JP2016163048A - 主結晶方向に対し傾斜した長手方向軸を有するトレンチゲート構造を含む電力半導体デバイス - Google Patents

主結晶方向に対し傾斜した長手方向軸を有するトレンチゲート構造を含む電力半導体デバイス Download PDF

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Abstract

【課題】半導体デバイス（５００）は、水平面に平行な第１主結晶方向（４０１）を有する半導体ボディ（１００）を含んでいる。【解決手段】トレンチゲート構造（１５０）の長手方向軸（１５９）は、水平面において最小で２°、最大で３０°の傾斜角φだけ、第１主結晶方向（４０１）に対し傾斜している。隣り合うトレンチゲート構造（１５０）の間に、メサ部（１７０）が設けられている。第１メサ側壁（１０４）の第１側壁セクション（１０４ａ）は、第１主結晶方向（４０１）に平行な主結晶面である。第１側壁セクション（１０４ａ）に対し傾斜した第２側壁セクション（１０４ｂ）によって、複数の第１側壁セクション（１０４ａ）が連結されている。【選択図】図６Ａ

Description

電力半導体デバイスは、高い定格電流において１０００Ｖを超える阻止電圧に対する耐性を有することができる。一般に電力半導体デバイスを流れる負荷電流は、電力半導体デバイスにおける半導体ボディの２つの主平面間を垂直方向に流れる。負荷電流を制御するゲート電極を、これら主平面の一方から半導体ボディ内に延在するトレンチゲート構造として形成することができる。結晶性ケイ素などのような一般的な半導体材料の場合、トレンチゲート構造の側壁を、ほぼ垂直な側壁とすることができる。たとえば何らかの炭化ケイ素デバイスにおいて、数度程度のオフ角で垂直方向に対しいくらか傾斜した主結晶方向を有する半導体ボディの場合に、トレンチゲート構造を規定どおりにテーパ状にすることによって、オフ角を補償することができ、それによって、高い電荷キャリア移動度を有する主結晶面に、ゲート制御型の反転チャネルを形成することができる。
その際、半導体デバイスのデバイス特性およびデバイスの信頼性を向上させることが望まれている。
この課題は、独立請求項に記載された特徴によって達成される。従属請求項には、さらに別の実施形態が記載されている。
１つの実施形態によれば、半導体デバイスは、水平面に平行な第１主結晶方向を有する半導体ボディを含んでいる。トレンチの長手方向軸は、水平面において最小で２°、最大で３０°の傾斜角だけ、第１主結晶方向に対し傾斜している。隣り合うトレンチゲート構造の間に、メサ部が設けられている。第１メサ側壁の第１側壁セクションは、第１主結晶方向に平行な主結晶面である。第１側壁セクションに対し傾斜した第２側壁セクションによって、複数の第１側壁セクションが連結されている。
１つの実施形態によれば、半導体デバイスの製造方法には、結晶性半導体材料から成る半導体基板にトレンチを形成するステップが含まれている。この半導体基板において、第１主結晶方向は水平面に平行である。トレンチの長手方向軸は、水平面において最小で２°、最大で３０°の傾斜角だけ、第１主結晶方向に対し傾斜している。不活性雰囲気において半導体基板は、半導体材料の原子が主結晶面に沿って再配列する温度まで加熱され、その際、再堆積領域によって、トレンチの長手方向軸と主結晶面との角度のずれを補償する側壁段差が形成される。さらにこの場合、複数の再堆積領域を一体化する犠牲層が形成される。
当業者であれば、以下の詳細な説明を読み、添付の図面を見ることで、さらに別の特徴および利点を読み取ることができる。
以下の図面は、本発明の理解を深めるために添付されており、本明細書に組み込まれ本発明の一部を成すものである。図面には、本発明の実施形態が描かれており、それらの説明とともに本発明の基本原理が示されている。本発明のその他の実施形態および意図する利点は、以下の詳細な説明を参照することで理解が深まれば、容易に読み取ることができる。
第１主結晶方向に対し傾斜した長手方向軸を有するトレンチゲート構造に関する実施形態による、半導体デバイスの一部分を略示した水平方向断面図 ラインＢ−Ｂに沿って見た、図１Ａによる半導体デバイスの一部分を略示した垂直方向断面図 実施例の背景を説明するために六方晶格子の一部分を略示した図 実施形態の理解に役立つよう背景を説明するために、トレンチゲート構造の長手方向軸と、水平面への第１主結晶方向の垂直方向投影とが完全に一致している、半導体ウェハの一部分の最上面を略示した平面図 ラインＢ−Ｂに沿って見た、図３Ａによる半導体ウェハの一部分を略示した垂直方向断面図 実施形態の理解に役立つよう背景を説明するために、第１主結晶方向に対し僅かに傾斜したストリップ状トレンチを有する半導体基板の一部分を、トレンチのエッチング後であり熱処理前の状態で略示した平面図 図４Ａの半導体基板の一部分を熱処理後の状態で略示した平面図 別の実施形態による半導体デバイスの製造方法を例示するために、第１主結晶方向に対し最小で２°の傾斜角で傾斜した長手方向軸を有するストリップ状トレンチを含む半導体基板の一部分を、トレンチのエッチング後の状態で略示した平面図 図５Ａの半導体基板の一部分を熱処理後の状態で略示した平面図 図５Ｂの半導体基板の一部分を犠牲層形成後の状態で略示した平面図 図５Ｃの半導体ウェハの一部分をトレンチゲート形成後の状態で略示した平面図 第１面にトランジスタセルを有するメサ部を含むＩＧＦＥＴ（絶縁ゲート型電界効果トランジスタ）に関する実施形態による半導体デバイスの一部分を略示した水平方向断面図 ラインＢ−Ｂに沿って見た、図６Ａによる半導体デバイスの一部分を略示した垂直方向断面図 スペーサゲート電極を備えたＩＧＦＥＴに関する実施形態による半導体デバイスの一部分を略示した水平方向断面図 ラインＢ−Ｂに沿って見た、図７Ａによる半導体デバイスの一部分を略示した垂直方向断面図
以下の詳細な説明では、本願の一部を成す添付の図面を参照するが、図面には、例示というかたちで、本発明を実施可能な特定の実施形態が示されている。他の実施形態を採用してもよく、本発明の範囲を逸脱することなく、構造的または論理的な変更を加えることができる。たとえば、１つの実施形態のために例示されたまたは説明された特徴を、他の実施形態において、または他の実施形態とともに、用いることができ、それによってさらに別の実施形態が生み出されることになる。本発明はこのような修正や変更を含むことを意図している。特定の用語や言い回しを用いて実施例を説明するが、それによって添付の請求項の範囲が制限されると解されるものではない。図面は原寸どおりではなく、例示目的で示したにすぎない。また、簡潔にするため、特段の記載がないかぎり、異なる図面において同じまたは同様の構成要素には、対応する参照符号が付されている。
用語「有する」、「含有する」、「含む」、「包含する」等は、非限定的であり、これらの用語は、記載した構造、要素または特徴が存在することを表すが、付加的な要素または特徴を排除するものではない。また、文脈からそうではないということがはっきりと表されないかぎり、冠詞「１つの」および「その」は、複数も単数も含むことができる。
用語「電気的に接続された」は、電気的に接続された要素間の持続的な低オームの接続を表し、たとえば関与する要素間のダイレクトな接触、または金属および／または高濃度にドーピングされた半導体を介した低オームの接続を表す。用語「電気的に結合された」には、信号伝送に適合された１つまたは複数の介在要素を、電気的に結合された要素間に設けてもよい、ということが含まれ、たとえば第１の状態における低オームの接続と第２の状態における高オームの分離を一時的に生じさせるように制御可能な要素を設けてもよい、ということが含まれる。
図面には、ドーピングの型「ｎ」または「ｐ」に続いて、「−」または「＋」で表された相対的なドーピング濃度が示されている。たとえば「ｎ−」は、「ｎ」ドーピング領域のドーピング濃度よりも低いドーピング領域のことを表す一方、「ｎ＋」ドーピング領域は、「ｎ」ドーピング領域よりも高いドーピング濃度を有している。なお、同じ相対的ドーピング濃度のドーピング領域が、必ずしも同じ絶対的なドーピング濃度を有していなくてもよい。たとえば２つの異なる「ｎ」ドーピング領域は、同じ絶対的ドーピング濃度を有していてもよいし、異なる絶対的ドーピング濃度を有していてもよい。
図１Ａ〜図１Ｂには、トランジスタセルＴＣを含む半導体デバイス５００が示されている。この半導体デバイス５００を、ＩＧＦＥＴ（insulated gate field effect transistor絶縁ゲート型電界効果トランジスタ）たとえば一般的な意味では金属ゲートを備えたＦＥＴおよび非金属ゲートを備えたＦＥＴを含むＭＯＳＦＥＴ（metal oxide semiconductor FET金属酸化物半導体ＦＥＴ）、ＩＧＢＴ（insulated gate bipolar transistor絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）、またはＭＣＤ（MOS controlled diode ＭＯＳ制御型ダイオード）とすることができ、あるいは半導体デバイス５００はこれらを含むことができる。
半導体デバイス５００は、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ケイ素ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、または他の何らかのＡIIIＢV半導体などの結晶性半導体材料から成る半導体ボディ１００をベースとする。１つの実施形態によれば、結晶性半導体材料は六方晶格子を有しており、例を挙げると、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、または窒化ガリウム（ＧａＮ）などのＡIIIＢV半導体を有している。たとえば半導体材料は、４Ｈポリタイプの炭化ケイ素（４Ｈ−ＳｉＣ）である。
半導体ボディ１００は表側で第１表面１０１を有しており、この面を平面としてもよいし、またはこの面が複数の共面表面セクションを含むようにしてもよい。この場合、平坦な第１表面１０１または複数の共面表面セクションは、主結晶面と一致しているか、または主結晶面に対し所定の軸外し角ないしは所定のオフ角αだけ傾斜させることができ、この角度の絶対値を最小で２°、最大で１２°たとえば約４°とすることができる。
図示されている実施形態によれば、第１表面１０１はぎざぎざであり、互いにずらされ水平面に対し傾斜した複数の平行な第１表面セクション１０１ａと、これらの第１表面セクション１０１ａに対し傾斜した複数の第２表面セクション１０１ｂとを含み、これらの第２表面セクション１０１ｂによって、複数の第１表面セクション１０１ａが連結されている。ぎざぎざな第１表面１０１の断面のラインは、鋸歯のラインに類似している。水平面は、第１表面１０１の最小二乗平均により求められた面によって定められた平均表面１０１ｘに平行である。第１表面１０１全体にわたり第１表面セクション１０１ａの長さが均一であれば、平均表面１０１ｘは、第１表面セクション１０１ａと第２表面セクション１０１ｂとにより形成された段差１０８と、それらの段差の半分の高さのところで交差する。第１表面１０１が平坦な場合、平均表面１０１ｘは第１表面１０１と一致する。
１つの実施形態によれば、基本結晶方向４００を、半導体ボディ１００の平均表面１０１ｘの法線に対し所定のオフ角αだけ傾斜させることができ、第１表面セクション１０１ａは、平均表面１０１ｘに対し所定のオフ角αだけ傾斜している。
裏側で対向する第２表面１０２を、平均表面１０１ｘと平行に、または平均表面１０１ｘに対し傾斜させて延在させることができ、あるいは対向する第２表面１０２が、第１表面１０１の第１および第２の表面セクション１０１ａ，１０１ｂに平行である、複数の表面セクションを含むようにしてもよい。表側の第１表面１０１と裏側の第２表面１０２との間の距離は、半導体デバイス５００の定格阻止電圧に関係している。一般に半導体ボディ１００は、阻止状態において加わる電界に適合された第１垂直方向部分を含み、この第１垂直方向部分の厚さは定格阻止電圧に比例し、電界のブレークダウン強度を規定するものである一方、別の垂直方向部分たとえば基板部分の厚さは、定格阻止電圧には関係しない。
第１表面１０１と第２表面１０２との間の半導体ボディ１００の厚さ全体を、数１００ｎｍ〜数１００μｍの範囲とすることができる。平均表面１０１ｘに対する法線によって、垂直方向が規定されている。平均表面１０１ｘに平行な方向が、水平方向である。
第１表面１０１から半導体ボディ１００内に延在するトレンチゲート構造１５０に沿って、トランジスタセルＴＣが形成されており、その際、隣り合うトレンチゲート構造１５０間の半導体ボディ１００の部分によって、メサ部１７０が形成されている。
第１水平方向に沿ったトレンチゲート構造１５０が長手方向に延在する長さを、第１水平方向と直交する第２水平方向に沿った幅よりも長くすることができる。トレンチゲート構造１５０を、トランジスタセルエリアの一方の側から反対側まで延在する長いストリップとすることができ、この場合、トレンチゲート構造の長さを数ｍｍまでとすることができる。別の実施形態によれば、複数の別個のトレンチゲート構造１５０を、トランジスタセルエリアの一方の側から反対側まで延在するラインに沿って配置することができ、または複数のトレンチゲート構造１５０によって、グリッドが形成されるようにしてもよく、この場合、グリッドの網目にメサ部１７０が形成されている。
複数のトレンチゲート構造１５０を等間隔に配置することができ、また、それらが等しい幅を有することができ、さらにそれらによって規則的なパターンが形成されるようにすることができ、この場合、トレンチゲート構造１５０のピッチ（中央から中央の距離）を、１μｍ〜１０μｍの範囲とすることができ、たとえば２μｍ〜５μｍの範囲とすることができる。トレンチゲート構造１５０が垂直方向に延在する長さを、０．３μｍ〜５μｍの範囲とすることができ、たとえば０．５μｍ〜２μｍの範囲とすることができる。
トレンチゲート構造１５０は、導電性のゲート電極１５５を含んでおり、このゲート電極１５５は、高濃度でドーピングされた多結晶シリコン層または金属含有層を含むことができ、あるいはシリコン層または金属含有層から成るようにすることができる。トレンチゲート構造１５０はさらに、トレンチゲート構造１５０の少なくとも一方の側に沿って、ゲート電極１５５を半導体ボディ１００から分離するゲート誘電体１５１を含んでいる。ゲート誘電体１５１は、半導体誘電体を含むことができ、または半導体誘電体から成るようにすることができ、半導体誘電体の例を挙げると、熱成長または堆積させた半導体酸化物たとえば酸化ケイ素、半導体窒化物たとえば堆積または熱成長させた窒化ケイ素、半導体酸窒化物たとえば酸窒化ケイ素、他の任意の堆積させた誘電体材料、あるいはこれらの任意の組み合わせである。１．５Ｖ〜６Ｖの範囲のトランジスタセルＴＣの閾値電圧のために、ゲート誘電体１５１を形成することができる。トレンチゲート構造１５０の終端部分では、ゲート誘電体１５１をトランジスタセルＴＣの活性部分よりも厚くすることができ、これによってデバイスの信頼性を向上させることができる。１つの実施形態によれば、この終端部分を酸化ケイ素などのような誘電体材料によって完全に充填することができる。
トレンチゲート構造１５０が、もっぱらゲート電極１５５とゲート誘電体１５１だけを含むようにしてもよいし、またはゲート電極１５５とゲート誘電体１５１に加えて、別の導電性構造および／または誘電性構造を含むようにしてもよい。
トレンチゲート構造１５０を、平均表面１０１ｘに垂直にしてもよいし、または平均表面１０１ｘまでの距離が増すにつれて先細りするようにしてもよい。たとえば、垂直方向に対するトレンチ構造１５０のテーパ角βを、オフ角αと等しくしてもよいし、または、メサ部１７０の第１メサ側壁１０４が、高い電荷キャリア移動度をもたらす結晶面によって形成されるように、±１°を超えない大きさだけオフ角αから偏位させてもよい。たとえば、六方晶格子を有する半導体ボディ１００の場合であれば、第１メサ側壁１０４を、Ａ面またはＭ面によって形成することができる。
対向する第２メサ側壁１０５に関しては、テーパ角βがオフ角αに加わり、第２メサ側壁１０５と高い電荷キャリア移動度を有する結晶面との間に結果として生じる角度のずれγは、オフ角αとテーパ角βとの和となる。一般に、第２メサ側壁１０５における電荷キャリア移動度は、第１メサ側壁１０４における電荷キャリア移動度よりも著しく小さく、したがって、２°よりも大きいオフ角αをもたせた半導体ボディをベースとして、半導体デバイスのためにセルをレイアウトすることによって、ゲート制御型反転チャネルのために第２メサ側壁１０５を利用するのが回避される。
メサ部１７０には、表側に向いたソースゾーン１１０が含まれており、このソースゾーン１１０は、少なくとも第１メサ側壁１０４とじかに隣接している。ソースゾーン１１０を、第１表面１０１とじかに隣接させてもよく、さらに第２メサ側壁１０５ともじかに隣接させてもよく、または第２メサ側壁１０５から間隔をおいて配置してもよい。
メサ部１７０にはさらに、ソースゾーン１１０をドリフト構造１２０から分離するボディゾーン１１５が含まれており、この場合、これらのボディゾーン１１５は、ドリフト構造１２０とともに第１ｐｎ接合部ｐｎ１を形成しており、ソースゾーン１１０ととともに第２ｐｎ接合部ｐｎ２を形成している。ボディゾーン１１５を、第１メサ側壁１０４とじかに隣接させてもよく、さらに第２メサ側壁１０５ともじかに隣接させてもよい。ボディゾーン１１５の一部分は、ゲート誘電体１５１を介してゲート電極１５５と容量結合されている。ソースゾーン１１０とボディゾーン１１５の双方は、表側で第１負荷電極３１０と電気的に接続されている。ボディゾーン１１５が垂直方向に延在する長さは、トランジスタセルＴＣのチャネル長に対応し、０．２μｍ〜１．５μｍの範囲とすることができる。
半導体ボディ１００はさらにダイオード領域１１６を含むことができ、この領域はドリフト構造１２０とともに第３ｐｎ接合部ｐｎ３を形成している。ダイオード領域１１６は、第１負荷電極３１０と電気的に接続または結合されており、ダイオード領域１１６の一部分がトレンチゲート構造１５０の垂直方向突出部分に形成されるように、ダイオード領域１１６をトレンチゲート構造１５０とオーバラップさせることができる。隣り合う各ダイオード領域１１６の対向するエッジ間の距離を、一例として２μｍ〜３μｍとすることができる。
ドリフト構造１２０は裏側に向いており、第２表面１０２とじかに隣接させることができ、オーミックコンタクトまたはさらに別のｐｎ接合部を介して、第２負荷電極３２０と電気的に接続または結合することができる。ドリフト構造１２０は、低濃度でドーピングされたドリフトゾーン１２１を含むことができ、これによって第１のｐｎ接合部ｐｎ１と第３のｐｎ接合部ｐｎ３を形成することができ、さらにドリフト構造１２０は、ドリフトゾーン１２１と第２表面１０２との間に、高濃度でドーピングされたコンタクト層１２９を含むことができる。
半導体ボディ１００が炭化ケイ素から成る場合、ドリフトゾーン１２１における正味ドーパント濃度を、１Ｅ１４ｃｍ−３〜３Ｅ１６ｃｍ−３の範囲にすることができる。コンタクト層１２９における平均ドーパント濃度は、第２表面１０２とじかに隣り合う第２負荷電極３２０とのオーミックコンタクトを保証するのに十分な程度に高い。半導体デバイス５００が半導体ダイオードまたはＩＧＦＥＴである場合、コンタクト層１２９はドリフトゾーン１２１と同じ導電型を有する。半導体デバイス５００がＩＧＢＴである場合、コンタクト層１２９は、ドリフトゾーン１２１と相補的な導電型を有しており、または相補的な導電型のゾーンを含んでいる。
第１および第２の負荷電極３１０，３２０の各々は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、またはアルミニウムまたは銅の合金たとえばＡｉＳｉ，ＡｌＣｕまたはＡｌＳｉＣｕから成るか、主成分としてこれらを含むことができる。別の実施形態によれば、第１および第２の負荷電極３１０，３２０の少なくとも一方は、主成分として、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、および／またはパラジウム（Ｐｄ）を含むことができる。第１および第２の負荷電極３１０，３２０の一方または両方は、２つまたはそれよりも多くの副層を含むことができ、これらの副層各々は、Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ａｇ，Ａｕ，Ｗ，Ｓｎ，Ｐｔ，Ｐｄのうちの１つまたは複数を主成分として含み、たとえばケイ化物、窒化物、および／または合金を含む。
第１負荷電極３１０によって第１負荷端子Ｌ１を形成することができ、または第１負荷電極３１０を、第１負荷端子Ｌ１と電気的に接続または結合することができ、この端子を、ＭＣＤのアノード端子、ＩＧＦＥＴのソース端子、またはＩＧＢＴのエミッタ端子とすることができる。第２負荷電極３２０によって第２負荷端子Ｌ２を形成することができ、または第２負荷電極３２０を、第２負荷端子Ｌ２と電気的に接続または結合することができ、この端子を、ＭＣＤのカソード端子、ＩＧＦＥＴのドレイン端子、またはＩＧＢＴのコレクタ端子とすることができる。
１つの実施形態によれば、トランジスタセルＴＣは、ｐ型にドーピングされたボディゾーン１１５とｎ型にドーピングされたソースゾーン１１０とを有するｎチャネルＦＥＴセルであり、この場合、ダイオード領域１１６はｐ型にドーピングされ、ドリフトゾーン１２１はｎ型にドーピングされる。別の実施形態によれば、トランジスタセルＴＣは、ｎ型にドーピングされたボディゾーン１１５とｐ型にドーピングされたソースゾーン１１０とを有するｐチャネルＦＥＴセルであり、この場合、ダイオード領域１１６はｎ型にドーピングされ、ドリフトゾーン１２１はｐ型にドーピングされる。
ゲート電極１５５における電荷が、半導体デバイス５００の閾値電圧を超えるか、または閾値電圧を下回ったならば、ボディゾーン１１５における小数電荷キャリアによって、ソースゾーン１１０をドリフトゾーン１２０と結合する反転チャネルが形成され、これによって半導体デバイス５００がターンオンする。オン状態の場合には負荷電流が半導体ボディ１００を、第１負荷電極３１０と第２負荷電極３２０との間でほぼ垂直方向に流れる。
以下では、第１主結晶方向４０１は、基本結晶方向４００と直交しかつ平均表面１０１ｘと平行な結晶方向である。第２主結晶方向４０２は、基本結晶方向４００および第１主結晶方向４０１と直交する結晶方向である。基本結晶方向４００が平均表面１０１ｘに対し垂直であれば、第２主結晶方向４０２を水平面にあるようにすることができ、または、基本結晶方向４００が平均表面１０１ｘに対し傾斜しているのであれば、第２主結晶方向４０２を平均表面１０１ｘに対し傾斜させることができる。
たとえば、六方晶格子を有する半導体ボディ１００の場合であれば、基本結晶方向を＜０００１＞結晶方向とすることができる。その際、第１主結晶方向を＜１１−２０＞方向とすることができ、かつ第２主結晶方向を＜１−１００＞方向とすることができ、または第１主結晶方向を＜１−１００＞方向とすることができ、かつ第２主結晶方向を＜１１−２０＞方向とすることができる。
トレンチゲート構造１５０の長手方向軸１５９は、最小で２°、最大で３０°の傾斜角φだけ、第１主結晶方向４０１に対し傾斜している。１つの実施形態によれば、傾斜角φは、３°〜８°の範囲にある。傾斜角φが大きくなるにつれて、半導体デバイス５００の製造中、結晶面に沿って原子が再配列されることにより、第１メサ側壁１０４と第２メサ側壁１０５とに形成されるほぼ垂直な段差間の距離が小さくなる。原子の再配列中、結晶格子内に含まれるドーパントが、結晶格子の分解部分から遊離する可能性があり、新たに成長した結晶格子部分に、異なる分布で、たとえば全体的に濃度が低下して、または密度均一性が減少して、組み込まれる可能性がある。また、ドーパントの型が異なる領域は、それぞれ異なる挙動を示す可能性があり、逆の型でドーピングされた領域では、導電型が局所的にｎ型からｐ型に、またはその逆に、変化する可能性がある。これに加え、分解して新たに成長した部分と隣接する領域におけるドーパント濃度も、影響を受ける可能性がある。結晶面に沿った原子の再配列によりドーパント濃度に影響が及ぼされた半導体部分によって、電位的に異なるドーパント濃度の再堆積領域が形成される。この再堆積領域により、第１メサ側壁１０４に沿ってボディゾーン１１５を通過する真性またはｎ型の通路が形成される可能性があり、このような通路によって半導体デバイス５００の漏れ電流が増加する。
傾斜角φを大きくすればするほど、いっそう多くの段差を側壁に沿って形成することができ、段差と段差との間の距離が小さくなる。また、段差の密度が高まるにつれて、側壁に沿った材料の再堆積が均質になり、段差に沿って電位的に異なるドーパント濃度の再堆積領域が狭くなる。さらに再堆積領域が狭くなると、再堆積領域の除去にあたり、熱酸化プロセスに起因する熱負荷が小さくなる一方、これによって半導体デバイス５００内の漏れ電流密度が、オフ状態において局所的に高まる可能性がある。
上述の範囲の傾斜角φを用いれば、半導体デバイス５００の製造中、第１メサ側壁１０４に形成される垂直方向の段差と段差との間の距離が十分に狭まって、熱処理中、第１メサ側壁１０４に沿った原子の再配列により形成される、電位的に異なるドーパント濃度の領域を除去するための熱負荷が、著しく小さくなる。これについては、以下で詳しく説明する。
図２には、六方晶格子たとえば４Ｈ−ＳｉＣ格子の一部分における結晶面と結晶配向が示されている。＜０００１＞結晶方向は、（０００１）基底面またはＣ面に垂直である。Ｃ面に垂直な面は、たとえば｛１−１００｝結晶面またはＭ面、｛１１−２０｝結晶面またはＡ面などのような主結晶面である。たとえば、４Ｈ−ＳｉＣの場合、Ａ面およびＭ面は、高い電荷キャリア移動度を有しており、この場合、｛１１−２０｝結晶面における電荷キャリア移動度は、｛１−１００｝結晶面における電荷キャリア移動度よりも高い。Ａ面は、（１１−２０）、（１−２１０）、（−２１１０）、（２−１−１０）、（−１２−１０）および（−１−１２０）面を含む面の集合の要素である。以下の説明では、Ａ面のうち任意の１つの面として（１１−２０）面を挙げ、Ｍ面のうち任意の１つの面として（１−１００）面を挙げる。
図３Ａおよび図３Ｂには、六方晶格子を有するウェハ５０１の最上面が示されている。基本結晶方向４００を、＜０００１＞結晶方向とすることができる。｛０００１｝結晶面に対しオフ角αで結晶インゴットを切断することにより得られたウェハを熱処理した結果、平行な複数の第１表面セクション１０１ａと、これらの第１表面セクション１０１ａに対し傾斜した複数の第２表面セクション１０１ｂとを有する最上面１０１ｚが形成される。この場合、切断方向は、主結晶方向４０２に沿っており、この方向は、＜１１−２０＞結晶方向であってもよいし、または＜１−１００＞結晶方向であってもよい。両方のケースにおいて、切断面と（０００１）結晶面との間のオフ角αを、約２〜１２°の範囲にある任意の角度とすることができる。既述の熱処理中、切断面に沿った原子が再配列して、鋸歯状の最上面１０１ｚが形成される。
第１表面セクション１０１ａと第２表面セクション１０１ｂによって段差１０８が形成され、それらの段差１０８は全体として、主結晶方向４０２に対し所定のオフ角αだけ傾斜している平均表面１０１ｘに関して対称である。切断面を、平均表面１０１ｘと一致させてもよいし、平均表面１０１ｘと平行にしてもよく、この場合、平均表面１０１ｘは、第１表面セクション１０１ａおよび第２表面セクション１０１ｂと、平均的な段差の高さのほぼ半分のところで交差する。第１表面セクション１０１ａは、結晶方向４００と直交する主結晶方向４０２に平行である。第２表面セクション１０１ｂは、第１表面セクション１０１ａに対し、０°よりも大きい角度で傾斜している。たとえば第２表面セクション１０１ｂを、結晶方向４００にほぼ平行にすることができる。
ステップ制御エピタキシーによって、エピタキシャル層が鋸歯状の最上面１０１ｚの上で成長すると、第１表面セクション１０１ａと第２表面セクション１０１ｂとの間の段差１０８の縁部によって、成長したエピタキシャル層が４Ｈ−ＳｉＣ結晶構造を確実に維持し続けるように、衝突するケイ素と炭素の原子が整列させられる。化学機械的研磨によって、最上面１０１ｚを平坦化することができ、パッシベーション層たとえば炭素層によって、後続のプロセス中にさらに再堆積が生じるのを抑圧することができる。
トレンチゲート構造のトレンチ１５０ａは、最上面１０１ｚから半導体ボディ１００内に延在し、最上面１０１ｚまでの距離が増すにつれて、垂直方向に対しテーパ角βで先細させることができる。テーパ角βとオフ角αが等しければ、トレンチ１５０ａの第１メサ側壁１０４は、主結晶面たとえばＡ面またはＭ面によって形成され、他方、反対側の第２メサ側壁１０５は、角度のずれγ＝α＋βだけ個々の主結晶面に対し傾斜している。
電子移動度は、結晶の配向に大きく左右されるので、第２メサ側壁１０５に沿って形成される反転チャネルは、第１メサ側壁１０４に沿って形成される反転チャネルよりも、著しく作用が小さい。
第１メサ側壁１０４が段差なく滑らかになるのは、トレンチ１５０ａの長手方向軸が、第１メサ側壁１０４を成す主結晶面に完全に平行な場合だけである。
図４Ａには、トレンチ１５０ａを備えた半導体基板５０２が示されている。トレンチ１５０ａの長手方向軸１５９は、第１主結晶方向４０１から僅かに偏位している。この角度のずれψを１°よりも小さくすることができ、トレンチ１５０ａを規定するために使用されるフォトリソグラフィマスクと、半導体基板５０２における結晶配向を表すマークとの間の角度のずれによって生じる。第１メサ側壁１０４と第２メサ側壁１０５は、第１主結晶方向４０１と平行な主結晶面と交差しており、第１主結晶方向４０１は、半導体基板５０２の最上面１０１ｚにおいて段差１０８と平行に延在している。
この場合、高温プロセス中、たとえばドーピングの活性化アニール中または表面平滑化処理中、第１メサ側壁１０４と第２メサ側壁１０５に沿って結晶格子の原子が再配列され、それによって主結晶面内でエネルギー的にいっそう好適なポジションをとるようになる。
図４Ｂには、高温プロセスの結果が示されている。この場合、主結晶面たとえばＡ面またはＭ面によって形成された、長く平坦な第１側壁セクション１０４ａ，１０５ａに、原子が再配列されている。隣り合う第１側壁セクション１０４ａ，１０５ａを連結する短い第２側壁セクション１０４ｂ，１０５ｂによって、メサ側壁１０４，１０５を成す主結晶面の配向からのトレンチ１５０ａの長手方向軸１５９の偏位が補償される。第１側壁セクション１０４ａ，１０５ａと第２側壁セクション１０４ｂ，１０５ｂとの移行部分によって段差が形成され、この場合、段差の構造形成は、第１メサ側壁１０４および第２メサ側壁１０５が交差する結晶面に関連する。角度のずれψが小さければ、第１メサ側壁１０４および第２メサ側壁１０５は、比較的少数の結晶面と交差し、段差の個数は少ない。この場合、再堆積または表面拡散した材料は、小数の段差にわたって分布し、その結果、比較的高い段差が生じる。
結晶格子の原子の再配列の結果、ドーパント原子のセグリゲーションが発生し、第１側壁セクション１０４ａ，１０５ａに沿って延在する再堆積領域１９１に、ドーパント原子が蓄積する可能性もあるし欠乏する可能性もある。再堆積領域１９１の水平方向断面セクションは三角形であり、この三角形の第１辺は、関連する第１側壁セクション１０４ａ，１０５ａにより形成され、第２辺は、関連する第１側壁セクション１０４ａ，１０５ａとともに側壁段差１０６を形成するように隣り合う第２側壁セクション１０４ｂ，１０５ｂの半分の部分である。再堆積領域の最大の厚さは、段差の高さの約半分である。再堆積領域１９１によって、第１メサ側壁１０４に形成された反転チャネルの特性が局所的に変化して、デバイスの信頼性が低下する可能性がある。
図５Ａ〜図５Ｄには、半導体デバイスたとえばＭＣＤまたは半導体スイッチングデバイスたとえばＩＧＦＥＴまたはＩＧＢＴの製造方法が示されている。
たとえば、結晶性半導体材料から成る半導体基板５０２においてマスクによる異方性エッチングを行うことによって、トレンチ１５０ａが形成される。半導体基板５０２において基本結晶方向を、この半導体基板５０２の表側における平均表面への法線に対し、最小で２°のオフ角で傾斜させることができる。この場合、平均表面を、最上面１０１ｚにおいて段差１０８と、段差の半分の高さのところで交差させることができる。トレンチ１５０ａは、最上面１０１ｚから半導体基板５０２内へ延在している。半導体基板５０２はドーパントを含んでおり、それらのドーパントをエピタキシャル成長中に組み込むことができ、またはトレンチ１５０ａの形成前または形成後に注入することができる。
図５Ａに示されているように、トレンチ１５０ａの長手方向軸１５９ａは、第１主結晶方向４０１に対し傾斜角φだけ傾斜しており、この傾斜角は最小で２°であり、たとえば最小で３°または最小で５°、最大で３０°たとえば最大で１２°である。トレンチ１５０ａは、主結晶面たとえば六方晶格子の（１１−２０）結晶面または（１−１００）結晶面と傾斜角φで交差している。図示されている実施形態の場合、角度φは、トレンチ１５０ａの長手方向軸１５９ａと第１主結晶方向４０１との間の角度に相応する。
半導体基板５０２は、半導体基板５０２の表面原子が主結晶面内でエネルギー的にいっそう好ましいポジションに移動するような温度まで、加熱される。たとえばこのような加熱を、注入されたドーパントを活性化するための熱処理としてもよいし、表面の粗さのスムーシングまたはトレンチエッジのラウンディングを主たる目的とする処理としてもよい。たとえば熱処理の温度を、１４００°〜１７００°の範囲にすることができ、水素ガス（Ｈ２）または希ガスたとえばアルゴン（Ａｒ）またはキセノンを含有する不活性雰囲気中で実施することができる。これに加え、不活性雰囲気に炭化水素を含めてもよい。
図５Ｂに示されているように、半導体材料の原子が再配列した結果、主結晶面に平行な長く平坦な第１側壁セクション１０４ａ，１０５ａと、隣り合う第１側壁セクション１０４ａ，１０５ａを連結する短い第２側壁セクション１０４ｂ，１０５ｂとが形成され、第２側壁セクションによって、主結晶面に対するトレンチ１０５ａの角度のずれが補償される。第２側壁セクション１０４ｂ，１０５ｂを、第１側壁セクション１０４ａ、１０５ａに対しほぼ垂直とすることができる。第１側壁セクション１０４ａ，１０５ａと第２側壁セクション１０４ｂ，１０５ｂとによって、ほぼ垂直な側壁段差１０６が形成される。
傾斜角φは、図４Ａ〜図４Ｂの角度のずれψよりも大きいので、トレンチ１５０ａは単位長さあたり、いっそう多くの結晶面と交差している。側壁段差１０６の構造形成は、交差する結晶面の個数と関連しているので、図４Ａ〜図４Ｂに示した例の場合よりも、いっそう多くの側壁段差１０６を形成することができる。再堆積した材料は、いっそう多くの個数の再堆積領域１９１にわたって分散し、それらの再堆積領域では、セグリゲーションプロセスおよび／またはアキュムレーションプロセスに起因して、ドーパント濃度が目標値から変動する可能性がある。単一の再堆積領域１９１が深さ方向に延在する長さは、段差側壁１０６の個数が僅かにすぎない従来の方法によって形成された再堆積領域が深さ方向に延在する長さよりも短い。
さらに犠牲層１９２が形成され、この層は、第１メサ側壁１０４および第２メサ側壁１０５のように露出した表面セクションに沿って、半導体基板５０２の複数の表面部分を一体化する。１つの実施形態によれば犠牲層１９２を、半導体基板５０２の半導体材料の熱酸化により形成された半導体酸化層とすることができる。犠牲層１９２の厚さは数１０〜数１００ｎｍの範囲であり、最大で３００ｎｍである。犠牲層１９２の厚さを、結晶配向に依存させることができる。たとえば、第１側壁セクション１０４ａ，１０５ａ上で成長させた犠牲層１９２の第１部分を、第２側壁セクション１０４ｂ，１０５ｂ上で成長させた犠牲層１９２の第２部分よりも薄く、または厚くすることができる。
図５Ｃには、犠牲層１９２が示されている。再堆積領域１９１が延在する長さは短いので、比較的薄い犠牲層１９２であっても、ドーパントが蓄積した領域１０６各々の比較的多くの部分に費やすのに十分である。ドーパントが蓄積した領域を除去するための熱負荷を、著しく低減することができる。節約した熱収支を他の処理に適用してもよいし、ドーパント領域をいっそう精密に規定して形成できるようにするために利用してもよく、その結果、デバイスパラメータの変動が低減されるようになる。
犠牲層１９２は除去してかまわない。少なくとも第１メサ側壁１０４に沿って、ゲート誘電体１５１を形成することができる。ゲート電極１５５によって、第１メサ側壁１０４と隣接するトレンチ１５０ａの少なくとも一部分を充填することができ、これによってトレンチ１５０ａ内にトレンチゲート構造１５０が形成される。
図５Ｄにはトレンチゲート構造１５０が示されており、これによればゲート電極１５５が、ゲート誘電体１５１により半導体基板５０２の半導体材料から分離されている。図５Ｃに示したように犠牲層１９２を形成し、これを除去することによって、意図することなく異なったドーピング濃度で第１メサ側壁１０４に隣接する領域が、そのまま残ってしまうことがない。半導体基板５０２から得られた半導体デバイスは、第１メサ側壁１０４に沿って均質なドーパント濃度を有しており、この半導体デバイスがオン状態のときに第１メサ側壁１０４に形成されるゲート制御型反転チャネルは、均質な電流密度を有する。
図６Ａおよび図６Ｂの半導体デバイス５００は、図１Ａ〜図１Ｂの半導体デバイス５００をベースとする炭化ケイ素ＩＧＦＥＴであり、この場合、第１負荷電極３１０によってソース端子Ｓが形成されており、または第１負荷電極３１０は、ソース端子Ｓと電気的に接続または結合されており、第２負荷電極３２０によってドレイン端子Ｄが形成されており、または第２負荷電極３２０は、ドレイン端子Ｄと電気的に接続されている。
図６Ａによれば、基本＜０００１＞結晶方向４００は、２°〜８°のオフ角αたとえば約４°のオフ角αで、図平面に対する垂線に対し僅かに傾斜している。この場合、第１主結晶方向４０１が図平面にあり、これは＜０００１＞結晶方向と直交しかつ平均表面１０１ｘに平行であり、たとえば＜１−１００＞結晶方向または＜１１−２０＞結晶方向である。さらにこの場合、＜０００１＞結晶方向と第１主結晶方向４０１の双方に直交する第２主結晶方向４０２を、図平面に対し所定のオフ角αで僅かに傾斜させることができる。第１表面１０１を平坦にしてもよい。図示されている実施形態によれば、第１表面１０１は鋸歯状である。
トレンチゲート構造１５０の長手方向軸１５９は、最小で２°たとえば最小で３°または５°、最大で３０°たとえば最大で１２°の傾斜角φだけ、第１主結晶方向４０１に対し傾斜している。メサ部１７０の第１メサ側壁１０４は、（１１−２０）結晶面または（１−１００）結晶面であり、あるいはこのような平面から、±１°を超えない大きさの角度のずれだけ偏位している。
図６Ｂの場合、＜０００１＞結晶方向は、平均表面１０１ｘに向かう法線に対しオフ角αだけ傾斜している。第１主結晶方向４０１は図平面に対し垂直であり、第２結晶方向４０２は平均表面１０１ｘに対しオフ角αだけ傾斜している。
トレンチゲート構造１５０は、側壁段差１０６を備えたストリップ状である。隣り合う側壁段差１０６間の平均距離は傾斜角φと段差の高さとに依存し、さらに段差の高さはプロセスパラメータに依存し、数ｎｍ〜数１０ｎｍないしは数１００ｎｍの範囲とすることができる。たとえば段差の高さが２０ｎｍ、傾斜角φが約１０°であれば、平均距離を約１２０ｎｍとすることができる。トレンチゲート構造１５０を、互いに等間隔で配置することができ、均一な幅をもたせることができ、さらにトランジスタセルエリアの一方の側から他方の側まで延在させることができる。
第１負荷電極３１０とゲート電極１５５との間に挟まれた中間層誘電体２１０によって、第１負荷電極３１０がゲート電極１５５から誘電的に絶縁される。たとえば中間層誘電体２１０は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ドーピングされたまたはドーピングされていないケイ酸ガラス、たとえばＢＳＧ（ホウケイ酸ガラス）、ＰＳＧ（リンケイ酸ガラス）、またはＢＰＳＧ（ホウリンケイ酸ガラス）から成る１つまたは複数の誘電層を含むことができる。
第１負荷電極３１０から中間層誘電体２１０の開口部を通って半導体ボディ１００へ、コンタクト構造３１５が延在しており、これは少なくとも少なくともソースゾーン１１０とじかに隣接している。図示されている実施形態によれば、コンタクト構造３１５は第１表面１０１上で終端している。別の実施形態によれば、コンタクト構造３１５を半導体ボディ１００内に延在させてもよい。
メサ部１７０において、ソースゾーン１１０とボディゾーン１１５とが、第１メサ側壁１０４とじかに隣接している。ダイオード領域１１６を、反対側の第２メサ側壁１０５とじかに隣接させてもよく、さらに第１表面１０１および／またはコンタクト構造３１５とじかに隣接させてもよい。ダイオード領域１１６が垂直方向に延在する長さを、トレンチゲート構造１５０が垂直方向に延在する長さよりも長くすることができ、このようにした場合、ダイオード領域１１６の一部分がトレンチゲート構造１５０の垂直方向突出部分とオーバラップし、半導体デバイス５００が阻止状態にあるときに、第２負荷電極３２０の高い電位に対し、ゲート誘電体１５１の活性部分を遮蔽する。ダイオード領域１１６は、ドリフト構造１２０とともに第３ｐｎ接合部ｐｎ３を形成しており、半導体デバイス５００に機能的に組み込まれたフライバックダイオードを形成している。さらにダイオード領域１１６によって、ボディゾーン１１５をコンタクト構造３１５と接続することができる。
ドリフト構造１２０は、電流拡散ゾーン１２２を含むことができ、このゾーンをボディゾーン１１５とじかに隣接させることができる。隣り合うダイオード領域１１６の間に電流拡散ゾーン１２２を延在させることができ、この場合、電流拡散ゾーン１２２とドリフトゾーン１２１との間のユニポーラホモ接合部は、ダイオード領域１１６とドリフトゾーン１２１との間に形成された第３ｐｎ接合部ｐｎ３よりも、第１表面まで長い距離を有することができる。電流拡散ゾーン１２２の一部分を、ダイオード領域１１６の垂直方向突出部分とオーバラップさせることができ、隣り合うダイオード領域１１６の間に延在させることができる。
電流拡散ゾーン１２２における平均正味ドーパント濃度は、ドリフトゾーン１２１における平均正味ドーパント濃度よりも、少なくとも１０倍高い。電流拡散領域１２２の低減された水平方向の抵抗によって、トランジスタセルＴＣのオン状態電流が横方向に拡散され、ドリフトゾーン１２１における電流分布がいっそう均一になる。さらに詳細な点に関しては、先に挙げた図面の説明を参照されたい。
図７Ａの場合、結晶方向は図６Ａと同じであり、図７Ｂの場合には図６Ｂと同じである。第１表面１０１を、エピタキシープロセスによって生じさせることができ、鋸歯状にすることができる。図示されている実施形態によれば、第１表面１０１は平坦である。たとえば化学機械的研磨によって、エピタキシャル層の鋸歯状の表面を平坦化することができ、パッシベーション層たとえば炭素層によって、後続の加熱プロセス中、ケイ素と炭素の原子が主結晶面に沿って再堆積するのを抑制することができる。
トレンチゲート構造１５０はゲート電極１５５のほか、ダイオードコンタクト構造３０５を含むことができる。このダイオードコンタクト構造３０５は、コンタクト構造３１５からトレンチゲート構造１５０の底部まで延在し、トレンチゲート構造１５０とドリフト構造１２０との間でトレンチゲート構造１５０の垂直方向突出部分に形成されたダイオード領域１１６と、オーミックコンタクトを形成している。
ゲート電極１５５は、第１メサ側壁１０４沿いにだけ形成されたスペーサゲートである。ゲート電極１５５とダイオードコンタクト構造３０５との間に、中間層誘電体２１０のトレンチ部分２１０ａが挟まれており、これによってゲート電極１５５とダイオードコンタクト構造３０５とが互いに絶縁されている。第２メサ側壁１０５に沿って、高濃度でドーピングされたコンタクトゾーン１１５ａにより、ボディゾーン１１５とダイオードコンタクト構造３０５との間でオーミックコンタクトを形成することができる。さらに詳細な点に関しては、先に挙げた図面の説明を参照されたい。
これまで特定の実施形態について例示し説明してきたが、当業者であれば、本発明の範囲を逸脱することなく、ここで示し説明してきた特定の実施形態の代わりに、種々の択一的なおよび／または等価の実施形態を採用することができる。本明細書は、ここで説明した特定の実施形態のどのような適合または変形であってもカバーすることを意図している。したがって本発明は、特許請求の範囲およびそれらと同等の事項によってのみ限定されることを意図している。

Claims (22)

  1. 半導体デバイスにおいて、
    水平面に平行な第１主結晶方向（４０１）を有する半導体ボディ（１００）と、
    長手方向に延在する長さが前記水平面における幅よりも長いトレンチゲート構造（１５０）と、
    隣り合う複数のトレンチゲート構造（１５０）間に位置するメサ部（１７０）と、
    を含み、
    前記トレンチゲート構造の長手方向軸（１５９）は、前記水平面において最小で２°、最大で３０°の傾斜角（φ）だけ、前記第１主結晶方向（４０１）に対し傾斜しており、
    前記メサ部（１７０）において、第１メサ側壁（１０４）の第１側壁セクション（１０４ａ）は、前記第１主結晶方向（４０１）に平行な主結晶面であり、前記第１側壁セクション（１０４ａ）に対し傾斜した第２側壁セクション（１０４ｂ）によって、複数の前記第１側壁セクション（１０４ａ）が連結されている、
    半導体デバイス。
  2. 前記水平面は、前記半導体ボディ（１００）の平均表面（１０１ｘ）に平行である、
    請求項１記載の半導体デバイス。
  3. 前記第１主結晶方向（４０１）と直交する第２主結晶方向（４０２）が、前記水平面に対し最小で２°のオフ角（α）で傾斜している、
    請求項１または２記載の半導体デバイス。
  4. 前記半導体ボディ（１００）の第１表面（１０１）は、第１表面セクション（１０１ａ）と、前記第１表面セクション（１０１ａ）に対し傾斜した第２表面セクション（１０１ｂ）と、を含み、前記第２表面セクション（１０１ｂ）によって、複数の前記第１表面セクション（１０１ａ）が連結されている、
    請求項１から３のいずれか１項記載の半導体デバイス。
  5. 前記第１表面セクション（１０１ａ）は、前記第２主結晶方向（４０２）に平行な主結晶面である、
    請求項４記載の半導体デバイス。
  6. 前記オフ角（α）は３°〜１２°の範囲にある、
    請求項１から５のいずれか１項記載の半導体デバイス。
  7. 前記傾斜角（φ）は３°〜１２°の範囲にある、
    請求項１から６のいずれか１項記載の半導体デバイス。
  8. 前記半導体ボディ（１００）は六方晶格子を有しており、前記第１主結晶方向（４０１）は、＜１１−２０＞結晶方向と＜１−１００＞結晶方向とのうちの一方である、
    請求項１から７のいずれか１項記載の半導体デバイス。
  9. 前記半導体ボディ（１００）の第１表面（１０１）は、（１−１００）結晶面により形成された第１表面セクション（１０１ａ）と、前記第１表面セクション（１０１ａ）に対し０°よりも大きい角度で傾斜した第２表面セクション（１０１ｂ）と、を含み、前記第２表面セクション（１０１ｂ）によって、複数の前記第１表面セクション（１０１ａ）が連結されている、
    請求項１から８のいずれか１項記載の半導体デバイス。
  10. 前記半導体ボディ（１００）の第１表面（１０１）は、（１１−２０）結晶面により形成された第１表面セクション（１０１ａ）と、前記第１表面セクション（１０１ａ）に対し０°よりも大きい角度で傾斜した第２表面セクション（１０１ｂ）と、を含み、前記第２表面セクション（１０１ｂ）によって、複数の前記第１表面セクション（１０１ａ）が連結されている、
    請求項１から８のいずれか１項記載の半導体デバイス。
  11. 前記半導体ボディ（１００）は、４Ｈポリタイプの炭化ケイ素をベースとしている、
    請求項１から１０のいずれか１項記載の半導体デバイス。
  12. 前記メサ部（１７０）は、ボディゾーン（１１５）を有しており、
    前記ボディゾーン（１１５）は、ドリフト構造（１２０）とともに第１ｐｎ接合部（ｐｎ１）を形成し、ソースゾーン（１１０）とともに第２ｐｎ接合部（ｐｎ２）を形成し
    前記ソースゾーン（１１０）は、前記ボディゾーン（１１５）と前記平均表面（１０１ｘ）との間に形成されている、
    請求項１から１１のいずれか１項記載の半導体デバイス。
  13. ダイオード領域（１１６）が設けられており、前記ダイオード領域（１１６）は、前記ドリフト構造（１２０）とともに第３ｐｎ接合部を形成しており、前記平均表面（１０１ｘ）と直交する垂直方向突出部分においてトレンチゲート構造（１５０）とオーバラップしている、
    請求項１２記載の半導体デバイス。
  14. 前記トレンチゲート構造（１５０）は、±１°を超えない大きさでオフ角度（α）から偏位したテーパ角（β）で先細りしている、
    請求項１から１３のいずれか１項記載の半導体デバイス。
  15. 前記トレンチゲート構造（１５０）の深さは、０．５μｍ〜２．０μｍの範囲にある、
    請求項１から１３のいずれか１項記載の半導体デバイス。
  16. 半導体デバイスの製造方法において、前記方法は、
    水平面に平行な第１主結晶方向（４０１）を有する結晶性半導体材料から成る半導体基板（５０２）に、長手方向に延在する長さが前記水平面における幅よりも長いトレンチ（１５０ａ）を形成するステップであって、前記トレンチ（１５０ａ）の長手方向軸（１５９ａ）を、前記水平面において最小で２°、最大で３０°の傾斜角（φ）で、前記第１主結晶方向（４０１）に対し傾斜させるステップと、
    前記半導体材料の原子が主結晶面に沿って再配列する温度まで、不活性雰囲気中で前記半導体基板（５０２）を加熱するステップであって、前記半導体材料の再堆積領域（１９１）によって、側壁段差（１０６）を形成し、前記側壁段差（１０６）によって、前記トレンチ（１５０ａ）の長手方向軸（１５９）と前記主結晶面との角度のずれを補償するステップと、
    複数の前記再堆積領域（１９１）を一体化する犠牲層（１９２）を形成するステップと、
    を有する、
    半導体デバイスの製造方法。
  17. 前記犠牲層（１９２）を除去するステップをさらに含む、
    請求項１６記載の方法。
  18. 前記トレンチ（１５０ａ）内にトレンチゲート構造（１５０）を形成するステップをさらに含む、
    請求項１７記載の方法。
  19. 前記トレンチ（１５０ａ）を、±１°を超えない大きさでオフ角（α）から偏位したテーパ角（β）で先細りさせるステップをさらに含む、
    請求項１６から１８のいずれか１項記載の方法。
  20. 前記半導体基板（５０２）は、六方晶格子を有しており、前記第１主結晶方向（４０１）を、＜１１−２０＞結晶方向と＜１−１００＞結晶方向のうちの一方とする、
    請求項１６から１９のいずれか１項記載の方法。
  21. 前記不活性雰囲気は、Ａｒ，Ｈ２およびＸｅのうち少なくとも１つを含む、
    請求項１６から２０のいずれか１項記載の方法。
  22. 前記不活性雰囲気は、炭化水素を含む、
    請求項１６から２１のいずれか１項記載の方法。
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