JP2016103622A - デバイスの製造方法及びデバイス - Google Patents
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Description
本実施形態のデバイスの製造方法は、第1の面と第2の面を有する基板の第2の面側に膜を形成し、第1の面側から膜が残存するよう基板に部分的に溝を形成し、第2の面側から膜に物質を噴射し、溝が形成された箇所の第2の面側の膜を除去する。
本実施形態のデバイスの製造方法は、シリコン基板10の裏面側に金属膜ではなく、樹脂膜を備える半導体デバイスを製造する点で、第1の実施形態と異なっている。以下、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態のデバイスの製造方法は、二酸化炭素粒子にかえて、加圧された水を用いる点以外は、第1の実施形態と同様である。以下、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態のデバイスの製造方法は、二酸化炭素粒子にかえて、砥粒を含む加圧された水を用いる点以外は、第1の実施形態と同様である。以下、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態のデバイスの製造方法は、基板に部分的に溝を形成する際に、基板の一部を残存させる点で、第1の実施形態と異なる。以下、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態のデバイスの製造方法は、基板に部分的に溝を形成する際に、基板の一部を残存させる点で、第2の実施形態と異なる。以下、第2の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態のデバイスの製造方法は、基板に部分的に溝を形成する際に、膜の一部を除去する点で、第1の実施形態と異なる。以下、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態のデバイスの製造方法は、基板に部分的に溝を形成する際に、基板に部分的に溝を形成する際に、膜の一部を除去する点で、第2の実施形態と異なる。以下、第2の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
表面に複数の半導体素子、裏面に金属膜が形成されたシリコン基板のダイシングを行った。第1の実施形態と同様の方法を用いた。まず、シリコン基板の表面側からプラズマエッチング(ボッシュプロセス)により金属膜が露出するまでエッチングし、溝を形成した。その後、裏面側から二酸化炭素粒子を金属膜表面に吹き付け、溝の裏面側の金属膜を除去した。
表面に複数の半導体素子、裏面に金属膜が形成されたシリコン基板のダイシングを行った。まず、シリコン基板の表面側からプラズマエッチング(ボッシュプロセス)により金属膜が露出するまでエッチングし、溝を形成した。その後、裏面側から加圧された水を金属膜表面に吹き付け、溝の裏面側の金属膜を除去した。
表面に複数の半導体素子、裏面に金属膜が形成されたシリコン基板のダイシングを行った。まず、シリコン基板の表面側からプラズマエッチング(ボッシュプロセス)により金属膜が露出するまでエッチングし、溝を形成した。その後、裏面側から砥粒を含む加圧された水を金属膜表面に吹き付け、溝の裏面側の金属膜を除去した。金属膜は、いわゆる、アブレシブジェット加工により除去した。
表面に複数の半導体素子、裏面に金属膜が形成されたシリコン基板のダイシングを行った。ブレードダイシングによりシリコン基板と、金属膜を表面側から同時に除去した。
表面に複数の半導体素子、裏面に金属膜が形成されたシリコン基板のダイシングを行った。レーザダイシングによりシリコン基板と、金属膜を表面側から同時に除去した。
14 金属膜(膜)
20 溝
22 樹脂シート
30 樹脂膜(膜)
Claims (18)
- 第1の面と第2の面を有する基板の前記第2の面側に膜を形成し、
前記第1の面側から前記膜が残存するよう前記基板に部分的に溝を形成し、
前記第2の面側から前記膜に物質を噴射し、前記溝が形成された箇所の前記第2の面側の前記膜を除去するデバイスの製造方法。 - 前記膜は金属膜又は樹脂膜である請求項1記載のデバイスの製造方法。
- 前記物質は二酸化炭素を含む粒子である請求項1又は請求項2記載のデバイスの製造方法。
- 前記溝を形成する際に、前記膜が露出するよう前記溝を形成する請求項1乃至請求項3いずれか一項記載のデバイスの製造方法。
- 前記基板は半導体基板である請求項1乃至請求項4いずれか一項記載のデバイスの製造方法。
- 前記膜を除去する際、前記膜の前記溝側の端部の前記第2の面に対する傾斜角が、前記溝の側面の前記第2の面に対する傾斜角よりも小さくなる請求項1乃至請求項5いずれか一項記載のデバイスの製造方法。
- 前記溝を形成する際に、プラズマエッチングにより前記溝を形成する請求項1乃至請求項6いずれか一項記載のデバイスの製造方法。
- 前記溝を形成する際に、ブレードダイシングにより前記溝を形成する請求項1乃至請求項6いずれか一項記載のデバイスの製造方法。
- 前記膜を形成する前に、前記基板の前記第2の面側を除去し、前記基板を薄膜化する請求項1乃至請求項8いずれか一項記載のデバイスの製造方法。
- 前記溝を形成した後、前記膜を除去する前に、前記第1の面側に樹脂シートを貼りつけ、前記膜を除去する際に、前記樹脂シートをマスクで覆って前記物質を噴射する請求項1乃至請求項9いずれか一項記載のデバイスの製造方法。
- 前記金属膜が異種の金属の積層膜である請求項2記載のデバイスの製造方法。
- 前記デバイスは、MOSFET、IGBT、小信号系デバイス、又は、MEMSである請求項1乃至請求項11記載のデバイスの製造方法。
- 前記溝が前記第1の面側に設けられたダイシング領域に沿って形成される請求項1乃至請求項12記載のデバイスの製造方法。
- 前記粒子の平均粒径が10μm以上200μm以下である請求項3記載のデバイスの製造方法。
- 前記膜の前記溝側の端部の凹凸差が、前記溝の側面の凹凸差よりも小さい請求項1乃至請求項14いずれか一項記載のデバイスの製造方法。
- 基板と、前記基板の一方の面に設けられる金属膜又は樹脂膜の積層構造を切断して個片化したデバイスであって、
前記金属膜又は前記樹脂膜の端部の前記面に対する傾斜角が、前記基板の側面の前記面に対する傾斜角よりも小さいことを特徴とするデバイス。 - 基板と、前記基板の一方の面に設けられる金属膜又は樹脂膜の積層構造を切断して個片化したデバイスであって、
前記金属膜又は前記樹脂膜の切断面の凹凸差が前記基板の切断面の凹凸差よりも小さいことを特徴とするデバイス。 - 前記デバイスは、MOSFET、IGBT、小信号系デバイス、又は、MEMSである請求項16又は請求項17記載のデバイス。
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2015
- 2015-01-28 JP JP2015014569A patent/JP6370720B2/ja active Active
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