JP2016106395A - 回路基板用積層板、金属ベース回路基板及びパワーモジュール - Google Patents
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Abstract
Description
図1及び図2に示す回路基板用積層板1は、金属基板2の片面に絶縁層3が形成され、絶縁層3の上に金属箔4が形成された3層構造をしている。本発明の他の形態において、金属板2の両面に絶縁層3が形成され、更に各絶縁層3の上に金属箔4が形成された5層構造をしていてもよい。なお、図1及び図2において、X及びY方向は金属基板2の主面に平行であり且つ互いに直交する方向であり、Z方向はX及びY方向に対して垂直な厚さ方向である。図1には、一例として矩形上の回路基板用積層板1を示しているが、回路基板用積層板1は他の形状を有していてもよい。
同じシアネート樹脂であっても、その分子構造のタイプによって硬化物のガラス転移温度(Tg)や、力学物性が異なるが、例えば、絶縁層の耐熱性と靭性を向上させるために単に高耐熱性樹脂と強靭性樹脂を併用して用いるだけでは所望とする高耐熱性と強靭性は得られない。強靭性のビスフェノール型シアネート樹脂と、高ガラス転移温度を有するノボラック型シアネート樹脂との架橋型共重合体を形成することにより、靭性に優れ、且つ、高耐熱性の絶縁層の提供が可能となる。これは、ノボラック型シアネート樹脂とビスフェノール型シアネート樹脂の混合物が架橋型共重合体構造をとることにより、ビスフェノール型単体で用いる場合よりも高ガラス転移温度となり、一方、ノボラック型シアネート樹脂の架橋構造にビスフェノール型シアネート樹脂の柔軟な構造が加わることにより、ノボラック型単体で用いる場合よりも靭性が向上するものと推測される。靱性が向上し、また、低弾性となることにより、絶縁層における、ヒートサイクルによるはんだ接続部への応力を間接的に緩和する性能(以下、「ヒートサイクル性能」ともいう)が高まる結果、はんだ接続信頼性を向上させることが可能となる。
リン系ボレート錯体の例として、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ−p−トリルボレート、トリ−tert−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、ジ−tert−ブチルメチルホスホニウムテトラフェニルボレート、p−トリルトリフェニルホスホニウムテトラ−p−トリルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルホスフィントリフェニルボレートなどが挙げられる。
金属基板2は、可撓性を有していてもよく、可撓性を有していなくてもよい。金属基板2の厚さは、例えば、0.2−5mmの範囲内にある。
金属箔4は、例えば、単体金属又は合金からなる。金属箔4の材料としては、例えば、銅又はアルミニウムを使用することができる。金属箔4の厚さは、例えば、10〜500μmの範囲である。
まず、上述したビスフェノール型シアネート樹脂及びノボラック型シアネート樹脂と硬化促進剤を加熱混合し、その後溶剤に溶解させて溶液を得る。次に、上述した無機充填材を溶液中に分散させて分散液を得る。無機充填材は、例えば、ボールミル、三本ロール、遠心撹拌機又はビーズミルを用いて、粉砕しつつ上記溶液中に分散させてもよい。また、上記溶液に無機充填材を加えるのに先立って、この溶液にシランカップリング剤、イオン吸着剤などの添加剤を加えてもよい。
図3に示す金属ベース回路基板1´は、図1及び図2に示す回路基板用積層板から得られるものであり、金属基板2と、絶縁層3と、回路パターン4´とを含んでいる。回路パターン4´は、図1及び図2を参照しながら説明した回路基板用積層板の金属箔4をパターニングすることにより得られる。このパターニングは、例えば、金属箔4の上にマスクパターンを形成し、金属箔4の露出部をエッチングによって除去することにより得られる。金属ベース回路基板1´は、例えば、先の回路基板用積層板1の金属箔4に対して上記のパターニングを行い、必要に応じて、切断及び穴あけ加工などの加工を行うことにより得ることができる。
<組成物の調製>
合成例1:組成物1の調製
質量比が3:1になるようにビスフェノールA型シアネート樹脂(ロンザ製、「BA200」)とフェノールノボラック型シアネート樹脂(ロンザ製、「PT30」)を加熱混合し、樹脂量に対して1質量%のリン系硬化促進剤(テトラフェニルホスホニウムテトラボレート;北興化学製、「TPP−MK」)を混合した。その混合樹脂にジメチルアセトアミドを加えた樹脂固形分40質量%のシアネート樹脂溶液に対して、窒化ホウ素(水島合金鉄製、「HP−40」)と窒化アルミ(古河電子製(FAN−f30)を1:1の体積比で、樹脂固形分を基準として合計で65体積%となるよう配合し絶縁材溶液(組成物1)を作製した。
ビスフェノールA型シアネート樹脂(ロンザ製、「BA200」)とフェノールノボラック型シアネート樹脂(ロンザ製、「PT30」)の配合比を、表3に記載の通りに変更した以外は組成物1の調製方法と同様にして組成物2〜5を作製した。
質量比が3:1になるようにビスフェノールA型シアネート樹脂(ロンザ製、「BA200」)とフェノールノボラック型シアネート樹脂(ロンザ製、「PT30」)を加熱混合し、樹脂量に対して1質量%のリン系硬化促進剤(北興化学製、「TPP−MK」)を混合した。その混合樹脂にジメチルアセトアミドを加えた樹脂固形分40質量%のシアネート樹脂溶液に対して、窒化硼素(水島合金鉄製、「HP−40」)とアルミナ(昭和電工製「AS40」)を1:1の体積比で、樹脂固形分を基準として合計で65体積%となるよう配合し絶縁材溶液(組成物6)を作製した。
質量比が3:1になるようにビスフェノールA型シアネート樹脂(ロンザ製、「BA200」)とフェノールノボラック型シアネート樹脂(ロンザ製、「PT30」)を加熱混合し、樹脂量に対して1質量%の非リン系硬化促進剤(ジアザビシクロノネンテトラフェニルボレート;北興化学製「DBNK」)を混合した。その混合樹脂にジメチルアセトアミドを加えた樹脂固形分40質量%のシアネート樹脂溶液に対して、窒化硼素(水島合金鉄製、「HP−40」)とアルミナ(昭和電工製「AS40」)を1:1の体積比で、樹脂固形分を基準として合計で65体積%となるよう配合し絶縁材溶液(組成物7)を作製した。
質量比が3:1になるようにビスフェノールA型シアネート樹脂(ロンザ製、「BA200」)とフェノールノボラック型シアネート樹脂(ロンザ製、「PT30」)を加熱混合し、樹脂量に対して1質量%のリン系硬化促進剤(北興化学製、「TPP−MK」)を混合した。その混合樹脂にジメチルアセトアミドを加えた樹脂固形分40質量%のシアネート樹脂溶液に対して、窒化硼素(水島合金鉄製、「HP−40」)とシランカップリング剤(信越化学製「KBM−103」)で表面処理したアルミナを1:1の体積比で、樹脂固形分を基準として合計で65体積%となるよう配合し絶縁材溶液(組成物8)を作製した。
質量比が3:1になるようにビスフェノールA型シアネート樹脂(ロンザ製、「BA200」)とフェノールノボラック型シアネート樹脂(ロンザ製、「PT30」)を加熱混合し、樹脂量に対して1質量%の非リン系硬化促進剤(北興化学製「DBNK」)を混合した。その混合樹脂にジメチルアセトアミドを加えた樹脂固形分40質量%のシアネート樹脂溶液に対して、窒化硼素(水島合金鉄製、「HP−40」)とシランカップリング剤(信越化学製「KBM−103」)で表面処理したアルミナを1:1の体積比で、樹脂固形分を基準として合計で65体積%となるよう配合し絶縁材溶液(組成物9)を作製した。
質量比が3:1になるようにビスフェノールA型シアネート樹脂(ロンザ製、「BA200」)とフェノールノボラック型シアネート樹脂(ロンザ製、「PT30」)を加熱混合し、樹脂量に対して1質量%の非リン系硬化促進剤(北興化学製「DBNK」)を混合した。その混合樹脂にジメチルアセトアミドを加えた樹脂固形分40質量%のシアネート樹脂溶液に対して、窒化硼素(水島合金鉄製、「HP−40」)と窒化アルミ(古河電子製(FAN−f30)を1:1の体積比で、樹脂固形分を基準として合計で65体積%となるよう配合し絶縁材溶液(組成物10)を作製した。
ビスフェノールA型シアネート樹脂(ロンザ製、「BA200」)とフェノールノボラック型シアネート樹脂(ロンザ製、「PT30」)の配合比を、表3に記載の通りに変更した以外は組成物1の調製方法と同様にして組成物11〜15を作製した。
ビスフェノールA型シアネート樹脂(ロンザ製、「BA200」)と、樹脂量に対して1質量%のリン系硬化促進剤(北興化学製、「TPP−MK」)を混合した固形分40質量%のビスフェノールA型シアネート樹脂溶液(溶剤:ジメチルアセトアミド)に対して、窒化硼素(水島合金鉄製、「HP−40」)と窒化アルミ(古河電子製(FAN−f30)を1:1の体積比で、樹脂固形分を基準として合計で65体積%となるよう配合し絶縁材溶液(組成物1R)を作製した。
フェノールノボラック型シアネート樹脂(ロンザ製、「PT30」)と、樹脂量に対して1質量%のリン系硬化促進剤(北興化学製、「TPP−MK」)を混合した固形分40質量%のフェノールノボラック型シアネート樹脂溶液(溶剤:ジメチルアセトアミド)に対して、窒化硼素(水島合金鉄製、「HP−40」)と窒化アルミ(古河電子製(FAN−f30)を1:1の体積比で、樹脂固形分を基準として合計で65体積%となるよう配合し絶縁材溶液(組成物2R)を作製した。
[ガラス転移温度(Tg/℃)]
上述した方法により得られた各絶縁材溶液を、遊星式攪拌脱泡機で5分攪拌した後、厚み70μmの銅箔上に熱接着後の厚みが約100μmになるように塗布し、100℃で溶媒が無くなるまで乾燥した。この塗膜が形成された銅箔を、金属板として熱伝導率140W/mk、厚み2.0mmのアルミニウム合金板上に塗膜が中間層となるように積層し、圧力20MPa、温度250℃(但し、比較例3及び4は200℃)で熱接着した。得られた回路基板用積層板をサンプルとして、銅箔とアルミ板をケミカルエッチングして絶縁層のみを取り出した。
実施例1〜15、比較例1〜2の各樹脂組成において、無機フィラーを含まない状態で各樹脂及び硬化促進剤を溶融させた混合物を、シリコーン型に流し込み250℃(但し、比較例3及び4は200℃)で硬化させた後、2×10×41.5mmの試験片を作製し、ASTM d5045−93に従って破壊靭性値(MN/m3/2)を求めた。
上述した方法により得られた各絶縁材溶液を、遊星式攪拌脱泡機で5分攪拌した後、厚み70μmの銅箔上に熱接着後の厚みが約100μmになるように塗布し、100℃で溶媒が無くなるまで乾燥した。この塗膜が形成された銅箔を、金属板として熱伝導率140W/mk、厚み2.0mmのアルミニウム合金板上に塗膜が中間層となるように積層し、圧力20MPa、温度250℃(但し、比較例3及び4は200℃)で熱接着した。得られた回路基板用積層板をサンプルとして、吸湿耐熱性を以下の方法により評価した。
上述した方法により得られた各絶縁材溶液を、遊星式攪拌脱泡機で5分攪拌した後、厚み70μmの銅箔上に熱接着後の厚みが約100μmになるように塗布し、100℃で溶媒が無くなるまで乾燥した。この塗膜が形成された銅箔を、金属板として熱伝導率140W/mk、厚み2.0mmのアルミニウム合金板上に塗膜が中間層となるように積層し、圧力20MPa、温度250℃(但し、比較例3及び4は200℃)で熱接着した。得られた回路基板用積層板をサンプルとして、はんだ接続信頼性を以下の方法により評価した。
1’ 金属ベース回路基板
2 金属基板
3 絶縁層
4 金属箔
4’ 回路パターン
100 パワーモジュール
11 パワーデバイス
12 はんだ層
13 金属ベース回路基板
13a 回路パターン
13b 絶縁層
13c 金属基板
14 放熱シート
15 ヒートシンク
200 従来のパワーモジュール
21 パワーデバイス
22 第一はんだ層
23 回路パターン
24 セラミック基板
25 メタライズ層
26 第二はんだ層
27 金属基板
28 放熱シート
29 ヒートシンク
<組成物の調製>
合成例1:組成物1の調製
質量比が3:1になるようにビスフェノールA型シアネート樹脂(ロンザ製、「BA200」)とフェノールノボラック型シアネート樹脂(ロンザ製、「PT30」)を加熱混合し、樹脂量に対して1質量%のリン系硬化促進剤(テトラフェニルホスホニウムテトラ−p−トリルボレート;北興化学製、「TPP−MK」)を混合した。その混合樹脂にジメチルアセトアミドを加えた樹脂固形分40質量%のシアネート樹脂溶液に対して、窒化ホウ素(水島合金鉄製、「HP−40」)と窒化アルミ(古河電子製(FAN−f30)を1:1の体積比で、樹脂固形分を基準として合計で65体積%となるよう配合し絶縁材溶液(組成物1)を作製した。
Claims (10)
- 金属基板と、該金属基板の少なくとも片面に設けられた絶縁層と、該絶縁層上に設けられた金属箔とを具備する回路基板用積層板であって、前記絶縁層が、ビスフェノール型シアネート樹脂とノボラック型シアネート樹脂との架橋型共重合体及び無機充填材を含有することを特徴とする回路基板用積層板。
- 前記絶縁層に含有されるビスフェノール型シアネート樹脂とノボラック型シアネート樹脂の質量比が3:1〜1:11である、請求項1に記載の回路基板用積層板。
- 前記絶縁層が更に硬化促進剤を含有する、請求項1又は2に記載の回路基板用積層板。
- 前記硬化促進剤がボレート錯体であり、前記無機充填材としてアルミナ、表面処理されたアルミナ、窒化アルミ及び窒化ホウ素から選択される少なくとも1種を含有する、請求項3に記載の回路基板用積層板。
- 前記硬化促進剤がリン系ボレート錯体であり、前記無機充填材として表面処理されたアルミナ、窒化アルミ及び窒化ホウ素から選択される少なくとも1種を含有する、請求項4に記載の回路基板用積層板。
- 前記無機充填材として、表面処理されたアルミナ、窒化アルミ及び窒化ホウ素から選択される2種以上を含有する、請求項5に記載の回路基板用積層板。
- 前記硬化促進剤が非リン系ボレート錯体であり、前記無機充填材としてアルミナ、表面処理されたアルミナ、窒化アルミ及び窒化ホウ素から選択される少なくとも1種を含有する、請求項4に記載の回路基板用積層板。
- 前記無機充填材として、アルミナ、表面処理されたアルミナ、窒化アルミ及び窒化ホウ素から選択される2種以上を含有する、請求項7に記載の回路基板用積層板。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載の回路基板用積層板が具備する金属箔をパターニングすることによって得られる金属ベース回路基板。
- 請求項9に記載の金属ベース回路基板を備えるパワーモジュール。
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