JP6167244B2 - 電力変換装置、モータ装置および逆変換器モジュール - Google Patents
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Description
2 インバータ装置
3 平滑コンデンサ
4 電流検出器
5 SiC−MOSFET
6 ゲートドライバ
7 制御回路
8 電圧検出器
10 電力変換装置
Claims (15)
- 直流電力を交流電力に変換する、ワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子を上下アームに備えた逆変換器と、前記上下アームのうち、どちら側が同期整流動作を行うかを検出する装置と、前記ワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子を駆動する駆動装置と、を備える電力変換装置であり、前記同期整流動作のうち、ターンオンの前のデッドタイムを、同期整流でない時のデッドタイムより短くする特徴を有し、前記同期整流動作のうち、ターンオフ後のデッドタイムを、同期整流でない時のデッドタイムより長くする特徴を有する、電力変換装置。
- 請求項1記載の電力変換装置であって、前記上下アームを流れる電流がどちら向きかを電流検出器を用いて判定することで、前記上下アームのどちら側が同期整流動作かを検出する、電力変換装置。
- 請求項1記載の電力変換装置であって、前記上下アームの電圧が正か負かを電圧検出器を用いて判定することで、前記上下アームのどちら側が同期整流動作かを検出する、電力変換装置。
- 請求項1記載の電力変換装置であって、前記ワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子には、逆並列の還流ダイオード素子が具備されていない逆変換器である、電力変換装置。
- 請求項1記載の電力変換装置であって、前記同期整流動作ターンオン前のデッドタイムと、前記同期整流動作ターンオフ後のデッドタイムの和が、同期整流動作でない通常のターンオン前デッドタイムと、通常のターンオフ後デッドタイムの和、以下である、電力変換装置。
- 請求項1記載の電力変換装置であって、前記ワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子は、SiC、GaN、酸化ガリウム、ダイヤモンドのいずれかで構成される、電力変換装置。
- 請求項6記載の電力変換装置であって、前記ワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子は、縦型MOSFETである、電力変換装置。
- ワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子を上下アームに備え、直流電力を交流電力に変換する逆変換器と、
前記逆変換器から交流電力が供給されるモータと、
前記上下アームのうち、どちら側が同期整流動作を行うかを検出する検出器と、
前記ワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子を駆動する駆動装置と、
前記検出器の出力を入力とし、前記同期整流動作のうち、ターンオンの前のデッドタイムを、同期整流でない時のデッドタイムより短くし、前記同期整流動作のうち、ターンオフ後のデッドタイムを、同期整流でない時のデッドタイムより長くするように前記駆動装置を制御する制御装置と、
を有するモータ装置。 - 請求項8記載のモータ装置であって、前記検出器は電流検出器である、モータ装置。
- 請求項8記載のモータ装置であって、前記検出器は電圧検出器である、モータ装置。
- 請求項8記載のモータ装置であって、前記同期整流動作ターンオン前のデッドタイムと、前記同期整流動作ターンオフ後のデッドタイムの和が、同期整流動作でない通常のターンオン前デッドタイムと、通常のターンオフ後デッドタイムの和、以下である、モータ装置。
- ワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子を上下アームに備え、直流電力を交流電力に変換する逆変換器と、
前記逆変換器から交流電力を出力する出力端子と、
前記ワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子を駆動する駆動装置と、
前記ワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子に電流が還流している場合、ターンオンの前のデッドタイムを、ターンオフ後のデッドタイムより短くするように前記駆動装置を制御する制御装置と、
を有し、
前記上下アームのうち、どちら側が還流しているかを検出する検出器を内蔵し、該検出器から前記制御装置にフィードバックをかけるか、
あるいは、
前記上下アームのうち、どちら側が還流しているかを検出する検出器からのフィードバック信号を、前記制御装置に入力するための入力端子を備える、
逆変換器モジュール。 - 請求項12記載の逆変換器モジュールであって、前記電流が還流している場合のターンオン前のデッドタイムと、ターンオフ後のデッドタイムの和が、電流が還流していない場合のターンオン前デッドタイムと、ターンオフ後デッドタイムの和、以下である、逆変換器モジュール。
- 請求項12記載の逆変換器モジュールであって、前記ワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子は、SiC、GaN、酸化ガリウム、ダイヤモンドのいずれかで構成される、逆変換器モジュール。
- 請求項14記載の逆変換器モジュールであって、前記ワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子は、縦型MOSFETである、逆変換器モジュール。
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