JP2002205268A

JP2002205268A - 薄膜除去方法および薄膜除去装置

Info

Publication number: JP2002205268A
Application number: JP2001002963A
Authority: JP
Inventors: Koji Ogawa; 孝司小川; Toshihiro Nagaoka; 利弘長岡; Manabu Futaboshi; 学二星
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2001-01-10
Filing date: 2001-01-10
Publication date: 2002-07-23

Abstract

(57)【要約】【課題】薄膜除去後の基板表面の平滑性を低下させず
に、均一な加工を可能とするとともに、加工エッジにお
ける“ぼやけ”幅も小さくすることが可能な薄膜除去方
法および薄膜除去装置を提供する。【解決手段】研磨材１２が、研磨材供給溝８ｂを通っ
て圧縮空気噴射口８ａの前まで供給され、噴出される圧
縮空気によって研磨材噴射口８ｃから薄膜が形成された
基板に対して噴射される。研磨材噴射口８ｃは矩形であ
り、その短辺である隙間ｗを５ｍｍ以上とする。また、
研磨材噴射口８ａから噴出される圧縮空気の圧力は、
１．０×１０⁵〜３．０×１０⁵Ｐａとする。表示領域の
部分には厚さｔが１０ｍｍ以下のマスク板１０をあて、
それ以外の部分の薄膜を研磨材１２によって研削除去す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に形成され
た薄膜を、研磨剤噴射装置を用いた機械的研削手法によ
って選択的に除去する薄膜除去方法および薄膜除去装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＯＡ（Office Automation）、ＦＡ（Fac
tory Automation）機器などの表示装置に用いられる薄
膜ＥＬ（Electroluminescent）ディスプレイは、自発光
ディスプレイであり、視野の広さ、視認性、コントラス
トの高さなど液晶ディスプレイにはない優れた特性を有
している。

【０００３】図６は、薄膜ＥＬディスプレイの製造方法
を示す工程図である。図６に示すように、まず、ガラス
をはじめとする基板１の表面にＩＴＯ（Indium Tin Oxi
de）などの透明電極層２を形成し、フォトエッチングを
実施して平行な帯状にパターニング加工を施す（ａ）。
さらに、表示領域のみにＳｉＯ₂，Ｓｉ₃Ｎ₄，Ａｌ₂Ｏ ₃
などから成る第１絶縁層３、ＺｎＳ：Ｍｎなどから成る
発光層４および第１絶縁層と同種の材料から成る第２絶
縁層５の多層膜を形成する（ｂ）。その上層にＡｌなど
から成る金属電極層６を形成し（ｃ）、フォトエッチン
グにより先の透明電極パターンと対向する背面電極パタ
ーンと端子電極を形成する（ｄ）。

【０００４】図７は、多層膜形成プロセスを示す図であ
る。図６（ｂ）に示すように、多層膜形成時には、最下
層の透明電極層２を表示領域外に取出せるように、第１
絶縁層／発光層／第２絶縁層の多層膜を表示領域に形成
する。ガラス基板１に透明電極層２を帯状に形成し
（ａ）、その上を枠状マスク９で覆い（ｂ）、所望の表
示領域に多層膜を形成する（マスク成膜）（ｃ）。この
マスク成膜の方法を用いて成膜する場合、マスク９で遮
蔽される部分の基板表面温度と開放された基板中央部と
の表面温度に差が生じるために、マスク９の周縁部と基
板中央部とでは形成される膜の厚みに差異が生じる。こ
れによって、輝度分布が不均一となってしまう。

【０００５】均一な輝度分布を実現するためには、基板
上全面に成膜した後、透明電極層が露出するように周縁
部を選択して除去する方法がより好ましい。選択除去を
実現する方法としては、化学的なウエットエッチングが
安価な方法として考えられるが、選択的な除去が可能
で、取扱いが容易なエッチャントが見当たらない。ま
た、ドライエッチングは製造コストが安価とはならない
ので適当ではない。特開平３−２２３９０号公報記載の
薄膜ＥＬパネルの製造方法は、形成された多層膜の表示
領域をマスクし、研磨材を噴射して機械的に周縁部を研
削除去している。

【０００６】図８は、従来の薄膜除去方法を用いた薄膜
ＥＬディスプレイの製造方法を示す工程図である。まず
工程ａで、図９の平面図が示すようにガラス基板１上に
透明電極層２をパターニング処理しておき、工程ｂで基
板の全面に第１絶縁層３、発光層４および第１絶縁層と
同種の材料から成る第２絶縁層５を積層する。工程ｃで
は、研磨材噴射装置の噴射口８から研磨材を噴射して多
層膜を機械的に研削する。また非照射部分である表示領
域には研磨材を遮蔽するために弾性を有するゴム材から
成るマスク１０を当てて保護する。図１０で破線で囲ま
れた所望の箇所１１の薄膜を除去した後、工程ｄでその
上層に図１１の平面図が示すように背面電極層６を形成
して透明電極層２が露出した部分と表示領域内とに下部
電極パターンと直交するようにパターニング処理する。
最後に工程ｅで図１２の平面図に示す貼りしろの部分で
封止ガラス７と貼り合わせる。

【０００７】図１３は、従来の薄膜除去装置に備わって
いる研磨材噴射装置の噴射口８を示す図である。図１３
（ａ）は、噴射口８の正面図で、複数の圧縮空気噴射口
８ａおよび研磨材噴射口８ｃが形成されている。図１３
（ｂ）の断面図が示すように、研磨材１２は、研磨材供
給溝８ｂを通って圧縮空気噴射口８ａの前まで供給さ
れ、噴出される圧縮空気によって研磨材噴射口８ｃから
薄膜が形成された基板に対して噴射される。表示領域の
部分にはマスク１０をあて、それ以外の部分の薄膜を研
磨材１２によって研削除去する。このとき、図１３
（ｃ）に示すようにマスク１０の近傍では充分に研削で
きず、ある加工幅をもって薄膜が残留する。特許第３０
１００９３号公報記載の噴射加工方法では、研磨材を含
むスラリーを噴出する際に、加速用圧縮空気を導入し、
加圧スラリーの持つエネルギによる速度以上に加速させ
て分散させる。またノズルプレートの間隙を０．５〜
３．０ｍｍとして均一な加工を可能としている。

【０００８】しかしながら、従来の技術では、工程ｃに
おける研磨材の噴射加工により基板表面をも研削してし
まうために基板表面の平滑性を損なってしまう。これに
よって、工程ｄの金属電極層６形成時に部分的に被覆し
きれずにピンホールを生成する問題がある。

【０００９】図１４は、基板の表面粗度とピンホール発
生数との関係を示すグラフである。横軸は基板の表面粗
さＲａ、縦軸は単位面積当たりのピンホール発生数を示
している。グラフからわかるようにＲａ値が０．５μｍ
を越えるとピンホール発生数が急激に増加するとともに
ピンホールのサイズも大きくなる。

【００１０】したがって、選択的な薄膜除去を実現する
ことと同時に基板表面への研削の影響を最小限に留める
ことが要求される。特開平４−１０４８６４号公報記載
の薄膜の除去方法では、基板表面と研磨材の噴射方向と
がなす角度を９０°未満にすることで基板表面に与える
ダメージを最小限にし、機械的研削の問題点である加工
後の表面粗度の改善を行っている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、特許第
３０１００９３号公報記載の噴射加工方法に代表される
従来の薄膜除去方法および薄膜除去装置では、研磨材に
よる加工能力が過剰であり、薄膜除去後の基板の表面粗
度が、その上層に形成する金属電極層６の厚みを越える
くらいに大きく、金属電極層６では被覆しきれずにピン
ホールが発生し、歩留まりが低下する問題がある。

【００１２】特開平４−１０４８６４号公報記載の薄膜
の除去方法では、基板表面に与えるダメージを最小限に
し、基板除去後の表面粗度の改善を行っているが、加工
の均一性および加工エッジでの膜成分の残留による加工
の“ぼやけ”の問題が発生する。これは、薄膜除去を施
したエッジ部分において多層膜を構成する各層の機械強
度差のために膜の残留が生じてしまう。つまり、透明電
極層２を構成するＩＴＯ、および第２絶縁層５を構成す
る、ＳｉＯ，ＳｉＮに比較して発光層４を構成するＺｎ
Ｓは機械強度が低く、研磨材噴射加工においても他の層
よりも容易に除かれる。しかし、さらにその下層の第１
絶縁層３については、残りやすくなってしまう。その結
果、薄膜成分の残留が加工エッジの“ぼやけ”として加
工幅を発生させる要因となる。この加工幅が広いと、各
種設計マージンを損なうために“ぼやけ”を縮小する必
要がある。

【００１３】本発明の目的は、薄膜除去後の基板表面の
平滑性を低下させずに、均一な加工を可能とするととも
に、加工エッジにおける“ぼやけ”幅も小さくすること
が可能な薄膜除去方法および薄膜除去装置を提供するこ
とである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に形成
された薄膜を、研磨剤噴射装置を用いた機械的研削手法
によって選択的に除去する薄膜除去方法において、前記
研磨材噴射装置は、隙間が５ｍｍ以上の研磨材噴射口を
有し、研磨材を１．０×１０⁵〜３．０×１０⁵Ｐａの圧
力で噴射して薄膜を除去することを特徴とする薄膜除去
方法である。

【００１５】本発明に従えば、研磨材噴射装置は、隙間
が５ｍｍ以上の研磨材噴射口を有し、研磨材を１．０×
１０⁵〜３．０×１０⁵Ｐａの圧力で噴射して薄膜を除去
するので、薄膜除去後の基板表面の平滑性を低下させず
に、均一な加工を行うことができる。

【００１６】また本発明は、前記薄膜表面に厚さが１０
ｍｍ以下のマスク板をあてることを特徴とする。

【００１７】本発明に従えば、薄膜表面に厚さが１０ｍ
ｍ以下のマスク板をあてるので、加工エッジにおける
“ぼやけ”幅を小さくすることができる。

【００１８】また本発明は、請求項１または２記載の薄
膜除去方法を用いることを特徴とするフラットディスプ
レイパネルの製造方法である。

【００１９】本発明に従えば、請求項１または２記載の
薄膜除去方法を用いてフラットディスプレイパネルを製
造するので、製造効率を向上させることができる。

【００２０】また本発明は、基板上に形成された薄膜を
選択的に除去する薄膜除去装置において、隙間が５ｍｍ
以上の研磨材噴射口を有し、研磨材を１．０×１０⁵〜
３．０×１０⁵Ｐａの圧力で噴射する研磨材噴射装置を
備えることを特徴とする薄膜除去装置である。

【００２１】本発明に従えば、隙間が５ｍｍ以上の研磨
材噴射口を有し、研磨材を１．０×１０⁵〜３．０×１
０⁵Ｐａの圧力で噴射する研磨材噴射装置を備えるの
で、薄膜除去後の基板表面の平滑性を低下させずに、均
一な加工を行うことができる。

【００２２】また本発明は、請求項４記載の薄膜除去装
置を備えることを特徴とするフラットディスプレイパネ
ルの製造装置である。

【００２３】本発明に従えば、請求項４記載の薄膜除去
装置を備えているので、フラットディスプレイパネルの
製造効率を向上させることができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の一形態で
ある薄膜除去方法および装置に用いられる研磨材噴射装
置の噴射口８を示す図である。なお、本発明の薄膜除去
方法および薄膜除去装置は、上述した従来技術の噴射口
８およびマスク板１０の厚さが異なり、それ以外は同様
であるので説明を省略する。本発明の薄膜除去装置の噴
射口８は、上述の図９の工程ｃにおいて、第１絶縁層
３、発光層４および第２絶縁層５からなる多層膜を機械
的に研削して、透明電極層２を露出させるために使用さ
れる。図１（ａ）は、噴射口８の正面図で、圧縮空気噴
射口８ａおよび研磨材噴射口８ｃが形成されている。研
磨材噴射口８ｃは矩形であり、本実施形態では、その短
辺である隙間ｗを５ｍｍ以上、１０ｍｍ以下としてい
る。隙間ｗが５ｍｍより小さい場合は、研磨材粒子どう
しの干渉による回折現象のため研磨材の噴射圧が不均一
となり、１０ｍｍより大きい場合は、噴射する圧縮空気
と研磨材粒子の量のバランスを損ない過度に研磨材を消
耗する結果となるからである。図１（ｂ）の断面図が示
すように、研磨材１２は、研磨材供給溝８ｂを通って圧
縮空気噴射口８ａの前まで供給され、噴出される圧縮空
気によって研磨材噴射口８ｃから薄膜が形成された基板
に対して噴射される。表示領域の部分にはマスク板１０
をあて、それ以外の部分の薄膜を研磨材１２によって研
削除去する。このとき研磨材噴射口８ａから噴出される
圧縮空気の圧力は、１．０×１０⁵〜３．０×１０⁵Ｐａ
とする。

【００２５】研磨材噴射口８ｃの隙間ｗを５ｍｍ以上と
して、従来技術よりも開口部分を広げることで、低い研
磨材噴射圧力で基板表面へのダメージを小さく抑えたう
えで均一な薄膜除去加工が実現できる。また、研磨材噴
射圧力が１．０×１０⁵Ｐａより低い場合は、充分に薄
膜が除去できず、加工ムラを引起こし、均一な加工を実
現することができない。３．０×１０⁵Ｐａより高い圧
力の場合は、基板表面へのダメージが大きくなり、平滑
性が大きく低下してしまう。

【００２６】図１３に示した従来の圧縮空気噴射口８ａ
は、丸穴を複数個設けた形状をとっていたが、その場
合、加工状態を均一化するためには、ある程度噴射圧力
を増す必要があり、表面粗度を悪化させる傾向にあっ
た。したがって、本発明は、加工の均一化と加工表面の
平滑性を両立させるために、噴射口の形状を矩形にして
加工サイズよりも大きく開口した形状としている。

【００２７】さらに、本発明では、マスク板１０の厚さ
ｔを３ｍｍ以上、１０ｍｍ以下としている。

【００２８】これによって、加工エッジでの膜成分の残
留による“ぼやけ”幅を大幅に低減することができる。
マスク板１０の厚さｔが１０ｍｍより大きい場合は、研
磨材１２の溜まりが起きるため、エッジに研磨材が充分
に照射されず、“ぼやけ”幅が大きくなってしまう。た
だし、研磨材１２がマスクから漏れれば、加工上の“ぼ
やけ”を新たに発生してしまうので、研磨材噴射圧に耐
え得る強度を有する厚さである３ｍｍがその下限とな
る。

【００２９】上述の薄膜除去技術をフラットディスプレ
イパネル、特には薄膜ＥＬディスプレイの製造プロセス
に応用することで、金属電極層のピンホールの発生を抑
え、歩留まりを改善するとともに、加工エッジのぼやけ
幅をこれまでより狭く制御することで、効率のよい複数
枚取りの製造が可能となる。

【００３０】（実施例）以下に本発明の実施例について
説明する。

【００３１】まず、表面粗度と加工ムラとに対する研磨
材噴射口の形状および噴射圧力の影響について実験を行
った。

【００３２】研磨材および噴射条件は、標準条件として
液体ホーニング法によりＪＩＳ規格１０００〜１２００
番のアランダム系研磨材を３〜１０％の濃度の水溶液に
希釈し、１〜２ｍ³／ｈの流量で噴射口を通して１．０
×１０⁵〜３．０×１０⁵Ｐａの噴射圧力にて噴射した。

【００３３】各実験における薄膜除去加工対象として
は、透明電極層２のパターニングを施したガラス基板１
上にＳｉＯ₂，Ｓｉ₃Ｎ₄，Ａｌ₂Ｏ₃などから成る第１絶
縁層３およびＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＳｒＳなどを母材とす
る発光層４、前記第１絶縁層３と同様の絶縁材料から成
る第２絶縁層５の多層膜を基板全面に成膜する。この薄
膜ＥＬ多層膜を形成したガラス基板１の周縁部に対して
選択的に研磨材を噴射した。このときの噴射口の送り速
度を０．５ｍ／ｍｉｎとして、照射幅を１０ｍｍにして
非照射部分には弾性を有する厚さ２０ｍｍのゴム板から
成る遮蔽マスク１０を当てた。

【００３４】噴射口の形状を以下のように変化させて比
較を行った。実験例１：開口部分のサイズ（隙間）６．５ｍｍ（長
さ）３５ｍｍ（面積）２２７．５×１０^-6ｍ² 実験例２：開口部分のサイズ（隙間）５．０ｍｍ（長
さ）３５ｍｍ（面積）１７５．０×１０^-6ｍ² 比較例１：開口部分のサイズ（隙間）３．０ｍｍ（長
さ）３５ｍｍ（面積）１０５．０×１０^-6ｍ² 比較例２：開口部分のサイズ（隙間）２．０ｍｍ（長
さ）３５ｍｍ（面積）７５．０×１０^-6ｍ² 比較例３：開口部分のサイズ４ｍｍφ×５（面積）６
２．８×１０^-6ｍ² 各実験例の結果をまとめて表１に示す。

【００３５】

【表１】

【００３６】実験例１において、表面粗度を示すＲａ値
は、噴射圧力が１．０×１０⁵Ｐａのとき０．１μｍ以
下、３．０×１０⁵Ｐａと増圧しても０．２μｍ以下と
良好であった。また“加工ムラ”は見られず、均一に加
工されていた。

【００３７】実験例２においても実験例１とほぼ同様の
結果であった。比較例１においては、目視にて薄く“加
工ムラ”が見受けられた。また平滑性も若干損なわれ、
噴射圧力が３．０×１０⁵Ｐａの場合のＲａ値が０．３
５μｍとなったため良好な条件とは言えない。

【００３８】比較例２においては、噴射圧力が１．０×
１０⁵Ｐａの場合に、加工ムラが、比較例１よりもはっ
きり見受けられた。また、噴射圧力が３．０×１０⁵Ｐ
ａの場合のＲａ値が０．５５μｍとなり、ピンホールの
発生が顕著となる０．５μｍを越える結果となった。

【００３９】比較例３においては、噴射圧力が１．０×
１０⁵Ｐａの場合に、“加工ムラ”が顕著に見受けら
れ、それらを改善すべく噴射圧力を３．０×１０⁵Ｐａ
に増加して加工を実施すると、表面粗度はＲａ値が０．
７μｍとなりピンホールが多数発生し得る結果となっ
た。

【００４０】図２は、研磨材噴射圧力と表面粗度および
加工均一性との関係を示すグラフである。図２（ａ）
は、実験例１（隙間が６．５ｍｍ）、図２（ｂ）は、比
較例２（隙間が２．０ｍｍ）の結果である。横軸は研磨
材噴射圧力、縦軸は左が表面粗さ（Ｒａ）、右が加工均
一性をそれぞれ示している。加工均一性については、目
視による評価の結果を記している。グラフからわかるよ
うに、隙間が５ｍｍ以上であれば、Ｒａ値を０．５μｍ
以下に抑えることができる。また、加工ムラも見られ
ず、均一な加工が可能である。

【００４１】次に、加工の“ぼやけ”幅に対するマスク
高さの影響について実験を行った。研磨材および噴射条
件は、標準条件として液体ホーニング法によりＪＩＳ規
格１０００〜１２００番のアランダム系研磨材を３〜１
０％の濃度の水溶液に希釈し、１〜２ｍ³／ｈの流量
で、６．５ｍｍ（隙間）×３５ｍｍ（長さ）の形状の噴
射口を通して１．０×１０⁵〜３．０×１０⁵Ｐａの噴射
圧力にて噴射した。

【００４２】各実験における薄膜除去加工対象として
は、透明電極層２のパターニングを施したガラス基板１
上にＳｉＯ₂，Ｓｉ₃Ｎ₄，Ａｌ₂Ｏ₃などから成る第１絶
縁層３およびＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＳｒＳなどを母材とす
る発光層４、前記第１絶縁層３と同様の絶縁材料から成
る第２絶縁層５の多層膜を基板全面に成膜する。この薄
膜ＥＬ多層膜を形成したガラス基板１の周縁部に対して
選択的に研磨材を噴射した。このときの噴射口の送り速
度を０．５ｍ／ｍｉｎとして、照射幅を１０ｍｍにして
非照射部分には弾性を有するゴム板から成るマスク１０
を当てた。

【００４３】マスク１０の厚さｔを以下のように変化さ
せて比較を行った。実験例１：弾性を有するゴム材から成る厚さ５ｍｍのマ
スク実験例２：同じゴム材から成る厚さ１０ｍｍのマスク比較例１：同じゴム材から成る厚さ２０ｍｍのマスク各実験例の結果をまとめて表２に示す。

【００４４】

【表２】

【００４５】実験例１においては、第１絶縁層３の残留
による加工エッジの“ぼやけ”の幅が０．５ｍｍ以下で
あり、実験例２においては“ぼやけ”幅が０．５〜０．
７ｍｍであった。また比較例１においては、“ぼやけ”
幅が１．５ｍｍ〜２．０ｍｍと大幅に広がることが判っ
た。

【００４６】図３は、マスク厚さを変化させたときの基
板表面の加工状態を示す図である。図３（ａ）は比較例
１（マスク厚さ２０ｍｍ）、図３（ｂ）は実験例１（マ
スク厚さ５ｍｍ）の加工状態を示している。図からわか
るように、マスク厚さが２０ｍｍと大きい場合は、特に
第１絶縁層３の残留部分の幅が大きくなり、透明電極層
２の露出部分が小さくなっている。これに対して、マス
ク厚さが５ｍｍと小さい場合は、第１絶縁層３、発光層
４および第２絶縁層５の残留部分が非常に小さく加工さ
れている。

【００４７】このことから図４のグラフに示すように、
マスクの厚さと“ぼやけ”幅については相関性が見受け
られ、厚さを１０ｍｍ以下とすることで、加工エッジに
おけるぼやけ幅を大幅に低減できることが判った。

【００４８】以上の実験結果をもとに薄膜ＥＬディスプ
レイパネルを作成した。製造工程は、図８と同様の工程
で行い、工程ｃにおける研磨材噴射装置の噴射口８の形
状を６．５ｍｍ（隙間）×３５ｍｍ（長さ）、マスク板
１０の厚さを５ｍｍとして薄膜除去加工を行った。

【００４９】本発明の薄膜除去方法を用いた結果、露出
された透明電極層２の表面粗度Ｒａ値は０．１μｍ以下
に抑えられており、かつ第１絶縁層３の残留による“ぼ
やけ”幅は０．５ｍｍ以下に抑えられた。

【００５０】このように表面粗度が小さく、かつ加工幅
の狭い加工を施された表面上にＡｌなどの金属電極層６
を電子ビーム蒸着などの方法を用いて成膜した。透明電
極層２のパターンと直交するパターンを形成するととも
に、透明電極パターンの露出部分にも電圧印加のための
端子形成をフォトエッチングで行った。この際、表面粗
度が小さいために金属薄膜の被膜がより完全に形成され
るため、ピンホールの発生による歩留まりの低下を抑え
られることができた。

【００５１】上下の電極パターンを形成した後、表示領
域を保護すべく掘り込み加工した封止ガラス７を樹脂で
貼合わせ、空隙にシリカゲルなどの吸湿成分を含む絶縁
オイルを注入して封止した。この貼合わせのプロセスに
おいて完全に外気から遮断するためには、封止ガラス７
を貼る接着用のエポキシ樹脂などを配置する“貼りし
ろ”に相当する位置の内側に、透湿性を有する多層膜成
膜部分を留める必要がある。図５の薄膜除去後の加工寸
法にも示すように、加工後の第１絶縁層３の残留による
“ぼやけ”幅が貼りしろ位置にかからないように制御す
る必要があるが、本発明により狭い範囲での膜除去の加
工が可能となるために、貼合わせプロセスに対するマー
ジンを拡大する効果がもたらされる。

【００５２】また１枚のガラス基板から複数のディスプ
レイパネルを取出す場合に、“ぼやけ”幅が小さいの
で、周縁部を含めたディスプレイパネルのサイズを縮小
することができる。これによって、ディスプレイパネル
の複数個取りの効率をアップすることができる。

【００５３】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、薄膜除去
後の基板表面の平滑性を低下させずに、均一な加工を行
うことができる。

【００５４】また本発明によれば、研磨材の流れを改善
することで加工エッジにおける“ぼやけ”幅を小さくす
ることができる。

【００５５】また本発明によれば、フラットディスプレ
イパネルの製造効率を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の一形態である薄膜除去方法およ
び装置に用いられる研磨材噴射装置の噴射口８を示す図
である。

【図２】研磨材噴射圧力と表面粗度および加工均一性と
の関係を示すグラフである。

【図３】マスク厚さを変化させたときの基板表面の加工
状態を示す図である。

【図４】マスク板１０の厚さとぼやけ幅との関係を示す
グラフである。

【図５】薄膜除去後の加工寸法を示す図である。

【図６】薄膜ＥＬディスプレイの製造方法を示す工程図
である。

【図７】多層膜形成プロセスを示す図である。

【図８】従来の薄膜除去方法を用いた薄膜ＥＬディスプ
レイの製造方法を示す工程図である。

【図９】工程ａを示す平面図である。

【図１０】工程ｂを示す平面図である。

【図１１】工程ｃを示す平面図である。

【図１２】工程ｅを示す平面図である。

【図１３】従来の薄膜除去装置に備わっている研磨材噴
射装置の噴射口８を示す図である。

【図１４】基板の表面租度とピンホール発生数との関係
を示すグラフである。

【符号の説明】

１ガラス基板２透明電極層３第１絶縁層４発光層５第２絶縁層６金属電極層７封止ガラス８噴射口８ａ圧縮空気噴射口８ｂ研磨材噴射口８ｃ研磨材供給溝９成膜マスク１０マスク板１２研磨材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｄ (72)発明者二星学大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内Ｆターム(参考） 5F041 AA41 AA43 CA41 CA42 CA43 CA74 CA75 CA77

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成された薄膜を、研磨剤噴射
装置を用いた機械的研削手法によって選択的に除去する
薄膜除去方法において、前記研磨材噴射装置は、隙間が５ｍｍ以上の研磨材噴射
口を有し、研磨材を１．０×１０⁵〜３．０×１０⁵Ｐａ
の圧力で噴射して薄膜を除去することを特徴とする薄膜
除去方法。
【請求項２】前記薄膜表面に厚さが１０ｍｍ以下のマ
スク板をあてることを特徴とする請求項１記載の薄膜除
去方法。
【請求項３】請求項１または２記載の薄膜除去方法を
用いることを特徴とするフラットディスプレイパネルの
製造方法。
【請求項４】基板上に形成された薄膜を選択的に除去
する薄膜除去装置において、隙間が５ｍｍ以上の研磨材噴射口を有し、研磨材を１．
０×１０⁵〜３．０×１０⁵Ｐａの圧力で噴射する研磨材
噴射装置を備えることを特徴とする薄膜除去装置。
【請求項５】請求項４記載の薄膜除去装置を備えるこ
とを特徴とするフラットディスプレイパネルの製造装
置。