JP2017174083A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】検出感度の低下を低減することが可能なタッチ検出機能付き表示装置を提供する。
【解決手段】行列状に配置された複数の画素を有する画素配列を備えたタッチ機能付き表示装置は、画素配列において、互いに平行し、第１方向に延在するように配置され、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）を形成するように接続された検出電極ＲＬ（ｎ−２）、ＲＬ（ｎ）と、磁界検出コイルの内側に配置され、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）に接続された一方の端部と磁界検出コイルＤＹ（ｎ）とは電気的に分離された他方の端部を備えた検出電極ＲＬ（ｎ−１）を備える。磁界検出および電界検出のそれぞれにおいて、検出電極における信号の変化を基にして、外部物体の検出が行われる。
【選択図】図１１

Description

本発明は、表示装置に関し、特に外部物体の近接を検出可能なタッチ検出機能付き表示装置に関する。

近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部物体の近接（以下、接触も含む）を検出可能なタッチ検出装置が注目されている。タッチパネルは、表示装置、例えば液晶表示装置上に装着または液晶表示装置と一体化され、タッチ検出機能付き表示装置として提供される。

外部物体として、例えばペンを用いることを可能にしたタッチパネルがある。ペンを用いることにより、例えば小さな領域を指定したり、手書き文字の入力が可能となる。ペンによるタッチを検出する技術は、種々ある。種々ある技術の一つとして、電磁誘導方式がある。電磁誘導方式は、高精度、高い筆圧検出精度を実現することが可能であり、外部物体がタッチパネル表面から離間したホバリング検出機能も実現可能であるため、ペンによるタッチを検出する技術としては有力な技術である。

また、外部物体として、指等の検出が可能なタッチ検出装置がある。この場合、検出対象が、ペンと異なるため、タッチを検出する技術としては、電磁誘導方式とは異なる方式が採用される。例えば、指等のタッチにより生じる光学的な変化、抵抗値の変化、あるいは電界の変化を検出する方式が存在する。これらの方式のなかで、電界の変化を検出する方式は、例えば静電容量を用いる静電容量方式がある。静電容量方式は、比較的単純な構造を有し、低消費電力であるため、携帯情報端末などに用いられている。

電磁誘導方式と静電容量方式の両方を可能としたタッチパネルに関する技術は、例えば特許文献１に記載されている。

特開２００９−１６２５３８号公報

電磁誘導方式としては、ペンにコイルと容量を実装し、タッチパネルにおいて磁界を発生し、ペンに実装された容量に磁界エネルギーを蓄え、タッチパネルで検出する方式がある。この方式の場合、ペンからの磁界エネルギーを検出するコイルを形成するセンサ板が必要とされる。タッチ検出機能付き表示装置を実現するために、センサ板を実装すると、タッチ検出機能付き表示装置の価格（生産コスト）が上昇する。また、静電容量方式の場合も、タッチパネルに静電容量の変化を検出するための静電用電極が必要とされるため、価格が上昇する。

本願発明者らは、ペンによるタッチの検出には、電磁誘導方式が適しており、指によるタッチの検出には、静電容量方式が適していると考えた。また、価格の上昇を抑制するために、電磁誘導方式で用いるセンサ板と静電容量方式で用いる静電用電極を、表示装置のレイヤ（層）で実現することを考えた。この場合、コイルを形成するセンサ板と静電用電極とを兼用することにより、表示装置のレイヤを効率よく使用することが可能となる。しかしながら、静電用電極として、コイルを形成するセンサ板を用いたとき、静電用電極の配置に制限が生じ、タッチの検出感度が低下することが危惧される。

特許文献１には、電磁誘導方式と静電容量方式の両方を可能としたタッチパネルに関する技術が記載されているが、電磁誘導方式で用いるコイルと静電用電極とを兼用することは記載も認識もされていない。

本発明の目的は、検出感度の低下を低減することが可能なタッチ検出機能付き表示装置（以下、単に表示装置とも称する）を提供することにある。

本発明の一態様に係わる表示装置は、それぞれ一方の端部と他方の端部を備え、平面視で見たとき、画素配列において、互いに平行し、第１方向に延在するように配置され、それぞれの他方の端部が電気的に接続された複数の第１電極と、平面視で見たとき、複数の第１電極によって形成された領域内に配置され、第１電極に接続された一方の端部と、複数の第１電極とは電気的に分離された他方の端部とを備えた第２電極と、複数の第１電極のうちの第１の第１電極の一方の端部に接続される検出回路とを備えている。ここで、複数の第１電極のうちの第２の第１電極の一方の端部に、所定の電圧を供給することによって、複数の第１電極によりコイルが構成され、外部物体からの磁界に応じた検出信号が検出回路から出力される。

（Ａ）および（Ｂ）は、表示装置の構成を示す平面図および断面図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、電磁誘導方式の原理を示す説明図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、静電容量方式の原理を示す説明図である。 実施の形態１に係わる表示装置の構成を示すブロック図である。 実施の形態１に係わるモジュールの構成を示す平面図である。 実施の形態１に係わる磁界タッチ検出の構成を示すブロック図である。 実施の形態１に係わる電界タッチ検出の構成を示すブロック図である。 実施の形態１に係わる表示期間の構成を示すブロック図である。 実施の形態１に係わる磁界タッチ検出の構成を示すブロック図である。 実施の形態１に係わる電界タッチ検出の構成を示すブロック図である。 実施の形態１に係わる検出電極の構造を示す平面図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、実施の形態１に係わる検出電極およびダミー電極領域を示す平面図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態２に係わる検出電極の構成を示す平面図および断面図である。 実施の形態２の変形例に係わる検出電極の構造を示す平面図である。 実施の形態３に係わる検出電極の構造を示す平面図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、実施の形態４に係わる検出電極およびダミー電極領域を示す平面図である。

以下、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまでも一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。

また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。以下の説明は、表示装置としてタッチ検出機能付き液晶表示装置を例として述べるが、これに限定されず、タッチ検出機能付きＯＬＥＤ表示装置等でもよい。

（実施の形態１）
実施の形態１では、ペンによるタッチと指によるタッチの両方を検出することが可能なタッチ検出機能付き液晶表示装置（以下、液晶表示装置とも称する）が提供される。先ず、液晶表示装置の基本的な構成を説明し、次に、この基本的な構成を基にして、ペンによるタッチを検出する磁界検出および指によるタッチを検出する電界検出を説明する。

＜液晶表示装置の基本的な構成＞
図１は、液晶表示装置の構成を模式的に示す図である。図１において、１は、液晶表示装置を示しており、図１（Ａ）は、液晶表示装置１の平面を示す平面図であり、図１（Ｂ）は、液晶表示装置１の断面を示す断面図である。液晶表示装置１は、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）ガラス基板（以下、第１基板とも称する）ＴＧＢと、第１基板ＴＧＢに積層されたレイヤ（層）、カラーフィルタＣＦＴ、ＣＦ（Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）ガラス基板（以下、第２基板とも称する）ＣＧＢおよび第２基板ＣＧＢに積層されたレイヤ（層）を備えている。

図１（Ａ）において、ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１に形成されたレイヤによって構成された駆動電極を示している。また、ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１に形成されたレイヤによって構成された検出電極を示している。理解を容易にするために、図１（Ａ）では、第１基板ＴＧＢと第２基板ＣＧＢとが分離して、描かれているが、実際には、図１（Ｂ）に示すように、液晶層を挟んで、第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１と第２基板ＣＧＢの第２主面ＣＳＦ２とが対向するように配置されている。

第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１と、第２基板ＣＧＢの第２主面ＣＳＦ２との間には、複数のレイヤと、液晶層等が挟まれているが、図１（Ｂ）では、第１主面ＴＳＦ１と第２主面ＣＳＦ２との間に挟まれた駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｎ＋２）、液晶層およびカラーフィルタＣＦＴのみが示されている。また、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１には、図１（Ａ）に示すように複数の検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）と偏光板が配置されている。また、図１（Ｂ）において、１３は検出電極ＲＬ（ｎ）に接続された単位検出回路を示している。

本明細書では、液晶表示装置１を、図１（Ｂ）に示すように、第２基板ＣＧＢおよび第１基板ＴＧＢの第１主面ＣＳＦ１、ＴＳＦ１側から見たときの状態を、平面視として説明する。第１主面ＣＳＦ１およびＴＳＦ１側から、平面視で見たとき、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１において、図１（Ａ）に示すように、行方向（横方向）に延在し、列方向（縦方向）に平行に配置されている。また、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１において、図１（Ａ）に示すように、列方向（縦方向）に延在し、行方向（横方向）に平行に配置されている。

駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）の間には、第２基板ＣＧＢ、液晶層等が介在している。そのため、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、平面視で見たときには、交差しているが、互いに電気的に分離されている。駆動電極と検出電極との間には、容量が存在するため、図１（Ｂ）では、この容量が容量素子として破線で示されている。

駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）とは、平面視で見たとき、直交していることが望ましいが、平面視で見たときに、駆動電極と検出電極とは傾きを持って交差していてもよい。そのため、以下の説明で用いる「直交」は「交差」も含むものと理解されるべきである。

＜磁界検出の原理＞
図２は、磁界検出の原理を示す説明図である。磁界検出の期間は、磁界を発生する磁界発生期間と磁界を検出する磁界検出期間とによって構成される。図２（Ａ）および（Ｃ）は、磁界発生期間のときの動作を示しており、図２（Ｂ）は、磁界検出期間のときの動作を示している。説明の都合上、図２（Ａ）〜（Ｃ）は、図１（Ａ）を９０度回転させた状態が示されている。

磁界発生期間においては、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のうち、所定の駆動電極間の端部が、電気的に接続され、端部が接続された駆動電極に、所定の電圧（例えば接地電圧Ｖｓ）と磁界駆動信号が供給される。例えば、図１に示した駆動電極ＴＬ（０）およびＴＬ（２）のそれぞれの端部のうち、他方の端部が、図１の右側において電気的に接続される。これにより、互いに平行に配置されている駆動電極ＴＬ（０）およびＴＬ（２）が、直列的に接続される。駆動電極ＴＬ（０）の一方の端部に、図１の左側において、接地電圧Ｖｓを供給し、駆動電極ＴＬ（２）の一方の端部に、図１の左側において、磁界駆動信号を供給する。ここで、磁界駆動信号は、その電圧が周期的に変化する信号である。駆動電極ＴＬ（０）およびＴＬ（２）によって、この駆動電極により挟まれた領域（形成された領域）を内側としたコイルが構成され、このコイルは、磁界駆動信号の電圧の変化に応じた磁界を、その内側で発生する。本明細書においては、駆動電極によって構成され、磁界を発生するコイルを磁界発生コイルとも称する。

図２（Ａ）において、ＧＸ（ｎ−１）は、駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（２）によって構成された磁界発生コイルを示し、ＧＸ（ｎ）〜ＧＸ（ｎ＋４）のそれぞれは、磁界発生コイルＧＸ（ｎ−１）と同様に、駆動電極ＴＬ（１）、ＴＬ（３）〜ＴＬ（ｐ）によって構成された磁界発生コイルを示している。

図２（Ａ）において、ＣおよびＬ１は、ペンＰｅｎに内蔵されている容量素子およびコイルを示している。容量素子ＣとコイルＬ１は、共振回路を構成するように、並列接続されている。磁界発生期間において、磁界発生コイルＧＸ（ｎ−１）〜ＧＸ（ｎ＋３）のそれぞれの一方の端部には、接地電圧Ｖｓが供給される。磁界駆動信号ＣＬＫが、磁界発生コイルＧＸ（ｎ）の他方の端部に供給される。これにより、磁界発生コイルＧＸ（ｎ）が、磁界駆動信号ＣＬＫの電圧変化に応じた磁界φ１を発生する。ペンＰｅｎが、磁界発生コイルＧＸ（ｎ）に近接していれば、磁界発生コイルＧＸ（ｎ）とコイルＬ１との間は電磁結合され、磁界φ１によってコイルＬ１に相互誘導による起電圧が発生し、容量素子Ｃが充電される。

次に、図２（Ｂ）に示す磁界検出期間に移行する。磁界検出期間においては、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）を用いて、磁界の検出が行われる。検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は一対の端部を有している。検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のうち、所定の検出電極間の他方の端部が、互いに電気的に接続される。例えば、図１に示した検出電極ＲＬ（０）とＲＬ（３）のそれぞれの他方の端部が、図１の上側において電気的に接続される。これにより、平行に配置された検出電極ＲＬ（０）、ＲＬ（３）が直列的に接続される。磁界検出期間においては、検出電極ＲＬ（３）の一方の端部に所定の電圧Ｖｓが供給され、検出電極ＲＬ（０）の一方の端部が、検出回路に接続される。これにより、検出電極ＲＬ（０）とＲＬ（３）とによって挟まれた領域（形成された領域）を内側としたコイルが形成され、このコイルによって磁界の検出が行われる。本明細書においては、検出電極によって構成され、磁界を検出するコイルを、磁界検出コイルとも称する。

図２（Ｂ）において、ＤＹ（ｎ−２）は、検出電極ＲＬ（０）、ＲＬ（３）によって構成された磁界検出コイルを示しており、ＤＹ（ｎ−１）〜ＤＹ（ｎ＋１）は、同様に検出電極ＲＬ（２）〜ＲＬ（ｐ）によって構成された磁界検出コイルを示している。磁界検出期間のとき、磁界検出コイルＤＹ（ｎ−１）〜ＤＹ（ｎ＋１）のそれぞれの一方の端部に、所定の電圧Ｖｓが供給され、それぞれの他方の端部における信号Ｒｘ（ｎ−２）〜Ｒｘ（ｎ＋１）が、単位検出回路に供給される。

磁界発生期間において、容量素子Ｃに充電が行われていれば、磁界検出期間のとき、コイルＬ１は、容量素子Ｃに充電されている電荷に従って、共振回路の共振周波数に応じて変化する磁界φ２を発生する。図２（Ｂ）では、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）の内側に、コイルＬ１の中心（一点鎖線）が存在している。そのため、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）とコイルＬ１との間で電磁結合が発生し、相互誘導によって、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）に起電圧が発生する。その結果、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）の他方の端部における信号Ｒｘ（ｎ）は、容量素子Ｃに充電されている電荷量に応じて変化することになる。磁界検出コイルＤＹ（ｎ）に接続された単位検出回路は、この信号Ｒｘ（ｎ）の変化を検出信号として出力する。これにより、ペンＰｅｎが近接（タッチ）しているか否か、および座標を検出することが可能となる。また、電荷量に応じて検出信号が変化するため、ペンＰｅｎとの距離を求めることが可能となる。

図２（Ｃ）は、図２（Ｂ）に続いて移行した磁界発生期間を示している。図２（Ａ）と異なるのは、磁界発生コイルＧＸ（ｎ＋１）に磁界駆動信号ＣＬＫが供給されていることである。ペンＰｅｎの位置は変化していないため、図２（Ｃ）に示した磁界発生期間においては、コイルＬ１に誘起電圧が発生せず、容量素子Ｃは充電されない。これにより、図２（Ｃ）に続いて移行する磁界検出期間においては、ペンＰｅｎが近接していないと検出される。以降、同様にして、ペンＰｅｎの検出が行われる。

＜電界検出の原理＞
図３は、電界検出の原理を示す説明図である。図３（Ａ）において、１２−０〜１２−ｐのそれぞれは、電界駆動信号を出力する単位駆動電極ドライバを示し、１３−０〜１３−ｐのそれぞれは、単位検出回路を示している。また、図３（Ａ）において、実線の○で囲んだパルス信号は、駆動電極ＴＬ（２）へ供給される電界駆動信号Ｔｘ（２）の波形を示している。外部物体として、指がＦＧとして示されている。

駆動電極ＴＬ（２）に、電界駆動信号Ｔｘ（２）が供給されると、図３（Ｂ）に示すように、駆動電極ＴＬ（２）と、この駆動電極ＴＬ（２）と直交する検出電極ＲＬ（ｎ）との間で電界が発生する。このとき、指ＦＧが、駆動電極ＴＬ（２）の近傍をタッチしていると、指ＦＧと駆動電極ＴＬ（２）との間でも電界が発生し、駆動電極ＴＬ（２）と検出電極ＲＬ（ｎ）との間で発生している電界が減少する。これにより、駆動電極ＴＬ（２）と検出電極ＲＬ（ｎ）との間の電荷量が減少する。その結果、図３（Ｃ）に示すように、駆動信号Ｔｘ（２）の供給に応答して生じる電荷量は、指ＦＧがタッチしているときは、タッチしていないときに比べてΔＱだけ減少する。電荷量の差は、電圧の差として表れ、単位検出回路１３−ｎに供給され、検出信号として出力される。

他の駆動電極についても、同様にして、電界駆動信号を供給することにより、指ＦＧがタッチしているが否かに応じた信号の電圧変化が、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）に生じ、検出信号として出力されることになる。これにより、指ＦＧがタッチしているか否か、および座標を検出することが可能となる。

上記したように、磁界検出の際には、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のうち、選択された駆動電極に磁界駆動信号が供給され、電界検出の際には、選択された駆動電極に電界駆動信号が供給される。一方、表示の際には、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に、表示駆動信号が供給される。表示駆動信号によって、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、同じ電圧となるようにされるため、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、１個の共通電極と見なすことができる。

＜液晶表示装置の全体構成＞
図４は、実施の形態１に係わる液晶表示装置１の構成を示すブロック図である。図４において、液晶表示装置１は、表示パネル（液晶パネル）、表示制御装置３、ゲートドライバ４およびタッチ制御装置５を備えている。また、液晶表示装置１は、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌ、切り換え回路ＳＣ−Ｒ、検出制御回路ＳＲおよび切り換え検出回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰを備えている。表示パネルは、表示を行う表示領域（表示部）と周辺領域（周辺部）とを備えている。表示と言う観点で見た場合、表示領域はアクティブ領域であり、表示領域を包囲する周辺領域は非アクティブ領域である。図４では、２が、表示領域である。

表示領域２は、複数の画素が行列状に配置された画素配列を有している。画素配列には、複数の信号線、複数の駆動電極、複数の走査線および複数の検出電極が配置されている。図４を参照して述べると、画素配列において、信号線は、縦方向（列方向）に延在し、横方向（行方向）に平行に配置されている。また、駆動電極は、横方向に延在し、縦方向に平行に配置されている。さらに、走査線は、横方向に延在し、縦方向に平行に配置され、検出電極は、縦方向に延在し、横方向に平行に配置されている。この場合、画素は、かかる複数の信号線と複数の走査線とが交差することにより形成される空間に配置されている。表示の期間（表示期間）においては、信号線と走査線により、画素が選択され、選択された画素には、そのときの信号線の電圧と、駆動電極の電圧が印加され、信号線と駆動電極との間の電圧差に従った表示を行う。

表示制御装置３は、外部端子Ｔｔに供給されるタイミング信号と入力端子Ｔｉに供給される画像情報とを受け、表示のとき、画像情報に従った画像信号を形成し、複数の信号線に供給する。また、表示制御装置３は、外部端子Ｔｔに供給されるタイミング信号とタッチ制御装置５からの制御信号ＳＷとを受け、同期信号ＴＳＨＤ、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮ、周期的に電圧が変化する制御信号ＴＳＶ、タッチ検出に関する制御信号Ｔ−ＣＮＴ、コイルクロック信号ＣＬＫ等を形成する。

磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮは、磁界タッチ検出（磁界検出）と電界タッチ検出（電界検出）を選択的にイネーブルにするイネーブル信号である。磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮは、磁界タッチ検出のとき、例えばハイレベルとなり、電界タッチ検出のとき、ロウレベルとなる。また、同期信号ＴＳＨＤは、表示領域２において表示を行う表示期間とタッチ検出を行うタッチ検出期間とを識別する同期信号である。同期信号ＴＳＨＤは、表示期間のとき、ハイレベルとなり、このとき磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮは、ロウレベルとなる。

磁界タッチ検出のとき、表示制御装置３は、周期的に電圧が変化するコイルクロック信号ＣＬＫを発生し、電界タッチ検出のときには、周期的に電圧が変化する制御信号ＴＳＶを発生する。コイルクロック信号ＣＬＫと制御信号ＴＳＶは、後で説明するが、排他的に同一の信号配線に供給される。そのため、図４では、コイルクロック信号ＣＬＫと制御信号ＴＳＶは、ＣＬＫ／ＴＳＶとして示されている。

ゲートドライバ４は、表示のとき、表示制御装置３からのタイミング信号に従って走査線信号Ｖｓ０〜Ｖｓｐを形成し、表示領域２内の走査線に供給する。表示においては、ハイレベルの走査線信号が供給されている走査線に接続されている画素が選択され、選択された画素は、そのとき信号線に供給されている画像信号に従った表示を行う。

タッチ制御装置５は、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を受け、タッチされた位置の座標を抽出し、外部端子Ｔｏから出力する。また、タッチ制御装置５は、制御信号ＳＷを出力するとともに、同期信号ＴＳＨＤおよび磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮを受け、表示制御装置３に同期して動作する。

表示領域２は、画素配列の行に平行した辺２−Ｕ、２−Ｄと、画素配列の列に平行した辺２−Ｒ、２−Ｌを有している。ここで、辺２−Ｕと辺２−Ｄは、互いに対向した辺であり、この２辺の間に、画素配列における複数の駆動電極と複数の走査線が配置されている。また、辺２−Ｒと辺２−Ｌも、互いに対向した辺であり、この２辺の間に、画素配列における複数の信号線と複数の検出電極が配置されている。

切り換え回路ＳＣ−Ｒ、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌ、検出制御回路ＳＲおよび切り換え検出回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰは、後で説明するので、ここでは説明を省略する。

＜液晶表示装置１のモジュール構成＞
図５は、液晶表示装置１を実装したモジュール５００の全体構成を示す模式的な平面図である。模式的ではあるが、図５は、実際の配置に合わせて描かれている。同図において、５０１は、図１で示した第１基板ＴＧＢの領域を示し、５０２は、第１基板ＴＧＢと第２基板ＣＧＢとが積層された領域を示している。モジュール５００において、第１基板ＴＧＢは、領域５０１と５０２において一体となっている。また、領域５０２では、第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１と第２基板ＣＧＢの第２主面ＣＳＦ２とが対向するように、第１基板ＴＧＢに第２基板ＣＧＢが搭載されている。なお、図５において、５００−Ｕ、５００−Ｄは、モジュール５００の短辺を示しており、５００−Ｌ、５００−Ｒは、モジュール５００の長辺を示している。

領域５０２であって、表示領域２の辺２−Ｌとモジュール５００の辺５００−Ｌとの間の領域には、図４で示したゲートドライバ４、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌおよび検出制御回路ＳＲが配置されている。表示領域２の辺２−Ｒとモジュール５００の辺５００−Ｒとの間の領域には、図４で示した切り換え回路ＳＣ−Ｒが配置されている。表示領域２の辺２−Ｄとモジュール５００の辺５００−Ｄとの間の領域には、図４で示した切り換え検出回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰおよび表示制御装置３が配置されている。切り換え検出回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰは、領域５０１の第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１に形成された配線および部品により構成されている。平面視で見たとき、切り換え検出回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰを覆うように、表示制御装置３が、第１基板ＴＧＢに実装されている。また、切り換え回路ＳＣ−Ｒ、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌおよび検出制御回路ＳＲを構成する配線および部品も、領域５０２における第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１に形成されている。

図４において説明した検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）は、フレキシブルケーブルＦＢ１内の配線を介して、タッチ制御装置５に供給される。領域５０１には、フレキシブルケーブルＦＢ２が接続されており、このフレキシブルケーブルＦＢ２に設けられたコネクタＣＮを介して、タッチ制御装置５と表示制御装置３との間で信号の送受信が行われる。

表示領域２には、既に述べたように、複数の画素が行列状に配列された画素配列を有しており、画素配列の行に沿って配置された複数の駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）と、配列の列に沿って配置された複数の信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と複数の検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）とを備えている。図５には、例として、２個の駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｍ）と２個の信号線ＳＬ（ｋ）、ＳＬ（ｎ）と３個の検出電極ＲＬ（ｎ−２）〜ＲＬ（ｎ）が示されている。なお、図５では、走査線は、省略されているが、走査線は、例示した駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｍ）と平行して、延在している。

また、図５には、画素配列が、破線ＰＤＭとして示されており、画素配列ＰＤＭに配置されている複数の画素のうち、表示領域２の４個の角に配置されている画素と、例示した駆動電極および信号線との交差部に配置された画素が、Ｐｉｘとして示されている。

＜切り換え回路ＳＣ−Ｒ、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌおよび検出制御回路ＳＲの構成＞
図６〜図８は、実施の形態１に係わる液晶表示装置１の構成を示すブロック図である。図６〜図８には、表示領域２に配置されている駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のうち、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋１３）が示されている。また、切り換え回路（第２切り換え回路）ＳＣ−Ｒ、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌおよび検出制御回路ＳＲについても、これらの駆動電極に対応する部分のみが示されている。これらの図において、Ｌｓ、ＬｖおよびＬｃは、信号配線を示しており、信号配線Ｌｓには、接地電圧Ｖｓが供給され、信号配線Ｌｖには、所定の電圧ＶＣＯＭＤＣが供給される。また、信号配線Ｌｃには、磁界タッチ検出のときに、コイルクロック信号ＣＬＫが供給され、電界タッチ検出のときには、周期的に電圧が変化する制御信号ＴＳＶが供給される。

検出制御回路ＳＲは、シフト段ＵＳＩ（０）〜ＵＳＩ（４）が直列に接続されたシフトレジスタと制御回路ＳＲＣとを備えており、表示領域２において、タッチを検出する領域を選択する選択信号を形成し、出力する。制御信号Ｔ−ＣＮＴによって、所定のレジスタ段に、選択値が設定され、図示しないシフトクロック信号に従って、タッチを検出するたびに、選択値がシフトする。制御回路ＳＲＣは、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮとシフトレジスタからの選択値に従って、選択信号ＳＴ００〜ＳＴ４０およびＳＴ０１〜ＳＴ４１を形成し、出力する。

図６は、磁界タッチ検出の際の動作を示し、図７は、電界タッチ検出の際の動作を示し、図８は、表示の際の動作を示している。図６〜図８を用いて、切り換え回路ＳＣ−Ｒ、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌおよび検出制御回路ＳＲの動作を説明する。

先ず、図６を用いて、磁界タッチ検出の際の動作を説明する。磁界検出のとき、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋１３）によって、２回巻線の磁界発生コイルＧＸ（ｎ−１）〜ＧＸ（ｎ＋３）が構成される。ここでは、駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）を例にして、説明する。駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）のそれぞれは、表示領域２において、互いに平行して、行方向（図６では横方向）に延在している。切り換え回路ＳＣ−Ｒは、複数の第１スイッチＳ１０と、複数の第２スイッチＳ１１とを有している。磁界タッチ検出の際、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがハイレベル、同期信号ＴＳＨＤがロウレベルとなる。これにより、論理和回路ＬＯＲの出力はハイレベルとなり、第１スイッチＳ１０および第２スイッチＳ１１はオン状態となり、磁界発生コイルＧＸ（ｎ）の端子ＴＴ１、ＴＴ２の間に駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）が直列的に接続され、磁界発生コイルＧＸ（ｎ）が構成される。

制御回路ＳＲＣは、ハイレベルの磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮと、シフト段ＵＳＩ（１）からの選択値とを受けて、選択信号ＳＴ１０をハイレベルにし、選択信号ＳＴ００、ＳＴ２０〜ＳＴ４０をロウレベルにし、選択信号ＳＴ０１〜ＳＴ４１をロウレベルにする。その結果、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌを構成する第３スイッチＳ２０〜Ｓ２４と第４スイッチＳ３０〜Ｓ３４のうち、第３スイッチＳ２１のみが、図６に示すように、オン状態となり、他のスイッチはオフ状態となる。このとき、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌを構成する第５スイッチＳ４０〜Ｓ４４は、ハイレベルの磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮによってオン状態となる。これにより、磁界発生コイルＧＸ（ｎ）の端部ＴＴ１には、信号配線Ｌｓから接地電圧Ｖｓが供給され、端部ＴＴ２には、信号配線Ｌｃから、コイルクロック信号ＣＬＫが磁界駆動信号として供給され、磁界発生コイルＧＸ（ｎ）は、コイルクロック信号ＣＬＫの変化に応じた磁界を発生する。

次に、図７を用いて、電界タッチ検出の際の動作を説明する。この場合には、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがロウレベルとなるため、第１スイッチＳ１０および第２スイッチＳ１１はオフ状態となる。また、制御回路ＳＲＣは、ロウレベルの磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮとシフト段ＵＳＩ（１）からの選択値を受けて、選択信号ＳＴ１０をハイレベルにし、選択信号ＳＴ１１をロウレベルにし、残りの選択信号ＳＴ００およびＳＴ２０〜ＳＴ４０をロウレベルにし、選択信号ＳＴ０１およびＳＴ２１〜ＳＴ４１をハイレベルにする。これにより、図７に示すように、第３スイッチＳ２１および第４スイッチＳ３０、Ｓ３２〜Ｓ３４がオン状態となり、第４スイッチＳ３１および第５スイッチＳ４０〜Ｓ４４はオフ状態となる。

その結果、駆動電極ＴＬ（ｎ−１）の一方の端部ｆｎにのみ、信号配線Ｌｃから制御信号ＴＳＶが、電界駆動信号として供給され、残りの駆動電極には、制御信号ＴＳＶが供給されない。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−１）は、制御信号ＴＳＶの変化に応じた電界を発生することになる。

表示の際には、同期信号ＴＳＨＤがハイレベルとなるため、第１スイッチＳ１０および第２スイッチＳ１１がオン状態となる。また、制御回路ＳＲＣは、シフト段からの値に係わらずに、選択信号ＳＴ００〜ＳＴ４０をロウレベルにし、選択信号ＳＴ０１〜ＳＴ４１をハイレベルにする。さらに、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮはロウレベルとなる．その結果、図８に示すように、第３スイッチＳ２０〜Ｓ２４および第５スイッチＳ４０〜Ｓ４４はオフ状態、第４スイッチＳ３０〜Ｓ３４はオン状態となる。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）には、信号配線Ｌｖから所定の電圧ＶＣＯＭＤＣが表示駆動信号として供給されることになる。表示の際には、表示駆動信号と信号線の画像信号との間の電位差によって、画素における液晶層の光学特性が変化させられることになる。なお、表示の際、第１スイッチＳ１０および第２スイッチＳ１１がオフ状態となるようにしてもよい。この場合、表示の際に、表示駆動信号が供給される駆動電極の数は減るが、論理和回路ＬＯＲが不要となる。

以上では、駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）を例にして説明したが、他の駆動電極でも同様である。

＜検出電極の配置および切り換え検出回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰの構成＞
図９および図１０は、実施の形態１に係わる液晶表示装置１の構成を示すブロック図である。図９および図１０には、切り換え検出回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰの構成と、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）の配置が示されている。図９は、磁界タッチ検出のときの状態を示し、図１０は、電界タッチ検出のときの状態を示している。切り換え検出回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰの構成および検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）の配置は、図９と図１０において同じである。そのため、図９を用いて、切り換え検出回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰの構成と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）の配置を説明し、図１０では、これらの説明は省略する。

上記したように、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１に形成されており、平面視で見たとき、列方向（縦方向）に延在し、行方向（横方向）に平行に配置されている。そのため、平面視で見たとき、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と直交している。

図９では、これらの検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のうち、検出電極ＲＬ（ｎ−５）〜ＲＬ（ｎ＋６）が、例示されている。以下、例示した検出電極ＲＬ（ｎ−２）〜ＲＬ（ｎ）を用いて説明する。なお、図９は、図面を見易くするために縮尺等をしているが、実際の配置に合わせて描かれている。

この実施の形態１においては、平面視で見たとき、１個の検出電極（第２電極）を挟んで配置されている一対の検出電極（第１電極）の他方の端部ｓｎが互いに接続されることにより、１個の磁界検出コイルが構成されている。また、一対の検出電極に挟まれた１個の検出電極は、その他方の端部ｓｎが一対の検出電極から電気的に分離され、その一方の端部ｆｎは一対の検出電極に接続されている。すなわち、平面視で見たとき、磁界検出コイルを構成する一対の検出電極に挟まれた１個の検出電極は、この磁界検出コイルの内側に配置され、その一方の端部のみが、当該磁界検出コイルに接続されていることになる。

先ず、図９を用いて、磁界タッチ検出の際の動作を説明する。平面視において、検出電極ＲＬ（ｎ−１）を挟むように配置された検出電極ＲＬ（ｎ−２）の他方の端部ｓｎと検出電極ＲＬ（ｎ）の他方の端部ｓｎが、表示領域２の辺２−Ｕの近傍において、電気的に接続されることにより、１回巻線の磁界検出コイルＤＹ（ｎ）が構成されている。間に挟まれた検出電極ＲＬ（ｎ−１）の一方の端部ｆｎは、検出電極ＲＬ（ｎ−２）の一方の端部ｆｎに接続されているが、その他方の端部ｓｎは、一対の検出電極ＲＬ（ｎ−１）、ＲＬ（ｎ＋１）とは電気的に分離されている。同様にして、間に１個の検出電極を挟むように配置され一対の検出電極によって、磁界検出コイルＤＹ（ｎ−１）およびＤＹ（ｎ＋１）〜ＤＹ（ｎ＋２）が構成されている。

切り換え検出回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰは、切り換え回路（第１切り換え回路）ＳＣ−Ｄと検出回路ＡＭＰを備えており、切り換え回路ＳＣ−Ｄは、磁界検出コイルＤＹ（ｎ−１）〜ＤＹ（ｎ＋１）のそれぞれに対応した第６スイッチＳ５０〜Ｓ５３を備えている。また、検出回路ＡＭＰも、磁界検出コイルＤＹ（ｎ−１）〜ＤＹ（ｎ＋１）のそれぞれに対応した複数の単位検出回路ＵＡＭＰを備えている。

磁界検出コイルＤＹ（ｎ）を構成する検出電極ＲＬ（ｎ）の一方の端部ｆｎは、表示領域２の辺２−Ｄの近傍において、対応する第６スイッチＳ５１の共通端子Ｐに接続され、第６スイッチＳ５１の第１端子Ｃ１は、接地電圧Ｖｓに接続され、第６スイッチＳ５１の第２端子Ｃ２は、辺２−Ｄの近傍にいて、検出電極ＲＬ（ｎ−２）およびＲＬ（ｎ−１）の一方の端部ｆｎに接続されている。第６スイッチＳ５１は、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮが、磁界タッチ検出を指定するハイレベルのとき、共通端子Ｐを、図９に示すように、第１端子Ｃ１に接続する。第６スイッチＳ５１の第２端子Ｃ２は、対応する単位検出回路ＵＡＭＰに接続されている。なお、第６スイッチＳ５１の第２端子Ｃ２は、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）の一方の端子ＤＤ１、共通端子Ｐは、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）の他方の端子ＤＤ２と見なすことができる。また、検出電極ＲＬ（ｎ−２）、ＲＬ（ｎ）を第１電極として見なした場合、検出電極ＲＬ（ｎ−２）は第１の第１電極と見なされ、検出電極ＲＬ（ｎ）は第２の第１電極と見なされる。

磁界検出コイルＤＹ（ｎ−１）およびＤＹ（ｎ＋１）〜ＤＹ（ｎ＋２）についても、同様に、対応する第６スイッチＳ５０およびＳ５２〜Ｓ５３に接続され、さらに対応する単位検出回路ＵＡＭＰに接続されている。なお、図９では、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）に接続された単位検出回路ＵＡＭＰのみが示されており、他の単位検出回路は省略されているが、省略した単位検出回路も、単位検出回路ＵＡＭＰと同様な構成を有している。

磁界タッチ検出の際には、図９に示すように、第６スイッチＳ５１の共通端子Ｐは、第１端子Ｃ１に接続され、第６スイッチＳ５１の第２端子Ｃ２は、単位検出回路ＵＡＭＰに接続されている。そのため、図２（Ｂ）で説明したように、ペンＰｅｎのコイルＬ１が、磁界検出期間において、磁界を発生した場合、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）において起電圧が発生し、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）の一方の端部ＤＤ１における信号が変化し、この変化が単位検出回路ＵＡＭＰに供給されることになる。

単位検出回路ＵＡＭＰは、この実施の形態１では、積分回路によって構成されている。すなわち、単位検出回路ＵＡＭＰは、オペアンプＯＰと容量素子ＣＳＳとリセットスイッチＲＳとを備えており、オペアンプＯＰの正相入力（＋）には接地電圧Ｖｓが供給され、逆相入力（−）は、第６スイッチＳ５１の第２端子Ｃ２に接続され、容量素子ＣＳＳとリセットスイッチＲＳは、オペアンプＯＰの出力と逆相入力（−）との間に並列接続されている。単位検出回路ＵＡＭＰは、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）における信号の変化を積分することにより、検出信号ＲＸ（ｎ）を形成して、出力する。

他の磁界検出コイルＤＹ（ｎ−１）およびＤＹ（ｎ＋１）〜ＤＹ（ｎ＋２）のそれぞれに対応した単位検出回路（図示せず）のそれぞれにおいても、同様に、対応する磁界検出コイルの一方の端部ＤＤ１における信号の変化を積分し、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）としてタッチ制御装置５（図４）へ出力する。

次に、図１０を用いて、電界タッチ検出の際の動作を説明する。電界タッチ検出の際には、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがロウレベルとなるため、図１０に示すように、第６スイッチＳ５０〜Ｓ５３のそれぞれにおいて、共通端子Ｐは、第２端子Ｃ２に接続される。

第６スイッチＳ５１において、共通端子Ｐが、第２端子Ｃ２に接続されることにより、検出電極ＲＬ（ｎ−２）、ＲＬ（ｎ−１）およびＲＬ（ｎ）のそれぞれの一方の端部ｆｎが、単位検出回路ＵＡＭＰに接続されることになる。すなわち、それぞれの一方の端部ｆｎが、オペアンプＯＰの逆相入力（−）に接続されることになる。見方を変えると、磁界タッチ検出の際に、磁界検出コイルとして機能していた磁界検出コイルＤＹ（ｎ）の一方の端部ＤＤ１と、他方の端部ＤＤ２が、第６スイッチＳ５１を介して電気的に接続されることになる。すなわち、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）の他方の端部ＤＤ２は、接地電圧Ｖｓから分離され、一方の端部ＤＤ１に接続されるとともに、単位検出回路ＵＡＭＰに接続されることになる。このとき、検出電極ＲＬ（ｎ−２）とＲＬ（ｎ）との間に配置されていた検出電極ＲＬ（ｎ−１）も、その他方の端部ｓｎが、検出電極ＲＬ（ｎ−２）およびＲＬ（ｎ）から電気的に分離された状態で、その一方の端部ｆｎは、同じ単位検出回路ＵＡＭＰに接続されることになる。

図７で説明したように、電界タッチ検出の際には、選択された駆動電極（例えばＴＬ（ｎ＋１））に、周期的に電圧が変化する電界駆動信号（ＴＳＶ）が供給される。これにより、選択された駆動電極（ＴＬ（ｎ））と、検出電極ＲＬ（ｎ−２）、ＲＬ（ｎ−１）およびＲＬ（ｎ）との間で電界が発生することになる。図３で説明したように、指がタッチしていれば、電荷量が変化し、検出電極ＲＬ（ｎ−２）、ＲＬ（ｎ−１）およびＲＬ（ｎ）の一方の端部ｆｎに信号変化が発生する。この信号変化が、単位検出回路ＵＡＭＰによって、所定の時間積分され、検出信号（例えば、Ｒｘ（ｎ））として、タッチ制御装置５へ供給される。

磁界検出の際に、磁界検出コイルとして機能する磁界検出コイルＤＹ（ｎ）と、この磁界検出コイルＤＹ（ｎ）の内側に配置された検出電極ＲＬ（ｎ−１）を例にして、電界タッチ検出の動作を説明したが、他の検出電極によって構成された磁界検出コイルと、この磁界検出コイルの内側に配置された検出電極の場合も、同様にして、指のタッチを検出する。

この実施の形態１においては、磁界検出コイルを構成する一対の検出電極（例えばＲＬ（ｎ−２）とＲＬ（ｎ））の間に配置された検出電極（ＲＬ（ｎ−１））も、電界を検出するのに用いられている。磁界検出コイルを構成する一対の検出電極の間に、検出電極が配置されていない場合、一対の検出電極の間の領域において、指のタッチにより生じる電界の変化を検出する検出感度が低下することになる。これに対して、この実施の形態１では、一対の検出電極間に配置された検出電極も、電界の変化を検出するのに用いられるため、検出感度の低下を低減することが可能となる。

磁界検出コイルＤＹ（ｎ）を構成する一対の検出電極ＲＬ（ｎ−２）、ＲＬ（ｎ）に挟まれた検出電極ＲＬ（ｎ−１）は、上記したように、実施の形態１においては、その一方の端部ｆｎが、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）を構成する検出電極ＲＬ（ｎ−２）に接続され、他方の端部ｓｎが、検出電極ＲＬ（ｎ−２）、ＲＬ（ｎ）から電気的に分離されている。この結果、検出電極ＲＬ（ｎ−１）と検出電極ＲＬ（ｎ−２）とによって、閉じたコイル（検出電極ＲＬ（ｎ−２）〜ＲＬ（ｎ）により構成されるコイルよりも小さいコイル）が構成されてしまうことがなく、かかるコイルによって、磁界が乱されることはない。

＜検出電極の構造＞
図１１は、実施の形態１に係わる検出電極の構成を模式的に示す平面図である。図１１は、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１に配置された複数の検出電極を、模式的に示した平面図である。図１１には、複数の検出電極のうち、検出電極ＲＬ（ｎ−３）〜ＲＬ（ｎ＋７）が、代表として描かれている。検出電極ＲＬ（ｎ−３）〜ＲＬ（ｎ＋７）のそれぞれは、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１において、表示領域２となる領域で、互いに平行となるように配置されている。すなわち、それぞれの検出電極は、表示領域２において、列方向（縦方向）に延在し、行方向（横方向）に、平行となるように配置されている。図５を参照にして述べると、平面視で見たとき、検出電極ＲＬ（ｎ−３）〜ＲＬ（ｎ＋７）は、表示領域２の辺２−Ｒと辺２−Ｌとの間に配置され、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれと直交している。

第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１において、表示領域２の辺２−Ｕ側には、信号配線ＵＬＬ（１）、ＵＬＬ（２）およびＵＬＬ（３）が形成されており、表示領域２の辺２−Ｄ側には、信号配線ＤＬＬ（１−１）、ＤＬＬ（１−２）、ＤＬＬ（２−１）、ＤＬＬ（２−２）、ＤＬＬ（３−１）およびＤＬＬ（３−２）が形成されている。これらの信号配線によって、図９および図１０に示したように、検出電極間が接続されている。

検出電極ＲＬ（ｎ−２）およびＲＬ（ｎ）を例にすると、検出電極ＲＬ（ｎ−２）の他方の端部ｓｎと検出電極ＲＬ（ｎ）の他方の端部ｓｎとは、表示領域２の辺２−Ｕ側に形成された信号配線ＵＬＬ（１）によって接続されている。また、検出電極ＲＬ（ｎ−２）の一方の端部ｆｎと検出電極ＲＬ（ｎ−１）の一方の端部ｆｎとの間は、表示領域２の辺２−Ｄ側に形成された信号配線ＤＬＬ（１−１）によって接続されている。この信号配線ＤＬＬ（１−１）は、図９および図１０に示した第６スイッチＳ５１の第２端子Ｃ２と、対応する単位検出回路ＵＡＭＰの逆相入力（−）とに接続されている。また、検出電極ＲＬ（ｎ）の一方の端部ｆｎは、辺２−Ｄ側に形成された信号配線ＤＬＬ（１−２）に接続され、この信号配線ＤＬ（１−２）は、図９および図１０に示した第６スイッチＳ５１の共通端子Ｐに接続されている。他の検出電極も同様に、図９および図１０に示すような接続となるように、信号配線によって接続されている。

図１１において、ＲＢ１およびＲＢ３は、磁界検出コイルＤＹ（ｎ＋１）を構成する一対の検出電極ＲＬ（ｎ＋１）、ＲＬ（ｎ＋３）の幅（電極幅）を示しており、ＲＢ２は、検出電極ＲＬ（ｎ＋２）の幅（電極幅）を示している。また、同図において、ＤＢ１は、検出電極ＲＬ（ｎ＋１）と検出電極ＲＬ（ｎ＋２）との間の幅を示しており、ＤＢ２は、検出電極ＲＬ（ｎ＋２）と検出電極ＲＬ（ｎ＋３）との間の幅を示している。この実施の形態１においては、平面視で見たとき、磁界検出コイルＤＹ（ｎ＋１）を形成する検出電極ＲＬ（ｎ＋１）、ＲＬ（ｎ＋３）と、コイルの内側に配置された検出電極ＲＬ（ｎ＋２）との間にダミー電極領域ＤＭＡが配置されている。そのため、ＤＢ１およびＤＢ２は、ダミー電極領域ＤＭＡの幅と見なすことができる。

この実施の形態１においては、検出電極ＲＬ（ｎ＋１）〜ＲＬ（ｎ＋３）のそれぞれは、メッシュ状に配置された複数の多角形の電極によって構成されている。言い換えると、検出電極ＲＬ（ｎ＋１）〜ＲＬ（ｎ＋３）のそれぞれは、行列状に配置され、互いに電気的に接続された複数の多角形の電極によって構成されている。複数の多角形の電極が行列状に配置されていると見なした場合、行列の横方向（行方向）の幅が、ＲＢ１、ＲＢ２、ＲＢ３に相当し、この幅に配置された複数の多角形の電極が、縦方向（列方向）に沿って、複数配置されていることになる。

検出電極ＲＬ（ｎ＋１）〜ＲＬ（ｎ＋３）においては、それぞれを構成する複数の多角形の電極が電気的に接続されている。そのため、それぞれの検出電極における一方の端部ｆｎと他方の端部ｓｎは電気的に接続された状態となっている。

ダミー電極領域ＤＭＡも、メッシュ状に配置された複数の多角形のダミー電極によって構成されている。ダミー電極領域ＤＭＡが、行列状に配置された複数の多角形のダミー電極によって構成されると見なした場合、行列の横方向（行方向）の幅が、ＤＢ１、ＤＢ２に相当し、この幅に配置された複数の多角形の電極が、縦方向（列方向）に沿って、複数配置されていることになる。

後で説明するが、ダミー電極領域ＤＭＡに配置される多角形のダミー電極の構造は、検出電極ＲＬ（ｎ＋１）〜ＲＬ（ｎ＋３）を構成する多角形の電極と異なっており、ダミー電極間は電気的に分離されている。このように、ダミー電極は、検出電極と平行して配置され、検出電極間に挟まれるように配置されている。ダミー電極を配置しないようにすることも可能であるが、ダミー電極を配置しないと、表示領域２において、検出電極が配置されている領域と、検出電極が配置されていない領域とが視認されるのみならず、これらの領域によってコントラストや光の反射等の表示特性に差が生じてしまうことが考えられる。この実施の形態１においては、ダミー電極を検出電極間に配置することにより、表示領域全体の表示特性の均一化が図られている。

検出電極ＲＬ（ｎ＋１）〜ＲＬ（ｎ＋３）およびこれらの検出電極間に挟まれたダミー電極領域ＤＭＡを例にして説明したが、他の検出電極および検出電極間に挟まれたダミー電極領域も同様である。

電界タッチ検出のときには、磁界検出コイルを構成する検出電極だけでなく、磁界検出コイルの内側に配置された検出電極によっても、電界の変化を検出するため、検出感度が低下する領域を減らすことが可能となり、電界タッチ検出のときの検出感度の低下を低減することが可能となる。

＜電極およびダミー電極の構造＞
図１２は、実施の形態１に係わる検出電極およびダミー電極領域の構造を示す平面図である。図１２（Ａ）は、図１１に示した検出電極ＲＬ（ｎ）、ＲＬ（ｎ＋１）の一部分を拡大した平面図である。また、図１２（Ｂ）は、検出電極を構成する多角形の電極の構造を示す平面図であり、図１２（Ｃ）は、ダミー電極領域に配置されるダミー電極の構造を示す平面図である。

図１２（Ａ）において、ＲＤは、検出電極を構成する多角形の電極を示している。この実施の形態１では、多角形の電極ＲＤは、菱形をしている。図１２（Ａ）において、ＤＭは、ダミー電極を示しており、この実施の形態１では、外形が、電極ＲＤと同じ菱形をしている。また、図１２（Ａ）において、ＥＢ１は、検出電極ＲＬ（ｎ）と、これに隣接したダミー電極領域ＤＭＡとの間の境界領域を示しており、ＥＢ２は、検出電極ＲＬ（ｎ）と、これに隣接した検出電極ＲＬ（ｎ＋１）との間の境界領域を示しており、ＥＢ３は、検出電極ＲＬ（ｎ＋１）と、これに隣接したダミー電極領域ＤＭＡとの間の境界領域を示している。

先ず、図１２（Ｂ）を用いて、検出電極を構成する菱形の電極ＲＤを説明する。電極ＲＤは、電極配線ＬＬ１〜ＬＬ４を備えており、これらの電極配線ＬＬ１〜ＬＬ４が、菱形のそれぞれの辺に沿って配置され、数μｍから十数μｍの幅を有する電極配線ＬＬ１〜ＬＬ４間は電気的に接続されている。例えば電極配線ＬＬ１とＬＬ２は、菱形の頂点ＰＰ１において互いに接続されている。同様に、電極配線ＬＬ２〜ＬＬ１が、頂点ＰＰ２〜ＰＰ４において接続されている。電極ＲＤにおいて、電極配線ＬＬ１〜ＬＬ４によって囲まれた菱形（多角形）の内側および外側には、配線は存在しない。そのため、平面視で見た場合、電極配線ＬＬ１〜ＬＬ４によって閉じた菱形（多角形）の領域（空間）が構成され、電極ＲＤとして用いられていることになる。

ダミー電極ＤＭは、図１２（Ｃ）に示す構造を有している。ダミー電極ＤＭも、菱形のそれぞれの辺に沿って配置された電極配線ＬＬ１〜ＬＬ４を備えているが、それぞれの電極配線は、２個の電極配線に分断されている。例えば、電極配線ＬＬ１は、電極配線ＬＬ１−１とＬＬ１−２に分断され、菱形の頂点ＰＰ１と頂点ＰＰ４との間に配置されている。残りの電極配線ＬＬ２〜ＬＬ４のそれぞれも、同様に、２個の電極配線に分断され、菱形の頂点間に配置されている。

ダミー電極ＤＭにおいては、電極配線ＬＬ１〜ＬＬ４のそれぞれが、２個の電極配線に分断され、分断された電極配線が菱形の辺に沿って配置されることにより、菱形（多角形）形状が構成されていることになる。この菱形形状の内側および外側には配線が存在しない。平面視で見た場合、ダミー電極ＤＭは、電極配線ＬＬ１−１、ＬＬ１−２〜ＬＬ４−１、ＬＬ４−２によって構成された開いた菱形（多角形）の領域（空間）により構成されていると見なすことができる。

図１２（Ｂ）に示した菱形の電極ＲＤが、図１２（Ａ）に示すように、複数個、横方向および縦方向に配置されている。この配置において、電極ＲＤの頂点、すなわち菱形の頂点ＰＰ１〜ＰＰ４が、上下左右の側方に配置された電極ＲＤの頂点（菱形の頂点）に電気的に接続されている。なお、隣接する電極ＲＤ間では、辺に配置された電極配線は兼用されている。

また、ダミー電極領域ＤＭＡでは、図１２（Ｃ）に示した菱形のダミー電極ＤＭが、図１２（Ａ）に示すように、横方向および縦方向に、複数個配置されている。ダミー電極領域ＤＭＡにおいても、ダミー電極ＤＭの頂点、すなわち菱形の頂点ＰＰ１〜ＰＰ４は、上下左右の側方に配置されたダミー電極ＤＭの頂点（菱形の頂点）に電気的に接続されている。隣接するダミー電極ＤＭ間で、頂点が接続されているが、それぞれのダミー電極ＤＭにおいて、頂点間が電気的に分離されているため、ダミー電極間は電気的に分離されていると見なすことができる。なお、ダミー電極領域ＤＭＡにおいても、隣接するダミー電極間では、辺に配置されている電極配線は兼用されている。

図１２（Ａ）に示した境界領域ＥＢ１において、ダミー電極の頂点ＰＰ４（図１２（Ｃ））と検出電極ＲＬ（ｎ）を構成する電極ＲＤの頂点ＰＰ２（図１２（Ｂ））とが接続されている。ダミー電極の頂点ＰＰ４は、他の頂点ＰＰ１〜ＰＰ３と電気的に分離されているため、検出電極ＲＬ（ｎ）と、これに隣接したダミー電極領域ＤＭＡ間は電気的に分離されることになる。

また、境界領域ＥＢ２においては、電極ＲＤを構成する電極配線ＬＬ１とＬＬ４が、ダミー電極ＤＭの電極配線ＬＬ１−１、ＬＬ１−２、ＬＬ４−１、ＬＬ４−２のように分断されている。図１２（Ａ）では、このような電極は、ＲＤＭとして示されている。これにより、互いに隣接した検出電極ＲＬ（ｎ）とＲＬ（ｎ＋１）との間が電気的に分離されている。さらに、境界領域ＥＢ３においても、上記した電極ＲＤＭが配置されている。これにより、検出電極ＲＬ（ｎ＋１）と、これに隣接したダミー電極領域ＤＭＡとの間が分離されている。

上記した説明では、図１２（Ｂ）に示した電極ＲＤを、検出電極ＲＬ（ｎ）、ＲＬ（ｎ＋１）の領域に配列し、ダミー電極ＤＭを、ダミー電極領域ＤＭＡに配列する例を示したが、これに限定されるものではない。例えば、平面視で見たとき、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１に、互いに交差する複数の金属細線をメッシュ状に形成し、金属細線の一部を欠落させることによって、検出電極ＲＬ（ｎ）、ＲＬ（ｎ＋１）およびダミー電極領域ＤＭＡを形成するようにしてもよい。このようにする場合、メッシュ状に形成された金属細線の例が、図１２（Ａ）において、ＭＬ１およびＭＬ２として示されている。また、欠落部が、ＣＵＴとして示されている。欠落部ＣＵＴは、ダミー電極領域ＤＭＡとなるべき領域に配置された金属細線ＭＬ１およびＭＬ２に形成される。同様に、境界領域ＥＢ１〜ＥＢ３となるべき領域に配置された金属細線ＭＬ１およびＭＬ２にも、欠落部ＣＵＴが形成されることになる。

実施の形態１では、電極ＲＤＭとして、辺に沿って配置された電極配線を分断する例を示したが、辺に沿って配置された電極配線を分断するのではなく、頂点で分離するようにしてもよい。例えば、隣接する電極ＲＤ間が、頂点ＰＰ２とＰＰ４で接続されている場合、頂点ＰＰ２と頂点ＰＰ４とを接続する接続部を分断するようにしてもよい。しかしながら、この場合、頂点ＰＰ２と頂点ＰＰ４が重なっている接続部を分断することになるため、切断量が増加する等の不都合が考えられる。そのため、辺に沿って配置されている電極配線を分断することが望ましい。

この実施の形態１においては、それぞれのダミー電極ＤＭにおいて、頂点間が電気的に分離されている。そのため、コイルＬ１からの磁界が、ダミー電極領域ＤＭＡに与えられても、ダミー電極ＤＭにおいて磁界が誘起されるのを防ぐことが可能となり、コイルＬ１からの磁界が乱されるのを低減することが可能である。

なお、特に制限されないが、この実施の形態１において、電極配線ＬＬ１〜ＬＬ４（ＬＬ１−１、ＬＬ１−２〜ＬＬ４−１、ＬＬ４−２）は、抵抗値が低いアルミニウム等によって形成されている。

図１２では、検出電極ＲＬ（ｎ）、ＲＬ（ｎ＋１）を例にして説明したが、他の検出電極も同様な構造にされている。例えば、図１１に示した磁界検出コイルＤＹ（ｎ）の内側に配置された検出電極ＲＬ（ｎ＋２）も、列方向および行方向に配置された多角形の電極ＲＤによって構成されている。

例えば、図１１において、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）を構成する検出電極ＲＬ（ｎ＋１）およびＲＬ（ｎ＋３）のそれぞれを、第１電極と見なし、磁界検出コイルの内側に配置されている検出電極ＲＬ（ｎ＋２）を第２電極と見なすことができる。また、例えば、図１２において、検出電極ＲＬ（ｎ＋１）を構成する多角形の電極ＲＤは、第３電極と見なし、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）の内側に配置されている検出電極ＲＬ（ｎ＋２）を構成する多角形の電極ＲＤは、第４電極と見なすことができる。この場合、多角形の電極ＲＤを構成する電極配線ＬＬ１〜ＬＬ４は、第１電極配線と見なすことができ、多角形のダミー電極ＤＭを構成する電極配線ＬＬ１−１，ＬＬ１−２〜ＬＬ４−１、ＬＬ４−２は、第２電極配線と見なすことができる。

（実施の形態２）
図１３は、実施の形態２に係わる検出電極の構成を示す図である。図１３（Ａ）は検出電極の平面図、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）におけるＡ−Ａ’断面を示す断面図である。

図１３（Ａ）は、図１１に類似している。すなわち、図１３（Ａ）において、ＲＬ（ｎ−３）〜ＲＬ（ｎ＋７）は、図１１と同様に、第２基板ＣＧＢに形成された検出電極を示しており、それぞれの検出電極ＲＬ（ｎ−３）〜ＲＬ（ｎ＋７）は、複数の多角形の電極ＲＤによって構成されている。また、図１３（Ａ）において、ＤＭＡは、ダミー電極領域を示しており、複数の多角形のダミー電極ＤＭが配置されている。図１３（Ａ）で、一点鎖線ＺＡで示した領域が、図１２（Ａ）で説明した領域に相当する。

図１３（Ａ）において、ＵＬＬ（１−１）〜ＵＬＬ（１−３）、ＵＬＬ（２−１）〜ＵＬＬ（２−３）およびＵＬＬ（３−１）〜ＵＬＬ（３−３）は、信号配線を示している。これらの信号配線は、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１において、表示領域２の辺２−Ｕ側に形成されている。また、ＤＬＬ（１−１）、ＤＬＬ（１−２−１）〜ＤＬＬ（１−２−３）、ＤＬＬ（２−１）、ＤＬＬ（２−２−１）〜ＵＬＬ（２−２−３）、ＤＬＬ（３−１）およびＤＬＬ（３−２−１）〜ＤＬＬ（３−２−３）は、信号配線を示している。これらの信号配線は、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１において、表示領域２の辺２−Ｄ側に形成されている。

信号配線ＵＬＬ（１−１）〜ＵＬＬ（１−３）によって、検出電極ＲＬ（ｎ−３）と検出電極ＲＬ（ｎ＋１）のそれぞれの他方の端部ｓｎ間が、辺２−Ｕ側において接続されている。同様にして、辺２−Ｕ側に形成された信号配線によって、検出電極ＲＬ（ｎ）と検出電極ＲＬ（ｎ＋４）の他方の端部ｓｎ間が接続され、検出電極ＲＬ（ｎ＋３）と検出電極ＲＬ（ｎ＋７）の他方の端部ｓｎ間が接続されている。

信号配線ＤＬＬ（１−１）によって、検出電極ＲＬ（ｎ−３）、ＲＬ（ｎ−２）のそれぞれの一方の端部ｆｎと、図９および図１０で説明した第６スイッチの第２端子Ｃ２との間が、辺２−Ｄ側において接続されている。また、信号配線ＤＬＬ（１−２−１）およびＤＬＬ（１−２−２）によって、検出電極ＲＬ（ｎ＋１）の一方の端部ｆｎが、辺２−Ｄ側において、第２スイッチの共通端子Ｐに接続されている。同様にして、辺２−Ｄ側に形成された信号配線により、他の検出電極の一方の端部ｆｎ間の接続と、他の検出電極と第６スイッチの端子（第１端子Ｃ１および共通端子Ｐ）間の接続が行われている。これにより、それぞれ１回巻線の磁界検出コイルＤＹ（ｎ）〜ＤＹ（ｎ＋２）が、検出電極ＲＬ（ｎ−３）、ＲＬ（ｎ＋１）、ＲＬ（ｎ）、ＲＬ（ｎ＋４）、ＲＬ（ｎ＋３）およびＲＬ（ｎ＋７）によって構成されている。

この実施の形態２においては、磁界検出コイルＤＹ（ｎ＋１）を構成する検出電極（第５電極）ＲＬ（ｎ）とＲＬ（ｎ＋４）との間に、平面視で見たとき、３個の検出電極ＲＬ（ｎ＋１）〜ＲＬ（ｎ＋３）が配置されている。すなわち、磁界検出コイルＤＹ（ｎ＋１）の内側の領域に、３個の検出電極が配置されている。この３個の検出電極ＲＬ（ｎ＋１）〜ＲＬ（ｎ＋３）のうち、検出電極ＲＬ（ｎ）に近接して配置されている検出電極（第１電極）ＲＬ（ｎ＋１）は、この磁界検出コイルＤＹ（ｎ＋１）の左側の側方に配置された磁界検出コイルＤＹ（ｎ）を構成する検出電極として用いられている。同様に、検出電極ＲＬ（ｎ＋４）に近接して配置されている検出電極ＲＬ（ｎ＋３）は、この磁界検出コイルＤＹ（ｎ＋１）の右側の側方に配置された磁界検出コイルＤＹ（ｎ＋２）を構成する検出電極として用いられている。これにより、磁界検出コイルＤＹ（ｎ＋１）は、隣（側方）に配置された磁界検出コイルＤＹ（ｎ）およびＤＹ（ｎ＋２）と、部分的に重なることになり、磁界を検出する際に、不感となる領域が発生するのを防ぐことが可能となっている。

３個の検出電極ＲＬ（ｎ＋１）〜ＲＬ（ｎ＋３）のうち、残りの１個の検出電極ＲＬ（ｎ＋２）は、その一方の端部ｆｎが、磁界検出コイルＤＹ（ｎ＋１）を構成する検出電極ＲＬ（ｎ）、ＲＬ（ｎ＋４）に電気的に接続され、その他方の端部ｓｎは、磁界検出コイルＤＹ（ｎ＋１）とは電気的に分離されている。この検出電極ＲＬ（ｎ＋２）は、電界検出の際に、検出電極ＲＬ（ｎ）、ＲＬ（ｎ＋４）とともに、電界を検出する電極として用いられることになり、電界検出の際に、感度が低下するのを防ぐことが可能となる。

同様にして、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）は、磁界検出コイルＤＹ（ｎ＋１）と図示しない磁界検出コイルＤＹ（ｎ−１）と重なるように配置され、磁界検出コイルＤＹ（ｎ＋２）は、磁界検出コイルＤＹ（ｎ＋１）と図示しない磁界検出コイルＤＹ（ｎ＋３）と重なるように配置されている。また、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）、ＤＹ（ｎ＋２）のそれぞれの内側に配置された検出電極ＲＬ（ｎ−１）、ＲＬ（ｎ＋５）は、電界を検出する電極として用いられる。なお、図１３（Ａ）において、磁界検出コイルの内側に配置とは、平面視で見たときに、磁界検出コイルを構成する検出電極間に配置されていることを表している。

この実施の形態２においては、磁界検出コイルの一部が互いに重なるべく、表示領域２の辺２−Ｕ側に配置される各磁界検出コイルの信号配線が、立体的に交差するように形成されている。同様に、表示領域２の辺２−Ｄ側に配置される各磁界検出コイルの信号配線が、立体的に交差するように形成されている。

この立体的な交差部の例が、図１３（Ａ）において、Ａ−Ａ’部として示されている。このＡ−Ａ’部の断面構造が、図１３（Ｂ）に示されている。図１３（Ｂ）において、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１において、表示領域２に相当する領域には、前記した検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（Ｐ）が形成されている。表示領域２の辺２−Ｕ側であって、表示領域２の外側の第１主面ＣＳＦ１上に、金属配線層が形成され、形成された金属配線層により、図１３（Ｂ）において横方向に延在している信号配線ＵＬＬ（２−１）と信号配線ＵＬＬ（２−３）が構成される。また、信号配線ＵＬＬ（２−１）と信号配線ＵＬＬ（２−３）は分離されており、分離部分を、第１主面ＣＳＦ１上に形成された金属配線層により構成された信号配線ＵＬＬ（３−１）が、通過している。

第１主面ＣＳＦ１に形成された金属配線層上には、樹脂膜ＩＳＯが形成され、樹脂膜ＩＳＯ上には、例えばＩＴＯによって構成された透過性の高い導電層が形成される。信号配線ＵＬＬ（２−１）、ＵＬＬ（２−３）上に形成された樹脂膜ＩＯＳの所定の領域に開口部が設けられ、この開口部を介して、透明性の高い導電層が、信号配線ＵＬＬ（２−１）およびＵＬＬ（２−３）に接続されている。信号配線ＵＬＬ（２−１）およびＵＬＬ（２−３）に接続された導電層が、信号配線ＵＬＬ（２−２）となる。図１３（Ｂ）では、信号配線ＵＬＬ（２−１）、ＵＬＬ（２−３）と信号配線ＵＬＬ（２−２）を接続する部分が、コンタクトホールＣＴＰとして示されている。これにより、信号配線ＵＬＬ（３−１）と信号配線ＵＬＬ（２−１）〜ＵＬＬ（２−３）が、電気的に接続されないようにして、交差している。

信号配線ＵＬＬ（３−１）と信号配線ＵＬＬ（２−１）〜ＵＬＬ（２−３）との間の交差部を例にして説明したが、他の信号配線の交差部についても同様である。

実施の形態２によれば、電極ＲＤやダミー電極ＤＭを構成する電極配線により形成される磁界検出領域の全てがいずれかの磁界検出コイルの外縁よりも内側の領域に存在することとなり、磁界検出の際に、検出感度が低下する領域あるいは不感領域が生じるのを低減することが可能である。また、電界検出の際には、検出感度の低下を低減することが可能となる。

なお、実施の形態１では、磁界検出コイルが重なっていないため、第２基板ＣＧＢに、例えば１層の導電層を形成し、この導電層で、磁界検出コイルと、磁界検出コイルの内側の検出電極を形成することが可能となり、価格の上昇を抑制することが可能となる。

＜変形例＞
図１４は、実施の形態２の変形例に係わる検出電極の構造を示す平面図である。図１４は、図１３（Ａ）に類似しているので、主に相違点を説明する。

図１３（Ａ）で述べたように、磁界検出コイルＤＹ（ｎ＋１）は、検出電極ＲＬ（ｎ）とＲＬ（ｎ＋４）によって構成されている。平面視で見たとき、この検出電極ＲＬ（ｎ）とＲＬ（ｎ＋４）との間に、検出電極ＲＬ（ｎ＋１）〜ＲＬ（ｎ＋３）が存在する。図１３（Ａ）では、磁界検出コイルＤＹ（ｎ＋１）の内側に配置されている検出電極ＲＬ（ｎ＋１）〜ＲＬ（ｎ＋３）のそれぞれの幅ＴＢ１〜ＲＢ３は、同じにされていた。これに対して、この変形例においては、磁界検出コイルＤＹ（ｎ＋１）の内側に配置されている検出電極ＲＬ（ｎ＋２）の幅ＲＢ２−１が、検出電極ＲＬ（ｎ）、ＲＬ（ｎ＋４）の幅ＲＢ１、Ｒ３に比べて細くされている。すなわち、電界検出の際に、電界を検出する電極として用いられる検出電極ＲＬ（ｎ＋２）の幅ＲＢ２−１が、細くされている。

これにより、磁界検出の際に、コイルＬ１から伝えられる磁界が、磁界検出コイルＤＹ（ｎ＋１）の内側に配置された検出電極によって乱されるのを低減することが可能となり、磁界検出コイルＤＹ（ｎ＋１）に伝達される磁界が弱くなるのを防ぐことが可能となる。その結果、検出感度の低下を減らすことが可能となる。また、磁界検出コイルの内側に配置されている検出電極の幅ＲＢ２−１が細くなるため、この検出電極に付随する寄生容量を低減することが可能となり、磁界検出の際に寄生容量へ流れる電流を低減することが可能となる。その結果、検出感度の低下を、さらに減らすことが可能となる。

磁界検出コイルＤＹ（ｎ＋１）の内側に配置される検出電極ＲＬ（ｎ＋２）を例にして説明したが、他の磁界検出コイルＤＹ（ｎ）、ＤＹ（ｎ＋２）のそれぞれの内側に配置されている検出電極ＲＬ（ｎ−１）、ＲＬ（ｎ＋５）の幅も、磁界検出コイルを構成する検出電極の幅よりも細くされている。

なお、図１４では、図１３の信号配線ＵＬＬ（１−１）〜ＵＬＬ（１−３）は、１個の信号配線ＵＬＬ（１）で示され、図１３の信号配線ＤＬＬ（１−２−１）、ＤＬＬ（１−２−２）は、１個の信号配線ＤＬＬ（１−２）で示されている。残りの信号配線も、同様に、図１４では、１個の信号配線で示されている。

（実施の形態３）
実施の形態１および２においては、表示領域２において、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）とが直交するように配置された表示装置を説明した。実施の形態３では、表示領域２において、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）が平行して配置される。すなわち、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）および駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）が、列方向（第２方向）に延在し、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と直交するように、行方向（第１方向）に延在する。

この実施の形態３においても、磁界タッチ検出の際には、実施の形態１と同様に、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）によって磁界発生コイルが構成され、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）によって磁界検出コイルが構成される。また、電界タッチ検出の際には、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）によって電界が発生し、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）によって電界の変化が検出される。

図１５は、実施の形態３に係わる検出電極の構造を示す模式的な平面図である。模式的ではあるが、表示領域２における検出電極の配置は、実際の配置に合わせて描かれている。図１５において、破線で囲んだ領域は、表示領域２を示している。表示領域２には、複数の検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）が配置されているが、図１５には、検出電極ＲＬ（ｎ−３）、ＲＬ（ｎ−１）〜ＲＬ（ｎ＋５）およびＲＬ（ｎ＋７）のみが示されている。

検出電極ＲＬ（ｎ−３）の他方の端部ｓｎは、表示領域２の辺２−Ｒ側において、検出電極ＲＬ（ｎ＋１）の他方の端部ｓｎに接続されている。これにより、検出電極ＲＬ（ｎ−３）とＲＬ（ｎ＋１）により磁界検出コイルＤＸ（ｎ−１）が構成されている。磁界検出コイルＤＸ（ｎ−１）の内側には、検出電極ＲＬ（ｎ−２）、ＲＬ（ｎ−１）およびＲＬ（ｎ）が配置されている。図１５では、検出電極ＲＬ（ｎ−２）は、省略されているが、隣の磁界検出コイルＤＸ（ｎ−２）を構成する検出電極として用いられる。検出電極ＲＬ（ｎ−１）の一方の端部ｆｎは、辺２−Ｌ側において、検出電極ＲＬ（ｎ−３）の一方の端部ｆｎと接続され、その他方の端部ｓｎは、磁界検出コイルＤＸ（ｎ−１）と電気的に分離されている。また、検出電極ＲＬ（ｎ）の他方の端部ｓｎは、辺２−Ｌ側において、検出電極ＲＬ（ｎ＋４）の他方の端部ｓｎに接続されている。これにより、検出電極ＲＬ（ｎ）とＲＬ（ｎ＋４）とによって磁界検出コイルＤＸ（ｎ）が構成されている。

磁界検出コイルＤＸ（ｎ）は、上側に配置された磁界検出コイルＤＸ（ｎ−１）の内側に配置されているため、実施の形態２で説明したのと同様に、隣の磁界検出コイルと部分的に重なっていることになる。

磁界検出コイルＤＸ（ｎ）の内側には、検出電極ＲＬ（ｎ＋２）、ＲＬ（ｎ＋３）および上記した検出電極ＲＬ（ｎ＋１）が配置されている。検出電極ＲＬ（ｎ＋２）の一方の端部ｆｎは、辺２−Ｒ側において、検出電極ＲＬ（ｎ）の一方の端部ｆｎに接続され、他方の端部ｓｎは磁界検出コイルＤＸ（ｎ）から電気的に分離されている。検出電極ＲＬ（ｎ＋３）の他方の端部ｓｎは、辺２−Ｒ側において、検出電極ＲＬ（ｎ＋７）の他方の端部ｓｎに接続され、磁界検出コイルＤＸ（ｎ＋１）が構成される。磁界検出コイルＤＸ（ｎ＋１）の構成は、検出電極が異なるだけで、磁界検出コイルＤＸ（ｎ−１）と同様である。

この実施の形態３においても、表示領域２の辺２−Ｌは、図５に示すように、モジュール５００の辺５００−Ｌと対向し、表示領域２の辺２−Ｒは、モジュール５００の辺５００−Ｒと対向している。モジュール５００の辺５００−Ｌと表示領域２の辺２−Ｌとの間の領域には、信号配線が形成されている。同様に、モジュール５００の辺５００−Ｒと表示領域２の辺２−Ｒとの間の領域にも、信号配線が形成されている。

検出電極ＲＬ（ｎ−３）とＲＬ（ｎ−１）のそれぞれの一方の端部ｆｎが、磁界検出コイルＤＸ（ｎ−１）の一方の端部ＤＤ３とされ、検出電極ＲＬ（ｎ＋１）の一方の端部ｆｎが、磁界検出コイルＤＸ（ｎ−１）の他方の端部ＤＤ４とされる。磁界検出コイルＤＸ（ｎ−１）の一方の端部ＤＤ３および他方の端部ＤＤ４は、辺５００−Ｌと辺２−Ｌとの間の領域に形成された信号配線を介して、切り換え検出回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰに接続されている。同様に、磁界検出コイルＤＸ（ｎ＋１）の一方の端部ＤＤ３と他方の端部ＤＤ４も、辺５００−Ｌと辺２−Ｌとの間の領域に形成された信号配線を介して、切り換え検出回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰに接続され、磁界検出コイルＤＸ（ｎ）の一方の端部ＤＤ３と他方の端部ＤＤ４は、辺５００−Ｒと辺２−Ｒとの間の領域に形成された信号配線を介して、切り換え検出回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰに接続されている。

切り換え検出回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰは、切り換え回路ＳＣ−Ｄと検出回路ＡＭＰを備えている。切り換え回路ＳＣ−Ｄは、第７スイッチＳ６０〜Ｓ６２を備えており、検出回路ＡＭＰは、磁界検出コイルＤＸ（ｎ−１）〜ＤＸ（ｎ＋１）のそれぞれに対応した単位検出回路ＵＡＭＰを備えている。第７スイッチＳ６０〜Ｓ６２および単位検出回路ＵＡＭＰの動作は、実施の形態１で説明した第６スイッチＳ５１および単位検出回路ＵＡＭＰと同様なので、説明は省略する。

この実施の形態３においては、表示領域２の辺２−Ｌとモジュール５００の辺５００−Ｌとの間の領域に形成された信号配線と、表示領域２の辺２−Ｒとモジュール５００の辺５００−Ｒとの間の領域に形成された信号配線を用いて、磁界タッチ検出および電界タッチ検出のそれぞれのときに、検出電極における信号変化が、単位検出回路ＵＡＭＰに供給される。そのため、モジュール５００において、長辺方向の額縁が大きくなるのを抑制することが可能である。

（実施の形態４）
図１２では、検出電極を構成する電極として菱形の形状を有する電極ＲＤを用いる例を説明した。実施の形態４では、外形が八角形の電極を用いて、検出電極が構成される。

図１６は、実施の形態４に係わる検出電極の構造を示す平面図である。ここで、図１６（Ａ）は、図１３（Ａ）に示した領域ＺＡを拡大した平面図である。また、図１６（Ｂ）は、検出電極を構成する電極ＲＤ１（第３電極）の構造を示す平面図であり、図１６（Ｃ）は、ダミー電極領域ＤＭＡに配置されるダミー電極ＤＭ１の構造を示す平面図である。

検出電極ＲＬ（ｎ）およびＲＬ（ｎ＋１）のそれぞれは、平面視で見たとき、行列状に配置され、互いに電気的に接続された複数の電極ＲＤ１によって構成されている。また、ダミー電極領域ＤＭＡには、平面視で見たとき、行列状に配置された複数のダミー電極ＤＭ１が配置されている。この実施の形態４においては、電極ＲＤ１のそれぞれは、平面視で見たとき、互いに同じ構造を有しており、ダミー電極ＤＭ１のそれぞれも、平面視で見たとき、互いに同じ構造を有している。

図１６（Ｂ）を用いて、電極ＲＤ１を説明する。この実施の形態４において、電極ＲＤ１は、八角形のそれぞれの辺に沿って配置された電極配線ＬＬ１〜ＬＬ８を備えており、互いに隣接する辺に沿って配置された電極配線は、互いに隣接する辺が交差する頂点ＰＰ１〜ＰＰ８において電気的に接続されている。

ここで、電極配線ＬＬ１、ＬＬ３、ＬＬ５およびＬＬ７の配線長は、同じ長さＤＩＳ１にされ、電極配線ＬＬ２およびＬＬ６の配線長は、同じ長さＤＩＳ２にされ、電極配線ＬＬ４およびＬＬ８の配線長は、同じ長さＤＩＳ３にされている。長さＤＩＳ１は、長さＤＩＳ２およびＤＩＳ３よりも長くなっている。短い電極配線ＬＬ２とＬＬ６は互いに対向し、平行となるように配置され、短い電極配線ＬＬ４とＬＬ８も互いに対向し、平行となるように配置されている。長い電極配線ＬＬ１、ＬＬ３、ＬＬ５およびＬＬ７は、短い電極配線ＬＬ８、ＬＬ２、ＬＬ４、ＬＬ６およびＬＬ８間を接続するように配置されている。また、長い電極配線ＬＬ１とＬＬ５は、互いに対向し、平行に配置され、長い電極配線ＬＬ３とＬＬ７は、互いに対向し、平行に配置されている。これにより、電極配線ＬＬ１〜ＬＬ８により形成される電極ＲＤ１は、図１６（Ｂ）に示すように、その外形形状は、菱形に類似した八角形となり、菱形と同様に長手方向と短手方向を有することになる。

それぞれの八角形の電極ＲＤ１は、その長手方向が、検出電極ＲＬ（ｎ）、ＲＬ（ｎ＋１）の延在方向となるように配置されている。すなわち、それぞれの電極ＲＤ１は、その長手方向が、列方向（縦方向）となり、短手方向が、行方向（横方向）になるように配置されている。言い換えると、検出電極ＲＬ（ｎ）、ＲＬ（ｎ＋１）の延在方向と直交する方向に所定の幅を有し、検出電極の延在方向に延びた電極領域（電極領域）に、複数の電極ＲＤ１が配置されていることになる。検出電極に配置されている複数の電極ＲＤ１間において、電極配線ＬＬ１〜ＬＬ７は、同じ長さを有している。そのため、複数の電極ＲＤ１間において、電極ＲＤ１内の面積は同じになっている。

検出電極ＲＬ（ｎ）、ＲＬ（ｎ＋１）においては、上下および左右に配置されている電極ＲＤ１との間で、短い電極配線間が、短い電極間配線によって電気的に接続される。図１６（Ａ）に示した電極ＲＤ１−Ｃを例にして述べると、電極ＲＤ１−Ｃの短い電極配線ＬＬ２は、電極間配線ＬＬ２６によって、上側に配置された電極ＲＤ−Ｕの短い電極ＬＬ６に接続され、電極ＲＤ１−Ｃの短い電極配線ＬＬ６は、電極間配線ＬＬ２６によって、下側に配置された電極ＲＤ−Ｄの短い電極ＬＬ２に接続される。また、電極ＲＤ１−Ｃの短い電極配線ＬＬ４は、電極間配線ＬＬ４８によって、左側に配置された電極ＲＤ−Ｌの短い電極配線ＬＬ８に接続され、電極ＲＤ１−Ｃの短い電極配線ＬＬ８は、電極間配線ＬＬ４８によって、右側に配置された電極ＲＤ−Ｒの短い電極配線ＬＬ４に接続される。これにより、互いに近接して、行列状に配置された複数の電極ＲＤ１が、互いに接続され、検出電極ＲＬ（ｎ）、ＲＬ（ｎ＋１）が構成されている。

また、検出電極ＲＬ（ｎ）とＲＬ（ｎ＋１）との間の境界領域ＥＢ２においては、電極配線ＬＬ４とＬＬ８との間が、電極間配線ＬＬ４８によって接続されず、分離されている。

ダミー電極領域ＤＭＡに行列状に配置されている複数のダミー電極ＤＭ１のそれぞれの外形形状は、電極ＲＤ１と同様に、菱形に近い八角形をしている。図１６（Ｃ）に示すように、ダミー電極ＤＭ１は、八角形のそれぞれの辺に沿って配置された電極配線ＬＬ１〜ＬＬ８を備えており、八角形の頂点ＰＰ１〜ＰＰ８において、交差する辺に沿って配置された電極配線が接続されている。この実施の形態４においては、頂点ＰＰ１とＰＰ８とを結ぶ辺に沿って配置されている電極配線ＬＬ１は、電気的に分離された２個の電極配線ＬＬ１−１とＬＬ１−２によって構成されている。

それぞれ開いた領域（空間）を備えたダミー電極ＤＭ１が、ダミー電極領域ＤＭＡに行列状に配置されている。この場合、それぞれのダミー電極ＤＭ１の長手方向が、電極ＲＤ１の長手方向と一致する方向に配置され、それぞれのダミー電極ＤＭ１の短手方向が、電極ＲＤ１の短手方向と一致する方向に配置されている。ダミー電極領域ＤＭＡに配置されたダミー電極ＤＭ１間は、電極間配線によって接続されず、互いに分離されている。

図１２に示した例では、平面視で見たとき、検出電極ＲＬ（ｎ）、ＲＬ（ｎ＋１）の配線幅に相当する電極ＲＤの数が３．５個であるのに対して、実施の形態４では、電極ＲＤ１の数を４個にすることが可能であり、検出電極の抵抗を低減することが可能である。

また、実施の形態４では、ダミー電極ＤＭ１の形状が、電極ＲＤ１の形状と略同じになっている。そのため、検出電極ＲＬ（ｎ）、ＲＬ（ｎ＋１）とダミー電極領域ＤＭＡとの間で、反射率等の光学的な性能の差をより少なくすることが可能である。その結果、表示特性の均一化を図ることが可能となる。また、光学的な性能差を少なくすると言う観点で捉えた場合、ダミー電極ＤＭ１において、電極配線ＬＬ１は、電極配線ＬＬ１−１とＬＬ１−２に分断されていることは必要とされない。すなわち、ダミー電極ＤＭ１は、電極ＲＤ１と同じ構成でもよい。この場合には、上下方向または／および左右方向に配置されたダミー電極ＤＭ１間が、電極間配線によって接続されず、電気的に分離されていればよい。

図１６でも、検出電極ＲＬ（ｎ）、ＲＬ（ｎ＋１）を例にして説明したが、他の検出電極も同様な構造にされている。例えば、図１２に示した磁界検出コイルＤＹ（ｎ＋１）の内側に配置された検出電極ＲＬ（ｎ＋２）も、検出電極ＲＬ（ｎ）、ＲＬ（ｎ＋１）と同様に、列方向および行方向に配置された多角形の電極ＲＤ１によって構成されている。言い換えるならば、検出電極ＲＬ（ｎ＋２）の延在方向と直交する方向に所定の幅を有し、検出電極ＲＬ（ｎ＋２）の延在方向に延びた電極領域（電極領域）に、複数の電極ＲＤ１が配置され、この第２電極領域に配置された複数の電極ＲＤ１によって検出電極ＲＬ（ｎ＋２）も構成されていることになる。

実施の形態４では、それぞれの電極ＲＤ１は、互いに同じ長さの電極配線（例えば長さＤＩＳ１を有する電極ＬＬ７、ＬＬ３）を備えているが、それぞれが菱形に近い八角形をしているため、同じ行で隣接した配置された２個の電極ＲＤ１を見たとき、電極配線は若干ジグザグに配置されていることになる。例えば、図１６（Ａ）において、電極ＲＤ１−Ｐ１〜ＲＤ１−Ｐ３のそれぞれにおける電極配線ＬＬ７を結ぶ仮想直線ＩＭＬ（一点鎖線）を描いた場合、電極ＲＤ１−Ｐ３およびＲＤ１−Ｐ４の右側に配置された電極ＲＤ１−Ｐ４およびＲＤ１−Ｐ５のそれぞれにおける電極配線ＬＬ３は、仮想直線ＩＭＬに重ならず、電極ＲＤ１−Ｐ２およびＲＤ１−Ｐ３側へはみ出すことになる。また、電極ＲＤ１において、互いに平行した長い電極配線（例えばＬＬ３とＬＬ７）間の幅ＤＲＢ１と、斜め上方または下方に配置された電極ＲＤ１間で、互いに平行する長い電極配線（ＬＬ３とＬＬ７）間の幅ＤＲＢ２とは、同じ長さになる。ここで、幅ＤＲＢ２は、斜め方向に配置された２個の電極ＲＤ１間に存在する空白領域、すなわち電極ＲＤ１が配置されていない領域の幅を示していると見なすことができる。

実施の形態１〜４においては、磁界検出コイルが、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１に形成された検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）によって構成されている。検出電極は、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１に形成されているため、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）に付随する寄生容量の低減を図ることが可能となる。磁界を検出するときに、ペンからの磁界によって、磁界検出コイルを構成する検出電極に電流が流れることになるが、寄生容量の低減を図ることができるため、検出電極を流れる電流が寄生容量によって漏れるのを低減することが可能となる。その結果、検出感度の低下を低減することが可能となる。

実施の形態１〜４においては、磁界検出コイルを、一対の検出電極によって構成する、１回巻線の磁界検出コイルの例を示したが、これに限定されるものではない。磁界検出コイルは、１．５回巻線あるいは２回巻線以上のコイルであってもよい。また、磁界検出コイルの内側に配置される検出電極として、１個の検出電極を用いる例を説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、磁界検出コイルの内側に配置される検出電極は、２個以上であってもよい。

さらに、磁界検出コイルの内側に配置される電極は、磁界検出コイルを構成する検出電極とは異なる電極によって構成するようにしてもよい。例えば、磁界検出コイルの内側に配置される電極は、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１に形成されるが、その延在方向は、磁界検出コイルを構成する検出電極の延在方向と異なっていてもよい。また、磁界発生コイルと磁界検出コイルが、別々の場合を説明したが、磁界発生コイルと磁界検出コイルとは同じであってもよい。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例及び修正例に想到し得るものであり、それら変形例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

例えば、前述の各実施の形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

例えば、実施の形態３においては、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）は、列方向に延在し、行方向に平行に配置されている場合を説明したが、行方向および列方向は、見る視点により変化する。見る視点を変えて、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）が、行方向に延在し、列方向に並列に配置されている場合も本発明の範囲に含まれるものである。また、本明細書で用いている「平行」とは、互いに一端から他端に亘るまで交わることなく延在することを意味する。そのため、一方の線（あるいは電極）の一部又は全部が他方の線（あるいは電極）に対して傾いた状態で設けられていたとしても、これらの線が一端から他端まで交わるものでなければ、本明細書においては、この状態も「平行」であるとする。

１ タッチ機能付き液晶表示装置
２ 表示領域
ＣＧＢ ＣＦガラス基板
ＣＳＦ１、ＴＳＦ１ 第１主面
ＣＳＦ２、ＴＳＦ２ 第２主面
ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ） 検出電極
ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰ 切り換え検出回路
ＳＣ＿ＥＮ 磁界イネーブル信号
ＳＣ−Ｌ 切り換え駆動回路
ＳＣ−Ｒ 切り換え回路
ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ） 信号線
ＴＧＢ ＴＦＴガラス基板
ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ） 駆動電極

Claims (20)

1. 複数の画素を有する画素配列と、
   それぞれ一方の端部と他方の端部を備え、平面視で見たとき、前記画素配列において、互いに平行し、第１方向に延在するように配置され、それぞれの他方の端部が電気的に接続された複数の第１電極と、
   平面視で見たとき、前記複数の第１電極によって形成された領域内に配置され、第１電極に接続された一方の端部と、前記複数の第１電極とは電気的に分離された他方の端部とを備えた第２電極と、
   前記複数の第１電極のうちの第１の第１電極の一方の端部に接続される検出回路と、
   を備え、
   前記複数の第１電極のうちの第２の第１電極の一方の端部に、所定の電圧を供給することによって、前記複数の第１電極によりコイルが構成され、外部物体からの磁界に応じた検出信号が前記検出回路から出力される、表示装置。
2. 請求項１に記載の表示装置において、
   平面視で見たとき、前記第２電極は、前記第１方向に延在し、前記複数の第１電極の間に挟まれるように配置されている、表示装置。
3. 請求項２に記載の表示装置において、
   平面視で見たとき、前記第２電極の幅は、前記複数の第１電極の幅よりも細い、表示装置。
4. 請求項３に記載の表示装置において、
   前記表示装置は、前記コイルの側方に位置する他のコイルを構成する複数の第１電極を備え、前記コイルは、前記他のコイルを構成する複数の第１電極によって形成された領域内に配置された第１電極を備える、表示装置。
5. 請求項１に記載の表示装置において、
   前記複数の第１電極のそれぞれは、前記第１方向に沿って配置され、互いに接続された複数の多角形の第３電極を備え、前記第２電極は、前記第１方向に沿って配置され、互いに接続された複数の多角形の第４電極を備え、
   前記複数の第１電極と、前記第２電極との間には、前記第１方向に沿って複数の多角形のダミー電極が配置されている、表示装置。
6. 請求項５に記載の表示装置において、
   前記複数の第３電極と前記複数の第４電極のそれぞれは、多角形のそれぞれの辺に沿って、多角形の閉じた領域を形成するように配置された複数の第１電極配線を備え、
   前記複数のダミー電極は、多角形のそれぞれの辺に沿って、多角形の開いた領域を形成するように配置された複数の第２電極配線を備える、表示装置。
7. 請求項６に記載の表示装置において、
   前記表示装置は、前記画素配列において、互いに平行し、前記第１方向とは交差する第２方向に延在する複数の駆動電極を備え、
   前記外部物体からの磁界を検出する際に、駆動信号が前記複数の駆動電極のうちの所定の駆動電極に供給される、表示装置。
8. 請求項７に記載の表示装置において、
   前記表示装置は、
   前記複数の駆動電極が形成された第１主面を有する第１基板と、
   電位に従って光学特性を変化させる液晶層と、
   第１主面と、前記液晶層を挟んで前記第１基板の第１主面と対向するように配置された第２主面を有する第２基板と、
   を備え、
   前記複数の第１電極および前記第２電極は、前記第２基板の第１主面に形成されている、表示装置。
9. 請求項８に記載の表示装置において、
   前記第１基板の第１主面には、互いに平行し、前記第２方向に延在する複数の信号線が配置され、
   前記複数の信号線を介して、前記複数の画素へ画像信号が供給される、表示装置。
10. 請求項８に記載の表示装置において、
    前記第１基板の第１主面には、互いに平行し、前記第１方向に延在する複数の信号線が配置され、
    前記複数の信号線を介して、前記複数の画素へ画像信号が供給される、表示装置。
11. 請求項１に記載の表示装置において、
    前記複数の第１電極のそれぞれは、平面視で見たとき、前記第１方向に延在し、前記第１方向と交差する第２方向に所定の幅を有する電極領域を備え、
    前記電極領域には、互いに電気的に接続された複数の第３電極が配列され、前記複数の第３電極のそれぞれは、平面視で見たとき、八角形の閉じた領域を形成するように、八角形のそれぞれの辺に沿って配置された第１電極配線を備え、
    前記電極領域において、第３電極の第１電極配線は、電極間配線によって、前記第２方向において側方に配置された他の第３電極の第１電極配線に接続され、電極間配線によって、前記第１方向において側方に配置された他の第３電極の第１電極配線に接続されている、表示装置。
12. 請求項１１に記載の表示装置において、
    前記複数の第３電極は、菱形に類似した八角形の閉じた領域を形成するように、４個の辺に沿って配置された短い第１電極配線と、４個の辺に沿って配置され、前記短い第１電極配線よりも長い辺よりも長い第１電極配線を備え、
    前記電極領域において、第３電極の１つの辺に沿って配置された短い第１電極配線が、前記電極間配線によって、前記第２方向における他の第３電極の短い第１電極配線に接続され、第３電極の他の辺に沿って配置された短い第１電極配線が、前記電極間配線によって、前記第１方向における他の第３電極の短い第１電極配線に接続されている、表示装置。
13. 請求項１１に記載の表示装置において、
    前記第２電極は、前記第１方向に延在し、
    前記表示装置は、前記複数の第１電極と前記第２電極との間に配置され、前記第１方向に延在し、前記第２方向に所定の幅を有するダミー電極領域を備え、
    前記ダミー電極領域には、電気的に分離された複数のダミー電極が配列され、前記複数のダミー電極のそれぞれは、平面視で見たとき、八角形の領域を形成するように、八角形のそれぞれの辺に沿って配置された第２電極配線を備える、表示装置。
14. 請求項１３に記載の表示装置において、
    前記複数のダミー電極のそれぞれにおいて、八角形の１つの辺に配置された第２電極配線が、分断されている、表示装置。
15. 複数の画素を有する画素配列と、
    それぞれ一方の端部と他方の端部を備え、平面視で見たとき、前記画素配列において、互いに平行し、第１方向に延在するように配置され、それぞれの他方の端部が電気的に接続された複数の第１電極と、
    平面視で見たとき、前記複数の第１電極によって形成された領域内に配置され、第１電極に接続された一方の端部と、前記複数の第１電極とは電気的に分離された他方の端部とを備えた第２電極と、
    前記複数の第１電極のうちの第１の第１電極の一方の端部に接続される検出回路と、
    を備え、
    前記複数の第１電極のうちの第２の第１電極の一方の端部を、前記第１の第１電極の一方の端部に接続することによって、外部物体の近接による電界の変化に応じた検出信号が前記検出回路から出力される、表示装置。
16. 請求項１５に記載の表示装置において、
    前記表示装置は、前記画素配列において、互いに平行し、前記第１方向とは交差する第２方向に延在する複数の駆動電極と、前記複数の駆動電極に接続された駆動回路とを備え、
    前記駆動回路は、外部物体の近接による電界の変化を検出する際に、電界を発生させる電界駆動信号を前記複数の駆動電極のうちの所定の駆動電極に供給する、表示装置。
17. 請求項１５に記載の表示装置において、
    前記表示装置は、前記第２の第１電極の一方の端部に接続された第１切り換え回路を備え、
    前記第１切り換え回路は、外部物体の近接による電界の変化を検出する際に、前記第２の第１電極の一方の端部を、前記第１の第１電極の一方の端部に接続し、外部物体からの磁界を検出する際に、前記第２の第１電極の一方の端部を、所定の電圧に接続する、表示装置。
18. 請求項１７に記載の表示装置において、
    前記表示装置は、
    それぞれ一方の端部と、他方の端部を有し、前記画素配列において、互いに平行し、前記第１方向とは交差する第２方向に延在する複数の駆動電極と、
    前記複数の駆動電極の一方の端部に接続された駆動回路と、
    前記複数の駆動電極の他方の端部に接続された第２切り換え回路と、
    を備え、
    外部物体からの磁界を検出する際、前記第２切り換え回路は、前記複数の駆動電極の他方の端部間を電気的に接続し、前記駆動回路は、前記複数の駆動電極の一方の端部に、所定の電圧と、磁界を発生させる磁界駆動信号を供給し、
    外部物体の近接による電界の変化を検出する際、前記第２切り換え回路は、前記複数の駆動電極の他方の端部間を電気的に分離し、前記駆動回路は、駆動電極の一方の端部に、電界を発生させる電界駆動信号を供給する、表示装置。
19. 請求項１８に記載の表示装置において、
    平面視で見たとき、前記第２電極は、前記第１方向に延在し、前記複数の第１電極の間に挟まれるように配置され、前記第２電極の幅は、前記複数の第１電極の幅よりも細い、表示装置。
20. 請求項１９に記載の表示装置において、
    前記表示装置は、
    それぞれ一方の端部と他方の端部を備え、平面視で見たとき、前記画素配列において、互いに平行し、前記第１方向に延在するように配置され、それぞれの他方の端部が電気的に接続された複数の第５電極と、
    平面視で見たとき、前記複数の第５電極によって形成された領域内に配置され、第５電極に接続された一方の端部と、前記複数の第５電極とは電気的に分離された他方の端部とを備えた電極と、
    を備え、
    前記複数の第１電極のうちの少なくとも１個の第１電極は、前記複数の第５電極によって形成された領域内に配置されている、表示装置。

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