JP2016163005A - パッケージ用部品、電子部品および電子部品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
ここで、第1基板と第2基板とを接合する過程において、第1基板と第2基板とを重ね合わせた状態を「接合初期状態」という。また、重ね合わせた第1基板と第2基板との間に介在する接合材が濡れ広がる状態を「接合後期状態」という。
本発明によれば、接合材が切欠部に対応する位置において分断されているため、パッケージを形成する際に、パッケージ用部品は、接合初期状態において、第1基板の切欠部と第2基板との間に接合材が存在しない隙間を有する。このため、接合初期状態において、切欠部と第2基板との隙間を通じてガスを通流させることにより、第1基板と第2基板との接合時に生じるパッケージ内外の差圧を解消して、接合材にリークパスが形成されることを防止できる。また、接合後期状態において、接合材を濡れ広がらせることで切欠部と第2基板との隙間を閉塞することができ、パッケージ内部を気密封止することができる。しかも、切欠部が第1基板の角部に形成されているため、作業者が第1基板の切欠部と第2基板との隙間の有無を容易に視認できる。これにより、作業者は、切欠部と第2基板との隙間が閉塞されているか否かの確認を容易に行うことができる。したがって、パッケージ内部を確実に気密封止できるとともに、接合状態の確認を容易に行えるパッケージ用部品が得られる。
本発明によれば、接合材が高融点はんだであり、切欠部には金属膜が形成されているため、金属膜に対する高融点はんだの濡れ性により、切欠部と第2基板との隙間を閉塞しつつ、接合材を切欠部の金属膜上に濡れ広がらせることができる。このため、作業者は、切欠部上を濡れ広がる接合材を観察することで、切欠部と第2基板との隙間が閉塞されているか否かの確認を容易に行うことができる。したがって、接合状態の確認を容易に行える。
本発明によれば、上記のパッケージ用部品を備えることで、パッケージ内部を確実に気密封止できるとともに、接合状態の確認を容易に行える電子部品が得られる。
本発明によれば、接合工程が重ね合わせ工程と封止工程とを有するため、封止工程を行う前に切欠部と第2基板との隙間を通じてガスを通流させることでパッケージ内外の差圧を解消できる。これにより、封止工程を行う際にリークパスが形成されることを抑制できる。また、第1基板の角部に形成された切欠部と第2基板との隙間が接合材により閉塞されているか否かの確認を接合状態確認工程において確認できる。したがって、切欠部と第2基板との隙間を閉塞してパッケージ内部を確実に気密封止できるとともに、接合状態の確認を容易に行うことができる。
(電子部品)
図1は、電子部品の外観斜視図である。図2は、電子部品の分解斜視図である。図3は、図1のIII−III線における断面図である。
図1から図3に示すように、電子部品1は、内部に気密封止されたキャビティCを形成するパッケージ用部品2と、パッケージ用部品2に収容された素子3と、を備えている。
パッケージ用部品2は、重ね合わせて接合されるベース基板11(請求項の「第1基板」に相当。)およびリッド基板12(請求項の「第2基板」に相当。)と、ベース基板11に形成された切欠部13と、接合材14と、を備えている。パッケージ用部品2は、接合材14を介在させた状態でベース基板11とリッド基板12とを重ね合わせて接合することで、パッケージ10となる。なお、図2は、ベース基板11およびリッド基板12(以下、「各基板11,12」という場合がある。)の接合前の状態を示しており、接合材14が後述する加熱溶融される前の状態となっている。
また、以下の説明では、パッケージ10の厚さ方向におけるベース基板11側を下方といい、リッド基板12側を上方という。
切欠部13の表面全体には、下地金属膜17(請求項の「金属膜」に相当。)が形成されている。下地金属膜17は、上述の各電極と同様に形成され、例えば最表面が金により形成されている。
素子3は、各基板11,12が接合された状態において、キャビティC内に収容されている。素子3は、例えばCMOS−ICであって、より詳細には例えばボルテージレギュレータ等である。図2に示すように、素子3は、電子回路や電極パッド32が形成された回路面31を上方に向けた状態で、ベース基板11の上面における中央部にダイボンディング実装されている。ダイボンディング用の接着剤としては、絶縁性材料であっても導電性材料であってもよく、例えば樹脂等を用いることができる。さらに、素子3の電極パッド32は、ワイヤーボンディングによりベース基板11上の内部電極15に接続されている。ワイヤーボンディング用のワイヤーは、例えば金や金合金、銀、銀合金等が用いられる。
次に、電子部品1の製造方法について説明する。なお、以下の説明における電子部品1の各構成部品の符号については、図1から図3を参照されたい。
図4は、電子部品の製造方法を示すフローチャートである。
図4に示すように、本実施形態の電子部品1の製造方法は、ベース基板11に素子3を実装する実装工程S10と、ベース基板11とリッド基板12とを接合する接合工程S20と、切欠部13とリッド基板12との隙間を閉塞した接合材14を確認する接合状態確認工程S30と、を備えている。
実装工程S10では、予め各電極、下地金属膜17、接合下地膜18等が形成されるとともに、接合材14が配置されたベース基板11に対して、素子3をダイボンディング実装する。このとき、素子3は、回路面31がベース基板11の上面とは反対側(上側)を向くように配置される。次いで、素子3の電極パッド32とベース基板11の内部電極15とをワイヤーボンディングにより接続する。これにより、ベース基板11への素子3の実装が完了する。
接合工程S20は、接合材14を介在させてベース基板11とリッド基板12とを重ね合わせる重ね合わせ工程S21と、接合材14を加熱溶融させる加熱工程S23と、接合材14により切欠部13とリッド基板12との隙間を閉塞させる封止工程S25と、を有する。
続いて封止工程S25を行う。封止工程S25では、加熱工程S23に続き、接合材14の加熱を継続して行う。すると、図5に示すように、溶融した接合材14が、ベース基板11とリッド基板12のフランジ部12aとの間からしみ出す。これにより接合材14は、ベース基板11の切欠部13とリッド基板12のフランジ部12aとの間を閉塞するように濡れ広がるとともに、切欠部13上を濡れ広がる。このとき、切欠部13の表面には、下地金属膜17が形成されているため、溶融した接合材14は切欠部13上を容易に濡れ広がることができる。次いで、接合材14の加熱を停止し、溶融した接合材14を凝固させる。これにより、接合材14がベース基板11とリッド基板12との間において各基板11,12の外縁全周に沿うように介在する状態となり、各基板11,12はキャビティCを気密封止した状態で接合される。
なお、加熱工程S23および封止工程S25は、加熱炉内を真空雰囲気または窒素等の不活性ガス雰囲気として行ってもよい。
接合状態確認工程S30では、封止工程S25においてベース基板11の切欠部13とリッド基板12のフランジ部12aとの間を閉塞するように濡れ広がった接合材14を目視確認する。
以上により、キャビティCが気密封止された電子部品1の製造が完了する。
ここで、各基板11,12を接合する過程において、ベース基板11とリッド基板12とを重ね合わせた状態を「接合初期状態」という。また、重ね合わせたベース基板11とリッド基板12との間に介在する接合材14が濡れ広がる状態を「接合後期状態」という。
この構成によれば、接合材14が切欠部13に対応する位置において分断されているため、パッケージ10を形成する際に、パッケージ用部品2は、接合初期状態において、ベース基板11の切欠部13とリッド基板12との間に接合材14が存在しない隙間を有する。このため、接合初期状態において、切欠部13とリッド基板12との隙間を通じてガスを通流させることにより、ベース基板11とリッド基板12との接合時に生じるパッケージ10の内外の差圧を解消して、接合材14にリークパスが形成されることを防止できる。また、接合後期状態において、接合材14を濡れ広がらせることで切欠部13とリッド基板12との隙間を閉塞することができ、キャビティCを気密封止することができる。しかも、切欠部13がベース基板11の角部に形成されているため、作業者がベース基板11の切欠部13とリッド基板12のフランジ部12aとの隙間の有無を容易に視認できる。これにより、作業者は、切欠部13とリッド基板12との隙間が閉塞されているか否かの確認を容易に行うことができる。したがって、キャビティCを確実に気密封止できるとともに、接合状態の確認を容易に行えるパッケージ用部品2が得られる。
例えば、上記実施形態においては、切欠部13がベース基板11の1箇所の角部に形成されているが、これに限定されず、例えばベース基板11の複数の角部に形成されてもよい。
また、上記実施形態においては、切欠部13がベース基板11に形成されていたが、これに限定されず、切欠部がリッド基板12に形成されてもよい。
また、上記実施形態においては、接合材14は高融点はんだであったが、これに限定されず、接合材は低温焼成用の金属ペーストや低融点ガラス、接着剤等であってもよい。
また、上記実施形態においては、素子3としてボルテージレギュレータを例に挙げて説明したが、これに限定されず、例えば素子3はセンサや、センサおよびセンサ制御用回路を含む素子等であってもよい。
Claims (4)
- 重ね合わせて接合される第1基板および第2基板と、
前記第1基板の角部に形成された切欠部と、
前記第1基板および前記第2基板の重ね合わせ方向から見て、前記第1基板の外縁に沿うように配置されるとともに前記切欠部に対応する位置において分断される接合材と、
を備えることを特徴とするパッケージ用部品。 - 前記接合材は、高融点はんだであり、
前記切欠部には、金属膜が形成されている、
ことを特徴とする請求項1に記載のパッケージ用部品。 - 請求項1または2に記載のパッケージ用部品と、
前記パッケージ用部品に収容された素子と、
を備えることを特徴とする電子部品。 - 請求項3に記載の電子部品の製造方法であって、
前記第1基板および前記第2基板のうち一方に前記素子を実装する実装工程と、
前記第1基板と前記第2基板とを接合する接合工程と、
を備え、
前記接合工程は、
前記接合材を介在させて前記第1基板と前記第2基板とを重ね合わせる重ね合わせ工程と、
前記接合材により前記切欠部と前記第2基板との隙間を閉塞させる封止工程と、
前記切欠部と前記第2基板との隙間を閉塞した前記接合材を確認する接合状態確認工程と、
を有する、
ことを特徴とする電子部品の製造方法。
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