JP2016192499A - 太陽電池及び太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池及び太陽電池の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016192499A JP2016192499A JP2015071854A JP2015071854A JP2016192499A JP 2016192499 A JP2016192499 A JP 2016192499A JP 2015071854 A JP2015071854 A JP 2015071854A JP 2015071854 A JP2015071854 A JP 2015071854A JP 2016192499 A JP2016192499 A JP 2016192499A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- layer
- type semiconductor
- semiconductor layer
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 143
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 83
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 67
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 65
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 18
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 14
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 26
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- -1 and for example Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006388 chemical passivation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000012421 spiking Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 2
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000347 anisotropic wet etching Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 231100000086 high toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Abstract
Description
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。図1は、本発明の実施形態に係る太陽電池10の断面を示す説明図である。図1の上方を表面とし、下方を裏面としている。
次に、太陽電池10の製造方法について図2を用いて説明する。図2は、本実施形態の太陽電池10の製造方法の手順の説明図である。
次に、本発明の実施形態に係る太陽電池10の動作について説明する。
12、52…p型半導体層
14、54…n型半導体層
16、56…パッシベーション層
18、58…酸化アルミニウム層
20、60…窒化アルミニウム層
22、62…窒化シリコン層
24、64…表面電極
26、66…裏面電極
28、68…裏面貫通孔
30、70…表面貫通孔
32…裏面突部
72…表面突部
Claims (21)
- p型半導体層と、n型半導体層と、前記p型半導体層に積層されたパッシベーション層とを備える太陽電池であって、
前記パッシベーション層は、前記p型半導体層に対して酸化アルミニウム層、窒化アルミニウム層の順に積層された層を少なくとも有することを特徴とする太陽電池。 - 請求項1記載の太陽電池において、
前記p型半導体層と、前記酸化アルミニウム層との間に、酸化シリコン層を有することを特徴とする太陽電池。 - 請求項1又は2記載の太陽電池において、
前記酸化アルミニウム層の厚さが1nm〜20nmであることを特徴とする太陽電池。 - 請求項2記載の太陽電池において、
前記酸化シリコン層の厚さが0.5nm〜2nmであることを特徴とする太陽電池。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の太陽電池において、
前記窒化アルミニウム層の厚さが50nm〜100nmであることを特徴とする太陽電池。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載の太陽電池において、
前記p型半導体層と前記パッシベーション層との界面における電荷の最大界面再結合速度が38cm/s以下であることを特徴とする太陽電池。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載の太陽電池において、
前記p型半導体層と前記パッシベーション層との界面における界面準位密度が4×1011/cm2eV以下であることを特徴とする太陽電池。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載の太陽電池において、
前記p型半導体層と前記n型半導体層とが、単結晶、多結晶、非晶質のいずれかの結晶性を有することを特徴とする太陽電池。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載の太陽電池において、
前記p型半導体層と前記n型半導体層の一部又はすべてがシリコンであることを特徴とする太陽電池。 - p型半導体層と、n型半導体層と、前記p型半導体層に積層されたパッシベーション層とを備える太陽電池の製造方法であって、
前記パッシベーション層は、前記p型半導体層に対して酸化アルミニウム層、窒化アルミニウム層の順に積層して形成するステップ
を少なくとも備えることを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項10記載の太陽電池の製造方法において、
前記酸化アルミニウム層は、CVD法、ALD法、プラズマCVD法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法のいずれかの又はこれらの組合せの方法で形成され、
前記酸化アルミニウム層の厚さが1nm〜20nmであることを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項10又は11記載の太陽電池の製造方法において、
前記p型半導体層と前記酸化アルミニウム層との間に、酸化シリコン層が形成されることを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項12記載の太陽電池の製造方法において、
前記酸化シリコン層の厚さが0.5nm〜2nmであることを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項10〜13のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法において、
前記窒化アルミニウム層は、CVD法、ALD法、プラズマCVD法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法のいずれかの又はこれらの組合せの方法で形成され、
前記窒化アルミニウム層の厚さが50nm〜100nmであることを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項10〜14のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法において、
前記酸化アルミニウム層又は前記窒化アルミニウム層の少なくとも一方は、反応性スパッタリング法で形成され、前記酸化アルミニウム層を形成するための反応雰囲気として希ガスと、分圧比が10%〜50%の酸素ガスと、を少なくとも含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項10〜15のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法において、
前記酸化アルミニウム層又は前記窒化アルミニウム層の少なくとも一方は、反応性スパッタリング法で形成され、前記窒化アルミニウム層を形成するための反応雰囲気として希ガスと、分圧比が10%〜70%の窒素ガスと、を少なくとも含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項10〜14のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法において、
前記酸化アルミニウム層の形成と前記窒化アルミニウム層の形成とが同一の気密容器で連続して行われることを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項10〜17のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法において、
前記酸化アルミニウム層及び前記窒化アルミニウム層が反応性スパッタリング法により形成され、反応雰囲気として希ガスと、分圧比が10%〜50%の酸素ガスとを含む反応雰囲気において、アルミニウムターゲットを用いて、前記酸化アルミニウム層を形成するステップと、
前記酸化アルミニウム層が形成された後に、前記反応雰囲気から、希ガスと、分圧比が10%〜70%の窒素ガスとを含む反応雰囲気に切り替えられ、前記アルミニウムターゲットを用いて、前記窒化アルミニウム層を形成するステップと、
を有することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項10〜18のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法において、
前記パッシベーション層が生成された後に、加熱されることを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項10〜19のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法において、
前記p型半導体層と前記パッシベーション層との界面における電荷の最大界面再結合速度が38cm/s以下であることを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項10〜20のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法において、
前記p型半導体層と前記パッシベーション層との界面における界面準位密度が4×1011/cm2eV以下であることを特徴とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015071854A JP2016192499A (ja) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
PCT/JP2016/060029 WO2016158906A1 (ja) | 2015-03-31 | 2016-03-29 | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015071854A JP2016192499A (ja) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016192499A true JP2016192499A (ja) | 2016-11-10 |
Family
ID=57007184
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015071854A Pending JP2016192499A (ja) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016192499A (ja) |
WO (1) | WO2016158906A1 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06125149A (ja) * | 1992-10-12 | 1994-05-06 | Canon Inc | 半導体素子及びその製造方法 |
JPH11229131A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-08-24 | Nikon Corp | 成膜用スパッタ装置 |
JP2004165224A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-10 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 |
JP2008166393A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
US20110048515A1 (en) * | 2009-08-27 | 2011-03-03 | Applied Materials, Inc. | Passivation layer for wafer based solar cells and method of manufacturing thereof |
WO2013141917A1 (en) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | Sunpower Corporation | Solar cell having an emitter region with wide bandgap semiconductor material |
JP2014218042A (ja) * | 2013-05-10 | 2014-11-20 | 小川 倉一 | 透明断熱シート及びその製造方法 |
-
2015
- 2015-03-31 JP JP2015071854A patent/JP2016192499A/ja active Pending
-
2016
- 2016-03-29 WO PCT/JP2016/060029 patent/WO2016158906A1/ja active Application Filing
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06125149A (ja) * | 1992-10-12 | 1994-05-06 | Canon Inc | 半導体素子及びその製造方法 |
JPH11229131A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-08-24 | Nikon Corp | 成膜用スパッタ装置 |
JP2004165224A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-10 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 |
JP2008166393A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
US20110048515A1 (en) * | 2009-08-27 | 2011-03-03 | Applied Materials, Inc. | Passivation layer for wafer based solar cells and method of manufacturing thereof |
WO2013141917A1 (en) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | Sunpower Corporation | Solar cell having an emitter region with wide bandgap semiconductor material |
JP2014218042A (ja) * | 2013-05-10 | 2014-11-20 | 小川 倉一 | 透明断熱シート及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016158906A1 (ja) | 2016-10-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2021190671A (ja) | 太陽電池モジュール、太陽電池及びその製造方法 | |
US20130247972A1 (en) | Passivation film stack for silicon-based solar cells | |
WO2015182503A1 (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法並びに太陽電池モジュール | |
TW201128796A (en) | Enhanced passivation layer for wafer based solar cells, method and system for manufacturing thereof | |
US9735293B2 (en) | Solar cell element | |
JP2013161847A (ja) | 太陽電池 | |
EP3012871A1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
JP2005183469A (ja) | 太陽電池セル | |
JP6688244B2 (ja) | 高効率太陽電池の製造方法及び太陽電池セルの製造システム | |
WO2023216652A1 (zh) | 一种双面太阳能电池及其制备方法 | |
JP2016139762A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
WO2016158906A1 (ja) | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 | |
JP6198996B1 (ja) | 太陽電池および太陽電池を生産する方法 | |
TWI629804B (zh) | 太陽電池之製造方法 | |
TWI606601B (zh) | 太陽電池及太陽電池之製造方法 | |
KR100995654B1 (ko) | 태양전지 및 그 제조방법 | |
US11222991B2 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
TWI573286B (zh) | 太陽能電池的製造方法 | |
JP6647425B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP6317155B2 (ja) | 太陽電池素子 | |
JP7193393B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP2018170379A (ja) | 半導体装置、太陽電池及び太陽電池の製造方法 | |
JP2013222794A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
KR20100127105A (ko) | 태양전지의 제조방법 | |
JP2002198552A (ja) | 積層型太陽電池及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180223 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20180223 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180322 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181023 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181219 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190508 |