JP7137093B1 - 情報処理装置 - Google Patents
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1つの側面では、本発明は、電子ペンによるタッチパネルセンサの外周配線部の検出精度の向上を図った情報処理装置を提供することを目的とする。
図1は情報処理装置の一例を説明するための図である。情報処理装置1-1は、電子ペン1a、タッチパネル1bおよび制御部1cを備える。電子ペン1aは、タッチパネル1b上の画面をタッチして操作ができる電磁波放出型の電子ペンである。
図2は情報処理装置の構成の一例を示す図である。情報処理装置1-2は、アクティブペン1、タッチパネル2および制御部3を備える。制御部3は図1の制御部1cに対応し、タッチパネルコントローラとして機能して、指およびアクティブペン1のタッチ有無検出およびタッチ位置検出を行う。
図3はアクティブペンのタッチ位置検出の動作原理の一例を説明するための図である。アクティブペン1のタッチ位置検出は、デジタイザ(信号や人間の操作をデジタル化して、データとしてコンピュータに取り込む装置)の動作を原理としている。
次にタッチパネルの構成について説明する。なお、上述の図3ではタッチパネルのセンサパターンとしてアンテナコイル(ループアンテナ)を用いてタッチ位置検出の動作について説明したが、本発明ではセンサパターンとしてアンテナコイルではなく、モノポールアンテナを用いるものとする。
指のタッチ有無検出の場合、Tx透明電極e2より、例えば、100kHzの周波数信号を送信し、Rx透明電極e1より受信する。このとき、指をタッチするとタッチした部分の静電容量が変化し、Rx透明電極e1の電圧値が上昇する。制御部3は、その電圧値の変化を検出することにより、指のタッチの有無を判定する。
指のタッチの位置検出は、最初に1つのTx透明電極e2を選択し、Rx透明電極e1を順次走査して、電圧値が変化したクロスポイント(交点)があれば検出する。そして、次のTx透明電極e2を選択し、Rx透明電極e1を順次走査して、電圧値が変化したクロスポイントがあれば検出する。このようなスキャンを最後のTx透明電極e2まで繰り返し検出する(クロスポイントスキャン)。
次にタッチパネル2のセンサパターンの構成について図5を用いて説明する。なお、以降の説明では、Rx透明電極が実装されるフィルム層を受信層と呼び、Tx透明電極が実装されるフィルム層を送信層と呼ぶ。また、Rx透明電極をセンサパターンRx、Tx透明電極をセンサパターンTxと呼ぶ。
アクティブペン1により放射される電磁波を、センサパターンRxおよびセンサパターンTxで受信すると、センサパターンRx、Txには、電磁誘導による電圧が発生する。制御部3では、該電圧値が閾値以上となるセンサパターンRxを受信層2aから検出し、該電圧値が閾値以上となるセンサパターンTxを送信層2bから検出して、検出したセンサパターンRx、Txにもとづいて、アクティブペン1の位置を検出する。
また、センサパターンRxの間隔およびセンサパターンTxの間隔を10mm、外周配線パターンの間隔を0.2mm、センサパターンRx、Txから外周配線パターンまでの距離を0.5mmとする。
センサパターンRx1、・・・、Rx4それぞれの電磁波強度をRx1A、・・・、Rx4Aとし、センサパターンTx1、Tx2、Tx3それぞれの電磁波強度をTx1A、Tx2A、Tx3Aとすると、各電磁波強度は以下の式(1)のように計算される。なお、以降に示す電磁波強度の算出式は、電磁波の強度は距離の二乗に反比例するという逆二乗の法則にもとづくものである。また、算出結果の単位はm-2であるが、相対値と考えてよい。
センサパターンRx14、・・・、Rx17それぞれの電磁波強度をRx14B、・・・、Rx17Bとし、センサパターンTx16、・・・、Tx18それぞれの電磁波強度をTx16B、・・・、Tx18Bとすると、各電磁波強度は以下の式(2)のように計算される。
センサパターンRx14、・・・、Rx17それぞれの電磁波強度をRx14C、・・・、Rx17Cとし、センサパターンTx16、・・・、Tx18それぞれの電磁波強度をTx16C、・・・、Tx18Cとすると、各電磁波強度は以下の式(3)のように計算される。
図6は電磁波強度のグラフの一例を示す図である。グラフG1は、アクティブペン1が位置Aにある場合の式(1)による計算結果の電磁波強度をプロットしたものである。縦軸は電磁波強度であり、横軸はセンサパターンRxA、TxAの番号である。
次に本発明のタッチ位置検出タイミングについて、従前のタイミング波形と比較しながら説明する。
(従前のタッチ位置検出タイミング)
図9はタッチ位置検出タイミングの波形の一例を示す図である。本発明が適用されない場合のタイミング波形を示している。指のタッチ位置検出とアクティブペンのタッチ位置検出とが時分割で交互に行われる。
〔期間t2〕センサパターンRxおよびセンサパターンTxにおいて、アクティブペンのタッチ位置検出が行われる。
〔期間t2b〕センサパターンRxはハイインピーダンス状態になり、センサパターンTxにおいてアクティブペンのタッチ位置検出が行われる。なお、ハイインピーダンス状態は、図3で上述したように、切替スイッチswの端子s0がどの端子にも接続されず、スキャン動作が行われていない状態である。
図10はタッチ位置検出タイミングの波形の一例を示す図である。情報処理装置1-2のタイミング波形M1を示している。指のタッチ位置検出とアクティブペンのタッチ位置検出とが時分割で交互に行われる。
〔期間t12〕制御部3は、センサパターンRxおよびセンサパターンTxにおいて、アクティブペン1のタッチ位置検出を行う。
〔期間t12b〕制御部3は、センサパターンRxを接地状態にし、センサパターンTxにおいてアクティブペン1のタッチ位置検出を行う。
(遮断パターンの設置)
図11は受信層の外周配線に遮断パターンが設けられている構成の一例を示す図である。受信層2aのセンサパターンRxに接続される外周配線に対して、アクティブペン1から出力される電磁波を遮断する遮断パターンが接続される。
受信層2aに実装される外周配線waと、送信層2bに実装される外周配線wbとは、垂直方向から見て重なるように配置される。このような実装にすることにより、センサパターンRxを接地状態としたときに、アクティブペン1からの電磁波をより効率的に遮断することができ、遮断特性を向上させることができる。
受信層2aのセンサパターンRxの間隔が狭い、またはセンサパターンRxの幅が大きい等によって、送信層2bの十分な検出感度が得られない場合、アクティブペンのタッチ位置検出の精度が低下する可能性がある。変形例1は、このような問題を解決するものである。
Rx2D=8734.39×0.2=1746.88
Rx3D=4662.22×0.2=932.44
Rx4D=1943.67×0.2=388.73
Tx1D=4615.95×0.2=923.19
Tx2D=8573.39×0.2=1714.68
Tx3D=4615.95×0.2=923.19
・・・(4)
図13はタッチ位置検出タイミングの波形の一例を示す図である。変形例1のタイミング波形M2を示している。指のタッチ位置検出とアクティブペンのタッチ位置検出とが時分割で交互に行われる。
〔期間t22〕制御部3は、センサパターンRxおよびセンサパターンTxにおいてアクティブペン1のタッチ位置検出を行う。
〔期間t22b〕制御部3は、センサパターンRxをハイインピーダンス状態にし、センサパターンTxにおいてアクティブペン1のタッチ位置検出を行う。
〔期間t22c〕制御部3は、センサパターンRxを接地状態にし、センサパターンTxにおいてアクティブペン1のタッチ位置検出を行う。
変形例2では、図13のタイミング波形M2(第2のタイミング波形)で駆動し、アクティブペン1のタッチ有無を検出した場合は図10に示すタイミング波形M1(第1のタイミング波形)に切り替えるものである。この場合、例えば、装置運用開始時はタイミング波形M2で駆動する。
1a 電子ペン
1b タッチパネル
1c 制御部
1b-1 第1の層
1b-2 第2の層
er1-1、・・・、er1-n 第1の電極
er2-1、・・・、er2-m 第2の電極
eg1、eg2 電極群
w1、w2 外周配線
T1 位置検出期間
T1a 所定期間
Claims (7)
- 電磁波を出力する電子ペンと、
複数の第1の電極を含む第1の電極群が実装される第1の層と、複数の第2の電極を含む第2の電極群が実装される第2の層とを備え、前記第1の層を前記第2の層の上側にして配置し、前記第1の層に前記電子ペンがタッチされるタッチパネルと、
前記第1の電極群に接続される第1の外周配線および前記第2の電極群に接続される第2の外周配線を介して前記第1の電極群および前記第2の電極群で受信される前記電磁波のスキャンを行って前記電子ペンの前記タッチパネルに対する位置検出を行い、前記電子ペンの前記タッチパネルへの位置検出期間のうちの所定期間において前記第1の層の前記第1の電極群を接地状態にする制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記第2の層に対して前記電子ペンの前記タッチパネルへの位置検出を前記所定期間で行い、前記所定期間において前記第2の層で検出した前記電磁波の強度が閾値より小さい場合、前記電子ペンの前記タッチパネルに対する位置を前記第1の外周配線が実装される外周配線部に位置すると判定する、
情報処理装置。 - 前記電子ペンから出力される前記電磁波を遮断する遮断パターンが前記第1の外周配線に接続される請求項1記載の情報処理装置。
- 前記第1の外周配線および前記第2の外周配線は、垂直方向から見て重なるように配置される請求項1記載の情報処理装置。
- 前記第2の層は、前記第2の電極群に所定周波数の信号が送信される送信層であり、前記第1の層は、前記信号によって前記第1の電極群との間に静電容量を発生させる受信層である請求項1記載の情報処理装置。
- 前記制御部は、
前記電子ペンの前記タッチパネルへのタッチ位置検出期間に対し、
前記タッチ位置検出期間内の第1の期間では、前記第1の層の前記第1の電極群に対するスキャンを行い、かつ前記第2の層の前記第2の電極群は開放状態とし、
前記タッチ位置検出期間内の第2の期間では、前記第1の層の前記第1の電極群を前記接地状態とし、かつ前記第2の層の前記第2の電極群に対するスキャンを行う、
請求項1記載の情報処理装置。 - 前記制御部は、
前記電子ペンの前記タッチパネルへのタッチ位置検出期間に対し、
前記タッチ位置検出期間内の第1の期間では、前記第1の層の前記第1の電極群に対するスキャンを行い、かつ前記第2の層の前記第2の電極群は開放状態とし、
前記タッチ位置検出期間内の第2の期間では、前記第1の層の前記第1の電極群を前記開放状態とし、かつ前記第2の層の前記第2の電極群に対するスキャンを行い、
前記タッチ位置検出期間内の第3の期間では、前記第1の層の前記第1の電極群を前記接地状態とし、かつ前記第2の層の前記第2の電極群に対するスキャンを行う、
請求項1記載の情報処理装置。 - 前記制御部は、
前記電子ペンの前記タッチパネルへのタッチ位置検出期間に対し、前記タッチ位置検出期間内の第1の期間では、前記第1の層の前記第1の電極群に対するスキャンを行い、かつ前記第2の層の前記第2の電極群は開放状態とし、前記タッチ位置検出期間内の第2の期間では、前記第1の層の前記第1の電極群を前記接地状態とし、かつ前記第2の層の前記第2の電極群に対するスキャンを行う第1のタイミング波形を生成し、
前記タッチ位置検出期間内の第1の期間では、前記第1の層の前記第1の電極群に対するスキャンを行い、かつ前記第2の層の前記第2の電極群は前記開放状態とし、前記タッチ位置検出期間内の第2の期間では、前記第1の層の前記第1の電極群を前記開放状態とし、かつ前記第2の層の前記第2の電極群に対するスキャンを行い、前記タッチ位置検出期間内の第3の期間では、前記第1の層の前記第1の電極群を前記接地状態とし、かつ前記第2の層の前記第2の電極群に対するスキャンを行う第2のタイミング波形を生成し、
前記電子ペンが前記第1の外周配線が実装される前記外周配線部または前記第1の電極群が実装される範囲の最も外側にある場合は、前記第2のタイミング波形を選択して駆動し、
前記電子ペンが前記第1の電極群が実装される範囲内にある場合は、前記第1のタイミング波形を選択して駆動する、
請求項1記載の情報処理装置。
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