JP2016116307A - 電力変換装置 - Google Patents
電力変換装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016116307A JP2016116307A JP2014252622A JP2014252622A JP2016116307A JP 2016116307 A JP2016116307 A JP 2016116307A JP 2014252622 A JP2014252622 A JP 2014252622A JP 2014252622 A JP2014252622 A JP 2014252622A JP 2016116307 A JP2016116307 A JP 2016116307A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- mosfets
- chopper
- voltage
- power converter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
Description
図7の降圧チョッパは、直流電源Eと、その正負極間に入力端子1a,1bを介して接続されたMOSFET等の半導体スイッチング素子SWとダイオードDとの直列回路と、ダイオードDの両端に接続されたリアクトルLとコンデンサCとの直列回路と、から構成され、コンデンサCの両端には出力端子2a,2bを介して抵抗等の負荷Rが接続されている。また、図8の昇圧チョッパは、図7に対してスイッチング素子SW、ダイオードD及びリアクトルLの接続位置が異なっている。
更に、図9の昇降圧チョッパは、スイッチング素子SWのデューティ比を制御することにより直流電源Eの電圧を昇降圧して負荷Rに供給するものであり、電源電圧と負荷Rへの供給電圧とは極性が逆になる。
この3レベルチョッパの動作は、特許文献1に記載されているため詳述を省略するが、例えば、直流電源Eを昇圧して負荷Rに供給する場合には、スイッチング素子SW2,SW3を所定のデューティ比で交互にオン・オフすることにより結合リアクトルL0へのエネルギーの蓄積、放出を繰り返し、コンデンサC1,C2の電圧をそれぞれVout/2(Voutは負荷Rへの印加電圧であり、直流電源Eの電圧より大きい)に制御して昇圧動作を行う。
その際、ダイオードに流れる順方向の電流とダイオードの両端電圧との積に比例したジュール熱が発生し、電力が消費される。この消費電力を時間的に積分したものが損失であり、ダイオードまたは整流素子の通流損失、導通損失等と称されている。
ダイオードの順方向電流は、両端電圧がオフセット電圧以上の値になった状態で立ち上がり、以降は、オフセット電圧と、微分抵抗と電流との積に応じた電圧との和を電圧降下として電流が流れる。このため、ダイオードでは、微分抵抗が同等であるMOSFET等に比べて、同じ順方向電流を流す際の順方向電圧が大きくなり、結果として通流損失が大きくなる。
上記のデッドタイムは、MOSFETSW2,SW3及びSW1,SW4が同時にオンすることがないような尤度を持たせた最小限の時間に設定されており、MOSFETSW1,SW4の逆導通の期間に比べると非常に短いものである。
このように、MOSFETには逆導通特性があり、しかも寄生ダイオードを有効活用できるため、同期整流に適した素子ということができる。
このため、整流部のMOSFETの逆導通期間に比べてデッドタイムの比率が大きくなり、また、単位時間当たりでもデッドタイムの占める期間が動作周波数に比例して増加することになる。すなわち、MOSFETの寄生ダイオードに電流が流れる期間が長くなる。
一般に、MOSFETの寄生ダイオードは、電流−電圧特性が劣っており、寄生素子ではない整流部品として設計・製作されるダイオードに比べると電圧降下が大きいため、整流部における通流損失を低減させるという同期整流の効果が十分に発揮されなくなる恐れがある。
前記整流部が、FETと、前記FETに対して逆並列に接続された逆並列ダイオードと、を有し、前記スイッチング部のオフ期間に前記FETがオンすることにより、前記リアクトルから供給される電流を、前記FETのチャネル及び寄生ダイオードと前記逆並列ダイオードとに分流させるものである。
また、各実施形態に係る回路では、入力側に直流電源、出力側に抵抗等の負荷が接続されているが、直流電源の構成や負荷の種類は特に限定されない。更に、各実施形態の入出力は基本的には直流であるものの、交流的な脈動・変動成分や電圧レベルの変動を伴う可能性を排除するものではない。
また、電力変換装置の主要な回路部分(入出力端子間の回路部分)についても、各実施形態では代表的な構成を簡略的に示しており、他の部品や保護回路等、他の回路要素が存在する場合や、代替的な部品を使用する場合を排除するものではない。
図1は、第1実施形態に係る電力変換装置の回路構成図であり、チョッパ回路の整流部以外は、前述した図11と同様に構成されている。
一方、MOSFETSW1,SW2,SW3,SW4が直列に接続されており、前記コンデンサC0の両端は、結合リアクトルL0を構成するリアクトルL0P,L0Nを介して、MOSFETSW1,SW2同士の接続点と、MOSFETSW3,SW4同士の接続点と、にそれぞれ接続されている。
また、MOSFETSW1,SW2,SW3,SW4の直列回路にはコンデンサC1,C2の直列回路が並列に接続され、コンデンサC1,C2の直列回路には、出力端子2a,2bを介して抵抗等の負荷Rが接続されている。
これにより、図1の回路では、リアクトルL0P、整流部REA及びスイッチング部SWAからなる第1のチョッパ回路と、リアクトルL0N、整流部REB及びスイッチング部SWBからなる第2のチョッパ回路とにより、3レベルチョッパが構成されている。
また、整流部REA,REBのダイオードD1,D4には、SiC系やGaN系のSBD(ショットキーバリアダイオード)を用いることが望ましいが、その材料はSiCやGaNに限られるものではなく、また、SBDに限定されるものではない。
更には、スイッチング部SWAのMOSFETSW2を整流部REAのパッケージに同梱し、スイッチング部SWBのMOSFETSW3を整流部REBのパッケージに同梱しても良い。
また、スイッチング部SWA,SWBのスイッチング素子としては、MOSFETSW2,SW3以外にIGBTやHEMTを用いても良い。
なお、本実施形態及び従来技術(図11)の同期整流においてもMOSFETSW1,SW4の寄生ダイオードBD1,BD4への分流が生じるが、これらの寄生ダイオードBD1,BD4は電流−電圧特性が劣っており、寄生素子ではない製品として設計・製作されるダイオードに比べると、オフセット電圧や抵抗分が大きいため、整流部REA,REBの抵抗値低減への寄与は小さい。従って、本実施形態の上記期間における整流部REA,REBの損失は、同期整流非適用時はもとより、従来技術(図11)による同期整流適用時に比べても大幅に低減される。
従来技術(図11)の同期整流適用時におけるデッドタイムでは、もっぱら整流部のMOSFETSW1,SW4の寄生ダイオードBD1,BD4に通流する。前述したように、従来のSi系のパワー半導体素子を主体とした電力変換回路の動作周波数では、整流部のMOSFETSW1,SW4の逆導通期間に比べてデッドタイムが非常に小さいため、MOSFETの寄生ダイオードの特性が問題になることはない。しかし、本実施形態のように、ワイドバンドギャップ半導体素子からなるMOSFETを用いて電力変換装置を高周波化する場合、整流部のMOSFETの逆導通の期間に比べて、デッドタイムの期間の比率が大きくなり、単位時間当たりでもデッドタイムが占める割合が動作周波数に比例して増加する。すなわち、通常のダイオードよりも電圧降下が大きいMOSFETの寄生ダイオードへの通流期間が長くなり、同期整流時に整流部における通流損失を低減させることができない。
すなわち、電力変換装置を高周波化する場合に、チョッパ回路の整流部における通流損失を低減させるという同期整流の効果が大きく、低損失・高効率化、更には小型でパワー密度の高い電力変換装置を実現することができる。なお、本実施形態では、従来のSi系の素子を使用したり、それに見合った相対的に低い動作周波数を適用したりする場合にも効率改善の効果を得ることができる。
図2は、第2実施形態に係る電力変換装置の回路構成図である。この実施形態では、第1のチョッパ回路が、整流部REA及びスイッチング部SWAからなるハーフブリッジモジュール(2in1モジュールともいう)HBAを備え、第2のチョッパ回路が、同じく整流部REB及びスイッチング部SWBからなるハーフブリッジモジュールHBBを備えており、これらのハーフブリッジモジュールHBA,HBBが3レベルチョッパを構成している。
更に、ハーフブリッジモジュールHBB内の整流部REBは、寄生ダイオードBD4を有するMOSFETSW4と、このMOSFET SW4に対して逆並列に接続されたダイオードD4と、によって構成され、スイッチング部SWBは、寄生ダイオードBD3を有するMOSFETSW3と、このMOSFET SW3に対して逆並列に接続されたダイオードD3と、によって構成されている。
なお、前述した第1実施形態のように、整流部REA,REBのみにダイオードD1,D4を備えることにより、回路の簡素化・小型化・低コスト化が図れる一方、この第2実施形態のように、汎用性・入手性が高いハーフブリッジモジュールHBA,HBBを用いることで、低コスト化ひいては簡素化・小型化を期待することができる。従って、これらの事情に鑑み、第1実施形態または第2実施形態を適宜選択して適用すれば良い。
この実施形態では、スイッチング部SWA,SWBのスイッチング素子としてSi系の素子であるIGBTを用いている。
本発明においては、同期整流を行うことから、整流部REA,REBにはMOSFET等の逆導通可能なスイッチング素子を使用する必要があるが、スイッチング部SWA,SWBのスイッチング素子は逆導通可能な素子である必要はなく、また、整流部REA,REBのスイッチング素子と同種の素子である必要もない。更に、スイッチング部SWA,SWBのスイッチング素子は、寄生ダイオードを備えている必要がなく、また、寄生ダイオード以外のダイオードが逆並列に接続される必要もない。
2a,2b:出力端子
E:直流電源
C0,C1,C2:コンデンサ
L0:結合リアクトル
L0P,L0N:リアクトル
SWA,SWB:スイッチング部
REA,REB:整流部
SW1,SW2,SW3,SW4:MOSFET
BD1,BD2,BD3,BD4:寄生ダイオード
D1,D2,D3,D4:ダイオード
R:負荷
HBA,HBB:ハーフブリッジモジュール
Claims (5)
- リアクトルと、半導体スイッチング素子を有するスイッチング部と、整流部と、を備え、前記リアクトル、前記スイッチング部、及び前記整流部の各一端が一つの節点に接続され、かつ、前記半導体スイッチング素子のオン・オフにより直流入力電圧を所定の大きさの直流電圧に変換して出力するチョッパ回路を、少なくとも1組以上備えた電力変換装置において、
前記整流部が、FETと、前記FETに対して逆並列に接続された逆並列ダイオードと、を有し、前記スイッチング部のオフ期間に前記FETがオンすることにより、前記リアクトルから供給される電流を、前記FETのチャネル及び寄生ダイオードと前記逆並列ダイオードとに分流させることを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1に記載した電力変換装置において、
前記チョッパ回路が、昇圧チョッパ、降圧チョッパ、または昇降圧チョッパの何れかであることを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1または2に記載した電力変換装置において、
前記チョッパ回路が、3レベルチョッパであることを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1〜3の何れか1項に記載した電力変換装置において、
前記FETが、ワイドバンドギャップ半導体素子からなるMOSFETであることを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1〜4の何れか1項に記載した電力変換装置において、
前記逆並列ダイオードが、ワイドバンドギャップ半導体からなるショットキーバリアダイオードであることを特徴とする電力変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014252622A JP2016116307A (ja) | 2014-12-15 | 2014-12-15 | 電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014252622A JP2016116307A (ja) | 2014-12-15 | 2014-12-15 | 電力変換装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016116307A true JP2016116307A (ja) | 2016-06-23 |
Family
ID=56142603
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014252622A Pending JP2016116307A (ja) | 2014-12-15 | 2014-12-15 | 電力変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016116307A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008295228A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 昇圧チョッパ回路、降圧チョッパ回路及びそれを用いたdc−dcコンバータ回路 |
JP2011036020A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Daikin Industries Ltd | 電力変換装置 |
WO2012056766A1 (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-03 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
JP2013013220A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
JP2013115933A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Toshiba Corp | 半導体スイッチおよび電力変換装置 |
-
2014
- 2014-12-15 JP JP2014252622A patent/JP2016116307A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008295228A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 昇圧チョッパ回路、降圧チョッパ回路及びそれを用いたdc−dcコンバータ回路 |
JP2011036020A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Daikin Industries Ltd | 電力変換装置 |
WO2012056766A1 (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-03 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
JP2013013220A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
JP2013115933A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Toshiba Corp | 半導体スイッチおよび電力変換装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10116213B2 (en) | Semiconductor module and electric power conversion apparatus | |
JP5262101B2 (ja) | 電力変換回路 | |
US8957642B2 (en) | Enhancement mode III-nitride switch with increased efficiency and operating frequency | |
KR101229838B1 (ko) | 전력 변환 장치 | |
US8351231B2 (en) | Power conversion device | |
EP3174190A1 (en) | Three level converter | |
US10211756B2 (en) | Inverter circuit and power conversion device | |
JP5835679B1 (ja) | 電力変換回路とその適用電力変換装置 | |
JP5162685B2 (ja) | Dc/dc電圧変換装置 | |
US10554150B2 (en) | Three-level inverter | |
JP2013192297A (ja) | 電力変換装置 | |
US20110310643A1 (en) | Power conversion device | |
Raheja et al. | Applications and characterization of four quadrant GaN switch | |
JP2016144326A (ja) | 共振型dc−dcコンバータ | |
JP5726055B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP2011004243A (ja) | スイッチ回路 | |
JP2017112746A (ja) | 電力変換装置 | |
Schülting et al. | Potential of using GaN devices within air cooled bidirectional battery chargers for electric vehicles | |
JP2017017775A (ja) | 力率改善回路および電源装置 | |
JP2016059180A (ja) | スイッチング電源 | |
JPWO2016009556A1 (ja) | 車両用補助電源装置 | |
JP6264098B2 (ja) | チョッパ回路 | |
US20180109188A1 (en) | Dc-dc hybrid converter with gallium nitride and silicon transistors | |
JP2016116307A (ja) | 電力変換装置 | |
JP6167244B2 (ja) | 電力変換装置、モータ装置および逆変換器モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160614 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170419 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170615 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170808 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20171108 |