）を示している。副画素ＳＰｉｘは、表示領域２において、行列状に配置され、液晶素子配列（画素配列）ＬＣＤを構成している。画素配列ＬＣＤは、各行に配置され、行方向に延在する複数の走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）と、各列に配置され、列方向に延在する信号線ＳＬ（０）Ｒ、ＳＬ（０）Ｇ、ＳＬ（０）Ｂ〜ＳＬ（ｐ）Ｒ、ＳＬ（ｐ）Ｇ、ＳＬ（ｐ）Ｂとを具備している。また、画素配列ＬＣＤは、各行に配置され、行方向に延在する駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と、各列に配置され、列方向に延在する検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）を有している。

図１０には、走査線ＧＬ（ｎ−１）〜ＧＬ（ｎ＋１）と、信号線ＳＬ（ｎ）Ｒ、ＳＬ（ｎ）Ｇ、ＳＬ（ｎ）Ｂ〜ＳＬ（ｎ＋１）Ｒ、ＳＬ（ｎ＋１）Ｇ、ＳＬ（ｎ＋１）Ｂと、駆動電極ＴＬ（ｎ−１）〜ＴＬ（ｎ＋１）に関する画素配列の部分が示されている。なお、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、図１０では省略されている。

図１０においては、説明を容易にするために、駆動電極ＴＬ（ｎ−１）〜ＴＬ（ｎ＋１）が、それぞれの行に配置されているように、示されているが、複数の行に対して１個の駆動電極を配置するようにしてもよい。また、検出電極も、複数の列に対して１個の検出電極を配置するようにしてもよい。

画素配列ＬＣＤの行と列の交点に配置されたそれぞれの副画素ＳＰｉｘは、ＴＦＴガラス基板６００に形成された薄膜トランジスタＴｒと、薄膜トランジスタＴｒのソースに一方の端子が接続された液晶素子ＬＣとを具備している。画素配列ＬＣＤにおいて、同じ行に配置された複数の副画素ＳＰｉｘの薄膜トランジスタＴｒのゲートは、同じ行に配置されている走査線に接続され、同じ列に配置された複数の副画素ＳＰｉｘの薄膜トランジスタＴｒのドレインは、同じ列に配置された信号線に接続されている。言い換えるならば、複数の副画素ＳＰｉｘが、行列状に配置され、各行には、走査線が配置され、走査線には、対応する行に配置された複数の副画素ＳＰｉｘが接続されている。また、各列には信号線が配置され、信号線には、対応する列に配置された画素ＳＰｉｘが接続されている。また、同じ行に配置された複数の副画素ＳＰｉｘの液晶素子ＬＣの他端は、行に配置された駆動電極に接続されている。

図１０に示した例で説明すれば、同図において、最上段の行に配置された複数の副画素ＳＰｉｘのそれぞれの薄膜トランジスタＴｒのゲートは、最上段の行に配置された走査線ＧＬ（ｎ−１）に接続されている。また、同図において、最も左側の列に配置された複数の副画素ＳＰｉｘのそれぞれの薄膜トランジスタＴｒのドレインは、最も左側の列に配置された信号線ＳＬ（ｎ）Ｒに接続されている。さらに、最上段の行に配置された複数の副画素ＳＰｉｘのそれぞれの液晶素子ＬＣの他端は、図１０においては、最上段の行に配置された駆動電極ＴＬ（ｎ−１）に接続されている。

１個の副画素ＳＰｉｘが、先の述べたように、３原色の１つに対応する。従って、３個の副画素ＳＰｉｘによって、Ｒ、Ｇ、Ｂの３原色が構成される。図１０では、同じ行に、連続的に配置された３個の副画素ＳＰｉｘによって、１つのカラー画素Ｐｉｘが形成され、当該画素Ｐｉｘにてカラーが表現される。すなわち、図１０において、７００Ｒとして示されている副画素ＳＰｉｘが、Ｒ（赤）の副画素ＳＰｉｘ（Ｒ）とされ、７００Ｇとして示されている副画素ＳＰｉｘが、Ｇ（緑）の副画素ＳＰｉｘ（Ｇ）とされ、７００Ｂとして示されている副画素ＳＰｉｘが、Ｂ（青）の副画素ＳＰｉｘ（Ｂ）とされる。そのために、７００Ｒとして示されている副画素ＳＰｉｘ（Ｒ）には、カラーフィルタとして赤色のカラーフィルタＣＲが設けられており、７００Ｇの副画素ＳＰｉｘ（Ｇ）には、カラーフィルタとして緑色のカラーフィルタＣＧが設けられており、７００Ｂの副画素ＳＰｉｘ（Ｂ）には、カラーフィルタとして青色のカラーフィルタＣＢが設けられている。

また、１つの画素を表す信号のうち、Ｒに対応する画像信号が、信号線セレクタ３から、信号線ＳＬ（ｎ）Ｒに供給され、Ｇに対応する画像信号が、信号線セレクタ３から、信号線ＳＬ（ｎ）Ｇに供給され、Ｂに対応する画像信号が、信号線セレクタ３から、信号線ＳＬ（ｎ）Ｂに供給される。

各副画素ＳＰｉｘにおける薄膜トランジスタＴｒは、特に制限されないが、Ｎチャンネル型ＭＯＳＦＥＴである。走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）には、例えばこの順番で順次ハイレベルとなるパルス状の走査線信号が、ゲートドライバ５（図７および図８）から供給される。すなわち、画素配列ＬＣＤにおいて、上段の行に配置された走査線ＧＬ（０）から下段の行に配置された走査線ＧＬ（ｐ）に向かって、走査線の電圧が、順次ハイレベルとなる。これにより、画素配列ＬＣＤにおいて、上段の行に配置された副画素ＳＰｉｘから下段の行に配置された副画素ＳＰｉｘに向かって、副画素ＳＰｉｘにおける薄膜トランジスタＴｒが、順次導通状態となる。

薄膜トランジスタＴｒが導通状態となることにより、そのとき信号線に供給されている画像信号が、導通状態の薄膜トランジスタを介して、液晶素子ＬＣに供給される。液晶素子ＬＣは、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に供給されている表示駆動信号の電圧と、供給された画像信号の電圧との間の差電圧に従って、電界が変化し、その液晶素子ＬＣを透過する光の変調が変わる。これにより、走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）に供給する走査線信号に同期して、信号線ＳＬ（０）Ｒ、ＳＬ（０）Ｇ、ＳＬ（ｎ）Ｂ〜ＳＬ（ｐ）Ｒ、ＳＬ（ｐ）Ｇ、ＳＬ（ｐ）Ｂに供給した画像信号に応じたカラー画像が、表示領域２に表示されることになる。

複数の副画素ＳＰｉｘのそれぞれは、選択端子と１対の端子とを有していると見なすことができる。この場合、副画素ＳＰｉｘを構成する薄膜トランジスタＴｒのゲートが、副画素ＳＰｉｘの選択端子であり、薄膜トランジスタＴｒのドレインが、１対の端子のうちの一方の端子であり、液晶素子ＬＣの他端が、副画素ＳＰｉｘの他方の端子である。

ここで、図７および図８に示した表示領域２の配置と、図１０に示した回路図との対応を述べておくと、次のようになる。

画素配列ＬＣＤは、その配列の行と実質的に平行な１対の辺と、その配列の列と実質的に平行な１対の辺とを有している。画素配列ＬＣＤの行と平行な１対の辺が、図７および図８に示した表示領域２の短辺２−Ｕ、２−Ｄに対応した第１辺、第２辺であり、画素ＬＣＤの列と平行な１対の辺が、表示領域２の長辺２−L、２−Ｒに対応した第３辺、第４辺である。

画素配列ＬＣＤにおいて、行と平行な１対の辺のうちの第２辺、すなわち、表示領域２の一方の短辺２−Ｄに沿って、図８に示されているように、信号セレクタ３、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣが配置されている。画素配列ＬＣＤにおいては、この第２辺（液晶領域２の短辺２−Ｄ）において、信号線セレクタ３を介して、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣからの画像信号が、信号線ＳＬ（０）Ｒ、ＳＬ（０）Ｇ、ＳＬ（０）Ｂ〜ＳＬ（ｐ）Ｒ、ＳＬ（ｐ）Ｇ、ＳＬ（ｐ）Ｂに供給される。

また、画素配列ＬＣＤにおいて、列と平行な１対の辺（第３辺、第４辺）のうち第３辺、すなわち、表示領域２の長辺２−Ｌに沿って、ゲートドライバ５が配置されている。画素配列ＬＣＤにおいては、この第３辺において、走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）にゲートドライバ５からの走査線信号が供給される。図８では、ゲートドライバ５が、表示領域２の長辺２−Ｌに沿って配置されていたが、ゲートドライバ５を、２個に分け、長辺２−Ｌ（画素配列ＬＣＤの第３辺）と長辺２−Ｒ（画素配列ＬＣＤの第４辺）のそれぞれに沿って配置するようにしてもよい。

表示領域２においてカラー表示を行う場合の画素配列ＬＣＤを具体的に説明したが、それぞれ３個の副画素ＳＰｉｘにより構成された複数のカラー画素Ｐｉｘ（画素）により、画素配列ＬＣＤが構成されていると見なしてもよい。このように見なした場合、複数の画素Ｐｉｘが、行列状に配置され、画素配列ＬＣＤが構成される。画素Ｐｉｘにより構成された画素配列ＬＣＤのそれぞれの行には、対応する走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）と、対応する駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）が配置され、それぞれの列には、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）が配置される。

この場合、３個の副画素ＳＰｉｘを、１個の画素Ｐｉｘと見なし、画素Ｐｉｘは、副画素ＳＰｉｘと同様な構成を有していると見なす。画素配列ＬＣＤに行列状に配置された画素Ｐｉｘのそれぞれの選択端子は、画素Ｐｉｘと同じ行に配置された走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）に接続され、画素Ｐｉｘのそれぞれの一方の端子は、同じ列に配置された信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）に接続され、画素Ｐｉｘのそれぞれの他方の端子は、同じ列に配置された駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に接続されることになる。勿論、１個の駆動電極が、画素配列ＬＣＤの複数の行に対応していてもよい。この場合には、複数の行に配置された画素Ｐｉｘの他方の端子が、共通の駆動電極に接続されることになる。

このように、画素配列ＬＣＤが、複数の画素Ｐｉｘにより構成されていると見なした場合においても、図７および図８に示した表示領域２の配置と、図１０に示した回路図との対応は、先に説明した内容と同じである。

１個のカラー画素Ｐｉｘを構成する副画素ＳＰｉｘの数が、３個の場合を説明したが、これに限定されるものではなく、例えば上記Ｒ、Ｇ、Ｂに加えて白（Ｗ）や黄色（Ｙ）、または上記Ｒ、Ｇ、Ｂの補色（シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ））のいずれか１色又は複数色を加えた副画素で１つのカラー画素としてもよい。

＜電界タッチ検出および磁界タッチ検出の概要＞
次に、実施の形態１に係わる液晶表示装置１で実施される電界タッチ検出および磁界タッチ検出の概要を、図１１（Ａ）および（Ｂ）を用いて説明する。図１１（Ａ）は、電界タッチ検出の概要を説明するための説明図である。また、図１１（Ｂ）は、磁界タッチ検出の概要を説明するための説明図である。

図７で説明した切換調整回路ＳＣ−Ｒは、複数の単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（０）〜ＵＳＣ−Ｒ（ｐ）により構成されており、選択制御回路ＳＲ−Ｒも、複数の単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（０）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｐ）により構成されている。同様に、切換調整回路ＳＣ−Ｌは、複数の単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（０）〜ＵＳＣ−Ｌ（ｐ）により構成されており、選択制御回路ＳＲ−Ｌも、複数の単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（０）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｐ）により構成されている。単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（０）〜ＵＳＣ−Ｒ（ｐ）、ＵＳＣ−Ｌ（０）〜ＵＳＣ−Ｌ（ｐ）と単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（０）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｐ）、ＵＳＲ−Ｌ（０）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｐ）は、互いに１対１に対応している。ここで、互いに対応する単位選択制御回路と単位切換調整回路により、単位電極駆動回路ＵＳＤ−Ｒ、ＵＳＤ−Ｌが構成されていると見なした場合、上記した第１電極駆動回路ＳＤ−Ｒは、単位電極駆動回路ＵＳＤ−Ｒ（０）〜ＵＳＤ−Ｒ（ｐ）により構成され、上記した第２電極駆動回路ＳＤ−Ｌは、単位電極駆動回路ＵＳＤ−Ｌ（０）〜ＵＳＤ−Ｌ（ｐ）により構成されていると見なすことができる。

表示領域２に配置された複数の駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、タッチ検出期間のとき、複数のグループＴＬＧ（０）〜ＴＬＧ（ｐ）に分けられ、それぞれのグループＴＬＧ（０）〜ＴＬＧ（ｐ）は、互いに隣接して配置された複数の駆動電極を備えている。また、それぞれのグループＴＬＧ（０）〜ＴＬＧ（ｐ）に対して、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（０）〜ＵＳＣ−Ｒ（ｐ）、ＵＳＣ−Ｌ（０）〜ＵＳＣ−Ｌ（ｐ）が割り当てられ、それぞれのグループＴＬＧ（０）〜ＴＬＧ（ｐ）に対して、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（０）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｐ）、ＵＳＲ−Ｌ（０）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｐ）が対応している。

タッチ検出期間において、電界タッチ検出が指定された場合、単位選択制御回路は、対応した駆動電極のグループにおいて、電界が発生するように単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（０）〜ＵＳＣ−Ｒ（ｐ）、ＵＳＣ−Ｌ（０）〜ＵＳＣ−Ｌ（ｐ）を制御する。また、磁界タッチ検出が指定された場合には、単位選択制御回路は、対応した駆動電極のグループにおいて強い磁界が発生するように、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（０）〜ＵＳＣ−Ｒ（ｐ）、ＵＳＣ−Ｌ（０）〜ＵＳＣ−Ｌ（ｐ）を制御する。

図１１（Ａ）および（Ｂ）には、上記単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（０）〜ＵＳＤ−Ｒ（ｐ）のうち単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）と、上記単位選択調整回路ＵＳＲ−Ｌ（０）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｐ）のうち単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）が示されている。また、図１１（Ａ）および（Ｂ）には、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）および単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）に対応する駆動電極のグループＴＬＧ（ｎ）が示されている。

先ず、電界タッチ検出の概要を説明する。電界イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮにより、電界タッチ検出が指定された場合、図１１（Ａ）で述べる動作が行われる。図１１（Ａ）において、ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋５）は、表示領域２に配置されている駆動電極を示している。タッチ検出期間においては、前記したように、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）がグループＴＬＧ（０）〜ＴＬＧ（ｐ）に分けられる。図１１（Ａ）においては、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のうち、駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋３）が、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）および単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）に対応する駆動電極のグループＴＬＧ（ｎ）とされている。電界タッチ検出の場合、対応するグループＴＬＧ（ｎ）に含まれている駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋３）のそれぞれに対して、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＣ−Ｌ（ｎ）から電界駆動信号が供給されるように、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＲ−Ｌ（ｎ）は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＣ−Ｌ（ｎ）を制御する。図１１（Ａ）には、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＣ−Ｌ（ｎ）は示されていないが、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＣ−Ｌ（ｎ）からグループＴＬＧ（ｎ）に含まれている駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋３）へ供給される電界駆動信号が、矢印付きの実線で示されている。また、駆動電極ＴＬ（ｎ）には、電界駆動信号の波形が描かれている。

この電界駆動信号の波形は、同図に示しているように、時間的に電圧が変化する信号である。具体的には、対応するグループＴＬＧ（ｎ）に含まれている駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋３）には、周期的に電圧が変化する制御信号ＴＳＶＣＯＭが供給される。これにより、対応するグループＴＬＧ（ｎ）に含まれている駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋３）において、時間の経過に伴って変化する電界が発生する。

グループＴＬＧ（ｎ）に含まれている駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋３）は、表示領域２において、近接して連続して配置されている。そのため、表示領域２においてグループＴＬＧ（ｎ）が配置されている領域において、電界が発生することになる。これにより、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）における信号の変化を検出すれば、グループＴＬＧ（ｎ）が配置されている領域に、指がタッチしたか否かの検出が可能となる。

なお、図１１（Ａ）に示した駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ−３）は、タッチ検出期間のとき、グループＴＬ（ｎ）に隣接するグループＴＬＧ（ｎ−１）に含まれ、駆動電極ＴＬ（ｎ＋４）〜ＴＬ（ｎ＋５）は、タッチ検出期間のとき、グループＴＬ（ｎ）に隣接するグループＴＬＧ（ｎ＋１）に含まれる。

次に、磁界タッチ検出の概要を、説明する、磁界イネーブル信号ＣＥ＿ＥＮにより、磁界タッチ検出が指定された場合、図１１（Ｂ）で述べる動作が行われる。この実施の形態１においては、磁界タッチ検出のとき、駆動電極を巻線として用いたコイルを形成し、コイルにより磁界を発生する。この場合、コイルの内側と外側とを比べた場合、コイルの内側の方が、磁束密度が高い、すなわち、コイルの内側の方が磁界が強い。そのため、この実施の形態１において、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）、ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）は、対応するグループＴＬＧ（ｎ）に隣接して配置されたグループＴＬＧ（ｎ−１）、ＴＬＧ（ｎ＋１）に含まれている駆動電極を巻線としてコイルを形成するように、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＣ−Ｌ（ｎ）を制御する。すなわち、駆動電極を巻線としてコイルを形成したときに、グループＴＬＧ（ｎ）の領域が、コイルの内側になるように、隣接するグループ内の駆動電極が、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）、ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）において直列的に接続される。

図１１（Ｂ）においても、駆動電極のグループＴＬＧ（ｎ）は、駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋３）により構成されている。また、グループＴＬＧ（ｎ）に隣接して配置されたグループＴＬＧ（ｎ−１）は、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）、ＴＬ（ｎ−４）を備えており、隣接して配置されたグループＴＬＧ（ｎ＋１）は、駆動電極ＴＬ（ｎ＋４）、ＴＬ（ｎ＋５）を備えている。グループＴＬＧ（ｎ）の領域が、コイルの内側となるように、このグループＴＬＧ（ｎ）を挟むように、近接して配置されたグループＴＬＧ（ｎ−１）とグループＴＬＧ（ｎ＋１）に含まれている駆動電極ＴＬ（ｎ−４）、ＴＬ（ｎ−３）、ＴＬ（ｎ＋４）およびＴＬ（ｎ＋５）が、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）、ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）において、互いに直列的に接続される。

図１１（Ｂ）にも、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）、ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）は示されていないが、駆動電極ＴＬ（ｎ−４）が、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）において、例えば駆動電極ＴＬ（ｎ＋４）に接続され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋４）は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）において、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）に接続される。また、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）は、単位第切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）において、駆動電極ＴＬ（ｎ＋５）に接続される。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−４）、ＴＬ（ｎ−３）、ＴＬ（ｎ＋４）およびＴＬ（ｎ＋５）を巻線としたコイルが形成される。この場合には、２回巻線のコイルとなり、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）が、駆動電極ＴＬ（ｎ−４）へ周期的に変化する電流を磁界駆動信号として供給する。このとき、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）は、駆動電極ＴＬ（ｎ＋５）へ接地電圧を供給する。図１１（Ｂ）には、このときの磁界駆動信号が、矢印を付した実線で描かれており、このときの電流の流れが、矢印付きの２点鎖線で概略的に示されている。

これにより、グループＴＬＧ（ｎ）の領域を内側としたコイルが形成される。磁界発生期間のとき、このコイルにより磁界を発生させ、磁界検出期間においては、このコイルにより、ペンからの磁界を検出する。

なお、駆動電極ＴＬ（ｎ−４）、ＴＬ（ｎ−３）を含むグループＴＬＧ（ｎ−１）の領域において、磁界を発生する場合には、例えば駆動電極ＴＬ（ｎ−２）、ＴＬ（ｎ−１）が、コイルの巻線として用いられる。また、駆動電極ＴＬ（ｎ＋４）、ＴＬ（ｎ＋５）を含むグループＴＬＧ（ｎ＋１）の領域において、磁界を発生する場合には、例えば駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）、ＴＬ（ｎ＋３）が、コイルの巻線として用いられる。このように、コイルの内側に配置されている駆動電極を、別のコイルを形成するときの巻線として用いることにより、コイル間が部分的に重なることになる。コイル間が重なることにより、磁界タッチ検出のときに、磁界が弱くなる領域が発生するのを防ぐことが可能となり、検出精度の低下を防ぐことが可能となる。

グループＴＬＧ（ｎ）を第１グループとし、グループＴＬＧ（ｎ−１）を第２グループとし、グループＴＬＧ（ｎ＋１）を第３グループとして見なした場合、平面視において、第１グループは、第２グループと第３グループとの間に配置されることになる。磁界タッチ検出において、第１グループに、磁界を発生するペンがタッチしているか否かを検出する際には、第２グループおよび第３グループのそれぞれに含まれている駆動電極を巻線としてコイルが、形成されることになる。一方、電界タッチ検出において、第１グループで指によって電界が変化しているか否かの検出をする際には、第１グループに含まれる駆動電極に、電界駆動信号が供給されることになる。

図１１では、グループＴＬＧ（ｎ−１）〜ＴＬＧ（ｎ＋１）のそれぞれは、複数の駆動電極を備えている場合を説明したが、それぞれのグループは、１個の駆動電極のみを備えるようにしてもよい。また、２回巻線の例で説明したが、勿論、コイルの巻数は１であってもよいし、３以上の巻数であってもよい。

＜磁界タッチ検出が可能な液晶表示装置の構成＞
電界タッチ検出と磁界タッチ検出とが可能な液晶表示装置を説明するまえに、まず、磁界タッチ検出が可能な液晶表示装置の構成を説明しておく。図１２は、磁界タッチ検出が可能な半導体装置１の構成を示すブロック図である。特に、図１２には、図７に示した液晶表示装置１において、磁界タッチ検出を説明するために必要な回路部分のみが示されている。図７と比較した場合、タッチ制御装置（タッチ用半導体装置）６、表示制御装置（ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣ）４およびゲートドライバ５は、図１２においては省略されている。また、切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌおよび選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌについては、磁界タッチ検出に必要な部分のみが示されている。

図１２においても、２は、表示パネルの表示領域（アクティブ領域）を示している。表示領域２は、辺２−Ｕにおいて、切換調整回路ＳＣＸ−Ｕに結合され、辺２−Ｒにおいて、切換調整回路ＳＣ−Ｒおよび選択制御回路ＳＲ−Ｒに結合され、辺２−Ｌにおいて、切換調整回路ＳＣ−Ｌおよび選択制御回路ＳＲ−Ｌに結合されている。また、表示領域２は、辺２−Ｄにおいて、信号線セレクタ３に結合されている。同図において、複数のＳＰは、端子を示しており、複数の端子ＳＰは、信号線セレクタ３に接続されている。端子ＳＰのそれぞれには、図７に示した信号線ドライバＤ−ＤＲＶを介して、図７に示した制御回路Ｄ−ＣＮＴから画像信号Ｓｎが供給される。また、端子ＳＰは、切換調整回路ＳＣＸ−Ｄおよび選択制御回路ＳＲＸ−Ｄに結合されている。端子ＳＰのそれぞれには、表示期間のとき、画像信号Ｓｎが供給される。これに対して、タッチ検出期間であって、磁界発生期間のときには、磁界駆動信号が、端子ＳＰに供給され、磁界検出期間のときには、磁界の変化に従った信号が、端子ＳＰから切換調整回路ＳＣＸ−Ｄおよび選択制御回路ＳＲＸ−Ｄへ伝達される。

図面が複雑になるのを避けるために、表示領域２の構成は、図１３に示し、切換調整回路ＳＣＸ−Ｄおよび選択制御回路ＳＲＸ−Ｄの構成は、図１４に示し、切換調整回路ＳＣＸ−Ｕの構成は、図１５に示している。また、切換調整回路ＳＣ−Ｒおよび選択制御回路ＳＲ−Ｒの構成は、図１６に示し、切換調整回路ＳＣ−Ｌおよび選択制御回路ＳＲ−Ｌの構成は、図１７に示している。以下、図１３〜図１７を用いて、図１２に示した液晶表示装置を説明する。

＜＜表示領域２の構成＞＞
先ず、表示領域２の構成を説明する。表示領域２は、複数の駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と、複数の走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）と、複数の信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と、複数の検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）と、複数の画素とを備えている。なお、カラー表示を行うために、画素のそれぞれはカラー画素であり、３個の副画素を有している。また、それぞれの信号線も、副画素に対応した３個の信号線を有している。しかしながら、説明を容易にするため、３個の副画素を１個の画素（カラー画素）とし、副画素に対応した３個の信号線（例えば、ＳＬ（０）Ｒ、ＳＬ（０）Ｇ、ＳＬ（０）Ｂ）を、１個の信号線（ＳＬ（０））として、以降説明する。

表示領域２において、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、横方向（行方向）に延在し、縦方向（列方向）に平行して配置されている。また、走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）も、横方向に延在し、縦方向に平行して配置されている。信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）は、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）と交差するように、縦方向に延在し、横方向に並列に配置されている。さらに、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）も、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）と交差するように、縦方向に延在し、横方向に並列に配置されている。画素は、信号線と走査線との交差する部分に配置されており、図１０で説明したように、対応する信号線、駆動電極および走査線に接続されている。

また、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）、走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）および検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、図９で説明したように、互いに異なる配線層の配線により形成されており、物理的に分離されている。図９で説明した補助電極ＳＭは、駆動電極に沿って形成されており、駆動電極に接続されている。この場合、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれに対して数十本の補助電極が、形成されており、駆動電極に接続されている。すなわち、１個の駆動電極に対して、その駆動電極に沿って数十本の補助電極が形成され、駆動電極に接続されている。これにより、駆動電極の合成抵抗の低減が図られている。

図１３には、これらの駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）のうち、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）が破線で示され、信号線ＳＬ（ｎ−６）〜ＳＬ（ｎ＋９）が実線で示されている。また、図１３には、それぞれの駆動電極に接続された複数の補助電極のうちの１個の補助電極が、実線ＳＭで示されている。なお、図１３においては、図面が複雑になるのを避けるために、画素、走査線、検出電極は、省略されている。

図１３において、符号Ｄ（−６）〜Ｄ（＋９）、符号Ｕ（−６）〜Ｕ（＋９）、符号Ｒ（−６）〜Ｒ（＋９）および符号Ｌ（−６）〜Ｌ（＋９）は、図１４〜図１６との接続部を示している。すなわち、図１３において、符号Ｄ（−６）〜Ｄ（＋９）は、図１４に示す符号Ｄ（−６）〜Ｄ（＋９）に接続され、符号Ｕ（−６）〜Ｕ（＋９）は、図１５に示す符号Ｕ（−６）〜Ｕ（＋９）に接続される。同様に、図１３において、符号Ｒ（−６）〜Ｒ（＋９）は、図１６に示す符号Ｒ（−６）〜Ｒ（＋９）に接続され、符号Ｌ（−６）〜Ｌ（＋９）は、図１７に示す符号Ｌ（−６）〜Ｌ（＋９）に接続される。

実施の形態１においては、タッチ検出期間であって、磁界タッチ検出が指定された場合、信号パネル２に配置されている信号線および駆動電極を巻線としたコイルが形成される。ここでは、信号線ＳＬ（ｎ−６）〜（ｎ＋９）のうち、信号線ＳＬ（ｎ−６）、ＳＬ（ｎ−５）、ＳＬ（ｎ＋２）、ＳＬ（ｎ＋３）を信号配線６５１１、６５２１、６５３１により巻線として、コイルＸ（ｎ−１）（図４参照）が形成され、信号線ＳＬ（ｎ）、ＳＬ（ｎ＋１）、ＳＬ（ｎ＋８）、ＳＬ（ｎ＋９）を巻線として、コイルＸ（ｎ）（図４参照）が形成される場合を説明する。また、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）のうち、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）、ＴＬ（ｎ−５）、ＴＬ（ｎ＋２），ＴＬ（ｎ＋３）およびそれぞれに接続された補助電極ＳＭを信号配線６５１２、６５２２、６５３２により巻線として、コイルＹ（ｎ−１）（図４参照）が形成される場合を説明する。同様に、駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ＋８），ＴＬ（ｎ＋９）およびそれぞれに接続された補助電極ＳＭを巻線として、コイルＹ（ｎ）（図４参照）が形成される場合を説明する。

＜＜切換調整回路ＳＣＸ−Ｄおよび選択制御回路ＳＲＸ−Ｄの構成＞＞
図１４には、切換調整回路ＳＣＸ−Ｄおよび選択制御回路ＳＲＸ−Ｄの構成が示されている。図１４には、信号線ＳＬ（ｎ−６）〜ＳＬ（ｎ＋９）に対応する部分の構成が示されている。また、図１４には、信号線セレクタ３の構成が模式的に示されている。

表示期間のときには、表示制御装置４（図７）から、時分割的に、画像信号が端子ＳＰのそれぞれに供給される。なお、図面が複雑になるのを避けるために、図１４では、最も右側に配置された端子と最も左側に配置された端子にのみ、符号ＳＰが付されている。

信号線セレクタ３は、選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２に従ってスイッチ制御される複数のスイッチを有しており、端子ＳＰに供給された画像信号を適切な信号線に供給する。信号線セレクタ３におけるスイッチは、表示期間においては、選択的に端子ＳＰと信号線との間を接続するが、タッチ検出期間においては、全ての信号線と端子ＳＰとを実質的に同時に接続する。表示期間とタッチ検出期間とで、信号線と端子ＳＰとの接続が変わることを示すために、信号線セレクタ３に含まれるスイッチとして、図１４には、模式的なスイッチＳＷ１１（符号ＳＷ１１は、最も右側と最も左側のみに付している）が示されている。すなわち、図１４に示したスイッチＳＷ１１は、タッチ検出期間において、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と端子ＳＰとを接続することを表すために、描かれている。

切換調整回路ＳＣＸ−Ｄは、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮによってスイッチ制御される第１スイッチａ００〜ａ０５と、選択制御回路ＳＲＸ−Ｄからの選択信号Ｘ−Ｏｕｔ（ｎ−１）〜Ｘ−Ｏｕｔ（ｎ＋１）によってスイッチ制御される第２スイッチｂ００〜ｂ０２と、信号配線６５１０〜６５１３を備えている。

制御回路Ｄ−ＣＮＴ（図７）は、タッチ検出期間であって、磁界タッチ検出が指定されているとき、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮをハイレベルにする。また、磁界タッチ検出が指定されていないとき、および表示期間においては、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮをロウレベルにする。磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがハイレベルとなることにより、第１スイッチａ００〜ａ０５はオン状態となる。これに対して、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがロウレベルとなることにより、第１スイッチａ００〜ａ０５はオフ状態となる。また、タッチ検出期間においては、信号線セレクタ３内のスイッチＳＷ１１がオン状態となるため、端子ＳＰと信号線ＳＬ（ｎ−６）〜ＳＬ（ｎ＋９）間が電気的に接続される。

これにより、タッチ検出期間であって、磁界タッチ検出が指定されているとき、信号線ＳＬ（ｎ−５）は、第１スイッチａ００および信号配線６５１１を介して、信号線ＳＬ（ｎ＋２）に接続され、信号線ＳＬ（ｎ＋１）は、第１スイッチａ０２および信号配線６５１２を介して、信号線ＳＬ（ｎ＋８）に接続される。また、信号線ＳＬ（ｎ−４）は、信号配線６５１０および図示しない第１スイッチを介して図示しない信号線に接続され、信号配線ＳＬ（ｎ＋７）は、第１スイッチａ０４および信号配線６５１３を介して図示しない信号線に接続される。

また、タッチ検出期間であって、磁界タッチ検出が指定されているとき、信号線ＳＬ（ｎ−３）、ＳＬ（ｎ＋９）は、第１スイッチａ０１、ａ０５を介して、それぞれ電圧配線ＬＶ２に接続される。この電圧配線ＬＶ２には、タッチ検出期間のとき、例えば接地電圧Ｖｓが供給される。また、タッチ検出期間であって、磁界タッチ検出が指定されているとき、第２スイッチｂ００〜ｂ０２は、選択制御回路ＳＲＸ−Ｄからの選択信号Ｘ−Ｏｕｔ（ｎ−１）〜Ｘ−Ｏｕｔ（ｎ＋１）に従ってオン状態となる。

図７に示した制御回路Ｄ−ＣＮＴは、磁界タッチ検出を開始するとき、制御信号Ｘ−ＣＮＴおよびＹ−ＣＮＴを、例えばハイレベルにする。選択制御回路ＳＲＸ−Ｄは、制御信号Ｘ−ＣＮＴがハイレベルになることにより、コイルの選択動作を行う。例えば、選択制御回路ＳＲＸ−Ｄは、選択信号Ｘ−Ｏｕｔ（０）〜Ｘ−Ｏｕｔ（ｐ）の順に、この選択信号をハイレベルにする。また、選択制御回路ＳＲＸ−Ｄは、それぞれのコイルＸ（０）〜Ｘ（ｐ）に対応した入出力ノードＸＩＯ（０）〜ＸＩＯ（ｐ）を有している。磁界タッチ検出を行うタッチ検出期間のうち、磁界発生期間において、選択制御回路ＳＲＸ−Ｄは、クロック信号ＣＬＫを、それぞれの入出力ノードＸＩＯ（０）〜ＸＩＯ（ｐ）から出力する。また、タッチ検出期間のうち、磁界検出期間のとき、入出力ノード（０）〜ＸＩＯ（ｐ）における電圧を、センス信号ＳＸ（０）〜ＳＸ（ｐ）として出力する。なお、図１４には、コイルＸ（ｎ−１）〜Ｘ（ｎ＋１）に対応する入出力ノードＸＩＯ（ｎ−１）〜ＸＩＯ（ｎ＋１）および選択信号Ｘ−Ｏｕｔ（ｎ−１）〜Ｘ−Ｏｕｔ（ｎ＋１）のみが示されている。

なお、図１４において、破線で示したＤＤＩＣは、タッチ用半導体装置が実装されるエリアを示している。タッチ用半導体装置ＤＤＩＣは、上記した切換調整回路ＳＣＸ−Ｄおよび選択制御回路ＳＲＸ−Ｄを覆うように配置されており、タッチ用半導体装置ＤＤＩＣの外部端子が、端子ＳＰに接続されている。この端子ＳＰに接続されているタッチ用半導体装置ＤＤＩＣの外部端子から、表示期間においては、画像信号が、端子ＳＰへ供給される。また、タッチ検出期間においては、タッチ用半導体装置ＤＤＩＣの外部端子は、ハイインピーダンス状態となる。

＜＜切換調整回路ＳＣＸ−Ｕの構成＞＞
図１５は、切換調整回路ＳＣＸ−Ｕの構成を示す回路図である。図１５には、信号線ＳＬ（ｎ−６）〜ＳＬ（ｎ＋９）に対応する切換調整回路ＳＣＸ−Ｕの部分が示されている。切換調整回路ＳＣＸ−Ｕは、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮによってスイッチ制御される第３スイッチｃ００〜ｃ０５と、信号配線６５２０〜６５２３、６５３０〜６５３３を有している。第３スイッチｃ００〜ｃ０５は、磁界タッチ検出が指定されると、ハイレベルの磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮが供給されるため、オン状態となる。一方、磁界タッチ検出が指定されていないとき、および表示期間においては、第３スイッチｃ００〜ｃ０５は、オフ状態となる。

磁界タッチ検出のとき、切換調整回路ＳＣＸ−Ｕにおいて、信号線ＳＬ（ｎ−６）は、第３スイッチｃ００および信号配線６５２１を介して、信号線ＳＬ（ｎ＋２）に接続され、信号線ＳＬ（ｎ−５）は、第３スイッチｃ０１および信号配線６５３１を介して、信号線ＳＬ（ｎ＋３）に接続される。このとき、切換調整回路ＳＣＸ−Ｕにおいて、信号線ＳＬ（ｎ）は、第３スイッチｃ０２および信号配線６５２２を介して、信号線ＳＬ（ｎ＋８）に接続され、信号線ＳＬ（ｎ＋１）は、第３スイッチｃ０３および信号配線６５３２を介して、信号線ＳＬ（ｎ＋９）に接続される。また、このとき、図示しない第３スイッチおよび信号配線６５２０を介して、図示しない信号線に信号線ＳＬ（ｎ−４）は接続され、図示しない第３スイッチおよび信号配線６５２０を介して、図示しない信号線に信号線ＳＬ（ｎ−３）は接続される。さらに、信号線ＳＬ（ｎ＋６）は第３スイッチｃ０４および信号配線６５２３を介して、図示しない信号線に接続され、信号線ＳＬ（ｎ＋７）は、第３スイッチｃ０５および信号配線６５３３を介して、図示しない信号線に接続される。

＜＜切換調整回路ＳＣＸ−Ｄ、ＳＣＸ−Ｄ、選択制御回路ＳＲＸ−Ｄの動作＞＞
磁界タッチ検出が指定されると、切換調整回路ＳＣＸ−Ｄにおいて、信号線ＳＬ（ｎ−５）と信号線ＳＬ（ｎ＋２）とが接続され、信号線ＳＬ（ｎ＋１）と信号線ＳＬ（ｎ＋８）とが接続され、信号線ＳＬ（ｎ＋３）およびＳＬ（ｎ＋９）は電圧配線ＬＶ２に接続されることになる。また、磁界タッチ検出が指定されると、切換調整回路ＳＣＸ−Ｕにおいて、信号線ＳＬ（ｎ−６）と信号線ＳＬ（ｎ＋２）とが接続され、信号線ＳＬ（ｎ−５）と信号線ＳＬ（ｎ＋３）が接続され、信号線ＳＬ（ｎ）と信号線ＳＬ（ｎ＋８）が接続され、信号線ＳＬ（ｎ＋１）と信号線ＳＬ（ｎ＋９）とが接続されることになる。これにより、磁界タッチ検出が指定されると、表示領域２において、互いに平行に配置された信号線ＳＬ（ｎ−６）、ＳＬ（ｎ−５）、ＳＬ（ｎ＋２）およびＳＬ（ｎ＋３）が信号配線６５１１、６５２１、６５３１により直列的に接続され、これらの信号線を巻線としたコイルＸ（ｎ−１）が形成される。同様に、磁界タッチ検出が指定されると、信号線ＳＬ（ｎ）、ＳＬ（ｎ＋１）、ＳＬ（ｎ＋８）およびＳＬ（ｎ＋９）が信号配線６５１２、６５２２、６５３２により直列的に接続され、これらの信号線を巻線としたコイルＸ（ｎ）が形成される。

このとき、コイルＸ（ｎ−１）およびＸ（ｎ）のそれぞれの一方の端部は、電圧配線ＬＶ２に接続され、接地電圧Ｖｓが供給されることになる。選択制御回路ＳＲＸ−Ｄによって、コイルＸ（ｎ−１）または／およびＸ（ｎ）が選択されると、選択信号Ｘ−Ｏｕｔ（ｎ−１）または／およびＸ−Ｏｕｔ（ｎ）がハイレベルとなる。これにより、選択されたコイルＸ（ｎ−１）または／およびＸ（ｎ）の他方の端部は、第２スイッチｂ００または／およびｂ０１を介して、選択制御回路ＳＲＸ−Ｄの入出力ノードＸＩＯ（ｎ−１）または／およびＸＩＯ（ｎ）に接続される。磁界タッチ検出の磁界発生期間においては、選択制御回路ＳＲＸ−Ｄは、クロック信号ＣＬＫを、磁界駆動信号として、入出力ノードＸＩＯ（ｎ−１）およびＸ（ｎ）から出力する。そのため、磁界発生期間においては、周期的に電圧が変化する磁界駆動信号が、コイルＸ（ｎ−１）または／およびＸ（ｎ）の他方の端部に供給される。その結果、磁界発生期間においては、コイルＸ（ｎ−１）または／およびＸ（ｎ）において、磁界が発生する。

磁界発生期間に続く磁界検出期間においては、選択制御回路ＳＲＸ−Ｄは、選択するコイルＸ（ｎ−１）またはＸ（ｎ）に対応する選択信号Ｘ−Ｏｕｔ（ｎ−１）またはＸ−Ｏｕｔ（ｎ）のみをハイレベルに維持し、非選択とするコイルＸ（ｎ）またはＸ（ｎ−１）に対応する選択信号をロウレベルに変化させる。これにより、選択するコイルＸ（ｎ−１）またはＸ（ｎ）の他方の端部は、選択制御回路ＳＲＸ−Ｄの入出力ノードに接続した状態が維持され、非選択とするコイルの他方の端部は、入出力ノードから分離される。

磁界タッチ検出のときに、選択したコイルの近傍に、ペンが存在していれば、図２で説明したように、選択したコイルの端部に信号の変化が発生する。この信号の変化が、選択制御回路ＳＲＸ−Ｄの入出力ノードに伝達され、センス信号ＳＸ（ｎ−１）、ＳＸ（ｎ）として、選択制御回路ＳＲＸ−Ｄから出力される。一方、磁界タッチ検出のときに、選択したコイルの近傍に、ペンが存在しない場合には、選択したコイルの端部に信号の変化は発生せず、これが、センス信号ＳＸ（ｎ−１）、ＳＸ（ｎ）として出力される。

一方、表示期間においては、第１スイッチａ００〜ａ０５、第２スイッチｂ００〜ｂ０２および第３スイッチｃ００〜ｃ０５は、オフ状態となる。これにより、信号線ＳＬ（ｎ−６）〜ＳＬ（ｎ＋９）は、互いに電気的に分離される。表示期間においては、表示制御装置４から端子ＳＰに画像信号が供給され、信号線ＳＬ（ｎ−６）〜ＳＬ（ｎ＋９）は、画像信号を伝達することが可能となる。

切換調整回路ＳＣＸ−Ｕ、ＳＣＸ−Ｄは、表示パネルの周辺領域に配置されている。すなわち、表示パネルの周辺領域である非アクティブ領域に配置されている。そのため、切換調整回路ＳＣＸ−Ｕ、ＳＣＸ−Ｄに設ける信号配線６５１０〜６５１３、６５２０〜６５３３および６５３０〜６５３３は、表示領域２の外部に設けた配線層の配線によって形成することができる。表示領域２（アクティブ領域）において、図９に示した第１配線層６０１、第２配線層６０３および第３配線層６０５を形成するとき、表示領域２の外部である非アクティブ領域にも、第１配線層６０１、第２配線層６０３および第３配線層６０５を形成する。これにより、非アクティブ領域の構造は、液晶層６０７が存在しないことを除いて、図９に示した構造と同じになる。

信号配線６５１０〜６５１３、６５２０〜６５３３および６５３０〜６５３３は、非アクティブ領域に形成される第１配線層６０１、第２配線層６０３または第３配線層６０５の配線により構成する。この実施の形態においては、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を形成する第３配線層６０５と同じ第３配線層６０５の配線によって、信号配線６５１０〜６５１３、６５２０〜６５３３および６５３０〜６５３３のそれぞれが形成される。これにより、信号配線６５１０〜６５１３、６５２０〜６５３３および６５３０〜６５３３を形成するために、新たな配線層を追加する必要がなくなり、製造コストの上昇を抑制することが可能となる。勿論、信号配線６５１０〜６５１３、６５２０〜６５３３および６５３０〜６５３３を、第３配線層の配線により形成することには限定されず、第１配線層６０１または第２配線層６０３の配線で形成するようにしてもよい。

＜＜切換調整回路ＳＣ−Ｒおよび選択制御回路ＳＲ−Ｒの構成＞＞
図１６は、切換調整回路ＳＣ−Ｒおよび選択制御回路ＳＲ−Ｒのうち、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）に対応した切換調整回路ＳＣ−Ｒおよび選択制御回路ＳＲ−Ｒの部分の構成を示す回路図である。先に説明したように、ここでは、磁界タッチ検出のときに、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）、ＴＬ（ｎ−５）、ＴＬ（ｎ＋２），ＴＬ（ｎ＋３）およびそれぞれに接続された補助電極ＳＭを信号配線６３１１、６３３１、６３２１により巻線として、コイルＹ（ｎ−１）（図４参照）が形成される場合を説明する。同様に、駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ＋８），ＴＬ（ｎ＋９）およびそれぞれに接続された補助電極ＳＭを信号配線６３１２、６３２２、６３３２により巻線として、コイルＹ（ｎ）（図４参照）が形成される場合を説明する。これらのコイルは、図１６に示す切換調整回路ＳＣ−Ｒおよびあとで説明する切換調整回路ＳＣ−Ｌ（図１７）の働きによって、構成される。

切換調整回路ＳＣ−Ｒは、第４スイッチｄ００〜ｄ１５と、第５スイッチｅ００，ｅ０１と、第６スイッチｆ００と、信号配線６３１０、６３１２、６３２１、６３２３、６３３１、６３３３とを備えている。切換調整回路ＳＣ−Ｒにおいて、第４スイッチｄ００〜ｄ１５のそれぞれは、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）と電圧配線ＬＶ１との間に接続されている。この場合、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ＋（ｎ＋９）のそれぞれには、数十本の補助電極ＳＭが接続されており、これらの補助電極ＳＭも、対応する第４スイッチに接続されている。図面では、複雑になるため、それぞれの駆動電極および第４スイッチに接続されている補助電極ＳＭは省略されている。また、以後の説明においては、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）に接続されている補助電極ＳＭも含めて、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）と称する。

切換調整回路ＳＣ−Ｒにおいて、駆動電極ＴＬ（ｎ−３），ＴＬ（ｎ＋９）のそれぞれと、電圧配線ＬＶ２との間に、第５スイッチｆ００、ｆ０１が接続されている。電圧配線ＬＶ１およびＬＶ２には、特に制限されないが、接地電圧Ｖｓが供給される。第４スイッチｄ００〜ｄ１５には、反転磁界イネーブル信号ｘＳＣ＿ＥＮが、スイッチ制御信号として供給され、第５スイッチｅ００、ｅ０１には、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮが、スイッチ制御信号として供給されている。ここで、反転磁界イネーブル信号ｘＳＣ＿ＥＮは、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮを位相反転することにより形成されたイネーブル信号である。すなわち、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮは、磁界タッチ検出のとき、ハイレベルとなるが、反転磁界イネーブル信号ｘＳＣ＿ＥＮは、磁界タッチ検出が指定されていないとき、および表示期間においてハイレベルとなる。

第６スイッチｆ００は、切換調整回路ＳＣ−Ｒにおいて、駆動電極ＴＬ（ｎ）と選択制御回路ＳＲ−Ｒの入出力ノードＹＩＯ（ｎ）との間に接続され、選択制御回路ＳＲ−Ｒからの選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ）によってスイッチ制御される。

切換調整回路ＳＣ−Ｒにおいて、信号配線６３３１は、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）との間を接続し、信号配線６３２１は、駆動電極ＴＬ（ｎ−５）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）との間を接続し、信号配線６３１２は、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋８）との間を接続する。また、切換調整回路ＳＣ−Ｒにおいて、信号配線６３１０は、駆動電極ＴＬ（ｎ−４）と図示しない駆動電極との間を接続し、信号配線６３２３は、駆動電極ＴＬ（ｎ＋７）と図示しない駆動電極との間を接続し、信号配線６３３３は、駆動電極ＴＬ（ｎ＋６）と図示しない駆動電極との間を接続している。

第４スイッチｄ００〜ｄ１５は、反転磁界イネーブル信号ｘＳＣ＿ＥＮがハイレベルになることにより、オン状態となり、反転磁界イネーブル信号ｘＳＣ＿ＥＮがロウレベルとなることにより、オフ状態となる。そのため、この第４スイッチｄ００〜ｄ１５によって、磁界タッチ検出のときには、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）は、電圧配線ＬＶ１から電気的に分離され、例えば表示期間においては、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）は、電圧配線ＬＶ１に電気的に接続されることになる。

また、第５スイッチｅ００およびｅ０１は、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがハイレベルのときに、オン状態となり、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがロウレベルのときには、オフ状態となる。そのため、磁界タッチ検出のとき、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）およびＴＬ（ｎ＋９）は、切換調整回路ＳＣ−Ｒにおいて、電圧配線ＬＶ２に接続され、例えば表示期間においては、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）およびＴＬ（ｎ＋９）は、電圧配線ＬＶ２から電気的に分離される。

選択制御回路ＳＲ−Ｒは、図１７に示す選択制御回路ＳＲ−Ｌと協働して、選択制御回路ＳＲＸ−Ｄと同様な動作を行う。すなわち、選択制御回路ＳＲ−Ｒと選択制御回路ＳＲ−Ｌとによって、選択制御回路ＳＲＸ−Ｄと同様な動作を行う選択制御回路ＳＲ−ＲＬが構成されると見なすことができる。この場合、選択制御回路ＳＲ−ＲＬは、制御信号Ｘ−ＣＮＴがハイレベルになることにより、コイルの選択動作を行う。例えば、選択制御回路ＳＲ−ＲＬは、選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（０）〜Ｙ−Ｏｕｔ（ｐ）の順に、この選択信号をハイレベルにする。また、選択制御回路ＳＲ−ＲＬは、それぞれのコイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）に対応した入出力ノードＹＩＯ（０）〜ＹＩＯ（ｐ）を有している。磁界タッチ検出の磁界発生期間において、選択制御回路ＳＲ−ＲＬは、クロック信号ＣＬＫを、それぞれの入出力ノードＹＩＯ（０）〜ＹＩＯ（ｐ）から出力する。また、磁界タッチ検出の磁界検出期間のとき、入出力ノードＹＩＯ（０）〜ＹＩＯ（ｐ）における電圧を、センス信号ＳＹ（０）〜ＳＹ（ｐ）として出力する。

実施の形態１においては、上記した選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（０）〜Ｙ−Ｏｕｔ（ｐ）と、入出力ノードＹＩＯ（０）〜ＹＩＯ（ｐ）と、センス信号ＳＹ（０）〜ＳＹ（ｐ）のうち、偶数（０を含む）番目の選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ）と偶数番目の入出力ノードＹＩＯ（ｎ）と偶数番目のセンス信号ＳＹ（ｎ）が、選択制御回路ＳＲ−Ｒに割り当てられている。これに伴い、奇数番目の選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ＋１）と奇数番面の入出力ノードＹＩＯ（ｎ−１）、ＹＩＯ（ｎ＋１）と奇数番目のセンス信号ＳＹ（ｎ＋１）が、選択制御回路ＳＲ−Ｌに割り当てられている。これにより、磁気タッチ検出のときに、表示領域２に形成されるコイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）のうち、偶数番目のコイルが選択制御回路ＳＲ−Ｒにより選択され、奇数番目のコイルが選択制御回路ＳＲ−Ｌにより選択される。

図１６に示した選択制御回路ＳＲ−Ｒには、偶数番目のコイルのうち、コイルＹ（ｎ）に対応する入出力ノードＹＩＯ（ｎ）および選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ）のみが示されている。制御信号Ｙ−ＣＮＴがハイレベルにされ、偶数番目のコイルであるコイルＹ（ｎ）を選択するとき、選択制御回路ＳＲ−Ｒは、選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ）をハイレベルにする。

＜＜切換調整回路ＳＣ−Ｌおよび選択制御回路ＳＲ−Ｌの構成＞＞
図１７は、切換調整回路ＳＣ−Ｌおよび選択制御回路ＳＲ−Ｌのうち、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）に対応した切換調整回路ＳＣ−Ｌおよび選択制御回路ＳＲ−Ｌの部分の構成を示す回路図である。

切換調整回路ＳＣ−Ｌは、第７スイッチｇ００〜ｇ１５と、第８スイッチｈ００と、第９スイッチｉ００、ｉ０１と、信号配線６３１１、６３１３、６３２０、６３２２、６３３０、６３３２とを備えている。切換調整回路ＳＣ−Ｌにおいて、第７スイッチｇ００〜ｇ１５のそれぞれは、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）と電圧配線ＬＶ１との間に接続されている。

また、切換調整回路ＳＣ−Ｌにおいて、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）と、電圧配線ＬＶ２との間に、第８スイッチｈ００が接続されている。第７スイッチｇ００〜ｇ１５には、反転磁界イネーブル信号ｘＳＣ＿ＥＮが、スイッチ制御信号として供給され、第８スイッチｈ００には、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮが、スイッチ制御信号として供給されている。

第９スイッチｉ００は、切換調整回路ＳＣ−Ｌにおいて、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）と選択制御回路ＳＲ−Ｌの入出力ノードＹＩＯ（ｎ−１）との間に接続され、選択制御回路ＳＲ−Ｌからの選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ−１）によってスイッチ制御される。また、第９スイッチｉ０１は、切換調整回路ＳＣ−Ｌにおいて、駆動電極ＴＬ（ｎ＋６）と選択制御回路ＳＲ−Ｌの入出力ノードＹＩＯ（ｎ＋１）との間に接続され、選択制御回路ＳＲ−Ｌからの選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ＋１）によってスイッチ制御される。

切換調整回路ＳＣ−Ｌにおいて、信号配線６３１１は、駆動電極ＴＬ（ｎ−５）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）との間を接続し、信号配線６３２２は、駆動電極ＴＬ（ｎ）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋８）との間を接続し、信号配線６３３２は、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋９）との間を接続している。また、切換調整回路ＳＣ−Ｒにおいて、信号配線６３２０は、駆動電極ＴＬ（ｎ−４）と図示しない駆動電極との間を接続し、信号配線６３３０は、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）と図示しない駆動電極との間を接続し、信号配線６３１３は、駆動電極ＴＬ（ｎ＋７）と図示しない駆動電極との間を接続している。

第７スイッチｇ００〜ｇ１５は、反転磁界イネーブル信号ｘＳＣ＿ＥＮがハイレベルになることにより、オン状態となり、反転磁界イネーブル信号ｘＳＣ＿ＥＮがロウレベルとなることにより、オフ状態となる。そのため、この第７スイッチｇ００〜ｇ１５によって、磁界タッチ検出のときには、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）は、電圧配線ＬＶ１から電気的に分離され、例えば表示期間においては、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）は、電圧配線ＬＶ１に電気的に接続されることになる。

また、第８スイッチｈ００は、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがハイレベルのときに、オン状態となり、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがロウレベルのときには、オフ状態となる。そのため、磁界タッチ検出のとき、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）は、切換調整回路ＳＣ−Ｌにおいて、電圧配線ＬＶ２に接続され、例えば表示期間においては、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）は、電圧配線ＬＶ２から電気的に分離される。

図１６において説明したように、選択制御回路ＳＲ−Ｌは、選択制御回路ＳＲ−Ｒと協働して、選択制御回路ＳＲＸ−Ｄと同様な動作を行う。選択制御回路ＳＲ−Ｌは、磁界タッチ検出のとき、奇数番目のコイルＹ（ｎ＋１）を選択する。すなわち、制御信号Ｙ−ＣＮＴがハイレベルにされると、奇数番目のコイル（ｎ−１），（ｎ＋１）を選択するとき、ハイレベルとなる選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ−１）、Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ＋１）を出力する。

例えば、選択制御回路ＳＲ−Ｌは、ハイレベルの選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ−１）を出力する。これにより、第９スイッチｉ００がオン状態となり、切換調整回路ＳＣ−Ｌにおいて、入出力ノードＹＩＯ（ｎ−１）が、駆動電極ＴＬ（ｎ＋６）に接続される。同様に、選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ＋１）がハイレベルのときには、切換調整回路ＳＣ−Ｌにおいて、オン状態となった第９スイッチｉ０１を介して、入出力ノードＴＩＯ（ｎ＋１）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋６）とが接続される。

＜＜切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌ、選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌの動作＞＞
磁界タッチ検出が指定されると、第４スイッチｄ００〜ｄ１５および第７スイッチｇ０１〜ｇ１５がオフ状態となる。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）は、電圧配線ＬＶ１から、電気的に分離される。

このとき、表示領域２において互いに平行に配置された駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）のうち、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）とは、切換調整回路ＳＣ−Ｒにおいて、互いに接続されている。同様に、駆動電極ＴＬ（ｎ−５）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）とは、切換調整回路ＳＣ−Ｒにおいて、互いに接続され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋８）とは、互いに接続されている。このとき、第５スイッチｅ００、ｅ０１がオン状態となるため、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）およびＴＬ（ｎ＋９）は、切換調整回路ＳＣ−Ｒにおいて、電圧配線ＬＶ２に接続されることになる。

また、切換調整回路ＳＣ−Ｌにおいて、駆動電極ＴＬ（ｎ−５）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）とが接続され、駆動電極ＴＬ（ｎ）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋８）が接続され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋９）が接続されている。このとき、第８スイッチｈ００がオン状態となるため、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）は、電圧配線ＬＶ２に接続されることになる。

これにより、磁界タッチ検出が指定されると、表示領域２において、互いに平行に配置された駆動電極ＴＬ（ｎ−６）、ＴＬ（ｎ−５）、ＴＬ（ｎ＋２）およびＴＬ（ｎ＋３）が信号配線６３１１、６３３１、６３２１により直列的に接続され、これらの駆動電極を巻線としたコイルＹ（ｎ−１）が形成される。同様に、磁界タッチ検出が指定されると、駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ＋８）およびＴＬ（ｎ＋９）が信号配線６３１２、６３２２、６３３２により直列的に接続され、これらの駆動電極を巻線としたコイルＹ（ｎ）が形成される。

このとき、コイルＹ（ｎ−１）およびＹ（ｎ）のそれぞれの一方の端部は、電圧配線ＬＶ２に接続され、接地電圧Ｖｓが供給されることになる。選択制御回路ＳＲ―Ｒによって、コイルＹ（ｎ）が選択されると、選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ）がハイレベルとなる。これにより、選択されたコイルＹ（ｎ）の他方の端部は、第６スイッチｆ００を介して、選択制御回路ＳＲ−Ｒの入出力ノードＹＩＯ（ｎ）に接続される。磁界タッチ検出の磁界発生期間においては、選択制御回路ＳＲ−Ｒは、クロック信号ＣＬＫを、磁界駆動信号として、入出力ノードＹＩＯ（ｎ）から出力する。そのため、磁界発生期間においては、周期的に電圧が変化する磁界駆動信号が、コイルＹ（ｎ）の他方の端部に供給される。その結果、磁界発生期間においては、コイルＹ（ｎ）において、磁界が発生する。

磁界発生期間に続く磁界検出期間においては、選択制御回路ＳＲ−Ｒは、選択するコイルＹ（ｎ）に対応する選択信号Ｘ−Ｏｕｔ（ｎ）のみをハイレベルに維持する。これにより、選択したコイルＹ（ｎ）の他方の端部は、選択制御回路ＳＲ−Ｒの入出力ノードに接続した状態が維持される。

磁界タッチ検出のときに、選択したコイルの近傍に、ペンが存在していれば、図２で説明したように、選択したコイルの端部に信号の変化が発生する。この信号の変化が、選択制御回路ＳＲ−Ｒの入出力ノードに伝達され、センス信号ＳＹ（ｎ）として、選択制御回路ＳＲ−Ｒから出力される。一方、磁界タッチ検出のときに、選択したコイルの近傍に、ペンが存在しない場合には、選択したコイルの端部に信号の変化は発生せず、これが、センス信号ＳＹ（ｎ）として出力される。

同様にして、選択制御回路ＳＲ−Ｌは、コイルＹ（ｎ−１）を選択した場合、選択した近傍にペンが存在するか否かに従ったセンス信号ＳＹ（ｎ−１）を出力する。

一方、表示期間においては、第４スイッチｄ００〜ｄ１５、第７スイッチｇ００〜ｇ１５がオン状態となる。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）のそれぞれは、電圧配線ＬＶ１に接続される。この実施の形態では、電圧配線ＬＶ１に接地電圧Ｖｓが供給されているため、接地電圧Ｖｓが、表示駆動信号として、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）へ供給されることになる。

切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌは、表示パネルの周辺領域に配置されている。すなわち、表示領域２（アクティブ領域）の外の非アクティブ領域に配置されている。そのため、切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌに設ける信号配線６３１０〜６３１３、６３２０〜６３２３および６３３０〜６３３３は、表示領域２の外部に設けた配線層の配線によって形成することができる。表示領域２（アクティブ領域）において、図９に示した第１配線層６０１、第２配線層６０３および第３配線層６０５を形成するとき、表示パネルの周辺領域である非アクティブ領域にも、第１配線層６０１、第２配線層６０３および第３配線層６０５を形成する。これにより、非アクティブ領域の構造は、液晶層６０７が存在しないことを除いて、図９に示した構造と同じになる。

信号配線６３１０〜６３１３、６３２０〜６３２３および６３３０〜６３３３は、非アクティブ領域に形成される第１配線層６０１、第２配線層６０３または第３配線層６０５の配線により構成する。この実施の形態においては、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）を形成する第２配線層６０３と同じ第２配線層６０３の配線によって、信号配線６３１０〜６３１３、６３２０〜６３２３および６３３０〜６３３３のそれぞれが形成される。これにより、信号配線６３１０〜６３１３、６３２０〜６３２３および６３３０〜６３３３を形成するために、新たな配線層を追加する必要がなくなり、製造コストの上昇を抑制することが可能となる。勿論、信号配線６３１０〜６３１３、６３２０〜６３２３および６３３０〜６３３３を、第２配線層の配線により形成することには限定されず、第１配線層６０１または第３配線層６０５の配線で形成するようにしてもよい。

ペンの近接（接触を含む）を、上記のようにして、センス信号ＳＸ（ｎ−１）、ＳＸ（ｎ）およびＳＹ（ｎ−１）、ＳＹ（ｎ）により知ることによって、ペンが近接している位置の座標等を抽出することが可能となる。

＜磁界タッチ検出および電界タッチ検出が可能な液晶表示装置の構成＞
図１８は、実施の形態１に係わる液晶表示装置１の構成を示すブロック図である。同図には、図１２と同様に、図７で示した液晶表示装置１のうち、表示領域２、切換調整回路ＳＣＸ−Ｕ、ＳＣＸ−Ｄ、ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌおよび選択制御回路ＳＲＸ−Ｄ、ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌが主に示されている。図１８においては、図７において説明したように、電界タッチ検出が可能となるように、切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌおよび選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌが、図１２を用いて説明した液晶表示装置に対して変更されている。

図１８に示している表示領域２、切換調整回路ＳＣＸ−Ｕ、ＳＣＸ−Ｄおよび選択制御回路ＳＲＸ−Ｄは、図１２で説明した表示領域２、切換調整回路ＳＣＸ−Ｕ、ＳＣＸ−Ｄおよび選択制御回路ＳＲＸ−Ｄと同じである。すなわち、図１８に示す表示領域２は、先に説明した図１３の構成を有しており、切換調整回路ＳＣＸ−Ｕは、図１５の構成を有している。また、図１８に示す切換調整回路ＳＣＸ−Ｄおよび選択制御回路ＳＲＸ−Ｄは、先に説明した図１４の構成を有している。図１８に示す端子ＳＰおよび信号線セレクタ３についても、図１２で説明した端子ＳＰおよび信号線セレクタ３と同じである。そのため、ここでは、表示領域２、切換調整回路ＳＣＸ−Ｕ、ＳＣＸ−Ｄ、選択制御回路ＳＲＸ−Ｄ、端子ＳＰおよび信号線セレクタ３については、説明の都合上で必要がある場合を除いて、説明を省略する。

また、図１８においても、図面が複雑になるのを避けるために、切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌおよび選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌの詳しい構成は、あとで図１９および図２０を用いで説明する。そのため、ここでは、切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌおよび選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌの概要を説明する。

図１１（Ａ）および（Ｂ）において説明したように、切換調整回路ＳＣ−Ｒは、複数の単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（０）〜ＵＳＣ−Ｒ（ｐ）によって構成されており、選択制御回路ＳＲ−Ｒは、複数の単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（０）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｐ）によって構成されている。

表示領域２に配置された複数の駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、磁界タッチ検出のとき、および電界タッチ検出のとき、図１８に破線で示すように、複数のグループＴＬＧ（０）〜ＴＬＧ（ｐ）に分けられる。駆動電極のグループＴＬＧ（０）〜ＴＬＧ（ｐ）は、グループＴＬＧ（ｎ）を例として、図１１（Ａ）および（Ｂ）において既に説明しているが、電界タッチ検出のとき、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極により、電界が発生し、磁界タッチ検出のときには、グループＴＬＧ（ｎ）内で強い磁界が発生する。グループＴＬＧ（０）〜ＴＬＧ（ｐ）のそれぞれは、互いに隣接して配置された複数の駆動電極を備えている。特に制限されないが、グループ間で、備えている駆動電極の個数は同じにされている。これらの駆動電極のグループＴＬＧ（０）〜ＴＬＧ（ｐ）は、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（０）〜ＵＳＤ−Ｒ（ｐ）、ＵＳＲ−Ｌ（０）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｐ）に１対１に対応している。

単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（０）〜ＵＳＣ−Ｒ（ｐ）、ＵＳＣ−Ｌ（０）〜ＵＳＣ−Ｌ（ｐ）のそれぞれは、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（０）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｐ）、ＵＳＲ−Ｌ（０）〜ＵＳＣ−Ｌ（ｐ）にそれぞれに１対１に対応している。単位切換調整回路は、対応する単位選択制御回路に対応するグループが備えている駆動電極と、対応するグループを挟むように近接して配置されているグループが備えている所定の駆動電極とに結合されている。例えば、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）を例にして述べると、次の通りである。

すなわち、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）は、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）に対応しているため、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）に対応するグループＴＬＧ（ｎ）が備えている駆動電極と、このグループＴＬＧ（ｎ）を挟むように配置されたグループＴＬＧ（ｎ−１）およびＴＬＧ（ｎ＋１）内の所定の駆動電極とに結合されている。模式的ではあるが、図１８において、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）は、それが結合される駆動電極の範囲としてＡ１を有している。グループＴＬＧ（ｎ）に配置されている駆動電極と結合される範囲が、Ａ２として示されており、範囲Ａ１は、範囲Ａ２よりも広くなっており、範囲Ａ２を超えている範囲部において、グループＴＬＧ（ｎ）を挟むように配置されたグループＴＬＧ（ｎ−１）およびＴＬＧ（ｎ＋１）内に配置されている所定の駆動電極と結合されている。残りの単位切換調整回路についても同様である。そのため、範囲Ａ１を見ると、単位切換調整回路間で、互いに重なっていることになる。

重なっている範囲で結合されている所定の駆動電極は、磁界タッチ検出の際には、コイルを構成する巻線として用いられ、電界タッチ検出の際には、電界を発生するための電極として用いられる。例えば、グループＴＬＧ（ｎ）に配置されている特定の駆動電極を見ると、この特定の駆動電極は、グループＴＬＧ（ｎ−１）またはＴＬＧ（ｎ＋１）において、磁界を発生あるいは磁界を検出するときに、コイルを形成する巻線として用いられ、グループＴＬＧ（ｎ）において電界を発生するときには、電界を発生するための電極として用いられる。

単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＲ−Ｌ（ｎ）を例にして、電界タッチ検出のときおよび磁界タッチ検出のときの動作を次に述べる。

電界イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがハイレベルにされることにより、電界タッチ検出が指定されると、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＲ−Ｌ（ｎ）は、対応する単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＣ−Ｌ（ｎ）に対して、対応するグループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極に電界駆動信号を供給するように制御する。電界駆動信号によって、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極の電圧は、周期的に変化するため、周期的に変化する電界が、グループＴＬＧ（ｎ）の領域において発生することになる。

これに対して、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがハイレベルにされ、磁界タッチ検出が指定されると、単位選択制御回路ＵＳ−Ｒ（ｎ）は、対応するグループＴＬＧ（ｎ）において磁界が発生するように、グループＴＬＧ（ｎ）に近接したグループＴＬＧ（ｎ−１）およびＴＬＧ（ｎ＋１）のそれぞれにおける所定の駆動電極を直列的に接続するように、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）を制御する。同様に、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）も、グループＴＬＧ（ｎ−１）およびＴＬＧ（ｎ＋１）のそれぞれにおける所定の駆動電極を直列的に接続するように、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）を制御する。この制御により、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）、ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）に対応するグループＴＬＧ（ｎ）の外側に配置されている所定の駆動電極を信号配線により巻線としたコイルが形成されることになる。磁界発生期間においては、このコイルに磁界駆動信号を供給することにより、対応するグループＴＬＧ（ｎ）の領域において、強い磁界が発生する。また、磁界検出期間においては、ペンからの磁界が、コイルにより検出される。

単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）、ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）を例にして説明したが、残りの単位選択制御回路も同じように動作する。

＜＜切換調整回路ＳＣ−Ｒおよび選択制御回路ＳＲ−Ｒの構成＞＞
図１９は、切換調整回路ＳＣ−Ｒおよび選択制御回路ＳＲ−Ｒの構成を示す回路図である。選択制御回路ＳＲ−Ｒは、複数の単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（０）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｐ）により構成されているが、図１９には、これらの単位選択制御回路のうち、図１３に示した駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−２）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｎ＋１）のみが示されている。また、切換調整回路ＳＣ−Ｒも、複数の単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（０）〜ＵＳＣ−Ｒ（ｐ）により構成されているが、図１９には、複数の単位切換調整回路のうち、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−２）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｎ＋１）に対応する単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−２）〜ＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）のみが示されている。なお、図１９に示す符号Ｒ（−６）〜Ｒ（＋９）は、それぞれ、図１３に示した符号Ｒ（−６）〜Ｒ（＋９）へ接続される。

この実施の形態１においては、既に述べたように、タッチ検出期間のとき、複数の駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、複数の駆動電極のグループＴＬＧ（０）〜ＴＬＧ（ｐ）に分けられる。この実施の形態１においては、それぞれのグループＴＬＧ（０）〜ＴＬＧ（ｐ）が、互いに近接して配置された６個の駆動電極を含むように、タッチ検出期間のとき、分けられる。すなわち、タッチ検出期間のとき、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、図１３に示すように、それぞれ６個の駆動電極を有するように、グループが分けられる。この図１３を例にして述べると、グループＴＬＧ（ｎ−１）は、駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）の６個の駆動電極を有し、グループＴＬＧ（ｎ）は、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）〜ＴＬ（ｎ＋７）の６個の駆動電極を有している。また、グループＴＬＧ（ｎ−２）は、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）およびＴＬ（ｎ−５）を含む６個の駆動電極を有し、グループＴＬ（ｎ＋１）は、駆動電極ＴＬ（ｎ＋８）およびＴＬ（ｎ＋９）を含む６個の駆動電極を有している。

単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（０）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｐ）は、互いに同じ構成を有し、同様な動作をする。図１８で述べたように、制御信号Ｙ−ＣＮＴ、クロック信号ＣＬＫ、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮおよび電界イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮにより制御される。選択制御回路を構成するそれぞれの単位選択制御回路は、制御信号Ｙ−ＣＮＴ、クロック信号ＣＬＫ、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮおよび電界イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮに基づいて、磁界制御信号Ｃ−Ｒ（０）〜Ｃ−Ｒ（ｐ）と電界制御信号Ｔ−Ｒ（０）〜Ｔ−Ｒ（ｐ）と表示制御信号Ｄ−Ｒ（０）〜Ｄ−Ｒ（ｐ）を形成し、出力する。ここでは、図１９に示した単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）およびＵＳＲ−Ｒ（ｎ）を、代表として、単位選択制御回路を説明する。単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）は、磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）、電界制御信号Ｔ−Ｒ（ｎ−１）、表示制御信号Ｄ−Ｒ（ｎ−１）を出力し、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）は、磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）、電界制御信号Ｔ−Ｒ（ｎ）、表示制御信号Ｄ−Ｒ（ｎ）を出力する。

単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（０）〜ＵＳＣ−Ｒ（ｐ）は、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（０）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｐ）に対応しているが、図１８で説明したように、対応する単位選択制御回路に対応するグループに含まれている駆動電極よりも多くの駆動電極に結合されている。すなわち、単位切換調整回路は、対応する単位選択制御回路が対応するグループに配置されている駆動電極と、このグループに近接して配置された所定の駆動電極とに接続されている。単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（０）〜ＵＳＣ−Ｒ（ｐ）も、互いに同じ構成を有しているため、単位選択調整回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）およびＵＳＲ−Ｒ（ｎ）に対応する単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）およびＵＳＣ−Ｒ（ｎ）を、代表として説明する。なお、図１９には、代表として説明に用いる単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）およびＵＳＣ−Ｒ（ｎ）以外に、単位選択調整回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−２）およびＵＳＲ−Ｒ（ｎ＋１）に対応する単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−２）およびＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）の構成の一部が示されている。

先ず、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）を用いて、構成を説明する。単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）は、第１０スイッチＲ１１０〜Ｒ１１５、第１１スイッチＲ１２０〜Ｒ１２５、第１２スイッチＲ１３０〜Ｒ１３５および信号配線６３２１、６３３１を有している。ここで、第１０スイッチＲ１１０〜Ｒ１１５、第１１スイッチＲ１２０〜Ｒ１２５および第１２スイッチＲ１３０〜Ｒ１３５のそれぞれは、ハイレベルの制御信号により、オン状態となり、ロウレベルの制御信号により、オフ状態となる。

第１１スイッチＲ１２０〜Ｒ１２５は、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）に対応するグループＴＬＧ（ｎ−１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）のそれぞれと、電圧配線ＬＶ１との間に接続され、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）からの表示制御信号Ｄ−Ｒ（ｎ−１）によってスイッチ制御される。第１２スイッチＲ１３０〜Ｒ１３５は、グループＴＬＧ（ｎ−１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）のそれぞれと、信号配線ＬＬ２との間に接続され、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）からの電界制御信号Ｔ−Ｒ（ｎ−１）によってスイッチ制御される。

第１０スイッチＲ１１０〜Ｒ１１５のうち、第１０スイッチＲ１１０は、グループＴＬＧ（ｎ−１）の隣に配置されているグループＴＬＧ（ｎ−２）内の所定の駆動電極ＴＬ（ｎ−６）と信号配線６３３１との間に接続され、第１０スイッチＲ１１１は、グループＴＬＧ（ｎ−２）内の所定の駆動電極ＴＬ（ｎ−５）と信号配線６３２１との間に接続されている。これらの第１０スイッチＲ１１０およびＲ１１１は、グループＴＬＧ（ｎ−１）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）からの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）によって、スイッチ制御される。また、第１０スイッチＲ１１２〜Ｒ１１５のうち、第１０スイッチＲ１１２は、グループＴＬＧ（ｎ−１）の隣に配置されたグループＴＬ（ｎ）内の所定の駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）と信号配線６３３１との間に接続され、第１０スイッチＲ１１３は、グループＴＬ（ｎ）内の所定の駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）と信号配線６３２１との間に接続されている。これらの第１０スイッチＲ１１２およびＲ１１３は、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）からの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）によって、スイッチ制御される。

残りの第１０スイッチＲ１１４およびＲ１１５は、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋４）およびＴＬ（ｎ＋５）に接続され、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）からの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）によって、スイッチ制御される。この第１０スイッチＲ１１４およびＲ１１５のそれぞれは、その一方の端子が、上記したように、駆動電極に接続されているが、その他方の端子は、フローティングとなっている。そのため、第１０スイッチＲ１１４およびＲ１１５がオン状態に変化しても、駆動電極ＴＬ（ｎ＋４）およびＴＬ（ｎ＋５）は、電気的に何処にも接続されない。そのため、第１０スイッチＲ１１４およびＲ１１５は、設けなくてもよいが、実施の形態１のように、これらのスイッチを設けることにより、第１０スイッチの連続性を維持することが可能となり、製造が容易となる。

単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）を除く、それぞれの単位切換調整回路も、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）と同様に、第１０スイッチＲ１１０〜Ｒ１１５、第１１スイッチＲ１２０〜Ｒ１２５、第１２スイッチＲ１３０〜Ｒ１３５および信号配線を備えている。例えば、同図において、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）に含まれる第１０スイッチＲ１１０〜Ｒ１１５は、（Ｒ１１０）〜（Ｒ１１５）として示され、第１１スイッチＲ１２０〜Ｒ１２５は、（Ｒ１２０）〜（Ｒ１２５）として示され、第１２スイッチＲ１３０〜Ｒ１３５は、（Ｒ１３０）〜（Ｒ１３５）として示されている。この場合、第１０スイッチ（Ｒ１１０）〜（Ｒ１１５）は、グループＴＬＧ（ｎ）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）からの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）によってスイッチ制御される。また、第１１スイッチ（Ｒ１２０）〜（Ｒ１２５）は、表示制御信号Ｄ−Ｒ（ｎ）によってスイッチ制御され、第１２スイッチ（Ｒ１３０）〜（Ｒ１３５）は、電界制御信号Ｔ−Ｒ（ｎ）によって制御される。

単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）において、第１１スイッチ（Ｒ１２０）〜（Ｒ１２５）は、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）〜ＴＬ（ｎ＋７）と電圧配線ＬＶ１との間に接続され、第１２スイッチ（Ｒ１３０）〜（Ｒ１３５）は、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）〜ＴＬ（ｎ＋７）と信号配線ＬＬ２との間に接続されている。

単位切換調整回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）において、第１０スイッチ（Ｒ１１０）は、隣のグループＴＬＧ（ｎ−１）における所定の駆動電極ＴＬ（ｎ）と信号配線ＬＬ１との間に接続され、第１０スイッチ（Ｒ１１１）は、グループＴＬＧ（ｎ−１）における所定の駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）と信号配線６３１２との間に接続されている。さらに第１０スイッチ（Ｒ１１２）は、隣のグループＴＬＧ（ｎ＋１）内の所定の駆動電極ＴＬ（ｎ＋８）と信号配線６３１２との間に接続され、第１０スイッチ（Ｒ１１３）は、グループＴＬＧ（ｎ＋１）内の所定の駆動電極ＴＬ（ｎ＋９）と電圧配線ＬＶ２との間に接続されている。なお、第１０スイッチ（Ｒ１１４）および（Ｒ１１５）は、図１９には、示していないが、第１０スイッチＲ１１４およびＲ１１５と同様に、グループＴＬＧ（ｎ）の隣に配置されたグループＴＬＧ（ｎ＋１）内の駆動電極に、その一方の端子が接続されているだけである。勿論、第１０スイッチ（Ｒ１１４）および（Ｒ１１５）は設けなくてもよい。

なお、図１９において、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−２）に含まれている第１０スイッチＲ１１２およびＲ１１３は、［Ｒ１１２］および［Ｒ１１３］として示され、第１１スイッチＲ１２４、Ｒ１２５は、［Ｒ１２４］、［Ｒ１２５］として示され、第１２スイッチＲ１３４、Ｒ１３５は、［Ｒ１３４］、［Ｒ１３５］として示されている。さらに、図１９において、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）に含まれている第１０スイッチＲ１１０およびＲ１１１は、＜Ｒ１１０＞および＜Ｒ１１１＞として示され、第１１スイッチＲ１２０、Ｒ１２１は、＜Ｒ１２０＞、＜Ｒ１２１＞として示され、第１２スイッチＲ１３０、Ｒ１３１は、＜Ｒ１３０＞、＜Ｒ１３１＞として示されている。また、同図において、６３１０は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−２）に含まれる信号配線を示しており、６３２３および６３３３は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）に含まれる信号配線を示している。

図１９において、電圧配線ＬＶ１およびＬＶ２には、例えば接地電圧が供給される。信号配線ＬＬ２には、電界タッチ検出のとき、周期的に電圧が変化する制御信号ＴＳＶＣＯＭが供給される。また、信号配線ＬＬ１には、磁界タッチ検出であって、磁界発生期間のとき、電圧が周期的に変化するコイルクロック信号ＣＣＬＫが供給される。一方、磁界タッチ検出であって、磁界検出期間のときには、センサ信号ＳＹ（ｎ）が、信号配線ＬＬ１を伝達する。

なお、電界タッチ検出のとき、電圧配線ＬＶ１および信号配線ＬＬ２のうちの一方の配線に、接地電圧Ｖｓを供給し、他方の配線に、接地電圧Ｖｓよりも高い電圧を供給するようにしてもよい。この場合、電界タッチ検出のとき、所望の駆動電極が、電圧配線ＬＶ１と信号配線ＬＬ２に交互に接続されるようにする。これによって、電界タッチ検出のとき、所望の駆動電極の電圧が、周期的に変化することになり、周期的な駆動信号が供給されているのと同様になる。すなわち、電界タッチ検出のとき、所望の駆動電極において、電界を発生することが可能となる。

＜＜切換調整回路ＳＣ−Ｌおよび選択制御回路ＳＲ−Ｌの構成＞＞
図２０は、切換調整回路ＳＣ−Ｌおよび選択制御回路ＳＲ−Ｌの構成を示す回路図である。選択制御回路ＳＲ−Ｌも、複数の単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（０）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｐ）により構成されているが、図２０には、これらの単位選択制御回路のうち、図１３に示した駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−２）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｎ＋１）のみが示されている。また、切換調整回路ＳＣ−Ｌも、複数の単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（０）〜ＵＳＣ−Ｌ（ｐ）により構成されているが、図２０には、複数の単位切換調整回路のうち、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−２）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｎ＋１）の対応する単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−２）〜ＵＳＣ−Ｌ（ｎ＋１）のみが示されている。なお、図２０に示す符号Ｌ（−６）〜Ｌ（＋９）も、それぞれ、図１３に示した符号Ｌ（−６）〜Ｌ（＋９）へ接続される。

単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（０）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｐ）も、互いに同じ構成を有し、同様な動作をする。図１８で述べたように、制御信号Ｙ−ＣＮＴ、クロック信号ＣＬＫ、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮおよび電界イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮにより制御される。選択制御回路を構成するそれぞれの単位選択制御回路は、制御信号Ｙ−ＣＮＴ、クロック信号ＣＬＫ、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮおよび電界イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮに基づいて、磁界制御信号Ｃ−Ｌ（０）〜Ｃ−Ｌ（ｐ）と電界制御信号Ｔ−Ｌ（０）〜Ｔ−Ｌ（ｐ）と表示制御信号Ｄ−Ｌ（０）〜Ｄ−Ｌ（ｐ）を形成し、出力する。ここでは、図２０に示した単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）およびＵＳＲ−Ｌ（ｎ）を、代表として説明する。単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）は、磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）、電界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ−１）、表示制御信号Ｄ−Ｌ（ｎ−１）を出力し、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）は、磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ）、電界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ）、表示制御信号Ｄ−Ｌ（ｎ）を出力する。

単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（０）〜ＵＳＣ−Ｌ（ｐ）は、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（０）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｐ）に対応しているが、図１８で説明したように、対応する単位選択制御回路に対応するグループに含まれている駆動電極よりも多くの駆動電極に結合されている。すなわち、単位切換調整回路は、対応する単位選択制御回路が対応するグループに配置されている駆動電極と、このグループに近接して配置された所定の駆動電極とに結合されている。単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（０）〜ＵＳＣ−Ｌ（ｐ）も、互いに同じ構成を有しているため、単位選択調整回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）およびＵＳＲ−Ｌ（ｎ）に対応する単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）およびＵＳＣ−Ｌ（ｎ）を、代表として説明する。なお、図２０には、代表として説明に用いる単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）およびＵＳＣ−Ｌ（ｎ）以外に、単位選択調整回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−２）およびＵＳＲ−Ｌ（ｎ＋１）に対応する単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−２）およびＵＳＣ−Ｌ（ｎ＋１）の構成の一部が示されている。

先ず、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）を用いて、構成を説明する。単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）は、第１３スイッチＬ１１０〜Ｌ１１５、第１４スイッチＬ１２０〜Ｌ１２５、第１５スイッチＬ１３０〜Ｌ１３５および信号配線６３１１を有している。ここで、第１３スイッチＬ１１０〜Ｌ１１５、第１４スイッチＬ１２０〜Ｌ１２５および第１５スイッチＬ１３０〜Ｌ１３５のそれぞれは、ハイレベルの制御信号により、オン状態となり、ロウレベルの制御信号により、オフ状態となる。

第１４スイッチＬ１２０〜Ｌ１２５は、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）に対応するグループＴＬＧ（ｎ−１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）のそれぞれと、電圧配線ＬＶ１との間に接続され、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）からの表示制御信号Ｄ−Ｌ（ｎ−１）によってスイッチ制御される。第１５スイッチＬ１３０〜Ｌ１３５は、グループＴＬＧ（ｎ−１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）のそれぞれと、信号配線ＬＬ２との間に接続され、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）からの電界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ−１）によってスイッチ制御される。

第１３スイッチＬ１１０〜Ｌ１１５のうち、第１３スイッチＬ１１０は、グループＴＬＧ（ｎ−１）の隣に配置されているグループＴＬＧ（ｎ−２）内の所定の駆動電極ＴＬ（ｎ−６）と信号配線ＬＬ１との間に接続され、第１３スイッチＬ１１１は、グループＴＬＧ（ｎ−２）内の所定の駆動電極ＴＬ（ｎ−５）と信号配線６３１１との間に接続されている。これらの第１３スイッチＬ１１０およびＬ１１１は、グループＴＬＧ（ｎ−１）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）からの磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）によって、スイッチ制御される。また、第１３スイッチＬ１１２〜Ｌ１１５のうち、第１３スイッチＬ１１２は、グループＴＬＧ（ｎ−１）の隣に配置されたグループＴＬ（ｎ）内の所定の駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）と信号配線６３１１との間に接続され、第１３スイッチＬ１１３は、グループＴＬ（ｎ）内の所定の駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）と電圧配線ＬＶ２との間に接続されている。これらの第１３スイッチＬ１１２およびＬ１１３は、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）からの磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）によって、スイッチ制御される。

残りの第１３スイッチＬ１１４およびＬ１１５は、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋４）およびＴＬ（ｎ＋５）に接続され、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）からの磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）によって、スイッチ制御される。この第１３スイッチＬ１１４およびＬ１１５のそれぞれも、上記した第１０スイッチＲ１１４およびＲ１１５と同様に、その一方の端子が、上記したように、駆動電極に接続されているが、その他方の端子は、フローティングとなっている。これにより、第１３スイッチの連続性を維持することが可能となり、製造が容易となる。

単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）を除く、それぞれの単位切換調整回路も、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）と同様に、第１３スイッチＬ１１０〜Ｌ１１５、第１４スイッチＬ１２０〜Ｌ１２５、第１５スイッチＬ１３０〜Ｌ１３５および信号配線を備えている。例えば、同図において、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）に含まれる第１３スイッチＬ１１０〜Ｌ１１５は、（Ｌ１１０）〜（Ｌ１１５）として、第１４スイッチＬ１２０〜Ｌ１２５は、（Ｌ１２０）〜（Ｌ１２５）として、第１５スイッチＬ１３０〜Ｌ１３５は、（Ｌ１３０）〜（Ｌ１３５）として示されている。この場合、第１３スイッチ（Ｌ１１０）〜（Ｌ１１５）は、グループＴＬＧ（ｎ）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）からの磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ）によってスイッチ制御される。また、第１４スイッチ（Ｌ１２０）〜（Ｌ１２５）は、表示制御信号Ｄ−Ｌ（ｎ）によってスイッチ制御され、第１５スイッチ（Ｌ１３０）〜（Ｌ１３５）は、電界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ）によって制御される。

単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）において、第１４スイッチ（Ｌ１２０）〜（Ｌ１２５）は、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）〜ＴＬ（ｎ＋７）と電圧配線ＬＶ１との間に接続され、第１５スイッチ（Ｌ１３０）〜（Ｌ１３５）は、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）〜ＴＬ（ｎ＋７）と信号配線ＬＬ２との間に接続されている。

単位切換調整回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）において、第１３スイッチ（Ｌ１１０）は、隣のグループＴＬＧ（ｎ−１）における所定の駆動電極ＴＬ（ｎ）と信号配線６３２２との間に接続され、第１３スイッチ（Ｌ１１１）は、グループＴＬＧ（ｎ−１）における所定の駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）と信号配線６３３２との間に接続されている。さらに第１３スイッチ（Ｌ１１２）は、隣のグループＴＬＧ（ｎ＋１）内の所定の駆動電極ＴＬ（ｎ＋８）と信号配線６３２２との間に接続され、第１３スイッチ（Ｌ１１３）は、グループＴＬＧ（ｎ＋１）内の所定の駆動電極ＴＬ（ｎ＋９）と信号配線６３３２との間に接続されている。なお、第１３スイッチ（Ｌ１１４）および（Ｌ１１５）は、同図には示していないが、第１３スイッチＬ１１４およびＬ１１５と同様に、グループＴＬＧ（ｎ＋１）内の駆動電極に、その一方の端子が接続されているだけである。

なお、図２０において、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−２）に含まれている第１３スイッチＬ１１２およびＬ１１３は、［Ｌ１１２］および［Ｌ１１３］として示され、第１４スイッチＬ１２４、Ｌ１２５は、［Ｌ１２４］、［Ｌ１２５］として示され、第１５スイッチＬ１３４、Ｌ１３５は、［Ｌ１３４］、［Ｌ１３５］として示されている。さらに、図２０において、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ＋１）に含まれている第１３スイッチＬ１１０およびＬ１１１は、＜Ｌ１１０＞および＜Ｌ１１１＞として示され、第１４スイッチＬ１２０、Ｌ１２１は、＜Ｌ１２０＞、＜Ｌ１２１＞として示され、第１５スイッチＬ１３０、Ｌ１３１は、＜Ｌ１３０＞、＜Ｌ１３１＞として示されている。また、同図において、６３２０、６３３０は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−２）に含まれる信号配線を示しており、６３１３は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ＋１）に含まれる信号配線を示している。

図２０において、電圧配線ＬＶ１、ＬＶ２および信号配線ＬＬ１、ＬＬ２は、図１９と同じであるので、説明は省略するが、信号配線ＬＬ１は、磁界検出期間のときに、センサ信号ＳＹ（ｎ）の代わりにセンサ信号ＳＹ（ｎ＋１）を伝達する。

なお、電界タッチ検出のとき、電圧配線ＬＶ１および信号配線ＬＬ２のうちの一方の配線に、接地電圧Ｖｓを供給し、他方の配線に、接地電圧Ｖｓよりも高い電圧を供給するようにしてもよい。この場合、電界タッチ検出のとき、所望の駆動電極が、電圧配線ＬＶ１と信号配線ＬＬ２に交互に接続されるようにする。これによって、電界タッチ検出のとき、所望の駆動電極の電圧が、周期的に変化することになり、周期的な駆動信号が供給されているのと同様になる。すなわち、電界タッチ検出のとき、所望の駆動電極において、電界を発生することが可能となる。

＜＜電界タッチ検出の動作＞＞
次に、図１３、図１９および図２０を用いて、電界タッチ検出の動作を説明する。

電界イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがハイレベルにされ、電界タッチ検出が指定されると、電界を発生させる駆動電極（選択駆動電極）のグループに対応した単位選択制御回路が、電界制御信号Ｔ−Ｒをハイレベルにする。また、電界を発生させない駆動電極（非選択駆動電極）のグループに対応した単位選択制御回路は、電界制御信号Ｔ−Ｒをロウレベルにする。また、電界タッチ検出が指定されている場合、単位選択制御回路のそれぞれは、ロウレベルの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（０）〜Ｃ−Ｒ（ｐ）と、ロウレベルの表示制御信号Ｄ−Ｒ（０）〜Ｄ−Ｒ（ｐ）を形成する。

グループＴＬＧ（ｎ−１）の近傍に指がタッチしているか否かを検出するために、グループＴＬＧ（ｎ−１）において電界を発生させ、グループＴＬＧ（ｎ−１）の隣に配置されたグループＴＬＧ（ｎ）においては、電界を発生させない場合を、例として説明する。この場合、グループＴＬＧ（ｎ−１）に対応した単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）は、ハイレベルの電界制御信号Ｔ−Ｒ（ｎ−１）を形成し、出力する。このとき、グループＴＬＧ（ｎ−１）に対応した単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）も、ハイレベルの電界制御信号Ｔ−Ｒ（ｎ−１）を形成し、出力する。

これにより、対応する単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）においては、第１１スイッチＲ１２０〜Ｒ１２５がオフ状態となり、第１２スイッチＲ１３０〜Ｒ１３５が、オン状態となる。同様に、対応する単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）においては、第１４スイッチＬ１２０〜Ｌ１２５がオフ状態となり、第１５スイッチＬ１３０〜Ｌ１３５が、オン状態となる。この結果、グループＴＬＧ（ｎ−１）に含まれている駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）のそれぞれは、表示領域２の辺２−Ｒおよび辺２−Ｌにおいて、信号配線ＬＬ２に接続されることになる。信号配線ＬＬ２には、電界タッチ検出のとき、周期的に電圧が変化する制御信号ＴＳＶＣＯＭが供給されているため、駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）には、制御信号ＴＳＶＣＯＭが電界駆動信号として供給される。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）の電圧は、電界駆動信号に従って、周期的に変化することになる。その結果、グループＴＬＧ（ｎ−１）の領域においては、周期的に変化する電界が発生することになる。言い換えるならば、周期的に電圧が変化する電界駆動信号が、グループＴＬＧ（ｎ−１）内の駆動電極に供給され、電界が発生する。

一方、電界を発生しないグループＴＬＧ（ｎ）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＲ−Ｌ（ｎ）は、ロウレベルの電界制御信号Ｔ−Ｒ（ｎ）、Ｔ−Ｌ（ｎ）を形成して、継続的に出力する。これにより、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＲ−Ｌ（ｎ）に対応する単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＣ−Ｌ（ｎ）においては、第１２スイッチＲ１３０〜Ｒ１３５および第１５スイッチＬ１３０〜Ｌ１３５がオフ状態となる。そのため、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）〜ＴＬ（ｎ＋７）は、表示領域２の辺２−Ｒおよび２−Ｌにおいて、信号配線ＬＬ２から、継続的に分離される。すなわち、制御信号ＴＳＶＣＯＭが、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極に供給されず、電界は発生しない。

電界タッチ検出のときには、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）、ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）、ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）、ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）は、ロウレベルの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）、Ｃ−Ｒ（ｎ）、Ｃ−Ｌ（ｎ−１）、Ｃ−Ｌ（ｎ）を出力する。そのため、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）、ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）、ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）、ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）のそれぞれにおいて、第１０スイッチＲ１１０〜Ｒ１１５、（Ｒ１１０）〜（Ｒ１１５）および第１３スイッチＬ１１０〜Ｌ１１５、（Ｌ１１０）〜（Ｌ１１５）は、オフ状態となる。

グループＴＬＧ（ｎ−１）において、電界が発生しているときに、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）における信号の変化を検出することにより、グループＴＬＧ（ｎ−１）の近辺が、指によりタッチされているか否かを検出することが可能となる。例えば、選択制御回路ＳＲ−ＲおよびＳＲ−Ｌは、例えば、電界制御信号Ｔ−Ｒ（０）、Ｔ−Ｌ（０）からＴ−Ｒ（ｐ）、Ｔ−Ｌ（ｐ）へ向かって、順次ハイレベルへ変化させる。すなわち、駆動電極のグループＴＬＧ（０）からＴＬＧ（ｐ）へ向かって、順次電界が発生するようにする。それぞれのグループで電界が発生しているときの検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）における信号の変化を、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）としてタッチ制御装置６（図７）へ供給する。これにより、タッチ制御装置６において、指がタッチした位置の座標を抽出することが可能となる。

＜＜磁界タッチ検出の動作＞＞
磁界イネーブル信号ＣＥ＿ＥＮがハイレベルとされ、磁界タッチ検出が指定されると、磁界を発生させるグループに対応した単位選択制御回路が、磁界制御信号Ｃ−Ｒ、Ｃ−Ｌをハイレベルにする。また、特に制限されないが、制御回路Ｄ−ＣＮＴ（図７）が、磁界発生用のコイルクロック信号ＣＣＬＫを形成する。この実施の形態１においては、制御回路Ｄ−ＣＮは、磁界タッチ検出のときであって、磁界発生期間のときに、周期的に電圧が変化する磁界発生用のコイルクロック信号ＣＣＬＫを発生し、信号配線ＬＬ１へ供給する。一方、磁界を発生しないグループに対応した単位選択制御回路は、磁界制御信号Ｃ−Ｒ、Ｃ−Ｌをロウレベルにする。また、磁界タッチ検出が指定されている場合、単位選択制御回路のそれぞれは、特に制限されないが、ロウレベルの電界制御信号Ｔ−Ｒ（０）〜Ｔ−Ｒ（ｐ）、Ｔ−Ｌ（０）〜Ｔ−Ｌ（ｐ）およびロウレベルの表示制御信号Ｄ−Ｒ（０）〜Ｄ−Ｒ（ｐ）、Ｄ−Ｌ（０）〜Ｄ−Ｌ（ｐ）を形成する。

グループＴＬＧ（ｎ−１）の近傍にペンがタッチしているか否かを検出するために、グループＴＬＧ（ｎ−１）において磁界を発生させ、グループＴＬＧ（ｎ−１）の隣に配置されたグループＴＬＧ（ｎ）においては、磁界を発生させない場合を、例として説明する。この場合、グループＴＬＧ（ｎ−１）に対応した単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）が、ハイレベルの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）を形成し、出力する。このとき、グループＴＬＧ（ｎ−１）に対応した単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）も、ハイレベルの磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）を形成し、出力する。一方、グループＴＬＧ（ｎ）に対応した単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＲ−Ｌ（ｎ）は、ロウレベルの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）およびＣ−Ｌ（ｎ）を形成し、出力する。

磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）およびＣ−Ｌ（ｎ−１）がハイレベルとなることにより、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）における第１０スイッチＲ１１０〜Ｒ１１５がオン状態となり、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）における第１３スイッチＬ１１０〜Ｌ１１５もオン状態となる。先に述べたように、第１０スイッチＲ１１４、Ｒ１１５および第１３スイッチＬ１１４、Ｌ１１５のそれぞれの他方の端子はフローティングである。そのため、グループＴＬＧ（ｎ−１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−２）およびＴＬ（ｎ−１）は、フローティング状態となる。また、電界制御信号Ｔ−Ｒ（ｎ−１）、Ｔ―Ｌ（ｎ−１）および表示制御信号Ｄ−Ｒ（ｎ−１）、Ｄ−Ｌ（ｎ−１）は、ロウレベルであるため、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）、ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）における第１１スイッチ、第１２スイッチ、第１４スイッチおよび第１５スイッチもオフ状態となる。これにより、グループＴＬＧ（ｎ−１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）は、フローティング状態となる。

単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）において、第１０スイッチＲ１１０、Ｒ１１１、Ｒ１１２およびＲ１１３がオン状態となることにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）は、信号配線６３３１を介して接続され、駆動電極ＴＬ（ｎ−５）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）は、信号配線６３２１に接続される。また、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）において、第１３スイッチＬ１１０、Ｌ１１１、Ｌ１１２およびＬ１１３がオン状態となることにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−５）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）は、信号配線６３１１に接続され、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）は、信号配線ＬＬ１に接続され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）は、電圧配線ＬＶ２に接続される。これにより、図１６および図１７を用いて説明したのと同様に、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）、ＴＬ（ｎ−５）、ＴＬ（ｎ＋２）およびＴＬ（ｎ＋３）を信号配線６３１１、６３２１、６３３１により巻線としたコイルＹ（ｎ−１）が形成される。すなわち、駆動電極のグループＴＬＧ（ｎ−１）の領域を内側としたコイルが形成される。

このとき、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＲ−Ｌ（ｎ）からは、ロウレベルの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）およびＣ−Ｌ（ｎ）が出力されているため、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＣ−Ｌ（ｎ）における第１０スイッチＲ１１０〜Ｒ１１５、第１３スイッチ（Ｌ１１０）〜（Ｌ１１５）はオフ状態となる。その結果、コイルＹ（ｎ）は形成されない。また、このとき、電界制御信号Ｔ−Ｒ（ｎ）、Ｔ−Ｌ（ｎ）および表示制御信号Ｄ−Ｒ１（ｎ）、Ｄ−Ｌ（ｎ）はロウレベルであるため、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＣ−Ｌ（ｎ）における第１１スイッチ、第１２スイッチ、第１４スイッチおよび第１５スイッチもオフ状態となる。これにより、グループＴＬＧ（ｎ−１）の隣に配置されているグレープＴＬＧ（ｎ）において、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）〜ＴＬ（ｎ＋９）は、フローティング状態となる。

磁界タッチ検出であって、磁界発生期間のときには、信号配線ＬＬ１にコイルクロック信号ＣＣＬＫが供給され、電圧配線ＬＶ２には、接地電圧が供給される。単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）において、接地電圧が、第１３スイッチＬ１１３を介して、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）に供給され、コイルクロック信号ＣＣＬＫは、第１３スイッチＬ１１０を介して、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）に供給される。この結果、磁界発生期間ときには、グループＴＬＧ（ｎ−１）の領域を挟んで、互いに平行に配置されている駆動電極により構成されたコイルＹ（ｎ−１）で磁界が発生する。また、磁界検出期間のときには、信号配線ＬＬ１における信号の変化をセンス信号ＳＹ（ｎ−１）として出力する。これにより、コイルＹ（ｎ−１）の近傍が、ペンによりタッチされているか否かの検出を行うことが可能となる。

グループＴＬＧ（ｎ−１）において磁界を発生し、検出する例を説明したが、例えば、グループＴＬＧ（ｎ）において磁界を発生し、検出する場合には、グループＴＬＧ（ｎ）の領域を挟んで、互いに平行に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ＋８）およびＴＬ（ｎ＋９）を巻線としたコイルＹ（ｎ）が、信号配線６３１２、６３２２、６３３２により形成される。この場合には、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）において、コイルＹ（ｎ）が電圧配線ＬＶ２と信号配線ＬＬ１に接続される。すなわち、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）を介して、磁界発生期間のときには、コイルクロック信号ＣＣＬＫがコイルＹ（ｎ）に供給され、磁界検出期間のときには、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）における信号配線ＬＬ１の信号変化を、センス信号ＳＹ（ｎ）として出力する。

グループＴＬＧ（ｎ−１）およびＴＬＧ（ｎ）を例にして説明したが、他のグループにおいて磁界を発生し、検出する場合も同様である。

切換調整回路ＳＣ−ＲおよびＳＣ−Ｌは、図１６および図１７で説明したのと同様に、表示パネルの周辺領域に配置されている。また、図１９および図２０で説明した信号配線６３１０〜６３１３、６３２０〜６３２３および６３３０〜６３３３は、図１６および図１７に示した信号配線６３１０〜６３１３、６３２０〜６３２３および６３３０〜６３３３と同じである。すなわち、これらの信号配線は、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と同じ第２配線層６０３の配線により形成されている。そのため、これらの配線層を形成するために、新たな配線層を追加する必要がないため、製造コストの上昇を抑制することが可能である。

＜＜表示期間の動作＞＞
表示期間においては、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（０）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｐ）は、特に制限されないが、表示制御信号Ｄ−Ｒ（０）〜Ｒ−Ｒ（ｐ）をハイレベルにする。また、電界制御信号Ｔ−Ｒ（０）〜Ｔ−Ｒ（ｐ）および磁界制御信号Ｃ−Ｒ（０）〜Ｃ−Ｒ（ｐ）をロウレベルにする。このとき、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（０）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｐ）も、ハイレベルの表示制御信号Ｄ−Ｌ（０）〜Ｄ−Ｌ（ｐ）と、ロウレベルの電界制御信号Ｔ−Ｌ（０）〜Ｔ−Ｌ（ｐ）と、ロウレベルの磁界制御信号Ｃ−Ｌ（０）〜Ｃ−Ｌ（ｐ）を出力する。

これにより、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（０）〜ＵＳＣ−Ｒ（ｐ）のそれぞれにおける第１０スイッチおよび第１２スイッチはオフ状態となり、第１１スイッチがオン状態となる。同様に、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（０）〜ＵＳＣ−Ｌ（ｐ）のそれぞれにおける第１３スイッチおよび第１５スイッチはオフ状態となり、第１４スイッチがオン状態となる。これにより、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、切換調整回路ＳＣ−Ｒにおいて、第１１スイッチを介して電圧配線ＬＶ１に接続され、また切換調整回路ＳＣ−Ｌにおいても、第１４スイッチを介し電圧配線ＬＶ１に接続される。その結果、表示期間においては、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）には、接地電圧が、表示駆動電圧として供給され、信号線における画像信号の電圧と表示用の駆動電圧との差電圧に応じた表示が行われる。

磁界タッチ検出の際に形成されるコイルＹ（ｎ−１）、Ｙ（ｎ）として、２回巻線のコイルを例として説明したが、１回巻線のコイルであってもよいし、３回巻線以上のコイルであってもよい。磁界タッチ検出のときに、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（０）〜ＵＳＣ−Ｒ（ｐ）およびＵＳＣ−Ｌ（０）〜ＵＳＣ−Ｌ（ｐ）のそれぞれにおいて互いに接続される駆動電極の数を変更することにより、コイルの巻数を変更することが可能である。また、任意の駆動電極を、コイルの巻線として用いることが可能である。

電界タッチ検出のとき、表示制御信号がロウレベルとなるため、タッチを検出しないグループの駆動電極は、フローティング状態となるが、所定の電圧、例えば接地電圧が供給されるようにしてもよい。しかしながら、タッチを検出しないグループ内の駆動電極をフローティング状態とすることにより、タッチを検出するグループ内の駆動電極の電圧を変化させるとき、タッチを検出しないグループ内の駆動電極の寄生容量の充放電を低減することが可能となり、高速化を図ることが可能となる。

また、磁界発生期間においては、コイルクロック信号ＣＣＬＫが供給される駆動電極を除いた駆動電極は、フローティング状態となる。これにより、磁界発生期間のとき、コイルクロック信号ＣＣＬＫが供給されない駆動電極の寄生容量の充放電を低減することが可能となり、高速化を図ることが可能となる。

（実施の形態２）
図２１および図２２は、実施の形態２に係わる液晶表示装置の選択制御回路および切換調整回路の構成を示す回路図である。図２１および図２２においても、図１９および図２０と同様に、図１３に示した駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−２）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｎ＋１）、ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−２）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｎ＋１）が示されている。また、これらの単位選択制御回路に対応する単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−２）〜ＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）、ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−２）〜ＵＳＣ−Ｌ（ｎ＋１）の構成が示されている。図２１および図２２に示す構成は、図１９および図２０に類似しているので、ここでは相違点を主に説明する。なお、図２１に示す符号Ｒ（−６）〜Ｒ（＋９）は、図１３の同じ符号の部分へ接続され、図２１に示す符号Ｒ（−６）〜Ｒ（＋９）は、図１３の同じ符号の部分へ接続される。

実施の形態１においては、磁界タッチ検出のとき、それぞれ２回巻線のコイルが、駆動電極を用いて形成されていた。これに対して、この実施の形態２においては、磁界タッチ検出のとき、それぞれのコイルは、１．５回巻線のコイルによって構成される。また、実施の形態１に比べて、電圧配線およびコイルクロック信号ＣＣＬＫを伝達する信号配線が低減される。

単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−２）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｎ＋１）およびＵＳＲ−Ｌ（ｎ−２）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｎ＋１）の構成は、図１９および図２０で示した単位選択制御回路と同じであるため、ここでは説明を省略する。

＜単位切換調整回路ＵＳＲ−Ｒの構成＞
単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）を代表として、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒの構成を説明する。単位調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）は、第１６スイッチＲ２１０〜Ｒ２１５と、第１７スイッチＲ２２０〜Ｒ２２５と、第１８スイッチＲ２３０〜Ｒ２３５と、信号配線６３４０とを備えている。ここで、第１７スイッチＲ２２０〜Ｒ２２５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）に対応したグループＴＬＧ（ｎ−１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）と、電圧配線ＬＶ１との間に接続されている。また、第１８スイッチＲ２３０〜Ｒ２３５は、グループＴＬＧ（ｎ−１）内の駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）と、信号配線ＬＬ２との間に接続されている。第１７スイッチＲ２２０〜Ｒ２２５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）からの表示制御信号Ｄ−Ｒ（ｎ−１）によりスイッチ制御され、第１８スイッチＲ２３０〜Ｒ２３５は、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）からの電界制御信号Ｔ−Ｒ（ｎ−１）によりスイッチ制御される。

第１６スイッチＲ２１０は、グループＴＬＧ（ｎ−１）の隣に配置されたグループＴＬＧ（ｎ−２）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−６）と信号配線６３４０との間に接続され、第１６スイッチ２１１は、グループＴＬＧ（ｎ−２）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−５）と電圧配線ＬＶ２との間に接続されている。また、第１６スイッチＲ２１２は、グループＴＬＧ（ｎ−１）の隣に配置されたグループＴＬＧ（ｎ）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）と信号配線６３４０との間に接続されている。さらに、第１６スイッチＲ２１３〜Ｒ２１５は、それぞれの一方の端子が、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）〜ＴＬ（ｎ＋５）に接続され、それぞれの他方の端子は、フローティング状態となっている。これらの第１６スイッチＲ２１３〜Ｒ２１５は、先に説明した第１０スイッチＲ１１４、Ｒ１１５と同じであるため、説明は省略する。第１６スイッチＲ２１０〜Ｒ２１５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）からの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）によってスイッチ制御される。

残りの単位切換調整回路も、上記した単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）と同じ構成を有している。図２１において、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）を構成する第１６スイッチは、（Ｒ２１０）〜（Ｒ２１５）として示され、第１７スイッチは、（Ｒ２２０）〜（Ｒ２２５）として示され、第１８スイッチは、（Ｒ２３０〜Ｒ２３５）として示され、信号配線は、（６３４０）として示されている。同様に、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−２）内の第１６スイッチＲ２１２〜Ｒ２１５は、［Ｒ２１２］〜［Ｒ２１５］として示され、第１７スイッチＲ２２４、Ｒ２２５は、［Ｒ２２４］、［Ｒ２２５］として示され、第１８スイッチＲ２３４、Ｒ２３５は、［Ｒ２３４］、［Ｒ２３５］として示され、信号配線６３４０は、［６３４０］として示されている。また、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）内の第１６スイッチＲ２１０、Ｒ２１１が、＜Ｒ２１０＞、＜Ｒ２１１＞として示され、第１７スイッチＲ２２０、Ｒ２２１は、＜Ｒ２２０＞、＜Ｒ２２１＞として示され、第１８スイッチＲ２３０、Ｒ２３１は、＜Ｒ２３０＞、＜Ｒ２３１＞として示され、信号配線６３４０は、＜６３４０＞として示されている。

この実施の形態２においても、単位選択制御回路（例えば、ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１））に対応する単位切換調整回路に含まれる第１６スイッチＲ２１０〜Ｒ２１３は、２組に分けられ、この単位選択制御回路に対応するグループ（ＴＬＧ（ｎ−１））を、その間に挟むように配置された２個のグループ（ＴＬＧ（ｎ−２）とＴＬＧ（ｎ））内の所定の電極に接続されている。すなわち、第１６スイッチＲ２１０、Ｒ２１１と、第１６スイッチＲ２１２、Ｒ２１３とに分けられ、グループＴＬＧ（ｎ−２）内の所定の電極と、グループＴＬＧ（ｎ）倍の所定の電極とに接続されている。

＜単位切換調整回路ＵＳＲ−Ｌの構成＞
次に、図２２に示した単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）を代表として、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌの構成を説明する。単位調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）は、第１９スイッチＬ２１０〜Ｌ２１５と、第２０スイッチＬ２２０〜Ｌ２２５と、第２１スイッチＬ２３０〜Ｌ２３５と、信号配線６３４１とを備えている。ここで、第２０スイッチＬ２２０〜Ｌ２２５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）に対応したグループＴＬＧ（ｎ−１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）と、電圧配線ＬＶ１との間に接続されている。また、第２１スイッチＬ２３０〜Ｌ２３５は、グループＴＬＧ（ｎ−１）内の駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）と、信号配線ＬＬ２との間に接続されている。第２０スイッチＬ２２０〜Ｌ２２５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）からの表示制御信号Ｄ−Ｌ（ｎ−１）によりスイッチ制御され、第２１スイッチＬ２３０〜Ｌ２３５は、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）からの電界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ−１）によりスイッチ制御される。

第１９スイッチＬ２１０は、グループＴＬＧ（ｎ−２）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−６）と信号配線ＬＬ１との間に接続され、第１９スイッチＬ２１１は、グループＴＬＧ（ｎ−２）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−５）と信号配線６３４１との間に接続されている。また、第１９スイッチ２１２は、グループＴＬＧ（ｎ−１）の隣に配置されたグループＴＬＧ（ｎ）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）と信号配線６３４１との間に接続されている。さらに、第１９スイッチＬ２１３〜Ｌ２１５は、それぞれの一方の端子が、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）〜ＴＬ（ｎ＋５）に接続され、それぞれの他方の端子は、フローティング状態となっている。これらの第１９スイッチＬ２１３〜Ｌ２１５は、先に説明した第１０スイッチＲ１１４、Ｒ１１５と同じであるため、説明は省略する。第１９スイッチＬ２１０〜Ｌ２１５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）からの磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）によってスイッチ制御される。

残りの単位切換調整回路も、上記した単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）と同じ構成を有している。図２２において、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）を構成する第１９スイッチは、（Ｌ２１０）〜（Ｌ２１５）として示され、第２０スイッチは、（Ｌ２２０）〜（Ｌ２２５）として示され、第２１スイッチは、（Ｌ２３０〜Ｌ２３５）として示され、信号配線は、（６３４１）として示されている。同様に、単位切換調整回路ＵＳＣ―Ｌ（ｎ−２）内の第１９スイッチＬ２１２〜Ｌ２１５は、［Ｌ２１２］〜［Ｌ２１５］として示され、第２０スイッチＬ２２４、Ｌ２２５は、［Ｌ２２４］、［Ｌ２２５］として示され、第２１スイッチＬ２３４、Ｌ２３５は、［Ｌ２３４］、［Ｌ２３５］として示され、信号配線６３４１は、［６３４１］として示されている。また、単位切換調整回路ＵＳＣ―Ｌ（ｎ＋１）内の第１９スイッチＬ２１０、Ｌ２１１が、＜Ｌ２１０＞、＜Ｌ２１１＞として示され、第２０スイッチＬ２２０、Ｌ２２１は、＜Ｌ２２０＞、＜Ｌ２２１＞として示され、第２１スイッチＬ２３０、Ｌ２３１は、＜Ｌ２３０＞、＜Ｌ２３１＞として示され、信号配線６３４１は、＜６３４１＞として示されている。

この実施の形態２においても、単位選択制御回路（例えば、ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１））に対応する単位切換調整回路に含まれる第１９スイッチＬ２１０〜Ｌ２１２は、２組に分けられ、この単位選択制御回路に対応するグループ（ＴＬＧ（ｎ−１））を、その間に挟むように配置された２個のグループ（ＴＬＧ（ｎ−２）とＴＬＧ（ｎ））内の所定の電極に接続されている。

＜磁界タッチ検出＞
次に、図２１および図２２を参照して、磁界タッチ検出が指定されたときの動作を説明する。電界タッチ検出および表示期間の動作は、図１９および図２０を用いて説明した動作と同じであるため、ここでは省略する。ここでも、磁界タッチ検出において、駆動電極のグループＴＬＧ（ｎ−１）の領域が、ペンによってタッチされているか否かを検出し、グループＴＬＧ（ｎ）の領域はペンによるタッチを検出しない場合を例として説明する。

グループＴＬＧ（ｎ−１）の領域においてペンのタッチを検出するために、このグループＴＬＧ（ｎ−１）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）およびＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）は、ハイレベルの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）およびＣ−Ｌ（ｎ−１）を出力する。これに対して、グレープＴＬＧ（ｎ）の領域においては、ペンのタッチを検出しないため、グループＴＬＧ（ｎ）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＲ−Ｌ（ｎ）は、ロウレベルの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）およびＣ−Ｌ（ｎ）を出力する。また、磁界タッチ検出が指定されているため、電界制御信号Ｔ−Ｒ（ｎ−１）、Ｔ−Ｒ（ｎ）、Ｔ−Ｒ（ｎ−１）、Ｔ−Ｒ（ｎ）およびＴ−Ｌ（ｎ−１）、Ｔ−Ｌ（ｎ）、Ｔ−Ｌ（ｎ−１）、Ｔ−Ｌ（ｎ）はロウレベルとなる。同様に、表示制御信号Ｄ−Ｒ（ｎ−１）、Ｄ−Ｒ（ｎ）、Ｄ−Ｒ（ｎ−１）、Ｄ−Ｒ（ｎ）およびＤ−Ｌ（ｎ−１）、Ｄ−Ｌ（ｎ）、Ｄ−Ｌ（ｎ−１）、Ｄ−Ｌ（ｎ）もロウレベルとなる。

磁界タッチ検出の期間であって、磁界発生期間のときには、制御回路Ｄ−ＣＮＴが、周期的に変化するコイルクロック信号ＣＣＬＫを信号配線ＬＬ１へ供給する。また、磁界タッチ検出の期間では、電圧配線ＬＶ２に接地電圧が供給される。

磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）がハイレベルとなることにより、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）において、第１６スイッチＲ２１０〜Ｒ２１２がオン状態となる。これにより、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）において、グループＴＬＧ（ｎ−２）内の駆動電極ＴＬ（ｎ−６）は、第１６スイッチＲ２１０を介して、信号配線６３４０に接続され、駆動電極ＴＬ（ｎ−５）は、第１６スイッチＲ２１１を介して、電圧配線ＬＶ２に接続される。また、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）において、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）は、第１６スイッチＲ２１２を介して、信号配線６３４０に接続される。

一方、磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）がハイレベルとなることにより、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）において、第１９スイッチＬ２１０〜Ｌ２１２がオン状態となる。これにより、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）において、グループＴＬＧ（ｎ−２）内の駆動電極ＴＬ（ｎ−６）は、第１９スイッチＬ２１０を介して、信号配線ＬＬ１に接続され、駆動電極ＴＬ（ｎ−５）は、第１９スイッチＬ２１１を介して、信号配線６３４１に接続される。また、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）において、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）は、第１９スイッチＬ２１２を介して、信号配線６３４１に接続される。

これにより、グループＴＬＧ（ｎ−１）の領域を挟んで、互いに平行に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−６）、ＴＬ（ｎ−５）およびＴＬ（ｎ＋２）は、電圧配線ＬＶ２と信号配線ＬＬ１との間に直列的に接続されることになる。これにより、これらの駆動電極を巻線として、１回と半分（１．５回）巻いたコイルが形成される。

磁界発生期間においては、コイルクロック信号ＣＣＬＫが、信号配線ＬＬ１に供給されるため、コイルクロック信号ＣＣＬＫに従って変化する磁界が、駆動電極を巻線としたコイルにおいて発生する。ペンがグループＴＬＧ（ｎ−１）の領域の近傍に存在していれば、コイルで発生した磁界エネルギーによって、ペン内の容量素子が充電される。ペン内の容量素子に充電された電荷により、磁界検出期間のとき、ペン内コイルが磁界を発生する。ペンからの磁界エネルギーによって、信号配線ＬＬ１の信号が変化する。この変化が、センス信号ＳＹ（ｎ−１）として出力される。

駆動電極（ｎ−６）、ＴＬ（ｎ−５）およびＴＬ（ｎ＋２）によって、コイルが形成されているとき、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）、ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）からの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）、Ｃ−Ｌ（ｎ）はロウレベルであるため、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＣ−Ｌ（ｎ）における第１６スイッチ（Ｒ２１０）〜（Ｒ２１５）および第１９スイッチ（Ｌ２１０）〜（Ｌ２１５）はオフ状態となる。そのため、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＣ−Ｌ（ｎ）において、駆動電極は信号配線（６３４０）、（６３４１）、電圧配線ＬＶ２および信号配線ＬＬ１に接続されず、コイルは形成されない。

この実施の形態２においても、信号配線６３４０、（６３４０）、［６３４０］、＜６３４０＞および６３４１、（６３４１）、［６３４１］、＜６３４１＞は、表示パネルの周辺領域において、第２配線層６０３の配線により形成される。そのため、これらの信号配線を形成するために、配線層を追加する必要がないため、製造コストの上昇を抑制することが可能となる。

また、実施の形態２においては、表示領域２の辺２−Ｒおよび辺２−Ｌに沿って配置する電圧配線および信号配線の本数を低減することが可能である。実施の形態１と比べた場合、辺２−Ｒに、コイルクロック信号ＣＣＬＫを伝達する信号配線ＬＬ１を配置しなくてもよい。また、辺２−Ｌには、磁界タッチ検出のときに、コイルへ電圧（接地電圧）を供給する電圧配線ＬＶ２を配置しなくてもよい。これにより、狭額縁化を図ることが可能となる。

また、この実施の形態２においても、電界タッチ検出のとき、電圧配線ＬＶ１および信号配線ＬＬ２のうちの一方の配線に、接地電圧Ｖｓを供給し、他方の配線に、接地電圧Ｖｓよりも高い電圧を供給するようにしてもよい。この場合、電界タッチ検出のとき、所望の駆動電極が、電圧配線ＬＶ１と信号配線ＬＬ２に交互に接続されるようにする。これによって、電界タッチ検出のとき、所望の駆動電極の電圧が、周期的に変化することになり、周期的な駆動信号が供給されているのと同様になる。すなわち、電界タッチ検出のとき、所望の駆動電極において、電界を発生することが可能となる。

（実施の形態３）
図２３および図２４は、実施の形態３に係わる液晶表示装置の選択制御回路および切換調整回路の構成を示す回路図である。図２３および図２４においても、図１９および図２０と同様に、図１３に示した駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−２）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｎ＋１）、ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−２）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｎ＋１）が示されている。また、これらの単位選択制御回路に対応する単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−２）〜ＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）、ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−２）〜ＵＳＣ−Ｌ（ｎ＋１）の構成が示されている。図２３および図２４の構成は、図１９および図２０に類似しているので、ここでも相違点を主に説明する。なお、図２３に示す符号Ｒ（−６）〜Ｒ（＋９）は、図１３の同じ符号の部分へ接続され、図２４に示す符号Ｒ（−６）〜Ｒ（＋９）は、図１３の同じ符号の部分へ接続される。

単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−２）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｎ＋１）およびＵＳＲ−Ｌ（ｎ−２）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｎ＋１）の構成は、図１９および図２０で示した単位選択制御回路と同じであるため、ここでも説明を省略する。この実施の形態３においては、磁界タッチ検出の際に形成されるコイルの巻数を、実施の形態１と同様に２回に維持しながら、切換調整回路ＳＣ−ＲおよびＳＣ−Ｌに接続される配線の数が低減される。

＜単位切換調整回路ＵＳＲ−Ｒの構成＞
図２３に示す単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）、ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）を代表として、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒの構成を説明する。単位調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）は、第２２スイッチＲ３１０〜Ｒ３１５と、第２３スイッチＲ３２０〜Ｒ３２５と、第２４スイッチＲ３３０〜Ｒ３３５と、信号配線６３２１、６３３１とを備えている。ここで、第２３スイッチＲ３２０〜Ｒ３２５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）に対応したグループＴＬＧ（ｎ−１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）と、電圧配線ＬＶ１との間に接続されている。また、第２４スイッチＲ３３０〜Ｒ３３５は、グループＴＬＧ（ｎ−１）内の駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）と、信号配線ＬＬ３との間に接続されている。第２３スイッチＲ３２０〜Ｒ３２５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）からの表示制御信号Ｄ−Ｒ（ｎ−１）によりスイッチ制御され、第２４スイッチＲ３３０〜Ｒ３３５は、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）からの電界制御信号Ｔ−Ｒ（ｎ−１）によりスイッチ制御される。

第２２スイッチＲ３１０は、グループＴＬＧ（ｎ−１）の隣に配置されたグループＴＬＧ（ｎ−２）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−６）と信号配線６３３１との間に接続され、第２２スイッチ３１１は、グループＴＬＧ（ｎ−２）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−５）と信号配線６３２１との間に接続されている。また、第２２スイッチＲ３１２は、グループＴＬＧ（ｎ−１）の隣に配置されたグループＴＬＧ（ｎ）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）と信号配線６３３１との間に接続され、第２２スイッチＲ３１３は、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）と信号配線６３２１との間に接続されている。さらに、第２２スイッチＲ３１４、Ｒ３１５は、それぞれの一方の端子が、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋４）、ＴＬ（ｎ＋５）に接続され、それぞれの他方の端子は、フローティング状態となっている。これらの第２２スイッチＲ３１４、Ｒ３１５は、先に説明した第１０スイッチＲ１１４、Ｒ１１５と同じであるため、説明は省略する。第２２スイッチＲ３１０〜Ｒ３１５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）からの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）によってスイッチ制御される。

また、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）も、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）と同様に、第２２スイッチ〜第２４スイッチを備えている。ここでは、第２２スイッチは、（Ｒ３１０）〜（Ｒ３１５）として示され、第２３スイッチは、（Ｒ３２０）〜（Ｒ３２５）として示され、第２４スイッチは、（Ｒ３３０）〜（Ｒ３３５）として示されている。第２３スイッチ（Ｒ３２０）〜（Ｒ３２５）は、第２３スイッチＲ３２０〜Ｒ３２５と同様に、グループＴＬＧ（ｎ）内に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）〜ＴＬ（ｎ＋７）と電圧配線ＬＶ１との間に接続され、表示制御信号Ｄ−Ｒ（ｎ）によってスイッチ制御される。また、第２４スイッチ（Ｒ３３０）〜（Ｒ３３５）は、第２４スイッチＲ３３０〜Ｒ３３５と同様に、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）〜ＴＬ（ｎ＋７）と信号配線ＬＬ３との間に接続され、電界制御信号Ｔ−Ｒ（ｎ）によってスイッチ制御される。

単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）と異なり、信号配線６３２１、６３３１の代わりに、信号配線６３１２を備えている。第２２スイッチ（Ｒ３１１）は、この信号配線６３１２と隣のグループＴＬＧ（ｎ−１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）との間に接続され、第２２スイッチ（Ｒ３１２）は、隣のグループＴＬＧ（ｎ＋１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋８）と信号配線６３１２との間に接続されている。また、第２２スイッチ（Ｒ３１０）は、グループＴＬＧ（ｎ−１）内の駆動電極ＴＬ（ｎ）と信号配線ＬＬ１との間に接続され、第２２スイッチ（Ｒ３１３）は、隣のグループＴＬＧ（ｎ＋１）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋９）と信号配線ＬＬ３との間に接続されている。同図には示していないが、第２２スイッチ（Ｒ３１４）、（Ｒ３１５）は、それぞれの一方の端子が、グループＴＬＧ（ｎ＋１）内の駆動電極に接続され、それぞれの他方の端子は、フローティング状態となっている。これらの第２２スイッチ（Ｒ３１４）、（Ｒ３１５）は、先に説明した第１０スイッチＲ１１４、Ｒ１１５と同じであるため、説明は省略する。これらの第２２スイッチ（Ｒ３１０）〜（Ｒ３１５）は、磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）によって、スイッチ制御される。

切換調整回路ＳＣ−Ｒにおいては、上記した単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）の構成と同じ構成を有する単位切換調整回路と、上記した単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）の構成と同じ構成を有する単位切換調整回路とが、交互に設けられている。例えば、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−２）は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）と同じ構成を有し、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）と同じ構成を有している。

なお、同図において、信号配線６３１０は、信号配線６３１２に相当する信号配線であり、信号配線６３２３および６３３３は、信号配線６３３１および６３２１に相当する信号配線である。また、同図において、［Ｒ３１２］〜［Ｒ３１５］は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−２）の第２２スイッチを示しており、磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−２）によってスイッチ制御される。さらに、同図には、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−２）を構成する第２３スイッチ［Ｒ３２４］、［Ｒ３２５］と第２４スイッチ［Ｒ３３４］、［Ｒ３３５］が示されている。図２３において、＜Ｒ３１０＞、＜Ｒ３１１＞は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）に含まれる第２２スイッチを示しており、＜Ｒ３２０＞、＜Ｒ３２１＞は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）に含まれる第２３スイッチを示しており、＜Ｒ３３０＞、＜Ｒ３３１＞は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）に含まれる第２４スイッチを示している。

この実施の形態３においても、単位選択制御回路（例えば、ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１））に対応する単位切換調整回路に含まれる第２２スイッチＲ３１０〜Ｒ３１３は、２組に分けられ、この単位選択制御回路に対応するグループ（ＴＬＧ（ｎ−１））を、その間に挟むように配置された２個のグループ（ＴＬＧ（ｎ−２）とＴＬＧ（ｎ））内の所定の電極に接続されている。

＜単位切換調整回路ＵＳＲ−Ｌの構成＞
次に、図２４に示した単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）、ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）を代表として、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌの構成を説明する。単位調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）は、第２５スイッチＬ３１０〜Ｌ３１５と、第２６スイッチＬ３２０〜Ｌ３２５と、第２７スイッチＬ３３０〜Ｌ３３５と、信号配線６３１１とを備えている。ここで、第２６スイッチＬ３２０〜Ｌ３２５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）に対応したグループＴＬＧ（ｎ−１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）と、電圧配線ＬＶ１との間に接続されている。また、第２７スイッチＬ３３０〜Ｌ３３５は、グループＴＬＧ（ｎ−１）内の駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）と信号配線ＬＬ３との間に接続されている。第２６スイッチＬ３２０〜Ｌ３２５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）からの表示制御信号Ｄ−Ｌ（ｎ−１）によりスイッチ制御され、第２７スイッチＬ３３０〜Ｌ３３５は、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）からの電界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ−１）によりスイッチ制御される。

第２５スイッチＬ３１０は、グループＴＬＧ（ｎ−２）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−６）と信号配線ＬＬ１との間に接続され、第２５スイッチＬ３１１は、グループＴＬＧ（ｎ−２）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−５）と信号配線６３１１との間に接続されている。また、第２５スイッチＬ３１２は、グループＴＬＧ（ｎ−１）の隣に配置されたグループＴＬＧ（ｎ）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）と信号配線６３１１との間に接続され、第２５スイッチＬ３１３は、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）と信号配線ＬＬ３との間に接続されている。さらに、第２５スイッチＬ３１４、Ｌ３１５は、それぞれの一方の端子が、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋４）、ＴＬ（ｎ＋５）に接続され、それぞれの他方の端子は、フローティング状態となっている。これらの第２５スイッチＬ３１４、Ｌ３１５は、先に説明した第１０スイッチＲ１１４、Ｒ１１５と同じであるため、説明は省略する。第２５スイッチＬ３１０〜Ｌ３１５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）からの磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）によってスイッチ制御される。

単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）と異なり、信号配線６３１１の代わりに、信号配線６３２２、６３３２を備えている。第２５スイッチ（Ｌ３１０）は、信号配線６３２２と隣のグループＴＬＧ（ｎ−１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ）との間に接続され、第２５スイッチ（Ｌ３１１）は、グループＴＬＧ（ｎ−１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）と信号配線６３３２との間に接続されている。また、第２２スイッチ（Ｌ３１０）は、隣のグループＴＬＧ（ｎ＋１）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋８）と信号配線６３２２との間に接続され、第２２スイッチ（Ｌ３１３）は、グループＴＬＧ（ｎ＋１）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋９）と信号配線６３３２との間に接続されている。同図には示していないが、第２５スイッチ（Ｌ３１４）、（Ｌ３１５）は、それぞれの一方の端子が、グループＴＬＧ（ｎ＋１）内の駆動電極に接続され、それぞれの他方の端子は、フローティング状態となっている。これらの第２５スイッチ（Ｌ３１４）、（Ｌ３１５）は、先に説明した第１０スイッチＲ１１４、Ｒ１１５と同じであるため、説明は省略する。これらの第２２スイッチ（Ｌ３１０）〜（Ｌ３１５）は、磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）によって、スイッチ制御される。

切換調整回路ＳＣ−Ｌにおいては、上記した単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）の構成と同じ構成を有する単位切換調整回路と、上記した単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）の構成と同じ構成を有する単位切換調整回路とが、交互に設けられている。例えば、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−２）は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）と同じ構成を有し、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ＋１）は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）と同じ構成を有している。

なお、同図において、信号配線６３２０、６３１１は、信号配線６３２２、６３３２に相当する信号配線であり、信号配線６３１３は、信号配線６３１１に相当する信号配線である。また、同図において、［Ｌ３１２］〜［Ｌ３１５］は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−２）の第２５スイッチを示しており、磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−２）によってスイッチ制御される。さらに、同図には、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−２）を構成する第２６スイッチ［Ｌ３２４］、［Ｌ３２５］と第２７スイッチ［Ｌ３３４］、［Ｌ３３５］が示されている。図２４において、＜Ｌ３１０＞、＜Ｌ３１１＞は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ＋１）に含まれる第２５スイッチを示しており、＜Ｌ３２０＞、＜Ｌ３２１＞は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ＋１）に含まれる第２６スイッチを示しており、＜Ｌ３３０＞、＜Ｌ３３１＞は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ＋１）に含まれる第２５スイッチを示している。

単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）と単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）とは、接続する駆動電極および供給される制御信号（磁界制御信号、電界制御信号および表示制御信号）が異なることを除けは、同じ構成を有している。同様に、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）と単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）とは、接続する駆動電極および供給される制御信号（磁界制御信号、電界制御信号および表示制御信号）が異なることを除けは、同じ構成を有している。

この実施の形態３においても、単位選択制御回路（例えば、ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１））に対応する単位切換調整回路に含まれる第２５スイッチＬ３１０〜Ｌ３１３は、２組に分けられ、この単位選択制御回路に対応するグループ（ＴＬＧ（ｎ−１））を、その間に挟むように配置された２個のグループ（ＴＬＧ（ｎ−２）とＴＬＧ（ｎ））内の所定の電極に接続されている。

＜磁界タッチ検出＞
次に、図２３および図２４を参照して、磁界タッチ検出が指定されたときの動作を説明する。この実施の形態３においては、制御回路Ｄ−ＣＮＴ（図７）は、信号配線ＬＬ３へ供給する制御信号を、磁界タッチ検出のときと、電界タッチ検出のときとで変更する。すなわち、磁界タッチ検出のとき、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、信号配線ＬＬ３へ接地電圧を供給し、電界タッチ検出のときには、制御信号ＴＳＶＣＯＭを、信号配線ＬＬ３へ供給する。これにより、電界タッチ検出のときには、信号配線ＬＬ３は、実施の形態１で説明した信号配線ＬＬ２として働く。また、磁界タッチ検出の磁界発生期間のときに、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、周期的に変化するコイルクロック信号ＣＣＬＫを、信号配線ＬＬ１へ供給する。なお、電圧配線ＬＶ１には、実施の形態２と同様に、接地電圧が供給される。

信号配線ＬＬ３に制御信号ＴＳＶＣＯＭが供給されている状態で、電界タッチ検出が行われる。電界タッチ検出および表示期間の動作は、図１９および図２０を用いて説明した動作と同じであるため、ここでは省略する。

ここでも、磁界タッチ検出において、駆動電極のグループＴＬＧ（ｎ−１）の領域が、ペンによってタッチされているか否かを検出し、グループＴＬＧ（ｎ）の領域はペンによるタッチを検出しない場合を例として説明する。

グループＴＬＧ（ｎ−１）の領域においてペンのタッチを検出するために、このグループＴＬＧ（ｎ−１）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）およびＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）は、ハイレベルの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）およびＣ−Ｌ（ｎ−１）を出力する。これに対して、グレープＴＬＧ（ｎ）の領域においてペンのタッチを検出しないため、このグループＴＬＧ（ｎ）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＲ−Ｌ（ｎ）は、ロウレベルの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）およびＣ−Ｌ（ｎ）を出力する。また、磁界タッチ検出が指定されているため、電界制御信号Ｔ−Ｒ（ｎ−１）、Ｔ−Ｒ（ｎ）、Ｔ−Ｒ（ｎ−１）、Ｔ−Ｒ（ｎ）およびＴ−Ｌ（ｎ−１）、Ｔ−Ｌ（ｎ）、Ｔ−Ｌ（ｎ−１）、Ｔ−Ｌ（ｎ）はロウレベルとなる。同様に、表示制御信号Ｄ−Ｒ（ｎ−１）、Ｄ−Ｒ（ｎ）、Ｄ−Ｒ（ｎ−１）、Ｄ−Ｒ（ｎ）およびＤ−Ｌ（ｎ−１）、Ｄ−Ｌ（ｎ）、Ｄ−Ｌ（ｎ−１）、Ｄ−Ｌ（ｎ）はロウレベルとなる。

磁界タッチ検出であって、磁界発生期間のときには、制御回路Ｄ−ＣＮＴが、周期的に変化するコイルクロック信号ＣＣＬＫを信号配線ＬＬ１へ供給する。また、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、磁界タッチ検出のとき、信号配線ＬＬ３に接地電圧を供給する。

磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）がハイレベルとなることにより、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）において、第２２スイッチＲ３１０〜Ｒ３１３がオン状態となる。これにより、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）において、グループＴＬＧ（ｎ−２）内の駆動電極ＴＬ（ｎ−６）は、第２２スイッチＲ３１０を介して、信号配線６３２１に接続され、駆動電極ＴＬ（ｎ−５）は、第２２スイッチＲ３１１を介して、信号配線６３３１に接続される。また、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）において、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）は、第２２スイッチＲ３１２を介して、信号配線６３３１に接続され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）は、第２２スイッチＲ３１３を介して、信号配線６３２１に接続される。

一方、磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）がハイレベルとなることにより、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）において、第２５スイッチＬ３１０〜Ｌ３１３がオン状態となる。これにより、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）において、グループＴＬＧ（ｎ−２）内の駆動電極ＴＬ（ｎ−６）は、第２５スイッチＬ３１０を介して、信号配線ＬＬ１に接続され、駆動電極ＴＬ（ｎ−５）は、第２５スイッチＬ３１１を介して、信号配線６３１１に接続される。また、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）において、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）は、第２５スイッチＬ３１２を介して、信号配線６３１１に接続され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）は、第２５スイッチＬ３１３を介して、信号配線ＬＬ３に接続される。

これにより、グループＴＬＧ（ｎ−１）の領域を挟んで、互いに平行に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−６）、ＴＬ（ｎ−５）、ＴＬ（ｎ＋２）およびＴＬ（ｎ＋３）は、信号配線ＬＬ３と信号配線ＬＬ１との間に直列的に接続されることになる。すなわち、これらの駆動電極を巻線とした２回巻のコイルが、信号配線ＬＬ３と信号配線ＬＬ１との間に接続されることになる。

磁界発生期間においては、信号配線ＬＬ３に接地電圧が供給され、信号配線ＬＬ１にコイルクロック信号ＣＣＬＫが供給されるため、コイルクロック信号ＣＣＬＫに従って変化する磁界が、駆動電極を巻線としたコイルにおいて発生する。ペンがグループＴＬＧ（ｎ−１）の領域の近傍に存在していれば、コイルで発生した磁界エネルギーによって、ペン内の容量素子が充電される。ペン内の容量素子に充電された電荷により、磁界検出期間のとき、ペン内コイルが磁界を発生する。ペンからの磁界エネルギーによって、信号配線ＬＬ１の信号が変化する。この変化が、センス信号ＳＹ（ｎ−１）として出力される。

駆動電極（ｎ−６）、ＴＬ（ｎ−５）およびＴＬ（ｎ＋２）によって、コイルが形成されているとき、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）、ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）からの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）、Ｃ−Ｌ（ｎ）はロウレベルであるため、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＣ−Ｌ（ｎ）における第２２スイッチ（Ｒ３１０）〜（Ｒ３１３）および第２５スイッチ（Ｌ３１０）〜（Ｌ３１３）はオフ状態となるため、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＲ−Ｌ（ｎ）において、駆動電極は信号配線６３１２、６３２２、６３３２および信号配線ＬＬ１、ＬＬ３に接続されず、コイルは形成されない。

反対に、磁界タッチ検出において、駆動電極のグループＴＬＧ（ｎ）の領域が、ペンによってタッチされているか否かを検出し、グループＴＬＧ（ｎ−１）の領域はペンによるタッチを検出しない場合を述べると、次のようになる。

この場合には、磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）およびＣ−Ｌ（ｎ）がハイレベルとなり、磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）およびＣ−Ｌ（ｎ−１）はロウレベルとなる。ハイレベル磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）、Ｃ−Ｌ（ｎ）によって、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）、ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）において、第２５スイッチ（Ｒ３１０）〜（Ｒ３１３）、（Ｌ３１０）〜（Ｌ３１３）がオン状態となる。これらの第２５スイッチがオン状態となることにより、グループＴＬＧ（ｎ）を挟むように、互いに平行に配置された駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ＋８）およびＴＬ（ｎ＋９）が、信号配線ＬＬ３と信号配線ＬＬ１との間に直列的に接続される。これにより、信号配線ＬＬ３と信号配線ＬＬ１との間に２回巻線のコイルが形成されることになる。

このとき、グループＴＬＧ（ｎ−１）を挟むように配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−６）、ＴＬ（ｎ−５）、ＴＬ（ｎ＋２）およびＴＬ（ｎ＋３）は、第２２スイッチＲ３１０〜Ｒ３１３および第２５スイッチＬ３１０〜Ｌ３１３はオフ状態のため、信号配線ＬＬ３と信号配線ＬＬ１との間に接続されない。その結果として、これらの駆動電極を巻線としたコイルは形成されない。

この実施の形態３においては、グループＴＬＧ（ｎ−１）において磁界を発生するとき、切換調整回路ＳＣ−Ｌに配置された信号配線ＬＬ３と信号配線ＬＬ１が用いられる。すなわち、切換調整回路ＳＣ−Ｌに配置された信号配線ＬＬ３と信号配線ＬＬ１との間に、コイルが接続される。磁界発生期間のときには、信号配線ＬＬ３に接地電圧が供給され、信号配線ＬＬ１にコイルクロック信号ＣＣＬＫが供給される。また、磁界検出期間においては、信号配線ＬＬ３に接地電圧が供給され、信号配線ＬＬ１における信号の変化が、センス信号ＳＹ（ｎ＋１）として出力される。

また、グループＴＬＧ（ｎ−１）に隣接したグループＴＬＧ（ｎ）において磁界を発生するときには、切換調整回路ＳＣ−Ｒに配置された信号配線ＬＬ３と信号配線ＬＬ１が用いられる。すなわち、切換調整回路ＳＣ−Ｒに配置された信号配線ＬＬ３と信号配線ＬＬ１との間に、コイルが接続される。磁界発生期間のときには、切換調整回路ＳＣ−Ｌに配置された信号配線ＬＬ３に接地電圧が供給され、信号配線ＬＬ１にコイルクロック信号ＣＣＬＫが供給される。また、磁界検出期間においては、切換調整回路ＳＣ−Ｌに配置された信号配線ＬＬ３に接地電圧が供給され、信号配線ＬＬ１における信号の変化が、センス信号ＳＹ（ｎ）として出力される。

このように、実施の形態３においては、表示領域２の辺２−Ｒに沿って配置された切換調整回ＳＣ−Ｒと、辺２−Ｌに沿って配置された切換調整回路ＳＣ−Ｌとから、交互にセンス信号ＳＹ（ｎ）、ＳＹ（ｎ＋１）が出力される。また、信号配線ＬＬ３は、磁界タッチ検出のときに、接地電圧を供給する電圧配線として用いられ、電界タッチ検出のときには、制御信号ＴＳＶＣＯＭを伝達する信号配線として用いられる。すなわち、信号配線ＬＬ３は、磁界タッチ検出のときと、電界タッチ検出のときとで兼用される。これにより、表示領域２の辺に沿って配置される配線の本数の低減を図ることが可能となり、狭額縁化を図ることが可能となる。

この実施の形態３においても、信号配線６３１０〜６３１３、６３２１〜６３２３および６３３０〜６３３３は、表示パネルの周辺領域において、第２配線層６０３の配線により形成される。そのため、これらの信号配線を形成するために、配線層を追加する必要がないため、製造コストの上昇を抑制することが可能となる。

実施の形態３においても、電界タッチ検出のとき、電圧配線ＬＶ１および信号配線ＬＬ２（ＬＬ３）のうちの一方の配線に、接地電圧Ｖｓを供給し、他方の配線に、接地電圧Ｖｓよりも高い電圧を供給するようにしてもよい。この場合、電界タッチ検出のとき、所望の駆動電極が、電圧配線ＬＶ１と信号配線ＬＬ２（ＬＬ３）に交互に接続されるようにする。これによって、電界タッチ検出のとき、所望の駆動電極の電圧が、周期的に変化することになり、周期的な駆動信号が供給されているのと同様になる。すなわち、電界タッチ検出のとき、所望の駆動電極において、電界を発生することが可能となる。

（実施の形態４）
図２５および図２６は、実施の形態４に係わる液晶表示装置の選択制御回路および切換調整回路の構成を示す回路図である。図２５および図２６においても、図１９および図２０と同様に、図１３に示した駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−２）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｎ＋１）、ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−２）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｎ＋９）が示されている。また、これらの単位選択制御回路に対応する単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−２）〜ＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）、ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−２）〜ＵＳＣ−Ｌ（ｎ＋１）の構成が示されている。図２５および図２６の構成は、図１９および図２０に類似しているので、ここでも相違点を主に説明する。なお、図２５に示す符号Ｒ（−６）〜Ｒ（＋９）は、図１３の同じ符号の部分へ接続され、図２６に示す符号Ｒ（−６）〜Ｒ（＋９）は、図１３の同じ符号の部分へ接続される。

単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−２）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｎ＋１）およびＵＳＲ−Ｌ（ｎ−２）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｎ＋１）の構成は、図１９および図２０で示した単位選択制御回路と同じであるため、説明を省略する。この実施の形態４においては、切換調整回路ＳＣ−ＲおよびＳＣ−Ｌに設けられる配線の数が低減される。また、切換調整回路ＳＣ−ＲおよびＳＣ−Ｌに含まれるスイッチの個数を低減することが可能である。

＜単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒの構成＞
先ず、図２５に示す単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）、ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）を代表として、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒの構成を説明する。単位調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）は、第２８スイッチＲ４１０、Ｒ４１１と、第２９スイッチＲ４２０〜Ｒ４２５と、第３０スイッチＲ４３０〜Ｒ４３５と、信号配線６３６０〜６３６３とを備えている。ここで、第２９スイッチＲ４２０〜Ｒ４２５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）に対応したグループＴＬＧ（ｎ−１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）と、電圧配線ＬＶ３との間に接続されている。また、第３０スイッチＲ４３０〜Ｒ４３５は、グループＴＬＧ（ｎ−１）内の駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）と、信号配線ＬＬ４との間に接続されている。第２９スイッチＲ４２０〜Ｒ４２５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）からの表示制御信号Ｄ−Ｒ（ｎ−１）によりスイッチ制御され、第３０スイッチＲ４３０〜Ｒ４３５は、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）からの電界制御信号Ｔ−Ｒ（ｎ−１）によりスイッチ制御される。

第２８スイッチＲ４１０は、グループＴＬＧ（ｎ−１）の隣に配置されたグループＴＬＧ（ｎ−２）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−６）と接続された信号配線６３６０と、グループＴＬＧ（ｎ−１）の隣に配置されたグループＴＬＧ（ｎ）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）に接続された信号配線６３６２との間に接続されている。また、第２８スイッチＲ４１１は、グループＴＬＧ（ｎ−２）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−５）に接続された信号配線６３６１と、グループＴＬＧ（ｎ）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）に接続された信号配線６３６３との間に接続されている。これらの第２８スイッチＲ４１０、Ｒ４１１のそれぞれは、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）からの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）によってスイッチ制御される。

また、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）は、第２８スイッチ（Ｒ４１２）〜（Ｒ４１４）と、第２９スイッチ（Ｒ４２０）〜（Ｒ４２５）と、第３０スイッチ（Ｒ４３０）〜（Ｒ４３５）と、信号配線（６３６４）、（６３６５）とを備えている。ここでは、第２９スイッチ（Ｒ４２０）〜（Ｒ４２５）は、第２９スイッチＲ４２０〜Ｒ４２５と同様に、グループＴＬＧ（ｎ）内に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）〜ＴＬ（ｎ＋７）と電圧配線ＬＶ３との間に接続され、表示制御信号Ｄ−Ｒ（ｎ）によってスイッチ制御される。また、第３０スイッチ（Ｒ４３０）〜（Ｒ４３５）は、第３０スイッチＲ４３０〜Ｒ４３５と同様に、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）〜ＴＬ（ｎ＋７）と信号配線ＬＬ４との間に接続され、電界制御信号Ｔ−Ｒ（ｎ）によってスイッチ制御される。

第２８スイッチ（Ｒ４１２）は、クループＴＬＧ（ｎ−１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）に接続された信号配線（６３６４）と、グループＴＬＧ（ｎ＋１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋８）に接続された信号配線（６３６５）との間に接続されている。また、第２８スイッチ（Ｒ４１３）は、グループＴＬＧ（ｎ−１）内の駆動電極ＴＬ（ｎ）と信号配線ＬＬ４との間に接続され、第２８スイッチ（Ｒ４１４）は、グループＴＬＧ（ｎ＋１）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋９）と電圧配線ＬＶ３との間に接続されている。これらの第２８スイッチ（Ｒ４１２）〜（Ｒ４１４）は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）からの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）によってスイッチ制御される。

同図には、一方の端子が駆動電極に接続され、磁界制御信号によってスイッチ制御されるスイッチが、符号を付さずに示されている。例えば、駆動電極ＴＬ（ｎ−２）に接続され、磁界制御信号Ｔ−Ｒ（ｎ−１）によってスイッチ制御されるスイッチが、示されている。これらの符号を付していないスイッチは、先に説明した第１０スイッチＲ１１４、Ｒ１１５と同じである。そのため、これらのスイッチについては、符号および説明を省略する。

切換調整回路ＳＣ−Ｒにおいては、上記した単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）の構成と同じ構成を有する単位切換調整回路と、上記した単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）の構成と同じ構成を有する単位切換調整回路とが、交互に設けられている。例えば、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−２）は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）と同じ構成を有し、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）と同じ構成を有している。

図２５においては、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−２）が有している第２９スイッチ〜第３０スイッチおよび信号配線については、（）符号の代わりに［］符号が付加されている。例えば、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−２）において、第２８スイッチ（Ｒ４１２）は、符号（）の代わりに、符号［］が付加され、［Ｒ４１２］として描かれている。同様に、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）が有している第２９スイッチ〜第３０スイッチおよび信号配線については、＜＞符号が付加されている。第２８スイッチＲ４１０、Ｒ４１１を例にすると、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）において、第２８スイッチＲ４１０、Ｒ４１１は、＜Ｒ４１０＞、＜Ｒ４１１＞として描かれている。

この実施の形態４において、単位選択制御回路（例えば、ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１））に対応する単位切換調整回路に含まれる第２８スイッチＲ４１０、Ｒ４１１は、この単位選択制御回路に対応するグループ（ＴＬＧ（ｎ−１））を、その間に挟むように配置された２個のグループ（ＴＬＧ（ｎ−２）とＴＬＧ（ｎ））内の所定の駆動電極間を、磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）に従って選択的に接続する。

＜単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌの構成＞
次に、図２６に示す単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）、ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）を代表として、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌの構成を説明する。単位調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）は、第３１スイッチＬ４１２〜Ｌ４１４と、第３２スイッチＬ４２０〜Ｌ４２５と、第３３スイッチＬ４３０〜Ｌ４３５と、信号配線６３６４、６３６５とを備えている。ここで、第３２スイッチＬ４２０〜Ｌ４２５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）に対応したグループＴＬＧ（ｎ−１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）と。電圧配線ＬＶ３との間に接続されている。また、第３３スイッチＬ４３０〜Ｌ４３５は、グループＴＬＧ（ｎ−１）内の駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）と、信号配線ＬＬ４との間に接続されている。第３２スイッチＬ４２０〜Ｌ４２５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）からの表示制御信号Ｄ−Ｌ（ｎ−１）によりスイッチ制御され、第３３スイッチＬ４３０〜Ｌ４３５は、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）からの電界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ−１）によりスイッチ制御される。

第３１スイッチＬ４１２は、グループＴＬＧ（ｎ−２）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−６）に接続された信号配線６３６４と、グループＴＬＧ（ｎ）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）に接続された信号配線６３６５との間に接続されている。また、第３１スイッチＬ４１３は、グループＴＬＧ（ｎ−２）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−６）と信号配線ＬＬ４との間に接続され、第３１スイッチＬ４１４は、グループＴＬＧ（ｎ）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）と電圧配線ＬＶ４との間に接続されている。これらの第３１スイッチＬ４１２〜Ｌ４１４のそれぞれは、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）からの磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）によってスイッチ制御される。

また、単位調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）は、第３１スイッチ（Ｌ４１０）、（Ｌ４１１）と、第３２スイッチ（Ｌ４２０）〜（Ｌ４２５）と、第３３スイッチ（Ｌ４３０）〜（Ｌ４３５）と、信号配線（６３６０）〜（６３６３）とを備えている。ここで、第３２スイッチ（Ｌ４２０）〜（Ｌ４２５）は、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）に対応したグループＴＬＧ（ｎ）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）〜ＴＬ（ｎ＋７）と、電圧配線ＬＶ３との間に接続されている。また、第３３スイッチ（Ｌ４３０）〜（Ｌ４３５）は、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）〜ＴＬ（ｎ＋７）と、信号配線ＬＬ４との間に接続されている。第３２スイッチ（Ｌ４２０）〜（Ｌ４２５）は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）からの表示制御信号Ｄ−Ｌ（ｎ）によりスイッチ制御され、第３３スイッチ（Ｌ４３０）〜（Ｌ４３５）は、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）からの電界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ）によりスイッチ制御される。

第３１スイッチ（Ｌ４１０）は、グループＴＬＧ（ｎ）の隣に配置されたグループＴＬＧ（ｎ−１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ）と接続された信号配線（６３６０）と、グループＴＬＧ（ｎ）の隣に配置されたグループＴＬＧ（ｎ＋１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋８）に接続された信号配線（６３６２）との間に接続されている。また、第３１スイッチ（Ｌ４１１）は、グループＴＬＧ（ｎ−１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）に接続された信号配線（６３６１）と、グループＴＬＧ（ｎ＋１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋９）に接続された信号配線（６３６３）との間に接続されている。これらの第３１スイッチ（Ｌ４１０）、（Ｌ４１１）のそれぞれは、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）からの磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ）によってスイッチ制御される。

切換調整回路ＳＣ−Ｌにおいては、上記した単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）の構成と同じ構成を有する単位切換調整回路と、上記した単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）の構成と同じ構成を有する単位切換調整回路とが、交互に設けられている。例えば、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−２）は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）と同じ構成を有し、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ＋１）は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）と同じ構成を有している。

図２６においては、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−２）が有している第３１スイッチ〜第３３スイッチおよび信号配線については、（）符号の代わりに［］符号が付加されている。例えば、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−２）において、第３１スイッチ（Ｌ４１０）、（Ｌ４１１）は、符号（）の代わりに、符号［］が付加され、［Ｌ４１０］、［Ｌ４１１］として描かれている。同様に、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ＋１）が有している第３１スイッチ〜第３３スイッチおよび信号配線については、＜＞符号が付加されている。第３１スイッチＬ４１２を例にすると、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ＋１）において、第３１スイッチＲ４１２は、＜Ｌ４１２＞として描かれている。

上記した単位切換調整回路ＵＳＣ−ＲおよびＵＳＣ−Ｌの構成の説明から理解されるように、接続される駆動電極と制御信号を除いて、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）の構成と単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）の構成は、同じであり、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）の構成と単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ＋１）の構成は、同じである。磁界タッチ検出のときには、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）と単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ＋１）とが組として動作し、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）と単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）とが組として動作することにより、コイルが形成される。

＜磁界タッチ検出＞
次に、図２５および図２６を参照して、磁界タッチ検出が指定されたときの動作を説明する。この実施の形態４において、制御回路Ｄ−ＣＮＴ（図７）は、電界タッチ検出が指定されているか、磁界タッチ検出が指定されているか、あるいは表示期間かに従って、信号配線ＬＬ４および電圧配線ＬＶ４へ供給する信号および電圧を変更する。

すなわち、電界タッチ検出が指定されているとき、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、信号配線ＬＬ４へ、制御信号ＴＳＶＣＯＭを供給する。一方、磁界タッチ検出が指定されている場合、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、磁界発生期間のとき、コイルクロック信号ＣＣＬＫを信号配線ＬＬ４に供給し、磁界検出期間のとき、信号配線ＬＬ４へのコイルクロック信号ＣＣＬＫの供給を停止して、信号配線ＬＬ４をハイインピーダンス状態にする。また、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、磁界タッチ検出が指定されているときに、接地電圧を、電圧配線ＬＶ３へ供給し、表示期間のときに、表示駆動信号の電圧を、電圧配線ＬＶ３へ供給する。表示駆動信号の電圧が、接地電圧であれば、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、表示期間と磁界タッチ検出のときに、接地電圧を電圧配線ＬＶ３へ供給することになる。

信号配線ＬＬ４に、制御信号ＴＳＶＣＯＭが供給されている状態で、電界タッチ検出が行われる。電界タッチ検出および表示期間の動作は、図１９および図２０を用いて説明した動作と同じであるため、ここでは省略する。

ここでも、磁界タッチ検出において、駆動電極のグループＴＬＧ（ｎ−１）の領域が、ペンによってタッチされているか否かを検出し、グループＴＬＧ（ｎ）の領域はペンによるタッチを検出しない場合を例として説明する。

グループＴＬＧ（ｎ−１）の領域においてペンのタッチを検出するために、このグループＴＬＧ（ｎ−１）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）およびＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）は、ハイレベルの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）およびＣ−Ｌ（ｎ−１）を出力する。これに対して、グレープＴＬＧ（ｎ）の領域においてペンのタッチを検出しないため、このグループＴＬＧ（ｎ）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＲ−Ｌ（ｎ）は、ロウレベルの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）およびＣ−Ｌ（ｎ）を出力する。また、磁界タッチ検出が指定されているため、電界制御信号Ｔ−Ｒ（ｎ−１）、Ｔ−Ｒ（ｎ）、Ｔ−Ｒ（ｎ−１）、Ｔ−Ｒ（ｎ）およびＴ−Ｌ（ｎ−１）、Ｔ−Ｌ（ｎ）、Ｔ−Ｌ（ｎ−１）、Ｔ−Ｌ（ｎ）はロウレベルとなる。同様に、表示制御信号Ｄ−Ｒ（ｎ−１）、Ｄ−Ｒ（ｎ）、Ｄ−Ｒ（ｎ−１）、Ｄ−Ｒ（ｎ）およびＤ−Ｌ（ｎ−１）、Ｄ−Ｌ（ｎ）、Ｄ−Ｌ（ｎ−１）、Ｄ−Ｌ（ｎ）もロウレベルとなる。

磁界タッチ検出であって、磁界発生期間のときには、制御回路Ｄ−ＣＮＴが、周期的に変化するコイルクロック信号ＣＣＬＫを信号配線ＬＬ４へ供給する。また、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、磁界タッチ検出のとき、電圧配線ＬＶ３に接地電圧を供給する。

磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）がハイレベルとなることにより、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）において、第２８スイッチＲ４１０、Ｒ４１１がオン状態となる。これにより、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）において、グループＴＬＧ（ｎ−２）内の駆動電極ＴＬ（ｎ−６）は、第２８スイッチＲ４１０および信号配線６３６０、６３６２を介して、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）に接続される。また、グループＴＬＧ（ｎ−２）内の駆動電極ＴＬ（ｎ−５）は、第２８スイッチＲ４１１および信号配線６３６１、６３６３を介して、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）に接続される。

一方、磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）がハイレベルとなることにより、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）において、第３１スイッチＬ４１２〜Ｌ４１４がオン状態となる。これにより、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）において、グループＴＬＧ（ｎ−２）内の駆動電極ＴＬ（ｎ−５）は、第３１スイッチＬ４１２および信号配線６３６４、６３６５を介して、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）に接続される。このとき、グループＴＬＧ（ｎ−２）内の駆動電極ＴＬ（ｎ−５）は、第３１スイッチＬ４１３を介して、信号配線ＬＬ４に接続され、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）は、第３１スイッチＬ４１４を介して、電圧配線ＬＶ３に接続される。

これにより、グループＴＬＧ（ｎ−１）の領域を挟んで、互いに平行に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−６）、ＴＬ（ｎ−５）、ＴＬ（ｎ＋２）およびＴＬ（ｎ＋３）は、電圧配線ＬＶ３と信号配線ＬＬ４との間に直列的に接続されることになる。すなわち、これらの駆動電極を巻線とした２回巻のコイルが、電圧配線ＬＶ３と信号配線ＬＬ４との間に接続されることになる。

磁界発生期間においては、電圧配線ＬＶ３に接地電圧が供給され、信号配線ＬＬ４にコイルクロック信号ＣＣＬＫが供給されるため、コイルクロック信号ＣＣＬＫに従って変化する磁界が、駆動電極を巻線としたコイルにおいて発生する。ペンがグループＴＬＧ（ｎ−１）の領域の近傍に存在していれば、コイルで発生した磁界エネルギーによって、ペン内の容量素子が充電される。ペン内の容量素子に充電されたエネルギーにより、磁界検出期間のとき、ペン内コイルが磁界を発生する。ペンからの磁界エネルギーによって、信号配線ＬＬ４の信号が変化する。この変化が、センス信号ＳＹ（ｎ−１）として出力される。

駆動電極（ｎ−６）、ＴＬ（ｎ−５）、Ｌ（ｎ＋２）およびＴＬ（ｎ＋３）によって、コイルが形成されているとき、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）、ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）からの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）、Ｃ−Ｌ（ｎ）はロウレベルであるため、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＣ−Ｌ（ｎ）における第２８スイッチ（Ｒ４１０）、（Ｒ４１１）および第３１スイッチ（Ｌ４１２）〜（Ｌ４１４）はオフ状態となるため、コイルは形成されない。

反対に、磁界タッチ検出において、駆動電極のグループＴＬＧ（ｎ）の領域が、ペンによってタッチされているか否かを検出し、グループＴＬＧ（ｎ−１）の領域はペンによるタッチを検出しない場合を述べると、次のようになる。

この場合には、磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）およびＣ−Ｌ（ｎ）がハイレベルとなり、磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）およびＣ−Ｌ（ｎ−１）はロウレベルとなる。ハイレベル磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）、Ｃ−Ｌ（ｎ）によって、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）、ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）において、第２８スイッチ（Ｒ４１２）〜（Ｒ４１４）および第３１スイッチ（Ｌ４１０）、（Ｌ４１１）がオン状態となる。これらの第２８スイッチおよび第３１スイッチがオン状態となることにより、グループＴＬＧ（ｎ）を挟むように、互いに平行に配置された駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ＋８）およびＴＬ（ｎ＋９）が、電圧配線ＬＶ３と信号配線ＬＬ４との間に直列的に接続される。これにより、電圧配線ＬＶ３と信号配線ＬＬ４との間に２回巻線のコイルが形成されることになる。

このとき、グループＴＬＧ（ｎ−１）を挟むように配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−６）、ＴＬ（ｎ−５）、ＴＬ（ｎ＋２）およびＴＬ（ｎ＋３）は、第２８スイッチＲ４１０、Ｒ４１１および第３１スイッチＬ４１２〜Ｌ４１４はオフ状態のため、電圧配線ＬＶ３と信号配線ＬＬ４との間に接続されない。その結果として、これらの駆動電極を巻線としたコイルは形成されない。

この実施の形態４においては、グループＴＬＧ（ｎ−１）において磁界を発生するとき、切換調整回路ＳＣ−Ｌに配置された電圧配線ＬＶ３と信号配線ＬＬ４が用いられる。すなわち、切換調整回路ＳＣ−Ｌに配置された電圧配線ＬＶ３と信号配線ＬＬ４との間に、コイルが接続される。切換調整回路ＳＣ−Ｌに配置された信号配線ＬＬ４へ、磁界発生期間のとき、コイルクロック信号ＣＣＬＫが供給される。また、磁界検出期間においては、切換調整回路ＳＣ−Ｌに配置された信号配線ＬＬ４における信号の変化が、センス信号ＳＹ（ｎ＋１）として出力される。

これに対して、グループＴＬＧ（ｎ−１）に隣接したグループＴＬＧ（ｎ）において磁界を発生するときには、切換調整回路ＳＣ−Ｒに配置された電圧配線ＬＶ３と信号配線ＬＬ４が用いられる。すなわち、切換調整回路ＳＣ−Ｒに配置された電圧配線ＬＶ３と信号配線ＬＬ４との間に、コイルが接続される。切換調整回路ＳＣ−Ｒに配置された信号配線ＬＬ４へ、磁界発生期間のとき、コイルクロック信号ＣＣＬＫが供給される。また、磁界検出期間においては、切換調整回路ＳＣ−Ｒに配置された信号配線ＬＬ４における信号の変化が、センス信号ＳＹ（ｎ）として出力される。

このように、実施の形態４においては、表示領域２の辺２−Ｒに沿って配置された切換調整回ＳＣ−Ｒと、辺２−Ｌに沿って配置された切換調整回路ＳＣ−Ｌとから、交互にセンサ信号ＳＹ（ｎ−１）、ＳＹ（ｎ）が出力される。また、信号配線ＬＬ４は、磁界タッチ検出のときには、磁界駆動信号として用いられるコイルクロック信号ＣＣＬＫを供給する信号配線として用いられ、電界タッチ検出のときには、電界駆動信号として用いられる制御信号ＴＳＶＣＯＭを供給する信号配線として用いられる。また、電圧配線ＬＶ３は、磁界タッチ検出のときには、接地電圧を供給する電圧配線として用いられ、表示期間においては、表示駆動信号を供給する電圧配線として用いられる。すなわち、電圧配線ＬＶ３および信号配線ＬＬ４は、磁界タッチ検出のときと、電界タッチ検出のときと、表示のときとで兼用される。これにより、表示領域２の辺に沿って配置される配線の本数の低減を図ることが可能となり、狭額縁化を図ることが可能となる。また、この実施の形態４においては、第２８スイッチおよび第３１スイッチの個数を低減することが可能である。

この実施の形態４においても、信号配線６３６０〜６３６５６、（６３６０）〜（６３６５）は、表示パネルの周辺領域において、第２配線層６０３の配線により形成される。そのため、これらの信号配線を形成するために、配線層を追加する必要がないため、製造コストの上昇を抑制することが可能となる。

この実施の形態４においても、電界タッチ検出のとき、電圧配線ＬＶ３および信号配線ＬＬ４のうちの一方の配線に、接地電圧Ｖｓを供給し、他方の配線に、接地電圧Ｖｓよりも高い電圧を供給するようにしてもよい。この場合、電界タッチ検出のとき、所望の駆動電極が、電圧配線ＬＶ３と信号配線ＬＬ４に交互に接続されるようにする。これによって、電界タッチ検出のとき、所望の駆動電極の電圧が、周期的に変化することになり、周期的な駆動信号が供給されているのと同様になる。すなわち、電界タッチ検出のとき、所望の駆動電極において、電界を発生することが可能となる。

（実施の形態５）
図２７および図２８は、実施の形態５に係わる液晶表示装置の選択制御回路および切換調整回路の構成を示す回路図である。図２７および図２８においても、図１９および図２０と同様に、図１３に示した駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−２）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｎ＋１）、ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−２）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｎ＋１）が示されている。また、これらの単位選択制御回路に対応する単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−２）〜ＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）、ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−２）〜ＵＳＣ−Ｌ（ｎ＋９）の構成が示されている。図２７および図２８の構成は、図２６および図２７に類似しているので、ここでは相違点を主に説明する。なお、図２７に示す符号Ｒ（−６）〜Ｒ（＋９）は、図１３の同じ符号の部分へ接続され、図２８に示す符号Ｒ（−６）〜Ｒ（＋９）は、図１３の同じ符号の部分へ接続される。

単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−２）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｎ＋１）およびＵＳＲ−Ｌ（ｎ−２）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｎ＋１）の構成は、図１９および図２０で示した単位選択制御回路と同じであるため、説明を省略する。

＜単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒの構成＞
図２７に示す単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）、ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）を代表として、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒの構成を説明する。単位調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）は、第３４スイッチＲ５１０、Ｒ５１１と、第３５スイッチＲ５２０〜Ｒ５２５と、第３６スイッチＲ５３０〜Ｒ５３５と、信号配線６３７０〜６３７３とを備えている。ここで、第３５スイッチＲ５２０〜Ｒ５２５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）に対応したグループＴＬＧ（ｎ−１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）と、電圧配線ＬＶ１との間に接続されている。また、第３６スイッチＲ５３０〜Ｒ５３５は、グループＴＬＧ（ｎ−１）内の駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）と、信号配線ＬＬ３との間に接続されている。第３５スイッチＲ５２０〜Ｒ５２５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）からの表示制御信号Ｄ−Ｒ（ｎ−１）によりスイッチ制御され、第３６スイッチＲ５３０〜Ｒ５３５は、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）からの電界制御信号Ｔ−Ｒ（ｎ−１）によりスイッチ制御される。

第３４スイッチＲ５１０は、グループＴＬＧ（ｎ−１）の隣に配置されたグループＴＬＧ（ｎ−２）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−６）と接続された信号配線６３７０と、グループＴＬＧ（ｎ−１）の隣に配置されたグループＴＬＧ（ｎ）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）に接続された信号配線６３７２との間に接続されている。また、第３４スイッチＲ５１１は、グループＴＬＧ（ｎ−２）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−５）に接続された信号配線６３７１と、グループＴＬＧ（ｎ）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）に接続された信号配線６３７３との間に接続されている。これらの第３４スイッチＲ５１０、Ｒ５１１のそれぞれは、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）からの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）によってスイッチ制御される。

また、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）は、第３４スイッチ（Ｒ５１２）〜（Ｒ５１４）と、第３５スイッチ（Ｒ５２０）〜（Ｒ５２５）と、第３６スイッチ（Ｒ５３０）〜（Ｒ５３５）と、信号配線（６３７４）、（６３７５）とを備えている。ここでは、第３５スイッチ（Ｒ５２０）〜（Ｒ５２５）は、第３５スイッチＲ５２０〜Ｒ５２５と同様に、グループＴＬＧ（ｎ）内に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）〜ＴＬ（ｎ＋７）と電圧配線ＬＶ１との間に接続され、表示制御信号Ｄ−Ｒ（ｎ）によってスイッチ制御される。また、第３６スイッチ（Ｒ５３０）〜（Ｒ５３５）は、第３６スイッチＲ５３０〜Ｒ５３５と同様に、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）〜ＴＬ（ｎ＋７）と信号配線ＬＬ３との間に接続され、電界制御信号Ｔ−Ｒ（ｎ）によってスイッチ制御される。

第３４スイッチ（Ｒ５１２）は、グループＴＬＧ（ｎ−１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）に接続された信号配線（６３７４）と、グループＴＬＧ（ｎ＋１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋８）に接続された信号配線（６３７５）との間に接続されている。また、第３４スイッチ（Ｒ５１３）は、グループＴＬＧ（ｎ−１）内の駆動電極ＴＬ（ｎ）と信号配線ＬＬ１との間に接続され、第３４スイッチ（Ｒ５１４）は、グループＴＬＧ（ｎ＋１）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋９）と信号配線ＬＬ３との間に接続されている。これらの第３４スイッチ（Ｒ５１２）〜（Ｒ５１４）は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）からの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）によってスイッチ制御される。

同図には、一方の端子が駆動電極に接続され、磁界制御信号によってスイッチ制御されるスイッチが、符号を付さずに示されている。これらの符号を付していないスイッチは、先に説明した第１０スイッチＲ１１４、Ｒ１１５と同じである。そのため、これらのスイッチについては、符号および説明を省略する。

切換調整回路ＳＣ−Ｒにおいては、上記した単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）の構成と同じ構成を有する単位切換調整回路と、上記した単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）の構成と同じ構成を有する単位切換調整回路とが、交互に設けられている。例えば、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−２）は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）と同じ構成を有し、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）と同じ構成を有している。

図２７においては、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−２）が有している第３４スイッチ〜第３６スイッチおよび信号配線については、（）符号の代わりに［］符号が付加されている。例えば、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−２）において、第３４スイッチ（Ｒ５１２）は、符号（）の代わりに、符号［］が付加され、［Ｒ５１２］として描かれている。同様に、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）が有している第３４スイッチ〜第３６スイッチおよび信号配線については、＜＞符号が付加されている。第３４スイッチＲ５１０、Ｒ５１１を例にすると、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）において、第３４スイッチＲ５１０、Ｒ５１１は、＜Ｒ５１０＞、＜Ｒ５１１＞として描かれている。

この実施の形態５において、単位選択制御回路（例えば、ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１））に対応する単位切換調整回路に含まれる第３４スイッチＲ５１０、Ｒ５１１は、この単位選択制御回路に対応するグループ（ＴＬＧ（ｎ−１））を、その間に挟むように配置された２個のグループ（ＴＬＧ（ｎ−２）とＴＬＧ（ｎ））内の所定の駆動電極間を、磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）に従って選択的に接続する。

＜単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌの構成＞
次に、図２８に示す単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）、ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）を代表として、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌの構成を説明する。単位調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）は、第３７スイッチＬ５１２〜Ｌ５１４と、第３８スイッチＬ５２０〜Ｌ５２５と、第３９スイッチＬ５３０〜Ｌ５３５と、信号配線６３７４、６３７５とを備えている。ここで、第３８スイッチＬ５２０〜Ｌ５２５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）に対応したグループＴＬＧ（ｎ−１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）と、電圧配線ＬＶ１との間に接続されている。また、第３９スイッチＬ５３０〜Ｌ５３５は、グループＴＬＧ（ｎ−１）内の駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）と、信号配線ＬＬ３との間に接続されている。第３８スイッチＬ５２０〜Ｌ５２５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）からの表示制御信号Ｄ−Ｌ（ｎ−１）によりスイッチ制御され、第３９スイッチＬ５３０〜Ｌ５３５は、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）からの電界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ−１）によりスイッチ制御される。

第３７スイッチＬ５１２は、グループＴＬＧ（ｎ−２）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−６）に接続された信号配線６３７４と、グループＴＬＧ（ｎ）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）に接続された信号配線６３７５との間に接続されている。また、第３７スイッチＬ５１３は、グループＴＬＧ（ｎ−２）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−６）と信号配線ＬＬ１との間に接続され、第３７スイッチＬ５１４は、グループＴＬＧ（ｎ）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）と信号配線ＬＬ３との間に接続されている。これらの第３７スイッチＬ５１２〜Ｌ５１４のそれぞれは、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）からの磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）によってスイッチ制御される。

また、単位調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）は、第３７スイッチ（Ｌ５１０）、（Ｌ５１１）と、第３８スイッチ（Ｌ５２０）〜（Ｌ５２５）と、第３９スイッチ（Ｌ５３０）〜（Ｌ５３５）と、信号配線（６３７０）〜（６３７３）とを備えている。ここで、第３８スイッチ（Ｌ５２０）〜（Ｌ５２５）は、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）に対応したグループＴＬＧ（ｎ）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）〜ＴＬ（ｎ＋７）と、電圧配線ＬＶ１との間に接続されている。また、第３９スイッチ（Ｌ５３０）〜（Ｌ５３５）は、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）〜ＴＬ（ｎ＋７）と、信号配線ＬＬ３との間に接続されている。第３８スイッチ（Ｌ５２０）〜（Ｌ５２５）は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）からの表示制御信号Ｄ−Ｌ（ｎ）によりスイッチ制御され、第３８スイッチ（Ｌ５３０）〜（Ｌ５３５）は、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）からの電界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ）によりスイッチ制御される。

第３７スイッチ（Ｌ５１０）は、グループＴＬＧ（ｎ）の隣に配置されたグループＴＬＧ（ｎ−１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ）と接続された信号配線（６３７０）と、グループＴＬＧ（ｎ）の隣に配置されたグループＴＬＧ（ｎ＋１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋８）に接続された信号配線（６３７２）との間に接続されている。また、第３７スイッチ（Ｌ５１１）は、グループＴＬＧ（ｎ−１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）に接続された信号配線（６３７１）と、グループＴＬＧ（ｎ＋１）に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋９）に接続された信号配線（６３７３）との間に接続されている。これらの第３７スイッチ（Ｌ５１０）、（Ｌ５１１）のそれぞれは、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）からの磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ）によってスイッチ制御される。

切換調整回路ＳＣ−Ｌも、上記した切換調整回路ＳＣ−Ｒと同様に、上記した単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）の構成と同じ構成を有する単位切換調整回路と、上記した単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）の構成と同じ構成を有する単位切換調整回路とが、交互に設けられている。例えば、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−２）は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）と同じ構成を有し、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ＋１）は、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）と同じ構成を有している。

図２８においては、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−２）が有している第３７スイッチ〜第３９スイッチおよび信号配線については、（）符号の代わりに［］符号が付加されている。例えば、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−２）において、第３７スイッチ（Ｌ５１０）、（Ｌ５１１）は、符号（）の代わりに、符号［］が付加され、［Ｌ５１０］、［Ｌ５１１］として描かれている。同様に、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ＋１）が有している第３７スイッチ〜第３９スイッチおよび信号配線については、＜＞符号が付加されている。第３７スイッチＬ５１２を例にすると、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ＋１）において、第３７スイッチＬ５１２は、＜Ｌ５１２＞として描かれている。

上記した単位切換調整回路ＵＳＣ−ＲおよびＵＳＣ−Ｒの説明から理解されるように、接続される駆動電極と制御信号を除いて、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）の構成と単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）の構成は、同じであり、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）の構成と単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ＋１）の構成は、同じである。磁界タッチ検出のときには、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）と単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ＋１）とが組として動作し、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）と単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）とが組として動作することにより、コイルが形成される。

＜磁界タッチ検出＞
次に、図２７および図２８を参照して、磁界タッチ検出が指定されたときの動作を説明する。この実施の形態５においては、切換調整回路ＳＣ−ＲおよびＳＣ−Ｌのそれぞれに、実施の形態３で示したのと同様に、電圧配線ＬＶ１および信号配線ＬＬ１、ＬＬ３が設けられている。実施の形態３で述べたのと同様に、この実施の形態５においても、制御回路Ｄ−ＣＮＴ（図７）は、信号配線ＬＬ３へ供給する信号を、磁界タッチ検出のときと、電界タッチ検出のときとで変更する。すなわち、磁界タッチ検出のとき、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、信号配線ＬＬ３へ接地電圧を供給し、電界タッチ検出のときには、制御信号ＴＳＶＣＯＭを、信号配線ＬＬ３へ供給する。また、磁界タッチ検出の磁界発生期間のときに、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、周期的に変化するコイルクロック信号ＣＣＬＫを、信号配線ＬＬ１へ供給する。なお、電圧配線ＬＶ１には、表示駆動信号の電圧が供給される。

信号配線ＬＬ３へ制御信号ＴＳＶＣＯＭが供給された状態で、電界タッチ検出が行われる。電界タッチ検出および表示期間の動作は、図１９および図２０を用いて説明した動作と同じである。

ここでも、磁界タッチ検出において、駆動電極のグループＴＬＧ（ｎ−１）の領域が、ペンによってタッチされているか否かを検出し、グループＴＬＧ（ｎ）の領域はペンによるタッチを検出しない場合を例として説明する。

グループＴＬＧ（ｎ−１）の領域においてペンのタッチを検出するために、このグループＴＬＧ（ｎ−１）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）およびＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）は、ハイレベルの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）およびＣ−Ｌ（ｎ−１）を出力する。これに対して、グループＴＬＧ（ｎ）の領域においてペンのタッチを検出しないため、このグループＴＬＧ（ｎ）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＲ−Ｌ（ｎ）は、ロウレベルの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）およびＣ−Ｌ（ｎ）を出力する。また、磁界タッチ検出が指定されているため、電界制御信号Ｔ−Ｒ（ｎ−１）、Ｔ−Ｒ（ｎ）、Ｔ−Ｒ（ｎ−１）、Ｔ−Ｒ（ｎ）およびＴ−Ｌ（ｎ−１）、Ｔ−Ｌ（ｎ）、Ｔ−Ｌ（ｎ−１）、Ｔ−Ｌ（ｎ）はロウレベルとなる。同様に、表示制御信号Ｄ−Ｒ（ｎ−１）、Ｄ−Ｒ（ｎ）、Ｄ−Ｒ（ｎ−１）、Ｄ−Ｒ（ｎ）およびＤ−Ｌ（ｎ−１）、Ｄ−Ｌ（ｎ）、Ｄ−Ｌ（ｎ−１）、Ｄ−Ｌ（ｎ）もロウレベルとなる。

磁界タッチ検出であって、磁界発生期間のときには、制御回路Ｄ−ＣＮＴが、周期的に変化するコイルクロック信号ＣＣＬＫを信号配線ＬＬ１へ供給する。また、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、磁界タッチ検出のとき、信号配線ＬＬ３に接地電圧を供給する。

磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）がハイレベルとなることにより、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）において、第３４スイッチＲ５１０、Ｒ５１１がオン状態となる。これにより、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）において、グループＴＬＧ（ｎ−２）内の駆動電極ＴＬ（ｎ−６）は、第３４スイッチＲ５１０および信号配線６３７０、６３７２を介して、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）に接続される。また、グループＴＬＧ（ｎ−２）内の駆動電極ＴＬ（ｎ−５）は、第３４スイッチＲ５１１および信号配線６３７１、６３７３を介して、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）に接続される。

一方、磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）がハイレベルとなることにより、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）において、第３７スイッチＬ５１２〜Ｌ５１４がオン状態となる。これにより、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）において、グループＴＬＧ（ｎ−２）内の駆動電極ＴＬ（ｎ−５）は、第３７スイッチＬ５１２および信号配線６３７４、６３７５を介して、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）に接続される。このとき、グループＴＬＧ（ｎ−２）内の駆動電極ＴＬ（ｎ−５）は、第３７スイッチＬ５１３を介して、信号配線ＬＬ１に接続され、グループＴＬＧ（ｎ）内の駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）は、第３７スイッチＬ５１４を介して、信号配線ＬＬ３に接続される。

これにより、グループＴＬＧ（ｎ−１）の領域を挟んで、互いに平行に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−６）、ＴＬ（ｎ−５）、ＴＬ（ｎ＋２）およびＴＬ（ｎ＋３）は、信号配線ＬＬ１と信号配線ＬＬ３との間に直列的に接続されることになる。すなわち、これらの駆動電極を巻線とした２回巻のコイルＹ（ｎ−１）（図４）が、信号配線ＬＬ１と信号配線ＬＬ３との間に接続されることになる。

磁界発生期間においては、信号配線ＬＬ３に接地電圧が供給され、信号配線ＬＬ１にコイルクロック信号ＣＣＬＫが供給されるため、コイルクロック信号ＣＣＬＫに従って変化する磁界が、駆動電極を巻線としたコイルにおいて発生する。ペンがグループＴＬＧ（ｎ−１）の領域の近傍に存在していれば、コイルで発生した磁界エネルギーによって、ペン内の容量素子が充電される。ペン内の容量素子に充電されたエネルギーにより、磁界検出期間のとき、ペン内コイルが磁界を発生する。ペンからの磁界エネルギーによって、信号配線ＬＬ１の信号が変化する。この変化が、センス信号ＳＹ（ｎ−１）として出力される。

駆動電極（ｎ−６）、ＴＬ（ｎ−５）、ＴＬ（ｎ＋２）およびＴＬ（ｎ＋３）によって、コイルが形成されているとき、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）、ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）からの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）、Ｃ−Ｌ（ｎ）はロウレベルであるため、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＣ−Ｌ（ｎ）における第３４スイッチ（Ｒ５１０）、（Ｒ５１１）および第３７スイッチ（Ｌ５１２）〜（Ｌ５１４）はオフ状態となるため、コイルは形成されない。

反対に、磁界タッチ検出において、駆動電極のグループＴＬＧ（ｎ）の領域が、ペンによってタッチされているか否かを検出し、グループＴＬＧ（ｎ−１）の領域はペンによるタッチを検出しない場合を述べると、次のようになる。

この場合には、磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）およびＣ−Ｌ（ｎ）がハイレベルとなり、磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）およびＣ−Ｌ（ｎ−１）はロウレベルとなる。ハイレベルの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）、Ｃ−Ｌ（ｎ）によって、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）、ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）において、第３４スイッチ（Ｒ５１２）〜（Ｒ５１４）および第３７スイッチ（Ｌ５１０）、（Ｌ５１１）がオン状態となる。これらの第３４スイッチおよび第３７スイッチがオン状態となることにより、グループＴＬＧ（ｎ）を挟むように、互いに平行に配置された駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ＋８）およびＴＬ（ｎ＋９）が、信号配線ＬＬ３と信号配線ＬＬ１との間に直列的に接続される。これにより、信号配線ＬＬ３と信号配線ＬＬ１との間に２回巻線のコイルＹ（ｎ）（図４）が形成されることになる。

このとき、グループＴＬＧ（ｎ−１）を挟むように配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−６）、ＴＬ（ｎ−５）、ＴＬ（ｎ＋２）およびＴＬ（ｎ＋３）は、第３４スイッチＲ５１０、Ｒ５１１および第３７スイッチＬ５１２〜Ｌ５１４はオフ状態のため、信号配線ＬＬ１と信号配線ＬＶ４との間に接続されない。その結果として、これらの駆動電極を巻線としたコイルは形成されない。

この実施の形態５においては、グループＴＬＧ（ｎ−１）において磁界を発生するとき、切換調整回路ＳＣ−Ｌに配置された信号配線ＬＬ３と信号配線ＬＬ１が用いられる。すなわち、切換調整回路ＳＣ−Ｌに配置された信号配線ＬＬ１と信号配線ＬＬ３との間に、コイルが接続される。切換調整回路ＳＣ−Ｌに配置された信号配線ＬＬ３へ、磁界発生期間のとき、コイルクロック信号ＣＣＬＫが供給される。また、磁界検出期間においては、切換調整回路ＳＣ−Ｌに配置された信号配線ＬＬ３における信号の変化が、センス信号ＳＹ（ｎ＋１）として出力される。

これに対して、グループＴＬＧ（ｎ−１）に隣接したグループＴＬＧ（ｎ）において磁界を発生するときには、切換調整回路ＳＣ−Ｒに配置された信号配線ＬＬ１と信号配線ＬＬ３が用いられる。すなわち、切換調整回路ＳＣ−Ｌに配置された信号配線ＬＬ１と信号配線ＬＬ３との間に、コイルが接続される。切換調整回路ＳＣ−Ｌに配置された信号配線ＬＬ３へ、磁界発生期間のとき、コイルクロック信号ＣＣＬＫが供給される。また、磁界検出期間においては、切換調整回路ＳＣ−Ｌに配置された信号配線ＬＬ３における信号の変化が、センス信号ＳＹ（ｎ）として出力される。

このように、実施の形態５においては、表示領域２の辺２−Ｒに沿って配置された切換調整回ＳＣ−Ｒと、辺２−Ｌに沿って配置された切換調整回路ＳＣ−Ｌとから、交互にセンス信号ＳＹ（ｎ−１）、ＳＹ（ｎ）が出力される。また、信号配線ＬＬ３は、磁界タッチ検出のときには、接地電圧を供給する電圧配線として用いられ、電界タッチ検出のときには、電界駆動信号として用いられる制御信号ＴＳＶＣＯＭを供給する信号配線として用いられる。すなわち、信号配線ＬＬ３は、磁界タッチ検出のときと、電界タッチ検出のときとで兼用される。これにより、表示領域２の辺に沿って配置される配線の本数の低減を図ることが可能となり、狭額縁化を図ることが可能となる。また、この実施の形態５においては、第２８スイッチおよび第３１スイッチの個数を低減することが可能である。

この実施の形態５においても、信号配線６３７０〜６３７４、（６３７０）〜（６３７５）、［６３７０］〜［６３７５］および＜６３７０＞〜＜６３７５＞は、表示パネルの周辺領域において、第２配線層６０３の配線により形成される。そのため、これらの信号配線を形成するために、配線層を追加する必要がないため、製造コストの上昇を抑制することが可能となる。

この実施の形態においても、電界タッチ検出のとき、電圧配線ＬＶ１および信号配線ＬＬ３のうちの一方の配線に、接地電圧Ｖｓを供給し、他方の配線に、接地電圧Ｖｓよりも高い電圧を供給するようにしてもよい。この場合、電界タッチ検出のとき、所望の駆動電極が、電圧配線ＬＶ１と信号配線ＬＬ３に交互に接続されるようにする。これによって、電界タッチ検出のとき、所望の駆動電極の電圧が、周期的に変化することになり、周期的な駆動信号が供給されているのと同様になる。すなわち、電界タッチ検出のとき、所望の駆動電極において、電界を発生することが可能となる。

以上、実施の形態２〜５のそれぞれで説明した構成は、実施の形態１で説明した、切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌおよび選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌに適用することができる。すなわち、図７〜図１８を用いて説明した切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌおよび選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌとして、図１９および図２０で説明した切換調整回路および選択制御回路の代わりに、図２１〜図２８を用いて説明した切換調整回路および選択制御回路を用いることができる。

（実施の形態６）
図２９は、実施の形態６に係わる液晶表示装置の動作を示すタイミング図である。ここでは、実施の形態５で説明した切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌおよび選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌを実施の形態１で説明した液晶表示装置に適用した場合を例として説明する。すなわち、図２７および図２８に示した切換調整回路および選択調整回路が、図７、図１７および図１８に示した切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌおよび選択調整回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌとして用いられている場合を説明する。

図２９において、横軸は時間を示している。図２９（Ａ）は、周期的に発生するフレーム信号を示しており、液晶表示装置は、例えば１画面分の表示を、フレーム信号によって定められた１フレーム期間Ｆにおいて行う。この実施の形態６においては、図７に示した制御回路Ｄ−ＣＮＴは、１フレーム期間Ｆにおいて、複数の表示期間と複数のタッチ検出期間とが、交互に発生するように制御する。図２９（Ｂ）〜図２９（Ｇ）は、複数のフレーム期間Ｆのうち、１フレーム期間Ｆ内でのタイミングを示している。すなわち、図２９（Ｂ）〜図２９（Ｇ）に示すタイミングが、複数のフレーム期間Ｆのそれぞれにおいて発生する。

ここで、図２９（Ｂ）は、１フレーム期間Ｆにおいて発生する表示期間と、タッチ検出期間とを模式的に示している。図２９（Ｃ）は、信号線セレクタ３（図７）に供給する選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２の波形を示している。図２９（Ｄ）は、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮの波形を示している。また、図２９（Ｅ）、図２９（Ｆ）は、選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌからの選択信号のうち、選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ−１）、Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ）の波形を示しており、図２９（Ｇ）は、コイルクロック信号ＣＣＬＫの波形を示している。

制御回路Ｄ−ＣＮＴは、図２９（Ｂ）に示すように、それぞれのフレーム期間Ｆにおいて、表示期間ＤＩＳＰ１（ＤＩＳＰ２）とタッチ検出期間ＳＥＮ１（ＳＥＮ２）とが、時系列的に交互に発生するように制御する。図２９は、タッチ検出のうち、磁界タッチ検出が指定されている場合が示されている。

すなわち、表示期間ＤＩＳＰ１（ＤＩＳＰ２）においては、画像信号Ｓｎが信号線ドライバＤ−ＤＲＶ（図７）から信号線セレクタ３へ供給され、選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２が交互にハイレベルにされることにより、画像信号が適切な信号線に供給されるようにする。なお、図２９（Ｃ）では、選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２が変化していることを示すために、選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２を１個の波形で示している。また、表示期間ＤＩＳＰ１（ＤＩＳＰ２）においては、切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌから、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に対して、表示用の駆動信号が供給されるように、切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌおよび選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌを制御する。さらに、ゲートドライバ５（図７）から適切な走査信号が走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）へ供給されるように、ゲートドライバ５を制御する。これにより、表示領域２（図７）においては、表示期間ＤＩＳＰ１（ＤＩＳＰ２）のとき、画像信号Ｓｎに応じた表示が行われる。

図２９（Ｄ）に示すように、タッチ検出期間ＳＥＮ１（ＳＥＮ２）において、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮをハイレベルにする。これにより、選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌは、例えば、選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（０）〜Ｙ−Ｏｕｔ（ｐ）の順にハイレベルにする。図２９においては、タッチ検出期間ＳＥＮ１のとき、選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ−１）がハイレベルになり、次のタッチ検出期間ＳＥＮ２において、選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ）がハイレベルになっている状態が示されている。ここで、選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（０）〜Ｙ−Ｏｕｔ（ｐ）と、磁界制御信号Ｃ−Ｒ（０）〜Ｃ−Ｒ（ｐ）、Ｃ−Ｌ（０）〜Ｃ−Ｌ（ｐ）との関係を述べておくと、選択信号Ｙ−Ｏｕｔと磁界制御信号Ｃ−Ｒ、Ｃ−Ｌとは、１対１に対応している。すなわち、選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ−１）がハイレベルになるとは、磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）、Ｃ−Ｌ（ｎ−１）がハイレベルになることを意味し、選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ）がハイレベルになるとは、磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）、Ｃ−Ｌ（ｎ）がハイレベルになることを意味している。

タッチ検出期間ＳＥＮ１（ＳＥＮ２）は、磁界を発生する磁界発生期間ＴＣＧと、磁界発生期間ＴＣＧに続く磁界検出期間ＴＤＴとを備えている。この場合、磁界発生期間ＴＣＧにおいては、コイルにより磁界が発生し、ペンへ磁界エネルギーが供給される。磁界検出期間ＴＤＴにおいては、ペンが発生する磁界が検出される。制御回路Ｄ−ＣＮＴは、磁界発生期間ＴＣＧのとき、コイルクロック信号ＣＣＬＫを信号配線ＬＬ１へ供給し、磁界検出期間ＴＤＴのとき、コイルクロック信号ＣＣＬＫの供給を停止して、信号配線ＬＬ１をハイインピーダンス状態（Ｈｉ−Ｚ）にする。

選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ−１）、すなわち磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）、Ｃ−Ｌ（ｎ−１）が、ハイレベルとなることにより、図２７および図２８で説明したように、駆動電極を巻線としたコイルＹ（ｎ−１）が形成される。磁界発生期間ＴＣＧにおいては、信号配線ＬＬ１を介してコイルクロック信号ＣＣＬＫが、コイルＹ（ｎ−１）に供給されることになる。その結果、コイルＹ（ｎ−１）によって、グループＴＬＧ（ｎ−１）の領域に、コイルクロック信号ＣＣＬＫの変化に従った磁界が発生する。また、磁界検出期間ＴＤＴにおいては、信号配線ＬＬ１における信号変化が、タッチ用半導体装置６へ伝達されることになる。これにより、図２において説明したように、グループＴＬＧ（ｎ−１）の近傍が、ペンによってタッチされているか否か等の検出を行うことが可能となる。

次に、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮをロウレベルにして、表示動作を、表示期間ＤＩＳＰ２において行う。表示期間ＤＩＳＰ２のあとで、再び、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮをハイレベルにする。

この磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮのハイレベルへの変化に同期して、選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌは、選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ）、すなわち磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）、Ｃ−Ｌ（ｎ）をハイレベルにする。選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ）がハイレベルとなっているタッチ検出期間ＳＥＮ２であって、磁界発生期間ＴＣＧのとき、制御回路Ｄ−ＣＮＴから、信号配線ＬＬ１にコイルクロック信号ＣＣＬＫが供給される。また、磁界検出期間ＴＤＴにおいては、信号配線ＬＬ１がハイインピーダンス状態となるように、制御回路Ｄ−ＣＮＴはコイルクロック信号ＣＣＬＫの供給を停止する。これにより、図２７および図２８で述べたように、コイルＹ（ｎ）が形成され、磁界発生期間ＴＣＧにおいては、コイルクロック信号ＣＣＬＫに従った磁界を発生し、磁界検出期間ＴＤＴにおいては、磁界の有無および／または強弱に従った変化を、信号配線ＬＬ１を介して、タッチ用半導体装置６へ伝達する。これにより、グループＴＬＧ（ｎ）の領域の近傍が、ペンによってタッチされているか否か等の検出が可能となる。

図２７および図２８では、選択信号（磁界制御信号）がハイレベルとなっている第３４スイッチおよび第３７スイッチがオン状態となり、それ以外の第３４スイッチ、第３７スイッチおよび第３５スイッチ、第３６スイッチ、第３８スイッチ、第３９スイッチはオフ状態となる。そのため、コイルを形成する駆動電極を除いた駆動電極は、フローティングとなり、ハイインピーダンス状態となる。

また、この実施の形態６においては、制御回路Ｄ−ＣＮＴから、ゲートドライバ５および信号線駆動回路Ｄ−ＤＲＶへハイインピーダンス制御信号ＨＺ−ＣＴが供給されている。制御回路Ｄ−ＣＮＴは、磁界タッチ検出を指定するとき、ハイインピーダンス制御信号ＨＺ−ＣＴによって、ゲートドライバ５および信号線駆動回路Ｄ−ＤＲＶのそれぞれの出力が、ハイインピーダンス状態となるように制御する。これにより、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）および走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）は、磁界タッチ検出のとき、フローティングとなり、ハイインピーダンス状態となる。その結果として、コイルを形成しない駆動電極、信号線および走査線の全てがハイインピーダンス状態となる。これにより、コイルをコイルクロック信号ＣＣＬＫで駆動するときに、充電する寄生容量を低減することが可能となり、磁界発生期間の短縮化、磁界検出の精度向上を図ることが可能となる。

実施の形態５で述べた切換調整回路および選択制御回路を、図７、図１７および図１８に示した切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌおよび選択調整回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌとして用いた場合を例として説明したが、他の実施の形態で述べた切換調整回路および選択制御回路を、図７、図１７および図１８に示した切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌおよび選択調整回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌとして用いてもよいことは言うまでもない。

（実施の形態７）
図３０は、実施の形態７に係わる液晶表示装置の動作を示すタイミング図である。ここでも、実施の形態５で述べた切換調整回路および選択制御回路を、図７、図１７および図１８に示した切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌおよび選択調整回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌとして用いた場合の液晶表示装置を例として説明する。

図３０に示すタイミング図は、図２９に示したタイミングと図と類似しているので、ここでは、主に相違点のみを説明する。図３０の横軸は、時間を示している。また、図３０（Ａ）〜（Ｄ）は、図２９（Ａ）〜（Ｄ）と同じであり、図３０（Ｈ）は、図２９（Ｇ）と同じである。図３０（Ｅ）〜図３０（Ｇ）は、図２９（Ｅ）および（Ｆ）と同様に、選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌから出力される選択信号（磁界制御信号）のタイミングを示している。

実施の形態６においては、ペンによるタッチを検出する領域（グループＴＬＧの領域）に対応した選択制御回路からの選択信号（磁界制御信号）がハイレベルになり、タッチ検出期間ＳＥＮの間ハイレベルに維持されていた。このとき、タッチを検出しない領域（グループＴＬＧの領域）に対応した選択制御回路からの選択信号（磁界制御信号）はロウレベルとなっていた。これに対して、実施の形態７においては、例えば所定のタッチ検出のとき、複数の選択信号がハイレベルとなるように、選択制御回路が制御回路Ｄ−ＣＮＴ（図７）によって制御される。

例えば、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、磁界タッチ検出が指示された場合、最初のタッチ検出期間ＳＥＮのとき、選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌのそれぞれから、ハイレベルの選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（０）〜Ｙ−Ｏｕｔ（ｐ）を出力するように、選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌを制御する。これにより、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）によって、全てのコイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）が形成されることになる。この状態で、最初のタッチ検出期間ＳＥＮであって、磁界発生期間ＴＣＧのときには、全てのコイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）に、信号配線ＬＬ１を介してコイルクロック信号ＣＣＬＫが供給されることになる。これにより、全てのコイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）において、磁界が発生する。最初のタッチ検出期間ＳＥＮであって、磁界検出期間ＴＤＴのときにも、信号配線ＬＬ１が、全てのコイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）に接続されるように、最初のタッチ検出期間ＳＥＮのときには、選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（０）〜Ｙ−Ｏｕｔ（ｐ）のハイレベルを維持させる。

最初のタッチ検出期間ＳＥＮにおいて、ペンが表示領域２の近傍をタッチしていれば、磁界発生期間ＴＣＧのときに、いずれかのコイルで発生している磁界エネルギーが、ペンに与えられ、磁気エネルギーがペンに蓄えられることになる。磁界発生期間ＴＣＧに続く磁界検出期間のときには、ペンに蓄えられた磁気エネルギーに基づいて、ペンから磁界が発生し、いずれかのコイルに磁気エネルギーが与えられることになる。これにより、信号配線ＬＬ１において信号の変化が発生する。この信号の変化が、タッチ用半導体装置６に伝えられる。タッチ検出用半導体装置は、信号が変化をしたか否に基づいて、ペンがタッチしたか否かを表す制御信号ＳＷ（図７）を、制御回路Ｄ−ＣＮＴへ供給する。

制御回路Ｄ−ＣＮＴは、制御信号ＳＷが、ペンがタッチされたことを表している場合、例えば、次のタッチ検出期間ＳＥＮにおいて、コイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）のうちの所定のコイルが、形成されるように、選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌを制御する。形成された所定のコイルに対しては、磁界発生期間ＴＣＧにおいて、信号配線ＬＬ１を介して、コイルクロック信号ＣＣＬＫが供給され、磁界検出期間ＴＤＴにおいては、信号線ＬＬ１における信号の変化が検出される。以降、順次、形成するコイルが代わるように、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌを制御する。これにより、表示領域２のいずれかの領域にペンがタッチされていれば、その領域を抽出することが可能となる。一方、最初のタッチ検出期間ＳＥＮにおいて、タッチが検出されなかった場合には、磁界タッチ検出の動作を実施しないようにする。これにより、消費電力の低減等を図ることが可能となる。

図３０においては、図面が複雑になるのを避け、さらに図２９との整合性を図るために、表示領域２に形成されるコイルが、コイルＹ（ｎ−１）〜Ｙ（ｐ）である場合を示している。図３０に示した例を基にして、この実施の形態７を詳しく説明する。なお、図３０においても、選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ−１）は、磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）、Ｃ−Ｌ（ｎ−１）に対応し、選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ）は、磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）、Ｃ−Ｌ（ｎ）に対応し、選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ＋１）は、磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ＋１）、Ｃ−Ｌ（ｎ＋１）に対応する。

図３０において、タッチ検出期間ＳＥＮ１が、最初のタッチ検出期間であるとする。最初のタッチ検出期間ＳＥＮ１においては、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌに対して、選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ−１）〜Ｙ−Ｏｕｔ（ｐ）をハイレベルにするように、制御する。これにより、図２７および図２８において述べたように、コイルＹ（ｎ−１）、Ｙ（ｎ）が形成される。同様にして、コイルＹ（ｎ＋１）〜Ｙ（ｐ）も形成される。形成されたコイルＹ（ｎ−１）〜Ｙ（ｐ）のそれぞれには、磁界発生期間ＴＣＧのとき、信号配線ＬＬ１を介して、コイルクロック信号ＣＣＬＫが供給される。その結果、最初のタッチ検出期間ＳＥＮ１であって、磁界発生期間ＴＣＧのときには、コイルＹ（ｎ−１）〜Ｙ（ｐ）のそれぞれが、コイルクロック信号ＣＣＬＫに従って変化する磁界を発生する。

最初のタッチ検出期間ＳＥＮ１であって、磁界検出期間ＴＤＴにおいては、選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ−１）〜Ｙ−Ｏｕｔ（ｐ）がハイレベルに維持されているため、コイルＹ（ｎ−１）〜Ｙ（ｐ）のそれぞれは、信号配線ＬＬ１に接続された状態となっている。これにより、いずれかのコイルに、ペンから磁界エネルギーが与えられると、信号配線ＬＬ１において信号の変化が生じる。この信号の変化が、タッチ用半導体装置６に伝えられる。タッチ用半導体装置６は、伝えられた信号の変化から、表示領域２がペンによってタッチされているか否かを判定し、タッチの有無を示す制御信号ＳＷ（図７）を制御回路Ｄ−ＣＮＴへ供給する。

制御回路Ｄ−ＣＮＴは、最初のタッチ検出期間ＳＥＮ１のあと、表示動作を表示期間ＤＩＳＰ２において行う。その後、再び、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮをハイレベルにする。これにより、次のタッチ検出期間ＳＥＮ２が開始する。次のタッチ検出期間ＳＥＮ２においては、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ−１）をハイレベルにし、残りの選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ）〜Ｙ−Ｏｕｔ（ｐ）をロウレベルに維持するように、選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌを制御する。これにより、図２７および図２８で説明したように、コイルＹ（ｎ−１）が形成され、磁界発生期間ＴＣＧにおいて磁界を発生し、磁界検出期間ＴＤＴにおいては、磁界の検出が行われる。

以降、タッチ検出期間になる毎に、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、選択信号Ｙ−Ｏｕｔ（ｎ）からＹ−Ｏｕｔ（ｐ）の順に、選択信号がハイレベルとなるように、選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌを制御する。

この実施の形態７においては、最初のタッチ検出期間ＳＥＮ１のとき、全てのコイル（図３０では、Ｙ（ｎ−１）〜Ｙ（ｐ））を形成し、タッチ検出期間ＳＥＮ１の磁界発生期間ＴＣＧのとき、それぞれのコイルにコイルクロック信号ＣＣＬＫを供給する。これにより、表示領域２の全面において磁界が発生する（全面磁界発生）。そのため、タッチ検出期間ＳＥＮ１の磁界検出期間ＴＤＴにおいて、信号配線ＬＬ１における信号の変化を検出することにより、表示領域２のいずれかの領域が、ペンによってタッチされているか否かの検出を行うことが可能となる。タッチ検出期間ＳＥＮ１において、表示領域２のいずれかの領域がタッチされていると検出された場合、以降のタッチ検出期間ＳＥＮ２において、順次コイルを形成し、以降のタッチ検出期間において、いずれの領域がタッチされているかの検出が行われることになる。また、最初のタッチ検出期間ＳＥＮ１において、タッチが検出されない場合は、磁界タッチ検出の動作は、停止される。これにより、低消費電力化を図ることが可能となる。

また、最初のタッチ検出期間ＳＥＮ１の磁界発生期間ＴＣＧにおいては、表示領域２の全面で磁界を発生させるため、強い磁界を発生することが可能となり、ペンへの磁界エネルギーを高くすることが可能となり、検出精度の向上を図ることも可能となる。

なお、図２７および図２８においては、磁界タッチ検出のとき、複数のコイルが、信号配線ＬＬ１に接続されるが、複数のコイルのそれぞれに対応した信号配線を設けるようにしてもよい。また、実施の形態５で述べた切換調整回路および選択制御回路を、図７、図１７および図１８に示した切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌおよび選択調整回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌとして用いた場合を例として説明したが、他の実施の形態で述べた切換調整回路および選択制御回路を、図７、図１７および図１８に示した切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌおよび選択調整回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌとして用いてもよいことは言うまでもない。

（実施の形態８）
図３１は、実施の形態８に係わる液晶表示装置の動作を示すタイミング図である。ここでも、実施の形態５で述べた切換調整回路および選択制御回路を、図７、図１７および図１８に示した切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌおよび選択調整回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌとして用いた場合の液晶表示装置を例として説明する。勿論、これに限定されるものではなく、実施の形態１または実施の形態２〜４で述べた切換調整回路および選択制御回路を、図７、図１７および図１８に示した切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌおよび選択調整回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌとして用いた場合の液晶表示装置であってもよい。

図３１において、横軸は時間を示している。図３１（Ａ）は、フレーム期間Ｆを示すフレーム信号である。図３１（Ｂ）は、フレーム期間Ｆにおいて交互に発生する表示期間ＤＩＳＰとタッチ検出期間ＳＥＮとを、模式的に示している。図３１（Ｂ）においては、時間的に順番に発生する表示期間が、ＤＩＳＰ１からＤＩＳＰ４として示され、同様に順番に発生するタッチ検出期間が、ＳＥＮ１からＳＥＮ４として示されている。図３１（Ｃ）は、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮの波形を示しており、図３１（Ｄ）は、電界イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮの波形を示している。

図７に示すように、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮと電界イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮを形成する。この実施の形態８では、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、タッチ用半導体装置６からの制御信号ＳＷに従って、１フレーム期間Ｆの間で、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮまたは電界タッチイネーブル信号ＴＸ＿ＥＮをハイレベルにする。すなわち、最初のタッチ検出期間ＳＥＮ１において検出された結果に従って、次のタッチ検出期間ＳＥＮ２〜ＳＥＮ４のときに、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮまたは電界イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮをハイレベルにする。なお、表示期間ＤＩＳＰ１〜ＤＩＳＰ４は、実施の形態６および７で述べた表示期間ＤＩＳＰ１およびＤＩＳＰ２と同じであるため、説明は省略する。

先ず、最初のタッチ検出期間ＳＥＮ１のとき、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮをハイレベルにし、電界イネーブル新語ＴＸ＿ＥＮをロウレベルにする。また、タッチ検出期間ＳＥＮ１において、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、横方向（行方向）に円延在し、縦方向（列方向）に平行に配置される全てのコイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）が、形成されるように、選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｃを制御する。すなわち、図２７および図２８で説明した磁界制御信号Ｃ−Ｒ（０）〜Ｃ−Ｒ（ｐ）およびＣ−Ｌ（０）〜Ｃ−Ｌ（ｐ）のそれぞれが、ハイレベルとなり、電界制御信号Ｔ−Ｒ（０）〜Ｔ−Ｒ（ｐ）およびＴ−Ｌ（０）〜Ｔ−Ｌ（ｐ）のそれぞれが、ロウレベルとなるように、選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌを制御する。また、表示制御信号Ｄ−Ｒ（０）〜Ｄ−Ｒ（ｐ）およびＤ−Ｌ（０）〜Ｄ−Ｌ（ｐ）のそれぞれが、ロウレベルとなるように、選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌを制御する。

これにより、タッチ検出期間ＳＥＮ１においては、コイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）のそれぞれが、信号配線ＬＬ１に接続されることになる。タッチ検出期間ＳＥＮ１において、磁界発生期間ＴＣＧのとき、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、コイルクロック信号ＣＣＬＫを、信号配線ＬＬ１に供給する。その結果、コイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）のそれぞれは、コイルクロック信号ＣＣＬＫの変化に従って、磁界を発生する。すなわち、タッチ検出期間ＳＥＮ１の磁界発生期間ＴＣＧにおいては、表示領域２の全面で磁界が発生する（全面磁界発生）。

タッチ検出期間ＳＥＮ１においては、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌが、磁界検出期間ＴＤＴにおいても、ハイレベルの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（０）〜Ｃ−Ｒ（ｐ）およびＣ−Ｌ（０）〜Ｃ−Ｌ（ｐ）を継続して出力するように制御する。これにより、コイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）のそれぞれは、磁界検出期間ＴＤＴにおいても、信号配線ＬＬ１に接続されていることになる。タッチ検出期間ＳＥＮ１において、表示領域２のいずれかの領域を、ペンがタッチしていれば、タッチしている領域に対応するコイルの信号が変化する。この信号の変化が、信号配線ＬＬ１を介して、タッチ用半導体装置６に伝達される。なお、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、磁界検出期間ＴＤＴのときには、既に述べたように、信号配線ＬＬ１へのコイルクロック信号ＣＣＬＫの供給を停止し、信号配線ＬＬ１がハイインピーダンス状態となるようにする。

信号配線ＬＬ１を介して、供給された信号の変化を基にして、タッチ用半導体装置６は、ペンがタッチしているか否かを示す制御信号ＳＷを形成し、制御回路Ｄ−ＣＮＴへ供給する。

もし、制御信号ＳＷが、ペンがタッチをしていることを示していた場合、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、以降のタッチ検出期間ＳＥＮ２〜ＳＥＮ４においても、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮをハイベルにする。ハイレベルの磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮが、選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌに供給されることにより、選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌは、以降のタッチ検出期間ＳＥＮ２〜ＳＥＮ４において、順次コイルが形成されるような磁界制御信号Ｃ−Ｒ（０）〜ＣＲ（ｐ）、Ｃ−Ｌ（０）〜Ｃ−Ｌ（ｐ）を形成する。例えば、タッチ検出期間ＳＥＮ２においては、コイルＹ（０）が形成されるような磁界制御信号を出力し、タッチ検出期間ＳＥＮ３においては、コイルＹ（１）が形成されるような磁界制御信号を出力し、タッチ検出期間ＳＥＮ４においては、コイルＹ（２）が形成されるような磁界制御信号を出力する。

これにより、タッチ検出期間ＳＥＮ１の磁界発生期間ＴＣＧでは、コイルＹ（０）が磁界を発生し、磁界検出期間ＴＤＴでは、コイルＹ（０）を用いて磁界の検出が行われる。以下、同様に、タッチ検出期間ＳＥＮ２では、コイルＹ（１）が磁界を発生し、コイルＹ（１）を用いて磁界の検出が行われ、タッチ検出期間ＳＥＮ３では、コイルＹ（２）が磁界を発生し、磁界検出期間ＴＤＴでは、コイルＹ（２）を用いて磁界の検出が行われる。また、タッチ検出期間ＳＥＮ４ＣＧでは、コイルＹ（３）が磁界を発生し、コイルＹ（３）を用いて磁界の検出が行われる。

また、タッチ検出期間ＳＥＮ２〜ＳＥＮ４においては、実施の形態１で説明した切換調整回路ＳＣＸ−Ｕ、ＳＣＸ−Ｄおよび選択制御回路ＳＲＸ−Ｄ（図７）によって、縦方向（列方向）に延在し、横方向（行方向）に並列に配置されるコイルＸ（０）〜Ｘ（ｐ）を形成する。磁界発生期間ＴＣＧにおいては、形成したコイルにコイルクロック信号ＣＣＬＫを供給し、形成したコイルで磁界を発生させる。また、磁界検出期間ＴＤＴにおいては、形成したコイルからの信号変化を、センス信号ＳＸ（０）〜ＳＸ（ｐ）として、タッチ用半導体装置６へ供給する。

タッチ用半導体装置６においては、図７で説明したように、磁界検出回路ＳＣ−ＤＥＴが、センス信号ＳＹ（ｎ）、ＳＹ（ｎ＋１）およびＳＸ（０）〜ＳＸ（ｐ）のそれぞれを増幅し、デジタル信号へ変換して、検出信号ＳＣ−Ｏとして、処理回路ＰＲＳへ供給する。処理回路ＰＲＳは、ペンがタッチした位置の座標を抽出し、位置情報として外部端子Ｔｏから出力する。

最初のタッチ検出期間ＳＥＮ１において、タッチ用半導体装置６からの制御信号ＳＷが、ペンのタッチを検出していないことを示していた場合、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、以降のタッチ検出期間ＳＥＮ２〜ＳＥＮ４において、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮをロウレベルにし、電界イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮをハイレベルにする。図３１において、左側のフレーム期間Ｆは、ペンのタッチが検出された場合のフレームを示しており、右側のフレーム期間Ｆは、ペンのタッチが検出されない場合のフレーム期間を示している。図３１において、右側のフレーム期間Ｆでも、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、最初のタッチ検出期間ＳＥＮ１のとき、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮをハイレベルにする。最初のタッチ検出期間ＳＥＮ１のときには、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、既に説明したのと同様に、コイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）が形成され、磁界発生期間ＴＣＧのとき、全面磁界発生が行われように、選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌを制御する。また、磁界検出期間ＴＤＴのときには、信号配線ＬＬ１を介して、コイルの信号がタッチ用半導体装置６へ伝達される。タッチ用半導体装置６では、供給された信号に基づいて、表示領域２のいずれかの領域がペンによってタッチされているか否かを示す制御信号ＳＷを形成して、制御回路Ｄ−ＣＮＴへ供給する。

ここでは、表示領域２のいずれの領域もペンによってタッチされていないため、タッチ用半導体装置６からは、ペンのタッチを検出しない旨を示す制御信号ＳＷが、制御回路Ｄ−ＣＮＴへ供給される。この制御信号ＳＷを受けて、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、以降のタッチ検出期間ＳＥＮ２〜ＳＥＮ４のとき、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮをロウレベルにし、電界イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮをハイレベルにする。

選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌは、電界イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがハイレベルへ変化することにより、電界制御信号Ｔ−Ｒ（０）〜Ｔ−Ｒ（ｐ）およびＴ−Ｌ（０）〜Ｔ−Ｌ（ｐ）を順次形成する。例えば、駆動電極のグループＴＬＧ（０）からＴＬＧ（ｐ）の順に電界を発生させる場合、タッチ検出期間ＳＥＮ２においては、選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌは、グループＴＬＧ（０）に対応した電界制御信号Ｔ−Ｒ（０）、Ｔ−Ｌ（０）をハイレベルにする。なお、このとき、他の電界制御信号Ｔ−Ｒ（１）〜Ｔ−Ｒ（ｐ）、Ｔ−Ｌ（１）〜ＴＬ（ｐ）は、ロウレベルにする。

タッチ検出期間ＳＥＮ２において、電界制御信号Ｔ−Ｒ（０）、Ｔ−Ｌ（０）が、ハイレベルとなることにより、周期的に電圧が変化する制御信号ＴＳＶＣＯＭが、電界駆動信号として、グループＴＬＧ（０）内に配置されている駆動電極へ供給されることになり、グループＴＬＧ（０）において電界が発生する。タッチ検出期間ＳＥＮ２のとき、図７で説明した検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）の信号が、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）として、タッチ用半導体装置６へ供給される。

タッチ検出期間ＳＥＮ２に続くタッチ検出期間ＳＥＮ３においては、選択制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌは、電界制御信号Ｔ−Ｒ（１）、Ｔ−Ｌ（１）をハイレベルへ変化させる。これにより、グループＴＬＧ（２）において電界が発生し、そのときの検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）が、タッチ用半導体装置６へ供給される。以下、同様にして。それぞれのタッチ検出期間において、電界が発生し、そのときの検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）が、タッチ用半導体装置６へ供給される。

タッチ用半導体装置６においては、図７で説明したように、電界検出回路ＳＥ−ＤＥＴが、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を増幅して、デジタル信号へ変換し、検出信号ＳＥ−Ｏとして、処理回路ＰＲＳへ供給し、処理回路ＰＲＳにおいて、指がタッチされた位置の座標が抽出され、出力される。

また、この実施の形態８において、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、タッチ検出期間ＳＥＮ１のとき、ハイインピーダンス制御信号ＨＺ−ＣＴによって、ゲートドライバ５（図７）、信号線駆動回路Ｄ−ＤＲＶを、ハイインピーダンス状態にする。これにより、駆動電極を巻線としたコイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）を駆動する際に、走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）はハイインピーダンス状態となり、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）もハイインピーダンス状態となる。また、磁界駆動信号を供給していない駆動電極もハイインピーダンス状態となる。その結果、磁界駆動信号によって駆動電極の電圧を変化させるときに、充放電する寄生容量の低減を図ることが可能となる。

この実施の形態８においては、１フレーム期間Ｆにおいて、磁界タッチ検出によりタッチが検出されないとき、電界タッチ検出によるタッチの検出が、自動的に行われる。すなわち、１フレーム期間Ｆ内において、より適切なタッチ検出の方式に、自動的に切換が行われるようになる。

コイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）を用いて、全面磁界発生を行う例を説明したが、コイルＸ（０）〜Ｘ（ｐ）を用いて、全面磁界発生を行うようにしてもよい。この場合、ペンのタッチが検出されたら、コイルＸ（０）〜Ｘ（ｐ）の順に、磁界タッチ検出を行うようにしてもよいし、コイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）の順に、磁界タッチ検出を行うようにしてもよい。また、全面磁界発生を行う例を説明したが、全面磁界発生ではなく、複数のコイルを用いて、部分磁界発生を行うようにしてもよい。

さらに、タッチ検出期間ＳＥＮ２〜ＳＥＮ４において発生する磁界（電界）は、順番ではなく、任意のグループＴＬＧで磁界（電界）を発生するようにしてもよい。

（実施の形態９）
図３２は、実施の形態９に係わる液晶表示装置の構成を示す回路図である。同図には、切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ、ＵＳＣ−Ｌを構成する回路が示されている。ここでは、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）、ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）に対応する駆動電極のグループＴＬＧ（ｎ−１）、ＴＬＧ（ｎ）のそれぞれに含まれる複数の駆動電極のうち駆動電極ＴＬ（Ａ）、ＴＬ（Ｂ）に接続された切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ、ＵＳＣ−Ｌ内のスイッチ回路ＳＷ（Ａ）、ＳＷ（Ｂ）の構成が示されている。なお、図３２においては、切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ、ＵＳＣ−Ｌに含まれている駆動電極間を接続するための信号配線は、省略されている。

単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）は、磁界タッチ検出が指定され、グループＴＬＧ（ｎ−１）において磁界を発生するとき、磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）をハイレベルにし、磁界を発生しないとき、磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）をロウレベルにする。また、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）は、電界タッチ検出が指定され、グループＴＬＧ（ｎ−１）において電界を発生するとき、電界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ−１）をハイレベルにし、電界を発生しないとき、電界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）をロウレベルにする。

単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）も、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）と同様に、グループＴＬＧ（ｎ）において磁界を発生するとき、磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ）をハイレベルにし、磁界を発生しないとき、磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ）をロウレベルにする。また、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）は、グループＴＬＧ（ｎ）において電界を発生するとき、電界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ）をハイレベルにし、電界を発生しないとき、電界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ）をロウレベルにする。

さらに、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）、ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）のそれぞれは、磁界タッチ検出が指定された場合、電界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ−１）、Ｔ−Ｌ（ｎ）をロウレベルにし、電界タッチ検出が指定された場合、磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）、Ｃ−Ｌ（ｎ）をロウレベルにする。

単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）から出力された電界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ−１）は、駆動電極ＴＬ（Ａ）に接続されたスイッチ回路ＳＷ（Ａ）に供給され、端子選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）から出力された電界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ）は、駆動電極ＴＬ（Ｂ）に接続されたスイッチ回路ＳＷ（Ｂ）に接続されている。ここで、駆動電極ＴＬ（Ａ）は、駆動電極ＴＬ（Ｂ）を含むグループＴＬＧ（ｎ）の領域において、磁界を発生するとき、コイルの巻線となる複数の駆動電極のうちの１個（所定）の駆動電極である。同様に、駆動電極ＴＬ（Ｂ）は、駆動電極ＴＬ（Ａ）を含むグループＴＬＧ（ｎ−１）の領域において、磁界を発生するとき、コイルの巻線となる複数の駆動電極のうちの１個（所定）の駆動電極である。また、ここでは、駆動電極ＴＬ（Ａ）、ＴＬ（Ｂ）は、コイルを形成したとき、コイルクロック信号ＣＣＬＫが、信号配線ＬＬ１から供給される駆動電極であるものとして説明する。

単位切換調整回路に含まれているスイッチ回路ＳＷ（Ａ）、ＳＷ（Ｂ）は、互いに同じ構成を有している。また、スイッチ回路ＳＷ（Ａ）、ＳＷ（Ｂ）に対して共通の回路が設けられている。次に、スイッチ回路ＳＷ（Ａ）を、代表としてスイッチ回路ＳＷの構成を説明する。

スイッチ回路ＳＷ（Ａ）は、Ｎチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ（以下、Ｎ型ＦＥＴと称する）ＴＮ１〜ＴＮ８と、Ｐチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ（以下、Ｐ型ＦＥＴと称する）ＴＰ１〜ＴＰ７と、インバータ回路ＩＶ１〜ＩＶ５を備えている。Ｎ型ＦＥＴおよびＰ型ＦＥＴのそれぞれは、ゲート、ドレインおよびソースを有しているが、本明細書においては、ゲートはゲート端子と称するが、ドレインおよびソースは、そのときの電圧によって変化するため、ドレインまたはソースを第１端子と称し、ソースまたはドレインを第２端子と称する。

Ｎ型ＦＥＴＴＮ１の第１端子は、信号配線ＬＬ１に接続され、第２端子は、駆動電極ＴＬ（Ａ）に接続されている。Ｎ型ＦＥＴＴＮ１と並列接続となるように、Ｐ型ＦＥＴＴＰ１の第２端子は、信号配線ＬＬ１に接続され、第１端子は、駆動電極ＴＬ（Ａ）に接続されている。Ｎ型ＦＥＴＴＮ２の第１端子は、信号配線ＬＬ３に接続され、第２端子は、駆動電極ＴＬ（Ａ）に接続されている。このＮ型ＦＥＴＴＮ２と並列接続となるように、Ｐ型ＦＥＴＴＰ２の第２端子は、信号配線ＬＬ３に接続され、第１端子は、駆動電極ＴＬ（Ａ）に接続されている。また、Ｎ型ＦＥＴＴＮ３の第１端子は、電圧配線ＬＶ１に接続され、第２端子は、駆動電極ＴＬ（Ａ）に接続されている。Ｎ型ＦＥＴＴＮ３と並列接続されるように、Ｐ型ＦＥＴＴＰ３の第２端子は、電圧配線ＬＶ１に接続され、第１端子は、駆動電極ＴＬ（Ａ）に接続されている。

Ｎ型ＦＥＴＴＮ１とＰ型ＦＥＴＴＰ１は、それぞれのゲートに供給される信号によって、実質的に同時にオン状態とされる。並列接続されていることにより、オン状態のときの抵抗を低減することが可能となる。Ｎ型ＦＥＴＴＮ１とＰ型ＦＥＴＴＰ１を例にして説明したが、上記したＮ型ＦＥＴＴＮ２、Ｎ３およびＰ型ＦＥＴＴＰ２、ＴＰ３も同じであり、オン状態にされたときの抵抗を低減することが可能である。

Ｎ型ＦＥＴＴＮ４の第１端子と第２端子は、Ｐ型ＦＥＴＴＰ４の第２端子と第１端子とに接続され、Ｎ型ＦＥＴＴＮ４の第１端子およびＰ型ＦＥＴＴＰ４の第２端子は、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮが供給される信号配線ＬＬ５に接続されている。また、Ｎ型ＦＥＴＴＮ５の第２端子およびＰ型ＦＥＴＴＰ４の第１端子は、Ｎ型ＦＥＴＴＮ５の第１端子に接続され、Ｎ型ＦＥＴＴＮ５の第２端子は、所定の電圧ＶＧＬに接続されている。Ｎ型ＦＥＴＮ５とＮ型ＦＥＴＴＮ４とＰ型ＦＥＴＴＰ４とが接続されたノードｎ１は、Ｎ型ＦＥＴＴＮ１のゲートに接続され、さらにノードｎ１は、インバータ回路ＩＶ３を介して、Ｐ型ＦＥＴＴＰ１のゲートに接続されている。

Ｎ型ＦＥＴＴＮ６の第１端子と第２端子は、Ｐ型ＦＥＴＴＰ５の第２端子と第１端子とに接続され、Ｎ型ＦＥＴＴＮ６の第１端子およびＰ型ＦＥＴＴＰ５の第２端子は、信号配線ＬＬ６に接続されている。また、Ｎ型ＦＥＴＴＮ６の第２端子およびＰ型ＦＥＴＴＰ５の第１端子は、Ｐ型ＦＥＴＴＰ６の第２端子に接続され、Ｐ型ＦＥＴＴＰ６の第１端子は、所定の電圧ＶＧＨに接続されている。Ｎ型ＦＥＴＮ６とＰ型ＦＥＴＴＮ５とＰ型ＦＥＴＴＰ６とが接続されたノードｎ２は、Ｐ型ＦＥＴＴＰ３のゲートに接続され、さらにノードｎ２は、インバータ回路ＩＶ４を介して、Ｎ型ＦＥＴＴＮ３のゲートに接続されている。

また、Ｎ型ＦＥＴＴＮ７の第１端子と第２端子は、Ｐ型ＦＥＴＴＰ７の第２端子と第１端子とに接続され、Ｎ型ＦＥＴＴＮ７の第１端子およびＰ型ＦＥＴＴＰ７の第２端子は、電界イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮが供給される信号配線ＬＬ７に接続されている。また、Ｎ型ＦＥＴＴＮ７の第２端子およびＰ型ＦＥＴＴＰ７の第１端子は、Ｎ型ＦＥＴＴＮ８の第１端子に接続され、Ｎ型ＦＥＴＴＮ８の第２端子は、所定の電圧ＶＧＬに接続されている。Ｎ型ＦＥＴＮ７とＰ型ＦＥＴＴＮ７とＮ型ＦＥＴＴＰ８とが接続されたノードｎ３は、Ｎ型ＦＥＴＴＮ２のゲートに接続され、さらにノードｎ３は、インバータ回路ＩＶ５を介して、Ｐ型ＦＥＴＴＰ２のゲートに接続されている。

単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）からの電界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ−１）は、入力信号Ｉｎ＿ａとして、インバータ回路ＩＶ２に供給されている。インバータ回路ＩＶ２は、入力信号Ｉｎ＿ａに対して位相反転した出力信号ｘｉｎ＿ａを形成する。一方、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）からの磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ）が、入力信号Ｉｎ＿ｂとして、インバータ回路ＩＶ１に供給されている。インバータ回路ＩＶ１は、入力信号Ｉｎ＿ｂに対して位相反転した出力信号ｘｉｎ＿ｂを形成する。

スイッチ回路ＳＷ（Ａ）に供給された電界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ−１）は、信号Ｉｎ＿ａとして、Ｎ型ＦＥＴＴＮ６およびＴＮ７のゲートに供給される。また位相反転された信号ｘｉｎ＿ａは、Ｐ型ＦＥＴＴＰ５、ＴＰ７およびＮ型ＦＥＴＴＮ８のゲートに供給される。さらに、スイッチ回路ＳＷ（Ａ）に供給された磁界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ）は、信号Ｉｎ＿ｂとして、Ｎ型ＦＥＴＴＮ４のゲートに供給される。また位相反転された信号ｘｉｎ＿ｂは、Ｐ型ＦＥＴＴＰ４およびＮ型ＦＥＴＴＮ５のゲートに供給される。

スイッチ回路ＳＷ（Ｂ）は、接続される駆動電極が異なることと、供給される入力信号が異なることを除いて、スイッチ回路ＳＷ（Ａ）と同じ構成を有している。すなわち、スイッチ回路ＳＷ（Ｂ）においては、駆動電極ＴＬ（Ａ）の代わりに駆動電極ＴＬ（Ｂ）が接続されている。また、入力信号Ｉｎ＿ａとして、単位選択制御回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）からの電界制御信号ＴＬ（ｎ）が供給され、入力信号Ｉｎ＿ｂとして単位選択制御回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）からの磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）が供給されている。

信号配線ＬＬ５には、単位切換調整回路に対して共通の回路により形成されたタッチ制御信号ＤＴ−ＣＴが供給される。この実施の形態９においては、共通の回路は２入力オア（ＯＲ）回路ＯＲにより構成されている。２入力オア回路ＯＲの一方の入力には、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮが供給され、他方の入力には、電界イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮが供給される。タッチ検出期間において、電界タッチ検出が指定される場合、電界イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがハイレベルになる。また、磁界タッチ検出が指定される場合には、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがハイレベルとなる。そのため、２入力オア回路ＯＲは、タッチ検出期間において、磁界タッチ検出または電界タッチ検出が指定されたとき、ハイレベルのタッチ制御信号ＤＴ−ＣＴを出力することになる。

上記所定の電圧ＶＧＬとしては、例えば接地電圧が供給され、所定の電圧ＶＧＨとしては、接地電圧よりも高い電圧値を有する電源電圧が供給される。また、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、上記した電圧配線ＬＶ１に接地電圧を供給する。

制御回路Ｄ−ＣＮＴは、電界タッチ検出を指定するとき、上記信号配線ＬＬ３に、周期的に電圧値が変化する制御信号ＴＳＶＣＯＭを供給し、磁界タッチ検出を指定するときには、上記信号配線ＬＬ３に、接地電圧を供給する。また、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、磁界タッチ検出を指定するとき、磁界発生期間ＴＣＧのとき、信号配線ＬＬ１にコイルクロック信号ＣＣＬＫを供給し、磁界検出期間ＴＤＴのときには、コイルクロック信号ＣＣＬＫの供給を停止し、信号配線ＬＬ１がハイインピーダンス状態となるようにする。

＜電界タッチ検出の動作＞
まず、電界タッチ検出のときの動作を説明する。ここでは、グループＴＬＧ（ｎ−１）に配置されている駆動電極が、電界駆動信号によって駆動され、グループＴＬＧ（ｎ）に配置されている駆動電極は、駆動されない場合を説明する。言い換えるならば、グループＴＬＧ（ｎ−１）の領域が、指によってタッチされているか否かを検出する場合を説明する。

この場合、グループＴＬＧ（ｎ−１）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）が、ハイレベルの電界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ−１）を出力し、グループＴＬＧ（ｎ）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）は、ロウレベルの電界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ）を出力する。また、磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）、Ｃ−Ｌ（ｎ）はロウレベルとなる。

ハイレベルの電界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ−１）により、スイッチ回路ＳＷ（Ａ）内のインバータ回路ＩＶ２の出力信号ｘｉｎ＿ａはロウレベルとなる。また、ロウレベルの磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ）により、スイッチ回路ＳＷ（Ａ）内のインバータ回路ＩＶ１の出力信号ｘｉｎ＿ｂはハイレベルとなる。これにより、Ｎ型ＦＥＴＴＮ５、ＴＮ６およびＴＮ７がオン状態となり、Ｐ型ＦＥＴＴＰ５およびＴＰ７がオン状態となる。Ｎ型ＦＥＴＴＮ５がオン状態となることにより、Ｎ型ＦＥＴＴＮ１のゲート端子には、接地電圧（ＶＧＬ）が供給され、Ｐ型ＦＥＴＴＰ１のゲート端子には、インバータ回路ＩＶ３からハイレベルが供給される。その結果、Ｎ型ＦＥＴＴＮ１およびＰ型ＦＥＴＴＰ１は、オフ状態となり、駆動電極ＴＬ（Ａ）と信号配線ＬＬ１は分離される。

電界タッチ検出では、電界イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮがハイレベルとなるため、信号配線ＬＬ６およびＬＬ７はハイレベルとなる。信号線ＬＬ６のハイレベルは、Ｎ型ＦＥＴＴＮ６およびＰ型ＦＥＴＴＰ６を介して、Ｐ型ＦＥＴＴＰ３のゲート端子に供給される。また、Ｎ型ＦＥＴＴＮ３のゲート端子には、インバータ回路ＩＶ４からハイレベルが供給される。これにより、Ｐ型ＦＥＴＴＰ３およびＮ型ＦＥＴＴＮ３はオフ状態となり、駆動電極ＴＬ（Ａ）と電圧配線ＬＶ１とは分離される。一方、信号配線ＬＬ７のハイレベルは、Ｎ型ＦＥＴＴＮ７およびＰ型ＦＥＴＴＰ８を介して、Ｎ型ＦＥＴＴＮ２のゲート端子に供給される。また、このとき、Ｐ型ＦＥＴＴＰ２のゲート端子には、インバータ回路ＩＶ５からハイレベルが供給される。この結果、Ｎ型ＦＥＴＴＮ２およびＰ型ＦＥＴＴＰ２はオン状態となり、駆動電極ＴＬ（Ａ）は、Ｎ型ＦＥＴＴＮ２およびＰ型ＦＥＴＴＰ２を介して、信号配線ＬＬ３に接続されることになる。

電界タッチ検出のときには、信号配線ＬＬ３に、周期的電圧が変化する制御信号ＴＳＶＣＯＭが供給されるため、この信号ＴＳＶＣＯＭが、電界駆動信号として、駆動電極ＴＬ（Ａ）に供給される。これにより、駆動電極ＴＬ（Ａ）の電圧が、周期的に変化し、電界を発生する。ここでは、グループＴＬＧ（ｎ−１）に含まれている駆動電極ＴＬ（Ａ）を例にして説明したが、グループＴＬＧ（ｎ−１）に含まれている他の駆動電極も同様に駆動される。

スイッチ回路ＳＷ（Ｂ）においては、電界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ）がロウレベルであるため、インバータ回路ＩＶ２の出力信号ｘｉｎ＿ａは、ハイレベルとなる。これにより、スイッチ回路ＳＷ（Ｂ）内のＰ型ＦＥＴＴＰ６とＮ型ＦＥＴＴＮ８がオン状態となる。その結果、Ｐ型ＦＥＴＴＰ３のゲート端子には、Ｐ型ＦＥＴＴＰ６を介してハイレベル（ＶＧＨ）が供給され、Ｎ型ＦＥＴＴＮ３のゲート端子には、インバータ回路ＩＶ４からロウレベルが供給される。また、Ｎ型ＦＥＴＴＮ２のゲート端子には、Ｎ型ＦＥＴＴＮ８を介してロウレベル（ＶＧＬ）が供給され、Ｐ型ＦＥＴＴＰ２のゲート端子には、インバータ回路ＩＶ５からハイレベルが供給される。これにより、Ｎ型ＦＥＴＴＮ１〜ＴＮ３およびＰ型ＦＥＴＴＰ１〜ＴＰ３がオフ状態となり、駆動電極ＴＬ（Ｂ）は、電圧配線ＬＶ１、ＬＶ４および信号配線ＬＬ１から分離される。その結果、グループＴＬＧ（ｎ）に配置されている駆動電極には、制御信号ＴＳＶＣＯＭが供給されず、フローティング状態となる。

＜磁界タッチ検出の動作＞
磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがハイレベルになることにより、磁界タッチ検出が指定される。このとき、電界イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮはロウレベルとなる。また、磁界タッチ検出において、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、信号配線ＬＬ３へ接地電圧を供給し、磁界発生期間ＴＣＧのとき、信号配線ＬＬ１へコイルクロック信号ＣＣＬＫを供給し、磁界検出期間ＴＤＴのとき、信号配線ＬＬ１をハイインピーダンス状態にする。

ここでは、グループＴＬＧ（ｎ−１）において磁界を発生し、グループＴＬＧ（ｎ）においては磁界を発生しない場合を説明する。言い換えるならば、グループＴＬＧ（ｎ−１）の領域が、ペンによってタッチされているか否かを検出する場合を説明する。この場合には、グループＴＬＧ（ｎ−１）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）が、磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）をハイレベルにし、グループＴＬＧ（ｎ）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）は、磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ）をロウレベルにする。また、このとき、電界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ−１）およびＴ−Ｌ（ｎ）は、ともにロウレベルとなる。

磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）は、グループＴＬＧ（ｎ−１）を、その間に挟むグループＴＬＧ（ｎ−２）およびＴＬＧ（ｎ）内に配置されている駆動電極に対応するスイッチ回路に供給される。図３２においては、グループＴＬＧ（ｎ）に配置されている駆動電極のうち、駆動電極ＴＬ（Ｂ）に対応するスイッチ回路ＳＷ（Ｂ）に磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）が供給されている。

磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）は、入力信号Ｉｎ＿ｂとして、スイッチ回路ＳＷ（Ｂ）内のインバータ回路ＩＶ１に供給され、当該インバータ回路ＩＶ１は、ロウレベルの出力信号ｘｉｎ＿ｂを形成する。これにより、スイッチ回路ＳＷ（Ｂ）において、Ｎ型ＦＥＴＴＮ４およびＰ型ＦＥＴＴＰ４がオン状態となり、Ｎ型ＦＥＴＴＮ５はオフ状態となる。この結果、Ｎ型ＦＥＴＴＮ１のゲート端子は、Ｎ型ＦＥＴＴＮ４およびＰ型ＦＥＴＴＰ４を介して、信号配線ＬＬ５に接続され、ハイレベルの磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮが供給されることになり、Ｎ型ＦＥＴＴＮ１はオン状態となる。また、このときには、Ｐ型ＦＥＴＴＰ１のゲート端子に、インバータ回路ＩＶ３からロウレベルが供給されるため、Ｐ型ＦＥＴＴＰ１もオン状態となる。また、磁界検出期間ＴＤＴにおいては、信号配線ＬＬ１はハイインピーダンス状態にされる。そのため、信号配線ＬＬ１の電圧は、駆動電極ＴＬ（Ｂ）における信号変化に従って変化することなり、センス信号ＳＹとして、タッチ用半導体装置６へ伝達される。

これにより、駆動電極ＴＬ（Ｂ）は、Ｎ型ＦＥＴＴＮ１およびＰ型ＦＥＴＴＰ１を介して、信号配線ＬＬ１に接続されることになる。磁界タッチ検出であって、磁界発生期間ＴＣＧのときには、信号配線ＬＬ１へコイルクロック信号ＣＣＬＫが供給されるため、コイルクロック信号ＣＣＬＫに従って、駆動電極ＴＬ（Ｂ）電圧が変化し、クループＴＬＧ（ｎ−１）を内側とした磁界が発生する。

これに対して、スイッチ回路ＳＷ（Ａ）においては、磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ）がロウレベルであるため、Ｎ型ＦＥＴＴＮ５がオン状態となり、Ｎ型ＦＥＴＴＮ４およびＰ型ＦＥＴＴＰ４はオフ状態となる。その結果、スイッチ回路ＳＷ（Ａ）におけるＮ型ＦＥＴＴＮ１およびＰ型ＦＥＴＴＰ１は、ともにオフ状態となる。そのため、駆動電極ＴＬ（Ａ）は、信号配線ＬＬ１から分離される。すなわち、コイルクロック信号ＣＣＬＫは、駆動電極ＴＬ（Ａ）には供給されず、駆動電極ＴＬ（Ａ）はハイインピーダンス状態となる。

磁界タッチ検出においては、電界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ）はロウレベルであるため、スイッチ回路ＳＷ（Ａ）、ＳＷ（Ｂ）のそれぞれにおけるＮ型ＦＥＴＴＮ８およびＰ型ＦＥＴＴＰ６はオン状態となり、Ｎ型ＦＥＴＴＮ６、ＲＮ７およびＰ型ＦＥＴＴＰ５、ＴＰ７はオフ状態となる。その結果、スイッチ回路ＳＷ（Ａ）、ＳＷ（Ｂ）におけるＰ型ＦＥＴＴＰ２、ＴＰ３およびＮ型ＦＥＴＴＮ２、ＴＮ３はオフ状態となり、駆動電極ＴＬ（Ａ）、ＴＬ（Ｂ）と電圧配線ＬＶ１および信号配線ＬＬ３との間は分離される。

このようにして、磁界発生期間ＴＣＧのときには、グループＴＬＧ（ｎ−１）において、コイルクロック信号ＣＣＬＫに従って変化する磁界が発生する。

図３２においては、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）が、ハイレベルの磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ）を発生した場合、スイッチ回路ＳＷ（Ａ）内のＮ型ＦＥＴＴＮ１およびＰ型ＦＥＴＴＰ１がオン状態となり、磁界発生期間ＴＣＧのとき、コイルクロック信号ＣＣＬＫが、駆動電極ＴＬ（Ｂ）に供給され、グループＴＬＧ（ｎ）において磁界が発生する。図示しない他のスイッチ回路においても、同様な動作をする。

＜表示期間の動作＞
表示期間においては、制御回路Ｄ−ＣＮＴ（図７）は、それぞれの単位選択制御回路が、ロウレベルの磁界制御信号を出力し、ハイレベルの電界制御信号を出力するように制御する。また、このときは、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮおよび電界イネーブル信号ＴＸ＿ＥＮをロウレベルにする。

電界制御信号Ｔ−Ｌ（ｎ−１）、ＴＬ（ｎ）がハイレベルとなることにより、スイッチ回路ＳＷ（Ａ）、ＳＷ（Ｂ）のそれぞれにおいて、Ｎ型ＦＥＴＴＮ６、ＴＮ７およびＰ型ＦＥＴＴＰ５、ＴＰ７がオン状態となり、Ｎ型ＦＥＴＴＮ８およびＰ型ＦＥＴＴＰ６はオフ状態となる。その結果、Ｐ型ＦＥＴＴＰ３のゲート端子には、信号配線ＬＬ６におけるロウレベルが伝達され、Ｎ型ＦＥＴＴＮ２のゲート端子には、信号配線ＬＬ７におけるロウレベルが伝達される。このとき、Ｎ型ＦＥＴＴＮ３のゲート端子には、インバータ回路ＩＶ４からハイレベルが供給され、Ｐ型ＦＥＴＴＰ２のゲート端子には、インバータ回路ＩＶ５からハイレベルが供給される。また、磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）、Ｃ−Ｌ（ｎ）がロウレベルであるため、＜電界タッチ検出の動作＞で述べたのと同様に、Ｎ型ＦＥＴＴＮ１およびＰ型ＦＥＴＴＰ１はオフ状態となっている。

この結果、駆動電極ＴＬ（Ａ）およびＴＬ（Ｂ）は、Ｐ型ＦＥＴＴＰ３およびＮ型ＦＥＴＴＮ３を介して、電圧配線ＬＶ１に接続されることになる。この場合、電圧配線ＬＶ１には接地電圧が供給され、接地電圧が、表示駆動信号として、それぞれの駆動電極に供給されることになる。なお、表示期間において、電圧配線ＬＶ１に供給する電圧は、接地電圧に限定されない。また、表示期間において、電圧配線ＬＶ１に供給する電圧は。画素情報に従って、電圧値が変化する電圧であってもよい。

図３２においては、磁界発生期間ＴＣＧのとき、コイルクロック信号ＣＣＬＫが供給される駆動電極に接続されるスイッチ回路を説明したが、磁界タッチ検出のとき、接地電圧が供給される駆動電極に接続されるスイッチ回路も、図３２に示したスイッチ回路と同様な構成で達成することができる。すなわち、磁界タッチ検出のとき、接地電圧が供給される駆動電極に接続されるスイッチ回路においては、Ｎ型ＦＥＴＴＮ１およびＰ型ＦＥＴＴＰ１が、駆動電極と信号配線ＬＬ３との間に接続されるように、変更すればよい。また、磁界発生に用いられない駆動電極に接続されるスイッチ回路においては、Ｎ型ＦＥＴＴＮ１、ＴＮ４、ＴＮ５、Ｐ型ＦＥＴＴＰ１、ＴＰ４およびインバータ回路ＩＶ３を削除すればよい。

（実施の形態１０）
図３３は、実施の形態１０に係わる液晶表示装置１に用いられる磁界検出回路の一例を示す回路図である。図３３において、Ｙ（０）〜Ｙ（ｐ）は、タッチ検出期間において形成されるコイルを示している。また、ＳＷＣＴは、スイッチ制御信号ＳＷＣによりスイッチ制御される複数のスイッチＳＷＲＬを有するスイッチ部を示している。ここで、スイッチＳＷＲＬは、例えば図２７および図２８に示した第３４スイッチ（Ｒ５１３）、第３７スイッチＬ５１３、＜Ｌ５１３＞に相当し、スイッチ制御信号ＳＷＣは、磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）、Ｃ−Ｌ（ｎ−１）、Ｃ−Ｌ（ｎ＋１）に相当する。

コイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）のそれぞれの一方の端部は、磁界タッチ検出においては、接地電圧Ｖｓに接続され、他方の端部は、対応するスイッチＳＷＲＬおよび信号配線ＬＬ１を介して、ノードｎ４に接続されている。ノードｎ４における検出信号は、ゲイン回路に供給され、ゲイン回路によって増幅される。増幅された検出信号は、ノイズを除去するためにフィルタ回路に供給され、フィルタ回路の出力は、整流回路で整流され、積分回路へ供給される。積分回路の出力は、マイクロコントローラＭＣＵに供給される。

マイクロコントローラＭＣＵは、図示しないが、アナログ／デジタル変換回路、クロック信号発生回路、プログラムを格納した不揮発性メモリ、不揮発性メモリに格納されたプログラムに従って動作する処理ユニットを有している。上記した積分回路からの出力は、マイクロコントローラＭＣＵの端子ＡＤＣを介してアナログ／デジタル変換回路に供給され、デジタル信号に変換される。変換により得られたデジタル信号は、処理ユニットによって処理され、コイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）のいずれかにペンが近接しているか否かの判定が行われる。

マイクロコントローラＭＣＵ内の処理ユニットは、プログラムに従って、制御信号を形成する。この制御信号としては、スイッチ制御信号ＳＷＣ、イネーブル信号ＥＮおよびリセット信号ｒｓｔがある。また、マイクロコントローラＭＣＵ内のクロック信号発生回路によって、周期的に電圧が変化するクロック信号ＣＬＫが発生する。このクロック信号がコイルクロック信号ＣＣＬＫとして用いられる。

コイルクロック信号ＣＣＬＫは、バッファ回路ＢＦに供給される。バッファ回路ＢＦは、イネーブル信号ＥＮにより制御される。イネーブル信号ＥＮがハイレベルのとき、コイルクロック信号ＣＣＬＫを抵抗Ｒ１１を介して、ノードｎ４へ供給する。一方、イネーブル信号ＥＮがロウレベルのときには、バッファ回路ＢＦの出力はハイインピーダンス状態（Ｈｉ−Ｚ）となる。

ゲイン回路は、抵抗Ｒ８〜Ｒ１０と、オペアンプＯＰ４と、直流カット用の容量素子ＣＰ３を有している。検出信号は、オペアンプＯＰ４の正相入力（＋）に供給され、オペアンプＯＰ４の反転入力（−）は、抵抗Ｒ９を介して接地電圧Ｖｓに接続され、また、抵抗Ｒ８を介して、オペアンプＯＰ４の出力に接続されている。

フィルタ回路は、抵抗Ｒ４〜Ｒ７と、容量素子ＣＰ２と、オペアンプＯＰ３を有している。オペアンプＯＰ３の正相入力（＋）は、抵抗Ｒ７を介して接地電圧Ｖｓに接続され、容量素子ＣＰ２を介して、ゲイン回路からの出力信号が供給される。また、オペアンプＯＰ３の反転入力（−）は、抵抗Ｒ６を介して接地電圧Ｖｓに接続され、さらに抵抗Ｒ５を介して、オペアンプの出力に接続されている。さらに、オペアンプＯＰ３の出力は、抵抗Ｒ４を介して、フィルタ回路の入力に接続されている。

整流回路は、抵抗Ｒ１〜Ｒ３と、オペアンプＯＰ２と、ダイオードＤとを有している。オペアンプの正相入力（＋）は、抵抗Ｒ３を介して接地電圧Ｖｓに接続され、オペアンプＯＰ２の反転入力（−）は、抵抗Ｒ２を介して、フィルタ回路からの出力が供給され。さらに、整流回路の出力が抵抗Ｒ１を介して供給されている。オペアンプＯＰ２の出力はダイオードＤを介して出力される。

積分回路は、容量素子ＣＰ１と、リセット信号ｒｓｔをスイッチ制御信号として受けるスイッチＳＷ１３と、オペアンプＯＰ１とを有している。オペアンプの正相入力（＋）は、接地電圧Ｖｓに接続され、反転入力（−）は、容量素子ＣＰ１を介して、積分回路の出力に接続されている。また、積分回路の出力と入力との間にスイッチＳＷ１３が接続されている。

図３４は、図３３に示した磁界検出回路の動作を示す波形図である。図３４において、横軸は時間を示し、縦軸は電圧を示している。図３４（Ａ）は、コイルクロック信号ＣＣＬＫの波形を示し、図３４（Ｂ）は、スイッチ制御信号ＳＷＣの波形を示し、図３４（Ｃ）は、イネーブル信号ＥＮの波形を示している。また、図３４（Ｄ）は、リセット信号ｒｓｔの波形を示しており、図３４（Ｅ）は、ゲイン回路の出力波形ＯＵＴ１を示しており、図３４（Ｆ）は、積分回路の出力ＯＵＴ２の波形を示している。

図３４には、磁界タッチ検出の動作が示されており、電界タッチ検出および表示期間の動作は、省略されている。

先ず、時刻ｔ０において、リセット信号ｒｓｔがロウレベルとなることにより、リセットが解除される。このとき、マイクロコントローラＭＣＵは、イネーブル信号ＥＮをハイレベルにする。これにより、コイルクロック信号ＣＣＬＫは、抵抗Ｒ１１を介しバッファ回路ＢＦから、ノードｎ４へ供給される。このとき、マイクロコントローラＭＣＵは、例えば、コイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）に対応する全てのスイッチＳＷＲＬをオン状態にするようなスイッチ制御信号ＳＷＣを出力する。これにより、ノードｎ４に供給されたコイルクロック信号ＣＣＬＫは、磁界駆動信号として、コイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）のそれぞれの一方の端部に供給される。

ノードｎ４に供給されたコイルクロック信号ＣＣＬＫは、ゲイン回路にも供給される。ゲイン回路の出力ＯＵＴ１は、コイルクロック信号ＣＣＬＫの電圧変化に従って変化するため、図３４（Ｅ）に示すように変化する。増幅回路の出力ＯＵＴ１は、フィルタ回路を介して整流回路に供給され、整流された出力が積分回路に供給される。時刻ｔ０から時刻ｔ１においては、ノードｎ４の電圧は、周期的に変化しているが、包絡線的には、変化がないため、積分回路の出力は一定の値となる。

時刻ｔ１において、マイクロコントローラＭＣＵは、イネーブル信号ＥＮをロウレベルにする。これにより、ノードｎ４はハイインピーダンス状態（Ｈｉ−Ｚ）となる。また、時刻ｔ１において、例えばコイルＹ（ｎ−１）に対応するスイッチＳＷＲＬをオン状態に維持し、残りのスイッチＳＷＲＬをオフ状態にするようなスイッチ制御信号ＳＷＣを、マイクロコントローラＭＣＵは形成する。これにより、コイルＹ（ｎ−１）の他方の端部は、ノードｎ４に接続された状態が維持され、他のコイルは、ノードｎ４から分離される。図３４の例では、時刻ｔ１から時刻ｔ２の間では、ペンが、コイルＹ（ｎ−１）に近接していないため、ペンから、コイルＹ（ｎ−１）へ磁界エネルギーが与えられない。そのため、積分回路の出力ＯＵＴ２は変化しない。

時刻ｔ２に移る前に、マイクロコントローラＭＣＵは、リセット信号ｒｓｔを、いったんハイレベルにするとともに、スイッチ制御信号ＳＷＣを全てロウレベルにする。これにより、リセットを行った後、再び、リセット信号ｒｓｔをロウレベルにして、リセットを解除する。時刻ｔ２からｔ３は、時刻ｔ０からｔ１と同じである。

時刻ｔ３において、マイクロコントローラＭＣＵは、例えばコイルＹ（ｎ）に対応するスイッチＳＷＲＬをオン状態に維持し、残りのコイルに対応するスイッチＳＷＲＬをオフ状態にするようなスイッチ制御信号ＳＷＣを形成する。図３４（Ｄ）には、コイルＹ（ｎ）に対応するスイッチＳＷＲＬに供給されるスイッチ制御信号ＳＷＣが、実線で描かれ、他のスイッチＳＷＲＬに供給されるスイッチ制御信号ＳＷＣが、一点鎖線で描かれている（時刻ｔ３から時刻ｔ４の間）。

また、時刻ｔ３において、マイクロコントローラＭＣＵは、イネーブル信号ＥＮをロウレベルにする。これにより、ノードｎ４は、ハイインピーダンス状態となる。このとき、コイルＹ（ｎ）の近傍にペンが有るため、時刻ｔ２からｔ３の間で、コイルＹ（ｎ）からペン内のコイルおよび容量Ｃ（図２）に与えられ、蓄積された磁界エネルギーが、時刻ｔ３からは、ペンからコイルＹ（ｎ）に与えられることになる。

その結果、ゲイン回路の出力ＯＵＴ１は、図３４（Ｅ）に示すように、振動しながら、減衰する。すなわち、電圧は、包絡線的には、減衰する。ゲイン回路の出力ＯＵＴ１が、時刻ｔ３から、振動しながら、減衰するため、積分回路の出力ＯＵＴ２は、徐々に上昇する。マイクロコントローラＭＣＵは、この積分回路の出力ＯＵＴ２をデジタル信号へ変換することにより、ペンが有ると判定する。このとき、マイクロコントローラＭＣＵは。コイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）のうち、スイッチ制御信号ＳＷＣをハイレベルにして、選択したコイルの位置を把握することが可能であるため、変換によって得たデジタル信号の値と、把握したコイルの位置から、ペンが有る位置、すなわちタッチした位置と、ペンの筆圧等を判定することができる。

以上の動作を繰り返すことにより、ペンの有無と、筆圧等を判定することができる。コイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）を例にして説明したが、コイルＸ（０）〜Ｘ（ｐ）についても同様の動作を行う。これにより、ペンの有る場所の座標も求めることが可能となる。

実施の形態１０において、ゲイン回路の抵抗Ｒ９は、リセット信号ｒｓｔによりスイッチ制御されるスイッチを介して、接地電圧Ｖｓに接続するようにしてもよい。このようにすることにより、消費電力の低減を図ることが可能となる。また、抵抗Ｒ１１は、クロック信号ＣＬＫが供給されたときの電流を制限するために設けられている。そのため、コイルの抵抗が比較的高い場合には、設けなくてもよい。

また、上記した説明においては、コイルＹ（０）〜Ｙ（ｐ）のそれぞれに対応したスイッチＳＷＲＬを、時刻ｔ０、ｔ２において、オン状態にし、その後、所定のコイルＹ（ｎ−１）、Ｙ（ｎ）に対応するスイッチＳＷＲＬをオン状態に維持し、残りのスイッチＳＷＲＬをオフ状態にするように説明したが、時刻ｔ０、ｔ２のそれぞれにおいて、所定のコイルＹ（ｎ−１）、Ｙ（ｎ）をオン状態にし、リセット信号ｒｓｔがハイレベルに変化するまで、オン状態を維持するようにしてもよい。

（実施の形態１１）
図３５は、実施の形態１１に係わる液晶表示装置の表示領域２における駆動電極の構成を示す模式的な平面図である。表示領域２において、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、表示領域２の辺２−Ｕと２−Ｄ間に、互いに平行に配置されている。実施の形態１１においては、辺２−Ｕと駆動電極ＴＬ（０）との間にダミー駆動電極ＴＬ（Ａ０）、ＴＬＫ（Ａ１）が設けられており、辺２−Ｄと駆動電極ＴＬ（ｐ）との間にダミー駆動電極ＴＬ（Ａ２）、ＴＬ（Ａ３）が設けられている。これらのダミー駆動電極ＴＬ（Ａ０）〜ＴＬ（Ａ３）も、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と平行になるように配置されている。なお、図３５において、ＳＭは、補助電極を示しており、既に説明したように、補助電極は、駆動電極と電気的に接続されている。

ダミー駆動電極ＴＬ（Ａ０）〜ＴＬ（Ａ３）は、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）とは、物理的に分離されており、ダミー駆動電極ＴＬ（Ａ０）〜ＴＬ（Ａ３）のそれぞれの幅ＢＴＬＡ０、ＢＴＬＡ１は、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の幅ＢＴＬよりも狭くされている。ここで、幅は、辺２−Ｕ、２−Ｄと直交（交差）する方向の駆動電極の長さである。特に制限されないが、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に近接して配置されたダミー駆動電極ＴＬ（Ａ１）、ＴＬ（Ａ２）の幅ＢＴＬＡ１は、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の遠方に配置されたダミー駆動電極ＴＬ（Ａ０）、ＴＬ（Ａ３）の幅ＢＴＬＡ０よりも、広くされている。

例えば、先に説明した実施の形態６においては、磁界タッチ検出のとき２回巻線のコイルが形成される。この実施の形態１１においては、表示領域２の辺２−Ｕに最も近接した駆動電極ＴＬ（０）を含む駆動電極のグループＴＬＧ（０）において、磁界を発生する場合、ダミー駆動電極ＴＬ（Ａ０）およびＴＬ（Ａ１）を巻線としてコイルを形成する。また、表示領域２の辺２−Ｄに最も近接した駆動電極ＴＬ（ｐ）を含む駆動電極のグループＴＬＧ（ｐ）において、磁界を発生する場合、ダミー駆動電極ＴＬ（Ａ２）およびＴＬ（Ａ３）を巻線としてコイルを形成する。すなわち、グループＴＬＧ（０）を間に挟む４個の駆動電極のうちの２個の駆動電極として、ダミー駆動電極ＴＬ（Ａ０）、ＴＬ（Ａ１）を用い、グループＴＬＧ（ｐ）を間に挟む４個の駆動電極のうちの２個の駆動電極として、ダミー駆動電極ＴＬ（Ａ２）、ＴＬ（Ａ３）を用いる。

これにより、表示領域２の辺２−Ｕ、２−Ｄに近い領域においても、ペンの検出が可能となる。また、ダミー駆動電極ＴＬ（Ａ０）〜ＴＬ（Ａ３）の幅を狭くすることにより、ペンに対して検出精度が低下する領域を低減することが可能である。なお、図では示されていないが、ダミー駆動電極ＴＬ（Ａ０）〜ＴＬ（Ａ３）のそれぞれに対しても、補助電極ＳＭを設けるようにしてもよい。また、ダミー駆動電極ＴＬ（Ａ０）〜ＴＬ（Ａ３）の幅は、互いに同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。

上記した複数の実施の形態においては、表示期間において、表示駆動信号が供給される駆動電極が、複数の駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）によって構成されている。これらの駆動電極を巻線として用いて、磁界タッチ検出の際には、コイルが形成される。また、表示期間のとき、画像信号を伝達する信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）を用いて、磁界タッチ検出の際には、コイルが形成される。ここで、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）は、図９に示したように、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を形成する第３配線層６０５よりも下層の第２配線層６０３に形成された配線により構成される。そのため、駆動電極が１個の電極によって構成されていると、信号線により形成されたコイルによって磁界を発生したとき、この発生した磁界によって駆動電極に渦電流が発生することになる。信号線により形成したコイルで発生した磁界が、渦電流を発生するために、消費され、ペンに到達する磁界が減少する。同様に、ペンで発生した磁界が、信号線で形成したコイルに到達する量も減少する。

これに対して、駆動電極を、複数の駆動電極で構成すれば、渦電流の発生する領域を狭くすることが可能となり、駆動電極により、磁界が減少するのを低減するこが可能となる。複数の駆動電極により、駆動電極を構成すると、それぞれの駆動電極の抵抗が上昇するが、実施の形態で述べたように、補助電極を駆動電極に接続させ、補助電極もコイルの配線として用いることにより、コイルを形成したときの駆動電極（補助電極を含む）の抵抗を低減することが可能となり、発生する磁界が減少することを抑制することが可能となる。

実施の形態１〜１１においては、タッチ機能付き液晶表示装置を例にして説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、タッチ検出装置であってもよい。この場合、前記した表示領域２の領域は、タッチ検出装置のアクティブ領域（第１領域）と見なし、表示領域２の外側の周辺領域は、タッチ検出装置の非アクティブ領域（第２領域）と見なす。タッチ検出装置は、前記した駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を第１配線として備え、前記した検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）を第２配線として備える。磁界タッチ検出のときには、非アクティブ領域に配置されている切換調整回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌによって、第１配線間を電気的に接続することにより、第１配線を巻線としたコイルを形成し、第１配線に磁界駆動信号を供給する。一方、電界タッチ検出のときには、第１配線に電界駆動信号を供給し、電界の変化に基づく検出信号を第２配線により伝達する。これにより、第１配線は、磁界タッチ検出と電界タッチ検出とで兼用されることになる。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例及び修正例に想到し得るものであり、それら変形例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

例えば、前述の各実施の形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

例えば、実施の形態においては、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）は、列方向に延在し、行方向に配置されている場合を説明したが、行方向および列方向は、見る視点により変化する。見る視点を変えて、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）が、行方向に延在し、列方向に配置されている場合も本発明の範囲に含まれるものである。

１ タッチ機能付き液晶表示装置
２ 表示領域
３ 信号線セレクタ
４ 表示制御装置
５ ゲートドライバ
６ タッチ制御装置
ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ） 駆動電極
ＴＬＧ（０）〜ＴＬＧ（ｐ） 駆動電極のグループ
ＳＭ 補助電極
ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ） 走査線
ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ） 信号線
Ｘ（０）〜Ｘ（ｐ）、Ｙ（０）〜Ｙ（ｐ） コイル
ＳＤ−Ｒ 第１電極駆動回路
ＳＤ−Ｌ 第２電極駆動回路
ＳＣ−Ｌ、ＳＣ−Ｒ、ＳＣＸ−Ｕ、ＳＣＸ−Ｄ 切換調整回路
ＳＲ−Ｌ、ＳＲ−Ｒ、ＳＲＸ−Ｄ 選択調整回路
ＵＳＣ−Ｌ（０）〜ＵＳＣ−Ｌ（ｐ）、ＵＳＣ−Ｒ（０）〜ＵＳＣ−Ｒ（ｐ） 単位切換調整回路
ＵＳＲ−Ｌ（０）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｐ）、ＵＳＲ−Ｒ（０）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｐ） 単位選択制御回路
ＳＣ＿ＥＮ 磁界イネーブル信号
ＴＸ＿ＥＮ 電界イネーブル信号
Ｃ−Ｒ（０）〜Ｃ−Ｒ（ｐ）、Ｃ−Ｌ（０）〜Ｃ−Ｌ（ｐ） 磁界制御信号
Ｔ−Ｒ（０）〜Ｔ−Ｒ（ｐ）、Ｔ−Ｌ（０）〜Ｔ−Ｌ（ｐ） 電界制御信号
Ｄ−Ｒ（０）〜Ｄ−Ｒ（ｐ）、Ｄ−Ｌ（０）〜Ｄ−Ｌ（ｐ） 表示制御信号

Claims (12)

1. 行列状に配置された複数の画素を有する画素配列と、
   前記画素配列の各行に配置され、対応する行に配置された複数の画素に走査信号を供給する複数の走査線と、
   前記画素配列の各列に配置され、対応する列に配置された複数の画素に、画像信号を供給する複数の信号線と、
   前記画素配列において、互いに平行に配置され、画像の表示のとき、前記複数の画素に対して駆動信号を供給する複数の駆動電極と、
   磁界を用いて、外部近接物体を検出するとき、駆動電極に磁界を発生させる磁界駆動信号を供給し、電界を用いて、外部近接物体を検出するとき、駆動電極に電界を発生させる電界駆動信号を供給する電極駆動回路と、
   を備える、表示装置。
2. 請求項１に記載の表示装置において、
   前記電極駆動回路は、磁界を用いて外部近接物体を検出するとき、複数の駆動電極間に接続される信号配線を有する切換調整回路を備え、前記切換調整回路において、駆動電極間が電気的に接続されることにより、磁界を発生するコイルが形成される、表示装置。
3. 請求項２に記載の表示装置において、
   前記切換調整回路は、前記画素配列の第１辺に沿って配置された第１切換調整回路と、前記第１辺と対向する前記画素配列の第２辺に沿って配置された第２切換調整回路とを有し、前記第１切換調整回路および前記第２切換調整回路のそれぞれにおいて、信号配線により複数の駆動電極間が接続されることによって、複数巻線コイルが形成される、表示装置。
4. 請求項２に記載の表示装置において、
   前記切換調整回路において、駆動電極間を電気的に接続することにより、複数のコイルが形成され、前記複数のコイル間は、互いに重なっている、表示装置。
5. 請求項３に記載の表示装置において、
   前記複数の駆動電極のそれぞれは、第１電極と前記第１電極よりも抵抗値の小さな複数の第２電極とを有し、前記第１電極と前記複数の第２電極は電気的に接続されている、表示装置。
6. 請求項５に記載の表示装置において、
   前記画素配列は、前記複数の走査線のそれぞれを構成する配線が形成される第１配線層と、前記複数の信号線のそれぞれを構成する配線が形成される第２配線層と、前記第１電極および前記第２電極のそれぞれを構成する配線が形成される第３配線層を有し、
   前記切換調整回路が備える信号配線は、前記画素配列外の前記第１配線層または前記第２配線層に形成される配線により構成されている、表示装置。
7. 請求項４に記載の表示装置において、
   前記表示装置は、１フレーム期間において、前記画像の表示と外部近接物体の検出とが、交互に実行されるように、前記電極駆動回路を制御する制御回路を備え、
   前記制御回路は、外部近接物体の検出を行うとき、前記複数のコイルに磁界駆動信号を供給させ、外部近接物体が検出されたとき、前記１フレーム期間における外部近接物体の検出として、磁界を用いた外部近接物体の検出を行い、外部近接物体が検出されなかったとき、前記１フレーム期間における外部近接物体の検出として、電界を用いた外部近接物体の検出を行わせる、表示装置。
8. 請求項７に記載の表示装置において、
   前記制御回路は、前記複数のコイルに磁界駆動信号を供給させるとき、前記複数の走査線、前記複数の信号線、および磁界駆動信号を供給していない駆動電極のそれぞれが、ハイインピーダンス状態となるようにする、表示装置。
9. 行列状に配置された複数の画素を有する画素配列と、
   前記画素配列の各行に配置され、対応する行に配置された複数の画素に走査信号を供給する複数の走査線と、
   前記画素配列の各列に配置され、対応する列に配置された複数の画素に、画像信号を供給する複数の信号線と、
   前記画素配列において、互いに平行に配置され、画像の表示のとき、前記複数の画素に対して駆動信号を供給する複数の駆動電極と、
   を備え、
   前記複数の駆動電極は、外部近接物体を検出するとき、それぞれ駆動電極を有する複数のグループとされ、前記複数のグループのうちの第１グループにおいて、磁界を発生する外部近接物体を検出するとき、前記第１グループに隣接した第２および第３グループに含まれる駆動電極を巻線としてコイルが形成され、外部近接物体による電界の変化を検出するとき、前記第１グループに含まれる駆動電極に、電界を発生させる電界駆動信号が供給される、表示装置。
10. 請求項９に記載の表示装置において、
    前記第１グループは、前記第２グループと前記第３グループとの間に配置され、前記第１グループ、前記第２グループおよび前記第３グループのそれぞれは、複数の駆動電極を含む、表示装置。
11. 第１領域に、互いに並列に配置された複数の第１配線と、
    前記第１領域とは異なる領域に配置され、磁界を用いて、外部近接物体を検出するとき、前記複数の第１配線によりコイルを形成するように、前記複数の第１配線間を電気的に接続する切換調整回路と、
    前記第１領域において、前記複数の第１配線と交差するように配置され、電界を用いて、外部近接物体を検出するとき、電界の変化に基づく検出信号を伝達する複数の第２配線と、
    を備え、
    前記第１配線は、磁界を用いて、外部近接物体を検出するときと、電界を用いて、外部近接物体を検出するときとで兼用される、タッチ検出装置。
12. 請求項１１に記載のタッチ検出装置において、
    前記タッチ検出装置は、磁界を用いて、外部近接物体を検出するとき、磁界駆動信号を、前記第１配線に供給し、電界を用いて、外部近接物体を検出するとき、電界駆動信号を、前記第１配線に供給する、タッチ検出装置。

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