JP2016145388A - 膜厚算出方法、成膜装置およびプログラム - Google Patents
膜厚算出方法、成膜装置およびプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016145388A JP2016145388A JP2015022741A JP2015022741A JP2016145388A JP 2016145388 A JP2016145388 A JP 2016145388A JP 2015022741 A JP2015022741 A JP 2015022741A JP 2015022741 A JP2015022741 A JP 2015022741A JP 2016145388 A JP2016145388 A JP 2016145388A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mist
- film
- film thickness
- calculation method
- droplet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
Description
しかしながら、非真空プロセスはプロセスが常圧で行われることを意味し、それゆえに高品質で均一な薄膜を得るためには、前駆物質流体と雰囲気温度を注意深く制御する必要がある。よって、高度に制御可能な技術が求められており、この観点に基づいて、本発明者らは、薄膜の成膜のためのミスト状原料を用いた新規な非真空作製法であるミスト化学気相成長(CVD)法を開発している(特許文献1)。
まず、タンク中に前駆物質溶液を準備し、供給ユニットにて超音波トランスデューサーによって前駆物質溶液をミスト化する。これによりミスト液滴が形成され、このミスト液滴はキャリアガス及び希釈ガスによって供給ユニットから反応ユニットへ運ばれる。反応ユニット中の原料が熱分解及び反応することによって薄膜が作製される。
[1] 原料溶液を霧化または液滴化して生成されるミストまたは液滴を、キャリアガスでもって基体まで搬送し、ついで該基体上で該ミストまたは該液滴を反応させてなる膜の膜厚を算出する膜厚算出方法であって、前記算出に、前記ミストまたは前記液滴の消滅時間(τe)を用いることを特徴とする膜厚算出方法。
[2] 前記消滅時間(τe)が、ライデンフロスト状態の前記ミストまたは前記液滴の消滅時間である前記[1]記載の膜厚算出方法。
[6] 前記成膜を、反応律速状態で行う前記[1]〜[5]のいずれかに記載の膜厚算出方法。
[7] 前記膜が、金属膜または金属酸化膜である前記[1]〜[6]のいずれかに記載の膜厚算出方法。
[8] 前記[1]〜[7]のいずれかに記載の膜厚算出方法を用いて成膜する成膜装置。
[9] 前記[1]〜[8]のいずれかに記載の膜厚算出方法をコンピュータに実行させるプログラム。
原料溶液は、霧化または液滴化が可能な材料を含んでいれば特に限定されず、無機材料であっても、有機材料であってもよいが、本発明においては、金属または金属化合物であるのが好ましく、ガリウム、鉄、インジウム、アルミニウム、バナジウム、チタン、クロム、ロジウム、ニッケル、コバルト、亜鉛、マグネシウム、カルシウム、シリコン、イットリウム、ストロンチウムおよびバリウムから選ばれる1種または2種以上の金属を含むのがより好ましい。
前記基体は、前記膜を支持できるものであれば特に限定されない。前記基体の材料も、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されず、公知の基体であってよく、有機化合物であってもよいし、無機化合物であってもよい。前記基体の形状としては、どのような形状のものであってもよく、あらゆる形状に対して有効であり、例えば、平板や円板等の板状、繊維状、棒状、円柱状、角柱状、筒状、螺旋状、球状、リング状などが挙げられるが、本発明においては、基板が好ましい。基板の厚さは、本発明においては特に限定されない。
2 容器
3 キャリアガス
3a 流量調節弁
4 希釈ガス
4a 流量調節弁
5 オゾン
5a 流量調節弁
6 ミスト混合部
7 ヒーター
8 基板
9a 原料溶液
9b ミスト
10 供給部
11 反応部
Claims (9)
- 原料溶液を霧化または液滴化して生成されるミストまたは液滴を、キャリアガスでもって基体まで搬送し、ついで該基体上で該ミストまたは該液滴を反応させてなる膜の膜厚を算出する膜厚算出方法であって、前記算出に、前記ミストまたは前記液滴の消滅時間(τe)を用いることを特徴とする膜厚算出方法。
- 前記消滅時間(τe)が、ライデンフロスト状態の前記ミストまたは前記液滴の消滅時間である請求項1記載の膜厚算出方法。
- 前記膜厚を、下記数式を用いて算出する請求項2記載の膜厚算出方法。
- 前記消滅時間(τe)が下記数式で表される請求項3記載の膜厚算出方法。
- 前記成膜を、ファインチャネル式ミストCVDにて行う請求項1〜4のいずれかに記載の膜厚算出方法。
- 前記成膜を、反応律速状態で行う請求項1〜5のいずれかに記載の膜厚算出方法。
- 前記膜が、金属膜または金属酸化膜である請求項1〜6のいずれかに記載の膜厚算出方法。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の膜厚算出方法を用いて成膜する成膜装置。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の膜厚算出方法をコンピュータに実行させるプログラム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015022741A JP6547225B2 (ja) | 2015-02-06 | 2015-02-06 | 膜厚算出方法、成膜装置およびプログラム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015022741A JP6547225B2 (ja) | 2015-02-06 | 2015-02-06 | 膜厚算出方法、成膜装置およびプログラム |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018235458A Division JP2019070197A (ja) | 2018-12-17 | 2018-12-17 | 膜厚算出方法、成膜装置およびプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016145388A true JP2016145388A (ja) | 2016-08-12 |
JP6547225B2 JP6547225B2 (ja) | 2019-07-24 |
Family
ID=56685195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015022741A Active JP6547225B2 (ja) | 2015-02-06 | 2015-02-06 | 膜厚算出方法、成膜装置およびプログラム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6547225B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019118910A (ja) * | 2017-12-29 | 2019-07-22 | 株式会社Flosfia | 有機膜の成膜方法 |
JP2020033576A (ja) * | 2018-08-27 | 2020-03-05 | 信越化学工業株式会社 | 成膜方法 |
JP2021192439A (ja) * | 2018-12-18 | 2021-12-16 | 信越化学工業株式会社 | 金属含有膜の製造方法及び酸化ガリウム膜 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019070197A (ja) * | 2018-12-17 | 2019-05-09 | 高知県公立大学法人 | 膜厚算出方法、成膜装置およびプログラム |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009161805A (ja) * | 2007-12-29 | 2009-07-23 | Brother Ind Ltd | エアロゾルデポジション法を用いた成膜方法及び成膜装置 |
JP2013028480A (ja) * | 2011-07-27 | 2013-02-07 | Kochi Univ Of Technology | ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法 |
JP2015017027A (ja) * | 2013-10-17 | 2015-01-29 | 株式会社Flosfia | 半導体装置及びその製造方法、並びに結晶及びその製造方法 |
-
2015
- 2015-02-06 JP JP2015022741A patent/JP6547225B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009161805A (ja) * | 2007-12-29 | 2009-07-23 | Brother Ind Ltd | エアロゾルデポジション法を用いた成膜方法及び成膜装置 |
JP2013028480A (ja) * | 2011-07-27 | 2013-02-07 | Kochi Univ Of Technology | ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法 |
JP2015017027A (ja) * | 2013-10-17 | 2015-01-29 | 株式会社Flosfia | 半導体装置及びその製造方法、並びに結晶及びその製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019118910A (ja) * | 2017-12-29 | 2019-07-22 | 株式会社Flosfia | 有機膜の成膜方法 |
JP7165464B2 (ja) | 2017-12-29 | 2022-11-04 | 株式会社Flosfia | 有機膜の成膜方法 |
JP2020033576A (ja) * | 2018-08-27 | 2020-03-05 | 信越化学工業株式会社 | 成膜方法 |
WO2020044730A1 (ja) * | 2018-08-27 | 2020-03-05 | 信越化学工業株式会社 | 成膜方法 |
CN112601839A (zh) * | 2018-08-27 | 2021-04-02 | 信越化学工业株式会社 | 成膜方法 |
JP2021119614A (ja) * | 2018-08-27 | 2021-08-12 | 信越化学工業株式会社 | 成膜装置、成膜基体の製造方法、半導体膜の製造装置及び半導体膜の製造方法 |
JP7075525B2 (ja) | 2018-08-27 | 2022-05-25 | 信越化学工業株式会社 | 成膜装置、成膜基体の製造方法、半導体膜の製造装置及び半導体膜の製造方法 |
JP2021192439A (ja) * | 2018-12-18 | 2021-12-16 | 信越化学工業株式会社 | 金属含有膜の製造方法及び酸化ガリウム膜 |
JP7164685B2 (ja) | 2018-12-18 | 2022-11-01 | 信越化学工業株式会社 | 金属含有膜の成膜方法 |
JP7374282B2 (ja) | 2018-12-18 | 2023-11-06 | 信越化学工業株式会社 | ガリウム含有膜の成膜方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6547225B2 (ja) | 2019-07-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6547225B2 (ja) | 膜厚算出方法、成膜装置およびプログラム | |
Cabanas et al. | Deposition of gold films and nanostructures from supercritical carbon dioxide | |
TWI821481B (zh) | 氧化鎵膜之製造方法 | |
Oppliger et al. | Real-time kinetics of the uptake of ClONO2 on ice and in the presence of HCl in the temperature range 160 K≤ T≤ 200 K | |
Zong et al. | Deposition of copper by the H2-assisted reduction of Cu (tmod) 2 in supercritical carbon dioxide: kinetics and reaction mechanism | |
Nicolay et al. | Growth model of MOCVD polycrystalline ZnO | |
US20180297848A1 (en) | Device for manufacturing oriented carbon nanotube aggregates | |
JPWO2011151889A1 (ja) | 金属酸化膜の成膜装置、金属酸化膜の製造方法および金属酸化膜 | |
Kuzminykh et al. | High vacuum chemical vapour deposition of oxides:: A review of technique development and precursor selection | |
JP6876893B2 (ja) | 酸化イットリウム膜の製造方法 | |
JP2019070197A (ja) | 膜厚算出方法、成膜装置およびプログラム | |
Filho et al. | Mathematical modeling for the design and scale-up of a large industrial aerosol-assisted chemical vapor deposition process under uncertainty | |
JP5148743B1 (ja) | 薄膜成膜装置、薄膜成膜方法および薄膜太陽電池の製造方法 | |
Li et al. | Layer-by-layer growth of ultralong ZnO vertical wire arrays for enhanced photoelectrocatalytic activity | |
JPH0963965A (ja) | 有機金属供給装置および有機金属気相成長装置 | |
CN105908151B (zh) | 一种纳米薄膜的原子层沉积定量建模方法 | |
JP2006249566A (ja) | 膜の製造方法 | |
Elliman et al. | Controlled lateral growth of silica nanowires and coaxial nanowire heterostructures | |
Pelekh et al. | Gas-phase reaction of trimethylgallium and ammonia: Experimental determination of the equilibrium constant and ab initio calculations | |
Midani et al. | Nanofabrication via maskless localized atomic layer deposition of patterned nanoscale metal oxide films | |
JP6955260B2 (ja) | 気体供給装置 | |
CN100474515C (zh) | 半导体工艺的成膜装置以及方法 | |
JP6763577B2 (ja) | 気相成長装置及び気相成長システム | |
Burke et al. | Growth and process modeling studies of nickel-catalyzed metalorganic chemical vapor deposition of GaN nanowires | |
Guo et al. | Numerical optimization of an optical showerhead reactor design for organometallic vapor phase epitaxy |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180424 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181009 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181016 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190312 |
|
R155 | Notification before disposition of declining of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R155 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190607 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6547225 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |