JP2020030762A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示装置に設けられた各種配線を電磁誘導方式の電極として共用しつつ、良好に電磁誘導方式のタッチ検出を行うことが可能な表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、基板と、表示領域に設けられた複数の画素電極と、複数の画素電極のそれぞれに接続されたスイッチング素子と、基板に垂直な方向において、スイッチング素子の半導体と基板との間に設けられ、第１方向に延出する複数の第１電極と、スイッチング素子に接続され、第１方向と交差する第２方向に延出する複数の信号線と、表示領域の外側の周辺領域に設けられ、複数の第１電極の端部を接続する接続部材と、電磁誘導方式による第１センサ期間に、第１駆動信号を第１電極又は信号線に出力する駆動回路と、を有する。【選択図】図８

Description

本発明は、表示装置に関する。

近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着又は一体化されて、タッチ検出装置付き表示機器として用いられている。このような外部近接物体の検出方法として、静電容量方式や電磁誘導方式が知られている。電磁誘導方式では、表示装置に磁界を発生するコイルと、磁界を検出するコイルが設けられる。外部物体であるペンには、共振回路を構成するコイルと容量素子が設けられる。表示装置は、表示装置の各コイルとペン内のコイルとの間の電磁誘導によってペンを検出する。下記特許文献１には、電磁誘導方式の座標入力装置が記載されている。

特開平１０−４９３０１号公報

静電容量方式と電磁誘導方式とでは、検出対象や検出電極の構成が大きく異なる。このため、表示装置に設けられた電極や各種配線及びこれらの駆動構成を、そのまま電磁誘導方式に採用すると、良好に電磁誘導方式のタッチ検出を行うことが困難となる可能性がある。

本発明は、表示装置に設けられた各種配線を電磁誘導方式の電極として共用しつつ、良好に電磁誘導方式のタッチ検出を行うことが可能な表示装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様の表示装置は、基板と、表示領域に設けられた複数の画素電極と、複数の前記画素電極のそれぞれに接続されたスイッチング素子と、前記基板に垂直な方向において、前記スイッチング素子の半導体と前記基板との間に設けられ、第１方向に延出する複数の第１電極と、前記スイッチング素子に接続され、前記第１方向と交差する第２方向に延出する複数の信号線と、前記表示領域の外側の周辺領域に設けられ、複数の前記第１電極の端部を接続する接続部材と、電磁誘導方式による第１センサ期間に、第１駆動信号を前記第１電極又は前記信号線に出力する駆動回路と、を有する。

本発明の一態様の表示装置は、基板と、表示領域に設けられた複数の画素電極と、複数の前記画素電極のそれぞれに接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続され、第１方向に延出する複数のゲート線と、前記スイッチング素子に接続され、前記第１方向と交差する第２方向に延出する複数の信号線と、前記表示領域の外側の周辺領域に設けられ、複数の前記ゲート線又は複数の信号線の端部を接続する接続部材と、電磁誘導方式による第１センサ期間に、第１駆動信号を前記ゲート線又は前記信号線に出力する駆動回路と、を有する。

図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成を示すブロック図である。 図２は、電磁誘導方式のタッチ検出を説明するための説明図である。 図３は、第１実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図４は、第１実施形態に係る表示装置を模式的に示す平面図である。 図５は、第１実施形態に係る表示装置の画素配列を表す回路図である。 図６は、図４のＶＩ−ＶＩ’断面図である。 図７は、第１実施形態に係る第１電極を拡大して示す平面図である。 図８は、第１実施形態に係る第１電極の接続構成を示す回路図である。 図９は、各種信号を供給する駆動回路を示すブロック図である。 図１０は、第１実施形態に係る信号線の接続構成を示す回路図である。 図１１は、第２実施形態に係る第１電極及び信号線の接続構成を示す回路図である。 図１２は、第２実施形態に係る第１電極と検出信号出力線との接続部分を拡大して示す平面図である。 図１３は、図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ’断面図である。 図１４は、第３実施形態に係るゲート線及び信号線の接続構成を示す回路図である。 図１５は、第３実施形態に係る表示装置の動作例を示すタイミング波形図である。 図１６は、第４実施形態に係るゲート線及び信号線の接続構成を示す回路図である。 図１７は、第５実施形態に係る表示装置を模式的に示す平面図である。 図１８は、第６実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成を示すブロック図である。本実施形態の表示装置１は、被検出体の表示面への接触や近接を検出する検出機能が内蔵されている。図１に示すように、表示装置１は、表示パネル２０と、第１検出制御回路１０と、第２検出制御回路１２と、表示制御回路１４と、ゲートドライバ１５と、第１接続切替回路１６と、第２接続切替回路１７と、駆動回路１８と、コントローラ２００と、を有する。

表示パネル２０は、例えば、表示素子として液晶を用いた液晶表示装置である。表示パネル２０は、ゲートドライバ１５から供給される走査信号Ｖｓｃａｎに従って表示を行う装置である。より具体的には、表示パネル２０は、走査信号Ｖｓｃａｎに従って、１水平ラインずつ順次走査して表示を行う装置である。

コントローラ２００は、第１検出制御回路１０、第２検出制御回路１２及び表示制御回路１４に制御信号Ｖｃｔｒｌを供給して、表示パネル２０の表示及び検出を制御する回路である。なお、第１検出制御回路１０、第２検出制御回路１２及び表示制御回路１４は、駆動ＩＣ（Integrated Circuit）１９として表示パネル２０に設けられている。ただし、駆動ＩＣ１９は、表示パネル２０に接続された配線基板７１や、制御回路基板に設けられていてもよい。また、第１検出制御回路１０、第２検出制御回路１２、駆動回路１８及び表示制御回路１４の少なくとも一部は、駆動ＩＣ１９に内蔵されることなく、表示パネル２０に設けられてもよい。配線基板７１は、例えば、フレキシブルプリント基板である。

表示制御回路１４は、コントローラ２００より供給された映像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１５、第１接続切替回路１６にそれぞれ制御信号を供給する。

ゲートドライバ１５は、表示制御回路１４から供給される制御信号に基づいて、表示パネル２０の、表示駆動の対象となる１水平ラインを順次選択する回路である。

第１接続切替回路１６及び第２接続切替回路１７は、第１検出制御回路１０からの切替信号Ｖｓｓに基づいて、信号線ＳＧＬの接続状態を変更するスイッチ回路である。第１接続切替回路１６は、表示期間に、表示制御回路１４から供給される制御信号に基づいて、表示パネル２０の各画素Ｐｉｘに画素信号Ｖｐｉｘを供給する。また、表示制御回路１４は、表示期間に、駆動回路１８を介して検出電極２２に表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。

表示パネル２０は、自己静電容量方式のタッチ検出により、表示パネル２０の表示面に接触又は近接した指の位置を検出する機能を含む。又、表示パネル２０は、電磁誘導方式のタッチ検出により、表示面に接触又は近接したタッチペン１００を検出する機能を含む。タイミングコントローラＴＣは、第１検出制御回路１０による電磁誘導方式のタッチ検出、第２検出制御回路１２による自己静電容量方式のタッチ検出、及び、表示制御回路１４による表示のタイミングを制御するための制御信号ＴＳＶＤ、ＴＳＨＤを供給する。

第１検出制御回路１０は、駆動ＩＣ１９に含まれるタイミングコントローラＴＣから供給される制御信号ＴＳＶＤ、ＴＳＨＤに基づいて、電磁誘導方式のタッチ検出を制御する回路である。第１検出制御回路１０は、電磁誘導方式の検出期間（以下、第１センサ期間と表す）に、表示パネル２０の電極又は配線により形成される送信コイルＣＴｘに、駆動回路１８を介して、第１駆動信号ＶＴＰを供給する。表示パネル２０の受信コイルＣＲｘは、電磁誘導方式によりタッチペン１００の接触又は近接を検出した場合、第１検出信号Ｖｄｅｔ１を第１検出制御回路１０に出力する。なお、本実施形態において、送信コイルＣＴｘは、第１電極６７であり、受信コイルＣＲｘは信号線ＳＧＬである。

第２検出制御回路１２は、コントローラ２００及びタイミングコントローラＴＣから供給される制御信号に基づいて、静電容量方式のタッチ検出を制御する回路である。第２検出制御回路１２は、静電容量方式の検出期間（以下、第２センサ期間と表す）に、駆動回路１８を介して、表示パネル２０の検出電極２２に第２駆動信号ＶＳＥＬＦを供給する。表示パネル２０は、静電容量方式により指の接触又は近接を検出した場合、第２検出信号Ｖｄｅｔ２を第２検出制御回路１２に出力する。第１駆動信号ＶＴＰ及び第２駆動信号ＶＳＥＬＦは、例えば、所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波である。なお、第１駆動信号ＶＴＰ及び第２駆動信号ＶＳＥＬＦの交流波形は、サイン波や三角波であってもよい。

第１検出制御回路１０は、第１検出信号Ｖｄｅｔ１を受信コイルＣＲｘから受け取る第１検出回路１１を備える。第１検出回路１１は、受信した第１検出信号Ｖｄｅｔ１を出力信号として表示パネル２０の外部（例えば、コントローラ２００）に送信する。また、第２検出制御回路１２は、第２検出信号Ｖｄｅｔ２を検出電極２２から受け取る第２検出回路１３を備える。第２検出回路１３は、受信した第２検出信号Ｖｄｅｔ２を出力信号として表示パネル２０の外部（例えば、コントローラ２００）に送信する。第１検出回路１１及び第２検出回路１３は、例えば、アナログフロントエンド（以下ＡＦＥ（Analog Front End）と表す）回路である第１検出回路１１及び第２検出回路１３は、例えば、それぞれに供給された第１検出信号Ｖｄｅｔ１及び第２検出信号Ｖｄｅｔ２のノイズを抑制するフィルタ回路や、信号成分を増幅する増幅回路など信号調整を行う信号処理回路を備える。なお、第１検出回路１１及び第２検出回路１３は、信号処理回路を備えず、第１検出信号Ｖｄｅｔ１及び第２検出信号Ｖｄｅｔ２をそのまま出力信号としてコントローラ２００に供給し、コントローラ２００にフィルタ回路や増幅回路等の信号処理回路を備えてもよい。

第１検出制御回路１０及び第２検出制御回路１２は、それぞれ、第１検出信号Ｖｄｅｔ１及び第２検出信号Ｖｄｅｔ２の信号処理を行うＡ／Ｄ変換回路、信号処理回路、座標抽出回路等を備えていてもよい。或いは、コントローラ２００がＡ／Ｄ変換回路、信号処理回路、座標抽出回路等を備えていてもよい。

Ａ／Ｄ変換回路は、第１駆動信号ＶＴＰ又は第２駆動信号ＶＳＥＬＦに同期したタイミングで、表示パネル２０から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。

信号処理回路は、Ａ／Ｄ変換回路の出力信号に基づいて、表示パネル２０に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理回路は、指による検出信号の差分の信号（絶対値｜ΔＶ｜）を取り出す処理を行う。信号処理回路は、絶対値｜ΔＶ｜を所定の閾値電圧と比較し、この絶対値｜ΔＶ｜が閾値電圧未満であれば、被検出体が非存在状態であると判断する。一方、信号処理回路は、絶対値｜ΔＶ｜が閾値電圧以上であれば、被検出体の存在状態と判断する。

座標抽出回路は、信号処理回路において被検出体が検出されたときに、被検出体の座標を求める論理回路である。座標抽出回路は、被検出体の座標を出力信号として出力する。座標抽出回路は、出力信号を表示パネル２０の外部（例えば、コントローラ２００）に出力する。

次に、図２を参照して、本実施形態の表示パネル２０の電磁誘導方式によるタッチ検出について説明する。図２は、電磁誘導方式のタッチ検出を説明するための説明図である。

図２に示すように、電磁誘導方式では、タッチペン１００の接触又は近接を検出する。タッチペン１００の内部には、共振回路１０１が設けられている。共振回路１０１は、コイル１０２と容量素子１０３とが並列接続されて構成される。

電磁誘導方式では、送信コイルＣＴｘと受信コイルＣＲｘが重なって設けられる。送信コイルＣＴｘは、第１方向Ｄｘに長手を有し、受信コイルＣＲｘは、第２方向Ｄｙに長手を有する。受信コイルＣＲｘは、平面視で送信コイルＣＴｘと交差して設けられる。送信コイルＣＴｘは、駆動回路１８に接続され、受信コイルＣＲｘは第１検出回路１１（図１参照）に接続される。

図２に示すように、磁界発生期間では、第１検出制御回路１０により駆動回路１８を介して送信コイルＣＴｘに所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波が印加される。これにより、送信コイルＣＴｘに電流が流れ、送信コイルＣＴｘはこの電流変化に応じた磁界Ｍ１を発生する。タッチペン１００が接触又は近接している場合、送信コイルＣＴｘとコイル１０２との相互誘導による起電力がコイル１０２に発生する。これにより、容量素子１０３が充電される。

次に、磁界検出期間では、タッチペン１００のコイル１０２は、共振回路１０１の共振周波数に応じて変化する磁界Ｍ２を発生する。磁界Ｍ２が受信コイルＣＲｘを通過することで、受信コイルＣＲｘとコイル１０２との相互誘導による起電力が受信コイルＣＲｘに発生する。第１検出回路１１には、受信コイルＣＲｘの起電力に応じた電流が流れる。送信コイルＣＴｘ及び受信コイルＣＲｘを走査することにより、タッチペン１００の検出が行われる。

図３は、第１実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図４は、第１実施形態に係る表示装置を模式的に示す平面図である。図３に示すように、表示装置１は、アレイ基板２と、対向基板３と、液晶層６と、偏光板２５と、偏光板３５とを備えている。対向基板３は、アレイ基板２の表面に垂直な方向に対向して配置される。液晶層６は、アレイ基板２と対向基板３との間に設けられる。

アレイ基板２は、第１基板２１と、検出電極２２と、画素電極２４とを含む。アレイ基板２は、各画素Ｐｉｘを駆動するための駆動回路基板であり、バックプレーンも呼ばれる。第１基板２１には、ゲートドライバ１５に含まれるゲートスキャナ等の回路や、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等のスイッチング素子Ｔｒや、ゲート線ＧＣＬ、信号線ＳＧＬ（図５参照）等の各種配線が設けられる。画素電極２４は、第１基板２１の一方の面にマトリクス状に配列される。

検出電極２２は、第１基板２１と画素電極２４との間に設けられる。画素電極２４と、検出電極２２とは、絶縁層２７を介して絶縁されている。また、第１基板２１の他方の面には、接着層２６を介して偏光板２５が設けられている。なお、本実施形態では、画素電極２４が検出電極２２の上側に設けられる例について説明したが、検出電極２２が画素電極２４の上側に設けられていてもよい。言い換えると、第１基板２１と検出電極２２との間に画素電極２４が配置されていてもよい。

また、第１基板２１には、駆動ＩＣ１９と、配線基板７１が設けられる。駆動ＩＣ１９は、図１に示す第１検出制御回路１０、第２検出制御回路１２及び表示制御回路１４の機能の全部又は一部を含む。駆動ＩＣ１９は２以上のＩＣチップからなってもよく、一部のＩＣチップが配線基板７１上に配置されてもよい。

図３に示すように、対向基板３は、第２基板３１と、カラーフィルタ３２とを含む。カラーフィルタ３２は、第２基板３１の、第１基板２１と対向する面に設けられる。また、カラーフィルタ３２は、第１基板２１と垂直な方向において、液晶層６と対向する。第２基板３１の上に、接着層３６を介して偏光板３５が設けられている。第１基板２１及び第２基板３１は、可視光を透過可能な透光性を有するガラス基板である。又は、第１基板２１及び第２基板３１は、ポリイミド等の樹脂で構成された透光性の樹脂基板又は樹脂フィルムであってもよい。なお、カラーフィルタ３２は、第１基板２１に設けられていてもよい。

第１基板２１と第２基板３１とは、シール部６６により所定の間隔を設けて対向して配置される。第１基板２１、第２基板３１及びシール部６６によって囲まれた空間に液晶層６が設けられる。液晶層６は、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、例えば、ＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）を含むＩＰＳ（インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶が用いられる。液晶層６は、画像を表示するための表示層として設けられる。なお、図３に示す液晶層６とアレイ基板２との間、及び液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜が配設される。

なお、本明細書において、第１基板２１の表面に垂直な方向において、第１基板２１から第２基板３１に向かう方向を「上側」とする。また、第２基板３１から第１基板２１に向かう方向を「下側」とする。また、「平面視」とは、第１基板２１の表面に垂直な方向から見た場合を示す。

また、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙは、第１基板２１の表面に対して平行な方向である。第１方向Ｄｘは、第２方向Ｄｙと直交する。ただし、第１方向Ｄｘは、第２方向Ｄｙと直交しないで交差してもよい。第３方向Ｄｚは、第１基板２１の表面に垂直な方向である。第３方向Ｄｚは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと直交する。

図４に示すように、第１基板２１は、表示パネル２０の表示領域ＡＡと、表示領域ＡＡの外側に設けられた周辺領域ＧＡとに対応する領域が形成されている。表示領域ＡＡは、複数の画素Ｐｉｘと重なる領域である。また、表示領域ＡＡは、検出電極２２や第１電極６７（図６参照）等の検出素子を含む領域である。言い換えると、表示領域ＡＡは、指等のタッチの有無や、タッチペン１００を検出可能な領域である。

複数の検出電極２２は、表示領域ＡＡにマトリクス状に配列されている。それぞれの検出電極２２は、平面視で矩形状又は正方形状である。検出電極２２は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性を有する導電性材料で構成されている。なお、検出電極２２は、多角形状等、他の形状であってもよい。

検出電極配線５１は、検出電極２２のそれぞれに電気的に接続される。複数の検出電極配線５１は、第２方向Ｄｙに延出し、第１方向Ｄｘに並んで配列される。本実施形態では、検出電極配線５１は、検出電極２２と異なる層に設けられ、平面視で検出電極２２と重なる領域に設けられる。検出電極配線５１は、それぞれ、駆動ＩＣ１９に含まれる第２検出回路１３に接続される。

図５は、第１実施形態に係る表示装置の画素配列を表す回路図である。図５に示すように、表示パネル２０は、マトリクス状に配列された複数の画素Ｐｉｘを有している。画素Ｐｉｘは、それぞれスイッチング素子Ｔｒ及び液晶素子６ａを備えている。スイッチング素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）型のＴＦＴで構成されている。画素電極２４と検出電極２２（共通電極）との間に絶縁層２７が設けられ、これらによって図５に示す保持容量６ｂが形成される。

図１に示すゲートドライバ１５は、ゲート線ＧＣＬを順次選択する。ゲートドライバ１５は、選択されたゲート線ＧＣＬを介して、走査信号Ｖｓｃａｎを画素Ｐｉｘのスイッチング素子Ｔｒのゲートに印加する。これにより、画素Ｐｉｘのうちの１行（１水平ライン）が表示駆動の対象として順次選択される。また、表示制御回路１４に含まれるソースドライバは、選択された１水平ラインを構成する画素Ｐｉｘに、信号線ＳＧＬを介して画素信号Ｖｐｉｘを供給する。そして、これらの画素Ｐｉｘでは、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じて１水平ラインずつ表示が行われるようになっている。なお、図４において、ゲートドライバ１５は、周辺領域ＧＡのうち、表示領域ＡＡを挟んで対向する２つの領域に配置されているが、いずれか一方に配置されていてもよい。

図３に示すカラーフィルタ３２は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタ３２の色領域３２Ｒ、色領域３２Ｇ及び色領域３２Ｂが周期的に配列されている。図５に示す各画素Ｐｉｘに、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色領域３２Ｒ、色領域３２Ｇ及び色領域３２Ｂが対応付けられる。なお、画素Ｐｉｘに対応付けられる色領域は、異なる色であればよく、他の色の組み合わせであってもよい。また、画素Ｐｉｘに対応付けられる色領域は、３色の組み合わせに限定されず、４色以上の組み合わせであってもよい。

図３及び図４に示す検出電極２２は、表示パネル２０の複数の画素Ｐｉｘに共通の電位を与える共通電極として機能するとともに、自己静電容量方式によるタッチ検出を行う際の駆動電極及び検出電極としても機能する。表示期間においては、表示制御回路１４は、駆動回路１８を介して検出電極２２に、表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。

表示装置１の動作方法の一例として、表示装置１は、電磁誘導方式のタッチ検出（第１センサ期間）と、自己静電容量方式のタッチ検出（第２センサ期間）と、表示動作（表示期間）とを時分割に行う。各検出と表示とはどのように分けて行ってもよい。

図６は、図４のＶＩ−ＶＩ’断面図である。図７は、第１実施形態に係る第１電極を拡大して示す平面図である。なお、図６では、画素Ｐｉｘに設けられたスイッチング素子Ｔｒの断面構成を併せて示している。

図６に示すように、スイッチング素子Ｔｒは、半導体６１、ソース電極６２、ドレイン電極６３及びゲート電極６４を含む。半導体６１は、第１絶縁層９１を介して第１基板２１の上に設けられる。第１絶縁層９１、第２絶縁層９２、第３絶縁層９３及び絶縁層２７は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）又はシリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）等の無機絶縁材料が用いられる。また、各無機絶縁層は、単層に限定されず積層膜であってもよい。

第２絶縁層９２は、半導体６１を覆って第１絶縁層９１の上に設けられる。ゲート電極６４は、第２絶縁層９２の上に設けられる。ゲート電極６４は、ゲート線ＧＣＬのうち、半導体６１と重なる部分である。第３絶縁層９３は、半導体６１を覆って第２絶縁層９２の上に設けられる。半導体６１のゲート電極６４と重なる部分にチャネル領域が形成される。

図６に示す例では、スイッチング素子Ｔｒは、いわゆるトップゲート構造である。ただし、スイッチング素子Ｔｒは、半導体６１の下側にゲート電極６４が設けられたボトムゲート構造でもよい。また、スイッチング素子Ｔｒは、第１基板２１に垂直な方向において、半導体６１を挟んでゲート電極６４が設けられたデュアルゲート構造でもよい。

半導体６１は、例えば、アモルファスシリコン、微結晶酸化物半導体、アモルファス酸化物半導体、ポリシリコン、低温ポリシリコン（以下、ＬＴＰＳ（Low Temperature Polycrystalline Silicone）と表す）又は窒化ガリウム（ＧａＮ）で構成される。

ソース電極６２及びドレイン電極６３は、第３絶縁層９３の上に設けられる。本実施形態では、ソース電極６２は、コンタクトホールＨ２を介して半導体６１と電気的に接続される。ドレイン電極６３は、コンタクトホールＨ３を介して半導体６１と電気的に接続される。ソース電極６２は、信号線ＳＧＬのうち、半導体６１と重なる部分である。

第４絶縁層９４及び第５絶縁層９５は、ソース電極６２及びドレイン電極６３を覆って、第３絶縁層９３の上に設けられる。第４絶縁層９４及び第５絶縁層９５は、スイッチング素子Ｔｒや、各種配線で形成される凹凸を平坦化する平坦化層である。

第４絶縁層９４の上に、中継電極６５及び検出電極配線５１が設けられる。中継電極６５は、コンタクトホールＨ４を介してドレイン電極６３と電気的に接続される。検出電極配線５１は、信号線ＳＧＬの上側に設けられる。また、第５絶縁層９５の上に検出電極２２が設けられる。検出電極２２は、コンタクトホールＨ１を介して検出電極配線５１と電気的に接続される。

画素電極２４は、絶縁層２７及び第５絶縁層９５に設けられたコンタクトホールＨ５を介して中継電極６５と電気的に接続される。コンタクトホールＨ５は、検出電極２２の開口２２ａに重なる位置に形成される。このような構成により、画素電極２４は、スイッチング素子Ｔｒと接続される。

第１電極６７は、第１基板２１に垂直な方向において、第１基板２１と半導体６１との間に設けられる。言い換えると、第１基板２１に垂直な方向において、第１電極６７とゲート電極６４との間に半導体６１が設けられる。第１電極６７は、第１基板２１よりも光の透過率が小さい材料であり、遮光層として用いられる。第１電極６７は、例えば金属材料が用いられる。

図７に示すように、信号線ＳＧＬは、方向Ｄ１に沿って傾斜する第１部分ＳＧＬｓと、方向Ｄ２に沿って傾斜する第２部分ＳＧＬｔとが、第２方向Ｄｙに交互に連結される。信号線ＳＧＬは、全体として第２方向Ｄｙに延出する。ゲート線ＧＣＬは、信号線ＳＧＬと交差して第１方向Ｄｘに延出する。なお、図７では、図面を見やすくするために、各画素Ｐｉｘの画素電極２４を省略して示している。

ここで、方向Ｄ１は、第２方向Ｄｙに対して角度θ１だけ傾斜する方向である。方向Ｄ２は、第２方向Ｄｙに対して方向Ｄ１と反対側に傾斜する方向である。方向Ｄ２と第２方向Ｄｙとが成す角度は角度θ２である。角度θ１は角度θ２と等しい。ただし、角度θ１は角度θ２と異なっていてもよい。

第１電極６７は、ゲート線ＧＣＬに沿って第１方向Ｄｘに延出し、ゲート線ＧＣＬ及びスイッチング素子Ｔｒの下に設けられる。第１電極６７は、第１方向Ｄｘに配列された複数の画素Ｐｉｘ及びスイッチング素子Ｔｒに亘って連続して設けられる。第１電極６７は、遮光層であり、少なくとも半導体６１とゲート線ＧＣＬとが交差する部分の下に設けられていればよい。これにより、第１電極６７は、スイッチング素子Ｔｒの光リーク電流を抑制することができる。

図８は、第１実施形態に係る第１電極の接続構成を示す回路図である。図９は、各種信号を供給する駆動回路を示すブロック図である。図８は、第１センサ期間での、第１電極の接続構成を示す。

図８に示すように、複数の第１電極６７−１、６７−２、…、６７−１０は、第２方向Ｄｙに配列されている。なお、以下の説明において、第１電極６７−１、６７−２、…、６７−１０を区別して説明する必要がない場合には、第１電極６７と表す。また、以下の説明では、図８を参照しつつ、第１電極６７の一端を左端とし、他端を右端と表す。

複数の第１電極６７の左端側に第１駆動信号供給配線５２と第２駆動信号供給配線５４とが設けられ、右端側に第１駆動信号供給配線５３と第２駆動信号供給配線５５が設けられる。第１駆動信号供給配線５２、５３及び第２駆動信号供給配線５４、５５は、第１電極６７に第１駆動信号ＶＴＰを供給するための配線である。

スイッチＳＷ１１は、第１電極６７のそれぞれの左端と、第１駆動信号供給配線５２との間に設けられる。スイッチＳＷ１２は、第１電極６７のそれぞれの左端と第２駆動信号供給配線５４との間に設けられる。スイッチＳＷ１１及びスイッチＳＷ１２は、第１電極６７のそれぞれの左端に並列に接続される。

また、スイッチＳＷ１３は、第１電極６７のそれぞれの右端と第１駆動信号供給配線５３との間に設けられる。スイッチＳＷ１４は、第１電極６７の右端と第２駆動信号供給配線５５との間に設けられる。スイッチＳＷ１３及びスイッチＳＷ１４は、第１電極６７のそれぞれの右端に並列に接続される。第１駆動信号供給配線５２、５３、第２駆動信号供給配線５４、５５及びスイッチＳＷ１１からスイッチＳＷ１４は、周辺領域ＧＡに設けられる。第１駆動信号供給配線５２、５３、第２駆動信号供給配線５４、５５及びスイッチＳＷ１１からスイッチＳＷ１４は、複数の第１電極６７の端部どうしを接続する接続部材である。

ここで、図９に示すように、駆動回路１８は、検出電極配線５１、第１駆動信号供給配線５２、５３及び第２駆動信号供給配線５４、５５を介して、各種信号を検出電極２２及び第１電極６７に供給する。駆動回路１８は、表示駆動信号供給回路１８Ａ、第２駆動信号供給回路１８Ｂ、第１電圧供給回路１８Ｃ及び第２電圧供給回路１８Ｄを含む。表示駆動信号供給回路１８Ａ、第２駆動信号供給回路１８Ｂ、第１電圧供給回路１８Ｃ及び第２電圧供給回路１８Ｄは、駆動ＩＣ１９（図１参照）に搭載されている。なお、表示駆動信号供給回路１８Ａ、第２駆動信号供給回路１８Ｂ、第１電圧供給回路１８Ｃ及び第２電圧供給回路１８Ｄの少なくとも一部は、表示パネル２０に回路として設けられていてもよい。

表示駆動信号供給回路１８Ａは、検出電極配線５１を介して、表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを検出電極２２に供給する。第２駆動信号供給回路１８Ｂは、検出用の第２駆動信号ＶＳＥＬＦを、検出電極配線５１を介して検出電極２２に供給する。第１電圧供給回路１８Ｃは、第１駆動信号供給配線５２、５３を介して、第１電位を有する直流の第１電圧ＶＴＰＨを第１電極６７に供給する。第２電圧供給回路１８Ｄは、第２駆動信号供給配線５４、５５を介して、第２電圧ＶＴＰＬを第１電極６７に供給する。第２電圧ＶＴＰＬは、第１電位よりも小さい第２電位を有する直流の電圧信号である。

図８に示すように、第１センサ期間では、第１検出制御回路１０からの制御信号に応じて、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４が動作し、送信コイルＣＴｘを形成する第１電極６７が選択される。具体的には、第１電極６７−２、６７−３、６７−４及び第１電極６７−６、６７−７、６７−８が第１電極ブロックＢＫ１、ＢＫ２として選択される。それ以外の第１電極６７は、非選択電極ブロックである。第１電極６７−４と第１電極６７−６との間の領域は、被検出体を検出する検出領域Ａｅｍである。

第１電極６７−２、６７−３、６７−４の左側では、スイッチＳＷ１１はオフになり、スイッチＳＷ１２はオンになる。これにより、第１電極６７−２、６７−３、６７−４の左端は、第２駆動信号供給配線５４と電気的に接続される。また、第１電極６７−２、６７−３、６７−４の右側では、スイッチＳＷ１３はオンになり、スイッチＳＷ１４はオフになる。これにより、第１電極６７−２、６７−３、６７−４の右端は、第１駆動信号供給配線５３と電気的に接続される。

第１電極６７−６、６７−７、６７−８の左側では、スイッチＳＷ１１はオンになり、スイッチＳＷ１２はオフになる。これにより、第１電極６７−６、６７−７、６７−８の左端は、第１駆動信号供給配線５２と電気的に接続される。第１電極６７−６、６７−７、６７−８の右側では、スイッチＳＷ１３はオフになり、スイッチＳＷ１４はオンになる。これにより、第１電極６７−６、６７−７、６７−８の右端は、第２駆動信号供給配線５５と電気的に接続される。

これにより、第１センサ期間では、第１電極６７−２、６７−３、６７−４の左端側に第２電圧供給回路１８Ｄが接続され、右端側に第１電圧供給回路１８Ｃが接続される。また、第１電極６７−６、６７−７、６７−８の左端側に第１電圧供給回路１８Ｃが接続され、右端側に第２電圧供給回路１８Ｄが接続される。

第２電圧供給回路１８Ｄは、第２駆動信号供給配線５４を介して、第２電圧ＶＴＰＬを第１電極６７−２、６７−３、６７−４の左端に供給する。また、第１電圧供給回路１８Ｃは、第１駆動信号供給配線５３を介して、第１電圧ＶＴＰＨを第１電極６７−２、６７−３、６７−４の右端に供給する。これにより、第１電極６７−２、６７−３、６７−４の左端と右端とで電位差が生じ、電流Ｉ１が右端から左端に向かう方向に流れる。

第１電圧供給回路１８Ｃは、第１駆動信号供給配線５２を介して、第１電圧ＶＴＰＨを第１電極６７−６、６７−７、６７−８の左端に供給する。また、第２電圧供給回路１８Ｄは、第２駆動信号供給配線５５を介して、第２電圧ＶＴＰＬを第１電極６７−６、６７−７、６７−８の右端に供給する。これにより、第１電極６７−６、６７−７、６７−８の左端と右端とで電位差が生じ、電流Ｉ２が左端から右端に向かう方向に流れる。

第１検出制御回路１０は、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４の動作を切り替えることにより、第１電極６７の両端に供給される第１電圧ＶＴＰＨと第２電圧ＶＴＰＬとを所定の周波数で変更する。これにより、第１センサ期間に、駆動回路１８は、第１電極６７に交流の電圧信号である第１駆動信号ＶＴＰを供給する。

第１電極６７に流れる電流Ｉ１、Ｉ２により磁界が発生し電磁誘導が形成される。電流Ｉ１と電流Ｉ２とは互いに反対方向に流れる。このため、電流Ｉ１により発生する磁界と、電流Ｉ２により発生する磁界は、検出領域Ａｅｍで重なり合う。これにより、検出領域Ａｅｍを通る磁界の強度を高めることができる。電流Ｉ１と電流Ｉ２とにより発生する磁界は、図３に示す電磁誘導方式の磁界発生期間に発生する磁界Ｍ１に相当する。また、第１電極ブロックＢＫ１に含まれる第１電極６７−２、６７−３、６７−４及び第１電極ブロックＢＫ２に含まれる第１電極６７−６、６７−７、６７−８が送信コイルＣＴｘに相当する。

また、図８において、非選択電極ブロックの第１電極６７（第１電極６７−１、６７−５、６７−９、６７−１０）は、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２及びスイッチＳＷ１３、ＳＷ１４がオフになる。これにより、非選択電極ブロックの第１電極６７はフローティング状態となる。

第１検出制御回路１０は、第１電極６７−１から第１電極６７−１０を、順次選択する。これにより、電磁誘導方式により、表示領域ＡＡの全体のタッチ検出が行われる。なお、周辺領域ＧＡにも第１電極６７が設けられていてもよい。これにより、表示領域ＡＡの周縁部においても磁界を発生させることができる。

図８では、６つの第１電極６７により送信コイルＣＴｘが形成される。ただし、これに限定されず、検出領域Ａｅｍの一方に配置された１つ又は２つの第１電極６７と、他方に配置された１つ又は２つの第１電極６７とで送信コイルＣＴｘを形成してもよい。検出領域Ａｅｍの一方に配置された４つ以上の第１電極６７と、他方に配置された４つ以上の第１電極６７とで送信コイルＣＴｘを形成してもよい。また、これらの数が同数ではなく、一方の第１電極６７の数が他方の第１電極６７の数と異なる構成も採用可能である。なお、電流の流れる方向の異なる複数の第１電極２３の間、すなわち、電流Ｉ１が流れる複数の第１電極６７と、電流Ｉ２が流れる複数の第１電極６７との間に配置される第１電極６７の数は、１つに限らず、０でも２以上の整数であってもよい。

このように、表示装置１は、第１電極６７に第１電圧ＶＴＰＨを供給する第１駆動信号供給配線５２、５３と、第１電極６７に第１電圧ＶＴＰＨよりも小さい第２電圧ＶＴＰＬを供給する第２駆動信号供給配線５４、５５と、を有する。第１センサ期間に、少なくとも１つの第１電極６７の一端側に第１駆動信号供給配線５２が接続され、他端側に第２駆動信号供給配線５５が接続される。また、少なくとも１つの第１電極６７の他の第１電極６７の一端側に第２駆動信号供給配線５４が接続され、他端側に第１駆動信号供給配線５３が接続される。

表示期間では、表示駆動信号供給回路１８Ａは、検出電極２２に検出電極配線５１を介して表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。また、表示期間では、第１検出制御回路１０からの制御信号に応じて、全てのスイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４がオフになる。これにより、全ての第１電極６７は、第１駆動信号供給配線５２、５３及び第２駆動信号供給配線５４、５５と遮断され、フローティング状態となる。

また、自己静電容量方式の検出期間では、第２駆動信号供給回路１８Ｂは、検出用の第２駆動信号ＶＳＥＬＦを、検出電極配線５１を介して検出電極２２に供給する。検出電極２２は、被検出体の接触又は近接に起因する自己静電容量変化に応じた信号（第２検出信号Ｖｄｅｔ２）を、第２検出回路１３に出力する。この場合に、第１検出制御回路１０は、全てのスイッチＳＷ１１、ＳＷ１３をオンとし、全てのスイッチＳＷ１２、ＳＷ１４をオフとする。第２駆動信号供給回路１８Ｂは、第１駆動信号供給配線５２、５３を介して全ての第１電極６７にガード駆動信号を供給する。ガード駆動振動は、第２駆動信号ＶＳＥＬＦと同期した同じ振幅を有する電圧信号である。これにより、検出電極２２と第１電極６７との容量結合を抑制することができる。

なお、図８に示す接続構成は、あくまで一例であり適宜変更できる。例えば、第１センサ期間において、第１電圧供給回路１８Ｃ及び第２電圧供給回路１８Ｄは、第１電極６７の左端にのみ第１電圧ＶＴＰＨ及び第２電圧ＶＴＰＬを供給してもよい。第２電圧供給回路１８Ｄは、第２駆動信号供給配線５４を介して、第２電圧ＶＴＰＬを第１電極６７−２、６７−３、６７−４の左端に供給する。また、第１電圧供給回路１８Ｃは、第１駆動信号供給配線５２を介して、第１電圧ＶＴＰＨを第１電極６７−６、６７−７、６７−８の左端に供給する。

そして、第１電極６７−２、６７−３、６７−４の右端と、第１電極６７−６、６７−７、６７−８の右端とは、第１駆動信号供給配線５３及び第２駆動信号供給配線５５の少なくとも一方により電気的に接続される。この場合であっても、第１電極６７−２、６７−３、６７−４及び第１電極６７−６、６７−７、６７−８は、送信コイルＣＴｘとして形成される。

図１０は、第１実施形態に係る信号線の接続構成を示す回路図である。図１０では、複数の信号線ＳＧＬのうち、４つの信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ２、ＳＧＬ３、ＳＧＬ４を示す。なお、以下の説明において信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ２、ＳＧＬ３、ＳＧＬ４を区別して説明する必要がない場合には、信号線ＳＧＬと表す。また、図１０では、第１電極６７を二点鎖線で示す。

図１０に示すように、信号線ＳＧＬは、平面視で第１電極６７と交差して設けられる。信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ２、ＳＧＬ３、ＳＧＬ４の一端側には、第１接続切替回路１６が設けられ、他端側には、第２接続切替回路１７が設けられる。第１接続切替回路１６は、スイッチＳＷ２１、ＳＷ２２、ＳＷ２４を含むスイッチ回路である。第２接続切替回路１７は、スイッチＳＷ２３及び信号線接続配線５６を含むスイッチ回路である。また、以下の説明では、図１０を参照しつつ、信号線ＳＧＬの一端を下端とし、他端を上端と表す。

第１接続切替回路１６において、スイッチＳＷ２１は、信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ２と、第１検出回路１１との間の接続と遮断を切り替える。スイッチＳＷ２２は、各信号線ＳＧＬと表示制御回路１４との間の接続と遮断を切り替える。スイッチＳＷ２４は、信号線ＳＧＬ３、ＳＧＬ４と、基準電位（例えば、接地電位ＧＮＤ）との間の接続と遮断を切り替える。

第２接続切替回路１７において、スイッチＳＷ２３と信号線接続配線５６は、一対の信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ３の上端どうしの間の接続と遮断を切り替える。また、スイッチＳＷ２３と信号線接続配線５６は、一対の信号線ＳＧＬ２、ＳＧＬ４の上端どうしの間の接続と遮断を切り替える。

第１センサ期間では、第１検出制御回路１０からの制御信号に応じて、スイッチＳＷ２３がオンになる。これにより、一対の信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ３の上端どうしが、信号線接続配線５６を介して接続される。同様に、一対の信号線ＳＧＬ２、ＳＧＬ４の上端どうしが、信号線接続配線５６を介して接続される。また、信号線ＳＧＬの下端側では、スイッチＳＷ２２はオフになり、スイッチＳＷ２１、ＳＷ２４はオンになる。これにより、信号線ＳＧＬ１及び信号線ＳＧＬ２の下端は、それぞれ第１検出回路１１に接続される。また、信号線ＳＧＬ３及び信号線ＳＧＬ４の下端は、基準電位（例えば、接地電位ＧＮＤ）に接続される。

このように、第１接続切替回路１６は、第１センサ期間に、少なくとも１つの信号線ＳＧＬの一端側を第１検出回路１１に接続する。第２接続切替回路１７は、第１センサ期間に、複数の信号線ＳＧＬの他端側どうしを接続する。

このような構成により、一対の信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ３がループ状に接続されて、受信コイルＣＲｘとして形成される。また、一対の信号線ＳＧＬ２、ＳＧＬ４がループ状に接続されて、受信コイルＣＲｘとして形成される。受信コイルＣＲｘは、第１電極６７によって形成される検出領域Ａｅｍと重なって設けられる。なお、受信コイルＣＲｘは、図８に示す送信コイルＣＴｘと同様に、複数の信号線ＳＧＬを含む信号線ブロックにより形成されていてもよい。

タッチペン１００（図３参照）からの磁界Ｍ２が、一対の信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ３及び信号線接続配線５６で囲まれた領域、又は一対の信号線ＳＧＬ２、ＳＧＬ４及び信号線接続配線５６で囲まれた領域を通過した場合、磁界Ｍ２の変化に応じた起電力が、各受信コイルＣＲｘに発生する。この起電力に応じた第１検出信号Ｖｄｅｔ１が第１検出回路１１に供給される。このように、第１センサ期間には、第１電極６７は、駆動回路１８から第１駆動信号ＶＴＰが供給されて磁界を発生させ、信号線ＳＧＬには、磁界に起因した起電力が発生する。これにより、表示装置１は、タッチペン１００を検出することができる。

本実施形態において、隣り合う受信コイルＣＲｘは、一部が互いに重なり合って配置される。具体的には、一方の受信コイルＣＲｘを構成する一対の信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ３及び信号線接続配線５６で囲まれた領域に、他方の受信コイルＣＲｘの信号線ＳＧＬ２が配置される。また、他方の受信コイルＣＲｘを構成する一対の信号線ＳＧＬ２、ＳＧＬ４及び信号線接続配線５６で囲まれた領域に、一方の受信コイルＣＲｘの信号線ＳＧＬ３が配置される。これにより、表示領域ＡＡにおいて、磁界の検出感度が低下する領域、或いは磁界を検出することができない不感領域が生じることを抑制できる。

また、表示期間では、第１検出制御回路１０からの制御信号に応じて、スイッチＳＷ２３がオフになる。これにより、信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ２、ＳＧＬ３、ＳＧＬ４の上端どうしが非接続状態となる。また、スイッチＳＷ２１、ＳＷ２４はオフになり、スイッチＳＷ２２はオンになる。これにより、信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ２、ＳＧＬ３、ＳＧＬ４の下端は、第１検出回路１１及び基準電位（例えば、接地電位ＧＮＤ）と非接続状態となる。画素信号Ｖｐｉｘは、スイッチＳＷ２２を介して信号線ＳＧＬに供給される。

また、第２センサ期間では、第２検出制御回路１２は、複数の信号線ＳＧＬにガード駆動信号を供給してもよい。または、第２検出制御回路１２は、複数の信号線ＳＧＬをフローティング状態としてもよい。

送信コイルＣＴｘを形成する第１電極６７は、検出電極２２よりも高い導電性を有する金属材料であり、検出電極２２に比べ著しく低抵抗である。これにより、駆動電極（送信コイルＣＴｘ）として第１電極６７を用いることにより、交流矩形波である第１駆動信号ＶＴＰの鈍りを抑制することができる。これにより、本実施形態においては、電磁誘導方式のタッチ検出において第１駆動信号ＶＴＰの応答性が高められ、検出感度が向上する。

（第２実施形態）
図１１は、第２実施形態に係る第１電極及び信号線の接続構成を示す回路図である。図１２は、第２実施形態に係る第１電極と検出信号出力線との接続部分を拡大して示す平面図である。図１３は、図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ’断面図である。なお、図１３は、画素Ｐｉｘに設けられるスイッチング素子Ｔｒの積層構成を併せて示している。なお、以下の説明において、上述した実施形態で説明した構成要素については、同じ符号を付して、説明を省略する。

本実施形態において、第１センサ期間には、信号線ＳＧＬは、駆動回路１８から第１駆動信号ＶＴＰが供給されて磁界を発生させ、第１電極６７には、磁界に起因した起電力が発生する。すなわち、信号線ＳＧＬは、送信コイルＣＴｘを形成し、第１電極６７は、受信コイルＣＲｘを形成する。

図１１に示すように、複数の信号線ＳＧＬは、それぞれ第２方向Ｄｙに延出し、第１方向Ｄｘに配列される。ここで、信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ２、ＳＧＬ３を含む複数の信号線ＳＧＬを、信号線ブロックＢＫＳ１とする。信号線ＳＧＬ４、ＳＧＬ５、ＳＧＬ６を含む複数の信号線ＳＧＬを、信号線ブロックＢＫＳ２とする。第１駆動信号供給配線５２Ａ及び第２駆動信号供給配線５４Ａは信号線ブロックＢＫＳ１、ＢＫＳ２の下端側に設けられている。また、信号線ブロックＢＫＳ１及び信号線ブロックＢＫＳ２の下端側には第１接続切替回路１６Ａが設けられ、上端側には、第２接続切替回路１７Ａが設けられる。

第１接続切替回路１６Ａは、スイッチＳＷ２２、ＳＷ２５、ＳＷ２６を含むスイッチ回路である。スイッチＳＷ２２は、各信号線ＳＧＬと表示制御回路１４との間の接続と遮断を切り替える。スイッチＳＷ２５は、各信号線ＳＧＬの下端と、第１駆動信号供給配線５２Ａとの間の接続と遮断を切り替える。スイッチＳＷ２６は、各信号線ＳＧＬの下端と、第２駆動信号供給配線５４Ａとの間の接続と遮断を切り替える。

第２接続切替回路１７Ａは、第１実施形態と同様であり、一対の信号線ブロックＢＫＳ１及び信号線ブロックＢＫＳ２の上端どうしの間の接続と遮断を切り替える。なお、スイッチＳＷ２２、ＳＷ２３、ＳＷ２５、ＳＷ２６等のスイッチは、一部のみ示しているが、複数の信号線ＳＧＬのそれぞれに設けられる。

第１センサ期間には、スイッチＳＷ２３がオンになり、信号線ブロックＢＫＳ１及び信号線ブロックＢＫＳ２の上端が信号線接続配線５６を介して接続される。また、信号線ブロックＢＫＳ１の下端側では、スイッチＳＷ２６がオンになり、スイッチＳＷ２５がオフになる。信号線ブロックＢＫＳ２の下端側では、スイッチＳＷ２６がオフになり、スイッチＳＷ２５がオンになる。

第１電圧供給回路１８Ｃ（図９参照）は、第１駆動信号供給配線５２Ａを介して、第１電圧ＶＴＰＨを信号線ブロックＢＫＳ２の下端に供給する。また、第２電圧供給回路１８Ｄ（図９参照）は、第２駆動信号供給配線５４Ａを介して、第２電圧ＶＴＰＬを信号線ブロックＢＫＳ１の下端に供給する。これにより、信号線ブロックＢＫＳ１、信号線接続配線５６及び信号線ブロックＢＫＳ１で形成される経路において、信号線ブロックＢＫＳ１の下端と、信号線ブロックＢＫＳ２の下端とで電位差が生じる。この電位差により、電流Ｉ１、Ｉ２が、それぞれ信号線ブロックＢＫＳ２、信号線ブロックＢＫＳ１に流れる。

第１検出制御回路１０は、スイッチＳＷ２５、ＳＷ２６の動作を切り替えることにより、信号線ブロックＢＫＳ１、ＢＫＳ２の下端に供給される第１電圧ＶＴＰＨと第２電圧ＶＴＰＬとが所定の周波数で変更する。これにより、信号線ブロックＢＫＳ１、ＢＫＳ２に交流の電圧信号である第１駆動信号ＶＴＰが供給される。第１検出制御回路１０は、信号線ブロックＢＫＳ１、ＢＫＳ２となる信号線ＳＧＬを、順次選択する。これにより、電磁誘導方式により、表示領域ＡＡの全体のタッチ検出が行われる。

以上のように、表示装置１は、信号線ＳＧＬに第１電圧ＶＴＰＨを供給する第１駆動信号供給配線５２Ａと、信号線ＳＧＬに第１電圧ＶＴＰＨよりも小さい第２電圧ＶＴＰＬを供給する第２駆動信号供給配線５４Ａと、を有する。第１センサ期間に、第１接続切替回路１６Ａは、少なくとも１つの信号線ＳＧＬの一端側に第１駆動信号供給配線５２Ａを接続し、少なくとも１つの信号線ＳＧＬの他の信号線ＳＧＬの一端側に第２駆動信号供給配線５４Ａを接続する。第２接続切替回路１７Ａは、第１センサ期間に、複数の信号線ＳＧＬの他端側どうしを接続する。

本実施形態においても、送信コイルＣＴｘを形成する信号線ＳＧＬは、検出電極２２よりも高い導電性を有する金属材料である。これにより、本実施形態においては、電磁誘導方式のタッチ検出において第１駆動信号ＶＴＰの応答性が高められ、検出感度が向上する。

複数の第１電極６７は、それぞれ第１方向Ｄｘに延出し、第２方向Ｄｙに配列される。第１電極ブロックＢＫ１、ＢＫ２、…、ＢＫ８は、それぞれ複数の第１電極６７を含む。第１電極ブロックＢＫ１の左端と第１電極ブロックＢＫ３の左端は、周辺領域ＧＡに設けられた第１電極接続配線６７ａにより接続される。第１電極ブロックＢＫ１の右端と第１電極ブロックＢＫ３の右端は、それぞれ、容量ＣＳ及び検出信号出力線５７を介して第１検出回路１１に接続される。これにより、第１電極ブロックＢＫ１、第１電極ブロックＢＫ３及び第１電極接続配線６７ａは受信コイルＣＲｘを構成する。

同様に、第１電極ブロックＢＫ２の右端と第１電極ブロックＢＫ５の右端は、周辺領域ＧＡに設けられた第１電極接続配線６７ａにより接続される。第１電極ブロックＢＫ２の左端と第１電極ブロックＢＫ５の左端は、それぞれ、容量ＣＳ及び検出信号出力線５７を介して第１検出回路１１に接続される。これにより、第１電極ブロックＢＫ２、第１電極ブロックＢＫ５及び第１電極接続配線６７ａは受信コイルＣＲｘを構成する。

図１２に示すように、受信コイルＣＲｘを形成する第１電極ブロックＢＫには、それぞれ容量ＣＳが設けられる。容量ＣＳは、第１容量電極ＣＳＥ１と、第２容量電極ＣＳＥ２とを有する。第１容量電極ＣＳＥ１と、第２容量電極ＣＳＥ２とは、誘電体（絶縁層２７）を介して、平面視で重なって設けられる。

第２容量電極ＣＳＥ２は、中継配線５７ａを介して、第１電極ブロックＢＫの端部に接続される。第１電極ブロックＢＫの複数の第１電極６７は、第１電極接続配線６７ｂにより接続されている。また、第１容量電極ＣＳＥ１は、検出信号出力線５７と接続される。

図１３に示すように、第１電極６７は、表示領域ＡＡにおいて、第１基板２１と半導体６１との間に設けられ、周辺領域ＧＡまで延出する。容量ＣＳ及び検出信号出力線５７は、周辺領域ＧＡに設けられる。第１容量電極ＣＳＥ１は、画素電極２４と同層に、絶縁層２７の上に設けられる。第２容量電極ＣＳＥ２は、検出電極２２と同層に、第５絶縁層９５の上に設けられる。第１容量電極ＣＳＥ１と第２容量電極ＣＳＥ２とは、第１基板２１に垂直な方向において、絶縁層２７を介して対向する。これにより、第１容量電極ＣＳＥ１と第２容量電極ＣＳＥ２との間に容量が形成される。なお、第１容量電極ＣＳＥ１と第２容量電極ＣＳＥ２の形成する層は逆でもよい。つまり、第２容量電極ＣＳＥ２を画素電極２４と同層に形成し、第１容量電極ＣＳＥ１を検出電極２２と同層に形成してもよい。

第２容量電極ＣＳＥ２は、コンタクトホールＨ１１を介して中継配線５７ａと接続される。中継配線５７ａは、コンタクトホールＨ１３を介して第１電極６７と接続される。また、第１容量電極ＣＳＥ１は、コンタクトホールＨ１２を介して検出信号出力線５７と接続される。検出信号出力線５７及び中継配線５７ａは、信号線ＳＧＬと同層に設けられる。

このような構成により、第１電極ブロックＢＫと第１検出回路１１との間にそれぞれ容量ＣＳが設けられる。容量ＣＳにより、スイッチング素子Ｔｒのリーク電流が抑制され、良好な表示性能が得られる。

（第３実施形態）
図１４は、第３実施形態に係るゲート線及び信号線の接続構成を示す回路図である。図１５は、第３実施形態に係る表示装置の動作例を示すタイミング波形図である。本実施形態において、第１センサ期間には、ゲート線ＧＣＬは、駆動回路１８から第１駆動信号ＶＴＰが供給されて磁界を発生させ、信号線ＳＧＬには、磁界に起因した起電力が発生する。すなわち、ゲート線ＧＣＬは送信コイルＣＴｘを形成し、信号線ＳＧＬは受信コイルＣＲｘを形成する。

複数のゲート線ＧＣＬは、それぞれ第１方向Ｄｘに延出し、第２方向Ｄｙに配列される。以下の説明において、図１４を参照しつつ、ゲート線ＧＣＬの一端を左端とし、他端を右端と表す。ゲート線ブロックＢＫＧ１、ＢＫＧ２、…、ＢＫＧＮは、それぞれ複数のゲート線ＧＣＬを含む。

複数のゲート線ＧＣＬの左端側には、第１駆動信号供給配線５２、第２駆動信号供給配線５４、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２が設けられる。複数のゲート線ＧＣＬの右端側には、第１駆動信号供給配線５３、第２駆動信号供給配線５５、スイッチＳＷ１３、ＳＷ１４が設けられる。これらの接続構成及び動作は、第１実施形態の図８で示した例と同様である。すなわち、第１センサ期間に、少なくとも１つのゲート線ＧＣＬの一端側に第１駆動信号供給配線５２、５３が接続され、他端側に第２駆動信号供給配線５４、５５が接続される。また、少なくとも１つのゲート線ＧＬＣの他のゲート線ＧＣＬの一端側に第２駆動信号供給配線５４、５５が接続され、他端側に第１駆動信号供給配線５２、５３が接続される。なお、図１４では、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４は、一部のみ示している。スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４は、各ゲート線ブロックＢＫＧ１、ＢＫＧ２、…、ＢＫＧＮに含まれるゲート線ＧＣＬのそれぞれに設けられる。

図１４では、ゲート線ブロックＢＫＧ２、ＢＫＧ３、ＢＫＧ５、ＢＫＧ６が送信コイルＣＴｘを形成する。第１センサ期間では、第１検出制御回路１０は、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４の動作を切り替えることにより、ゲート線ＧＣＬの両端に供給される第１電圧ＶＴＰＨと第２電圧ＶＴＰＬとを所定の周波数で変更する。これにより、ゲート線ブロックＢＫＧ２、ＢＫＧ３、ＢＫＧ５、ＢＫＧ６に交流の電圧信号である第１駆動信号ＶＴＰが供給される。なお、送信コイルＣＴｘとして選択されない非選択のゲート線ブロックＢＫＧ１、ＢＫＧ４、ＢＫＧ７、…、ＢＫＧＮは、フローティング状態となる。

ゲート線ＧＣＬは、金属材料により形成される。ゲート線ＧＣＬは、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等が用いられる。これにより、表示装置１は電磁誘導方式のタッチ検出において、第１駆動信号ＶＴＰの応答性が高められ、検出感度が向上する。

さらに、複数のゲート線ＧＣＬの左端側には、第１ゲート駆動信号供給配線８２及び第２ゲート駆動信号供給配線８４が設けられ、右端側には、第１ゲート駆動信号供給配線８３及び第２ゲート駆動信号供給配線８５が設けられる。第１ゲート駆動信号供給配線８２、８３は、走査信号Ｖｓｃａｎ（図１参照）の高レベル電圧ＶＧＨを、ゲート線ＧＣＬに供給する配線である。第２ゲート駆動信号供給配線８４、８５は、走査信号Ｖｓｃａｎの低レベル電圧ＶＧＬを、ゲート線ＧＣＬに供給する配線である。

表示期間には、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４は全てオフになる。ゲートドライバ１５により、複数のゲート線ＧＣＬは順次、第１ゲート駆動信号供給配線８２、８３及び第２ゲート駆動信号供給配線８４、８５に接続されて走査信号Ｖｓｃａｎが供給される。

第１センサ期間ＥＭでは、信号線ブロックＢＫＳ１、ＢＫＳ２の上端どうしがスイッチＳＷ２３、信号線接続配線５６により接続される。信号線ブロックＢＫＳ１、ＢＫＳ２の下端はスイッチＳＷ２１を介して一方が基準電位（例えば、接続電位ＧＮＤ）、他方が第１検出回路１１に接続される。これにより、信号線ブロックＢＫＳ１、ＢＫＳ２及び信号線接続配線５６は、受信コイルＣＲｘを形成する。なお、図１４では、１つの受信コイルＣＲｘを示しているが、図１０と同様に、複数の受信コイルＣＲｘが互いに重なり合って配置されていてもよい。

図１５に示すように、表示装置１は、表示期間ＰＤと、第１センサ期間ＥＭと、第２センサ期間ＥＳとを時分割で行う。表示期間ＰＤは、表示パネル２０が表示を行う期間である。第１センサ期間ＥＭは、電磁誘導方式のタッチ検出を行う期間である。第２センサ期間ＥＳは、自己静電容量方式のタッチ検出を行う期間である。表示装置１は、表示期間ＰＤ、第１センサ期間ＥＭ、第２センサ期間ＥＳ、表示期間ＰＤ、第１センサ期間ＥＭ、第２センサ期間ＥＳ、…のように繰り返し実行する。ただし、各期間の順番や、回数は適宜変更できる。

図１５に示すように、表示期間ＰＤにおいて、ゲートドライバ１５からゲート線ＧＣＬに走査信号Ｖｓｃａｎが供給される。表示制御回路１４（図１参照）は、画素信号Ｖｐｉｘを信号線ＳＧＬに供給する。また、駆動回路１８（図９参照）は、表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを検出電極２２に供給する。これにより、表示装置１の表示が実行される。

第１センサ期間ＥＭでは、駆動回路１８は、送信コイルＣＴｘを構成するゲート線ＧＣＬに第１駆動信号ＶＴＰを供給する。第１駆動信号ＶＴＰは、第１電圧ＶＴＰＨと第２電圧ＶＴＰＬとが交互に繰り返される、交流矩形波である。そして、受信コイルＣＲｘを構成する信号線ＳＧＬには、磁界に起因した起電力が発生する。これにより第１検出信号Ｖｄｅｔ１が第１検出回路１１に出力される。検出電極２２は、電圧信号が供給されずフローティング状態となる。

ここで、第１電圧ＶＴＰＨは、走査信号Ｖｓｃａｎの高レベル電圧ＶＧＨよりも小さい電圧である。また、第１電圧ＶＴＰＨと第２電圧ＶＴＰＬとの平均値は、低レベル電圧ＶＧＬと等しい。また、ゲート線ＧＣＬの電位は、ゲート線ＧＣＬの抵抗と、ゲート線ＧＣＬに接続される第１駆動信号供給配線５２、５３及び第２駆動信号供給配線５４、５５の抵抗との比率で定められる。ゲート線ＧＣＬの電位がスイッチング素子Ｔｒのオフ電位を保つように、ゲート線ＧＣＬの抵抗を、周辺領域ＧＡに形成された各配線の抵抗値よりも小さくすることが好ましい。

第２センサ期間ＥＳでは、駆動回路１８は、検出電極２２に第２駆動信号ＶＳＥＬＦを供給する。そして、検出電極２２は、検出電極２２の自己静電容量に応じた第２検出信号Ｖｄｅｔ２を第２検出回路１３に出力する。また、駆動回路１８は、信号線ＳＧＬにガード駆動信号Ｖｇｄを供給する。ガード駆動信号Ｖｇｄは、第２駆動信号ＶＳＥＬＦと少なくとも同じ振幅を有する交流矩形波である。例えば、ガード駆動信号Ｖｇｄは、第２駆動信号ＶＳＥＬＦと同じ電位及び同じ位相を有する交流矩形波であってもよい。これにより、表示装置１は、信号線ＳＧＬと、検出電極２２との容量結合を抑制することができる。

なお、図１５に示すタイミング波形図は、あくまで一例であり、適宜変更することができる。例えば、表示期間ＰＤ、第１センサ期間ＥＭ及び第２センサ期間ＥＳの長さは互いに異ならせてもよい。また、表示期間ＰＤ、第１センサ期間ＥＭ及び第２センサ期間ＥＳの順番は適宜変更できる。また、１フレーム期間に、第１センサ期間ＥＭ又は第２センサ期間ＥＳのいずれか一方のみを行ってもよい。

（第４実施形態）
図１６は、第４実施形態に係るゲート線及び信号線の接続構成を示す回路図である。本実施形態において、第１センサ期間には、信号線ＳＧＬは、駆動回路１８から第１駆動信号ＶＴＰが供給されて磁界を発生させ、ゲート線ＧＣＬには、磁界に起因した起電力が発生する。すなわち、信号線ＳＧＬは送信コイルＣＴｘを形成し、ゲート線ＧＣＬは受信コイルＣＲｘを形成する。

図１６に示すように、信号線ＳＧＬの接続構成は第２実施形態の図１１と同様である。信号線ブロックＢＫＳ１、ＢＫＳ２及び信号線接続配線５６は、送信コイルＣＴｘを形成する。

ゲート線ＧＣＬの左端側には、スイッチＳＷ３１、ＳＷ３２が設けられている。ゲート線ＧＣＬの右端側には、スイッチＳＷ３３、ＳＷ３４が設けられている。第１センサ期間ＥＭには、スイッチＳＷ３２、ＳＷ３４がオンになり、スイッチＳＷ３１、ＳＷ３３がオフになる。これにより、ゲート線ＧＣＬは、ゲート線接続配線ＧＣＬａ又は検出信号出力線５７に接続される。

具体的には、ゲート線ブロックＢＫＧ１の左端とゲート線ブロックＢＫＧ３の左端は、周辺領域ＧＡに設けられたゲート線接続配線ＧＣＬａにより接続される。ゲート線ブロックＢＫＧ１の右端とゲート線ブロックＢＫＧ３の右端は、それぞれ、検出信号出力線５７を介して一方が基準電位（例えば、接地電位ＧＮＤ）、他方が第１検出回路１１に接続される。これにより、ゲート線ブロックＢＫＧ１、ゲート線ブロックＢＫＧ３及びゲート線接続配線ＧＣＬａは受信コイルＣＲｘを構成する。

同様に、ゲート線ブロックＢＫＧ２の右端とゲート線ブロックＢＫＧ５の右端は、周辺領域ＧＡに設けられたゲート線接続配線ＧＣＬａにより接続される。ゲート線ブロックＢＫＧ２の左端とゲート線ブロックＢＫＧ５の左端は、それぞれ、検出信号出力線５７を介して一方が基準電位（例えば、接地電位ＧＮＤ）、他方が第１検出回路１１に接続される。これにより、ゲート線ブロックＢＫＧ２、ゲート線ブロックＢＫＧ５及びゲート線接続配線ＧＣＬａは受信コイルＣＲｘを構成する。

表示期間ＰＤには、スイッチＳＷ３１、ＳＷ３３がオンになり、スイッチＳＷ３２、ＳＷ３４がオフになる。これにより、ゲート線ＧＣＬは、第１ゲート駆動信号供給配線８２、８３又は第２ゲート駆動信号供給配線８４、８５に接続される。

（第５実施形態）
図１７は、第５実施形態に係る表示装置を模式的に示す平面図である。図１７に示すように、本実施形態の表示装置１Ａは、共通電極２２Ａを有する。共通電極２２Ａは、複数の画素Ｐｉｘと重なって、表示領域ＡＡの全領域に亘って設けられる。つまり、表示装置１Ａは、検出電極２２を有さず、自己静電容量方式のタッチ検出機能を備えていない。

表示装置１Ａは、第２センサ期間ＥＳを行わず、表示期間ＰＤと第１センサ期間ＥＭとを時分割で行う。表示期間ＰＤには、駆動回路１８は表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを共通電極２２Ａに供給する。また、第１センサ期間ＥＭには、第１から第４実施形態のいずれかと同様に、第１電極６７及び信号線ＳＧＬ、又はゲート線ＧＣＬ及び信号線ＳＧＬにより送信コイルＣＴｘ及び受信コイルＣＲｘを形成し、電磁誘導方式のタッチ検出を行う。

（第６実施形態）
図１８は、第６実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。本実施形態の表示装置１Ｂは、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ:Organic Light-Emitting Diode）を用いた表示パネルである。つまり、表示装置１Ｂは、バックライト等の光源は設けられていない。

図１８に示すように、表示装置１Ｂにおいて、第１基板１２１と、スイッチング素子ＴｒＡと、反射層１２６と、下部電極１２４と、表示層である自発光層１０６と、上部電極１２５と、バリア層１９６と、充填材１９７と、第２基板１３１とが、この順で重なって設けられる。

第１基板１２１の上にスイッチング素子ＴｒＡが設けられる。第１基板１２１の上に半導体１６１が設けられる。ゲート電極１６４（ゲート線ＧＣＬＡ）は、絶縁層１９１を介して半導体１６１の上側に設けられる。ソース電極１６２（信号線ＳＧＬＡ）及びドレイン電極１６３は、絶縁層１９２を介してゲート電極１６４の上側に設けられる。ソース電極１６２及びドレイン電極１６３は、それぞれコンタクトホールを介して半導体１６１と電気的に接続される。

絶縁層１９３は、ソース電極１６２及びドレイン電極１６３を覆って絶縁層１９２の上に設けられる。反射層１２６は、絶縁層１９３の上に設けられ、自発光層１０６からの光を反射する金属光沢のある材料で形成される。反射層１２６は、例えば銀、アルミニウム、金等が用いられる。下部電極１２４は、絶縁層１９４を介して反射層１２６の上側に設けられる。下部電極１２４の上に、自発光層１０６及び上部電極１２５が、この順で重なって設けられる。つまり、下部電極１２４と上部電極１２５との間に自発光層１０６が設けられる。

下部電極１２４は、有機発光ダイオードのアノードであり、各画素Ｐｉｘに対応して設けられている。上部電極１２５は、有機発光ダイオードのカソードである。下部電極１２４及び上部電極１２５は、例えばＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料が用いられる。自発光層１０６は、高分子有機材料を含み、不図示のホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を含む。

絶縁層１９５は、リブと呼ばれ、各画素Ｐｉｘを区画する絶縁層である。また、バリア層１９６は、上部電極１２５を覆って設けられ、上部電極１２５を封止する。充填材１９７は、リブにより生じる段差を抑制する平坦化層である。充填材１９７と第２基板１３１との間にはカラーフィルタ１３２が設けられている。

このような構成により、自発光層１０６からの光がカラーフィルタ１３２を通って第２基板３１から出射される。画素Ｐｉｘごとに自発光層１０６の点灯量を制御することにより、表示面に画像が表示される。なお、表示装置１Ｂは、カラーフィルタ１３２が設けられず、充填材１９７の上に第２基板１３１が設けられていてもよい。この場合、自発光層１０６は、画素Ｐｉｘごとに異なる発光材料が用いられ、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色の光を表示する。

また、上記の構成に限定されず、下部電極１２４がカソードであり、上部電極１２５がアノードであってもよい。その場合は、下部電極１２４に電気的に接続されているスイッチング素子ＴｒＡの極性を適宜変えることも可能である。

本実施形態においても、表示装置１Ｂは、スイッチング素子ＴｒＡのゲート線ＧＣＬＡ及び信号線ＳＧＬＡにより、送信コイルＣＴｘ及び受信コイルＣＲｘを形成することができる。送信コイルＣＴｘ及び受信コイルＣＲｘの接続構成は、上述した第３実施形態又は第４実施形態と同様の構成を適用することができる。あるいは、表示装置１Ｂは、第１基板１２１と半導体１６１との間に第１電極６７を設け、第１電極６７及び信号線ＳＧＬＡにより、送信コイルＣＴｘ及び受信コイルＣＲｘを形成することができる。この場合に、送信コイルＣＴｘ及び受信コイルＣＲｘの接続構成は、上述した第３実施形態又は第４実施形態と同様の構成を適用することができる。

例えば、電磁誘導方式のタッチ検出の際、駆動回路１８は、信号線ＳＧＬＡに第１駆動信号ＶＴＰを供給する。信号線ＳＧＬＡは、送信コイルＣＴｘとして設けられ、第１駆動信号ＶＴＰにより磁界を発生する。信号線ＳＧＬＡ、タッチペン１００及びゲート線ＧＣＬＡの間でそれぞれ電磁誘導が生じる。ゲート線ＧＣＬＡには、タッチペン１００との相互誘導により起電力が発生する。この起電力に応じた第１検出信号Ｖｄｅｔ１が、第ゲート線ＧＣＬＡから第１検出回路１１に供給される。

以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。上述した各実施形態及び各変形例の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の種々の省略、置換及び変更のうち少なくとも１つを行うことができる。

１、１Ａ、１Ｂ 表示装置
２ アレイ基板
３ 対向基板
１０ 第１検出制御回路
１１ 第１検出回路
１２ 第２検出制御回路
１３ 第２検出回路
１４ 表示制御回路
１５ ゲートドライバ
１６ 第１接続切替回路
１７ 第２接続切替回路
１８ 駆動回路
１８Ａ 表示駆動信号供給回路
１８Ｂ 第２駆動信号供給回路
１８Ｃ 第１電圧供給回路
１８Ｄ 第２電圧供給回路
１９ 駆動ＩＣ
２０ 表示パネル
２１ 第１基板
２２ 検出電極
２４ 画素電極
３１ 第２基板
５１ 検出電極配線
５２、５２Ａ、５３ 第１駆動信号供給配線
５４、５４Ａ、５５ 第２駆動信号供給配線
５６ 信号線接続配線
５７ 検出信号出力線
６７ 第１電極
１００ タッチペン
ＡＡ 表示領域
ＣＴｘ 送信コイル
ＣＲｘ 受信コイル
ＣＳ 容量
ＣＳＥ１ 第１容量電極
ＣＳＥ２ 第２容量電極
ＧＡ 周辺領域
ＧＣＬ ゲート線
ＳＧＬ 信号線
Ｔｒ スイッチング素子
Ｖｐｉｘ 画素信号
ＶＴＰ 第１駆動信号
ＶＳＥＬＦ 第２駆動信号

Claims (16)

1. 基板と、
   表示領域に設けられた複数の画素電極と、
   複数の前記画素電極のそれぞれに接続されたスイッチング素子と、
   前記基板に垂直な方向において、前記スイッチング素子の半導体と前記基板との間に設けられ、第１方向に延出する複数の第１電極と、
   前記スイッチング素子に接続され、前記第１方向と交差する第２方向に延出する複数の信号線と、
   前記表示領域の外側の周辺領域に設けられ、複数の前記第１電極の端部を接続する接続部材と、
   電磁誘導方式による第１センサ期間に、第１駆動信号を前記第１電極又は前記信号線に出力する駆動回路と、を有する
   表示装置。
2. 前記第１センサ期間には、前記第１電極は、前記駆動回路から前記第１駆動信号が供給されて磁界を発生させ、
   前記信号線には、前記磁界に起因した起電力が発生する
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１電極に第１電圧を供給する第１駆動信号供給配線と、
   前記第１電極に前記第１電圧よりも小さい第２電圧を供給する第２駆動信号供給配線と、を有し、
   前記第１センサ期間に、
   少なくとも１つの前記第１電極の一端側に前記第１駆動信号供給配線が接続され、他端側に前記第２駆動信号供給配線が接続され、
   少なくとも１つの前記第１電極の他の前記第１電極の一端側に前記第２駆動信号供給配線が接続され、他端側に前記第１駆動信号供給配線が接続される
   請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第１センサ期間に、少なくとも１つの前記信号線の一端側を第１検出回路に接続する第１接続切替回路と、
   前記第１センサ期間に、複数の前記信号線の他端側どうしを接続する第２接続切替回路と、を有する
   請求項２又は請求項３に記載の表示装置。
5. 前記第１センサ期間には、前記信号線は、前記駆動回路から前記第１駆動信号が供給されて磁界を発生させ、
   前記第１電極には、前記磁界に起因した起電力が発生する
   請求項１に記載の表示装置。
6. 前記信号線に第１電圧を供給する第１駆動信号供給配線と、
   前記信号線に前記第１電圧よりも小さい第２電圧を供給する第２駆動信号供給配線と、
   前記第１センサ期間に、少なくとも１つの前記信号線の一端側に前記第１駆動信号供給配線を接続し、少なくとも１つの前記信号線の他の前記信号線の一端側に前記第２駆動信号供給配線を接続する、第１接続切替回路と、
   前記第１センサ期間に、複数の前記信号線の他端側どうしを接続する第２接続切替回路と、を有する
   請求項５に記載の表示装置。
7. 少なくとも１つの前記第１電極の一端側を第１検出回路に接続する検出信号出力線と、
   複数の前記第１電極の他端側どうしを接続する第１電極接続配線と、を有する
   請求項５又は請求項６に記載の表示装置。
8. 前記第１電極は、容量を介して検出信号出力線に接続され、
   前記容量は、第１容量電極と、誘電体を挟んで前記第１容量電極と対向する第２容量電極とを有する
   請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記第１電極は、前記基板よりも光の透過率が小さい
   請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 基板と、
    表示領域に設けられた複数の画素電極と、
    複数の前記画素電極のそれぞれに接続されたスイッチング素子と、
    前記スイッチング素子に接続され、第１方向に延出する複数のゲート線と、
    前記スイッチング素子に接続され、前記第１方向と交差する第２方向に延出する複数の信号線と、
    前記表示領域の外側の周辺領域に設けられ、複数の前記ゲート線又は複数の信号線の端部を接続する接続部材と、
    電磁誘導方式による第１センサ期間に、第１駆動信号を前記ゲート線又は前記信号線に出力する駆動回路と、を有する
    表示装置。
11. 前記第１センサ期間には、前記ゲート線は、前記駆動回路から前記第１駆動信号が供給されて磁界を発生させ、
    前記信号線には、前記磁界に起因した起電力が発生する
    請求項１０に記載の表示装置。
12. 前記ゲート線に第１電圧を供給する第１駆動信号供給配線と、
    前記ゲート線に前記第１電圧よりも小さい第２電圧を供給する第２駆動信号供給配線と、を有し、
    前記第１センサ期間に、
    少なくとも１つの前記ゲート線の一端側に前記第１駆動信号供給配線が接続され、他端側に前記第２駆動信号供給配線が接続され、
    少なくとも１つの前記ゲート線の他の前記ゲート線の一端側に前記第２駆動信号供給配線が接続され、他端側に前記第１駆動信号供給配線が接続される、
    請求項１１に記載の表示装置。
13. 前記第１センサ期間には、前記信号線は、前記駆動回路から前記第１駆動信号が供給されて磁界を発生させ、
    前記ゲート線には、前記磁界に起因した起電力が発生する
    請求項１０に記載の表示装置。
14. 少なくとも１つの前記ゲート線の一端側を第１検出回路に接続する検出信号出力線と、
    複数の前記ゲート線の他端側どうしを接続するゲート線接続配線と、を有する
    請求項１３に記載の表示装置。
15. 前記基板の表示領域にマトリクス状に配列された複数の検出電極と、
    複数の前記検出電極のそれぞれに接続された複数の検出電極配線と、を有する
    請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の表示装置。
16. 第２センサ期間には、前記駆動回路は、前記検出電極配線を介して前記検出電極に第２駆動信号を供給し、
    複数の前記検出電極は、それぞれの自己静電容量に応じた信号を出力する
    請求項１５に記載の表示装置。

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