JP6698386B2 - 表示装置およびタッチ検出装置 - Google Patents

表示装置およびタッチ検出装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6698386B2
JP6698386B2 JP2016046778A JP2016046778A JP6698386B2 JP 6698386 B2 JP6698386 B2 JP 6698386B2 JP 2016046778 A JP2016046778 A JP 2016046778A JP 2016046778 A JP2016046778 A JP 2016046778A JP 6698386 B2 JP6698386 B2 JP 6698386B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
drive
magnetic field
signal
wiring
switch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016046778A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017162247A (ja
Inventor
水橋　比呂志
比呂志 水橋
元 小出
元 小出
忠義 勝田
忠義 勝田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Inc
Original Assignee
Japan Display Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Display Inc filed Critical Japan Display Inc
Priority to JP2016046778A priority Critical patent/JP6698386B2/ja
Priority to US15/448,062 priority patent/US10228809B2/en
Priority to CN202110454230.5A priority patent/CN113176838A/zh
Priority to CN201710140517.4A priority patent/CN107179853B/zh
Publication of JP2017162247A publication Critical patent/JP2017162247A/ja
Priority to US16/274,635 priority patent/US10430012B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6698386B2 publication Critical patent/JP6698386B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/046—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by electromagnetic means
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134336—Matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/033—Pointing devices displaced or positioned by the user, e.g. mice, trackballs, pens or joysticks; Accessories therefor
    • G06F3/0354—Pointing devices displaced or positioned by the user, e.g. mice, trackballs, pens or joysticks; Accessories therefor with detection of 2D relative movements between the device, or an operating part thereof, and a plane or surface, e.g. 2D mice, trackballs, pens or pucks
    • G06F3/03545—Pens or stylus
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G06F3/04162—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers for exchanging data with external devices, e.g. smart pens, via the digitiser sensing hardware
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G06F3/04166—Details of scanning methods, e.g. sampling time, grouping of sub areas or time sharing with display driving
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0442—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using active external devices, e.g. active pens, for transmitting changes in electrical potential to be received by the digitiser
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/047—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using sets of wires, e.g. crossed wires
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133302—Rigid substrates, e.g. inorganic substrates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04106—Multi-sensing digitiser, i.e. digitiser using at least two different sensing technologies simultaneously or alternatively, e.g. for detecting pen and finger, for saving power or for improving position detection
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04108—Touchless 2D- digitiser, i.e. digitiser detecting the X/Y position of the input means, finger or stylus, also when it does not touch, but is proximate to the digitiser's interaction surface without distance measurement in the Z direction

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

本発明は、表示装置に関し、特に外部近接物体を検出可能なタッチ検出機能付き表示装置に関する。
近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が注目されている。タッチパネルは、表示装置、例えば液晶表示装置上に装着または液晶表示装置と一体化され、タッチ検出機能付き表示装置として提供される。
外部近接物体として、例えばペンを用いることを可能にしたタッチパネルがある。ペンを用いることを可能とすることにより、例えば小さな領域を指定したり、手書き文字の入力が可能となる。ペンによるタッチを検出する技術は、種々ある。種々ある技術の一つとして、電磁誘導方式がある。電磁誘導方式は、高精度、高い筆圧検出精度を実現することが可能であり、外部近接物体がタッチパネル表面から離間したホバリング検出機能も実現可能であるため、ペンによるタッチを検出する技術としては有力な技術である。
また、外部近接物体として、指を用いることを可能にしたタッチパネルもある。指を用いることを可能とすることにより、ペン等の準備が不用となるため、簡便となる。例えば、タッチ検出機能付き表示装置に、各種のボタン画像等を表示させ、指がボタン画像に近接したことをタッチパネルで検出する。これにより、タッチパネルを通常の機械式ボタンの代わりとして用いることを可能なる。このようなタッチ検出機能付きの表示装置は、キーボードやマウスのような情報入力の手段を必ずしも必要としないため、コンピュータのほか、携帯電話のような携帯情報端末などでも、使用が拡大する傾向にある。
指によるタッチを検出する技術も、種々存在する。例えば、光学式、抵抗式、静電容量方式などのいくつかの方式が存在する。このなかで、静電容量方式は、比較的単純な構造を有し、低消費電力であるため、携帯情報端末などに用いられている。
指を用いることを可能にしたタッチパネルは、簡便であるが、例えば、小さな領域を、指で指定するのは、容易ではない。そのため、ペンと指の両方を用いることが可能なタッチパネルが望ましい。
電磁誘導方式を用いたタッチ検出の技術は、例えば、特許文献１〜３に記載されている。
特開平１０−４９３０１号公報 特開２００５−３５２５７２号公報 特開２００６−１６３７４５号公報
電磁誘導方式としては、ペンにコイルと電池を実装し、ペンにおいて磁界を発生させ、タッチパネルにおいて、磁界エネルギーを検出する方式がある。この場合、タッチパネルには、磁界エネルギーを受け取るセンサ板が必要とされる。また、ペンにコイルと容量を実装し、タッチパネルにおいて磁界を発生し、ペンに実装された容量に磁界エネルギーを蓄え、タッチパネルで検出する方式がある。この方式の場合には、タッチパネルにおいて磁界を発生し、ペンからの磁界エネルギーを受け取るセンサ板が必要とされる。
いずれの電磁誘導方式においても、タッチ検出機能付き表示装置を実現するためには、電磁エネルギーを受け取るセンサ板を追加することが必要とされ、価格（生産コスト）が上昇することになる。
また、指によるタッチを検出する静電容量方式においても、容量の変化を検出するためのセンサ板が必要とされる。そのため、タッチ検出機能付き表示装置を実現するためには、センサ板の追加が必要となり、価格が上昇することになる。
ペンによるタッチと指によるタッチの両方を検出することを可能とするには、それぞれのセンサ板を追加することが必要とされ、さらに価格が上昇することになる。例えば、電磁誘導方式において用いられるセンサ板の一部と、静電容量方式において用いられるセンサ板の一部を兼用することにより、価格の上昇の抑制を図ることが考えられる。しかしながら、兼用する場合には、兼用部を切り換えるための制御か要求され、制御が複雑になる。また、制御のための制御回路が増加し、価格の上昇を抑制する際の制限となる。
本発明の目的は、価格の上昇を抑制しつつ製造することが可能なタッチ検出機能付き表示装置を提供することにある。
本発明の一態様に係わる表示装置は、行列状に配置された複数の画素を有する画素配列と、画素配列において、それぞれ第１方向に延在するように配置された複数の駆動配線と、画素配列において、第１方向とは交差する第２方向に延在するように配置された複数の検出配線を備える。ここで、外部近接物体を検出するとき、複数の駆動配線のうちの第１の駆動配線において、第１領域に、周期的に変化する磁界駆動信号が供給され、第１領域に対して第１方向に延在した第２領域に、基準信号が供給される。これにより、第１の駆動配線において、磁界駆動信号に応じた磁界が発生する。外部近接物体が、第１の駆動配線に近接しているか否かに応じて、外部近接物体が発生する磁界が変わる。この外部近接物体が発生する磁界が、複数の検出配線によって検出される。
磁界を発生するために、それぞれ第１方向に延在している例えば２個の駆動配線間を電気的に接続して、コイルを構成することが考えられる。この場合、２個の駆動配線間の接続を制御することが要求される。これに対して、一態様に係わる表示装置においては、駆動配線間の接続を制御することが要求されず、制御が容易になる。また、制御回路の増加を抑制することが可能となる。その結果、タッチ検出機能付き表示装置の価格が上昇するのを抑制することが可能となる。
また、本発明の一態様に係わる表示装置においては、上記した複数の駆動配線は、第１の駆動配線に近接して配置され、第１領域に近接した第１領域と、第２領域に近接した第２領域を備える第２の駆動配線を有している。ここで、外部近接物体を検出するとき、第２の駆動配線における第１領域に、基準信号が供給され、第２の駆動配線における第２領域に、磁界駆動信号が供給される。この場合、第１の駆動配線において発生した磁界と、第２の駆動配線において発生した磁界が、第１の駆動配線と第２の駆動配線との間の領域において、重畳される。これにより、発生する磁界を強くすることが可能となる。
さらに、本発明の一態様に係わる表示装置は、互いに対向する第１辺と、第２辺を有する表示領域において、第１辺と第２辺との間に、互いに平行して配置された複数の駆動配線を備え、表示領域に近接する外部近接物体を検出する表示装置である。当該表示装置は、複数の駆動配線のそれぞれの一方の端部に接続された第１駆動回路と、複数の駆動配線のそれぞれの他方の端部に接続された第２駆動回路を備えている。ここで、第１駆動回路は、第１辺に近接して配置された第１の駆動配線の一方の端部に、磁界駆動信号を供給し、第２駆動回路は、第１の駆動配線の他方の端部に、基準信号を供給する。このとき、第１駆動回路は、第１の駆動配線よりも、第２辺の近くに配置され、第１の駆動配線との間に第３の駆動配線を挟むように配置された第２の駆動配線の一方の端部に基準信号を供給し、第２駆動回路は、第２の駆動配線の他方の端部に磁界駆動信号を供給する。
第１の駆動配線および第２の駆動配線に、磁界駆動信号および基準信号を供給することによって、第１の駆動配線と第２の駆動配線との間で、強い磁界が発生し、外部近接物体に与えられる。
第１の駆動配線および第２の駆動配線のそれぞれに該当する駆動配線が、第１辺から第２辺に向かって移動するように、第１駆動回路および第２駆動回路は、複数の駆動配線から選択された駆動配線に、磁界駆動信号および基準信号を供給することにより、表示領域における１フレームの表示期間において、表示領域に近接する外部近接物体の検出が行われる。
これにより、制御が複雑になるのを防ぎながら、表示領域に近接する外部近接物体を検出することが可能となる。
タッチ検出機能付き表示装置を有する電子装置とペンとの関係を示す説明図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、電磁誘導方式の原理を示す説明図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、電磁誘導方式の原理を示す波形図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係わる表示装置の構成を模式的に示す平面図および断面図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、静電容量方式の原理を示す説明図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、表示装置の模式的な断面を示す断面図である。 磁界発生コイルおよび磁界検出コイルを示す平面図である。 実施の形態１に係わる表示装置の構成を示すブロック図である。 実施の形態１に係わる表示装置のモジュールの構成を示す平面図である。 実施の形態１に係わる表示装置の表示パネルの構成を示す平面図である。 実施の形態１に係わる表示装置の構成を示す断面図である。 実施の形態１に係わる表示装置の表示パネルの回路構成を示す回路図である。 実施の形態１に係わる表示装置のタッチ検出動作を示す説明図である。 実施の形態１に係わる表示装置の選択駆動回路の構成を示すブロック図である。 実施の形態１に係わる表示装置の磁界発生期間における波形を示す波形図である。 実施の形態１に係わる表示装置の磁界タッチ検出動作を示す模式的な平面図である。 実施の形態１に係わる表示装置の磁界タッチ検出動作を示す模式的な平面図である。 実施の形態１に係わる表示装置の電界タッチ検出動作を示す模式的な平面図である。 実施の形態１に係わる表示装置の構成を模式的に示す平面図である。 実施の形態１に係わる表示装置の構成を模式的に示す斜視図である。 実施の形態１の変形例に係わる表示装置の構成を模式的に示す斜視図である。 実施の形態２に係わる表示装置の構成を示す平面図である。 実施の形態２に係わる表示装置の動作を示す平面図である。 実施の形態２に係わる表示装置の動作を示す平面図である。 （Ａ）〜（Ｉ）は、実施の形態３に係わる表示装置の動作を示すタイミング図である。 （Ａ）〜（Ｆ）は、実施の形態３に係わる表示装置の動作を示すタイミング図である。 実施の形態３に係わる表示装置の検出回路の構成を示す回路図である。 実施の形態４に係わる表示装置の構成を示す平面図である。 実施の形態４に係わる表示装置におけるタッチ検出の原理を示す回路図である。 実施の形態４の変形例に係わる表示装置の構成を示す平面図である。 実施の形態５に係わる表示装置の構成を示す模式的な平面図である。 実施の形態５に係わる表示装置における選択駆動回路の構成を示す回路図である。 実施の形態５の変形例に係わる表示装置における選択駆動回路の構成を示す回路図である。 実施の形態６に係わる表示装置の構成を示す模式的な平面図である。 実施の形態６に係わる表示装置における選択接続回路の構成を示す回路図である。 本発明者が検討した表示装置の構成を示すブロック図である。 本発明者が検討した表示装置の構成を示すブロック図である。 実施の形態４の変形例に係わる表示装置の構成を示す平面図である。 実施の形態４の変形例に係わる表示装置の構成を示す平面図である。 実施の形態４の変形例に係わる表示装置の構成を示す平面図である。
以下、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまでも一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
以下の説明は、タッチ検出機能付き表示装置としてタッチ検出機能付き液晶表示装置を例として述べる。しかしながら、これに限定されず、タッチ検出機能付きＯＬＥＤ表示装置にも適用することが可能である。また、電磁誘導方式として、２種類の方式を例に説明したが、ここでは、後者の方式を採用している場合について説明する。後者の方式では、ペンに電池を実装しなくてもよいため、ペンの小型化および／または形状の自由度を向上することが可能である。
（実施の形態１）
実施の形態１に係わるタッチ検出機能付き液晶表示装置（以下、単に表示装置とも称する）は、電磁誘導方式によるタッチ検出の機能と、静電容量方式によるタッチ検出の機能の両方を有している。すなわち、ペンによるタッチの検出と指によるタッチの検出が可能となっている。先ず、電磁誘導方式と静電容量方式の原理を説明しておく。
＜電磁誘導方式の基本原理＞
図１は、表示装置を有する電子装置とペンとの関係を模式的に示した説明図である。また、図２および図３は、電磁誘導方式の基本原理を模式的に示した説明図である。
図１において、電子装置は、金属カバーに納められた表示装置１と、導光板と、センサ板と、磁性シートとを有している。同図に示した例では、表示装置１と金属カバーとの間に、センサ板が実装されている。このセンサ板には、複数のコイルが設けられているが、図１には、そのうちの１個のコイルが、センサ板内コイル（以下、単にコイルとも称する）Ｌ２として模式的に示されている。
また、外部近接物体に該当するペンには、コイルと容量素子とが内蔵されている。図１では、容量素子は省略されているが、ペンに内蔵されているコイルが、ペン内コイル（以下、単にコイルとも称する）Ｌ１として模式的に示されている。コイルＬ１とコイルＬ２との間は、磁界によって結合される。
なお、表示装置１は、模式的にその構造を示すために、図１では、表示装置１に含まれるＴＦＴガラス基板、カラーフィルタおよびＣＦガラス基板が描かれている。ＴＦＴガラス基板には、図示しないが、複数の層が形成されている。ＣＦガラス基板にはカラーフィルタが形成されており、このカラーフィルタとＴＦＴガラス基板との間には図示しない液晶層が挟持されている。また、導光板は、表示装置１とセンサ板との間に挟まれるように、固定部で固定されている。
ペンが、電子装置に近接（接触を含む）することにより、コイルＬ１が、コイルＬ２に近接することになる。これにより、コイルＬ１とコイルＬ２との間の磁界結合が発生し、ペンが近接したことが検出される。
この検出を、図２および図３を用いて説明する。図２（Ａ）は、コイルＬ２が磁界を発生している状態を示しており、図２（Ｂ）は、コイルＬ１が磁界を発生している状態を示している。
図２において、ペン内のコイルＬ１とペン内容量素子（以下、単に容量素子とも称する）Ｃとは並列的に接続されており、共振回路を構成している。センサ板内コイルＬ２は、１回巻線のコイルが例として示されており、一対の端子を有している。ペンによるタッチを検出するとき（タッチ検出のとき）、コイルＬ２の一方の端子ＰＴは、所定時間、送信アンプＡＰ１の出力に接続され、所定時間後に、受信アンプＡＰ２の入力に、所定時間、接続される。また、センサ板内コイルＬ２の他方の端子は、タッチ検出のとき、接地電圧Ｖｓｓに接続される。
図３は、タッチ検出のときに動作を示す波形図である。図３の横軸は、時間を示しており、図３（Ａ）は、送信アンプＡＰ１の出力の波形を示しており、図３（Ｂ）は、受信アンプＡＰ２の出力の波形を示している。
コイルＬ２の一方の端子ＰＴが、送信アンプＡＰ１の出力に接続されているとき、送信アンプＡＰ１の入力には、周期的に変化する送信信号ＩＮが供給される。これにより、送信アンプＡＰ１は、送信信号ＩＮの変化に従って、周期的に変化する駆動信号φ１を、図３（Ａ）に示すように、所定時間（磁界発生期間）ＴＧＴ、コイルＬ２の一方の端子に供給する。これにより、コイルＬ２が磁界を発生する。このときの磁力線が、図２（Ａ）ではφＧとして示されている。
磁力線φＧは、コイルＬ２の巻線を中心として発生するため、コイルＬ２の内側の磁界が強くなる。コイルＬ１が、コイルＬ２に近接し、例えば図２（Ａ）に示すように、コイルＬ１の中心軸ＬＯが、コイルＬ２の内側に存在すると、コイルＬ１に、コイルＬ２の磁力線が到達する。すなわち、コイルＬ１が、コイルＬ２において発生している磁界内に配置され、コイルＬ１とコイルＬ２とが磁界結合されることになる。コイルＬ２は、駆動信号φ１の変化に従って、周期的に変化する磁界を発生する。そのため、コイルＬ２とコイルＬ１間の相互誘導の作用により、コイルＬ１には、誘起電圧を発生する。容量素子Ｃは、コイルＬ１によって発生した誘起電圧によって充電される。
所定時間後に、コイルＬ２の一方の端子ＰＴは、所定時間（磁界検出期間または電流検出期間）ＴＤＴ、受信アンプＡＰ２の入力に接続される。磁界検出期間ＴＤＴにおいては、先の磁界発生期間ＴＧＴにおいて容量素子Ｃが、充電されていれば、容量素子Ｃに充電された電荷によって、コイルＬ１が、磁界を発生する。図２（Ｂ）には、容量素子Ｃに充電された電荷によって発生したコイルＬ１の磁力線が、φＤとして示されている。
タッチ検出のとき、すなわち、磁界発生期間ＴＧＴおよび磁界検出期間ＴＤＴのとき、ペン内コイルＬ１が、センサ板内コイルＬ２に近接していれば、磁界発生期間ＴＧＴのとき、容量素子Ｃに充電が行われ、磁界検出期間ＴＤＴのとき、コイルＬ１の磁力線φＤが、コイルＬ２に到達する。コイルＬ１と容量素子Ｃとにより共振回路が構成されているため、コイルＬ１の発生する磁界は、共振回路の時定数に従って変化する。コイルＬ１が発生する磁界が変化することにより、コイルＬ２に誘起電圧が発生する。この誘起電圧によって、コイルＬ２の一方の端子ＰＴにおいて、信号が変化する。この信号の変化が、検出信号φ２として、磁界検出期間ＴＤＴのとき、受信アンプＡＰ２に入力され、増幅され、センサ信号ＯＵＴとして受信アンプＡＰ２から出力される。
一方、タッチ検出のとき、ペン内コイルＬ１が、センサ板内コイルＬ２に近接していなければ、磁界発生期間ＴＧＴのとき、容量素子Ｃは充電されない、または充電される電荷量が少なくなる。その結果、磁界検出期間ＴＤＴのとき、コイルＬ１が発生する磁界の磁力線φＤは、コイルＬ２に到達しない。そのため、磁界検出期間ＴＤＴのとき、コイルＬ２の一方の端子ＰＴにおける検出信号φ２は変化しない。
図３には、ペン内コイルＬ１が、センサ板内コイルＬ２に近接しているときと、近接していないときの両方の状態が示されている。すなわち、図３において、左側には、コイルＬ１がコイルＬ２に近接していないときの状態が示されており、右側には、コイルＬ１がコイルＬ２に近接しているときの状態が示されている。そのため、図３（Ｂ）において、左側に示した磁界検出期間ＴＤＴでは、検出信号φ２は変化しておらず、右側に示した磁界検出期間ＴＤＴでは、検出信号φ２が変化している。検出信号φ２が変化している場合を、ペン有りと判定し、検出信号φ２が変化していない場合を、ペン無しと判定することにより、ペンによるタッチを検出することができる。
図３では、ペン有りとペン無しの判定を示したが、コイルＬ１とコイルＬ２との間の距離に従って、検出信号φ２の値が変化するため、ペンとセンサ板との間の距離あるいはペンの筆圧を判定することも可能である。
＜静電容量方式の基本原理＞
次に、静電容量方式の基本原理を説明する。ここでは、図１に示した表示装置１に形成されている信号配線を用いて、指によるタッチを検出する場合を例として説明する。すなわち、静電容量方式のセンサ板が、表示装置と一体化されている場合を説明する。先ず、図１に示した表示装置１の構成を、より詳しく説明する。図４は、表示装置１の構成を模式的に示す図である。ここで、図４（Ａ）は、表示装置１の平面を、模式的に示した平面図であり、図４（Ｂ）は、表示装置１の断面を、模式的に示した断面図である。
図４（Ａ）において、ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢ（第１基板）の第１主面ＴＳＦ１に形成されたレイヤ（層）によって構成された駆動電極を示している。また、ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、ＣＦガラス基板ＣＧＢ（第２基板）の第１主面ＣＳＦ１に形成されたレイヤ（層）によって構成された検出電極を示している。ＴＦＴガラス基板ＴＧＢは、第１主面ＴＳＦ１と、この第１主面ＴＳＦ１と対向する第２主面ＴＳＦ２（図４（Ｂ））を備えている。ＴＦＴガラス基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１には、複数のレイヤが形成されているが、図４では、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を構成するレイヤのみが示されている。
ＣＦガラス基板ＣＧＢも、第１主面ＣＳＦ１と、この第１主面ＣＳＦ１と対向する第２主面ＣＳＦ２（図４（Ｂ））を備えている。図４では、第１主面ＣＳＦ１に配置された検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）を形成するレイヤのみが描かれている。理解を容易にするために、図４（Ａ）では、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢとＣＦガラス基板ＣＧＢとが分離して、描かれているが、具体的には、図４（Ｂ）に示すように、液晶層（層）を挟んで、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢ（第１基板）の第１主面ＴＳＦ１とＣＦガラス基板ＣＧＢ（第２基板）の第２主面ＣＳＦ２とが対向するように配置されている。
ＴＦＴガラス基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１と、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第２主面ＣＳＦ２との間には、複数のレイヤと、液晶層等が挟まれているが、図４では、第１主面ＴＳＦ１と第２主面ＣＳＦ２との間に挟まれた駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｎ＋２）、液晶層およびカラーフィルタのみが示されている。また、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１には、図４（Ａ）に示すように複数の検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）と偏光板が配置されている。図４（Ｂ）では、複数の検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のうち、検出電極ＲＬ（ｎ）のみが、検出電極の例として示されている。
本明細書では、表示装置１を、図４（Ｂ）に示すように、ＣＦガラス基板ＣＧＢおよびＴＦＴガラス基板ＴＧＢの第１主面ＣＳＦ１、ＴＳＦ１側から見たときの状態を、平面視として説明する。すなわち、平面視は、ＣＦガラス基板ＣＧＢおよびＴＦＴガラス基板ＴＧＢの第１主面ＣＳＦ１、ＴＳＦ１側から見た状態である。そのため、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１側に、検出電極および偏光板が配置されていると述べたが、見る方向が変われば、例えば検出電極および偏光板は、ＣＦガラス基板ＣＧＢの右側、左側あるいは下側に配置されていることになる。図４（Ｂ）において、１３は、検出電極ＲＬ（ｎ）に接続された増幅回路を示している。
第１主面ＣＳＦ１およびＴＳＦ１側から、平面視で見たとき、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１において、図４（Ａ）に示すように、行方向（横方向）に延在し、列方向（縦方向）に平行に配置されている。また、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１において、図４（Ａ）に示すように、列方向（縦方向）に延在し、行方向（横方向）に平行に配置されている。
図４（Ｂ）に示すように、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）の間には、ＣＦガラス基板ＣＧＢ、液晶層等が介在している。そのため、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、平面視で見たときには、交差しているが、互いに電気的に分離されている。駆動電極と検出電極との間には、容量が存在するため、図４（Ｂ）では、この容量が容量素子として破線で示されている。なお、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）間は、互いに分離されており、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）間も互いに分離されている。
駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）には、表示のときには、表示用の駆動信号（表示駆動信号）が供給され、指によるタッチを検出するときには、タッチ検出用の駆動信号が供給される。
この実施の形態１においては、指によるタッチの検出は、電界を用いて行い、ペンによるタッチの検出は、磁界（図１、図２および図３参照）を用いて行う。そのため、本明細書においては、磁界を用いたタッチの検出を、磁界タッチ検出と称し、電界を用いたタッチの検出を、電界タッチ検出とも称する。後で説明するが、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）には、磁界タッチ検出のときにも、タッチ検出用の駆動信号が供給される。そのため、表示のときと、電界タッチ検出のときと、磁界タッチ検出のときにおいて、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）には、それぞれに対応した駆動信号が供給されることになる。すなわち、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、表示のときと電界タッチ検出のときと磁界タッチ検出のときとで、共通に用いられる（兼用される）。共通に用いられるという観点で見た場合、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、共通電極と見なすことができる。
電界タッチ検出の期間においては、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に、電界用の駆動信号Ｔｘが供給される。タッチを検出するように選択された駆動電極に対して、電圧が周期的に変化する信号が、駆動信号Ｔｘとして供給され、タッチを検出しないように非選択とされた駆動電極には、例えば所定の固定電圧が駆動信号Ｔｘとして供給される。電界タッチ検出の期間において、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、例えばこの順番で順次、選択される。図４（Ａ）では、駆動電極ＴＬ（２）に、周期的に電圧が変化する信号が駆動信号Ｔｘ（２）として供給されている状態が示されているが、例えば、駆動電極ＴＬ（０）からＴＬ（ｐ）へ向けて、順次、駆動電極が選択され、周期的に電圧が変化する駆動信号が供給されることになる。
これに対し、表示の期間においては、所定の固定電圧あるいは表示すべき画像情報に応じた電圧が、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）へ、表示駆動信号として供給される。
次に、図５を用いて、静電容量方式の基本原理を説明する。図５において、ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、図４に示した駆動電極であり、ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、図４に示した検出電極である。図５（Ａ）において、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、行方向に延在し、列方向に平行して配置されている。また、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれは、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と交差するように、列方向に延在し、行方向に平行して配置されている。検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）と駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）との間に隙間が生じるように、図４（Ｂ）に示したように、検出電極ＲＬ（０）〜Ｒ（ｐ）と駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）との間には、液晶層等が配置されている。
図５（Ａ）において、１２−０〜１２−ｐのそれぞれは、単位駆動電極ドライバを模式的に示している。同図では、単位駆動電極ドライバ１２−０〜１２−ｐから、駆動信号Ｔｘ（０）〜Ｔｘ（ｐ）が出力される。また、１３−０〜１３−ｐのそれぞれは、単位増幅回路を模式的に示している。図５（Ａ）において、実線の○で囲んだパルス信号は、選択された駆動電極へ供給される駆動信号Ｔｘの波形を示している。外部近接物体として、同図では、指がＦＧとして示されている。
図５（Ａ）の例では、駆動電極ＴＬ（２）に、単位駆動電極ドライバ１２−２から駆動信号Ｔｘ（２）として、パルス信号が供給されている。駆動電極ＴＬ（２）にパルス信号である駆動信号Ｔｘ（２）を供給することにより、図５（Ｂ）に示すように、駆動電極ＴＬ（２）と交差する検出電極ＲＬ（ｎ）との間で電界が発生する。このとき、指ＦＧが、液晶パネルの駆動電極ＴＬ（２）に近接している位置をタッチしていると、指ＦＧと駆動電極ＴＬ（２）との間でも電界が発生し、駆動電極ＴＬ（２）と検出電極ＲＬ（ｎ）との間で発生している電界が減少する。これにより、駆動電極ＴＬ（２）と検出電極ＲＬ（ｎ）との間の電荷量が減少する。その結果、図５（Ｃ）に示すように、駆動信号Ｔｘ（２）の供給に応答して生じる電荷量は、指ＦＧがタッチしているときは、タッチしていないときに比べてΔＱだけ減少する。電荷量の差は、電圧の差として検出信号Ｒｘ（ｎ）に表れ、単位増幅回路１３−ｎに供給され、増幅される。
なお、図５（Ｃ）において、横軸は時間を示しており、縦軸は電荷量を示している。駆動信号Ｔｘ（２）の立ち上がりに応答して、電荷量は、増加（同図において、上側に増加）し、駆動信号Ｔｘ（２）の電圧の立ち下がりに応答して、電荷量は、増加（同図において、下側に増加）する。このとき、指ＦＧのタッチの有無によって、増加する電荷量が変わる。また、この図面では、電荷量が、上側に増加した後、下側へ増加する前に、リセットが行われており、同様に、電荷量が下側へ増加した後、上側へ増加する前に、電荷量のリセットが行われている。このようにして、リセットされた電荷量を基準として、上下に電荷量が変化する。言い換えるならば、タッチに応じて、検出電極ＲＬ（ｎ）に信号変化が発生する。
駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を、順次選択し、選択した駆動電極に、パルス信号である駆動信号Ｔｘ（０）〜Ｔｘ（ｐ）を、供給することにより、選択した駆動電極と交差する複数の検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれから、それぞれの交差部分に近接した位置に指ＦＧがタッチしているか否かに応じた電圧値を有する検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）が出力されることになる。電荷量に差ΔＱが生じている時刻において、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）のそれぞれを、サンプリングし、アナログ／デジタル変換部を用いて、デジタル信号へ変換する。変換されたデジタル信号を信号処理することにより、タッチされた位置の座標を抽出することが可能となる。
＜表示装置とセンサ板内コイルの一体化構造＞
本発明者らは、図１に示したように、表示装置１と、センサ板とを別々に準備した場合、センサ板が高価であるため、電子装置が高価になると考えた。そこで、本発明者らは、センサ板を構成するコイルＬ２（図１）を、表示装置１の層（レイヤ）により形成し、表示装置とセンサ板とを一体化することを考えた。
図６は、センサ板をセンサ層（レイヤ）として一体化した表示装置１の模式的な断面を示す断面図である。図６は、図１と類似しているので、相違点を主に説明する。図１においては、表示装置１とは別に、センサ板を準備し、導光板と磁性シートとの間に、センサ板を設けるようにしていた。これに対して、図６（Ａ）では、ＣＦガラス基板ＣＧＢに、センサレイヤを形成する。また、図６（Ｂ）では、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢに、センサレイヤを形成する。これにより、センサ板に相当するセンサレイヤが、表示装置１に設けられるため、価格の上昇を抑制することが可能となる。
図２および図３で説明したように、磁界発生期間ＴＧＴのとき、センサ板内コイルＬ２が、磁界を発生し、磁界検出期間ＴＤＴのとき、ペン内コイルＬ１が発生する磁界を、センサ板内コイルＬ２が検出していた。すなわち、センサ板内コイルＬ２が、磁界の発生と磁界の検出に兼用されていた。このように兼用する場合、図６（Ａ）では、ＣＦガラス基板ＣＧＢに形成されたレイヤによって、コイルＬ２が構成されることになる。同様に、図６（Ｂ）では、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢに形成されたレイヤによって、コイルＬ２が構成されることになる。
しかしながら、磁界発生期間ＴＧＴにおいて磁界を発生するコイルと、磁界検出期間ＴＤＴにおいて磁界を検出するコイルとを、別々に構成することも可能である。この場合、例えば、図６（Ｂ）に示したセンサレイヤによって、磁界を発生するコイル（以下、磁界発生コイルとも称する）を構成し、図６（Ａ）に示したセンサレイヤによって、磁界を検出するコイル（以下、磁界検出コイルとも称する）を構成することができる。また、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢには、センサレイヤとして用いることが可能な複数の層が存在する。そのため、図６（Ｂ）に示したセンサレイヤによって、磁界発生コイルと磁界検出コイルを別々に構成することもできる。
磁界発生コイルと磁界検出コイルを別々に構成した場合の例を、図７に示す。図７には、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢに形成されたレイヤによって、磁界発生コイルと、磁界検出コイルを構成した場合が示されている。図７において、ＣＸ（ｎ）〜ＣＸ（ｎ＋２）は、例えば磁界発生コイルを示し、ＣＹ（ｎ）〜ＣＹ（ｎ＋２）は、磁界検出コイルを示している。図７では、図４で説明した駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）が、磁界発生コイルを構成するレイヤとして用いられており、画像情報を伝達する信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）が、磁界検出コイルを構成するレイヤとして用いられている。信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）については、後で説明するが、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と同様に、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢに形成されたレイヤにより構成されており、図７では、縦方向に延在し、横方向に平行して配置されている。
図４および図７に示すように、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、互いに平行して、横方向に延在している。磁界発生期間ＴＧＴにおいては、図７に示すように、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ＋２）のそれぞれの一方の端部と、駆動電極ＴＬ（ｎ＋６）、ＴＬ（ｎ＋７）のそれぞれの一方の端部を電気的に接続し、駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋２）のそれぞれの他方の端部と、駆動電極ＴＬ（ｎ＋６）〜ＴＬ（ｎ＋８）のそれぞれの他方の端部を電気的に接続する。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋２）およびＴＬ（ｎ＋６）〜ＴＬ（ｎ＋８）を巻線とした３回巻線のコイルＣＸ（ｎ）を形成することができる。同様にして、磁界発生期間ＴＧＴにおいて、所定の駆動電極間を電気的に接続することにより、３回巻線のコイルＣＸ（ｎ＋１）、ＣＸ（ｎ＋２）等を構成することができる。
同様に、磁界検出期間ＴＤＴにおいて、信号線ＳＬ（ｎ＋１）、ＳＬ（ｎ＋２）のそれぞれの一方の端部と、信号線ＳＬ（ｎ＋６）、ＳＬ（ｎ＋７）のそれぞれの一方の端部を電気的に接続し、信号線ＳＬ（ｎ）〜ＳＬ（ｎ＋２）のそれぞれの他方の端部と、信号線ＳＬ（ｎ＋６）〜ＳＬ（ｎ＋８）のそれぞれの他方の端部を電気的に接続する。これにより、信号線ＳＬ（ｎ）〜ＳＬ（ｎ＋２）およびＳＬ（ｎ＋６）〜ＳＬ（ｎ＋８）を巻線とした３回巻線のコイルＣＹ（ｎ）を形成することができる。同様にして、磁界検出期間ＴＤＴにおいて、所定の信号線間を電気的に接続することにより、３回巻線のコイルＣＹ（ｎ＋１）、ＣＹ（ｎ＋２）等を構成することができる。
コイルＣＸ（ｎ）〜ＣＸ（ｎ＋２）とコイルＣＹ（ｎ）〜ＣＹ（ｎ＋２）は、電気的に分離された状態で、交差している。例えば、コイルＣＸ（ｎ）を構成する駆動電極ＴＬ（ｎ）の一方の端部が、図２に示した端子ＰＴに相当し、磁界発生期間ＴＧＴにおいて、図１に示した送信アンプＡＰ１からの出力が供給され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋８）の他方の端部に、接地電圧Ｖｓｓが供給される。これにより、図２（Ａ）で述べたように、コイルＣＸ（ｎ）において、磁界が発生する。コイルＣＸ（ｎ）において発生した磁界により、ペン内の容量素子Ｃ（図２）に電荷が蓄えられる。
磁界検出期間ＴＤＴにおいては、所定の信号線間が電気的に接続され、コイルＣＹ（ｎ）〜ＣＹ（ｎ＋２）が形成される。ペン内の容量素子Ｃに蓄えられた電荷によって、コイルＬ１（図１）が、磁界を発生する。この発生した磁界が、コイルＣＹ（ｎ）〜ＣＹ（ｎ＋２）によって検出される。これにより、ペンが近接しているのか、近接している領域およびペンとの距離を検知することが可能となる。
＜磁界発生コイルの課題＞
電磁誘導方式において、磁界発生コイルを用いる場合の表示装置の構成を、本発明者らは、本発明に先だって検討した。図３６および図３７は、本発明者らが、先に検討した表示装置の構成を示すブロック図である。ここでは、磁界発生コイルとして、図７と同様に、駆動電極を用いる場合を説明する。
図３６および図３７において、ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）は、駆動電極を示している。また、ＵＳＲ（ｎ）〜ＵＳＲ（ｎ＋５）およびＵＳＬ（ｎ）〜ＵＳＬ（ｎ＋５）のそれぞれは、単位駆動回路を示している。図３６および図３７において、ＶＣＯＭは、接地電圧Ｖｓｓを給電する電圧配線を示し、ＴＳＶは、周期的に電圧が変化する駆動信号ＴＳＶＣＯＭを供給する信号配線を示し、ＣＮＲおよびＣＮＬは、磁界発生期間ＴＧＴにおいて、駆動電極間を接続する信号配線を示している。
これらの図において、ＳＬ１１〜ＳＬ１３、ＳＬ２１〜ＳＬ２３、ＳＬ３１〜ＳＬ３３、ＳＬ４１〜ＳＬ４３、ＳＬ５１〜ＳＬ５３およびＳＬ６１〜ＳＬ６３は、スイッチを示している。スイッチＳＬ１１〜ＳＬ１３が、一組の第１スイッチ群とされ、駆動電極ＴＬ（ｎ）に対応している。同様に、スイッチＳＬ２１〜ＳＬ２３が、一組の第１スイッチ群とされ、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）に対応し、スイッチＳＬ３１〜ＳＬ３３が、一組の第１スイッチ群とされ、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）に対応し、スイッチＳＬ４１〜ＳＬ４３が、一組の第１スイッチ群とされ、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）に対応している。また、スイッチＳＬ５１〜ＳＬ５３が、一組の第１スイッチ群とされ、駆動電極ＴＬ（ｎ＋４）に対応し、スイッチＳＬ６１〜ＳＬ６３が、一組の第１スイッチ群とされ、駆動電極ＴＬ（ｎ＋５）に対応している。
それぞれの第１スイッチ群を構成するスイッチのうち、ＳＬ１１、ＳＬ２１、ＳＬ３１、ＳＬ４１、ＳＬ５１およびＳＬ６１は、第１スイッチとされ、それぞれの第１スイッチは、信号配線ＴＳＶと、対応する駆動電極の一方の端部に接続されている。また、第１スイッチ群を構成するスイッチのうち、ＳＬ１２、ＳＬ２２、ＳＬ３２、ＳＬ４２、ＳＬ５２およびＳＬ６２は、第２スイッチとされ、それぞれの第２スイッチは、電圧配線ＶＣＯＭと、対応する駆動電極の一方の端部に接続されている。さらに、第１スイッチ群を構成するスイッチのうち、ＳＬ１３、ＳＬ２３、ＳＬ３３、ＳＬ４３、ＳＬ５３およびＳＬ６３は、第３スイッチとされ、それぞれの第３スイッチは、信号配線ＣＮＬと、対応する駆動電極の一方の端部に接続されている。
図３６および図３７において、ＳＲ１１〜ＳＲ１３、ＳＲ２１〜ＳＲ２３、ＳＲ３１〜ＳＲ３３、ＳＲ４１〜ＳＲ４３、ＳＲ５１〜ＳＲ５３およびＳＲ６１〜ＳＲ６３も、スイッチを示している。スイッチＳＲ１１〜ＳＲ１３が、一組の第２スイッチ群とされ、駆動電極ＴＬ（ｎ）に対応している。同様に、スイッチＳＲ２１〜ＳＲ２３が、一組の第２スイッチ群とされ、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）に対応し、スイッチＳＲ３１〜ＳＲ３３が、一組の第２スイッチ群とされ、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）に対応し、スイッチＳＲ４１〜ＳＲ４３が、一組の第２スイッチ群とされ、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）に対応している。また、スイッチＳＲ５１〜ＳＲ５３が、一組の第２スイッチ群とされ、駆動電極ＴＬ（ｎ＋４）に対応し、スイッチＳＲ６１〜ＳＲ６３が、一組の第２スイッチ群とされ、駆動電極ＴＬ（ｎ＋５）に対応している。
ここでも、それぞれの第２スイッチ群を構成するスイッチのうち、ＳＲ１１、ＳＲ２１、ＳＲ３１、ＳＲ４１、ＳＲ５１およびＳＲ６１は、第１スイッチとされ、それぞれの第１スイッチは、信号配線ＴＳＶと、対応する駆動電極の他方の端部に接続されている。また、第２スイッチ群のうち、ＳＲ１２、ＳＲ２２、ＳＲ３２、ＳＲ４２、ＳＲ５２およびＳＲ６２は、第２スイッチとされ、それぞれの第２スイッチは、電圧配線ＶＣＯＭと、対応する駆動電極の他方の端部に接続されている。さらに、第２スイッチ群のうち、ＳＲ１３、ＳＲ２３、ＳＲ３３、ＳＲ４３、ＳＲ５３およびＳＲ６３は、第３スイッチとされ、それぞれの第３スイッチは、信号配線ＣＮＬと、対応する駆動電極の一方の端部に接続されている。
単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ）〜ＵＳＬ（ｎ＋５）のそれぞれは、駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）のそれぞれに対応し、単位駆動回路ＵＳＲ（ｎ）〜ＵＳＲ（ｎ＋５）のそれぞれも、駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）のそれぞれに対応している。単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ）〜ＵＳＬ（ｎ＋５）およびＵＳＲ（ｎ）〜ＵＳＲ（ｎ＋５）のそれぞれは、磁界タッチ検出および電界タッチ検出のときに、対応する駆動電極において磁界および電界が発生するように、第１スイッチ群および第２スイッチ群を制御する。
すなわち、対応する駆動電極において磁界を発生する場合には、対応する駆動電極を挟むように配置された２個の駆動電極が選択されるように、第１スイッチ群および第２スイッチ群を制御する。選択された２個の駆動電極によってコイルが構成され、対応する駆動電極は、コイルの内側に配置されることになる。これにより、対応する駆動電極の領域において、強い磁界が発生することになる。一方、対応する駆動電極において、電界を発生する場合には、対応する駆動電極が選択されるように、第１スイッチ群および第２スイッチ群を制御する。
＜＜磁界タッチ検出＞＞
磁界タッチ検出のときに、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）の領域で、磁界を発生する場合を例にして、動作を説明すると、次の通りである。駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）を挟んでいる駆動電極は、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）とＴＬ（ｎ＋３）である。駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）に対応する単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋２）およびＵＳＲ（ｎ＋２）は、この駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）を挟んだ駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ＋３）のそれぞれに対応した第１スイッチ群（ＳＬ２１、ＳＬ２２、ＳＬ２３）、（ＳＬ４１、ＳＬ４２、ＳＬ４３）および第２スイッチ群（ＳＲ２１、ＳＲ２２、ＳＲ２３）、（ＳＲ４１、ＳＲ４２、ＳＲ４３）を制御する。
すなわち、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋２）は、第１スイッチ群（ＳＬ２１、ＳＬ２２、ＳＬ２３）、（ＳＬ４１、ＳＬ４２、ＳＬ４３）における第１スイッチＳＬ２１および第２スイッチＳＬ４２をオン状態（導通状態）にし、残りのスイッチをオフ状態（非導通状態）にする。また、単位駆動回路ＵＳＲ（ｎ＋２）は、第２スイッチ群（ＳＲ２１、ＳＲ２２、ＳＲ２３）、（ＳＲ４１、ＳＲ４２、ＳＲ４３）における第３スイッチＳＲ２３、ＳＲ４３をオン状態（導通状態）にし、残りのスイッチをオフ状態（非導通状態）にする。
これにより、図３６に示すように、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）の一方の端部は、第１スイッチＳＬ２１を介して、信号配線ＴＳＶに接続され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）の他方の端部は、第３スイッチＳＲ２３を介して、信号配線ＣＮＲに接続されることになる。また、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）の一方の端部は、第２スイッチＳＬ４２を介して、電圧配線ＶＣＯＭに接続され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）の他方の端部は、第３スイッチＳＲ４３を介して、信号配線ＣＮＲに接続されることになる。その結果、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）を挟んで、平行に配置された駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）とＴＬ（ｎ＋３）のそれぞれの他方の端部が、信号配線ＣＮＲによって電気的に接続されることになり、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）を内側としたコイルが形成されることになる。
磁界タッチ検出の場合、磁界発生期間ＴＧＴにおいて、電圧配線ＶＣＯＭには、接地電圧Ｖｓｓが供給され、信号配線ＴＳＶには、周期的に電圧が変化する駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給される。従って、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）の一方の端部に、第１スイッチＳＬ２１を介して、駆動信号ＴＳＶＣＯＭが、磁界駆動信号として供給され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）の一方の端部に、第２スイッチＳＬ４２を介して、接地電圧Ｖｓｓが供給されることになる。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ＋３）により構成された磁界発生コイルにより磁界が発生し、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）において強い磁界が形成されることになる。
図３６において、矢印Ｉ１、Ｉ２は、駆動信号ＴＳＶＣＯＭによって、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ＋３）を流れる電流と、その方向を示している。駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）は、電流Ｉ１が流れることにより、矢印破線φＩ１で示す方向の磁界を発生する。駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）を流れる電流Ｉ２の方向は、電流Ｉ１の方向とは正反対であるため、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）は、矢印破線φＩ２で示す方向の磁界を発生することになる。駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）において、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）によって発生した磁界と駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）によって発生した磁界とが重畳され、強い磁界が発生することになる。
なお、上記した第１スイッチ群（ＳＬ２１、ＳＬ２２、ＳＬ２３）、（ＳＬ４１、ＳＬ４２、ＳＬ４３）および第２スイッチ群（ＳＲ２１、ＳＲ２２、ＳＲ２３）、（ＳＲ４１、ＳＲ４２、ＳＲ４３）を除く、第１スイッチ群および第２スイッチ群における第１スイッチ、第２スイッチおよび第３スイッチは、上記した単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋２）、ＵＳＲ（ｎ＋２）を除く、単位駆動回路によって、オフ状態にされている。
単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ）〜ＵＳＬ（ｎ＋５）は、直列的に接続されており、シフトレジスタとして動作する機能を備えている。同様に、ＵＳＲ（ｎ）〜ＵＳＲ（ｎ＋５）も直列的に接続されており、シフトレジスタとして動作する機能を備えている。磁界を発生する駆動電極を選択する選択情報が、例えば、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ）、ＵＳＲ（ｎ）に設定され、この選択情報が、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋５）、ＵＳＲ（ｎ＋５）へ向かって順次シフトする。選択情報が、到達した単位駆動回路が、上記したように、第１スイッチ群および第２スイッチ群を制御して、対応する駆動電極において磁界が発生するように制御する。すなわち、図３６は、選択情報が、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋２）、ＵＳＲ（ｎ＋２）に到達したときの状態を示している。
シフト動作によって、選択情報が、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋３）、ＵＳＲ（ｎ＋３）に到達したときの状態が、図３７に示されている。選択情報が、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋３）、ＵＳＲ（ｎ＋３）に到達したときの動作は、図３６で説明した動作と同様であるので、説明は省略する。
このようにして、選択情報が、シフトすることにより、強い磁界を発生する駆動電極も順次切り替わる（移動）することになる。
＜＜電界タッチ検出＞＞
次に、電界タッチ検出の場合の動作を説明する。ここでも、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）を例にして説明する。
電界タッチ検出の場合、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋２）、ＵＳＲ（ｎ＋２）は、磁界タッチ検出の場合とは異なる第１スイッチ群および第２スイッチ群を制御する。すなわち、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋２）、ＵＳＲ（ｎ＋２）に対応する駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）に接続されている第１スイッチ群（ＳＬ３１、ＳＬ３２、ＳＬ３３）および第２スイッチ群（ＳＲ３１、ＳＲ３２、ＳＲ３３）を制御する。この場合には、第１スイッチ群（ＳＬ３１、ＳＬ３２、ＳＬ３３）における第１スイッチＳＬ３１と、第２スイッチ群（ＳＲ３１、ＳＲ３２、ＳＲ３３）における第１スイッチＳＲ３１をオン状態とし、第２スイッチＳＬ３２、ＳＲ３２および第３スイッチＳＬ３３、ＳＲ３３をオフ状態にする。
電界タッチ検出においても、信号配線ＴＳＶには、周期的に電圧が変化する駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給される。そのため、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）には、その両方の端部から、第１スイッチＳＬ３１、ＳＲ３１を介して、駆動信号ＴＳＶＣＯＭが、電界駆動信号として供給されることになる。このとき、残りの第１スイッチ群および第２スイッチ群における第１スイッチ、第２スイッチおよび第３スイッチはオフ状態にされている。そのため、駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋１）およびＴＬ（ｎ＋３）〜ＴＬ（ｎ＋５）は、フローティング状態となっている。
選択情報が、シフト動作によって、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋２）、ＵＳＲ（ｎ＋２）から、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋３）、ＵＳＲ（ｎ＋３）へ移動すると、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋３）、ＵＳＲ（ｎ＋３）が、対応する駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）に接続されている第１スイッチ群および第２スイッチ群を、上記したのと同様に、制御する。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）に駆動信号ＴＳＶＣＯＭが電界駆動信号として供給されることになる。
＜＜課題＞＞
磁界タッチ検出の場合には、磁界発生コイルを形成するために、上記したように、互いに平行して配置されている複数の駆動電極間を、信号配線（ＣＮＲ、ＣＮＬ）と第３スイッチによって接続することが要求される。また、この場合には、強い磁界を発生する領域に配置されている駆動電極とは異なる駆動電極に接続されているスイッチ群を制御することになる。一方、電界タッチ検出の場合には、電界を発生する領域に配置されている駆動電極に接続されているスイッチ群を制御することになる。そのため、制御が複雑になると言う課題が生じる。さらに、制御を行う駆動回路（制御回路）の占有面積も大きくなると言う課題が生じる。
＜表示装置の全体構成＞
図８は、実施の形態１に係わる表示装置１の構成を示すブロック図である。ここでは、特に制限されないが、表示装置１が、液晶表示装置の場合を例にして説明する。図８において、表示装置１は、表示パネル（液晶パネル）２、信号線セレクタ３、表示制御装置４、ゲートドライバ５およびタッチ制御装置６を備えている。また、表示装置１は、選択駆動回路（第１駆動回路、第２駆動回路）ＳＳＲ、ＳＳＬ、切換調整回路ＳＣＸおよび増幅回路ＡＭＰを備えている。表示装置１が備えるこれらの装置および回路については、あとで詳しく説明するので、ここでは全体概要を説明する。
表示パネル２は、後で図１２を用いて説明するが、複数の画素が行列状に配置された画素配列ＬＣＤを有している。画素配列ＬＣＤには、複数の信号線、複数の駆動電極および複数の走査線が配置されている。ここで、信号線は、画素配列ＬＣＤのそれぞれの列に配置され、駆動電極は、画素配列ＬＣＤの行に配置され、複数の走査線は、画素配列ＬＣＤのそれぞれの行に配置されている。図８で述べると、信号配線は、縦方向（列方向）に延在し、横方向（行方向）に平行に配置されている。また、駆動電極は、横方向に延在し、縦方向に平行に配置されている。さらに、走査線は、横方向に延在し、縦方向に平行に配置されている。この場合、画素は、信号線と走査線とが交差する部分に配置されている。表示の期間（表示期間）においては、信号線と走査線により、画素が選択され、選択された画素には、そのときの信号線の電圧と、駆動電極の電圧（表示駆動信号）が印加され、選択された画素は、信号線と駆動電極との間の電圧差に従った表示を行う。
表示制御装置４は、制御回路Ｄ−ＣＮＴと信号線ドライバＤ−ＤＲＶとを備えている。制御回路Ｄ−ＣＮＴは、外部端子Ｔｔに供給されるタイミング信号と入力端子Ｔｉに供給される画像情報とを受け、入力端子Ｔｉに供給されている画像情報に従った画像信号Ｓｎを形成し、信号線ドライバＤ−ＤＲＶへ供給する。信号線ドライバＤ−ＤＲＶは、供給された画像信号Ｓｎを、表示期間のとき、時分割的に、信号線セレクタ３へ供給する。また、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、外部端子Ｔｔに供給されるタイミング信号とタッチ制御装置６からの制御信号ＳＷとを受け、種々の制御信号を形成する。制御回路Ｄ−ＣＮＴが形成する制御信号としては、信号線セレクタ３に供給される選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２、同期信号ＴＳＨＤ、クロック信号ＣＬＫ、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮ、電界イネーブル信号ＴＣ＿ＥＮ、駆動信号ＴＳＶＣＯＭ、タッチ検出に関する制御信号Ｙ−ＣＮＴ、クロック信号ＣＬＫ等がある。
制御回路Ｄ−ＣＮＴにより形成される信号のうち、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮは、磁界タッチ検出を実施することを示すイネーブル信号であり、電界イネーブル信号ＴＣ＿ＥＮは、電界タッチ検出を実施することを示すイネーブル信号である。また、同期信号ＴＳＨＤは、表示パネル２において表示を行う期間（表示期間）とタッチ検出（磁界タッチ検出および電界タッチ検出）を行う期間（タッチ検出期間）とを識別する同期信号である。駆動信号ＴＳＶＣＯＭは、タッチ検出期間のとき、その電圧が周期的に変化し、磁界駆動信号または電界駆動信号として駆動電極に供給される信号である。
信号線ドライバＤ−ＤＲＶは、表示期間のとき、選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２に従って、時分割的に、画像信号Ｓｎを信号線セレクタ３へ供給する。信号線セレクタ３は、表示パネル２に配置された複数の信号線に接続されており、表示期間のとき、供給されている画像信号を、選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２に従って、適切な信号線へ供給する。ゲートドライバ５は、表示期間のとき、制御回路Ｄ−ＣＮＴからのタイミング信号に従って走査線信号Ｖｓ０〜Ｖｓｐを形成し、表示パネル２内の走査線に供給する。表示期間においては、ハイレベルの走査線信号が供給されている走査線に接続されている画素が選択され、選択された画素は、そのとき信号線に供給されている画像信号に従った表示を行うことにより、表示が行われる。
タッチ制御装置６は、センス信号Ｓ（０）〜Ｓ（ｐ）を受ける検出回路ＤＥＴと、検出回路ＤＥＴからの検出信号ＤＥＴ−Ｄに対して処理を行い、タッチされた位置の座標を抽出する処理回路ＰＲＳと、制御回路Ｔ−ＣＮＴを備えている。制御回路Ｔ−ＣＮＴは、表示制御装置４から同期信号ＴＳＨＤ、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮ、電界イネーブル信号ＴＣ＿ＥＮと受け、タッチ制御装置６が、表示制御装置４に同期して動作するように制御する。
すなわち、制御回路Ｔ−ＣＮＴは、同期信号ＴＳＨＤ、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮおよび電界イネーブル信号ＴＣ＿ＥＮがタッチ検出を示しているとき、検出回路ＤＥＴおよび処理回路ＰＲＳが、動作するように制御する。また、制御回路Ｔ−ＣＮＴは、検出回路ＤＥＴからの検出信号を受け、制御信号ＳＷを形成し、制御回路Ｄ−ＣＮＴへ供給する。処理回路ＰＲＳは、抽出した座標を、座標情報として、外部端子Ｔｏから出力する。
表示パネル２は、画素配列ＬＣＤの行に平行した辺２−Ｕ、２−Ｄと、画素配列ＬＣＤの列に平行した辺２−Ｒ、２−Ｌを有している。ここで、辺２−Ｕと辺２−Ｄは、互いに対向した辺であり、この２辺の間に、画素配列ＬＣＤにおける複数の駆動電極と複数の走査線が挟まれるように配置されている。また、辺２−Ｒと辺２−Ｌも、互いに対向した辺であり、この２辺の間に、画素配列ＬＣＤにおける複数の信号線が挟まれるように配置されている。
選択駆動回路ＳＳＲは、表示パネル２の辺２−Ｒに沿って配置され、選択駆動回路ＳＳＬは、表示パネル２の辺２−Ｌに沿って配置されている。選択駆動回路ＳＳＲは、表示パネル２の辺２−Ｒ側において、表示パネル２に配置されている複数の駆動電極に結合され、選択駆動回路ＳＳＬは、表示パネル２の辺２−Ｌ側において、表示パネル２に配置されている複数の駆動電極に結合されている。すなわち、選択駆動回路ＳＳＲ、ＳＳＬは、表示パネル２の外部において、表示パネル２に配置されている駆動電極と接続されている。
選択駆動回路ＳＳＲは、駆動回路ＳＲ−Ｒと選択回路ＳＲ−Ｃを備えている。駆動回路ＳＲ−Ｒは、複数のシフト段を有するシフトレジスタを備えており、制御信号Ｙ−ＣＮＴによって、選択情報ＳＥＩがシフトレジスタに設定される。設定された選択情報ＳＥＩは、クロック信号ＣＬＫに同期して、順次シフトする。
磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮによって、磁界タッチ検出が指定されている場合、駆動回路ＳＲ−Ｒは、シフトレジスタに格納されている選択情報に従って選択信号を形成して、出力する。特に制限されないが、この実施の形態１において、駆動回路ＳＲ−Ｒは、磁界タッチ検出が指定されていると、選択情報に従って２個の選択信号を形成する。一方、電界イネーブル信号ＴＣ＿ＥＮによって、電界タッチ検出が指定されている場合も、駆動回路ＳＲ−Ｒは、シフトレジスタに格納されている選択情報に従って選択信号を形成して、出力する。特に制限されないが、この実施の形態１において、駆動回路ＳＲ−Ｒは、電界タッチ検出が指定されていると、選択情報に従って１個の選択信号を形成する。
選択回路ＳＲ−Ｃは、駆動回路ＳＲ−Ｒからの選択信号を受け、選択信号によって指定されている駆動電極を、信号配線（磁界駆動信号配線）ＴＳＶと電圧配線（基準信号配線）ＶＣＯＭに接続する。すなわち、磁界タッチ検出のときには、２個の選択信号のうちの一方の選択信号によって指定された駆動電極を、信号配線ＴＳＶに接続し、他方の選択信号によって指定された駆動電極を、電圧配線ＶＣＯＭに接続する。一方、電界タッチ検出のときには、１個の選択信号によって指定された駆動電極を、信号配線ＴＳＶに接続する。
この実施の形態１においては、磁界タッチ検出のとき、電圧配線ＶＣＯＭには、接地電圧Ｖｓｓが供給される。また、磁界タッチ検出および電界タッチ検出のとき、信号配線ＴＳＶには、周期的に電圧が変化する駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給される。そのため、磁界タッチ検出のときには、２個の選択信号のうちの一方の選択信号によって指定された駆動電極には、選択回路ＳＲ−Ｃを介して駆動信号ＴＳＶＯＭが、磁界駆動信号として供給されることになる。このとき、他方の選択信号によって指定された駆動電極には、選択回路ＳＲ−Ｃを介して接地電圧Ｖｓｓが供給されることになる。
また、電界タッチ検出のときには、選択信号によって指定された駆動電極に、選択回路ＳＲ−Ｃを介して、駆動信号ＴＳＶＣＯＭが、電界駆動信号として供給されることになる。
選択駆動回路ＳＳＬは、選択駆動回路ＳＳＲと同様な構成を有している。すなわち、選択駆動回路ＳＳＬは、駆動回路ＳＬ−Ｒと選択回路ＳＬ−Ｃを備えている。駆動回路ＳＬ−Ｒは、複数のシフト段を有するシフトレジスタを備えており、制御信号Ｙ−ＣＮＴによって、選択情報ＳＥＩがシフトレジスタに設定される。設定された選択情報は、クロック信号ＣＬＫに同期して、順次シフトする。
磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮによって、磁界タッチ検出が指定されている場合、駆動回路ＳＬ−Ｒは、シフトレジスタに格納されている選択情報に従って選択信号を形成して、出力する。駆動回路ＳＬ−Ｒは、磁界タッチ検出が指定されていると、選択情報に従って２個の選択信号を形成する。一方、電界イネーブル信号ＴＣ＿ＥＮによって、電界タッチ検出が指定されている場合も、駆動回路ＳＬ−Ｒは、シフトレジスタに格納されている選択情報に従って選択信号を形成して、出力する。しかしながら、電界タッチ検出が指定されていると、駆動回路ＳＲ−Ｒは、選択情報に従って１個の選択信号を形成する。
選択回路ＳＬ−Ｃは、駆動回路ＳＬ−Ｒからの選択信号を受け、選択信号によって指定されている駆動電極を、信号配線ＴＳＶと電圧配線ＶＣＯＭに接続する。すなわち、磁界タッチ検出のときには、２個の選択信号のうちの一方の選択信号によって指定された駆動電極を、電圧配線ＶＣＯＭに接続し、他方の選択信号によって指定された駆動電極を、信号配線ＴＳＶに接続する。一方、電界タッチ検出のときには、１個の選択信号によって指定された駆動電極を、信号配線ＴＳＶに接続する。
これにより、磁界タッチ検出のときには、２個の選択信号のうちの一方の選択信号によって指定された駆動電極には、選択回路ＳＬ−Ｃを介して接地電圧Ｖｓｓが供給されることになる。このとき、他方の選択信号によって指定された駆動電極には、選択回路ＳＬ−Ｃを介して、駆動信号ＴＳＶＯＭが、磁界駆動信号として供給されることになる。
また、電界タッチ検出のときには、選択信号によって指定された駆動電極に、選択回路ＳＬ−Ｃを介して、駆動信号ＴＳＶＣＯＭが、電界駆動信号として供給されることになる。
選択駆動回路ＳＳＲと選択駆動回路ＳＳＬは、互いに同期して動作するようにされている。特に制限されないが、この実施の形態１においては、同じクロック信号ＣＬＫが選択駆動回路ＳＳＲ、ＳＳＬに供給され、同じ制御信号Ｙ−ＣＮＴが、選択駆動回路ＳＳＲ、ＳＳＬに供給されることによって、選択駆動回路ＳＳＲとＳＳＬは同期して動作するようにされている。
磁界タッチ検出のとき、選択駆動回路ＳＳＲにおいて選択情報により指定される駆動電極は、選択駆動回路ＳＳＬにおいて選択情報により指定される駆動電極と同じになるようにする。言い換えるならば、磁界タッチ検出のときには、複数の駆動電極のうち、２個の駆動電極が、選択駆動回路ＳＳＲ、ＳＳＬのそれぞれによって指定されるようにする。この場合、選択回路ＳＲ−Ｃにおいて、電圧配線ＶＣＯＭに接続された駆動電極は、選択回路ＳＬ−Ｃにおいて、信号配線ＴＳＶに接続される。また、選択回路ＳＲ−Ｃにおいて、信号配線ＴＳＶに接続された駆動電極は、選択回路ＳＬ−Ｃにおいて、電圧配線ＶＣＯＭに接続される。
これにより、指定された２個の駆動電極のそれぞれにおいて、磁界駆動信号（駆動信号ＴＳＶＣＯＭ）の電圧変化に応じた電流が流れることになり、それぞれの駆動電極において磁界が発生する。また、流れる電流の方向が、互いに正反対となるため、この２個の駆動電極によって挟まれた領域では、それぞれにより形成された磁界が重畳されることになり、強い磁界となる。
また、電界タッチ検出のときには、同じ駆動電極が、選択回路ＳＲ−ＣおよびＳＬ−Ｃのそれぞれにおいて、信号配線ＴＳＶに接続される。そのため、指定された駆動電極に対して、その両端部から電界駆動信号（駆動信号ＴＳＶＣＯＭ）が供給されることになり、電界駆動信号の電圧変化に応じた電界が発生することになる。
表示パネル２の辺２−Ｕに沿って、切換調整回路ＳＣＸが配置され、辺２−Ｕ側において、切換調整回路ＳＣＸは、表示パネル２に配置された複数の信号線に結合されている。すなわち、切換調整回路ＳＣＸは、表示パネル２の外部において、複数の信号線に接続されている。また、増幅回路ＡＭＰは、表示パネル２の辺２−Ｄに沿って配置された信号線セレクタ３を介して、表示パネル２に配置された複数の信号線に結合されている。
磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮによって、磁界タッチ検出が指定されているとき、切換調整回路ＳＣＸは、表示パネル２に配置されている所定の信号線間を電気的に接続する。これにより、互いに平行して配置されている信号線が、辺２−Ｕ側において接続されるため、信号線を巻線とした１回巻線のコイルが、複数個、形成される。複数個のコイルのそれぞれの端部は、辺２−Ｄ側において、信号線セレクタ３を介して増幅回路ＡＭＰに接続される。１回巻線のコイルが、磁界検出コイルとして機能する。すなわち、磁界検出期間ＴＤＴ（図２）において、ペンが発生する磁界に応じて、信号線により構成された磁界検出コイルに信号変化が発生する。この信号変化が、増幅回路ＡＭＰに供給され、増幅されて、センス信号Ｓ（０）〜Ｓ（ｐ）として出力され、検出回路ＤＥＴへ供給される。
また、電界タッチ検出のとき、信号線間は、切換調整回路ＳＣＸによって接続されないため、増幅回路ＡＭＰは、指によるタッチの有無に応じて変化する信号線の信号変化を増幅して、センス信号Ｓ（０）〜Ｓ（ｐ）として、検出回路ＤＥＴへ供給する。
検出回路は、供給されたセンス信号Ｓ（０）〜Ｓ（ｐ）を処理し、処理回路ＰＲＳへ供給する。これにより、磁界タッチ検出のときにはペンによるタッチの有無、タッチした座標、筆圧等が、処理回路ＰＲＳにより求められ、外部端子Ｔｏから出力される。また、電界タッチ検出のときには指によるタッチの有無、タッチした座標等が、処理回路ＰＲＳによって求められ、外部端子Ｔｏから出力される。
ここでは、磁界検出コイルが、１回巻線の場合を説明したが、これに限定されるものではない、切換調整回路ＳＣＸと同様な機能を、増幅回路ＡＭＰに設けることにより、３個以上の信号線を直列的に接続し、１．５回以上の巻線のコイルを形成するようにしてもよい。
＜表示装置１のモジュール構成＞
図９は、表示装置１を実装したモジュール９００の全体構成を示す模式的な平面図である。模式的ではあるが、図９は、実際の配置に合わせて描かれている。同図において、９０１は、図４で示したＴＦＴガラス基板ＴＧＢにおける領域を示しており、９０２は、図４で示したＴＦＴガラス基板ＴＧＢとＣＦガラス基板ＣＧＢとを有する領域を示している。モジュール９００において、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢは一体となっている。すなわち、領域９０１と領域９０２において、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢは共通であり、領域９０２には、図４に示したように、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢの上方面に、ＣＦガラス基板ＣＧＢ等が、さらに形成されている。
図９において、９００−Ｕは、モジュール９００の短辺を示しており、９００−Ｄは、モジュール９００の辺であって、短辺９００−Ｕと対向する短辺を示している。また、９００−Ｌは、モジュール９００の長辺を示しており、９００−Ｒは、モジュール９００の辺であって、長辺９００−Ｌに対向する長辺を示している。
領域９０２であって、表示パネル２の辺２−Ｌとモジュール９００の長辺９００−Ｌとの間の領域には、図８で示したゲートドライバ５、選択駆動回路ＳＳＬが配置されている。また、表示パネル２の辺２−Ｒとモジュール９００の長辺９００−Ｒとの間の領域には、図８で示した選択駆動回路ＳＳＲが配置されている。表示パネル２の辺２−Ｕとモジュール９００の短辺９００−Ｕとの間の領域には、図８で示した切換調整回路ＳＣＸが配置されている。
また、表示パネル２の辺２−Ｄとモジュール９００の短辺９００−Ｄとの間の領域には、図８で示した信号線セレクタ３、増幅回路ＡＭＰおよびドライブ用半導体装置ＤＤＩＣが配置されている。
この実施の形態１においては、図８に示した信号線ドライブＤ−ＤＲＶおよび制御回路Ｄ−ＣＮＴは、１個の半導体装置に内蔵されている。本明細書においては、この１個の半導体装置が、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣとして示されている。また、図８に示したタッチ制御装置６も、１個の半導体装置に内蔵されている。本明細書においては、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣと区別するために、タッチ制御装置６を内蔵した半導体装置をタッチ用半導体装置６とも称する。勿論、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣおよびタッチ用半導体装置６のそれぞれは、複数の半導体装置で構成してもよい。また、例えばドライブ用半導体装置ＤＤＩＣに、増幅回路ＡＭＰを内蔵させてもよい。
この実施の形態１においては、増幅回路ＡＭＰは、領域９０１に配置されており、領域９０１のＴＦＴガラス基板ＴＧＢに形成された配線および部品により構成されている。部品としては、例えば薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴトランジスタと称する）である。また、平面視的に、増幅回路ＡＭＰを覆うように、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣが、ＴＦＴガラス基板に実装されている。これにより、表示パネル２の下側額縁が大きくなるのを抑制することが可能となる。
また、選択駆動回路ＳＳＬ、ＳＳＲおよび切換調整回路ＳＣＸを構成する部品も、領域９０２におけるＴＦＴガラス基板ＴＧＢ上に形成されている。
図９において、ＦＢ１、ＦＢ２は、フレキシブルケーブルを示している。特に制限されないが、フレキシブルケーブルＦＢ１には、タッチ用半導体装置６が実装され、フレキシブルケーブルＦＢ２には、コネクタＣＮが実装されている。図８において説明したセンス信号Ｓ（０）〜Ｓ（ｐ）は、このコネクタＣＮを介して、増幅回路ＡＭＰからタッチ用半導体装置６に供給されている。さらに、コネクタＣＮを介して、タッチ用半導体装置６とドライブ用半導体装置ＤＤＩＣとの間で信号の送受信が行われる。図９には、送受信される信号の例として、同期信号ＴＳＨＤが描かれている。
表示パネル２には、既に述べたように、複数の画素が行列状に配置された画素配列を有しており、画素配列は、配列の行に沿って配置された複数の駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）と、配列の列に沿って配置された複数の信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）とを備えている。図９には、例として、２個の駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｍ）と２個の信号配線ＳＬ（ｋ）、ＳＬ（ｎ）とが示されている。なお、図９では、走査線は、省略されている。信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と走査線あるいは駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）との交差部分には、画素が配置されている。図９に示した表示パネル２の４辺に明示してあるＲ、Ｇ、Ｂは、３原色に対応した画素を示している。
図１０は、表示パネル２が備えている駆動電極と信号線との関係を示す平面図である。表示パネル２は、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）を備えているが、図１０には、これらの駆動電極および信号線のうちの一部が、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）および信号線ＳＬ（ｎ−６）〜ＳＬ（ｎ＋９）として例示されている。なお、図１０には、走査線は省略されている。
図１０に示した駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）を例にして、駆動電極を説明すると、それぞれの駆動電極は、第１電極と、この第１電極に接続された複数の第２電極とを備えている。ここで、第１電極は、例えば透明電極であり、第２電極は、第１電極よりもシート抵抗の低い電極である。図１０には、それぞれの駆動電極が備えている複数の第２電極のうち１個の第２電極が、補助電極ＳＭとして示されている。なお、図面が複雑になるのを避けるために、図１０では、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）およびＴＬ（ｎ＋９）が備えている補助電極についてのみ、符号ＳＭが付されている。
補助電極ＳＭも、駆動電極を構成する第１電極（透明電極）と同様に、配列の行方向に延在し、第１電極と電気的に接続されている。これにより、第１電極と補助電極（第２電極）とを備えている駆動電極の合成抵抗（インピーダンス）の低減が図られている。本明細書においては、特に明示しない限り、第１電極（透明電極）と、この第１電極に接続された第２電極（補助電極ＳＭ）とを合わせて、駆動電極と称している。
＜表示パネルの構造＞
図１１は、実施の形態１に係わる表示装置１に含まれる表示パネル２の構成を示す断面図である。表示という観点で見た場合、表示パネル２の領域（第１領域）は、アクティブな領域（アクティブ領域）であり、表示が行われる表示領域である。これに対して、表示パネル２の外部の領域（第２領域）は、表示が行われない領域で有り、非アクティブな領域（非アクティブ領域）あるいは周辺領域と見なすことができる。図９を例にして説明すると、アクティブ領域は、表示パネル２の辺２−Ｕ、２−Ｄ、２−Ｒおよび２−Ｌによって囲まれた領域である。
図１１は、図９に示した表示パネル２のＡ−Ａ’断面を示している。この実施の形態１においては、カラー表示を行うために、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）の３原色のそれぞれに対応した３個の画素を用いて、１個のカラー画素を表示する。すなわち、１個のカラー画素が、３個の副画素により構成されていると見なすことができる。この場合、表示期間において、カラー画像信号を伝達する信号線は、３個の信号線により構成されることになる。図１１には、具体的な表示パネル２の構造を示すために、カラー表示を行う例が示されている。
図１１を説明する前に、図１１で用いる信号線の符号を説明しておく。信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）のそれぞれは、表示期間において、カラー画像信号を伝達する信号線を示している。それぞれの信号線は、３個の副画素に画像信号を伝達する３個の信号線を有している。図１１においては、信号線の符号の後に対応する副画素の英字を付して、３個の信号線を区別している。信号線ＳＬ（ｎ）を例にすると、信号線ＳＬ（ｎ）は、信号線ＳＬ（ｎ）Ｒ、ＳＬ（ｎ）ＧおよびＳＬ（ｎ）Ｂを有している。ここで、符号ＳＬ（ｎ）の後に付した英字Ｒは、表示期間においては、三原色の赤（Ｒ）に対応する副画素へ画像信号を伝達する信号線を示しており、符号ＳＬ（ｎ）の後に付した英字Ｇは、三原色の緑（Ｇ）に対応する副画素へ画像信号を伝達する信号線を示しており、符号ＳＬ（ｎ）の後に付した英字Ｂは、三原色の青（Ｂ）に対応する副画素へ画像信号を伝達する信号線を示している。
図１１において、１１００は、ＴＦＴガラス基板（図４では、ＴＧＢ）を示している。ＴＦＴガラス基板１１００には、第１配線層（金属配線層）１１０１が形成されている。この第１配線層１１０１に形成された配線によって、走査線ＧＬ（ｎ）が構成される。第１配線層１１０１の上には、絶縁層１１０２が形成されており、絶縁層１１０２上には、第２配線層（金属配線層）１１０３が形成されている。第２配線層１１０３に形成された配線によって、信号線ＳＬ（ｎ）Ｒ、ＳＬ（ｎ）Ｇ、ＳＬ（ｎ）Ｂ、信号線ＳＬ（ｎ＋１）Ｒ、ＳＬ（ｎ＋１）Ｇ、ＳＬ（ｎ＋１）Ｂおよび信号線ＳＬ（ｎ＋２）Ｒ、ＳＬ（ｎ＋２）Ｇが構成される。同図では、これらの信号線が第２配線層１１０３によって構成されていることを示すために、信号線の符号の後に、第２配線層を示す符号１１０３を［］内に記載している。例えば、信号線ＳＬ（ｎ）Ｇは、ＳＬ（ｎ）Ｇ［１１０３］として示されている。
第２配線層１１０３上には、絶縁層１１０４が形成され、絶縁層１１０４上には、第３配線層（金属配線層）１１０５が形成されている。第３配線層１１０５に形成された配線によって、駆動電極ＴＬ（ｎ）と補助電極ＳＭが構成されている。ここで、駆動電極ＴＬ（ｎ）は、透明電極（第１電極）である。また、補助電極ＳＭ（第２電極）は、駆動電極ＴＬ（ｎ）よりも抵抗値が低く、駆動電極ＴＬ（ｎ）と電気的に接続するように形成されている。透明電極である駆動電極ＴＬ（ｎ）の抵抗値は、比較的高いが、補助電極ＳＭを駆動電極ＴＬ（ｎ）と電気的に接続することにより、合成抵抗を低減することが可能となっている。ここでも、駆動電極および補助電極の符号に付された［１１０５］は、第３配線層１１０５により構成されていることを示している。
第３配線層１１０５上には、絶縁層１１０６が形成され、絶縁層１１０６の上面には画素電極ＬＤＰが形成されている。図１１において、ＣＲ、ＣＢ、ＣＧのそれぞれは、カラーフィルタである。カラーフィルタＣＲ（赤）、ＣＧ（緑）、ＣＢ（青）と絶縁層１１０６との間には液晶層１１０７が挟まれている。ここで、画素電極ＬＤＰは、走査線と信号線との交点に設けられており、各画素電極ＬＤＰの上方に、それぞれの画素電極ＬＤＰに対応したカラーフィルタＣＲ、ＣＧあるいはＣＢが設けられている。各カラーフィルタＣＲ、ＣＧ、ＣＢ間にはブラックマトリクスＢＭが設けられている。
また、図１１では、省略されているが、カラーフィルタＣＲ、ＣＧ、ＣＢ上には、図４および図６に示したように、ＣＦガラス基板ＣＧＢが形成されている。さらに、ＣＦガラス基板ＣＧＢの上には、図４に示すように、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）および偏光板が形成されている。
＜画素配列＞
次に、表示パネル２の回路構成を説明しておく。図１２は、図８および図９に示した表示パネル２の回路構成を示す回路図である。図１２においても、信号線は、図１１と同じ表示形式で表されている。同図において、一点鎖線で示した複数個のＳＰｉｘのそれぞれは、１個の液晶表示素子（副画素）を示している。副画素ＳＰｉｘは、表示パネル２において、行列状に配置され、液晶素子配列（画素配列）ＬＣＤを構成している。画素配列ＬＣＤは、各行に配置され、行方向に延在する複数の走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）と、各列に配置され、列方向に延在する信号線ＳＬ（０）Ｒ、ＳＬ（０）Ｇ、ＳＬ（０）Ｂ〜ＳＬ（ｐ）Ｒ、ＳＬ（ｐ）Ｇ、ＳＬ（ｐ）Ｂとを具備している。また、画素配列ＬＣＤは、各行に配置され、行方向に延在する駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を有している。
図１２には、走査線ＧＬ（ｎ−１）〜ＧＬ（ｎ＋１）と、信号線ＳＬ（ｎ）Ｒ、ＳＬ（ｎ）Ｇ、ＳＬ（ｎ）Ｂ〜ＳＬ（ｎ＋１）Ｒ、ＳＬ（ｎ＋１）Ｇ、ＳＬ（ｎ＋１）Ｂと、駆動電極ＴＬ（ｎ−１）〜ＴＬ（ｎ＋１）に関する画素配列の部分のみが示されている。図１２においては、説明を容易にするために、駆動電極ＴＬ（ｎ−１）〜ＴＬ（ｎ＋１）が、それぞれの行に配置されているように、示されているが、複数の行に対して１個の駆動電極を配置するようにしてもよい。
画素配列ＬＣＤの行と列の交点に配置されたそれぞれの副画素ＳＰｉｘは、ＴＦＴガラス基板１１００に形成されたＴＦＴトランジスタＴｒと、ＴＦＴトランジスタＴｒのソースに一方の端子が接続された液晶素子ＬＣとを具備している。画素配列ＬＣＤにおいて、同じ行に配置された複数の副画素ＳＰｉｘのＴＦＴトランジスタＴｒのゲートは、同じ行に配置されている走査線に接続され、同じ列に配置された複数の副画素ＳＰｉｘのＴＦＴトランジスタＴｒのドレインは、同じ列に配置された信号線に接続されている。言い換えるならば、複数の副画素ＳＰｉｘが、行列状に配置され、各行には、走査線が配置され、走査線には、対応する行に配置された複数の副画素ＳＰｉｘが接続されている。また、各列には信号線が配置され、信号線には、対応する列に配置された画素ＳＰｉｘが接続されている。また、同じ行に配置された複数の副画素ＳＰｉｘの液晶素子ＬＣの他端は、行に配置された駆動電極に接続されている。
図１２に示した例で説明すれば、同図において、最上段の行に配置された複数の副画素ＳＰｉｘのそれぞれのＴＦＴトランジスタＴｒのゲートは、最上段の行に配置された走査線ＧＬ（ｎ−１）に接続されている。また、同図において、最も左側の列に配置された複数の副画素ＳＰｉｘのそれぞれのＴＦＴトランジスタＴｒのドレインは、最も左側の列に配置された信号線ＳＬ（ｎ）Ｒに接続されている。さらに、最上段の行に配置された複数の副画素ＳＰｉｘのそれぞれの液晶素子ＬＣの他端は、図１２においては、最上段の行に配置された駆動電極ＴＬ（ｎ−１）に接続されている。
１個の副画素ＳＰｉｘが、先に述べたように、３原色の１つに対応する。従って、３個の副画素ＳＰｉｘによって、Ｒ、Ｇ、Ｂの３原色が構成される。図１２では、同じ行に、連続的に配置された３個の副画素ＳＰｉｘによって、１つのカラー画素Ｐｉｘが形成され、当該画素Ｐｉｘにてカラーが表現される。すなわち、図１２において、１２００Ｒとして示されている副画素ＳＰｉｘが、Ｒ（赤）の副画素ＳＰｉｘ（Ｒ）とされ、１２００Ｇとして示されている副画素ＳＰｉｘが、Ｇ（緑）の副画素ＳＰｉｘ（Ｇ）とされ、１２００Ｂとして示されている副画素ＳＰｉｘが、Ｂ（青）の副画素ＳＰｉｘ（Ｂ）とされる。そのために、１２００Ｒとして示されている副画素ＳＰｉｘ（Ｒ）には、カラーフィルタとして赤色のカラーフィルタＣＲが設けられており、１２００Ｇの副画素ＳＰｉｘ（Ｇ）には、カラーフィルタとして緑色のカラーフィルタＣＧが設けられており、１２００Ｂの副画素ＳＰｉｘ（Ｂ）には、カラーフィルタとして青色のカラーフィルタＣＢが設けられている。
また、１つの画素を表す信号のうち、Ｒ（赤）に対応する画像信号が、信号線セレクタ３から、信号線ＳＬ（ｎ）Ｒに供給され、Ｇ（緑）に対応する画像信号が、信号線セレクタ３から、信号線ＳＬ（ｎ）Ｇに供給され、Ｂ（青）に対応する画像信号が、信号線セレクタ３から、信号線ＳＬ（ｎ）Ｂに供給される。
各副画素ＳＰｉｘにおけるＴＦＴトランジスタＴｒは、特に制限されないが、Ｎチャンネル型ＴＦＴトランジスタである。走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）には、例えばこの順番で順次ハイレベルとなるパルス状の走査線信号が、ゲートドライバ５（図８および図９）から供給される。すなわち、画素配列ＬＣＤにおいて、上段の行に配置された走査線ＧＬ（０）から下段の行に配置された走査線ＧＬ（ｐ）に向かって、走査線の電圧が、順次ハイレベルとなる。これにより、画素配列ＬＣＤにおいて、上段の行に配置された副画素ＳＰｉｘから下段の行に配置された副画素ＳＰｉｘに向かって、副画素ＳＰｉｘにおけるＴＦＴトランジスタＴｒが、順次オン（導通）状態となる。
ＴＦＴトランジスタＴｒがオン状態となることにより、そのとき信号線に供給されている画像信号が、導通状態のＴＦＴトランジスタを介して、液晶素子ＬＣに供給される。液晶素子ＬＣは、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に供給されている表示駆動信号の電圧と、供給された画像信号の電圧との間の差電圧に従って、電界が変化し、その液晶素子ＬＣを透過する光の変調が変わる。これにより、走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）に供給する走査線信号に同期して、信号線ＳＬ（０）Ｒ、ＳＬ（０）Ｇ、ＳＬ（ｎ）Ｂ〜ＳＬ（ｐ）Ｒ、ＳＬ（ｐ）Ｇ、ＳＬ（ｐ）Ｂに供給した画像信号に応じたカラー画像が、表示パネル２に表示されることになる。
複数の副画素ＳＰｉｘのそれぞれは、選択端子と一対の端子とを有していると見なすことができる。この場合、副画素ＳＰｉｘを構成するＴＦＴトランジスタＴｒのゲートが、副画素ＳＰｉｘの選択端子であり、ＴＦＴトランジスタＴｒのドレインが、一対の端子のうちの一方の端子であり、液晶素子ＬＣの他端が、副画素ＳＰｉｘの他方の端子である。
ここで、図８および図９に示した表示パネル２の配置と、図１２に示した回路図との対応を述べておくと、次のようになる。
画素配列ＬＣＤは、その配列の行と実質的に平行な一対の辺と、その配列の列と実質的に平行な一対の辺を有している。画素配列ＬＣＤの行と平行な一対の辺が、図８および図９に示した表示パネル２の短辺２−Ｕ、２−Ｄに対応した第１辺、第２辺であり、画素ＬＣＤの列と平行な一対の辺が、表示パネル２の長辺２−Ｌ、２−Ｒに対応した第３辺、第４辺である。
画素配列ＬＣＤにおいて、行と平行な一対の辺のうちの第２辺、すなわち、表示パネル２の一方の短辺２−Ｄに沿って、図９に示されているように、信号セレクタ３、増幅ＡＭＰ、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣが配置されている。画素配列ＬＣＤにおいては、この第２辺（液晶パネル２の短辺２−Ｄ）において、信号線セレクタ３を介して、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣからの画像信号が、信号線ＳＬ（０）Ｒ、ＳＬ（０）Ｇ、ＳＬ（０）Ｂ〜ＳＬ（ｐ）Ｒ、ＳＬ（ｐ）Ｇ、ＳＬ（ｐ）Ｂに供給される。
また、画素配列ＬＣＤの第１辺、すなわち、表示パネル２の他方の辺（短辺２−Ｕ）に沿って、図９に示したように、切換調整回路ＳＣＸが配置されている。
画素配列ＬＣＤにおいて、列と平行な一対の辺（第３辺、第４辺）のうち第３辺、すなわち、表示パネル２の長辺２−Ｌに沿って、ゲートドライバ５、選択駆動回路ＳＳＬが配置されている。画素配列ＬＣＤにおいては、この第３辺において、走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）にゲートドライバ５からの走査線信号が供給される。図９では、ゲートドライバ５が、表示パネル２の長辺２−Ｌに沿って配置されていたが、ゲートドライバ５を、２個に分け、長辺２−Ｌ（画素配列ＬＣＤの第３辺）と長辺２−Ｒ（画素配列ＬＣＤの第４辺）のそれぞれに沿って配置するようにしてもよい。また、画素配列ＬＣＤにおいては、表示期間のとき、第３辺において、選択駆動回路ＳＳＬから、駆動電極に表示駆動信号が供給される。さらに、磁界タッチ検出の磁界発生期間ＴＧＴのとき、または電界タッチ検出のときには、この第３辺において、選択駆動回路ＳＳＬから、磁界駆動信号または電界駆動信号が、指定された駆動電極へ供給される。
画素配列ＬＣＤの第４辺、すなわち表示パネル２の長辺２−Ｒに沿って、図９に示したように、選択駆動回路ＳＳＲが配置されている。表示期間においては、この第４辺において、選択駆動回路ＳＳＲから表示駆動信号が、共通電極へ供給される。一方、磁界タッチ検出または電界タッチ検出のときには、上記した選択駆動回路ＳＳＬと同様に、この第４辺側からも、磁界駆動信号または電界駆動信号が、指定された駆動電極に供給される。
表示パネル２においてカラー表示を行う場合の画素配列ＬＣＤを具体的に説明したが、それぞれ３個の副画素ＳＰｉｘにより構成された複数のカラー画素Ｐｉｘ（画素）により、画素配列ＬＣＤが構成されていると見なしてもよい。このように見なした場合、複数の画素Ｐｉｘが、行列状に配置され、画素配列ＬＣＤが構成される。画素Ｐｉｘにより構成された画素配列ＬＣＤのそれぞれの行には、対応する走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）と、対応する駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）が配置され、それぞれの列には、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）が配置される。
この場合、３個の副画素ＳＰｉｘを、１個の画素Ｐｉｘと見なし、画素Ｐｉｘは、副画素ＳＰｉｘと同様な構成を有していると見なす。画素配列ＬＣＤに行列状に配置された画素Ｐｉｘのそれぞれの選択端子は、画素Ｐｉｘと同じ行に配置された走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）に接続され、画素Ｐｉｘのそれぞれの一方の端子は、同じ列に配置された信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）に接続され、画素Ｐｉｘのそれぞれの他方の端子は、同じ列に配置された駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に接続されることになる。勿論、１個の駆動電極が、画素配列ＬＣＤの複数の行に対応していてもよい。この場合には、複数の行に配置された画素Ｐｉｘの他方の端子が、共通の駆動電極に接続されることになる。
このように、画素配列ＬＣＤが、複数の画素Ｐｉｘにより構成されていると見なした場合においても、図８および図９に示した表示パネル２の配置と、図１２に示した回路図との対応は、先に説明した内容と同じである。
１個のカラー画素Ｐｉｘを構成する副画素ＳＰｉｘの数が、３個の場合を説明したが、これに限定されるものではなく、例えば上記Ｒ、Ｇ、Ｂに加えて白（Ｗ）や黄色（Ｙ）、または上記Ｒ、Ｇ、Ｂの補色（シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ））のいずれか１色又は複数色を加えた副画素で１つのカラー画素としてもよい。
＜選択駆動回路＞
次に、実施の形態１に係わる表示装置１における選択駆動回路ＳＳＬ、ＳＳＲの構成および動作を、図１３〜図１８を用いて説明する。
＜＜選択駆動回路の動作概要＞＞
選択駆動回路の理解を容易にするために、先ず、動作概要を述べておく。実施の形態１においては、選択駆動回路ＳＳＲは、図８に示したように、駆動回路ＳＲ−Ｒと選択回路ＳＲ−Ｃを備えている。駆動回路ＳＲ−Ｒは、磁界タッチ検出の磁界発生期間ＴＧＴにおいて、強い磁界を発生する駆動電極を指定する選択信号を形成する。また、電界タッチ検出のときに、駆動回路ＳＲ−Ｒは、電界を発生する駆動電極を指定する選択信号を形成する。選択回路ＳＲ−Ｃは、磁界発生期間ＴＧＴのとき、選択信号によって指定された駆動電極において磁界が発生するように、指定された駆動電極を挟む駆動電極を、信号配線ＴＳＶおよび電圧配線ＶＣＯＭに接続する。また、選択回路ＳＲ−Ｃは、電界タッチ検出のとき、選択信号によって指定された駆動電極を、信号配線ＴＳＶに接続する。
駆動回路ＳＲ−Ｒは、それぞれシフト段を有する複数の単位駆動回路ＵＳＲ（０）〜ＵＳＲ（ｐ）を備えており、これらの単位駆動回路ＵＳＲ（０）〜ＵＳＲ（ｐ）が直列的に接続されることにより、シフトレジスタが構成される。磁界タッチ検出および電界タッチ検出の際には、選択する駆動電極を指定する選択情報が、複数の単位駆動回路により構成されたシフトレジスタを移動することにより、駆動回路ＳＲ−Ｒは、駆動電極を順次指定する選択信号を形成する。
選択駆動回路ＳＳＬも、選択駆動回路ＳＳＲと同様に、駆動回路ＳＬ−Ｒと選択回路ＳＬ−Ｃを備えている。駆動回路ＳＬ−Ｒは、駆動回路ＳＲ−Ｒと同様に複数の単位駆動回路ＵＳＬ（０）〜ＵＳＬ（ｐ）を備えており。駆動回路ＳＲ−Ｒと同様に動作する。また、選択回路ＳＬ−Ｃは、選択回路ＳＲ−Ｃと同様に動作する。
図１３は、実施の形態１に係わる表示装置１におけるタッチ検出動作を示す説明図である。図１３（Ａ）は、タッチ検出動作が、電界タッチ検出の場合を示しており、図１３（Ｂ）は、タッチ検出動作が、磁界タッチ検出の場合を示している。動作概要を説明するために、図１３には、駆動回路ＳＲ−Ｒを構成する複数の単位駆動回路ＵＳＲ（０）〜ＵＳＲ（ｐ）のうち単位駆動回路ＵＳＲ（ｎ）と、駆動回路ＳＬ−Ｒを構成する複数の単位駆動回路ＵＳＬ（０）〜ＵＳＬ（ｐ）のうち単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ）が描かれており、選択回路ＳＲ−Ｃ、ＳＬ−Ｃは省略されている。
単位駆動回路ＵＳＲ（０）〜ＵＳＲ（ｐ）およびＵＳＬ（０）〜ＵＳＬ（ｐ）のそれぞれは、互いに平行して配置された駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれに対応しているが、単位駆動回路と駆動電極とは、１対１に対応していなくてもよい。すなわち、単位駆動回路に対して、互いに隣接して配置された複数の駆動電極が、対応するようにしてもよい。図１３では、単位駆動回路に対して６個の駆動電極が対応している例が示されている。すなわち、互いに近接し、隣接して配置された６個の駆動電極ＴＬ（ｎ）−１〜ＴＬ（ｎ）−６が、１個の駆動電極ＴＬ（ｎ）と見なされ、単位駆動回路ＵＳＲ（ｎ）、ＵＳＬ（ｎ）に対応している。
電界タッチ検出において、単位駆動回路ＵＳＲ（ｎ）、ＵＳＬ（ｎ）が、対応する駆動電極ＴＬ（ｎ）を指定する選択信号を形成すると、この指定された駆動電極ＴＬ（ｎ）、すなわち６個の駆動電極ＴＬ（ｎ）−１〜ＴＬ（ｎ）−６のそれぞれの一方に端部は、辺２−Ｌ（図８、図９）側において、信号配線ＴＳＶに接続される。また、指定された駆動電極ＴＬ（ｎ）、すなわち６個の駆動電極ＴＬ（ｎ）−１〜ＴＬ（ｎ）−６のそれぞれの他方の端部は、辺２−Ｒ（図８、図９）側において、信号配線ＴＳＶに接続される。電界タッチ検出の際には、信号配線ＴＳＶに周期的に電圧が変化する駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給されるため、駆動電極ＴＬ（ｎ）、すなわち６個の駆動電極ＴＬ（ｎ）−１〜ＴＬ（ｎ）−６の両端に、駆動信号ＴＳＶＣＯＭが電界駆動信号として供給されることになる。その結果、電界駆動信号（駆動信号ＴＳＶＣＯＭ）に従って、電界が発生することになる。
一方、磁界タッチ検出の磁界発生期間ＴＧＴにおいては、単位駆動回路ＵＳＲ（ｎ）、ＵＳＬ（ｎ）が、対応する駆動電極ＴＬ（ｎ）を指定する選択信号を形成すると、この指定された駆動電極ＴＬ（ｎ）、すなわち６個の駆動電極ＴＬ（ｎ）−１〜ＴＬ（ｎ）−６を挟むように配置された駆動電極ＴＬ（ｎ−１）、ＴＬ（ｎ＋１）が、信号配線ＴＳＶおよび電圧配線ＶＣＯＭに接続される。駆動電極ＴＬ（ｎ−１）は、６個の駆動電極ＴＬ（ｎ−１）−１〜ＴＬ（ｎ−１）−６によって構成され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）も、６個の駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）−１〜ＴＬ（ｎ＋１）−６によって構成されている。図１３には、これらの駆動電極のうち、駆動電極ＴＬ（ｎ−１）−５、ＴＬ（ｎ−１）−６、ＴＬ（ｎ＋１）−１およびＴＬ（ｎ＋１）−２のみが示され、残りの駆動電極ＴＬ（ｎ−１）−１〜ＴＬ（ｎ−１）−４およびＴＬ（ｎ＋１）−３〜ＴＬ（ｎ＋１）−６は、省略されている。
図１３に示した駆動電極ＴＬ（ｎ−１）−５、ＴＬ（ｎ−１）−６、ＴＬ（ｎ＋１）−１およびＴＬ（ｎ＋１）−２を、例にして説明すると、駆動電極ＴＬ（ｎ−１）−５およびＴＬ（ｎ−１）−６のそれぞれの一方の端部が、辺２−Ｌ側において、信号配線ＴＳＶに接続される。また、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）−１およびＴＬ（ｎ＋１）−２のそれぞれの一方の端部が、辺２−Ｌ側において、電圧配線ＶＣＯＭに接続される。このとき、駆動電極ＴＬ（ｎ−１）−５およびＴＬ（ｎ−１）−６のそれぞれの他方の端部が、辺２−Ｒ側において、電圧配線ＶＣＯＭに接続され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）−１およびＴＬ（ｎ＋１）−２のそれぞれの他方の端部が、辺２−Ｒ側において、信号配線ＴＳＶに接続される。同様に、図示していない駆動電極ＴＬ（ｎ−１）−１〜ＴＬ（ｎ−１）−４のそれぞれの一方の端部も、辺２−Ｌ側において、信号配線ＴＳＶに接続され、それぞれの他方の端部は、辺２−Ｒ側において、電圧配線ＶＣＯＭに接続される。また、図示していない駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）−３〜ＴＬ（ｎ＋１）−６のそれぞれの一方の端部は、辺２−Ｌ側において、電圧配線ＶＣＯＭに接続され、それぞれの他方の端部は、辺２−Ｒ側において、信号配線ＴＳＶに接続される。
磁界タッチ検出の磁界発生期間ＴＧＴにおいては、信号配線ＴＳＶに、周期的に電圧が変化する駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給され、電圧配線ＶＣＯＭに接地電圧Ｖｓｓが供給される。そのため、図１３に示すように、指定した駆動電極ＴＬ（ｎ）を挟んで配置された駆動電極ＴＬ（ｎ−１）、ＴＬ（ｎ＋１）のうち、駆動電極ＴＬ（ｎ−１）には、矢印Ｉ１で示す電流が流れ、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）には、電流Ｉ１とは反対方向の電流Ｉ２が矢印で示すように流れる。すなわち、指定した駆動電極ＴＬ（ｎ）を挟んで配置された駆動電極ＴＬ（ｎ−１）とＴＬ（ｎ＋１）には、磁界駆動信号（駆動信号ＴＳＶＣＯＭ）の電圧変化に従って、互いに反対方向の電流が流れることになる。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ）が配置された領域において、駆動電極ＴＬ（ｎ−１）において発生した磁界と、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）において発生した磁界とが重畳されることになり、強い磁界が発生することになる。
また、図１３に示した例では、６個の駆動電極ＴＬ（ｎ−１）−１〜ＴＬ（ｎ−１）−６が束とされて、駆動電極ＴＬ（ｎ−１）とされており、駆動電極ＴＬ（ｎ−１）において発生する磁界が強くされている。同様に、６個の駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）−１〜ＴＬ（ｎ＋１）−６が束とされて、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）とされており、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）において発生する磁界が強くされている。その結果、重畳された磁界をさらに強くすることが可能である。
このように、互いに並列に配置された駆動電極ＴＬ（ｎ−１）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）を直列的に接続して、コイルを形成するようにしなくても、強い磁界を発生することが可能となる。その結果、制御が容易になるとともに、制御回路の占有面積が増加するのを抑制することが可能となる。
＜＜選択駆動回路の構成＞＞
図１４は、実施の形態１に係わる選択駆動回路ＳＳＬおよびＳＳＲの構成を示すブロック図である。選択駆動回路ＳＳＬと選択駆動回路ＳＳＲは、互いに類似した構成を有している。先ず選択駆動回路ＳＳＬの構成を説明し、選択駆動回路ＳＳＲについては、選択駆動回路ＳＳＬとの相違点を主に説明する。
選択駆動回路ＳＳＬは、図８に示したように、駆動回路ＳＬ−Ｒと選択回路ＳＬ−Ｃを備えている。駆動回路ＳＬ−Ｒは、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれに対応した複数の単位駆動回路ＵＳＬ（０）〜ＵＳＬ（ｐ）を備えており、選択回路ＳＬ−Ｃは、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれに対応した複数の第３スイッチおよび第４スイッチと、スイッチ制御回路ＳＷＬを備えている。図１４には、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のうち駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）が示されており、これらの駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）に対応する選択駆動回路ＳＳＬの部分が示されている。以下、駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）に対応する部分を例として、選択駆動回路ＳＳＬを説明する。
図１４において、ＵＳＬ（ｎ）〜ＵＳＬ（ｎ＋５）は、駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）に対応する単位駆動回路である。単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ）〜ＵＳＬ（ｎ＋５）のそれぞれは、シフト段を備えている。単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ）〜ＵＳＬ（ｎ＋５）のそれぞれのシフト段は、直列的に接続され、シフトレジスタを構成している。磁界発生期間ＴＧＴおよび電界タッチ検出期間のとき、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ）の前段の単位駆動回路ＵＳＬ（図示しない）から選択情報ＳＥＩが、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ）に供給される。クロック信号ＣＬＫに同期して、選択情報ＳＥＩは、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ）〜ＵＳＬ（ｎ＋５）のシフト段によって構成されたシフトレジスタをシフトし、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ）から単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋５）へ向かって移動する。また、選択情報ＳＥＩが移動するとき、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ）〜ＵＳＬ（ｎ＋５）のそれぞれから、選択信号が、スイッチ制御回路ＳＷＬへ出力される。
スイッチ制御回路ＳＷＬは、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ）〜ＵＳＬ（ｎ＋５）からの選択信号と、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮと、電界イネーブル信号ＴＣ＿ＥＮを受け、第３スイッチＳＴＬｎ〜ＳＴＬｎ＋５をスイッチ制御する第１駆動信号と、第４スイッチＳＶＬｎ〜ＳＶＬｎ＋５をスイッチ制御する第２駆動信号を形成する。
第３スイッチＳＴＬｎ〜ＳＴＬｎ＋５および第４スイッチＳＶＬｎ〜ＳＶＬｎ＋５のそれぞれは、駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）のそれぞれに対応している。例えば、第３スイッチＳＴＬｎと第４スイッチＳＶＬｎは、駆動電極ＴＬ（ｎ）に対応し、第３スイッチＳＴＬｎ＋５と第４スイッチＳＶＬｎ＋５は、駆動電極ＴＬ（ｎ＋５）に対応している。残りの第３スイッチおよび第４スイッチのそれぞれも、同様に駆動電極に１対１で対応している。
第３スイッチＳＴＬｎ〜ＳＴＬｎ＋５のそれぞれは、表示パネル２の辺２−Ｌ側において、信号配線ＴＳＶと対応する駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）の一方の端部との間に接続され、第１駆動信号によってスイッチ制御される。また、第４スイッチＳＶＬｎ〜ＳＶＬｎ＋５のそれぞれは、表示パネル２の辺２−Ｌ側において、電圧配線ＶＣＯＭと対応する駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）の一方の端部との間に接続され、第２駆動信号によってスイッチ制御される。第３スイッチＳＴＬｎ、ＳＴＬｎ＋５および第４スイッチＳＶＬｎ、ＳＶＬｎ＋５を例にして説明すると、第３スイッチＳＴＬｎは、辺２−Ｌ側において、信号配線ＴＳＶと駆動電極ＴＬ（ｎ）の一方の端部との間に接続され、第４スイッチＳＶＬｎは、辺２−Ｌ側において、電圧配線ＶＣＯＭと駆動電極ＴＬ（ｎ）の一方の端部との間に接続されている。また、第３スイッチＳＴＬｎ＋５は、辺２−Ｌ側において、信号配線ＴＳＶと駆動電極ＴＬ（ｎ＋５）の一方の端部との間に接続され、第４スイッチＳＶＬｎ＋５は、辺２−Ｌ側において、電圧配線ＶＣＯＭと駆動電極ＴＬ（ｎ＋５）の一方の端部との間に接続されている。残りの第３スイッチおよび第４スイッチも同様である。
この実施の形態１では、第３スイッチＳＴＬｎ〜ＳＴＬｎ＋５と、第４スイッチＳＶＬｎ〜ＳＶＬｎ＋５と、スイッチ制御回路ＳＷＬによって、図８に示した選択回路ＳＬ−Ｃが構成されている。
選択駆動回路ＳＳＲにおいて、ＵＳＲ（ｎ）〜ＵＳＲ（ｎ＋５）は、上記した単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ）〜ＵＳＬ（ｎ＋５）に相当する単位駆動回路であり、ＳＷＲは、上記したスイッチ制御回路ＳＷＬに相当するスイッチ制御回路である。また、ＳＴＲｎ〜ＳＴＲｎ＋５は、上記した第３スイッチＳＴＬｎ〜ＳＴＬｎ＋５に相当する第５スイッチであり、ＳＶＲｎ〜ＳＶＲｎ＋５は、上記した第４スイッチＳＶＬｎ〜ＳＶＬｎ＋５に相当する第６スイッチである。
単位駆動回路ＵＳＲ（ｎ）〜ＵＳＲ（ｎ＋５）内のシフト段が直列的に接続され、選択情報ＳＥＩが、クロック信号ＣＬＫに同期して、単位駆動回路ＵＳＲ（ｎ）からＵＳＲ（ｎ＋５）へ向けて移動する。移動の際に、単位駆動回路ＵＳＲ（ｎ）〜ＵＳＲ（ｎ＋５）に格納された選択情報ＳＥＩは、単位駆動回路ＵＳＲ（ｎ）〜ＵＳＲ（ｎ＋５）の選択信号として、スイッチ制御回路ＳＷＲに出力される。スイッチ制御回路ＳＷＲは、単位駆動回路ＵＳＲ（ｎ）〜ＵＳＲ（ｎ＋５）からの選択信号と、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮと、電界イネーブル信号ＴＣ＿ＥＮとを受け、第５スイッチＳＴＲｎ〜ＳＴＲｎ＋５をスイッチ制御する第３駆動信号と、第６スイッチＳＶＬｎ〜ＳＶＬｎ＋５をスイッチ制御する第４駆動信号を形成する。
単位駆動回路ＵＳＲ（ｎ）〜ＵＳＲ（ｎ＋５）によって構成された駆動回路ＳＲ−Ｒと、第５スイッチ、第６スイッチおよびスイッチ制御回路ＳＷＲによって構成された選択回路ＳＲ−Ｃは、図８に示したように、表示パネル２の辺２−Ｒに沿って配置されている。そのため、第５スイッチＳＴＲｎ〜ＳＴＲｎ＋５のそれぞれは、辺２−Ｒ側において、信号配線ＴＳＶと対応する駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）のそれぞれの他方の端部との間に接続されている。また、第６スイッチＳＶＲｎ〜ＳＶＲｎ＋５のそれぞれは、辺２−Ｒ側において、電圧配線ＶＣＯＭと対応する駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）のそれぞれの他方の端部との間に接続されている。
第５スイッチＳＴＲｎ、ＳＴＲｎ＋５および第６スイッチＳＶＲｎ、ＳＶＲｎ＋５を例にして説明すると、第５スイッチＳＴＲｎは、辺２−Ｒ側において、信号配線ＴＳＶと駆動電極ＴＬ（ｎ）の他方の端部との間に接続され、第６スイッチＳＶＲｎは、辺２−Ｒ側において、電圧配線ＶＣＯＭと駆動電極ＴＬ（ｎ）の他方の端部との間に接続されている。また、第５スイッチＳＴＲｎ＋５は、辺２−Ｒ側において、信号配線ＴＳＶと駆動電極ＴＬ（ｎ＋５）の他方の端部との間に接続され、第６スイッチＳＶＲｎ＋５は、辺２−Ｒ側において、電圧配線ＶＣＯＭと駆動電極ＴＬ（ｎ＋５）の他方の端部との間に接続されている。残りの第５スイッチおよび第６スイッチも同様である。
磁界タッチ検出において、磁界発生期間ＴＧＴのときには、信号配線ＴＳＶに周期的に変化する駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給される。また、このとき、電圧配線ＶＣＯＭには、接地電圧Ｖｓｓが供給される。図１５は、磁界発生期間ＴＧＴにおいて、信号配線ＴＳＶおよび電圧配線ＶＣＯＭに供給される電圧の波形を示す波形図である。図１５において、横軸は、時間ｔを示し、縦軸は電圧を示している。図１５（Ａ）は、選択回路ＳＬ−Ｃに配置された信号配線ＴＳＶに供給される駆動信号ＴＳＶＣＯＭの波形を示しており、図１５（Ｂ）は、選択回路ＳＲ−Ｃに配置された信号配線ＴＳＶに供給される駆動信号ＴＳＶＣＯＭの波形を示している。また、図１５（Ｃ）は、選択回路ＳＬ−Ｃ、ＳＲ−Ｃに配置されている電圧配線ＶＣＯＭの電圧波形を示している。
図１５に示すように、選択回路ＳＬ−Ｃに供給される駆動信号ＴＳＶＣＯＭと選択回路ＳＲ−Ｃに供給される駆動信号ＴＳＶＣＯＭは、互いに同期しており、接地電圧Ｖｓｓと所定の電圧（第１電圧）Ｖｐとの間で、それぞれの電圧値は周期的に変化している。これに対して、電圧配線ＶＣＯＭには、接地電圧Ｖｓｓが供給されている。
電界タッチ検出のときにも、選択回路ＳＬ−Ｃに配置された信号配線ＴＳＶと選択回路ＳＲ−Ｃに配置された信号配線ＴＳＶには、図１５（Ａ）および（Ｂ）に示すように、互いに同期した駆動信号が供給される。特に制限されないが、駆動信号ＴＳＶＣＯＭにおける所定の電圧Ｖｐは、磁界発生期間ＴＧＴと電界タッチ検出のときとでは、異なっている。また、図１５（Ａ）および（Ｂ）に示した駆動信号ＴＳＶＣＯＭの周期も、磁界発生期間ＴＧＴと電界タッチ検出期間のときとでは、異なっている。勿論、所定の電圧Ｖｐと周期は、これに限定されるものではなく、同じであってもよい。
スイッチ制御回路ＳＷＬ、ＳＷＲは、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮによって磁界タッチ検出が指定された場合と、電界イネーブル信号ＴＣ＿ＥＮによって電界タッチ検出が指定された場合とで異なる動作を行う。磁界タッチ検出が指定された場合の動作を、図１６および図１７を用いて説明し、電界タッチ検出が指定された場合の動作を、図１８を用いて説明する。
＜＜磁界発生の動作＞＞
図１６および図１７は、磁界タッチ検出が指定された場合の動作を示す模式的な平面図である。
スイッチ制御回路ＳＷＬは、単位駆動回路から供給された選択信号が、選択を示していた場合、選択を示している選択信号を出力している単位駆動回路に対応する駆動電極を挟むように配置された２個の駆動電極を、信号配線ＴＳＶと電圧配線ＶＣＯＭに接続するように、第３スイッチおよび第４スイッチを制御する。特に制限されないが、この実施の形態１においては、２個の駆動電極のうち、辺２−Ｕに近い駆動電極を信号配線ＴＳＶに接続するように、スイッチ制御回路ＳＷＬは、第３スイッチを制御し、辺２−Ｄに近い駆動電極を電圧配線ＶＣＯＭに接続するように、スイッチ制御回路ＳＷＬは、第４スイッチを制御する。
スイッチ制御回路ＳＷＲも、同様に、単位駆動回路から供給された選択信号が、選択を示していた場合、選択を示している選択信号を出力している単位駆動回路に対応する駆動電極を挟むように配置された２個の駆動電極を、電圧配線ＶＣＯＭと信号配線ＴＳＶに接続するように、第６スイッチおよび第５スイッチを制御する。この実施の形態１においては、２個の駆動電極のうち、辺２−Ｕに近い駆動電極を電圧配線ＶＣＯＭに接続するように、スイッチ制御回路ＳＷＲは、第６スイッチを制御し、辺２−Ｄに近い駆動電極を信号配線ＴＳＶに接続するように、スイッチ制御回路ＳＷＬは、第５スイッチを制御する。
単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ）〜ＵＳＬ（ｎ＋５）によって構成されたシフトレジスタと、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ）〜ＵＳＬ（ｎ＋５）によって構成されたシフトレジスタは、互いに同期して動作している。そのため、スイッチ制御回路ＳＷＬによって、その一方の端部が、信号配線ＴＳＶに接続された駆動電極は、その他方の端部が、スイッチ制御回路ＳＷＲによって、電圧配線ＶＣＯＭに接続されることになる。また、スイッチ制御回路ＳＷＲによって、その他方の端部が、信号配線ＴＳＶに接続された駆動電極は、その一方の端部が、スイッチ制御回路ＳＷＬによって、電圧配線ＶＣＯＭに接続されることになる。
図１６には、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋２）と単位駆動回路ＵＳＲ（ｎ＋２）が、選択を示す選択信号を出力しているときの状態が示されている。単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋２）、ＵＳＲ（ｎ＋２）に対応する駆動電極は、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）であるため、この駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）を挟むように配置された２個の駆動電極は、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）となる。スイッチ制御回路ＳＷＬは、２個の駆動電極のうち、辺２−Ｕの近くに配置された駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）の一方の端部が、信号配線ＴＳＶに接続されるように、第１駆動信号によって、第３スイッチＳＴＬｎ＋１をオン状態にする。このとき、スイッチ制御回路ＳＷＬは、辺２−Ｄの近くに配置された駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）の一方の端部が、電圧配線ＶＣＯＭに接続されるように、第２駆動信号によって、第４スイッチＳＶＬｎ＋３をオン状態にする。
また、このとき、スイッチ制御回路ＳＷＬは、第３スイッチＳＴＬｎ＋１を除く、残りの第３スイッチＳＴＬｎ、ＳＴＬｎ＋２〜ＳＴＬｎ＋５がオフ状態となるように第１駆動信号によって制御する。同様に、スイッチ制御回路ＳＷＬは、第４スイッチＳＶＬｎ＋３を除く、残りの第４スイッチＳＶＬｎ〜ＳＶＬｎ＋２、ＳＶＬｎ＋４〜ＳＶＬｎ＋５がオフ状態となるように第２駆動信号によって制御する。
一方、スイッチ制御回路ＳＷＲは、２個の駆動電極のうち、辺２−Ｕの近くに配置された駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）の他方の端部が、電圧配線ＶＣＯＭに接続されるように、第４駆動信号によって、第６スイッチＳＶＲｎ＋１をオン状態にする。このとき、スイッチ制御回路ＳＷＲは、辺２−Ｄの近くに配置された駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）の他方の端部が、信号配線ＴＳＶに接続されるように、第３駆動信号によって、第５スイッチＳＴＲｎ＋３をオン状態にする。
また、このとき、スイッチ制御回路ＳＷＲは、第５スイッチＳＴＲｎ＋３を除く、残りの第５スイッチＳＴＲｎ〜ＳＴＲｎ＋２、ＳＴＲｎ＋４〜ＳＴＬｎ＋５がオフ状態となるように第３駆動信号によって制御する。同様に、スイッチ制御回路ＳＷＲは、第６スイッチＳＶＲｎ＋１を除く、残りの第６スイッチＳＶＬｎ、ＳＶＲｎ＋２〜ＳＶＲｎ＋５がオフ状態となるように第４駆動信号によって制御する。
これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）を挟むように配置された２個の駆動電極のうちの一方の駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）は、その一方の端部が、信号配線ＴＳＶに接続され、その他方の端部は、電圧配線ＶＣＯＭに接続されることになる。このとき、他方の駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）は、その一方の端部が、電圧配線ＶＣＯＭに接続され、その他方の端部は、信号配線ＴＳＶに接続されることになる。図１５に示すように、周期的に電圧値が変化する駆動信号ＴＳＶＣＯＭが、信号配線ＴＳＶに供給され、接地電圧Ｖｓｓが、電圧配線ＶＣＯＭに供給されることにより、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）では、図１６に矢印で示すような電流Ｉ１が流れ、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）では、矢印で示すような電流Ｉ２が流れる。
電流Ｉ１が流れることにより、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）には、矢印破線で示す磁界φＩ１が発生する。一方、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）には、電流Ｉ１とは反対方向の電流Ｉ２が流れることにより、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）では、矢印破線で示す磁界φＩ２が発生する。駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）は、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）とＴＬ（ｎ＋３）の間に挟まれているため、この駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）の領域において、磁界φＩ１と磁界φＩ２とが重畳されることになり、強い磁界が発生することになる。また、このとき、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）およびＴＬ（ｎ＋３）を除く駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ＋２）、ＴＬ（ｎ＋４）およびＴＬ（ｎ＋５）のそれぞれは、フローティング状態となっている。
選択を示す選択情報ＳＥＩは、シフトクロックＣＬＫが変化することにより、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋２）、ＵＳＲ（ｎ＋２）から、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋３）、ＵＳＲ（ｎ＋３）へ移動する。この移動により、強い磁界を発生する領域が、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）から、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）の領域へ移る。図１７は、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）において、強い磁界が発生している状態を示している。
クロック信号ＣＬＫが変化することにより、選択を示す選択情報ＳＥＩが、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋３）、ＵＳＲ（ｎ＋３）へ移動する。この単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋３）、ＵＳＲ（ｎ＋３）に対応する駆動電極は、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）である。そのため、スイッチ制御回路ＳＷＬ、ＳＷＲは、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）よりも、辺２−Ｕに近接して配置された駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）を信号配線ＴＳＶと電圧配線ＶＣＯＭに接続させる。また、このとき、スイッチ制御回路ＳＷＬ、ＳＷＲは、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）よりも、辺２−Ｄに近接して配置された駆動電極ＴＬ（ｎ＋４）を電圧配線ＶＣＯＭと信号配線ＴＳＶに接続させる。すなわち、スイッチ制御回路ＳＷＬは、第１駆動信号によって、第３スイッチＳＴＬｎ＋２をオン状態にし、第２駆動信号によって、第４スイッチＳＶＬｎ＋４をオン状態にし、残りの第３スイッチおよび第４スイッチをオフ状態にする。また、スイッチ制御回路ＳＷＲは、第３駆動信号によって、第５スイッチＳＶＲｎ＋２をオン状態にし、第４駆動信号によって、第６スイッチＳＴＲｎ＋４をオン状態にし、残りの第５スイッチおよび第６スイッチをオフ状態にする。
この結果、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）の一方の端部は、第３スイッチＳＴＬｎ＋２を介して、信号配線ＴＳＶに接続され、他方の端部は、第５スイッチＳＶＲｎ＋２を介して、電圧配線ＶＣＯＭに接続されることになる。このとき、駆動電極ＴＬ（ｎ＋４）の一方の端部は、第４スイッチＳＶＬｎ＋４を介して、電圧配線ＶＣＯＭに接続され、他方の端部は、第６スイッチＳＶＲｎ＋２を介して、信号配線ＴＳＶに接続されることになる。駆動信号ＴＳＶＣＯＭが、信号配線ＴＳＶに供給され、接地電圧Ｖｓｓが、電圧配線ＶＣＯＭＤＣに供給されると、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）では、図１７に矢印で示した方向に電流Ｉ１が流れ、駆動電極ＴＬ（ｎ＋４）では、矢印で示す方向に電流Ｉ２が流れることになる。
この電流Ｉ１、Ｉ２が流れることにより、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）では、矢印破線で示すような磁界φＩ１が発生し、駆動電極ＴＬ（ｎ＋４）では、矢印破線で示すような磁界φＩ２が発生する。駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）の領域において、磁界φＩ１と磁界φＩ２とが重畳されることになり、強い磁界が発生することになる。また、このとき、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）およびＴＬ（ｎ＋４）を除く駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ＋３）およびＴＬ（ｎ＋５）のそれぞれは、フローティング状態となっている。
上記したように、選択を示す選択情報ＳＥＩが、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ）、ＵＳＲ（ｎ）から、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋５）、ＵＳＲ（ｎ＋５）へ移動することにより、辺２−Ｕから辺２−Ｄに向かって、順次磁界を発生することが可能となる。この場合、駆動電極間を接続することによって、磁界発生コイルを構成しなくても、強い磁界を発生することが可能となる。
＜＜電界発生の動作＞＞
電界イネーブル信号ＴＣ＿ＥＮによって、電界タッチ検出が指示されている場合、スイッチ制御回路ＳＷＬ、ＳＷＲは、単位駆動回路から供給された選択信号が、選択を示していたとき、選択を示している選択信号を出力している単位駆動回路に対応する駆動電極を、信号配線ＴＳＶに接続するように、第３スイッチおよび第５スイッチを制御する。電界を発生するためには、磁界発生のときと異なり、駆動電極に直流電流を流すことは必要とされないため、スイッチ制御回路ＳＷＬ、ＳＷＲは、第４スイッチおよび第６スイッチをオフ状態にする。
図１８は、電界タッチ検出が指定された場合の動作を示す模式的な平面図である。同図には、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋２）、ＵＳＲ（ｎ＋２）が、選択を示す選択信号を出力しているときの状態が示されている。
スイッチ制御回路ＳＷＬは、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋２）から、選択を示す選択信号が供給されると、この単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋２）に対応する駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）の一方の端部と信号配線ＴＳＶとの間に接続されている第３スイッチＳＴＬｎ＋２を、第１駆動信号によって、オン状態にする。また、スイッチ制御回路ＳＷＬは、このとき、第３スイッチＳＴＬｎ＋２を除く他の第３スイッチＳＴＬｎ〜ＳＴＬｎ＋１およびＳＴＬｎ＋３〜ＳＴＬｎ＋５がオフ状態となるように、第１駆動信号によって制御する。
スイッチ制御回路ＳＷＲは、単位駆動回路ＵＳＲ（ｎ＋２）から、選択を示す選択信号が供給されると、この単位駆動回路ＵＳＲ（ｎ＋２）に対応する駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）の他方の端部と信号配線ＴＳＶとの間に接続されている第５スイッチＳＴＲｎ＋２を、第３駆動信号によって、オン状態にする。また、スイッチ制御回路ＳＷＲは、このとき、第５スイッチＳＴＲｎ＋２を除く他の第５スイッチＳＴＲｎ〜ＳＴＲｎ＋１およびＳＴＲｎ＋３〜ＳＴＲｎ＋５がオフ状態となるように、第３駆動信号によって制御する。
スイッチ制御回路ＳＷＬ、ＳＷＲは、電界を発生する駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）に接続された第４スイッチＳＶＬｎ＋２および第６スイッチＳＶＲｎ＋２を除いて、第４スイッチおよび第６スイッチを、第２駆動信号および第４駆動信号によって、オン状態にする。
電界タッチ検出の際にも、周期的に電圧が変化する駆動信号ＴＳＶＣＯＭが、信号配線ＴＳＶに供給される。そのため、第３スイッチＳＴＬｎ＋２を介して、駆動信号ＴＳＶＣＯＭが、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）の一方の端部に供給され、第５スイッチＳＴＲｎ＋２を介して、駆動信号ＴＳＶＣＯＭが、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）の他方の端部に供給されることになる。その結果、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）には、その両端部から、駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給されることになり、駆動信号ＴＳＶＣＯＭに従った電界が、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）において発生することになる。
クロック信号ＣＬＫが変化することにより、選択を示す選択情報ＳＥＩは、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋２）、ＵＳＲ（ｎ＋２）から、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋３）、ＵＳＲ（ｎ＋３）へ移動する。これにより、スイッチ制御回路ＳＷＬは、第３スイッチＳＴＬｎ＋３をオン状態にし、スイッチ制御回路ＳＷＲは、第５スイッチＳＴＲｎ＋３をオン状態にする。このとき、第３スイッチＳＴＬｎ＋３を除く第３スイッチと、第５スイッチＳＴＲｎ＋３を除く第５スイッチはオフ状態にする。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）の隣に配置された駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）において、駆動信号ＴＳＶＣＯＭに応じた電界が発生する。
以上のようにして、クロック信号ＣＬＫを変化させることにより、辺２−Ｕ側に配置された駆動電極から辺２−Ｄ側に配置され駆動電極に向けて、順次電界が発生する。
図１５〜図１８では、１個の駆動電極に対して、それぞれ１個の第３スイッチ、第４スイッチ、第５スイッチおよび第６スイッチを接続する例を示したが、これに限定されるものではない。例えば、図１３に示したように、互いに隣接して配置された６個（複数個）の駆動電極に対して、それぞれ１個の第３スイッチ、第４スイッチ、第５スイッチおよび第６スイッチを接続するようにしてもよい。
また、互いに隣接した駆動電極のそれぞれに接続された第３スイッチ、第４スイッチ、第５スイッチおよび第６スイッチを、同じ単位駆動回路からの選択情報に基づいて、実質的に同時にスイッチ制御するようにしてよい。例えば、図１６において、駆動電極ＴＬ（ｎ）に接続された第３スイッチＳＴＬｎと駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）に接続された第３スイッチＳＴＬｎ＋１が、単位駆動回路ＵＳＬ（ｎ＋２）からの選択信号に基づいて、実質的に同時にオン状態とされ、駆動電極ＴＬ（ｎ）に接続された第６スイッチＳＶＲｎと駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）に接続された第６スイッチＳＶＲｎ＋１が、単位駆動回路ＵＳＲ（ｎ＋２）からの選択信号に基づいて、実質的に同時にオン状態とされるようにしてもよい。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）を束ねて、磁界を発生することが可能となり、発生する磁界を強くすることが可能である。
駆動電極ＴＬ（ｎ）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）を束ねる場合、同様に駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋４）も束ねることにより、さらに、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）の領域において発生する磁界を強くすることが可能となる。この場合、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋４）を束ねる構成は、駆動電極ＴＬ（ｎ）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）を束ねる構成と同じである。
例えば、図３６および図３７で示した構成に対して、実施の形態１の構成では、スイッチの数を低減することができる。そのため、制御が容易となり、占有面積の増加を抑制することが可能となる。
＜切換調整回路の構成＞
図１９は、実施の形態１に係わる表示装置１の構成を示す平面図である。図１９には、磁界タッチ検出のときの状態が示されている。図１４から図１７で説明したように、磁界タッチ検出において、磁界発生期間ＴＧＴでは、駆動電極を用いて磁界が発生する。図１および図２で説明したように、ペンが近接しているか否かに応じて、磁界発生期間ＴＧＴにおいて発生した磁界により、ペン内の容量素子Ｃに充電される電荷量が変わる。磁界検出期間ＴＤＴにおいては、ペン内の容量素子Ｃに蓄積された電荷量によって、ペン内のコイルＬ１が発生する磁界を検出することになる。
図１および図２では、磁界発生コイルと磁界検出コイルが同じコイルによって構成される場合を例として説明した。これに対して、実施の形態１においては、図１４から図１７で説明したように、磁界発生期間ＴＧＴにおいては、コイル（磁界発生コイル）を用いずに磁界を発生し、ペンからの磁界は、磁界検出コイルによって検出する。
実施の形態１においては、信号線を用いて、磁界検出期間ＴＤＴのときに、磁界検出コイルが形成される。
図１９では、磁界発生期間ＴＧＴのときに磁界を発生するのに用いられる駆動電極は省略されており、磁界検出期間ＴＤＴのときに、磁界検出コイルを構成する信号線のみが描かれている。磁界検出期間ＴＤＴのとき、信号線は、磁界を検出するために用いられるため、検出電極と見なすことができる。このように見なした場合、図１９には、検出電極のみが描かれていると見なすことができる。
図１９において、ペン内のコイルＬ１は、磁界発生期間ＴＧＴのときの磁界によって誘起された電圧により充電された容量素子Ｃの電荷に基づいて、磁界を発生している。図１９において、ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）は、信号線を示している。信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）は、図１０で示したように、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と交差している。すなわち、表示パネル２の辺２−Ｒと辺２−Ｌとの間に、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）が、互いに平行に配置されている。
特に制限されないが、この実施の形態１においては、表示パネル２の辺２−Ｌに沿って、磁界用信号線ＳＬ（ｄＬ）が配置され、表示パネル２の辺２−Ｒに沿って、磁界用信号線ＳＬ（ｄＲ）が配置されている。すなわち、表示パネル２のアクティブ領域の外部であって、辺２−Ｒに沿って、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）（第１信号線）と平行するように配置された磁界用信号線ＳＬ（ｄＲ）（第２信号線）と、表示パネル２のアクティブ領域の外部であって、辺２−Ｒに沿って、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と平行するように配置された磁界用信号線ＳＬ（ｄＬ）（第２信号線）とを備えている。この磁界用信号線ＳＬ（ｄＲ）、ＳＬ（ｄＬ）は、表示パネル２のアクティブ領域の外部であるため、表示には寄与せず、磁界タッチ検出の際に用いられる。
実施の形態１においては、表示パネル２の辺２−Ｕに沿って、切換調整回路ＳＣＸが、配置されている。図１９において、上側が、表示パネル２の辺２−Ｕ側を示しており、下側が、表示パネル２の辺２−Ｄ側を示している。切換調整回路ＳＣＸが、第７スイッチｊ００、ｊ０１および第８スイッチｋ００〜ｋｐを備えている。
信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）は、特に制限されないが、この順番で、表示パネル２の辺２−Ｌから辺２−Ｒに向けて配置されている。この実施の形態１においては、磁界検出期間ＴＤＴのとき、間に２個の信号線を挟むように配置された信号線間が、第８スイッチｋ００〜ｋｐによって接続されている。図１９を例にして説明すると、第８スイッチｋ００は、信号線ＳＬ（１）の端部と信号線ＳＬ（４）の端部との間に接続され、第８スイッチｋ０１は、信号線ＳＬ（３）の端部と信号線ＳＬ（６）の端部との間に接続されている。また、第８スイッチｋｎ−１は、信号線ＳＬ（ｎ−２）の端部と信号線ＳＬ（ｎ＋１）の端部との間に接続され、第８スイッチｋｎは、信号線ＳＬ（ｎ）の端部と信号線ＳＬ（ｎ＋３）の端部との間に接続され、第８スイッチｋｎ＋１は、信号線ＳＬ（ｎ＋２）の端部と信号線ＳＬ（ｎ＋５）の端部との間に接続されている。
さらに、第８スイッチｋｐ−１は、信号線ＳＬ（ｐ−６）の端部と信号線ＳＬ（ｐ−３）の端部との間に接続され、第８スイッチｋｐは、信号線ＳＬ（ｐ−４）の端部と信号線ＳＬ（ｐ−１）の端部との間に接続されている。
第７スイッチｊ００は、磁界用信号線ＳＬ（ｄＬ）の端部と信号線ＳＬ（２）の端部との間に接続され、第７スイッチｊ０１は、磁界用信号線ＳＬ（ｄＲ）の端部と信号線ＳＬ（ｐ−２）の端部との間に接続されている。
第７スイッチｊ００、ｊ０１および第８スイッチｋ００〜ｋｐのそれぞれは、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮによってスイッチ制御される。この実施の形態１において、第７スイッチｊ００、ｊ０１および第８スイッチｋ００〜ｋｐは、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮが、磁界タッチ検出を指定するとき、オン状態となり、それ以外のときには、オフ状態となる。
その結果、磁界タッチ検出のときには、間に２個の信号線を挟んだ信号線間が電気的に接続されることになる。図１９を例にして述べると、信号線ＳＬ（２）とＳＬ（３）を挟んで配置された信号線ＳＬ（１）とＳＬ（４）との間が、第８スイッチｋ００によって電気的に接続される。同様に。信号線ＳＬ（４）、ＳＬ（５）を挟んで配置された信号線ＳＬ（３）と信号線ＳＬ（６）との間が、第８スイッチｋ０１によって接続され、信号線ＳＬ（ｎ−１）、ＳＬ（ｎ）を挟んで配置された信号線ＳＬ（ｎ−２）と信号線ＳＬ（ｎ＋１）との間が、第８スイッチｋｎ−１によって接続され、信号線ＳＬ（ｎ＋１）、ＳＬ（ｎ＋２）を挟んで配置された信号線ＳＬ（ｎ）と信号線ＳＬ（ｎ＋３）との間が、第８スイッチｋｎによって接続され、信号線ＳＬ（ｎ＋３）、ＳＬ（＋４）を挟んで配置された信号線ＳＬ（ｎ＋２）と信号線ＳＬ（ｎ＋５）との間が、第８スイッチｋｎ＋１によって接続される。
さらに、信号線ＳＬ（ｐ−５）、ＳＬ（ｐ−４）を挟んで配置された信号線ＳＬ（ｐ−６）と信号線ＳＬ（ｐ−３）との間が、第８スイッチｋｐ−１によって接続され、信号線ＳＬ（ｐ−３）、ＳＬ（ｐ−２）を挟んで配置された信号線ＳＬ（ｐ−４）と信号線ＳＬ（ｐ−２）との間が、第８スイッチｋｐによって接続される。
この実施の形態１においては、さらに、信号線ＳＬ（０）、ＳＬ（１）を挟むように配置された磁界用信号線ＳＬ（ｄＬ）と、信号線ＳＬ（２）との間が、第７スイッチｊ００によって接続され、信号線ＳＬ（ｐ−１）、ＳＬ（ｐ）を挟むように配置された磁界用信号線ＳＬ（ｄＲ）と、信号線ＳＬ（ｐ−２）との間が、第７スイッチｊ０１によって接続される。
これにより、磁界検出期間ＴＤＴのとき、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）のうち任意の複数の信号線により磁界検出コイルが形成されることになる。実施の形態１では、表示パネル２の辺２−Ｒおよび２−Ｌの近傍にも、磁界検出期間ＴＤＴのとき、磁界検出コイルを形成することが可能となる。すなわち、表示パネル２の辺２−Ｌに近接して配置されている信号線ＳＬ（０）、ＳＬ（１）を、内側とした磁界検出コイルを、磁界用信号線ＳＬ（ｄＬ）と信号線ＳＬ（２）を巻線として形成することができる。同様に、表示パネル２の辺２−Ｒに近接して配置されている信号線ＳＬ（ｐ−１）、ＳＬ（ｐ）を、内側とした磁界検出コイルを、磁界用信号線ＳＬ（ｄＲ）と信号線ＳＬ（ｐ−２）を巻線として形成することができる。これにより、辺２−Ｒおよび辺２−Ｌの近傍に、ペンが近接している場合も検出することが可能となる。また、この実施の形態１においては、図１９から理解されるように、形成される磁界検出コイルが、互いに重なっている。これにより、検出漏れを防ぐことが可能となる。
磁界用信号線ＳＬ（ｄＲ）、ＳＬ（ｄＬ）の幅ｄ８、ｄ１０は、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）の幅ｄ９、ｄ１０よりも狭くされている。これにより、額縁が大きくなるのを抑制することが可能である。
磁界検出期間ＴＤＴのとき、信号線により形成されたそれぞれの磁界検出コイルの一対の端子のうちの、一方の端子には、接地電圧Ｖｓｓが供給され、他方の端子は、図８で説明した増幅回路ＡＭＰに接続される。図１９を例にして説明すると、信号線ＳＬ（ｎ−２）、ＳＬ（ｎ）、ＳＬ（ｎ＋２）のそれぞれの端部が、増幅回路ＡＭＰに接続される。信号線により構成された磁界検出コイルに、ペンからの磁界が到達すると、磁界検出コイルに誘起電圧が発生し、増幅回路ＡＭＰの入力信号が変化する。増幅回路ＡＭＰは、この入力信号の変化を増幅して、センス信号Ｓ（０）〜Ｓ（ｐ）として出力する。
一方、電界タッチ検出においては、第７スイッチｊ００、ｊ０１および第８スイッチｋ００〜ｋｐが、オフ状態となる。電界タッチ検出のときには、図１４および図１８で説明したように、駆動電極が電界を発生する。指がタッチするか否かに応じて、信号線における電界が変化し、この変化が、増幅回路ＡＭＰに伝えられ、増幅されて、センス信号Ｓ（０）〜Ｓ（ｐ）として出力される。
実施の形態１では、表示パネル２の両方の辺に沿って、磁界検出コイルを形成する際に巻線となる磁界用信号線ＳＬ（ｄＲ）、ＳＬ（ｄＬ）を設ける例を示したが、勿論、いずれか一方に設けるようにしてもよい。
図２０は、実施の形態１に係わる表示装置１の構成を模式的に示す斜視図である。同図には、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と、第８スイッチｋ００〜ｋｐと、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣと、選択駆動回路ＳＳＲ、ＳＳＬと、ゲートドライバ５が示されている。これらは、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢに形成されている。そのため、図２０には、モジュールに実装された表示装置１が示されていると見なすこともできる。また、図２０には、コイルＬ１を備えたペンも示されている。
モジュールの辺９００−Ｒに沿って、選択駆動回路ＳＳＲが配置され、辺９００−Ｌに沿って、選択駆動回路ＳＳＬおよびゲートドライバ５が配置されている。選択駆動回路ＳＳＬと選択駆動回路ＳＳＲとの間に、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）が、互いに平行となるように配置されており、モジュールの辺９００−Ｕに沿って、第８スイッチｋ００〜ｋｐが配置されている。駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と直交し、互いに平行となるように配置されている。
第８スイッチｋ００〜ｋｐは、図１９で説明したように、タッチ検出のとき、信号線間を接続する。図２０では、モジュールの辺９００―Ｄに沿って、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢに形成された第９スイッチｌ００〜ｌｐが配置されている。
第９スイッチｌ００〜ｌｐは、２つのグループに分けられ、第１のクループの第９スイッチは、磁界検出期間ＴＤＴのとき接地電圧Ｖｓｓが供給されるべき信号線、例えば図１９に示した信号線ＳＬ（２）、ＳＬ（ｎ＋３）、ＳＬ（ｐ−１）等のそれぞれの端部と、電圧配線ＶＬ３との間に接続され、磁界検出期間ＴＤＴのとき、オン状態にされる。また、第２グループの第１２スイッチは、磁界検出期間ＴＤＴのとき、コイルにおける信号の変化を出力する信号線、例えば、図１９に示した信号線ＳＬ（１）、ＳＬ（ｎ）、ＳＬ（ｐ−４）等の端部と、対応する信号配線ＬＬ７との間に接続されている。図２０では、例示として、信号線ＳＬ（０）の端部に接続された第９スイッチ（第２グループ）、信号線ＳＬ（ｎ）の端部に接続された第９スイッチ（第２グループ）、信号線ＳＬ（ｎ＋３）の端部に接続された第９スイッチ（第１グループ）および信号線Ｌ（ｐ）の端部に接続された第９スイッチ（第１グループ）に、符号ｌ００、ｌｎ、ｌｎ＋３およびｌｐが付されている。信号配線ＬＬ７は、１個の配線として示されているが、第２グループの第９スイッチに対応した数の信号配線を含んでいる。磁界検出期間のとき、第２グループの第９スイッチもオン状態とされる。これにより、それぞれのコイルに発生した信号が、対応する信号配線ＬＬ７に伝達され、増幅回路ＡＭＰによって増幅され、センス信号Ｓ（０）〜Ｓ（ｐ）として、タッチ検出用半導体装置６（図８）へ供給される。
電界タッチ検出のときにも、第２クループの第９スイッチが、オン状態とされ、信号線における信号の変化が、増幅回路ＡＭＰに供給され、増幅され、センス信号Ｓ（０）〜Ｓ（ｐ）して、タッチ検出用半導体装置６（図８）へ供給される。
この実施の形態１においては、第９スイッチｌ００〜ｌｐは、ＴＦＴガラス基板に形成されており、第９スイッチｌ００〜ｌｐを覆うように、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣが、配置されている。これにより、額縁が広くなるのを抑制することが可能とされている。
特に制限されないが、モジュールの辺９００−Ｒおよび９００−Ｌに沿って、信号配線ＴＳＶおよび電圧配線ＶＣＯＭは延在している。磁界発生期間ＴＧＴにおいては、この信号配線ＴＳＶに、駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給され、電圧配線ＶＣＯＭに、接地電圧Ｖｓｓが供給される。また、電界タッチ検出のときには、信号配線ＴＳＶに、駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給される。
磁界タッチ検出の磁界発生期間ＴＧＴのとき、選択駆動回路ＳＳＬ、ＳＳＲによって、駆動電極ＴＬ（ｎ−１）およびＴＬ（ｎ）において、矢印で示す方向の電流Ｉ１が流れるようにされる。また、このとき、選択駆動回路ＳＳＬ、ＳＳＲによって、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）およびＴＬ（ｎ＋４）において、矢印で示す方向の電流Ｉ２が流れるようにされる。これにより、駆動信号ＴＳＶＣＯＭが周期的に変化することにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−１）、ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ＋３）およびＴＬ（ｎ＋４）のそれぞれにおいて、周期的に変化する磁界が発生する。図２０では、発生する磁界φＩ１、φＩ２の様子が、模式的に破線で示されている。駆動電極ＴＬ（ｎ−１）、ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ＋３）およびＴＬ（ｎ＋４）によって挟まれた駆動電極ＴＬ（ｎ−１）、ＴＬ（ｎ＋１）の領域において、磁界φＩ１とφＩ２とが重畳され、強い磁界が発生する。
強い磁界が発生している領域の近傍にペンが存在すると、ペン内のコイルＬ１が、相互誘導の作用により、誘起電圧を発生する。発生した誘起電圧により、ペンＰＮ内の容量素子Ｃ（図示しない）が充電される。
容量素子Ｃに充電された電荷によって、ペン内コイルＬ１が、磁界検出期間ＴＤＴのとき、磁界を発生する。このときの磁力線が、図２０では、φＤとして示されている。
磁界検出期間ＴＤＴにおいては、図１９で説明したように、第８スイッチｋ００〜ｋｐがオン状態にされる。これにより、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）を巻線とした複数のコイルが形成される。信号線を巻線としたコイルとペン内コイルＬ１との相互誘導の作用により、信号線を巻線としたコイルに誘起電圧が発生し、信号線における信号が、第２グループの第９スイッチへ伝達される。第２グループの第９スイッチをオン状態にすることにより、センス信号Ｓ（０）〜Ｓ（ｐ）として、増幅回路ＡＭＰから出力される。図２０では、信号線ＳＬ（ｎ）を介して、第９スイッチｌｎに伝達される信号が、矢印を付した実線で示されている。これにより、磁界を発生させた駆動電極の駆動時に、磁界を検出した検出電極を特定することによって、ペンがタッチした座標を特定することができる。
磁界用信号線ＳＬ（ｄＬ）、ＳＬ（ｄＲ）を、表示パネル２のアクティブ領域の外部に配置する例を説明したが、これに限定されるものではない。例えば、表示パネル２のアクティブ領域内であって、辺２−Ｌおよび２−Ｒのそれぞれに沿って、磁界用信号線ＳＬ（ｄＬ）および／または磁界用信号線ＳＬ（ｄＲ）を配置するようにしてもよい。この場合、配置する磁界用信号配線ＳＬ（ｄＬ）および／またはＳＬ（ｄＲ）の幅ｄ１０を、信号線の幅ｄ１１よりも狭くすることにより、表示領域が狭くなるのを低減することが可能である。
＜変形例＞
図２１は、実施の形態１の変形例に係わる表示装置１を模式的に示す斜視図である。図２１は、図２０と類似しているので、図２０との相違点を主に説明する。図２０に示した表示装置１においては、磁界タッチ検出のとき、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）によって、磁界検出コイルが形成されていた。また、電界タッチ検出のときにも、電界の変化を信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）を用いて、検出していた。これに対して、変形例においては、ＣＦガラス基板ＣＧＢに形成された検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）が、磁界タッチ検出のとき、磁界検出コイルを形成するのに用いられる。また、電界タッチ検出のときにも、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）が、電界の変化を検出するために用いられる。すなわち、図２０に示した信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）の代わりに、ＣＦガラス基板ＣＧＢに形成された検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）が、磁界タッチ検出および電界タッチ検出のときに用いられることになる。
検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、図４に示したように、ＣＦガラス基板ＣＧＢの主面ＣＳＦ１に形成される。そのため、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、液晶層、カラーフィルタおよびＣＦガラス基板ＣＧＢを挟んで、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）上に形成されている。ＣＦガラス基板ＣＧＢの主面ＣＳＦ１側から、平面視で見たとき、駆動検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、互いに平行であって、電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と直交するように配置されている。
図２１において、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれの一方の端部は、所定の間隔で、互いに接続されている。この変形例においては、図２０に示した信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と同様に、２個の検出電極を間に挟むような間隔で、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれの一方の端部は接続されている。この接続は、ＣＦガラス基板ＣＧＢに形成された信号配線によって、検出電極間を接続することにより達成されている。図２１においては、図面を見易くするために、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のうち、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（６）、ＲＬ（ｎ）、ＲＬ（ｎ＋３）およびＲＬ（ｐ−３）〜ＲＬ（ｐ）のみに、符号が付されている。図２１を例にして説明すると、モジュールの辺９００−Ｕ側において、検出電極ＲＬ（１）とＲＬ（４）のそれぞれの一方の端部間が接続されている。また、検出電極ＲＬ（３）とＲＬ（６）のそれぞれの一方の端部間が接続されている。なお、検出電極ＲＬ（２）の一方の端部は、１個の検出電極ＴＬ（１）を挟んで、モジュールの辺９００−Ｌに最も近接した検出電極ＲＬ（０）の一方の端部に接続されている。他の検出電極のそれぞれの一方の端部も、検出電極ＲＬ（ｐ−３）を除いて、間に２個の検出電極を挟みように、それぞれの一方の端部間が接続されている。
検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれの他方の端部は、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢに形成された第９スイッチｌ００〜ｌｐに接続されている。図２１では、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）と第９スイッチｌ００〜ｌｐとの接続を示すために、第９スイッチｌ００〜ｌｐが、ＣＦガラス基板ＣＧＢ上に描かれているが、図２０と同様に、この第９スイッチｌ００〜ｌｐは、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢに形成されている。さらに、この第９スイッチｌ００〜ｌｐは、図２０で示したのと同様に、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣによって覆われている。図２１では、このドライブ用半導体装置ＤＤＩＣが、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢにおいて破線で示されている。
図２１に示した第９スイッチｌ００〜ｌｐは、図２０に示した第９スイッチｌ００〜ｌｐと同様に、第１グループと第２グループによって構成されている。磁界検出期間ＴＤＴにおいて、第１グループの第９スイッチがオン状態となることにより、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）によって形成された磁界検出コイルの端部に、接地電圧Ｖｓｓが供給され、第２グループの第９スイッチがオン状態となることにより、磁界検出コイルの端部が、増幅回路ＡＭＰに接続されることになる。
この変形例においても、磁界発生期間ＴＧＴにおいては、図２０と同様に、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）によって、磁界が発生する。発生した磁界に基づいて、磁界検出期間ＴＤＴにおいて、ペンが磁界φＤを発生すると、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）により形成された磁界検出コイルによって、磁界φＤが検出され、増幅回路ＡＭＰからセンス信号Ｓ（０）〜Ｓ（ｐ）として、出力される。そのため、磁界を発生させた駆動電極の駆動時に、磁界を検出した検出電極を特定することによって、ペンがタッチした座標を特定することができる。
電界タッチ検出のときには、図２０と同様に、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）によって電界が発生し、指がタッチしているか否かにより生じる電界の変化が、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）によって、増幅回路ＡＭＰに伝達され、センス信号Ｓ（０）〜Ｓ（ｐ）として、出力される。
信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）は、表示期間のとき、画像情報を伝達するために用いられるため、表示期間のときには、互いに電気的に分離していることが要求される。そのため、図１９および図２０に示した表示装置１においては、第７スイッチおよび第８スイッチが設けられていた。これに対して、図２１に示した変形例においては、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）を用いずに、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）を用いて、磁界タッチ検出および電界タッチ検出が行われる。そのため、磁界タッチ検出のために、第７スイッチおよび第８スイッチを設けなくて済み、占有面積の増加を抑制することが可能となる。
実施の形態１においては、磁界発生コイルを形成することが要求されないため、制御が容易となり、制御回路の占有面積の増加を抑制することが可能となる。
（実施の形態２）
図２２は、実施の形態２に係わる表示装置１の構成を示す平面図である。図２２には、実施の形態１で説明した表示パネル２に関する部分のみが示されており、他の部分は省略されている。
図２２において、ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、表示パネル２の辺２−Ｕと辺２−Ｄとの間に、互いに平行に配置された駆動電極を示している。また、ＴＬ（ｄＬＵ）は、表示パネル２の外部の領域（非アクティブ領域）であって、辺２−Ｕに沿って配置された磁界発生用ダミー駆動電極を示しており、ＴＬ（ｄＬＤ）は、表示パネル２の外部の領域（非アクティブ領域）であって、辺２−Ｄに沿って配置された磁界発生用ダミー駆動電極を示している。磁界発生用ダミー駆動電極は、表示パネル２の外部領域に配置されるため、以下、外部領域駆動電極とも称する。
また、図２２において、ＵＳＬ（０）〜ＵＳＬ（ｐ）およびＵＳＲ（０）〜ＵＳＲ（ｐ）のそれぞれは、単位駆動回路を示している。図１４、図１６および図１７で説明したように、単位駆動回路ＵＳＬ（０）〜ＵＳＬ（ｐ）のそれぞれは、表示パネル２の辺２−Ｌに沿って配置されており、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に対応している。また、単位駆動回路ＵＳＲ（０）〜ＵＳＲ（ｐ）のそれぞれは、表示パネル２の辺２−Ｒに沿って配置されており、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に対応している。
実施の形態１で説明したように、磁界発生期間ＴＧＴにおいては、選択を指定している選択信号を出力している単位駆動回路に対応する駆動電極を挟むように配置された２個の駆動電極に、駆動信号ＴＳＶＣＯＭが、供給される。例えば、磁界発生期間ＴＧＴにおいて、単位駆動回路ＵＳＬ（２）およびＵＳＲ（２）が、選択を指定する選択信号を出力すると、これらの単位駆動回路ＵＳＬ（２）、ＵＳＲ（２）に対応する駆動電極ＴＬ（２）を挟むように配置された駆動電極ＴＬ（１）、ＴＬ（３）に、駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給されることになる。すなわち、駆動電極ＴＬ（１）の一方の端部に対して、辺２−Ｌ側から駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給され、駆動電極ＴＬ（１）の他方の端部に対して、辺２−Ｒ側から接地電圧Ｖｓｓが供給される。このとき、駆動電極ＴＬ（３）の他方の端部に対して、辺２−Ｒ側から駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給され、この駆動電極ＴＬ（３）の一方の端部に対して、辺２−Ｌ側から接地電圧Ｖｓｓが供給される。これにより、選択する駆動電極ＴＬ（２）において、駆動電極ＴＬ（１）において発生した磁界と駆動電極ＴＬ（３）において発生した磁界とが重畳され、強い磁界が発生することになる。
このようにした場合、表示パネル２の辺２−Ｕに近接して配置された駆動電極ＴＬ（０）を選択するとき、この駆動電極ＴＬ（０）に近接した駆動電極は、駆動電極ＴＬ（１）のみとなる。そのため、駆動電極ＴＬ（０）を選択する場合、駆動電極ＴＬ（０）において発生する磁界が弱くなる。同様に、表示パネル２の辺２−Ｄに近接して配置された駆動電極ＴＬ（ｐ）を選択するとき、この駆動電極ＴＬ（ｐ）に近接した駆動電極は、駆動電極ＴＬ（ｐ−１）のみとなる。そのため、駆動電極ＴＬ（ｐ）を選択する場合、駆動電極ＴＬ（ｐ）において発生する磁界が弱くなる。
この実施の形態２においては、辺２−Ｕを挟んで、駆動電極ＴＬ（０）の反対側に、外部領域駆動電極ＴＬ（ｄＬＵ）が配置され、辺２−Ｄを挟んで、駆動電極ＴＬ（ｐ）の反対側に、外部領域駆動電極ＴＬ（ｄＬＤ）が配置されている。
駆動電極ＴＬ（０）において磁界を発生するとき、この駆動電極ＴＬ（０）を挟むように配置された駆動電極ＴＬ（１）と外部領域駆動電極ＴＬ（ｄＬＵ）のそれぞれで磁界が発生するようにされる。また、駆動電極ＴＬ（ｐ）において磁界を発生するとき、この駆動電極ＴＬ（ｐ）を挟むように配置された駆動電極ＴＬ（ｐ−１）と外部領域駆動電極ＴＬ（ｄＬＤ）のそれぞれで磁界が発生するようにされる。これにより、表示パネル２の辺２−Ｕ、２−Ｄに近い領域で、ペンの検出精度が低下するのを防ぐことが可能となる。
なお、外部領域駆動電極ＴＬ（ｄＬＵ）、ＴＬ（ｄＬＤ）は、磁界発生にのみ用いられるため、その線幅ｄＬＵ、ｄＬＤは、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の線幅ｄｄに比べて狭くてもよい。
図２３は、駆動電極ＴＬ（０）において磁界を発生する場合を示す平面図である。磁界発生期間ＴＧＴにおいて、駆動電極ＴＬ（０）に対応する単位駆動回路ＵＳＬ（０）、ＵＳＲ（０）が、選択を示す選択信号を出力したとき、単位駆動回路ＵＳＬ（０）からの選択信号に応答して、外部領域駆動電極ＴＬ（ｄＬＵ）の一方の端部に、辺２−Ｌ側で、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを供給し、駆動電極ＴＬ（１）の一方の端部に、辺２−Ｌ側で、接地電圧Ｖｓｓを供給するように、選択回路ＳＬ−Ｃ（図８および図１４）が構成される。また、このときの単位駆動回路ＵＳＲ（０）からの選択信号に応答して、外部領域駆動電極ＴＬ（ｄＬＵ）の他方の端部に、辺２−Ｒ側で、接地電圧Ｖｓｓを供給し、駆動電極ＴＬ（１）の他方の端部に、辺２−Ｒ側で、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを供給するように、選択回路ＳＲ−Ｃ（図８および図１４）が構成される。
これにより、辺２−Ｕに最も近接して配置された駆動電極ＴＬ（０）が選択された場合には、駆動電極ＴＬ（１）に、矢印の電流Ｉ２が流れ、磁界が発生する。また、外部領域駆動電極ＴＬ（ｄＬＵ）に、矢印の電流Ｉ１が流れ、磁界が発生する。駆動電極ＴＬ（１）によって発生した磁界と、外部領域駆動電極ＴＬ（ｄＬＵ）によって発生した磁界が、駆動電極ＴＬ（０）の領域において、重畳されることになり、強い磁界を、駆動電極ＴＬ（０）の領域で発生することが可能となる。
図２４は、駆動電極ＴＬ（ｐ）において磁界を発生する場合を示す平面図である。磁界発生期間ＴＧＴにおいて、駆動電極ＴＬ（ｐ）に対応する単位駆動回路ＵＳＬ（ｐ）、ＵＳＲ（ｐ）が、選択を示す選択信号を出力したとき、単位駆動回路ＵＳＬ（ｐ）からの選択信号に応答して、外部領域駆動電極ＴＬ（ｄＬＵ）の一方の端部に、辺２−Ｌ側で、接地電圧Ｖｓｓを供給し、駆動電極ＴＬ（ｐ−１）の一方の端部に、辺２−Ｌ側で、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを供給するように、選択回路ＳＬ−Ｃ（図８および図１４）が構成される。また、このときの単位駆動回路ＵＳＲ（ｐ）からの選択信号に応答して、外部領域駆動電極ＴＬ（ｄＬＵ）の他方の端部に、辺２−Ｒ側で、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを供給し、駆動電極ＴＬ（ｐ−１）の他方の端部に、辺２−Ｒ側で、接地電圧Ｖｓｓを供給するように、選択回路ＳＲ−Ｃ（図８および図１４）が構成される。
これにより、辺２−Ｄに最も近接して配置された駆動電極ＴＬ（０）が選択された場合には、駆動電極ＴＬ（ｐ−１）に、矢印の電流Ｉ１が流れ、磁界が発生する。また、外部領域駆動電極ＴＬ（ｄＬＤ）に、矢印の電流Ｉ２が流れ、磁界が発生する。駆動電極ＴＬ（ｐ−１）によって発生した磁界と、外部領域駆動電極ＴＬ（ｄＬＤ）によって発生した磁界が、駆動電極ＴＬ（ｐ）の領域において、重畳されることになり、強い磁界を、駆動電極ＴＬ（ｐ）の領域で発生することが可能となる。
磁界発生期間ＴＧＴのとき、選択を示す選択信号を出力する単位駆動回路に対応する駆動電極を挟むように配置された２個の駆動電極に、駆動信号ＴＳＶＣＯＭと接地電圧Ｖｓｓを供給する例を説明したが、これに限定されるものではない。例えば、強い磁界を発生する領域に対応する駆動電極を挟むように配置された２個の駆動電極が、対応する単位選択回路によって選択されるようにしてもよい。この場合には、図２２から図２４に示すように、外部領域駆動電極ＴＬ（ｄＬＵ）の両端部に、単位駆動回路ＵＳＬ（ｄＵ）とＵＳＲ（ｄＵ）が配置され、外部領域駆動電極ＴＬ（ｄＬＤ）の両端部に、単位駆動回路ＵＳＬ（ｄＤ）とＵＳＲ（ｄＤ）が配置される。
この場合、磁界発生期間ＴＧＴにおいて、単位駆動回路ＵＳＬ（０）〜ＵＳＬ（ｐ）、ＵＳＬ（ｄＬ）およびＵＳＬ（ｄＤ）のうち、強い磁界を発生する駆動電極に対応する単位駆動回路を挟むように配置された２個の単位駆動回路が、選択を示す選択信号を出力する。同様に、単位駆動回路ＵＳＲ（０）〜ＵＳＲ（ｐ）、ＵＳＲ（ｄＬ）およびＵＳＲ（ｄＤ）のうち、強い磁界を発生する駆動電極に対応する単位駆動回路を挟むように配置された２個の単位駆動回路が、選択を示す選択信号を出力する。
例えば、駆動電極ＴＬ（２）の領域において、強い磁界を発生させる場合、単位選択回路ＵＳＬ（２）を挟むように配置された単位駆動回路ＵＳＬ（１）と単位駆動回路ＵＳＬ（３）が、選択を示す選択信号を出力する。選択回路ＳＬ−Ｃ（図８、図１４）は、単位選択回路ＵＳＬ（１）、ＵＳＬ（３）からの選択信号に基づいて、単位選択回路ＵＳＬ（１）に対応する駆動電極ＴＬ（１）の一方の端部に、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを供給し、単位選択回路ＵＳＬ（３）に対応する駆動電極ＴＬ（３）の一方の端部に、接地電圧Ｖｓｓを供給する。
このとき、駆動電極ＴＬ（２）に対応する単位選択回路ＵＳＲ（２）を挟むように配置された単位駆動回路ＵＳＲ（１）と単位駆動回路ＵＳＲ（３）が、選択を示す選択信号を出力する。選択回路ＳＲ−Ｃ（図８、図１４）は、単位選択回路ＵＳＲ（１）、ＵＳＲ（３）からの選択信号に基づいて、単位選択回路ＵＳＲ（１）に対応する駆動電極ＴＬ（１）の他方の端部に、接地電圧Ｖｓｓを供給し、単位選択回路ＵＳＲ（３）に対応する駆動電極ＴＬ（３）の他方の端部に、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを供給する。これにより、駆動電極ＴＬ（２）の領域において、駆動電極ＴＬ（１）によって発生した磁界と、駆動電極ＴＬ（３）によって発生した磁界とが重畳されることになる。
駆動電極ＴＬ（０）において強い磁界を発生させる場合には、図２３に示した単位駆動回路ＵＳＬ（ｄＵ）、ＵＳＲ（ｄＵ）、ＵＳＬ（１）およびＵＳＲ（１）が、選択を示す選択信号を出力する。これに応答して、選択回路ＳＬ−Ｃは、外部領域駆動電極ＴＬ（ｄＬＵ）の一方の端部に、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを供給し、駆動電極ＴＬ（１）の一方の端部に、接地電圧Ｖｓｓを供給する。また、選択回路ＳＲ−Ｃは、外部領域駆動電極ＴＬ（ｄＬＵ）の他方の端部に、接地電圧Ｖｓｓを供給し、駆動電極ＴＬ（１）の他方の端部に、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを供給する。これにより、図２３において、矢印で示す電流Ｉ１、Ｉ２が流れ、磁界が発生し、駆動電極ＴＬ（０）の領域において、強い磁界を発生することが可能となる。
また、駆動電極ＴＬ（ｐ）において強い磁界を発生させる場合には、図２４に示した単位駆動回路ＵＳＬ（ｄＤ）、ＵＳＲ（ｄＤ）、ＵＳＬ（ｐ−１）およびＵＳＲ（ｐ−１）が、選択を示す選択信号を出力する。これに応答して、選択回路ＳＬ−Ｃは、外部領域駆動電極ＴＬ（ｄＬＤ）の一方の端部に、接地電圧Ｖｓｓを供給し、駆動電極ＴＬ（ｐ−１）の一方の端部に、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを供給する。また、選択回路ＳＲ−Ｃは、外部領域駆動電極ＴＬ（ｄＬＵ）の他方の端部に、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを供給し、駆動電極ＴＬ（ｐ−１）の他方の端部に、接地電圧Ｖｓｓを供給する。これにより、図２４において、矢印で示す電流Ｉ１、Ｉ２が流れ、磁界が発生し、駆動電極ＴＬ（ｐ）の領域において、強い磁界を発生することが可能となる。
勿論、外部領域駆動電極は、表示パネル２の一方の辺にのみ、配置するようにしてもよい。
実施の形態２においては、表示が行われる領域（表示パネル２の領域）において、検出精度が低下する領域を減らすことが可能となる。
（実施の形態３）
表示装置１においては、表示パネル２で表示を行うとともに、ペン、指等の外部近接物体が、表示パネル２の領域内をタッチしているか等の検出が行われる。この実施の形態３においては、表示パネル２において、表示を行う１フレーム期間中に、複数段階の検出ステップを実行することによって、外部近接物体が、表示パネル２の領域内をタッチしているか等の検出が行われる。ここでは、１フレーム期間中に、２段階の検出ステップを実行することにより、外部近接物体のタッチを検出する例を説明する。
２段階の検出ステップは、１段階目の検出ステップと、１段階目の検出ステップの後に実行される２段階目の検出ステップを備えている。１段階目の検出ステップでは、外部近接物体として、磁界タッチ検出により検出することが可能な物体、例えばペンが、表示パネル２の領域をタッチしているか否かの検出が、粗く行われる。１段階目の検出ステップで、外部近接物体としてペンが、表示パネル２の領域をタッチしていると検知した場合、タッチしている座標、距離等を検知する磁界タッチ検出が、細かく行われる。一方、１段階目の検出ステップにおいて、ペンによるタッチが検知されなかった場合には、電界タッチ検出が行われる。この細かく行われる磁界タッチ検出または電界タッチ検出が、２段階目の検出ステップとなる。これにより、表示を行っている１フレームの期間中に、表示パネル２の領域内を、ペンおよび指のいずれがタッチしても、タッチを検知することが可能となる。
この２段階の検出ステップは、特に制限されないが、タッチ検出用半導体装置６（図８）とドライブ用半導体装置ＤＤＩＣ（図８）とによって実現される。すなわち、タッチ検出用半導体装置６内の制御回路Ｔ−ＣＮＴは、１フレーム期間を、第１期間と、それに続く第２期間とに分け、第１期間のとき、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮにより磁界タッチ検出を指示する。また、この第１期間のときには、粗く磁界タッチ検出が行われるように、制御信号Ｙ−ＣＮＴによって、選択駆動回路ＳＳＬおよびＳＳＲを制御する。この第１期間のときに、ペンによるタッチが検知されたか否かが、タッチ検出用半導体装置６から制御信号ＳＷによって、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣ内の制御回路Ｄ−ＣＮＴに通知される。第１期間においては、磁界タッチ検出が粗く行われるように、制御信号Ｙ−ＣＮＴによって、選択駆動回路ＳＳＬおよびＳＳＲが制御される。
１段階目の検出ステップにおける磁界タッチ検出において、ペンのタッチが検知された場合、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣ内の制御回路Ｄ−ＣＮＴは、第２期間においても、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮにより磁界タッチ検出を指示する。この場合、第２期間においては、磁界タッチ検出が細かく行われるように、制御信号Ｙ−ＣＮＴによって、選択駆動回路ＳＳＬおよびＳＳＲが制御される。これにより、第２期間において、ペンによるタッチの検出が行われることになる。
一方、１段階目の検出ステップにおける磁界タッチ検出において、ペンのタッチが検出されなかった場合、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣ内の制御回路Ｄ−ＣＮＴは、第２期間において、電界イネーブル信号ＴＣ＿ＥＮにより電界タッチ検出を指示する。これにより、第２期間においては、電界タッチ検出が行われ、指によるタッチの検出が行われることになる。
ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣが、タッチ検出用半導体装置６からの制御信号ＳＷを基にして、２段階の検出ステップを実施する例を説明したが、これに限定されるものではない。例えば、タッチ検出用半導体装置６が、２段階の検出ステップの制御を実施し、制御信号ＳＷによってドライブ用半導体装置ＤＤＩＣから磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮ、電界イネーブル信号ＴＣ＿ＥＮ等を出力させるようにしてもよい。
粗い磁界タッチ検出と細かい磁界タッチ検出との相違は、磁界発生期間ＴＧＴのときに、駆動信号が供給される駆動電極間に挟まれる駆動電極の数の差である。すなわち、磁界発生期間ＴＧＴのときに、駆動電極間に挟まれる駆動電極の数が、粗い磁界タッチ検出の場合には、細かい磁界タッチ検出の場合に比べて大きくされる。例えば、粗い磁界タッチ検出の場合には、３２個の駆動電極を間に挟んだ一対の駆動電極に、実施の形態１および２で説明したように、駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給される。これに対して、細かい磁界タッチ検出の場合には、３２個未満で１個以上の駆動電極を間に挟んだ一対の駆動電極に、実施の形態１および２で説明したように、駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給される。
駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給される駆動電極の数が、例えば粗い磁界タッチ検出と細かい磁界タッチ検出とで同じであれば、粗い磁界タッチ検出を行うと、短時間で表示パネル２の全領域におけるペンのタッチを検出することが可能となる。一方、細かい磁界タッチ検出の場合には、駆動信号が供給される一対の駆動電極間の距離が短くなるため、強い磁界を発生することが可能となり、検出精度の向上を図ることが可能となる。第１期間と第２期間の両方において、磁界タッチ検出が行われる場合、第１期間は、粗い磁界タッチ検出期間と見なすことができ、第２期間は、細かい磁界タッチ検出期間と見なすことができる。
また、粗いタッチ検出のときには、駆動信号が供給される駆動電極の数を増やすようにして、発生する磁界が強くなるようにしてもよい。例えば、図１３（Ｂ）で説明したように、駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給される一対の駆動電極のそれぞれを、複数個の駆動電極により構成された束としてもよい。
第１期間において、ペンによるタッチが検出されない場合、第２期間において、指のタッチを検出するように、電界タッチ検出が行われる。そのため、指によるタッチも検出することが可能となる。
第１期間および第２期間のそれぞれにおいて、表示パネル２の全領域に対して、タッチの検出が行われる。そのため、１フレーム期間中に、表示パネル２の全領域を２回タッチ検出していると見なすこともできる。このように見なした場合、１回目のタッチ検出は、磁界タッチ検出であり、２回目のタッチ検出が、磁界タッチ検出または電界タッチ検出となる。
図２５は、実施の形態３に係わる表示装置１の動作を示すタイミング図である。図２５において、横軸は時間ｔを表している。図２５（Ａ）は、フレーム信号Ｆを示すタイミング図である。ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣは、このフレーム信号Ｆに従って、表示パネル２に表示を行う。すなわち、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣは、フレーム信号Ｆの１周期ＴＦの間に、表示パネル２の全領域に対して表示を行う。言い換えるならば、１フレーム期間（ＴＦ）で、１画面分の表示が行われる。
図２５（Ｂ）は、周期的なフレーム信号Ｆの１周期（１フレーム期間）ＴＦを示すタイミング図である。図２５（Ｂ）において、ＴＦ１は、フレーム信号Ｆに応答して始まる第１期間を示し、ＴＦ２は、第１期間ＴＦ１に続く第２期間を示している。表示装置１において表示が行われているとき、図２５（Ｂ）に示したフレーム期間ＴＦが、繰り返されるため、第１期間ＴＦ１とＴＦ２も、この順番で交互に発生することになる。
図２５（Ｃ）は、模式的に表示期間とタッチ検出期間を示したタイミング図である。図２５（Ｃ）において、斜線で埋めた期間ＤＰＳ１〜ＤＰＳｐのそれぞれが、表示期間を示している。なお、図２５（Ｃ）では、図面が複雑になるのを避けるために、表示期間については、ＤＰＳ１、ＤＰＳ２、ＤＰＳｎ〜ＤＰＳｎ＋２およびＤＰＳｐについてのみ符号が付されている。表示期間ＤＰＳ１〜ＤＰＳｐのそれぞれにおいて、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣから信号線に画像情報が供給され、走査線がハイレベルとなることにより、表示パネル２に、画像情報が表示される。表示期間ＤＰＳ１〜ＤＰＳｐのそれぞれにおいて、表示が行われることにより、１画面分の表示が行われることになる。
図２５（Ｃ）において、ＣＳＳ１１〜ＣＳＳ１ｐおよびＣＳＳ２１〜ＣＳＳ２ｐは、タッチ検出期間を示している。ここで、ＣＳＳ１１〜ＣＳＳ１ｐは、第１期間ＴＦ１において実施されるタッチ検出期間を示し、ＣＳＳ２１〜ＣＳＳ２ｐは、第２期間ＴＦ２において実施されるタッチ検出期間を示している。タッチ検出期間ＣＳＳ１１〜ＣＳＳ１ｐのそれぞれにおいては、粗い磁界タッチ検出が行われ、タッチ検出期間ＣＳＳ１１〜ＣＳＳ１ｐのそれぞれにおいて、磁界タッチ検出が行われることにより、表示パネル２の全領域に対して、ペンによるタッチの検出が行われる。
タッチ検出期間ＣＳＳ２１〜ＣＳＳ２ｐのそれぞれにおいては、細かい磁界タッチ検出または電界タッチ検出が行われる。タッチ検出期間ＣＳＳ２１〜ＣＳＳ２ｐのそれぞれにおいて、タッチ検出が行われることにより、表示パネル２の全領域に対して、ペンまたは指によるタッチの検出が行われる。
タッチ検出期間ＣＳＳ１１〜ＣＳＳ１ｐのそれぞれにおいては、粗い磁界タッチ検出が行われるため、少ない回数で、表示パネル２の全領域に対するタッチを検出することが可能となる。そのため、１画面の表示が完了する前の時刻ｔｐにおいて、全領域のタッチ検出が完了している。これにより、１画面の表示が完了するまでに、表示パネル２の全領域を対象としたタッチ検出を行う時間を確保することが可能となる。この結果、時刻ｔｐから再び、全領域のタッチ検出が、タッチ検出期間ＣＳＳ２１〜ＣＳＳ２ｐにおいて行われる。
図２５（Ｄ）〜図２５（Ｉ）は、表示パネル２に配置された駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）に供給される駆動信号ＴＳＶＣＯＭを示すタイミング図である。
駆動信号ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）のそれぞれには、図８に示した選択駆動回路ＳＳＬおよびＳＳＲから駆動信号が供給される。図２５（Ｄ）〜図２５（Ｉ）において、左側は、タッチ検出期間ＣＳＳ１２のときに、駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）に供給される駆動信号を示し、右側は、タッチ検出期間ＣＳＳ２４のときに、駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）に供給される駆動信号を示している。
タッチ検出期間ＣＳＳ１２においては、例えば選択駆動回路ＳＳＬから駆動電極ＴＬ（ｎ）の一方の端部に駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋５）の一方の端部に接地電圧Ｖｓｓが供給される。このとき、選択駆動回路ＳＳＲから駆動電極ＴＬ（ｎ）の他方の端部に、接地電圧Ｖｓｓが供給され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋５）の他方の端部に駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給される。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋５）のそれぞれで磁界が発生する。発生した磁界が、駆動電極ＴＬ（ｎ）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋５）によって挟まれた駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋４）の領域において重畳されることになる。
一方、タッチ検出期間ＣＳＳ２４においては、例えば選択駆動回路ＳＳＬから駆動電極ＴＬ（ｎ）の一方の端部に駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）の一方の端部に接地電圧Ｖｓｓが供給される。このとき、選択駆動回路ＳＳＲから駆動電極ＴＬ（ｎ）の他方の端部に、接地電圧Ｖｓｓが供給され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）の他方の端部に駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給される。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）のそれぞれで磁界が発生する。発生した磁界が、駆動電極ＴＬ（ｎ）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）によって挟まれた駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）の領域において重畳されることになる。駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給される駆動電極間には、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）のみが挟まれているため、駆動電極間の距離が短くなり、磁界の重畳により得られる磁界が強くなる。その結果、検出精度の向上を図ることが可能となる。
また、タッチ検出期間ＣＳＳ１２において、選択駆動回路ＳＳＬから駆動電極ＴＬ（ｎ）とＴＬ（ｎ＋１）に駆動信号ＴＳＶＣＯＭを供給し、選択駆動回路ＳＳＲから駆動電極ＴＬ（ｎ＋４）とＴＬ（ｎ＋５）に駆動信号ＴＳＶＣＯＭを供給するようにしてもよい。すなわち、粗い磁界タッチ検出のとき、２個（複数個）の駆動電極を束にして、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを供給するようにしてもよい。これにより、粗い磁界タッチ検出のときにも、発生する磁界を強めることが可能となり、検出精度の向上を図ることが可能となる。
タッチ検出期間ＣＳＳ２１〜ＣＳＳ２ｐのそれぞれにおいて、磁界タッチ検出を行う例を説明したが、第１期間ＴＦ１において、ペンがタッチしていないと検知した場合には、タッチ検出期間ＣＳＳ２１〜ＣＳＳ２ｐのそれぞれにおいて、電界タッチ検出が行われる。これにより、第２期間ＴＦ２において、表示パネル２の全領域において、指がタッチしているか否か等を検知することが可能となる。
制御信号Ｙ−ＣＮＴによる、粗い磁界タッチ検出と細かい磁界タッチ検出の切り換えは、例えば、制御信号Ｙ−ＣＮＴに基づいた切り換え制御信号によって、スイッチ制御回路ＳＷＬ、ＳＷＲを制御することにより達成することができる。切り換え制御信号が粗い磁界タッチ検出を示していた場合、スイッチ制御回路ＳＷＬ、ＳＷＲは、選択を示している選択信号を出力している単位駆動回路に対応する駆動電極と、この駆動電極の隣の駆動電極とを挟むように配置された一対の駆動電極に、駆動信号ＴＳＶＣＯＭと接地電圧Ｖｓｓを供給するようにすれば、粗い磁界タッチ検出を行うことが可能となる。
また、図２２に示したように、駆動電極のそれぞれに単位駆動回路が対応している場合には、選択を示す選択情報ＳＥＩを、単位駆動回路により構成されたシフトレジスタへ供給するタイミングを変えることによって、粗い磁界タッチ検出と細かい磁界タッチ検出の切り換えを達成することができる。
＜磁界タッチ検出動作＞
図２６は、タッチ検出期間と表示期間との関係を示すタイミング図である。図２５に示したように、タッチ検出期間ＣＳＳ１１〜ＣＳＳ１ｐ、ＣＳＳ２１〜ＣＳＳ２ｐと表示期間ＤＰＳ１〜ＤＰＳｐは交互に発生する。図２６には、タッチ検出期間の後に、表示期間が発生する場合が例として示されている。また、図２６では、タッチ検出期間ＣＳＳ１１〜ＣＳＳ１ｐ、ＣＳＳ２１〜ＣＳＳ２ｐを纏めて示すために、タッチ検出期間は、符号ＣＳＳとして示され、表示期間ＤＰＳ１〜ＤＰＳｐを纏めて示すために、表示期間は、符号ＤＰＳで示されている。さらに、図２６では、タッチ検出期間ＣＳＳにおいて、磁界タッチ検出が行われる場合が示されている。なお、図２６においても、横軸は、時間ｔを表している。
図２６（Ａ）は、タッチ検出期間ＣＳＳに行われる磁界タッチ検出の構成を示す模式的なタイミング図である。タッチ検出期間は、磁界発生期間ＴＧＴ、磁界検出期間ＴＤＴおよびプリチャージ期間ＲＳＴを備えている。プリチャージ期間ＲＳＴにおいては、次に発生する表示期間ＤＰＳのために、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）等の電圧が、所定の値にプリチャージされる。
磁界発生期間ＴＧＴは、先に説明したように、磁界を発生する期間であり、磁界検出期間ＴＤＴは、磁界検出コイルによって、ペンからの磁界を検出する期間である。図８に示した制御回路Ｄ−ＣＮＴは、タッチ検出期間ＣＳＳにおいて、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮを、図２６（Ｃ）に示すように、ハイレベルからロウレベルへ変化させる。これにより、磁界タッチ検出が指定されることになる。また、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、磁界発生期間ＴＧＴにおいて、図２６（Ｂ）に示すように、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを周期的に変化させる。これにより、上述したように、駆動電極を挟んで配置された一対の駆動電極のそれぞれに、駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給され、駆動信号ＴＳＶＣＯＭの変化に応じた磁界が発生し、一対の駆動電極間に挟まれた駆動電極の領域において、磁界の重畳が行われる。
磁界発生期間ＴＧＴにおいて発生した磁界により、ペン内の容量素子が充電される。ペンがタッチしていれば、磁界検出期間ＴＤＴにおいて、磁界検出コイルにより、ペンが発生する磁界が検出され、検出した磁界に応じた検出信号が磁界検出コイルから出力される。また、表示期間ＤＰＳのとき、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、図２６（Ｂ）に示すように、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを、所定の電圧にし、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮをハイレベルにする。
次に、磁界検出コイルからの検出信号に基づいて、ペンがタッチしているか否か等を検出する検出回路の一例を、図２７を用いて説明する。図８では、増幅回路ＡＭＰおよびタッチ用半導体装置６によって、タッチを検出する検出回路が構成されていたが、ここでは、マイクロコントローラＭＣＵを用いた検出回路の例を示す。
図２６（Ｄ）〜図２６（Ｆ）は、図２７に示す検出回路の動作を説明するためのタイミング図である。そのため、図２７に示した検出回路の構成および動作を説明するなかで、図２６（Ｄ）〜図２６（Ｆ）は参照する。
図２７において、ＭＰＸは、複数のスイッチＳＷＡ０〜ＳＷＡｐを備えたマルチプレクサ（セレクタ）である。磁界検出期間ＴＤＴにおいては、実施の形態１で述べたように、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）または検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）によって、磁界検出コイルＣＹ（０）〜ＣＹ（ｐ）が構成される。これらの磁界検出コイルのそれぞれの一方の端部が、対応するスイッチＳＷＡ０〜ＳＷＡｐの一方の端部に接続され、それぞれの他方の端部は、接地電圧Ｖｓｓに接続される。例えば、図１９等で述べたように互いに平行に配置された２個の信号線間を接続することにより形成された磁界検出コイルＣＹ（０）の一方の端部は、スイッチＳＷＡ０の一方の端部に接続され、他方の端部は接地電圧Ｖｓｓに接続される。残りの磁界検出コイルＣＹ（１）〜ＣＹ（ｐ）も、同様にして、対応するスイッチＳＷＡ１〜ＳＷＡｐの一方の端部と接地電圧Ｖｓｓとの間に接続される。
また、スイッチＳＷＡ０〜ＳＷＡｐのそれぞれの他方の端部は、ノードｎＡに接続されている。スイッチＳＷＡ０〜ＳＷＡｐは、磁界検出期間ＴＤＴのとき、いずれかが選択され、オン状態となる。この選択は、マイクロコントローラＭＣＵによって行われる。すなわちマイクロコントローラＭＣＵからの選択信号によって、スイッチＳＷＡ０〜ＳＷＡｐのうちのいずれかが選択され、オン状態とされる。図２６（Ｄ）は、スイッチＳＷＡ０〜ＳＷＡｐのうちの１個をオン状態にする選択信号ＳＣ＿ＳＥＬの波形を示している。図２６（Ｄ）では、選択信号ＳＣ＿ＳＥＬが、ハイレベルからロウレベルへ変化することにより、スイッチがオン状態となる。
磁界検出期間ＴＤＴにおいて、スイッチＳＷＡ０〜ＳＷＡｐのいずれかがオン状態となることにより、磁界検出コイルにおける検出信号が、ノードｎＡに伝達される。ノードｎＡおける検出信号は、ゲイン回路に供給され、ゲイン回路によって増幅される。増幅された検出信号は、ノイズを除去するためにフィルタ回路に供給され、フィルタ回路の出力は、整流回路で整流され、積分回路へ供給される。積分回路の出力は、マイクロコントローラＭＣＵに供給される。
マイクロコントローラＭＣＵは、図示しないが、アナログ／デジタル変換回路、クロック信号発生回路、プログラムを格納した不揮発性メモリ、不揮発性メモリに格納されたプログラムに従って動作する処理ユニットを有している。上記した積分回路からの出力は、マイクロコントローラＭＣＵの端子ＡＤＣを介してアナログ／デジタル変換回路に供給され、デジタル信号に変換される。変換により得られたデジタル信号は、処理ユニットによって処理され、コイルＣＹ（０）〜ＣＹ（ｐ）のいずれかにペンが近接しているか否かの判定が行われる。
マイクロコントローラＭＣＵ内の処理ユニットは、プログラムに従って、制御信号を形成する。この制御信号としては、スイッチＳＷＡ０〜ＳＷＡｐを選択する選択信号、イネーブル信号ＥＮおよびリセット信号ｒｓｔがある。また、マイクロコントローラＭＣＵ内のクロック信号発生回路によって、周期的に電圧が変化するクロック信号ＭＣＬＫが発生する。
クロック信号ＭＣＬＫは、バッファ回路ＢＦに供給される。バッファ回路ＢＦは、イネーブル信号ＥＮにより制御される。イネーブル信号ＥＮがハイレベルのとき、クロック信号ＭＣＬＫが抵抗Ｒ１１を介して、ノードｎＡへ供給される。一方、イネーブル信号ＥＮがロウレベルのときには、バッファ回路ＢＦの出力はハイインピーダンス状態（Ｈｉ−Ｚ）となる。
ゲイン回路は、抵抗Ｒ８〜Ｒ１０と、オペアンプＯＰ４と、直流カット用の容量素子ＣＰ３を有している。検出信号は、オペアンプＯＰ４の正相入力（＋）に供給され、オペアンプＯＰ４の反転入力（−）は、抵抗Ｒ９を介して接地電圧Ｖｓｓに接続され、また、抵抗Ｒ８を介して、オペアンプＯＰ４の出力に接続されている。
フィルタ回路は、抵抗Ｒ４〜Ｒ７と、容量素子ＣＰ２と、オペアンプＯＰ３を有している。オペアンプＯＰ３の正相入力（＋）は、抵抗Ｒ７を介して接地電圧Ｖｓｓに接続され、容量素子ＣＰ２を介して、ゲイン回路からの出力信号が供給される。また、オペアンプＯＰ３の反転入力（−）は、抵抗Ｒ６を介して接地電圧Ｖｓｓに接続され、さらに抵抗Ｒ５を介して、オペアンプの出力に接続されている。さらに、オペアンプＯＰ３の出力は、抵抗Ｒ４を介して、フィルタ回路の入力に接続されている。
整流回路は、抵抗Ｒ１〜Ｒ３と、オペアンプＯＰ２と、ダイオードＤとを有している。オペアンプの正相入力（＋）は、抵抗Ｒ３を介して接地電圧Ｖｓに接続され、オペアンプＯＰ２の反転入力（−）は、抵抗Ｒ２を介して、フィルタ回路からの出力が供給され。さらに、整流回路の出力が抵抗Ｒ１を介して供給されている。オペアンプＯＰ２の出力はダイオードＤを介して出力される。
積分回路は、容量素子ＣＰ１と、リセット信号ｒｓｔをスイッチ制御信号として受けるスイッチＳＷＡＡと、オペアンプＯＰ１とを有している。オペアンプの正相入力（＋）は、接地電圧Ｖｓｓに接続され、反転入力（−）は、容量素子ＣＰ１を介して、積分回路の出力に接続されている。また、積分回路の出力と入力との間にスイッチＳＷＡＡが接続されている。
図２６において、時刻ｔ０で、リセット信号ｒｓｔがロウレベルとなる。これにより、スイッチＳＷＡＡがオフ状態となり、リセットが解除される。このとき、マイクロコントローラＭＣＵは、イネーブル信号ＥＮをハイレベルにする。これにより、クロック信号ＣＬＫは、抵抗Ｒ１１を介しバッファ回路ＢＦから、ノードｎＡへ供給される。
ノードｎＡに供給されたクロック信号ＣＬＫは、ゲイン回路にも供給される。ゲイン回路の出力ＯＵＴ１は、クロック信号ＭＣＬＫの電圧変化に従って変化するため、図２６（Ｅ）に示すように。変化する。ゲイン回路の出力ＯＵＴ１は、フィルタ回路を介して整流回路に供給され、整流された出力が積分回路に供給される。時刻ｔ０から時刻ｔ１においては、ノードｎＡの電圧は、周期的に変化しているが、包絡線的には、変化がないため、積分回路の出力は一定の値となる。
時刻ｔ１において、マイクロコントローラＭＣＵは、イネーブル信号ＥＮをロウレベルにする。これにより、ノードｎＡはハイインピーダンス状態（Ｈｉ−Ｚ）となる。また、時刻ｔ１において、選択信号ＳＣ＿ＳＥＬ（図２６（Ｄ））により例えばコイルＣＹ（３）に対応するスイッチＳＷＡ３がオン状態にされる。これにより、コイルＣＹ（３）の一方の端部は、ノードｎＡに接続された状態となる。
このとき、コイルＣＹ（３）の近傍にペンが有るため、時刻ｔ０からｔ２の磁界発生期間ＴＧＴにおいて発生した磁界により、ペン内のコイルに誘起電圧が発生し、容量素子Ｃ（図２）が充電されている。
時刻ｔ１において、ペン内のコイルＬ１は、容量素子Ｃに充電された電荷量に基づいて磁界を発生する。コイルＬ１が発生する磁界の変化によって、コイルＣＹ（３）に誘起電圧が発生する。
その結果、ゲイン回路の出力ＯＵＴ１は、図２６（Ｅ）に示すように、振動しながら、減衰する。すなわち、電圧は、包絡線的には、減衰する。ゲイン回路の出力ＯＵＴ１が、時刻ｔ１から、振動しながら、減衰するため、積分回路の出力ＯＵＴ２は、図２６（Ｆ）に示すように、徐々に上昇する。マイクロコントローラＭＣＵは、この積分回路の出力ＯＵＴ２をデジタル信号へ変換することにより、ペンが有ると判定する。このとき、マイクロコントローラＭＣＵは。スイッチＳＷＡ０〜ＳＷＡｐのうち、オン状態にしたスイッチを、選択信号ＳＣ＿ＳＥＬによって把握しているため、選択した磁界発生コイルの位置を把握することが可能であるため、変換によって得たデジタル信号の値と、把握した磁界検出コイルの位置から、ペンが有る位置、すなわちタッチした位置と、ペンの筆圧等を判定することができる。以上の動作を繰り返すことにより、ペンの有無と、筆圧等を判定することができる。
図２７に示した検出回路では、複数の磁界検出コイルＣＹ（０）〜ＣＹ（ｐ）に対してゲイン回路、フィルタ回路、整流回路および積分回路を共用することが可能となり、検出回路の占有面積の増加を抑制することが可能となる。
（実施の形態４）
図２８は、実施の形態４に係わる表示装置１の構成を示す平面図である。図２８には、表示パネル２の模式的な平面図が示されている。
図２８で、Ｔｘ１−１〜ＴｘＮ−Ｍは、表示パネル２においてドットマトリクス状に配置された駆動電極（検出電極）を示している。このドットマトリクス状に配置された駆動電極によって、例えば指がタッチしているか否かを、電荷量の変化として検出する。同図には、ドットマトリクス状に配置された駆動電極のうち、５行、５列に配置された駆動電極が例示されている。また、ＳＤＬ（１）〜ＳＤＬ（ｍ）は、検出信号線を示し、ＧＬ（１）〜ＧＬ（ｎ）は、走査線を示している。検出信号線ＳＤＬ（１）〜ＳＤＬ（ｍ）は、表示パネル２において、図示しない信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と平行して配置されている。例えば、図１０を参照にして述べると、信号線ＳＬ（ｎ−６）〜ＳＬ（ｎ＋９）は、列方向に延在し、行方向に平行に配置されているが、検出信号線ＳＤＬ（１）〜ＳＤＬ（ｍ）は、これらの信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と同様に、列方向に延在し、行方向に平行に配置されている。
ドットマトリクス状に配置された駆動電極Ｔｘ１−１〜ＴｘＮ−Ｍのそれぞれは、１対１に対応する検出信号線ＳＤＬ（１）〜ＳＤＬ（ｍ）に接続されている。例えば、ドットマトリクスの第１行目に配置された駆動電極Ｔｘ１−１、Ｔｘ１−２、Ｔｘ１−３、Ｔｘ１−１７、Ｔｘ１−Ｍは、１対１に対応する検出信号線ＳＤＬ（１）、ＳＤＬ（ｎ＋１）、ＳＤＬ（２ｎ＋１）、ＳＤＬ（ｋ＋１）、ＳＤＬ（ｍ−ｎ）に接続されている。また、ドットマトリクスの第Ｎ行目に配置された駆動電極ＴｘＮ−１、ＴｘＮ−２、ＴｘＮ−３、ＴｘＮ−１７、ＴｘＮ−Ｍは、１対１に対応する検出信号線ＳＤＬ（ｎ）、ＳＤＬ（２ｎ）、ＳＤＬ（３ｎ）、ＳＤＬ（ｋ＋ｎ）、ＳＤＬ（ｍ）に接続されている。
この実施の形態４において、指によるタッチの検出は、検出信号線ＳＤＬ（１）〜ＳＤＬ（ｍ）のそれぞれにおける信号の変化を検出することより行われる。この場合、検出信号線のそれぞれが、駆動電極に１対１で対応しているため、検出信号線ＳＤＬ（１）〜ＳＤＬ（ｍ）における信号の変化を検出することにより、タッチされた位置を把握することが可能である。
図２９は、ドットマトリクス状に配置された駆動電極Ｔｘ１−１〜ＴｘＮ−Ｍを用いる場合のタッチ検出の原理を示す回路図である。ここでは、駆動電極ＴｘＮ−Ｍを例にして説明する。図２９において、ＯＰ５はオペアンプ、ＣＰ５は容量素子、ＳＷＤ１〜ＳＷＤ３はスイッチを示している。
駆動電極ＴｘＮ−Ｍと接地電圧Ｖｓｓとの間には、寄生容量Ｃ２が存在する。先ず、スイッチＳＷＤ３をオン状態にし、スイッチＳＷＤ１およびＳＷＤ２をオフ状態にする。これにより、容量素子ＣＰ５に蓄積されている電荷が、スイッチＳＷＤ３を介して放電される。次に、スイッチＳＷＤ３をオフ状態にし、スイッチＳＷＤ１をオン状態にする。このとき、駆動電極ＴｘＮ−Ｍに指がタッチしていれば、指との容量にも電荷が充電されることになる。
次に、スイッチＳＷＤ１をオフ状態にし、スイッチＳＷＤ２をオン状態にする。容量素子ＣＰ５によるフィードバックによって、オペアンプＯＰ５の両方の入力は、仮想的に同電位（図２９では、接地電圧Ｖｓｓ）になるため、駆動電極ＴｘＮ−Ｍに蓄えられていた電荷は、容量素子ＣＰ５へ移動する。そのため、指が、駆動電極ＴｘＮ−Ｍにタッチしていれば、容量素子ＣＰ５へ移動する電荷が多くなる。その結果、オペアンプＯＰ５から出力される電圧の絶対値は、より大きくなる。指が駆動電極ＴｘＮ−Ｍをタッチしているか否かにより、オペアンプＯＰ５から出力される電圧（信号）が変化することになる。この信号の変化により、指のタッチの有無が検出される。すなわち、オペアンプＯＰ５から出力された信号が、センス信号Ｓとなる。
このようにして、駆動電極Ｔｘ１−１〜ＴｘＮ−Ｍのそれぞれにおける信号の変化を検出することにより、指によるタッチを検出することが可能となる。図２９に示した検出方式では、スイッチＳＷＤ１をオン状態にして、駆動電極（例えば、ＴｘＮ−Ｍ）に駆動信号を供給し、同じ駆動電極ＴｘＮ−Ｍにおける信号の変化を検出して、指のタッチを検出している。すなわち、駆動信号を供給した駆動電極における信号変化を基にして、指のタッチを検出する。そのため、所謂、静電容量式セルフ検出方式である。
走査線ＧＬ（１）〜ＧＬ（ｎ）は、検出信号線ＳＤＬ（１）〜ＳＤＬ（ｍ）および図示しない信号線ＳＬ（１）〜ＳＬ（ｍ）と直交するように配置されている。この実施の形態４においては、この走査線ＧＬ（１）〜ＧＬ（ｎ）が、磁界タッチ検出のとき、磁界を発生する信号配線として用いる。すなわち、磁界発生期間ＴＧＴにおいて、走査線ＧＬ（１）〜ＧＬ（ｎ）が、実施の形態１で説明した駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）として用いられる。特に制限されないが、複数の走査線が束として、１個の駆動電極として用いられる。図２８に示した例では、２０個の走査線が１個の束とされている。すなわち、走査線ＧＬ（１）〜ＧＬ（２０）が束とされ、走査線ＧＬ（２１）〜ＧＬ（４０）が束とされ、走査線ＧＬ（４１）〜ＧＬ（６０）が束とされ、走査線ＧＬ（６１）〜ＧＬ（８０）が束とされ、走査線ＧＬ（ｎ−１９）〜ＧＬ（ｎ）が束とされている。
磁界発生期間ＴＧＴにおいては、束とされた走査線に、実施の形態１と同様に、駆動信号が供給される。例えば、束とされた走査線ＧＬ（１）〜ＧＬ（２０）の一方の端部に対して、表示パネル２の辺２−Ｌ側から、駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給され、表示パネル２の辺２−Ｒ側から、他方の端部に対して、接地電圧Ｖｓｓが供給される。このとき、例えば、束とされた走査線ＧＬ（４１）〜ＧＬ（６０）の一方の端部に対して、表示パネル２の辺２−Ｌ側から、接地電圧Ｖｓｓが供給され、表示パネル２の辺２−Ｒ側から、他方の端部に対して、駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給される。これにより、走査線ＧＬ（１）〜ＧＬ（２０）の束と、走査線ＧＬ（４１）〜ＧＬ（６０）の束のそれぞれにおいて磁界が発生し、走査線ＧＬ（２１）〜ＧＬ（４０）の領域において、磁界が重畳されることになる。
この実施の形態４では、駆動電極Ｔｘ１−１〜ＴｘＮ−Ｍおよび検出信号線ＳＤＬ（１）〜ＳＤＬ（ｍ）は、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢに形成され、磁界検出コイルは、ＣＦガラス基板ＣＧＢに形成された検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）によって構成される。ＣＦガラス基板ＣＧＢに形成された検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）によって構成された磁界検出コイルは、既に図２１において説明しているので、説明は省略する。実施の形態４では、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢに形成され、ドットマトリクス状に配置された駆動電極によって、指によるタッチの検出が行われる。そのため、ＣＦガラス基板ＣＧＢに形成された検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）を、指によるタッチの検出に用いなくてもよくなるので、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、磁界を検出するのに適した形状（例えば、コイル形状）に固定することが可能である。
また、実施の形態４では、複数個の走査線が束として扱われるため、磁界発生期間ＴＧＴのとき、走査線の合成抵抗を低くすることが可能となり、発生する磁界を強くすることが可能となる。
＜変形例１＞
図２８では、ＣＦガラス基板ＣＧＢに形成された検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）を、磁界の検出に用いように説明した。この変形例１においては、図２８に示した検出電極ＴＸ１−１〜ＴｘＮ−Ｍのそれぞれが、磁界検出に用いられる。これにより、ＣＦガラス基板ＣＧＢに、磁界検出のための検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）を配置することが必要とされなくなり、安価に製造することが可能となる。
＜変形例２＞
図３８は、実施の形態４の変形例２に係わる表示装置１の構成を示す平面図である。図３８には、表示パネル２の模式的な平面図が示されている。図３８は、図２８と類似しているため、ここでは相違点のみを説明する。
図３８に示す変形例２においては、検出信号線ＳＤＬ（１）〜ＳＤＬ（ｍ）のそれぞれと対を構成する検出信号線ＳＤＬ（１）Ｐ〜ＳＤＬ（ｍ）Ｐが、対を構成する検出信号線ＳＤＬ（１）〜ＳＤＬ（ｍ）と平行に延在している。図２８では、図面が複雑になるのを避けるために、検出信号線ＳＤＬ（１）、ＳＤＬ（２）およびＳＤＬ（ｎ）のそれぞれと対を構成する検出信号線にのみ符号ＳＤＬ（１）Ｐ、ＳＤＬ（２）ＰおよびＳＤＬ（ｎ）Ｐが付され、これ以外の検出信号線の符号は省略されている。
ここでは、図３８において、最も左側に配置された１列（駆動電極Ｔｘ１−１〜ＴｘＮ−１）を例にして説明するが、他の列も同様である。検出信号線ＳＤＬ（１）と検出電極ＳＤＬ（１）Ｐは、平行して延在し、駆動電極Ｔｘ１−１に接続され、検出信号線ＳＤＬ（２）と検出電極ＳＤＬ（２）Ｐも、平行して延在し、駆動電極Ｔｘ２−１に接続されている。以降、同様にして、検出信号線ＳＤＬ（ｎ）と検出電極ＳＤＬ（ｎ）Ｐは、平行して延在し、駆動電極ＴｘＮ−１に接続されている。
磁界タッチ検出のとき、対として平行に延在している検出信号線によって、磁界検出コイルが形成される。例えば、対を構成する検出信号線ＳＤＬ（１）とＳＤＬ（１）Ｐによって、磁界検出コイルが形成され、対を構成する検出信号線ＳＤＬ（２）とＳＤＬ（２）Ｐによって、磁界検出コイルが形成され、対を構成する検出信号線ＳＤＬ（ｎ）とＳＤＬ（ｎ）Ｐによって、磁界検出コイルが形成される。この場合、対を構成する検出信号線のうち、一方の検出信号線、例えば検出信号線ＳＤＬ（１）、ＳＤＬ（２）およびＳＤＬ（ｎ）における信号の変化がセンス信号Ｓとして出力される。このとき、対を構成する検出信号線のうち、他方の検出信号線ＳＤＬ（１）Ｐ、ＳＤＬ（２）ＰおよびＳＤＬ（ｎ）Ｐのそれぞれには、接地電圧Ｖｓｓが供給される。
検出信号線ＳＤＬ（１）〜ＳＤＬ（ｍ）およびＳＤＬ（１）Ｐ〜ＳＤＬ（ｍ）Ｐのそれぞれによって、磁界検出コイルが形成されるため、ＣＦガラス基板ＣＧＢに磁界検出のための検出電極を配置する必要がなくなるため、安価に製造することが可能となる。また、電界タッチ検出は、図２８で述べたのと同様に行うことができる。
また、１列（駆動電極Ｔｘ１−１〜ＴｘＮ−１）に配置されている複数対の検出信号線のうち、特定の対の検出信号線のみを用いて、磁界タッチ検出のとき、磁界を検出するようにしてもよい。この特定の対の検出信号線としては、図３８に示した検出信号線ＳＤＬ（１）、ＳＤＬ（１）Ｐが相当する。この検出信号線ＳＤＬ（１）、ＳＤＬ（１）Ｐは、１行目に配置された駆動電極Ｔｘ１−１に接続されているため、直交する走査線の数が多くなり、磁界タッチ検出の際に検出することが可能な範囲が広くなるため、磁界タッチ検出に用いるのに適している。ドットマトリクスの他の列においても同様に、それぞれの列に含まれる複数対の検出信号線のうち、１行目に配置された駆動電極Ｔｘ１−２〜Ｔｘ１−Ｍに接続される対の検出信号線を、磁界タッチ検出のときに、磁界検出コイルとして用いる。
＜変形例３＞
図３９は、実施の形態４の変形例３に係わる表示装置１の構成を示す平面図である。図３９には、表示パネル２の模式的な平面図が示されている。図３９は、図２８と類似しているため、ここでは相違点のみを説明する。
図２８では、検出信号線は、対応する駆動電極に接続する領域まで延在していた。これに対して、この変形例３においては、検出信号線ＳＤＬ（１）〜ＳＤＬ（ｍ）のそれぞれは、表示パネル２を横断するように、延在している。例えば、表示パネル２の辺２−Ｄから辺２−Ｕへ延在するように配置されている。ここでも、ドットマトリクスの１列目（駆動電極Ｔｘ１−１〜ＴｘＮ−１）を例にして説明するが、他の列も同様である。
検出信号線ＳＤＬ（１）は、辺２−Ｄから辺２−Ｕに延在し、途中で駆動電極Ｔｘ１−１に接続され、検出信号線ＳＤＬ（２）も、辺２−Ｄから辺２−Ｕに延在し、途中で駆動電極Ｔｘ２−１に接続されている。以降、同様にして、検出信号線ＳＤＬ（ｎ）も、辺２−Ｄから辺２−Ｕに延在し、途中で駆動電極ＴｘＮ−１に接続されている。
辺２−Ｕ側において、所定の検出信号線間には、スイッチＳＤＳが接続されている。図３９では、検出信号線ＳＤＬ（１）とＳＤＬ（２）との間に接続されたスイッチＳＤＳと、検出信号線ＳＤＬ（３）およびＳＤＬ（ｎ）に接続されたスイッチＳＤＳのみが示されている。
磁界タッチ検出のとき、スイッチＳＤＳは、図１９に示した第８スイッチｋ００〜ｋｐと同様に、オン状態にされる。これにより、複数の検出信号線間が接続されることになる。図３９の例では、検出信号線ＳＤＬ（１）とＳＤＬ（２）が、辺２−Ｕ側において接続されることになる。これにより、磁界タッチ検出のとき、検出信号線ＳＤＬ（１）、ＳＤＬ（２）によって、磁界検出コイルが形成されることになる。このとき、例えば検出信号線ＳＤＬ（２）には、接地電圧Ｖｓｓを供給し、検出信号線ＳＤＬ（１）における信号の変化がセンス信号Ｓとして出力される。
これにより、検出信号線ＳＤＬ（１）〜ＳＤＬ（ｍ）を用いて磁界検出コイルが形成されるため、ＣＦガラス基板ＣＧＢに磁界検出のための検出電極を配置する必要がなくなるため、安価に製造することが可能となる。また、電界タッチ検出は、図２８で述べたのと同様に行うことができる。
図３９では、隣接した検出信号線ＳＤＬ（１）、ＳＤＬ（２）を用いて、磁界検出コイルを形成する例を述べたが、これに限定されるものではない。すなわち、互いに重なった磁界検出コイルが形成されるように、間に検出信号線を挟むように配置された検出信号線間を、スイッチで接続するようにしてもよい。また、１回巻線ではなく、１．５回巻線以上であってもよい。
＜変形例４＞
図３０は、実施の形態４の変形例４に係わる表示装置１の構成を示す平面図である。図３０は、図２８と類似しているので、ここでは相違点を主に説明する。図３０において、ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）は、信号線を示している。図２８で説明したように、検出信号線ＳＤＬ（１）〜ＳＤＬ（ｍ）は、表示パネル２において、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と平行して配置されている。
この変形例においては、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）が、磁界を発生する信号配線として用いられる。特に制限されないが、この変形例においては、複数の信号線が束とされ、磁界発生期間ＴＧＴのときに、駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給される。図３０を例にして、説明すると、磁界発生期間ＴＧＴのとき、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（１９）が束とされ、信号線ＳＬ（２０）〜ＳＬ（３９）が束とされ、信号線ＳＬ（４０）〜ＳＬ（５９）が束とされる。また、信号線ＳＬ（ｋ）〜ＳＬ（ｋ＋１９）が束とされ、信号線ＳＬ（ｐ−１９）〜ＳＬ（ｐ）が束とされる。
磁界発生期間ＴＧＴのときには、束とされた信号線に駆動信号が供給される。例えば、束とされた信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（１９）の一方の端部に対して、表示パネル２の辺２−Ｕ側において駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給され、表示パネル２の辺２−Ｄ側において、他方の端部に、接地電圧Ｖｓｓが供給される。このとき、例えば、束とされた信号線ＳＬ（４０）〜ＳＬ（５９）の一方の端部に対して、表示パネル２の辺２−Ｕ側において接地電圧Ｖｓｓが供給され、表示パネル２の辺２−Ｄ側において、他方の端部に、駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給される。これにより、磁界発生期間ＴＧＴのとき、信号線ＳＬ（２０）〜ＳＬ（３９）の領域において、重畳された磁界が形成されることになる。
この変形例の場合、磁界検出コイルは、例えばＣＦガラス基板ＣＧＢに形成された検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）によって構成される。検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）によって、磁界検出コイルを形成する場合には、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれは、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と直交し、互いに平行となるように形成され、図２１に示したように、所定の検出電極間が接続される。また、磁界検出コイルは、走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）によって形成するようにしてもよい。
また、検出電極Ｔｘ１−１〜ＴｘＮ−Ｍによって、磁界を検出するようにしてもよい。検出電極Ｔｘ１−１〜ＴｘＮ−Ｍによって、磁界を検出するようにすれば、例えばＣＦガラス基板ＣＧＢに、磁界検出のための検出電極を配置する必要がなくなり、安価に製造することが可能となる。
＜変形例５＞
図４０は、実施の形態４の変形例５に係わる表示装置１の構成を示す平面図である。図４０は、図３０と類似しているので、ここでは相違点を主に説明する。この変形例５においては、検出信号線ＳＤＬ（１）〜ＳＤＬ（ｍ）のそれぞれと平行に延在する検出信号線ＳＤＬ（１）Ｌ〜ＳＤＬ（ｍ）Ｌが、配置される。図４０では、図面が複雑になるのを避けるために、１列目の駆動電極Ｔｘ１−１〜ＴｘＮ−１に配置された検出信号線についてのみ、符号ＳＤＬ（１）Ｌ、ＳＤＬ（２）ＬおよびＳＤＬ（ｎ）Ｌが付されている。
ここでは、１列目の駆動電極を例にして説明するが、他の列も同様である。検出信号線ＳＤＬ（１）と平行に検出信号線ＳＤＬ（１）Ｌが延在し、検出信号線ＳＤＬ（１）と検出信号線ＳＤＬ（１）Ｌは、検出信号線ＳＤＬ（１）が接続されている駆動電極Ｔｘ１−１の領域において、ループＬＰＰを形成するように接続されている。また、検出信号線ＳＤＬ（２）と平行に検出信号線ＳＤＬ（２）Ｌが延在し、検出信号線ＳＤＬ（２）と検出信号線ＳＤＬ（２）Ｌは、検出信号線ＳＤＬ（２）が接続されている駆動電極Ｔｘ２−１の領域において、ループＬＰＰを形成するように接続されている。以降、同様にして、検出信号線ＳＤＬ（ｎ）と平行に検出信号線ＳＤＬ（ｎ）Ｌが延在し、検出信号線ＳＤＬ（ｎ）と検出信号線ＳＤＬ（ｎ）Ｌは、検出信号線ＳＤＬ（ｎ）が接続されている駆動電極ＴｘＮ−１の領域において、ループＬＰＰを形成するように接続されている。
ループＬＰＰは、例えば、互いに接続される検出信号を、平面で見たとき、屈曲させて、接続することにより形成されている。
この変形例５においては、このループＬＰＰが、磁界検出コイルとして機能する。すなわち、磁界タッチ検出のとき、互いに接続された検出信号線のうちの一方の検出信号線における信号変化がセンス信号Ｓとされ、他方の検出信号線に接地電圧Ｖｓｓが供給される。これにより、ペンによって駆動電極の近傍がタッチされると、ペンからの磁界によって、当該駆動電極の領域においてループＬＰＰを形成する検出信号線に信号変化が生じ、ペンによるタッチおよび座標を求めることが可能となる。
例えば、検出信号線ＳＤＬ（１）Ｌ、ＳＤＬ（２）Ｌ〜ＳＤＬ（ｎ）Ｌのそれぞれを、ループを形成する検出信号線のうちの他方の検出信号線とした場合、これらの検出信号線ＳＤＬ（１）Ｌ、ＳＤＬ（２）Ｌ〜ＳＤＬ（ｎ）Ｌのそれぞれに、接地電圧Ｖｓｓを供給する。このとき、ループを形成する検出信号線のうちの一方の検出信号線となる検出信号線ＳＤＬ（１）、ＳＤＬ（２）〜ＳＤＬ（ｎ）における信号の変化をセンス信号Ｓとして検出する。これにより、１列目のいずれかの部分にペンがタッチされているかを検出することが可能となるとともに、１列目において、どの行（駆動電極Ｔｘ１−１〜ＴｘＮ−１のいずれの領域）がタッチされているかを検出することが可能となる。
この変形例５においても、検出信号線が磁界検出コイルとして用いられるため、安価に製造することが可能となる。また、電界タッチ検出は、変形例４と同様に行うことができる。さらに、検出信号線は、磁界検出および電界検出に共用することが可能であるため、磁界タッチ検出および電界タッチ検出が可能な表示装置の価格が上昇するのを抑制することが可能である。
（実施の形態５）
実施の形態１から４においては、主に、表示パネル２において、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と直交する信号配線を用いて、磁界発生期間ＴＧＴのとき、磁界を発生する例を説明した。この実施の形態５においては、表示パネル２において、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と平行して配置された信号配線を用いて、磁界発生期間ＴＧＴのときに、磁界を発生する例を説明する。ここでは、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と平行して配置された信号配線として、駆動電極を用いる場合を説明する。
図３１は、実施の形態５に係わる表示装置１の構成を示す模式的な平面図である。図３１には、表示パネル２に係わる部分が示されている。表示パネル２には、複数の信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）、複数の走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）および複数の駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）等が配置されるが、図３１では、説明を容易にするために、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（７）、走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（３）および駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）が配置された表示パネル２が示されている。信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（７）は、表示パネル２において、列方向に延在し、行方向に平行に配置されている。この実施の形態５においては、磁界発生期間ＴＧＴのときに、駆動信号が供給される駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）が、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（７）と平行に配置されている。すなわち、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）も、表示パネル２において、列方向に延在し、行方向に平行に配置されている。
走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（３）は、表示パネル２において、行方向に延在し、列方向に平行に配置されている。この実施の形態５においては、特に制限されないが、表示パネル２の辺２−Ｌと、辺２−Ｒのそれぞれに沿ってゲートドライバ５−１、５−２が配置されている。走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（３）は、辺２−Ｌ側において、ゲートドライバ５−１に接続され、辺２−Ｒ側において、ゲートドライバ５−２に接続されている。表示パネル２において、表示を行うとき、ゲートドライバ５−１が、例えばハイレベルの走査線信号を、走査線ＧＬ（０）へ供給し、次のタイミングでは、ゲートドライバ５−２が、ハイレベルの走査線信号を、次の走査線ＧＬ（１）へ供給する。すなわち、走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（３）には、ゲートドライバ５−１、５−２から交互にハイレベルの走査線信号が供給される。これにより、額縁が大きくなるのを防ぐことが可能である。
図３１において、３は信号線セレクタを示している。信号線セレクタ３は、図８等で説明しているので、その説明は省略する。同図において、ＳＣＷ−ＤおよびＳＣＷ−Ｕは、タッチ検出のとき、平面視でみたときに重なっている信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（７）と共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）を電気的に接続する接続回路を示している。すなわち、タッチ検出のとき、接続回路ＳＣＷ−Ｄは、辺２−Ｄ側において、駆動電極ＴＬ（０）と信号線ＳＬ（０）とを接続し、接続回路ＳＣＷ−Ｕは、辺２−Ｕ側において、駆動電極ＴＬ（０）と信号線ＳＬ（０）とを接続する。同様に、タッチ検出のときには、接続回路ＳＣＷ−Ｄ、ＳＣＷ−Ｕによって、駆動電極ＴＬ（１）と信号線ＳＬ（１）が接続される。残りの駆動電極と線号線も同様に、タッチ検出のとき、電気的に接続される。これにより、タッチ検出のときには、平面視で見たときに重なっている駆動電極と信号線とが、並列接続されることになり、合成抵抗の低減を図ることが可能となる。
図３１において、ＳＵ−Ｒ、ＳＤ−Ｒは、駆動回路を示し、ＳＵ−Ｃ、ＳＤ−Ｃは、選択回路を示している。実施の形態１と同様に、駆動回路ＳＵ−Ｒと選択回路ＳＵ−Ｃによって、選択駆動回路（第１駆動回路または第２駆動回路）ＳＳＵが構成され、駆動回路ＳＤ−Ｒと選択回路ＳＤ−Ｃによって、選択駆動回路（第２駆動回路または第１駆動回路）ＳＳＤが構成される。選択駆動回路ＳＳＵは、表示パネル２の辺２−Ｕに沿って配置され、選択駆動回路ＳＳＤは、表示パネル２の辺２−Ｄに沿って配置されている。
磁界タッチ検出の磁界発生期間ＴＧＴのとき、選択駆動回路ＳＳＵは、辺２−Ｕ側から、選択した一対の駆動電極のうちの一方の駆動電極に駆動信号を供給し、他方の駆動電極に接地電圧Ｖｓｓを供給する。また、選択駆動回路ＳＳＤは、辺２−Ｄ側から、上記した一対の駆動電極のうちの他方の駆動電極に接地電圧Ｖｓｓを供給し、一方の駆動電極に駆動信号を供給する。これにより、磁界発生期間ＴＧＴにおいて、選択された一対の駆動電極間に、重畳された強い磁界が発生することになる。
図３１において、ＶＣＯＭは、所定の電圧ＶＣＯＭＤＣが供給される電圧配線を示している。また、ＴＰＬは、接地電圧Ｖｓｓが供給される電圧配線を示し、ＴＰＨは、所定の電圧（例えば、図１５に示した電圧Ｖｐ）が供給される電圧配線を示している。選択駆動回路ＳＳＵ、ＳＳＤは、選択した駆動電極に接地電圧Ｖｓｓを供給するために、電圧配線ＴＰＬを選択した駆動電極に接続する。また、選択駆動回路ＳＳＵ、ＳＳＤは、選択した駆動電極に駆動信号を供給するために、電圧配線ＴＰＨを選択した駆動電極に接続する。
磁界検出コイルは、例えば、ＣＦガラス基板ＣＧＢに形成された検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）によって構成される。この実施の形態５の場合、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、表示パネル２において、走査線と同様に、行方向に延在し、列方向に平行に配置されることになる。また、磁界検出期間ＴＤＴのとき、磁界検出コイルを形成するように、所定の検出電極間が接続される。また、磁界検出コイルは、走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（３）によって形成するようにしてもよい。
この実施の形態５において、電界タッチ検出のときには、選択駆動回路ＳＳＤが、選択した駆動電極に駆動信号を供給する。これにより、選択した駆動電極において電界が発生する。この場合、例えば、ＣＦガラス基板ＣＧＢに形成された検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）または走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（３）によって、電界の変化が検出される。
なお、特に制限されないが、ゲートドライバ５−１、５−２は、走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（３）をフローティング状態にする機能を有しており、例えば、磁界発生期間ＴＧＴにおいては、走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（３）をフローティング状態にする。
＜選択駆動回路の構成＞
図３２は、実施の形態５に係わる選択駆動回路ＳＳＵ、ＳＳＤの構成を示す回路図である。図３２は、模式的にではあるが、実際の配置に合わせて描かれている。同図には、図３１に示した駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（７）のうち、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（６）と、この駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（６）に対応する選択駆動回路ＳＳＵ、ＳＳＤの部分が示されている。
図３１に示したように、選択駆動回路ＳＳＵは、表示パネル２の辺２−Ｕに沿って配置され、選択駆動回路ＳＳＤは、表示パネル２の辺２−Ｄに沿って配置されている。選択駆動回路ＳＳＵ内の駆動回路ＳＵ−Ｒは、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（６）のそれぞれに対応し、辺２−Ｕに沿って配置された単位駆動回路ＵＳＵ（０）〜ＵＳＵ（６）を備えている。同様に、選択駆動回路ＳＳＤ内の駆動回路ＳＤ−Ｒは、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（６）のそれぞれに対応し、辺２−Ｄに沿って配置された単位駆動回路ＵＳＤ（０）〜ＵＳＤ（６）を備えている。
この実施の形態５においては、電圧配線ＴＰＬおよびＴＰＨは、表示パネル２を取り囲むように配置されている。図９に示したモジュールを例にして説明すると、電圧配線ＴＰＬおよびＴＰＨは、表示パネル２の辺２−Ｌとモジュール９００の辺９００−Ｌとの間の領域、表示パネル２の辺２−Ｕとモジュール９００の辺９００−Ｕとの間の領域、表示パネル２の辺２−Ｒとモジュール９００の辺９００−Ｒとの間の領域、および表示パネル２の辺２−Ｄとモジュール９００の辺９００−Ｄとの間の領域を通過するように配置されている。すなわち、電圧配線ＴＰＬおよびＴＰＨは、モジュール９００の上下および左右の額縁に配置されている。一方、電圧配線ＶＣＯＭは、表示パネル２の辺２−Ｄとモジュール９００−Ｄとの間の領域に配置されている。
選択駆動回路ＳＳＵ内の選択回路ＳＵ−Ｃは、この実施の形態５においては、単位駆動回路ＵＳＵ（０）〜ＵＳＵ（６）のそれぞれに対応した単位選択回路ＵＵＣ（０）〜ＵＵＣ（６）を備えている。単位選択回路ＵＵＣ（０）〜ＵＵＣ（６）のそれぞれは、第１０スイッチＵＳＷ１と第１１スイッチＵＳＷ２を備えている。単位選択回路ＵＵＣ（０）〜ＵＵＣ（６）のそれぞれにおいて、第１０スイッチＵＳＷ１は、電圧配線ＴＰＨと対応する駆動電極の一方の端部との間に接続され、対応する単位駆動回路からの選択信号によってスイッチ制御され、第１１スイッチＵＳＷ２は、電圧配線ＴＰＬと対応する駆動電極の一方の端部との間に接続され、対応する単位駆動回路からの選択信号によってスイッチ制御される。
すなわち、単位選択回路ＵＵＣ（０）において、第１０スイッチＵＳＷ１は、電圧配線ＴＰＨと駆動電極ＴＬ（０）の一方の端部との間に接続され、単位選択回路ＵＳＵ（０）からの選択信号Ｃ１０によってスイッチ制御される。また、単位選択回路ＵＵＣ（０）において、第１１スイッチＵＳＷ２は、電圧配線ＴＰＬと駆動電極ＴＬ（０）の一方の端部との間に接続され、単位選択回路ＵＳＵ（０）からの選択信号Ｃ２０によってスイッチ制御される。単位選択回路ＵＵＣ（１）において、第１０スイッチＵＳＷ１、第１１スイッチＵＳＷ２は、電圧配線ＴＰＨ、ＴＰＬと駆動電極ＴＬ（１）の一方の端部との間に接続され、単位選択回路ＵＳＵ（１）からの選択信号Ｃ１１、Ｃ２１によってスイッチ制御される。単位選択回路ＵＵＣ（２）において、第１０スイッチＵＳＷ１、第１１スイッチＵＳＷ２は、電圧配線ＴＰＨ、ＴＰＬと駆動電極ＴＬ（２）の一方の端部との間に接続される、単位選択回路ＵＳＵ（２）からの選択信号Ｃ１２、Ｃ２２によってスイッチ制御される。
同様に、単位選択回路ＵＵＣ（３）において、第１０スイッチＵＳＷ１、第１１スイッチＵＳＷ２は、電圧配線ＴＰＨ、ＴＰＬと駆動電極ＴＬ（３）の一方の端との間に接続され、単位選択回路ＵＳＵ（３）からの選択信号Ｃ１３、Ｃ２３によってスイッチ制御され、単位選択回路ＵＵＣ（４）において、第１０スイッチＵＳＷ１、第１１スイッチＵＳＷ２は、電圧配線ＴＰＨ、ＴＰＬと駆動電極ＴＬ（４）の一方の端部との間に接続され、単位選択回路ＵＳＵ（４）からの選択信号Ｃ１４、Ｃ２４によってスイッチ制御される。単位選択回路ＵＵＣ（５）において、第１０スイッチＵＳＷ１、第１１スイッチＵＳＷ２は、電圧配線ＴＰＨ、ＴＰＬと駆動電極ＴＬ（５）の一方の端部との間に接続され、単位選択回路ＵＳＵ（５）からの選択信号Ｃ１５、Ｃ２５によってスイッチ制御され、単位選択回路ＵＵＣ（６）において、第１０スイッチＵＳＷ１、第１１スイッチＵＳＷ２は、電圧配線ＴＰＨ、ＴＰＬと駆動電極ＴＬ（６）の一方の端部との間に接続され、単位選択回路ＵＳＵ（６）からの選択信号Ｃ１６、Ｃ２６によってスイッチ制御される。
駆動選択回路ＳＳＤ内の駆動回路ＳＤ−Ｒも、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（６）のそれぞれに対応した単位駆動回路ＵＳＤ（０）〜ＵＳＤ（６）を備えている。また、選択回路ＳＤ−Ｃは、駆動電極および単位駆動回路のそれぞれに対応した単位選択回路ＵＤＣ（０）〜ＵＤＣ（６）を備えている。単位選択回路ＵＤＣ（０）〜ＵＤＣ（６）のそれぞれは、対応する単位選択回路からの制御信号によってスイッチ制御される第１２スイッチＵＳＷ３、第１３スイッチＵＳＷ４および第１４スイッチＵＳＷ５を備えている。ここで、第１２スイッチＵＳＷ３は、対応する駆動電極の他方の端部と電圧配線ＶＣＯＭとの間に接続され、第１３スイッチＵＳＷ４は、対応する駆動電極の他方の端部と電圧配線ＴＰＬとの間に接続され、第１４スイッチＵＳＷ５は、対応する駆動電極の他方の端部と電圧配線ＴＰＨとの間に接続されている。
すなわち、単位選択回路ＵＤＣ（０）においては、第１２スイッチＵＳＷ３は、駆動電極ＴＬ（０）の他方の端部と電圧配線ＶＣＯＭとの間に接続され、第１３スイッチＵＳＷ４は、駆動電極ＴＬ（０）の他方の端部と電圧配線ＴＰＬとの間に接続され、第１４スイッチＵＳＷ５は、駆動電極ＴＬ（０）の他方の端部と電圧配線ＴＰＨとの間に接続されている。また、単位選択回路ＵＤＣ（０）における第１２スイッチＵＳＷ３は、単位駆動回路ＵＳＤ（０）からの選択信号Ｓ３０によってスイッチ制御され、第１３スイッチＵＳＷ４は、単位駆動回路ＵＳＤ（０）からの選択信号Ｓ４０によってスイッチ制御され、第１４スイッチＵＳＷ５は、単位駆動回路ＵＳＤ（０）からの選択信号Ｓ４０によってスイッチ制御される。
また、単位選択回路ＵＤＣ（１）において、第１２スイッチＵＳＷ３、第１３スイッチＵＳＷ４および第１４スイッチＵＳＷ５は、駆動電極ＴＬ（１）の他方の端部と電圧配線ＶＣＯＭ、ＴＰＬおよびＴＰＨに接続され、単位駆動回路ＵＳＤ（１）からの選択信号Ｓ３１、Ｓ４１によってスイッチ制御され、単位選択回路ＵＤＣ（２）において、第１２スイッチＵＳＷ３、第１３スイッチＵＳＷ４および第１４スイッチＵＳＷ５は、駆動電極ＴＬ（２）の他方の端部と電圧配線ＶＣＯＭ、ＴＰＬおよびＴＰＨに接続され、単位駆動回路ＵＳＤ（２）からの選択信号Ｓ３２、Ｓ４２によってスイッチ制御される。単位選択回路ＵＤＣ（３）において、第１２スイッチＵＳＷ３、第１３スイッチＵＳＷ４および第１４スイッチＵＳＷ５は、駆動電極ＴＬ（３）の他方の端部と電圧配線ＶＣＯＭ、ＴＰＬおよびＴＰＨに接続され、単位駆動回路ＵＳＤ（３）からの選択信号Ｓ３３、Ｓ４３によってスイッチ制御される。
同様に、単位選択回路ＵＤＣ（４）において、第１２スイッチＵＳＷ３、第１３スイッチＵＳＷ４および第１４スイッチＵＳＷ５は、駆動電極ＴＬ（４）の他方の端部と電圧配線ＶＣＯＭ、ＴＰＬおよびＴＰＨに接続され、単位駆動回路ＵＳＤ（４）からの選択信号Ｓ３４、Ｓ４４によってスイッチ制御され、単位選択回路ＵＤＣ（５）において、第１２スイッチＵＳＷ３、第１３スイッチＵＳＷ４および第１４スイッチＵＳＷ５は、駆動電極ＴＬ（５）の他方の端部と電圧配線ＶＣＯＭ、ＴＰＬおよびＴＰＨに接続され、単位駆動回路ＵＳＤ（５）からの選択信号Ｓ３５、Ｓ４５によってスイッチ制御される。また、単位選択回路ＵＤＣ（６）において、第１２スイッチＵＳＷ３、第１３スイッチＵＳＷ４および第１４スイッチＵＳＷ５は、駆動電極ＴＬ（６）の他方の端部と電圧配線ＶＣＯＭ、ＴＰＬおよびＴＰＨに接続され、単位駆動回路ＵＳＤ（６）からの選択信号Ｓ３６、Ｓ４６によってスイッチ制御される。
図面が複雑になるのを避けるために、単位選択回路ＵＤＣ（０）〜ＵＤＣ（６）のそれぞれにおいて、第１３スイッチＵＳＷ４と第１４スイッチＵＳＷ５は、１個の選択信号（例えば、選択信号Ｓ４０）によってスイッチ制御されるように、示されているが、第１３スイッチＵＳＷ４と第１４スイッチＵＳＷ５は、対応する単位駆動回路によって、別々にスイッチ制御される。
この実施の形態５においては、磁界発生期間ＴＧＴのとき、図２２で説明したのと同様に、選択を示す単位駆動回路に対応する駆動電極に駆動信号または接地電圧Ｖｓｓが供給される。この場合、駆動信号は、電圧配線ＴＰＨにおける所定の電圧に相当し、電圧配線ＴＰＨにおける所定の電圧を、駆動電極へ供給することが、駆動信号の供給に相当する。
単位駆動回路ＵＳＵ（０）〜ＵＳＵ（６）のそれぞれは、シフト段を備えており、それぞれのシフト段は、この順番で直列的に接続されている。同様に、単位駆動回路ＵＳＤ（０）〜ＵＳＤ（６）のそれぞれも、シフト段を備えており、それぞれのシフト段は、この順番で直列的に接続されている。例えば、単位駆動回路ＵＳＵ（０）、ＵＳＵ（１）、ＵＳＤ（０）およびＵＳＤ（１）に選択を示す選択情報ＳＥＩが設定され、図示しないクロック信号に同期して、選択情報ＳＥＩは、単位駆動回路ＵＳＵ（６）およびＵＳＤ（６）へ向けて順次シフトする。
例えば、単位駆動回路ＵＳＵ（０）、ＵＳＵ（１）、ＵＳＤ（０）およびＵＳＤ（１）に選択を示す選択情報ＳＥＩが設定されると、磁界発生期間ＴＧＴのときに、単位駆動回路ＵＳＵ（０）は選択信号Ｓ２０によって、単位選択回路ＵＵＣ（０）内の第１１スイッチＵＳＷ２をオン状態にし、選択信号Ｓ１０によって、第１０スイッチＵＳＷ１をオフ状態にする。このとき、単位駆動回路ＵＳＵ（１）は、選択信号Ｓ１１によって、単位選択回路ＵＵＣ（１）内の第１０スイッチＵＳＷ１をオン状態にし、選択信号Ｓ２１によって、第１１スイッチＵＳＷ２をオフ状態にする。
また、このとき、単位駆動回路ＵＳＤ（０）は、選択信号Ｓ４０によって、第１４スイッチＵＳＷ５をオン状態にし、第１３スイッチＵＳＷ４をオフ状態にする。また、単位駆動回路ＵＳＤ（０）は、選択信号Ｓ３０によって、第１２スイッチＵＳＷ３をオフ状態にする。さらに、このとき、単位駆動回路ＵＳＤ（１）は、選択信号Ｓ４１によって、第１３スイッチＵＳＷ４をオン状態にし、第１４スイッチＵＳＷ５をオフ状態にする。また、単位駆動回路ＵＳＤ（１）は、選択信号Ｓ３０によって、第１２スイッチＵＳＷ３をオフ状態にする。
これにより、駆動電極ＴＬ（０）の一方の端部は、単位選択回路ＵＵＣ（０）内の第１１スイッチＵＳＷ２を介して、電圧配線ＴＰＬに接続され、駆動電極ＴＬ（１）の他方の端部は、単位選択回路ＵＤＣ（１）内の第１３スイッチＵＳＷ４を介して、電圧配線ＴＰＬに接続されることになる。このとき、駆動電極ＴＬ（０）の他方の端部は、単位選択回路ＵＤＣ（０）内の第１４スイッチＵＳＷ５を介して、電圧配線ＴＰＨに接続され、駆動電極ＴＬ（１）の一方の端部は、単位選択回路ＵＵＣ（１）内の第１０スイッチＵＳＷ１を介して、電圧配線ＴＰＨに接続されることになる。その結果、駆動電極ＴＬ（０）の一方の端部と駆動電極ＴＬ（１）の他方の端部には、接地電圧Ｖｓｓが供給され、駆動電極ＴＬ（０）の他方の端部と駆動電極ＴＬ（１）の一方の端部には、駆動信号として、所定の電圧が供給されることになる。
この所定の電圧により、駆動電極ＴＬ（０）においては、他方の端部から一方の端部へ向かう方向（図において上側に向かう方向）の電流が流れ、駆動電極ＴＬ（１）においては、一方の端部から他方の端部へ向かう方向（図において、下側に向かう方向）の電流が流れることになり、それぞれの駆動電極ＴＬ（０）とＴＬ（１）において磁界が発生し、駆動電極ＴＬ（０）とＴＬ（１）の間に挟まれた領域で、磁界が重畳されることになる。
なお、このとき、単位駆動回路ＵＳＵ（２）〜ＵＳＵ（６）のそれぞれは、選択信号Ｓ１２〜Ｓ１６およびＳ２２〜Ｓ２６によって、対応する単位選択回路ＵＵＣ（２）〜ＵＵＣ（６）のそれぞれにおける第１０スイッチＵＳＷ１および第１１スイッチＵＳＷ２をオフ状態にしている。また、このとき、単位駆動回路ＵＳＤ（２）〜ＵＳＤ（６）のそれぞれは、選択信号Ｓ３２〜Ｓ３６およびＳ４２〜Ｓ４６によって、対応する単位選択回路ＵＤＣ（２）〜ＵＤＣ（６）のそれぞれにおける第１２スイッチＵＳＷ４、第１３スイッチＵＳＷ４および第１４スイッチＵＳＷ５をオフ状態にしている。その結果、駆動電極ＴＬ（２）〜ＴＬ（６）のそれぞれは、ハイインピーダンスの状態にされている。
クロック信号が変化して、選択情報ＳＥＩが、単位駆動回路ＵＳＵ（１）、ＵＳＵ（２）、ＵＤＣ（１）およびＵＤＣ（２）へ移動すると、単位駆動回路ＵＳＵ（１）は、選択信号Ｓ１１、Ｓ２１によって、単位選択回路ＵＵＣ（１）内の第１０スイッチＵＳＷ１をオフ状態にし、第１１スイッチＵＳＷ２をオン状態にする。このとき、単位駆動回路ＵＳＵ（２）は、選択信号Ｓ１１、Ｓ２１によって、単位選択回路ＵＵＣ（２）内の第１０スイッチＵＳＷ１をオン状態にし、第１１スイッチＵＳＷ２をオフ状態にする。また、単位選択回路ＵＳＤ（１）は、選択信号Ｓ３１、Ｓ４１によって、単位選択回路ＵＤＣ（１）内の第１４スイッチＵＳＷ５をオン状態にし、第１２スイッチＵＳＷ３および第１３スイッチＵＳＷ４をオフ状態にする。また、単位選択回路ＵＳＤ（２）は、選択信号Ｓ３２、Ｓ４２によって、単位選択回路ＵＤＣ（２）内の第１３スイッチＵＳＷ４をオン状態にし、第１２スイッチＵＳＷ３および第１４スイッチＵＳＷ５をオフ状態にする。
この結果、駆動電極ＴＬ（１）においては、その他方の端部からその一方の端部へ向かう電流が流れ、駆動電極ＴＬ（２）においては、その一方の端部からその他方の端部へ向かう電流が流れることになる。この電流により、駆動電極ＴＬ（１）とＴＬ（２）において磁界が発生し、重畳された磁界が発生することになる。このとき、単位選択回路ＵＵＣ（０）、ＵＵＣ（３）〜ＵＵＣ（６）およびＵＤＣ（０）、ＵＤＣ（３）〜ＵＤＣ（６）のそれぞれにおける第１０スイッチ〜第１４スイッチは、オフ状態にされ、駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（３）〜ＴＬ（６）は、ハイインピーダンスの状態にされる。
以降、クロック信号に同期して、選択情報ＳＥＩが、単位駆動回路ＵＳＵ（６）、ＵＳＤ（６）へ向けて移動するのに応じて、順次磁界が発生する。すなわち、駆動電極ＴＬ（２）とＴＬ（３）で磁界が発生し、次のタイミングでは、駆動電極ＴＬ（３）とＴＬ（４）で磁界が発生し、さらに次のタイミングでは、駆動電極ＴＬ（４）とＴＬ（５）で磁界が発生し、次に、駆動電極ＴＬ（５）とＴＬ（６）で磁界が発生する。
駆動電極を流れる電流の向きは、上記した向きに限定されるものではない。例えば、駆動電極ＴＬ（０）およびＴＬ（１）において、磁界を発生する場合、駆動電極ＴＬ（０）において、一方の端部から他方の端部へ向かう方向に電流が流れ、駆動電極ＴＬ（１）において、他方の端部から一方の端部へ向かって電流が流れるようにしてもよい。すなわち、隣接して配置された一対の駆動電極間で、電流の方向が正反対になるようにすればよい。
互いに隣接して配置した駆動電極を用いる例を説明したが、これに限定されるものではない。例えば、１個あるいは複数の駆動電極が挟まれるように配置された駆動電極によって、磁界が発生するようにしてもよい。例えば、選択を示す選択情報ＳＥＩを、単位駆動回路ＵＳＵ（０）、ＵＳＣ（２）、ＵＳＤ（０）およびＵＳＤ（２）に設定するようにしてもよい。このようにすることにより、駆動電極ＴＬ（１）を挟むように配置された一対の駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（２）で磁界が発生する。以降、クロック信号の変化に同期して、選択情報ＳＥＩがシフトすることにより、１個の駆動電極を挟むように配置された駆動電極で、順次磁界が発生する。
電界タッチ検出のときには、単位駆動回路ＵＳＵ（０）〜ＵＳＵ（６）のそれぞれは、対応する単位選択回路ＵＵＣ（０）〜ＵＵＣ（６）内の第１０スイッチＵＳＷ１および第１１スイッチＵＳＷ２を、選択信号Ｓ１０〜Ｓ１６、Ｓ２０〜Ｓ２６によって、オフ状態にする。一方、単位駆動回路ＵＳＤ（０）〜ＵＳＤ（６）においては、選択情報ＳＥＩが、順次、移動する。例えば、単位駆動回路ＵＳＤ（０）に選択情報ＳＥＩが設定されると、単位駆動回路ＵＳＤ（０）は、選択信号Ｓ３０によって、第１２スイッチＵＳＷ３をオン状態にする。これにより、第１２スイッチＵＳＷ３を介して、駆動電極ＴＬ（０）は、電圧配線ＶＣＯＭに接続される。この実施の形態５においては、電界タッチ検出の場合、制御回路Ｄ−ＣＮＴ（図８）は、電圧配線ＶＣＯＭに、周期的に電圧が変化する電界駆動信号を供給する。これにより、電界タッチ検出のとき、駆動電極ＴＬ（０）は、電界駆動信号に従って電界を発生することになる。
なお、このとき、単位選択回路ＵＤＣ（０）における第１３スイッチＵＳＷ４および第１４スイッチＵＳＷ５は、オフ状態にされる。また、残りの単位選択回路ＵＳＤ（１）〜ＵＳＤ（６）のそれぞれにおける第１２スイッチＵＳＷ３、第１３スイッチＵＳＷ４および第１４スイッチＵＳＷ５もオフ状態にされる。
選択情報ＳＥＩが、単位駆動回路ＵＳＤ（０）からＵＳＤ（６）へ向かって移動することにより、駆動電極ＴＬ（２）からＴＬ（６）へ向けて、順次、電界が発生することになる。
電界タッチ検出のときに、電圧配線ＶＣＯＭに、周期的に電圧が変化する電界駆動信号を供給する例を述べたが、これに限定されるものではない。例えば、選択信号Ｓ３０で、第１２スイッチＵＳＷ３をオン状態するのではなく、選択信号Ｓ４０によって、第１３スイッチＵＳＷ４と第１４スイッチＵＳＷ５が、相補的にオン／オフ状態となるようにしてもよい。第１３スイッチＵＳＷ４と第１４スイッチＵＳＷ５が、相補的にオン／オフ状態となることにより、駆動電極ＴＬ（０）は、電圧配線ＴＰＨとＴＰＬに交互に接続されるようになる。その結果、駆動電極ＴＬ（０）には、時間的に変化する電圧が供給されることになり、時間に伴って変化する電界を発生することが可能となる。
磁界タッチ検出のとき、磁界検出コイルは、実施の形態４で述べたのと同様に、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）または走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）によって形成することができる。また、電界タッチ検出のときには、例えば走査線を、電荷量の変化を検出する検出電極として用いることができる。
＜変形例＞
図３３は、実施の形態５の変形例に係わる選択駆動回路ＳＳＵ、ＳＳＤの構成を示す回路図である。図３３は、模式的にではあるが、実際の配置に合わせて描かれている。図３３は、図３２に類似しているので、ここでは、主に相違点を説明する。
図３２に示した構成では、電圧配線ＴＰＬ、ＴＰＨのそれぞれが、表示パネル２を取り囲むように、配置されていた。これに対して、図３３に示す変形例においては、表示パネル２の辺２−Ｌとモジュール９００（図９）の辺９００−Ｌとの間の領域に、電圧配線ＴＰＬが配置され、表示パネル２の辺２−Ｒとモジュール９００の辺９００−Ｒとの間の領域に、電圧配線ＴＰＨが配置されている。言い換えるならば、表示パネル２の辺２−Ｌとモジュール９００（図９）の辺９００−Ｌとの間の領域には、電圧配線ＴＰＨが配置されず、表示パネル２の辺２−Ｒとモジュール９００（図９）の辺９００−Ｒとの間の領域には、電圧配線ＴＰＬが配置されていない。すなわち、左右の額縁には、電圧配線ＴＰＨおよびＴＰＬのいずれか一方のみが配置されている。
この変形例においても、表示パネル２の辺２−Ｕとモジュール９００の辺９００−Ｕとの間の領域には、電圧配線ＴＰＬ、ＴＰＨが配置され、表示パネル２の辺２−Ｄとモジュール９００の辺９００−Ｄとの間の領域にも、電圧配線ＴＰＬ、ＴＰＨが配置されている。また、辺２−Ｕと辺９００−Ｕとの間の領域に配置された電圧配線ＴＰＬは、辺２−Ｌと辺９００−Ｌとの間の領域に配置された電圧配線ＴＰＬによって、辺２−Ｄと辺９００−Ｄとの間の領域に配置された電圧配線ＴＰＬに接続されている。さらに、辺２−Ｕと辺９００−Ｕとの間の領域に配置された電圧配線ＴＰＨは、辺２−Ｒと辺９００−Ｒとの間の領域に配置された電圧配線ＴＰＲによって、辺２−Ｄと辺９００−Ｄとの間の領域に配置された電圧配線ＴＰＲに接続されている。
これにより、額縁が大きくなるのを抑制しながら、表示パネル２の辺２−Ｕに沿って配置された選択駆動回路ＳＳＵと、表示パネル２の辺２−Ｄに沿って配置された選択駆動回路ＳＳＤに、接地電圧Ｖｓｓと所定の電圧を供給することが可能となる。
（実施の形態６）
図３４は、実施の形態６に係わる表示装置１の構成を示す模式的な平面図である。模式的ではあるが、図３４も実際の配置に合わせて描かれている。この実施の形態６に係わる表示装置１においても、実施の形態５と同様に、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と平行して配置された駆動電極を用いて、磁界発生期間ＴＧＴのとき、磁界を発生する場合を説明する。
図３４には、図３１と同様に、表示パネル２に係わる部分が示されている。図３４は、図３１と類似しているので、ここでは、主に相違点を説明する。図３１においては、駆動回路ＳＵ−Ｒと選択回路ＳＵ−Ｃを備えた選択駆動回路ＳＳＵによって、磁界発生期間ＴＧＴのとき、一対の駆動電極に、駆動信号となる所定の電圧と接地電圧Ｖｓｓを供給することにより、磁界を発生するようにしていた。そのため、電圧配線ＴＰＬおよびＴＰＨが、表示パネル２の辺２−Ｕに沿って配置され、選択回路ＳＵ−Ｃに、接地電圧Ｖｓｓと所定の電圧を供給していた。
この実施の形態６においても、表示パネル２の辺２−Ｕに沿って選択駆動回路ＳＳＵ−Ｓが配置されている。この実施の形態６に係わる選択駆動回路ＳＳＵ−Ｓは、駆動回路ＳＵ−Ｒと選択接続回路ＳＵ−Ｓを備えている。選択接続回路ＳＵ−Ｓは、実施の形態５で説明した選択回路ＳＵ−Ｃと異なり、磁界発生期間ＴＧＴにおいて、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と平行して配置された信号配線間を接続して、磁界発生コイルを形成する。ここで、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と平行して配置された信号配線としては、駆動電極と表示パネル２の辺２−Ｌ、２−Ｒに沿って配置された電圧配線が相当する。
表示パネル２の辺２−Ｌとモジュール９００の辺９００−Ｌとの間に配置された電圧配線ＴＰＨと、表示パネル２の辺２−Ｒとモジュール９００の辺９００−Ｒとの間に配置された電圧配線ＴＰＬとに注目した場合、実施の形態５では、選択回路ＳＵ−Ｃに所定の電圧と接地電圧Ｖｓｓを供給するのに用いられていた。これに対して、この実施の形態６では、特に制限されないが、表示パネル２の辺２−Ｌと辺２−Ｒに沿って配置された電圧配線ＴＰＬ、ＴＰＨは、磁界発生コイルの巻線としても用いられる。
＜選択接続回路の構成＞
図３５は、実施の形態６に係わる選択駆動回路ＳＳＵ−Ｓの構成を示す回路図である。図３５は、模式的にではあるが、実際の配置に合わせて描かれている。図３５において、選択駆動回路ＳＳＤおよび駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（６）は、図３２と同じであるため、説明は省略する。
駆動回路ＳＵ−Ｒは、図３２と同様に、複数の単位駆動回路ＵＳＵ（０）〜ＵＳＵ（６）を備えている。単位駆動回路ＵＳＵ（０）〜ＵＳＵ（６）のそれぞれは、シフト段を備えている。単位駆動回路ＵＳＵ（０）〜ＵＳＵ（６）のそれぞれのシフト段は、直列的に接続され、単位駆動回路ＵＳＵ（０）に設定された選択情報ＳＥＩは、図示しないクロック信号に同期して、単位駆動回路ＵＳＵ（６）へ向かって移動する。単位駆動回路ＵＳＵ（０）〜ＵＳＵ（６）のそれぞれは、選択を示す選択情報ＳＥＩが設定されることにより、選択を示す選択信号Ｓ５０〜Ｓ５６を出力する。例えば、単位駆動回路ＵＳＵ（３）は、選択を示す選択情報ＳＥＩが、前段の単位駆動回路ＵＳＵ（２）から移動して、供給されると、選択を示す選択を示す選択信号Ｓ５３を出力する。
選択接続回路ＳＵ−Ｓは、単位駆動回路ＵＳＵ（０）〜ＵＳＵ（６）のそれぞれに対応した第１５スイッチＵＳＷ６（０）〜ＵＳＷ６（６）を備えている。第１５スイッチＵＳＷ６（０）〜ＵＳＷ（６）は、間に１つの駆動電極を挟むように、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（６）と、表示パネル２の辺２−Ｌに沿って配置された電圧配線ＴＬ（ＴＰＨ）と、表示パネル２の辺２−Ｒに沿って配置された電圧配線ＴＬ（ＴＰＬ）との間に接続されている。図３５において、電圧配線ＴＬ（ＴＰＨ）は、電圧配線ＴＰＨにおいて、表示パネル２の辺２−Ｌに沿って配置された領域を示しており、電圧配線ＴＬ（ＴＰＬ）は、電圧配線ＴＰＬにおいて、表示パネル２の辺２−に沿って配置された領域を示している。電圧配線ＴＬ（ＴＰＨ）およびＴＬ（ＴＰＬ）は、表示パネル２の辺２−Ｌおよび辺２−Ｒに沿っているため、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（６）と平行していることになる。
第１５スイッチＵＳＷ６（０）は、電圧配線ＴＬ（ＴＰＨ）と駆動電極ＴＬ（１）の一方の端部との間に接続され、単位駆動回路ＵＳＵ（０）からの選択信号Ｓ５０によって、スイッチ制御され、第１５スイッチＵＳＷ６（１）は、駆動電極ＴＬ（０）と駆動電極ＴＬ（２）のそれぞれの一方の端部間に接続され、単位駆動回路ＵＳＵ（１）からの選択信号Ｓ５１によって、スイッチ制御され、第１５スイッチＵＳＷ６（２）は、駆動電極ＴＬ（１）と駆動電極ＴＬ（３）のそれぞれの一方の端部間に接続され、単位駆動回路ＵＳＵ（２）からの選択信号Ｓ５２によって、スイッチ制御される。また、第１５スイッチＵＳＷ６（３）は、駆動電極ＴＬ（２）と駆動電極ＴＬ（４）のそれぞれの一方の端部間に接続され、単位駆動回路ＵＳＵ（３）からの選択信号Ｓ５３によって、スイッチ制御され、第１５スイッチＵＳＷ６（４）は、駆動電極ＴＬ（３）と駆動電極ＴＬ（５）のそれぞれの一方の端部間に接続され、単位駆動回路ＵＳＵ（４）からの選択信号Ｓ５４によって、スイッチ制御される。
同様に、第１５スイッチＵＳＷ６（５）は、駆動電極ＴＬ（４）と駆動電極ＴＬ（６）のそれぞれの一方の端部間に接続され、単位駆動回路ＵＳＵ（５）からの選択信号Ｓ５５によって、スイッチ制御され、第１５スイッチＵＳＷ６（６）は、駆動電極ＴＬ（５）の一方の端部と電圧配線ＴＬ（ＴＰＬ）との間に接続され、単位駆動回路ＵＳＵ（６）からの選択信号Ｓ５６によって、スイッチ制御される。
この実施の形態６においては、磁界発生期間ＴＧＴにおいて、単位駆動回路ＵＳＵ（０）が、選択を示す選択信号Ｓ５０を出力するとき、単位駆動回路ＵＳＤ（１）が、単位選択回路ＵＤＣ（１）内の第１３スイッチＵＳＷ４をオン状態にし、第１４スイッチＵＳＷ５をオフ状態にするような選択信号Ｓ４１を出力する。選択信号Ｓ５０によって、第１５スイッチＵＳＷ６（０）がオン状態にされているため、互いに平行に配置された電圧配線ＴＬ（ＴＰＨ）と、駆動電極ＴＬ（１）が、直列的に接続されることになる。その結果、電圧配線ＴＬ（ＴＰＨ）と駆動電極ＴＬ（１）を、巻線とした磁界発生コイルが形成されることになる。直列的に接続された電圧配線ＴＬ（ＴＰＨ）と駆動電極ＴＬ（１）とを電流が流れることにより電圧配線ＴＬ（ＴＰＨ）と駆動電極ＴＬ（１）のそれぞれで磁界が発生する。電圧配線ＴＬ（ＴＰＨ）と駆動電極ＴＬ（１）との間に挟まれた駆動電極ＴＬ（０）の領域において、発生した磁界が重畳され、強い磁界が発生することになる。
次に、選択を示す選択情報ＳＥＩが、単位駆動回路ＵＳＵ（１）へ移動すると、選択信号Ｓ５１によって、第１５スイッチＵＳＷ６（１）がオン状態となる。このとき、単位駆動回路ＵＳＤ（０）は、単位選択回路ＵＤＣ（０）内の第１４スイッチＵＳＷ５をオン状態にし、第１３スイッチＵＳＷ４をオフ状態にするような選択信号Ｓ４０を出力する。また、単位選択回路ＵＤＣ（２）は、単位選択回路ＵＤＣ（２）内の第１３スイッチＵＳＷ４をオン状態にし、第１４スイッチＵＳＷ５をオフ状態にするような選択信号Ｓ４２を出力する。第１５スイッチＵＳＷ６（１）がオン状態となるため、互いに平行に配置された駆動電極ＴＬ（０）とＴＬ（２）が直列的に接続され、これらの駆動電極を巻線とした磁界発生コイルが形成されることになる。また、直列的に接続された駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（２）を電流が流れるため、磁界が発生し、発生した磁界は、駆動電極ＴＬ（１）の領域おいて重畳されることになる。
以降、同様にして、順次、第１５スイッチがオン状態にされ、２個の駆動電極間が直列的に接続され、直列接続された駆動電極を電流が流れることにより、強い磁界が発生する。また、単位駆動回路ＵＳＵ（６）からの選択信号Ｓ５６によって、第１５スイッチＵＳＷ６（６）がオン状態にされたときには、駆動電極ＴＬ（５）と電圧配線ＴＬ（ＴＰＬ）を巻線とした磁界発生コイルが形成されることになる。この場合には、駆動電極ＴＬ（６）の領域において、強い磁界が発生することになる。
図３５では、間に１個の駆動電極を挟む場合を説明したが、これに限定されるものではない。例えば、２個以上の駆動電極を間に挟むようにしてもよいし、間に駆動電極を挟まないようにしてもよい。例えば、２個の駆動電極を間に挟む場合には、第１５スイッチＵＳＷ６（０）は、電圧配線ＴＬ（ＴＰＨ）と駆動電極ＴＬ（２）との間に接続され、第１５スイッチＵＳＷ６（１）は、駆動電極ＴＬ（０）と駆動電極ＴＬ（３）との間に接続されることになる。一方、間に電極を挟まない場合には、第１５スイッチＵＳＷ６（０）は、電圧配線ＴＬ（ＴＰＨ）と駆動電極ＴＬ（０）との間に接続され、第１５スイッチＵＳＷ６（１）は、駆動電極ＴＬ（０）と駆動電極ＴＬ（１）との間に接続されることになる。
磁界検出コイルおよび電界検出電極は、実施の形態５と同様にすればよい。また、電界タッチ検出も、実施の形態５と同様に実現することが可能である。
この実施の形態６においては、表示パネル２の辺に沿って、表示パネル２の外部に配置された電圧配線ＴＬ（ＴＰＨ）、ＴＬ（ＴＰＬ）も、磁界発生コイルの巻線として用いている。そのため、表示パネル２の辺２−Ｌ、辺２−Ｒに近接した部分においても、ペンのタッチを検出することが可能である。勿論、一方の電圧配線のみを、磁界発生コイルの巻線として利用するようにしてもよいし、電圧配線ＴＬ（ＴＰＨ）およびＴＬ（ＴＰＬ）を、磁界発生コイルの巻線として用いなくてもよい。また、図３５では、１回巻線の磁界発生コイルを例にして説明したが、磁界発生コイルは１．５回以上の巻線であってもよい。
本明細書において、磁界発生期間ＴＧＴのときに磁界を発生する駆動配線、例えば駆動電極、信号線または走査線等は、一対の端部を有している。この一対の端部のうちの他方の端部（または一方の端部）は、一方の端部（または他方の端部）に対して、駆動配線の延在方向に存在する。磁界を発生するとき、一方の端部（または他方の端部）に、駆動信号が供給され、他方の端部（または一方の端部）に基準信号である接地電圧Ｖｓｓが供給される。一方の端部および他方の端部を、駆動配線の第１領域および第２領域と見なした場合、磁界発生期間ＴＧＴにおいては、駆動配線の第１領域（または第２領域）に、駆動信号が供給され、第２領域（または第１領域）に、基準信号が供給されると見なすことができる。
実施の形態１の図８を例にすると、磁界発生期間ＴＧＴのときに、磁界を発生する駆動配線は、行方向に延在する駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）であり、第１領域（第２領域）は、第２領域（第１領域）に対して行方向に延在した方向に存在することになる。また、複数の駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を、複数の駆動配線と見なした場合、磁界発生期間ＴＧＴにおいて、単位駆動回路からの選択信号により選択される一対の駆動電極のうちの一方の駆動電極を、第１の駆動配線と見なし、他方の駆動電極を、第２の駆動配線と見なすことができる。この場合、第１の駆動配線と第２の駆動配線のそれぞれの一方の端部（例えば、第１領域）は、表示パネル２の同じ辺（例えば、辺２−Ｌ）側に配置され、それぞれの他方の端部（第２領域）は、表示パネル２の２の同じ辺（辺２−Ｒ）側に配置されることになる。そのため、第１の駆動配線と第２の駆動配線のそれぞれの第１領域（一方の端部）は、互いに近接し、第１の駆動配線と第２の駆動配線のそれぞれの第２領域（他方の端部）は、互いに近接することになる。
また、磁界発生期間ＴＧＴにおいて、選択される一対の駆動配線間に、１個以上の駆動配線（図８では、駆動電極）が挟まれる場合、この挟まれた駆動配線は、第３の駆動配線と見なすことができる。さらに、図８を例にして、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を駆動配線と見なした場合、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と交差するように、列方向に延在する信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）は、検出配線と見なすことができる。勿論、検出配線は、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）に限定されず、走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）あるいは検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）であってもよい。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例及び修正例に想到し得るものであり、それら変形例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
例えば、前述の各実施の形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
例えば、実施の形態においては、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）は、列方向に延在し、行方向に配置されている場合を説明したが、行方向および列方向は、見る視点により変化する。見る視点を変えて、共通電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）が、行方向に延在し、列方向に配置されている場合も本発明の範囲に含まれるものである。また、本明細書で用いている「平行」とは、互いに一端から他端に亘るまで交わることなく延在することを意味する。そのため、一方の線の一部又は全部が他方の線に対して傾いた状態で設けられていたとしても、これらの線が一端から他端まで交わるものでなければ、本明細書においては、この状態も「平行」であるとする。また、図１８では、電界タッチ検出のときに、電界を発生する駆動電極を除いた駆動電極を、電圧配線ＶＣＯＭに接続する例を示したが、これに限定されず、電界を発生する駆動電極を除いた駆動電極は、フローティング状態となるようにしてもよい。
１ タッチ機能付き表示装置
２ 表示パネル
３ 信号線セレクタ
４ 表示制御装置
５ ゲートドライバ
６ タッチ制御装置
ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ） 検出電極
ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ） 駆動電極
ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ） 走査線
ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ） 信号線
ＳＳＬ、ＳＳＲ、ＳＳＵ、ＳＳＤ、ＳＳＵ−Ｓ 選択駆動回路
ＳＬ−Ｒ、ＳＲ−Ｒ、ＳＵ−Ｒ、ＳＤ−Ｒ 駆動回路
ＳＬ−Ｃ、ＳＲ−Ｃ、ＳＵ−Ｃ、ＳＤ−Ｃ 選択回路
ＳＵ−Ｓ 選択接続回路
ＳＤＣ 選択駆動回路
ＵＳＬ（０）〜ＵＳＬ（ｐ）、ＵＳＲ（０）〜ＵＳＲ（ｐ）、ＵＳＵ（０）〜ＵＳＵ（ｐ）、ＵＳＤ（０）〜ＵＳＤ（ｐ） 単位駆動回路
ＴＰＬ、ＴＰＨ、ＶＣＯＭ 電圧配線
ＴＳＶ 信号配線

Claims (17)

  1. 行列状に配置された複数の画素を有する画素配列と、
    前記画素配列において、それぞれ第１方向に延在し、前記第１方向とは交差する第２方向に並んで配置され、第１の駆動配線および第２の駆動配線を含む複数の駆動配線と、
    前記画素配列において、前記第２方向に延在するように配置された複数の検出配線と、
    前記複数の駆動配線の一方の端部側に配置され、前記第２方向に延在し、周期的に変化する磁界駆動信号が供給される第１の磁界駆動信号配線と、
    前記複数の駆動配線の一方の端部側に配置され、前記第１の磁界駆動信号配線と並んで前記第２方向に延在し、基準信号が供給される第１の基準信号配線と、
    前記複数の駆動配線の他方の端部側に配置され、前記第２方向に延在し、前記磁界駆動信号が供給される第２の磁界駆動信号配線と、
    前記複数の駆動配線の他方の端部側に配置され、前記第２の磁界駆動信号配線と並んで前記第２方向に延在し、前記基準信号が供給される第２の基準信号配線と、
    前記複数の駆動配線の一方の端部と前記第１の磁界駆動信号配線とをそれぞれ接続する複数の第１スイッチと、前記複数の駆動配線の一方の端部と前記第１の基準信号配線とをそれぞれ接続する複数の第２スイッチとを含んだ第１駆動回路と、
    前記複数の駆動配線の他方の端部と前記第２の磁界駆動信号配線とをそれぞれ接続する複数の第３スイッチと、前記複数の駆動配線の他方の端部と前記第２の基準信号配線とをそれぞれ接続する複数の第４スイッチとを含んだ第２駆動回路と、
    を有し、
    外部近接物体を検出するとき、前記第１駆動回路は、前記第１の駆動配線の一方の端部に、対応する前記第１スイッチを介して前記磁界駆動信号を供給し、前記第２の駆動配線の一方の端部に、対応する前記第２スイッチを介して前記基準信号を供給し、前記第２駆動回路は、前記第１の駆動配線の他方の端部に、対応する前記第４スイッチを介して前記基準信号を供給し、前記第２の駆動配線の他方の端部に、対応する前記第３スイッチを介して前記磁界駆動信号を供給し、
    前記第１の駆動配線において発生した磁界と、前記第２の駆動配線において発生した磁界が、前記第１の駆動配線と前記第２の駆動配線との間の領域において重畳され、当該重畳された磁界に応じて前記外部近接物体が発生する磁界を、前記複数の検出配線によって検出する、表示装置。
  2. 請求項１に記載の表示装置において、
    前記外部近接物体を検出するとき、前記第２の駆動配線を流れる電流の方向は、前記第１の駆動配線を流れる電流の方向と反対方向である、表示装置。
  3. 請求項１または２に記載の表示装置において、
    前記複数の駆動配線は、前記第１の駆動配線と前記第２の駆動配線との間に配置された第３の駆動配線を備える、表示装置。
  4. 請求項３に記載の表示装置において、
    前記画素配列において、１フレームの表示期間の間に、前記外部近接物体を検出する動作は、複数段階実行され、所定の段階とき、前記第３の駆動配線の数は、所定の値とされ、前記所定の段階よりも後の段階のとき、前記第３の駆動配線の数は、前記所定の値よりも小さくされる、表示装置。
  5. 請求項１から４のうちのいずれか１つに記載の表示装置において、
    前記第１の駆動配線は、互いに隣接して配置された複数の駆動配線を備え、前記第２の駆動配線は、互いに隣接して配置された複数の駆動配線を備える、表示装置。
  6. 請求項１から５のうちのいずれか１つに記載の表示装置において、
    前記画素配列には、表示のとき、前記複数の画素に情報を供給する複数の信号線と、前記複数の信号線と交差する複数の駆動電極とが配置され、
    前記複数の駆動配線は、前記複数の駆動電極を備え、前記複数の検出配線は、前記複数の信号線を備える、表示装置。
  7. 請求項１から５のうちのいずれか１つに記載の表示装置において、
    前記画素配列は、複数の信号配線が形成された第１基板と、前記第１基板と対向するように配置された第２基板との間に介在し、表示すべき情報に従って変位する層とを備え、
    前記複数の駆動配線は、前記第１基板に形成された前記複数の信号配線を備え、前記複数の検出配線は、前記第２基板に形成された信号配線を備える、表示装置。
  8. 請求項１に記載の表示装置において、
    前記画素配列は、前記画素配列のそれぞれの列に沿って配置され、前記複数の画素に情報を供給する複数の信号線と、前記画素配列のそれぞれの行に沿って配置され、行に配置されている画素を選択する走査信号を供給する複数の走査線とを備え、
    前記複数の駆動配線は、前記複数の信号線または前記複数の走査線を含む、表示装置。
  9. 請求項８に記載の表示装置において、
    前記表示装置は、前記画素配列にドットマトリクス状に配置された複数の検出電極と、前記複数の検出電極に接続された複数の検出信号線を備え、
    前記複数の検出信号線は、前記複数の信号線と平行に配置され、検出電極における電荷量の変化に基づいて、外部近接物体を検出する、表示装置。
  10. 請求項９に記載の表示装置において、
    前記表示装置は、
    前記複数の信号線、前記複数の走査線、前記複数の検出信号線および前記複数の検出電極が形成された第１基板と、
    表示すべき情報に従って変位する層を介して、前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、
    を備え、
    前記複数の検出配線は、前記第２基板に形成された複数の信号配線を含む、表示装置。
  11. 請求項３または４に記載の表示装置において、
    前記第３の駆動配線は、前記第１の磁界駆動信号配線および前記第２の磁界駆動信号配線から分離されているか、または、前記第１の基準信号配線および前記第２の基準信号配線から分離されている、表示装置。
  12. 請求項１１に記載の表示装置において、
    前記第１駆動回路は、前記第３の駆動配線に対応する前記第１スイッチおよび前記第２スイッチを共にオフに制御し、前記第２駆動回路は、前記第３の駆動配線に対応する前記第３スイッチおよび前記第４スイッチを共にオフに制御する、表示装置。
  13. 互いに対向する第１辺と、第２辺を有する表示領域において、前記第１辺と前記第２辺との間に、第１方向に延在し、前記第１方向とは交差する第２方向に並んで配置された複数の駆動配線を備え、前記表示領域に近接する外部近接物体を検出する表示装置であって、
    前記表示装置は、
    前記複数の駆動配線の一方の端部側に配置され、前記第２方向に延在し、周期的に変化する磁界駆動信号が供給される第１の磁界駆動信号配線と、
    前記複数の駆動配線の一方の端部側に配置され、前記第１の磁界駆動信号配線と並んで前記第２方向に延在し、基準信号が供給される第１の基準信号配線と、
    前記複数の駆動配線の他方の端部側に配置され、前記第２方向に延在し、前記磁界駆動信号が供給される第２の磁界駆動信号配線と、
    前記複数の駆動配線の他方の端部側に配置され、前記第２の磁界駆動信号配線と並んで前記第２方向に延在し、前記基準信号が供給される第２の基準信号配線と、
    前記複数の駆動配線の一方の端部と前記第１の磁界駆動信号配線とをそれぞれ接続する複数の第１スイッチと、前記複数の駆動配線の一方の端部と前記第１の基準信号配線とをそれぞれ接続する複数の第２スイッチとを含んだ第１駆動回路と、
    前記複数の駆動配線の他方の端部と前記第２の磁界駆動信号配線とをそれぞれ接続する複数の第３スイッチと、前記複数の駆動配線の他方の端部と前記第２の基準信号配線とをそれぞれ接続する複数の第４スイッチとを含んだ第２駆動回路と、
    を備え、
    前記第１駆動回路は、前記第１辺に近接して配置された第１の駆動配線の一方の端部に、対応する前記第１スイッチを介して前記磁界駆動信号を供給し、前記第２駆動回路は、前記第１の駆動配線の他方の端部に、対応する前記第４スイッチを介して前記基準信号を供給し、
    前記第１駆動回路は、前記第１の駆動配線よりも、前記第２辺の近くに配置され、前記第１の駆動配線との間に第３の駆動配線を挟むように配置された第２の駆動配線の一方の端部に、対応する前記第２スイッチを介して前記基準信号を供給し、前記第２駆動回路は、前記第２の駆動配線の他方の端部に、対応する前記第３スイッチを介して前記磁界駆動信号を供給し、
    前記第１の駆動配線および前記第２の駆動配線に、前記磁界駆動信号および前記基準信号を供給することによって、前記第１の駆動配線と前記第２の駆動配線との間で発生した磁界に応じた前記外部近接物体からの磁界を検出し、
    前記第１の駆動配線および前記第２の駆動配線のそれぞれに該当する駆動配線が、前記第１辺から前記第２辺に向かって切り替わるように、前記第１駆動回路および前記第２駆動回路は、前記複数の駆動配線から選択された駆動配線に、前記磁界駆動信号および前記基準信号を供給することにより、前記表示領域における１フレームの表示期間において、前記表示領域に近接する前記外部近接物体の検出を行う、表示装置。
  14. 請求項１３に記載の表示装置において、
    前記１フレームの表示期間のうちの第１期間において、前記第１駆動回路および前記第２駆動回路は、前記第３の駆動配線の数が、第１の値となるように、前記複数の駆動配線から選択された駆動配線に、前記磁界駆動信号および前記基準信号を供給し、
    前記１フレームの表示期間であって、前記第１期間に続く第２期間において、前記第３の駆動配線の数が、前記第１の値よりも小さい第２の値となるように、前記複数の駆動配線から選択された駆動配線に、前記磁界駆動信号および前記基準信号を供給する、表示装置。
  15. 請求項１４に記載の表示装置において、
    前記第１期間において、前記第１の駆動配線に該当する駆動配線および前記第２の駆動配線に該当する駆動配線の数は、前記第２期間において、前記第１の駆動配線に該当する駆動配線および前記第２の駆動配線に該当する駆動配線の数よりも多い、表示装置。
  16. 請求項１３に記載の表示装置において、
    前記１フレームの表示期間のうちの第１期間において、前記表示領域に近接する前記外部近接物体が検出できないとき、前記１フレームの表示期間であって、前記第１期間に続く第２期間において、前記第１駆動回路は、前記複数の駆動配線に、電界駆動信号を供給する、表示装置。
  17. それぞれ第１方向に延在し、前記第１方向とは交差する第２方向に並んで配置され、第１の駆動配線および第２の駆動配線を含む複数の駆動配線と、
    前記第２方向に延在するように配置された複数の検出配線と、
    前記複数の駆動配線の一方の端部側に配置され、前記第２方向に延在し、周期的に変化する磁界駆動信号が供給される第１の磁界駆動信号配線と、
    前記複数の駆動配線の一方の端部側に配置され、前記第１の磁界駆動信号配線と並んで前記第２方向に延在し、基準信号が供給される第１の基準信号配線と、
    前記複数の駆動配線の他方の端部側に配置され、前記第２方向に延在し、前記磁界駆動信号が供給される第２の磁界駆動信号配線と、
    前記複数の駆動配線の他方の端部側に配置され、前記第２の磁界駆動信号配線と並んで前記第２方向に延在し、前記基準信号が供給される第２の基準信号配線と、
    前記複数の駆動配線の一方の端部と前記第１の磁界駆動信号配線とをそれぞれ接続する複数の第１スイッチと、前記複数の駆動配線の一方の端部と前記第１の基準信号配線とをそれぞれ接続する複数の第２スイッチとを備える第１駆動回路と、
    前記複数の駆動配線の他方の端部と前記第２の磁界駆動信号配線とをそれぞれ接続する複数の第３スイッチと、前記複数の駆動配線の他方の端部と前記第２の基準信号配線とをそれぞれ接続する複数の第４スイッチとを備える第２駆動回路と、
    を有し、
    外部近接物体を検出するとき、前記第１駆動回路は、前記第１の駆動配線の一方の端部に、対応する前記第１スイッチを介して前記磁界駆動信号を供給し、前記第２の駆動配線の一方の端部に、対応する前記第２スイッチを介して前記基準信号を供給し、前記第２駆動回路は、前記第１の駆動配線の他方の端部に、対応する前記第４スイッチを介して前記基準信号を供給し、前記第２の駆動配線の他方の端部に、対応する前記第３スイッチを介して前記磁界駆動信号を供給し、
    前記第１の駆動配線において発生した磁界と、前記第２の駆動配線において発生した磁界が、前記第１の駆動配線と前記第２の駆動配線との間の領域において重畳され、当該重畳された磁界に応じて前記外部近接物体が発生する磁界を、前記複数の検出配線によって検出する、タッチ検出装置。
JP2016046778A 2016-03-10 2016-03-10 表示装置およびタッチ検出装置 Active JP6698386B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016046778A JP6698386B2 (ja) 2016-03-10 2016-03-10 表示装置およびタッチ検出装置
US15/448,062 US10228809B2 (en) 2016-03-10 2017-03-02 Display device
CN202110454230.5A CN113176838A (zh) 2016-03-10 2017-03-09 显示装置
CN201710140517.4A CN107179853B (zh) 2016-03-10 2017-03-09 显示装置
US16/274,635 US10430012B2 (en) 2016-03-10 2019-02-13 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016046778A JP6698386B2 (ja) 2016-03-10 2016-03-10 表示装置およびタッチ検出装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017162247A JP2017162247A (ja) 2017-09-14
JP6698386B2 true JP6698386B2 (ja) 2020-05-27

Family

ID=59786646

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016046778A Active JP6698386B2 (ja) 2016-03-10 2016-03-10 表示装置およびタッチ検出装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10228809B2 (ja)
JP (1) JP6698386B2 (ja)
CN (2) CN107179853B (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6677587B2 (ja) * 2016-06-24 2020-04-08 株式会社ワコム 位置検出装置及び位置検出センサの制御方法
JP6854743B2 (ja) * 2017-11-15 2021-04-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP7073230B2 (ja) * 2018-08-24 2022-05-23 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2020030762A (ja) * 2018-08-24 2020-02-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN111090344B (zh) * 2018-10-24 2023-08-18 义隆电子股份有限公司 具有充电功能的触控装置及其充电控制方法
CN110837323A (zh) * 2019-03-05 2020-02-25 友达光电股份有限公司 触控显示装置
TWI847858B (zh) 2021-01-29 2024-07-01 南韓商希迪普公司 觸控裝置、其之驅動方法及觸控系統
CN112783377B (zh) * 2021-02-25 2023-02-28 惠州市华星光电技术有限公司 触控面板和触控装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3509149B2 (ja) * 1993-11-09 2004-03-22 セイコーエプソン株式会社 位置検出方法及び位置検出装置
JP3186946B2 (ja) 1994-05-31 2001-07-11 シャープ株式会社 座標検出装置
JPH1049301A (ja) 1996-08-01 1998-02-20 Sharp Corp 座標入力装置
JP2005352572A (ja) 2004-06-08 2005-12-22 Canon Inc 座標入力装置
JP2006163745A (ja) 2004-12-06 2006-06-22 Canon Inc 座標検出装置
JP4701069B2 (ja) * 2005-10-21 2011-06-15 キヤノン株式会社 表示一体型位置検出装置
JP5268262B2 (ja) 2006-02-24 2013-08-21 キヤノン株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置
WO2007148429A1 (ja) * 2006-06-19 2007-12-27 Newcom, Inc. 電磁誘導を用いて物体を検出する物体検出装置
JP4972782B2 (ja) 2007-06-22 2012-07-11 株式会社ワコム 位置検出装置
US8059103B2 (en) * 2007-11-21 2011-11-15 3M Innovative Properties Company System and method for determining touch positions based on position-dependent electrical charges
CN101930134B (zh) * 2009-06-19 2013-08-07 台均科技（深圳）有限公司 电磁感应式液晶面板及其制造方法和液晶显示器
US9069421B2 (en) * 2010-12-16 2015-06-30 Hung-Ta LIU Touch sensor and touch display apparatus and driving method thereof
TWI470530B (zh) * 2011-02-01 2015-01-21 Hungta Liu 觸控感應元件暨其觸控顯示器相關裝置及其觸控驅動方法
TWI442301B (zh) * 2011-09-23 2014-06-21 雙模數位板與其輸入訊號的偵測與切換方法
KR20130107886A (ko) * 2012-03-23 2013-10-02 삼성전기주식회사 디지타이저
KR102061569B1 (ko) * 2013-05-16 2020-01-03 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 구동방법
JP5914403B2 (ja) * 2013-03-29 2016-05-11 株式会社ジャパンディスプレイ タッチ検出機能付き表示装置及び電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
US20190179460A1 (en) 2019-06-13
CN107179853B (zh) 2021-05-07
CN107179853A (zh) 2017-09-19
US10430012B2 (en) 2019-10-01
US10228809B2 (en) 2019-03-12
CN113176838A (zh) 2021-07-27
JP2017162247A (ja) 2017-09-14
US20170262102A1 (en) 2017-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6698386B2 (ja) 表示装置およびタッチ検出装置
US10635198B2 (en) Display apparatus
CN106933435B (zh) 显示装置
US10386668B2 (en) Display device, input detection device and electronic apparatus
CN110058748B (zh) 显示装置
CN110568954B (zh) 显示装置
US10156952B2 (en) Input detection device and electronic device
CN110147177B (zh) 显示装置
TW201810006A (zh) 輸入檢測裝置及電子裝置
US10429973B2 (en) Input detection device
JP6595424B2 (ja) 入力検出装置
KR20170078162A (ko) 표시장치
JP2018037074A (ja) 表示装置、入力検出装置および電子装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180914

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190507

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190611

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190808

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200204

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200302

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200407

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200428

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6698386

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250