JP2016164973A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016164973A5 JP2016164973A5 JP2016014970A JP2016014970A JP2016164973A5 JP 2016164973 A5 JP2016164973 A5 JP 2016164973A5 JP 2016014970 A JP2016014970 A JP 2016014970A JP 2016014970 A JP2016014970 A JP 2016014970A JP 2016164973 A5 JP2016164973 A5 JP 2016164973A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spin chuck
- wafer
- outlet plate
- article
- openings
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 2
Description
上方吐出ユニットは、外側ガス導管27と、該外側ガス導管27内に同軸に配置された内側液体導管25とを含む。導管25、27は、ともに、蓋14を突き抜け、チャンバ13内で上を向いているウエハW面に液体及び気体が供給されることを可能にする。
ガスシャワーヘッドは、その下側を、図2の平面図にも示されている出口板28によって区切られる。出口板28は、多数の排出穴29を含み、これらの穴は、プロセスガスがガスシャワーヘッドを経て、ガス分布チャンバ37からウエハWの上向き面に隣接する領域へ出ていくことを可能にする。この実施形態における排出穴29は、それぞれ、0.3〜2.0mm 2 、好ましくは0.5〜1.5mm 2 、更に好ましくは0.7〜1.2mm 2 の範囲の断面積を有する。好ましくは少なくとも20の、更に好ましくは少なくとも80の、よりいっそう好ましくは少なくとも300の、穴29がある。
本発明は、その好ましい実施形態に関連付けて説明されてきたが、これらの実施形態が、発明の例示ために提供されたにすぎないこと、並びに発明が、これらの実施形態に限定されず、むしろ、添付の特許請求の範囲の真の範囲及び趣旨によって定められた内容を含むことが理解される。
本発明は以下の適用例としても実現できる。
[適用例1]
ウエハ状物品を処理するための装置であって、
ウエハ状物品を所定の向きで保持するためのスピンチャックと、
前記スピンチャックによって保持されたときのウエハ状物品の表面にプロセスガスを供給するための回転式シャワーヘッドであって、その中央領域及び周辺領域のそれぞれに複数の開口が形成された出口板を含む回転式シャワーヘッドと、
プロセスガスをガス分布チャンバに供給するためのプロセスガス供給部であって、前記ガス分布チャンバは、前記シャワーヘッドに形成された複数の開口と流体連通している、プロセスガス供給部と、
を備える装置。
[適用例2]
適用例1に記載の装置であって、
前記出口板は、前記スピンチャックに取り付けられ、その中央領域を覆っている、装置。
[適用例3]
適用例1に記載の装置であって、
前記出口板は、少なくとも前記スピンチャックのリング部分と一体に形成される、装置。
[適用例4]
適用例1に記載の装置であって、
前記複数の開口のそれぞれは、0.3〜2.0mm2の、好ましくは0.5〜1.5mm2の、更に好ましくは0.7〜1.2mm2の断面積を有する、装置。
[適用例5]
適用例1に記載の装置であって、
前記複数の開口は、少なくとも50の、好ましくは少なくとも80の開口を含む、装置。
[適用例6]
適用例1に記載の装置であって、
前記複数の開口は、流体を前記ガス分布チャンバから流れる流体を前記複数の開口を経て前記スピンチャックの半径方向外向きに流れるように方向付けるために、傾斜している、装置。
[適用例7]
適用例1に記載の装置であって、
前記出口板は、その中央領域がその周辺領域よりも、前記スピンチャック上に位置決めされたときのウエハ状物品から遠く離れているように、ドーム状である、装置。
[適用例8]
適用例1に記載の装置であって、
前記出口板は、セラミック材料で形成される、装置。
[適用例9]
適用例1に記載の装置であって、
前記スピンチャックは、チャンバ内に配置される、装置。
[適用例10]
適用例8に記載の装置であって、
前記チャンバは、密閉チャンバである、装置。
[適用例11]
適用例1に記載の装置であって、
前記スピンチャックは、磁気ロータであり、前記装置は、更に、前記磁気ロータを取り囲む磁気ステータを備える装置。
[適用例12]
ウエハ状物品を処理するための装置であって、
ウエハ状物品を所定の向きで保持するためのスピンチャックと、
前記スピンチャックによって保持されたときのウエハ状物品の表面にプロセスガスを供給するための回転式シャワーヘッドと、
前記プロセスガスをガス分布チャンバに供給するためのプロセスガス供給部であって、前記ガス分布チャンバは、前記シャワーヘッドに形成された複数の開口と流体連通している、プロセスガス供給部と、
を備え、前記スピンチャックは、磁気ロータであり、前記装置は、更に、前記磁気ロータを取り囲む磁気ステータを備える装置。
[適用例13]
適用例12に記載の装置であって、
前記回転式シャワーヘッドは、排出開口が形成された出口板を含み、前記出口板は、前記磁気ロータに取り付けられ、その中央領域を覆っている、装置。
[適用例14]
適用例12に記載の装置であって、
前記出口板は、その中央領域がその周辺領域よりも、前記スピンチャック上に位置決めされたときのウエハ状物品から遠く離れているように、ドーム状である、装置。
[適用例15]
適用例12に記載の装置であって、
前記チャンバは、前記磁気ロータの上方に位置決めされた周縁領域と、前記磁気ロータ内で下方へ伸びる中央領域とを有する上壁を含み、前記上壁の内表面と、前記出口板とが、前記ガス分布チャンバを形成している、装置。
[適用例16]
適用例15に記載の装置であって、
前記上壁は、固定されている、装置。
[適用例17]
適用例12に記載の装置であって、更に、
前記磁気ロータの周縁表面と、前記チャンバの内表面との間に形成された間隙に部六ガスを供給するためのブロックガス供給部を備え、前記間隙は、前記ガス分布チャンバ内にプロセスガスを閉じ込めるように位置決めされる、装置。
[適用例18]
適用例12に記載の装置であって、更に、
前記上壁内に位置決めされ、前記出口板の中央開口に通されるガス注入ヘッドを備える装置。
[適用例19]
適用例12に記載の装置であって、
前記回転式シャワーヘッドは、前記ウエハ状物品に向かって液体を供給することができる中央開口を含む、装置。
本発明は以下の適用例としても実現できる。
[適用例1]
ウエハ状物品を処理するための装置であって、
ウエハ状物品を所定の向きで保持するためのスピンチャックと、
前記スピンチャックによって保持されたときのウエハ状物品の表面にプロセスガスを供給するための回転式シャワーヘッドであって、その中央領域及び周辺領域のそれぞれに複数の開口が形成された出口板を含む回転式シャワーヘッドと、
プロセスガスをガス分布チャンバに供給するためのプロセスガス供給部であって、前記ガス分布チャンバは、前記シャワーヘッドに形成された複数の開口と流体連通している、プロセスガス供給部と、
を備える装置。
[適用例2]
適用例1に記載の装置であって、
前記出口板は、前記スピンチャックに取り付けられ、その中央領域を覆っている、装置。
[適用例3]
適用例1に記載の装置であって、
前記出口板は、少なくとも前記スピンチャックのリング部分と一体に形成される、装置。
[適用例4]
適用例1に記載の装置であって、
前記複数の開口のそれぞれは、0.3〜2.0mm2の、好ましくは0.5〜1.5mm2の、更に好ましくは0.7〜1.2mm2の断面積を有する、装置。
[適用例5]
適用例1に記載の装置であって、
前記複数の開口は、少なくとも50の、好ましくは少なくとも80の開口を含む、装置。
[適用例6]
適用例1に記載の装置であって、
前記複数の開口は、流体を前記ガス分布チャンバから流れる流体を前記複数の開口を経て前記スピンチャックの半径方向外向きに流れるように方向付けるために、傾斜している、装置。
[適用例7]
適用例1に記載の装置であって、
前記出口板は、その中央領域がその周辺領域よりも、前記スピンチャック上に位置決めされたときのウエハ状物品から遠く離れているように、ドーム状である、装置。
[適用例8]
適用例1に記載の装置であって、
前記出口板は、セラミック材料で形成される、装置。
[適用例9]
適用例1に記載の装置であって、
前記スピンチャックは、チャンバ内に配置される、装置。
[適用例10]
適用例8に記載の装置であって、
前記チャンバは、密閉チャンバである、装置。
[適用例11]
適用例1に記載の装置であって、
前記スピンチャックは、磁気ロータであり、前記装置は、更に、前記磁気ロータを取り囲む磁気ステータを備える装置。
[適用例12]
ウエハ状物品を処理するための装置であって、
ウエハ状物品を所定の向きで保持するためのスピンチャックと、
前記スピンチャックによって保持されたときのウエハ状物品の表面にプロセスガスを供給するための回転式シャワーヘッドと、
前記プロセスガスをガス分布チャンバに供給するためのプロセスガス供給部であって、前記ガス分布チャンバは、前記シャワーヘッドに形成された複数の開口と流体連通している、プロセスガス供給部と、
を備え、前記スピンチャックは、磁気ロータであり、前記装置は、更に、前記磁気ロータを取り囲む磁気ステータを備える装置。
[適用例13]
適用例12に記載の装置であって、
前記回転式シャワーヘッドは、排出開口が形成された出口板を含み、前記出口板は、前記磁気ロータに取り付けられ、その中央領域を覆っている、装置。
[適用例14]
適用例12に記載の装置であって、
前記出口板は、その中央領域がその周辺領域よりも、前記スピンチャック上に位置決めされたときのウエハ状物品から遠く離れているように、ドーム状である、装置。
[適用例15]
適用例12に記載の装置であって、
前記チャンバは、前記磁気ロータの上方に位置決めされた周縁領域と、前記磁気ロータ内で下方へ伸びる中央領域とを有する上壁を含み、前記上壁の内表面と、前記出口板とが、前記ガス分布チャンバを形成している、装置。
[適用例16]
適用例15に記載の装置であって、
前記上壁は、固定されている、装置。
[適用例17]
適用例12に記載の装置であって、更に、
前記磁気ロータの周縁表面と、前記チャンバの内表面との間に形成された間隙に部六ガスを供給するためのブロックガス供給部を備え、前記間隙は、前記ガス分布チャンバ内にプロセスガスを閉じ込めるように位置決めされる、装置。
[適用例18]
適用例12に記載の装置であって、更に、
前記上壁内に位置決めされ、前記出口板の中央開口に通されるガス注入ヘッドを備える装置。
[適用例19]
適用例12に記載の装置であって、
前記回転式シャワーヘッドは、前記ウエハ状物品に向かって液体を供給することができる中央開口を含む、装置。
Claims (19)
- ウエハ状物品を処理するための装置であって、
ウエハ状物品を所定の向きで保持するためのスピンチャックと、
前記スピンチャックによって保持されたときのウエハ状物品の表面にプロセスガスを供給するための回転式シャワーヘッドであって、その中央領域及び周辺領域のそれぞれに複数の開口が形成された出口板を含む回転式シャワーヘッドと、
プロセスガスをガス分布チャンバに供給するためのプロセスガス供給部であって、前記ガス分布チャンバは、前記シャワーヘッドに形成された複数の開口と流体連通している、プロセスガス供給部と、
を備える装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記出口板は、前記スピンチャックに取り付けられ、その中央領域を覆っている、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記出口板は、少なくとも前記スピンチャックのリング部分と一体に形成される、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記複数の開口のそれぞれは、0.3〜2.0mm2の、好ましくは0.5〜1.5mm2の、更に好ましくは0.7〜1.2mm2の断面積を有する、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記複数の開口は、少なくとも50の、好ましくは少なくとも80の開口を含む、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記複数の開口は、流体を前記ガス分布チャンバから流れる流体を前記複数の開口を経て前記スピンチャックの半径方向外向きに流れるように方向付けるために、傾斜している、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記出口板は、その中央領域がその周辺領域よりも、前記スピンチャック上に位置決めされたときのウエハ状物品から遠く離れているように、ドーム状である、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記出口板は、セラミック材料で形成される、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記スピンチャックは、チャンバ内に配置される、装置。 - 請求項8に記載の装置であって、
前記チャンバは、密閉チャンバである、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記スピンチャックは、磁気ロータであり、前記装置は、更に、前記磁気ロータを取り囲む磁気ステータを備える装置。 - ウエハ状物品を処理するための装置であって、
ウエハ状物品を所定の向きで保持するためのスピンチャックと、
前記スピンチャックによって保持されたときのウエハ状物品の表面にプロセスガスを供給するための回転式シャワーヘッドと、
前記プロセスガスをガス分布チャンバに供給するためのプロセスガス供給部であって、前記ガス分布チャンバは、前記シャワーヘッドに形成された複数の開口と流体連通している、プロセスガス供給部と、
を備え、前記スピンチャックは、磁気ロータであり、前記装置は、更に、前記磁気ロータを取り囲む磁気ステータを備える装置。 - 請求項12に記載の装置であって、
前記回転式シャワーヘッドは、排出開口が形成された出口板を含み、前記出口板は、前記磁気ロータに取り付けられ、その中央領域を覆っている、装置。 - 請求項13に記載の装置であって、
前記出口板は、その中央領域がその周辺領域よりも、前記スピンチャック上に位置決めされたときのウエハ状物品から遠く離れているように、ドーム状である、装置。 - 請求項13に記載の装置であって、
前記チャンバは、前記磁気ロータの上方に位置決めされた周縁領域と、前記磁気ロータ内で下方へ伸びる中央領域とを有する上壁を含み、前記上壁の内表面と、前記出口板とが、前記ガス分布チャンバを形成している、装置。 - 請求項15に記載の装置であって、
前記上壁は、固定されている、装置。 - 請求項13に記載の装置であって、更に、
前記磁気ロータの周縁表面と、前記チャンバの内表面との間に形成された間隙に部六ガスを供給するためのブロックガス供給部を備え、前記間隙は、前記ガス分布チャンバ内にプロセスガスを閉じ込めるように位置決めされる、装置。 - 請求項15に記載の装置であって、更に、
前記上壁内に位置決めされ、前記出口板の中央開口に通されるガス注入ヘッドを備える装置。 - 請求項12に記載の装置であって、
前記回転式シャワーヘッドは、前記ウエハ状物品に向かって液体を供給することができる中央開口を含む、装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/615,099 | 2015-02-05 | ||
US14/615,099 US10167552B2 (en) | 2015-02-05 | 2015-02-05 | Spin chuck with rotating gas showerhead |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016164973A JP2016164973A (ja) | 2016-09-08 |
JP2016164973A5 true JP2016164973A5 (ja) | 2019-03-07 |
Family
ID=56565359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016014970A Ceased JP2016164973A (ja) | 2015-02-05 | 2016-01-29 | 回転式ガスシャワーヘッドを備えたスピンチャック |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10167552B2 (ja) |
JP (1) | JP2016164973A (ja) |
KR (1) | KR20160096540A (ja) |
CN (1) | CN105870037B (ja) |
SG (1) | SG10201600601PA (ja) |
TW (1) | TWI687540B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10266947B2 (en) | 2016-08-23 | 2019-04-23 | Lam Research Corporation | Rotary friction welded blank for PECVD heated showerhead |
KR102369676B1 (ko) * | 2017-04-10 | 2022-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
KR102546756B1 (ko) * | 2018-05-25 | 2023-06-23 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
CN113467198B (zh) * | 2020-03-31 | 2023-04-18 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体设备及半导体结构的制备方法 |
GB202015527D0 (en) * | 2020-09-30 | 2020-11-11 | Lam Res Ag | Apparatus for processing wafer-shaped articles |
KR20230064110A (ko) * | 2021-11-03 | 2023-05-10 | 주식회사 한화 | 샤워 헤드 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
Family Cites Families (88)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4960488A (en) * | 1986-12-19 | 1990-10-02 | Applied Materials, Inc. | Reactor chamber self-cleaning process |
AT389959B (de) | 1987-11-09 | 1990-02-26 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben |
JPH0697080A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-04-08 | Mitsubishi Electric Corp | 化学気相成長装置用反応室および該反応室を用いた化学気相成長装置 |
ATE174155T1 (de) | 1993-02-08 | 1998-12-15 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Träger für scheibenförmige gegenstände |
GB9411911D0 (en) * | 1994-06-14 | 1994-08-03 | Swan Thomas & Co Ltd | Improvements in or relating to chemical vapour deposition |
JP3257356B2 (ja) * | 1995-07-19 | 2002-02-18 | 富士通株式会社 | 気相成長装置及び気相成長方法並びに気相成長装置のクリーニング方法 |
US6374836B1 (en) * | 1997-10-22 | 2002-04-23 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for treating plate type part with fluid |
US6632292B1 (en) * | 1998-03-13 | 2003-10-14 | Semitool, Inc. | Selective treatment of microelectronic workpiece surfaces |
US6423642B1 (en) * | 1998-03-13 | 2002-07-23 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a semiconductor wafer |
US6303010B1 (en) * | 1999-07-12 | 2001-10-16 | Semitool, Inc. | Methods and apparatus for processing the surface of a microelectronic workpiece |
US6485531B1 (en) | 1998-09-15 | 2002-11-26 | Levitronix Llc | Process chamber |
US6156079A (en) * | 1998-10-21 | 2000-12-05 | Ho; Henry | Window support member for a semiconductor processing system |
US6548411B2 (en) * | 1999-01-22 | 2003-04-15 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for processing a workpiece |
US7217325B2 (en) * | 1999-01-22 | 2007-05-15 | Semitool, Inc. | System for processing a workpiece |
US6680253B2 (en) * | 1999-01-22 | 2004-01-20 | Semitool, Inc. | Apparatus for processing a workpiece |
US6806194B2 (en) * | 1999-01-22 | 2004-10-19 | Semitool. Inc. | Apparatus and methods for processing a workpiece |
JP2000334397A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-05 | Kokusai Electric Co Ltd | 板状試料の流体処理装置及び板状試料の流体処理方法 |
US6432259B1 (en) * | 1999-12-14 | 2002-08-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor cooled ceiling with an array of thermally isolated plasma heated mini-gas distribution plates |
KR100332313B1 (ko) * | 2000-06-24 | 2002-04-12 | 서성기 | Ald 박막증착장치 및 증착방법 |
US6688784B1 (en) * | 2000-10-25 | 2004-02-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Parallel plate development with multiple holes in top plate for control of developer flow and pressure |
WO2002052062A1 (fr) * | 2000-12-27 | 2002-07-04 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement |
JP4236882B2 (ja) * | 2001-08-01 | 2009-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置およびガス処理方法 |
US6786996B2 (en) * | 2001-10-16 | 2004-09-07 | Applied Materials Inc. | Apparatus and method for edge bead removal |
JP4018958B2 (ja) * | 2001-10-30 | 2007-12-05 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP4674207B2 (ja) * | 2003-06-24 | 2011-04-20 | ラム・リサーチ・アクチエンゲゼルシヤフト | ディスク様基板の湿式処理装置と方法 |
US20070110895A1 (en) * | 2005-03-08 | 2007-05-17 | Jason Rye | Single side workpiece processing |
US7938942B2 (en) * | 2004-03-12 | 2011-05-10 | Applied Materials, Inc. | Single side workpiece processing |
KR100614648B1 (ko) * | 2004-07-15 | 2006-08-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조에 사용되는 기판 처리 장치 |
JP4778700B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2011-09-21 | 株式会社アルバック | プラズマcvd方法及び装置 |
KR100854995B1 (ko) * | 2005-03-02 | 2008-08-28 | 삼성전자주식회사 | 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치 |
TWI331770B (en) * | 2005-11-04 | 2010-10-11 | Applied Materials Inc | Apparatus for plasma-enhanced atomic layer deposition |
US8974631B2 (en) | 2006-03-08 | 2015-03-10 | Lam Research Ag | Device for fluid treating plate-like articles |
CN102569137B (zh) * | 2006-07-07 | 2015-05-06 | Telfsi股份有限公司 | 用于处理微电子工件的设备和方法 |
TWI359456B (en) * | 2006-12-15 | 2012-03-01 | Lam Res Ag | Device and method for wet treating plate-like arti |
US8123902B2 (en) * | 2007-03-21 | 2012-02-28 | Applied Materials, Inc. | Gas flow diffuser |
WO2009020524A1 (en) * | 2007-08-07 | 2009-02-12 | Fsi International, Inc. | Rinsing methodologies for barrier plate and venturi containment systems in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids, and related apparatuses |
TWI348934B (en) * | 2007-08-30 | 2011-09-21 | Lam Res Ag | Apparatus for wet treatment of plate-like articles |
TWI415206B (zh) * | 2008-01-31 | 2013-11-11 | Hitachi Int Electric Inc | A substrate processing apparatus, and a method of manufacturing the semiconductor device |
JP5202050B2 (ja) * | 2008-03-14 | 2013-06-05 | 東京エレクトロン株式会社 | シャワーヘッド及び基板処理装置 |
US20090236214A1 (en) * | 2008-03-20 | 2009-09-24 | Karthik Janakiraman | Tunable ground planes in plasma chambers |
KR101690047B1 (ko) * | 2008-05-09 | 2016-12-27 | 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 | 개방 동작 모드와 폐쇄 동작 모드사이를 용이하게 변경하는 처리실 설계를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는 장치 및 방법 |
US8714169B2 (en) * | 2008-11-26 | 2014-05-06 | Semes Co. Ltd. | Spin head, apparatus for treating substrate, and method for treating substrate |
JP5083193B2 (ja) * | 2008-12-12 | 2012-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
EP2380192A4 (en) * | 2008-12-19 | 2014-07-30 | Lam Res Ag | DEVICE FOR TREATING DISC-SHAPED ARTICLES AND METHOD FOR IMPLEMENTING THE SAME |
JP3149701U (ja) * | 2009-01-27 | 2009-04-09 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 半導体処理装置用シャワーヘッド |
SG10201401671SA (en) * | 2009-04-21 | 2014-07-30 | Applied Materials Inc | Cvd apparatus for improved film thickness non-uniformity and particle performance |
US8147614B2 (en) * | 2009-06-09 | 2012-04-03 | Applied Materials, Inc. | Multi-gas flow diffuser |
US8382939B2 (en) * | 2009-07-13 | 2013-02-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing chamber with enhanced gas delivery |
KR101245769B1 (ko) * | 2009-07-28 | 2013-03-20 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 화학기상증착장치, 화학기상증착장치용 가이드부재 및 화학기상증착장치를 이용한 박막제조방법 |
US9540731B2 (en) * | 2009-12-04 | 2017-01-10 | Applied Materials, Inc. | Reconfigurable multi-zone gas delivery hardware for substrate processing showerheads |
US8608146B2 (en) * | 2009-12-18 | 2013-12-17 | Lam Research Ag | Reinforced pin for being used in a pin chuck, and a pin chuck using such reinforced pin |
US8596623B2 (en) * | 2009-12-18 | 2013-12-03 | Lam Research Ag | Device and process for liquid treatment of a wafer shaped article |
JP5567392B2 (ja) * | 2010-05-25 | 2014-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US8485204B2 (en) * | 2010-05-25 | 2013-07-16 | Lam Research Ag | Closed chamber with fluid separation feature |
US8646767B2 (en) * | 2010-07-23 | 2014-02-11 | Lam Research Ag | Device for holding wafer shaped articles |
US8460466B2 (en) * | 2010-08-02 | 2013-06-11 | Veeco Instruments Inc. | Exhaust for CVD reactor |
US8926788B2 (en) | 2010-10-27 | 2015-01-06 | Lam Research Ag | Closed chamber for wafer wet processing |
KR20120065841A (ko) * | 2010-12-13 | 2012-06-21 | 삼성전자주식회사 | 기판 지지 유닛과, 이를 이용한 박막 증착 장치 |
KR101306315B1 (ko) * | 2011-01-11 | 2013-09-09 | 주식회사 디엠에스 | 화학기상증착 장치 |
US20120286481A1 (en) * | 2011-05-13 | 2012-11-15 | Lam Research Ag | Device and process for liquid treatment of wafer shaped articles |
US8562785B2 (en) * | 2011-05-31 | 2013-10-22 | Lam Research Corporation | Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor |
US20120305036A1 (en) * | 2011-06-01 | 2012-12-06 | Lam Research Ag | Device for treating surfaces of wafer-shaped articles |
US8945341B2 (en) * | 2011-08-22 | 2015-02-03 | Lam Research Ag | Method and device for wet treatment of plate-like articles |
US10269615B2 (en) * | 2011-09-09 | 2019-04-23 | Lam Research Ag | Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles |
US20130101372A1 (en) * | 2011-10-19 | 2013-04-25 | Lam Research Ag | Method and apparatus for processing wafer-shaped articles |
US8899246B2 (en) * | 2011-11-23 | 2014-12-02 | Lam Research Ag | Device and method for processing wafer shaped articles |
US8974632B2 (en) * | 2011-11-30 | 2015-03-10 | Lam Research Ag | Device and method for treating wafer-shaped articles |
US9633890B2 (en) * | 2011-12-16 | 2017-04-25 | Lam Research Ag | Device for treating surfaces of wafer-shaped articles and gripping pin for use in the device |
US9548223B2 (en) * | 2011-12-23 | 2017-01-17 | Lam Research Ag | Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles |
US20130233356A1 (en) * | 2012-03-12 | 2013-09-12 | Lam Research Ag | Process and apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles |
JP5929429B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2016-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
US20130309874A1 (en) * | 2012-05-15 | 2013-11-21 | Lam Research Ag | Method and apparatus for liquid treatment of wafer-shaped articles |
US20140026926A1 (en) * | 2012-07-30 | 2014-01-30 | Lam Research Ag | Method and apparatus for liquid treatment of wafer-shaped articles |
KR101501362B1 (ko) * | 2012-08-09 | 2015-03-10 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
US9410244B2 (en) * | 2012-09-04 | 2016-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus including a plurality of reactors, and method for providing the same with process gas |
JP6123208B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2017-05-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
US10714315B2 (en) * | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
JP6056403B2 (ja) * | 2012-11-15 | 2017-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
US9589818B2 (en) * | 2012-12-20 | 2017-03-07 | Lam Research Ag | Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles and liquid control ring for use in same |
US9610591B2 (en) * | 2013-01-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Showerhead having a detachable gas distribution plate |
US9870933B2 (en) * | 2013-02-08 | 2018-01-16 | Lam Research Ag | Process and apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles |
JP5432396B1 (ja) * | 2013-02-28 | 2014-03-05 | 三井造船株式会社 | 成膜装置及びインジェクタ |
US20140283994A1 (en) * | 2013-03-22 | 2014-09-25 | Lam Research Ag | Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles |
US9597701B2 (en) * | 2013-12-31 | 2017-03-21 | Lam Research Ag | Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles |
US10043686B2 (en) * | 2013-12-31 | 2018-08-07 | Lam Research Ag | Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles |
JP6219179B2 (ja) * | 2014-01-20 | 2017-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP6123688B2 (ja) * | 2014-01-29 | 2017-05-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP6262115B2 (ja) * | 2014-02-10 | 2018-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
-
2015
- 2015-02-05 US US14/615,099 patent/US10167552B2/en active Active
-
2016
- 2016-01-26 SG SG10201600601PA patent/SG10201600601PA/en unknown
- 2016-01-29 JP JP2016014970A patent/JP2016164973A/ja not_active Ceased
- 2016-01-29 KR KR1020160011136A patent/KR20160096540A/ko unknown
- 2016-02-01 TW TW105103075A patent/TWI687540B/zh active
- 2016-02-02 CN CN201610074534.8A patent/CN105870037B/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2016164973A5 (ja) | ||
JP6804990B2 (ja) | より均一なエッジパージを有する基板支持体 | |
KR100854995B1 (ko) | 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치 | |
TWI717355B (zh) | 在處理腔室中的氣體控制 | |
JP2016164973A (ja) | 回転式ガスシャワーヘッドを備えたスピンチャック | |
JP2019167631A5 (ja) | 基板処理システム及び装置 | |
KR102018397B1 (ko) | 판상 물체들의 습식 처리를 위한 방법 및 디바이스 | |
JP2014012891A5 (ja) | 基板処理システム及び原子層蒸着システム | |
US9741575B2 (en) | CVD apparatus with gas delivery ring | |
JP2015015469A5 (ja) | ||
JP2016063221A5 (ja) | ||
JP2008532331A5 (ja) | ガス分配装置及び基板処理チャンバ | |
JP2013084602A5 (ja) | ||
US9852905B2 (en) | Systems and methods for uniform gas flow in a deposition chamber | |
KR20170070812A (ko) | 인 시츄 세정 능력을 가진 스핀 척 | |
KR20200029056A (ko) | 처리 챔버를 위한 다중-판 면판 | |
US20160042925A1 (en) | Baffle and substrate treating apparatus including the same | |
JP2019519682A (ja) | 半導体ウェハ処理のための装置 | |
JP2015517204A (ja) | 蒸着法によって半導体ウエハ上に層を堆積させる装置 | |
KR20150056321A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR20160083715A (ko) | 가스 분사 유닛을 포함하는 반도체 공정 설비 | |
CN105762095B (zh) | 反应腔室及半导体加工设备 | |
KR20150091823A (ko) | 탄화규소 써멀 화학기상증착장치의 가스반응로 | |
WO2018012267A1 (ja) | 流路構造及び処理装置 | |
KR20130138444A (ko) | 플라즈마 처리 장치의 리드 어셈블리 |