JP2016100597A - 画像感知モジュールとその製造方法、及びカメラ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】画像感知モジュールを提供する。
【解決手段】画像感知モジュール１２０は、入射光を受光するための光感知領域１２１Ａ及び光感知領域を囲む周辺領域を有する画像感知器１２１と、画像感知器に位置するカバープレート１２３と、光感知領域の上方に位置するようにカバープレートに設置される光学パターン１２４と、を備える。光学パターン１２４は、光の入射方向において、それぞれ画像感知器の複数の位相差検出自動焦点画素を実質的にカバーする複数の微細構造を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、画像感知モジュールに関し、特に、カバープレートにおける光学パターンを備える画像感知モジュールとその製造方法、及びカメラ装置に関する。

半導体科学技術の進歩につれて、画像感知器は、ウエハレベルのプロセスによって製造され、また例えば、デジタルカメラ、スマートホン及びタブレットＰＣ等の電子装置に適用されるようになる。画像感知モジュールにおいて、カバープレートは、例えばほこりや外力による引っかき傷から画像感知器を保護することに用いられる。しかしながら、従来のカバープレートは、保護機能以外の他の機能を何れも提供していない。

本発明において、カバープレートに設けられた光学パターンを有するカバープレートを備える画像感知モジュールを提供する。この光学パターンは、画像感知モジュールの画像感知の品質やカラーシフトを改善する。また、この画像感知モジュールを有するカメラ装置は、例えば、主光線入射角（ｃｈｉｅｆ ｒａｙ ａｎｇｌｅ；ＣＲＡ）の増加、画像歪み補正及び焦点距離の算出精度等の効果を向上させることできる。

本発明の一態様は、入射光を受光するための光感知領域及び光感知領域を囲む周辺領域を有する画像感知器と、画像感知器に位置するカバープレートと、光感知領域の上方に位置するようにカバープレートに設置される光学パターン（ｏｐｔｉｃａｌ ｐａｔｔｅｒｎ）と、を備える画像感知モジュールを提供する。

１つ又は複数の実施例において、前記光学パターンは、光の入射方向において、それぞれ画像感知器の複数の位相差検出自動焦点（ｐｈａｓｅ ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ａｕｔｏ ｆｏｃｕｓ；ＰＤＡＦ）画素を実質的にカバーする複数の微細構造を含む。

１つ又は複数の実施例において、前記光学パターンの領域は、実質的に画像感知器の光感知領域に等しい又は画像感知器の光感知領域より大きい。

１つ又は複数の実施例において、前記光学パターンは、光の入射方向において、画像感知器の光感知領域を実質的にカバーする。

１つ又は複数の実施例において、前記画像感知モジュールは、レンズモジュールと画像感知モジュールとを位置合わせすることに用いられ、画像感知器の周辺領域の上方に位置するようにカバープレートに設置される少なくとも１つの位置合わせマークを更に備える。

本発明の別の態様は、入射光を受光するための光感知領域及び光感知領域を囲む周辺領域を有する画像感知器を提供することと、光感知領域の上方に位置するようにカバープレートに光学パターンを形成し、該光学パターンを有するカバープレートを画像感知器に取り付けることと、を備える画像感知モジュールの製造方法を提供する。

１つ又は複数の実施例において、前記光学パターンは、光の入射方向において、それぞれ画像感知器の複数の位相差検出自動焦点画素を実質的にカバーする複数の微細構造を有するように形成される。

１つ又は複数の実施例において、前記光学パターンの領域は、実質的に画像感知器の光感知領域に等しい又は画像感知器の光感知領域より大きい。

１つ又は複数の実施例において、前記光学パターンは、光の入射方向において、画像感知器の光感知領域を実質的にカバーするように形成される。

１つ又は複数の実施例において、前記方法は、レンズモジュールと画像感知モジュールとを位置合わせすることに用いられ、画像感知器の周辺領域の上方に位置するようにカバープレートに設置される少なくとも１つの位置合わせマークを更に備える。

本発明のまた他の態様は、入射光を案内するためのレンズモジュールと、レンズモジュールを透過した入射光を受光するための光感知領域及び光感知領域を囲む周辺領域を有する画像感知器と、画像感知器に位置するカバープレートと、光感知領域の上方に位置するようにカバープレートに設置される光学パターンと、を備える画像感知モジュールと、を有するカメラ装置を提供する。

１つ又は複数の実施例において、前記光学パターンは、光の入射方向において、それぞれ画像感知器の複数の位相差検出自動焦点画素を実質的にカバーする複数の微細構造を含む。

１つ又は複数の実施例において、前記光学パターンの領域は、実質的に画像感知器の光感知領域に等しい又は画像感知器の光感知領域より大きい。

１つ又は複数の実施例において、前記光学パターンは、光の入射方向において、画像感知器の光感知領域を実質的にカバーする。

１つ又は複数の実施例において、前記画像感知モジュールには、カバープレートにおける少なくとも１つの第１の位置合わせマークを更に備え、前記レンズモジュールには、第１の位置合わせマークと位置合わせするための少なくとも１つの第２の位置合わせマークを更に備える。

１つ又は複数の実施例において、前記カメラ装置は、画像感知器を取り付けるための基板を更に有する。

１つ又は複数の実施例において、前記カメラ装置は、基板における、レンズモジュールを収納するためのレンズ台座を更に有する。

１つ又は複数の実施例において、前記カメラ装置は、画像感知モジュールとレンズモジュールとの間に位置するようにレンズ台座内に設置される赤外線カットフィルタ（ｉｎｆｒａｒｅｄ ｃｕｔ−ｏｆｆ ｆｉｌｔｅｒ；ＩＲ ｃｕｔ−ｏｆｆ ｆｉｌｔｅｒ）を更に有する。

１つ又は複数の実施例において、前記基板は、プリント基板（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ；ＰＣＢ）である。

１つ又は複数の実施例において、前記基板は、フレキシブルプリント基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ；ＦＰＣ ｂｏａｒｄ）である。

本発明は、画像感知モジュールの画像感知の品質やカラーシフトを改善することができる。また、上述した画像感知モジュールを有するカメラ装置は、例えば、主光線入射角の増加、画像歪み補正及び焦点距離の算出精度等の効果を向上させることができる。

実施例及びそのメリットをより完璧に理解するために、以下、添付図面に合わせた下記説明を参照する。
本発明のある実施例によるカメラモジュールを示す模式図である。 本発明のある実施例による光学パターン、カバープレート及び画像感知器の配列を示す。 本発明のある実施例による光学パターン、カバープレート及び画像感知器の別の配列を示す。 本発明のある実施例によるカバープレートにおけるレンズモジュールと位置合わせするための位置合わせマークを示す模式図である。 本発明のある実施例による画像感知モジュールの製造方法を示す模式図である。 本発明のある実施例による画像感知モジュールの製造方法を示す模式図である。

以下、実施例によって本発明の概要を解釈する。しかしながら、本発明の実施例は、本発明をこれらの実施例に記載の何れの特定の環境、適用又は特殊の形態に限定するためのものではない。従って、実施例についての説明は、本発明の目的を詳しく解釈するためだけのものであり、本発明を限定するためのものではない。下記実施例及び図面において、本発明に直接の関係がない素子が図示されずに省略され、図面における各素子同士の寸法関係は理解しやすくすることだけに用いられ、実際の比率を限定するためのものではない。

理解されるべきなのは、本明細書において「第１の」及び「第２の」等の用語で各種の素子、部品、領域、層及び／又は部分に対して記述してもよいが、これらの用語はこれらの素子、部品、領域、層及び／又は部分を限定すべきではない。これらの用語は、素子、部品、領域、層及び／又は部分と別の素子、部品、領域、層及び／又は部分を区別するためだけのものである。

図１を参照されたい。図１は、本発明のある実施例によるカメラモジュール１００を示す模式図である。図１において、カメラモジュール１００は、基板１１０と、画像感知モジュール１２０と、レンズ台座１３０と、赤外線カットフィルタ（ｉｎｆｒａｒｅｄ ｃｕｔ−ｏｆｆ ｆｉｌｔｅｒ；ＩＲ ｃｕｔ−ｏｆｆ ｆｉｌｔｅｒ）１４０と、レンズモジュール１５０と、を有する。基板１１０は、プリント基板（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ；ＰＣＢ）、フレキシブルプリント基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ；ＦＰＣ ｂｏａｒｄ）又は類似なものであってもよい。ある実施例において、電子信号を受信して画像データに変換するための画像処理チップを基板１１０に設けてもよい。

画像感知モジュール１２０は、基板１１０に設けられる。画像感知モジュール１２０は、画像感知器１２１と、接着層１２２と、カバープレート１２３と、光学パターン１２４と、を備える。画像感知器１２１は、入射光を電子信号に変換するように配置される光感知領域１２１Ａと、光感知領域１２１Ａからの電子信号を処理するように配置される論理回路を含む周辺領域１２１Ｂ（図２と図３に示すように）と、を含む。画像感知器１２１は、相補型金属酸化膜半導体（ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ；ＣＭＯＳ）画像感知器（ＣＭＯＳ ｉｍａｇｅ ｓｅｎｓｏｒ；ＣＩＳ）又は電荷結合素子（ｃｈａｒｇｅ−ｃｏｕｐｌｅｄ ｄｅｖｉｃｅ；ＣＣＤ）画像感知器であってもよい。また、画像感知器１２１は、裏面照射型（ｂａｃｋ−ｓｉｄｅ ｉｌｌｕｍｉｎａｔｅｄ；ＢＳＩ）画像感知器又は表面照射型（ｆｒｏｎｔ−ｓｉｄｅ ｉｌｌｕｍｉｎａｔｅｄ；ＦＳＩ）画像感知器であってもよい。

画像感知モジュール１２０は、接着層１２２によって基板１１０に取り付けられる。画像感知モジュール１２０は、例えば、表面実装技術（ｓｕｒｆａｃｅ ｍｏｕｎｔ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ；ＳＭＴ）、チップオンボード（ｃｈｉｐ ｏｎ ｂｏａｒｄ；ＣＯＢ）、セラミックリードレスチップキャリア（ｃｅｒａｍｉｃ ｌｅａｄｌｅｓｓ ｃｈｉｐ ｃａｒｒｉｅｒ；ＣＬＣＣ）実装、チップスケールパッケージ（ｃｈｉｐ ｓｃａｌｅ ｐａｃｋａｇｉｎｇ；ＣＳＰ）、Ｓｉ貫通電極（ｔｈｒｏｕｇｈ ｓｉｌｉｃｏｎ ｖｉａ；ＴＳＶ）、ボールグリッドアレイ（ｂａｌｌ ｇｒｉｄ ａｒｒａｙ；ＢＧＡ）等の実装方法によって基板１１０に取り付けられてもよいが、これらに限定されない。例としては、チップオンボードの例では、画像感知器１２１に接着層１２２を付与してから、画像感知器１２１と基板１１０とを接続させるように金属引込線を接着して、画像感知器１２１と基板１１０との間の電子伝送経路を提供する。接着層１２２は、例えば、硼酸、非晶質シリコン、炭素、窒化タンタル、窒化チタン、それらの組み合わせ又は類似な材料等の誘電材料を含んでもよい。例示された実装方法については、当業者に明らかであるため、ここで詳しく記述しない。

カバープレート１２３は、画像感知器１２１に設けられる。カバープレート１２３は、例えば、ガラス、樹脂、エポキシ樹脂等の材料又はシリコンポリマー材料等の材料を含む透明構造であるが、これらに限定されない。ある実施例において、カバープレート１２３と画像感知器１２１とは、約１０μｍの間隔で離れる。

光学パターン１２４は、カバープレート１２３に設けられる。光学パターン１２４は、例えば、ガラス、樹脂、エポキシ樹脂等の材料又はシリコンポリマー材料等の材料を含む透明構造であるが、これらに限定されない。光学パターン１２４は、モノリシック（ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ）プロセス技術又はウエハレベルのプロセス技術によって製作されることができる。ある実施例において、カバープレート１２３の屈折率は、光学パターン１２４の屈折率より高い。ある実施例において、光学パターン１２４とカバープレート１２３とは、一体的な構造となるように一体化される。

レンズ台座１３０は、レンズモジュール１５０を収納するための空間を定義するように、基板１１０に設けられる。赤外線カットフィルタ１４０は、画像感知モジュール１２０とレンズモジュール１５０との間に位置するようにレンズ台座１３０に設けられており、入射光の赤外線成分の画像感知モジュール１２０への入射を回避することに用いられる。レンズモジュール１５０は、光学レンズ１５１と、レンズ鏡胴１５２と、を含む。光学レンズ１５１は、入射光を受光して画像感知モジュール１２０へ案内するように設けられる。レンズ鏡胴１５２は、光学レンズ１５１を収納するように設けられる。レンズモジュール１５０は、光学レンズ１５１の位置を調整するための制御回路（図示せず）を更に含む。

図１に示すように、レンズ台座１３０の内側領域が固定構造１３０Ａを含み、且つレンズ鏡胴１５２の外側領域が固定構造１５２Ａを含むことにより、レンズモジュール１５０がレンズ台座１３０の内の空間に固定されることができる。ある実施例において、固定構造１５２Ａ及び１３０Ａは、螺旋構造であり、ぴったり合わせるねじ山谷を個別に含む。

図２を参照されたい。図２は、本発明のある実施例による光学パターン１２４、カバープレート１２３及び画像感知器１２１の配列を示す。光の入射方向において、光学パターン１２４の端縁領域は、画像感知器１２１の光感知領域１２１Ａを実質的にカバーする。図２に示すように、光学パターン１２４の端縁部分において、光学パターン１２４の厚さは、光学パターン１２４の中心に進むにつれて縮減する。このように、光感知領域１２１Ａの周辺部分の光吸収効率を向上させることができ、それにより、レンズモジュール１５０の主光線入射角が増加し、且つ画像信号処理装置による画像歪み補正が最適化される。

図３を参照されたい。図３は、本発明のある実施例による光学パターン１２４、カバープレート１２３及び画像感知器１２１の別の配列を示す。画像感知器１２１は、焦点距離を算出するための位相差検出自動焦点（ｐｈａｓｅ ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ａｕｔｏ ｆｏｃｕｓ；ＰＤＡＦ）画素ＰＸを含む。位相差検出自動焦点画素ＰＸの使用については、当業者に明らかであるため、ここで詳しく説明しない。光学パターン１２４は、それぞれに上記の１つの位相差検出自動焦点画素ＰＸに対応する微細構造１２４Ａを含む。光の入射方向において、微細構造１２４Ａは、位相差検出自動焦点画素ＰＸをそれぞれカバーする。従って、位相差検出自動焦点画素ＰＸの入射光の吸収が増強されて、焦点距離算出の効率及び精度が向上される。

図４を参照されたい。図４は、本発明のある実施例によるカバープレート１２３におけるレンズモジュール１５０と位置合わせするための位置合わせマーク１２３Ａを示す模式図である。位置合わせマーク１２３Ａは、画像感知器１２１の入射光の吸収に影響を与えないように、画像感知器１２１の周辺領域１２１Ｂに位置する。位置合わせマーク１２３Ａは、カバープレート１２３に印刷され、付着され、又は貼り付けられてもよい。又は、位置合わせマーク１２３Ａは、光学パターン１２４と共にカバープレート１２３に形成されてもよい。光学レンズ１５１の隅には、位置合わせマーク１５１Ａを更に含む。位置合わせマーク１５１Ａ及び１２３Ａは、レンズモジュール１５０と画像感知モジュール１２０との間の相対位置に対する正確な微調整に寄与する。ある実施例において、光学レンズ１５１及びカバープレート１２３は、それぞれに１つより多くの位置合わせマーク１５１Ａ、及び１つより多くの位置合わせマーク１２３Ａを含んでもよい。

図５を参照されたい。図５は、本発明のある実施例による画像感知モジュールの製造方法５００を示す模式図である。方法５００は、工程５０２から始まり、画像感知器及びカバープレートを提供する。画像感知器は、入射光を電子信号に変換するように配置される画像感知領域と、光感知領域からの電子信号を処理するように配置される論理回路を含む周辺領域と、を含む。カバープレートは、例えば、ガラス、樹脂、エポキシ樹脂等の材料又はシリコンポリマー材料等の材料を含むように提供されてもよいが、これらに限定されない。

工程５０４において、カバープレートに光学パターンを形成する。光学パターンは、例えば、ガラス、樹脂、エポキシ樹脂等の材料又はシリコンポリマー材料等の材料を含んでもよいが、これらに限定されない。ある実施例において、光学パターンの材料は、カバープレートの材料と同じである。光学パターンは、リソグラフィーやエッチングプロセスを行うことで形成されてもよい。例えば、スピンコート（ｓｐｉｎ−ｏｎ ｃｏａｔｉｎｇ）、化学気相堆積法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）、プラズマ化学気相堆積法（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＰＥＣＶＤ）、高密度プラズマ化学気相堆積法（Ｈｉｇｈ Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｐｌａｓｍａ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＨＤＰＣＶＤ）、物理気相堆積法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＰＶＤ）、原子層堆積法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＡＬＤ）、それらの組み合わせ又は類似なプロセスによってリソグラフィーを行うことができる。ドライエッチング、ウエットエッチング又は化学的エッチング等のエッチング技術、又は他の適当なエッチング技術を用いて、エッチングプロセスを行うことができる。又は、ある実施例において、光学パターンは、レーザによる除去技術を実施することで形成されてもよい。

工程５０６において、カバープレートを画像感知器に取り付ける。このカバープレートは、ウェハー取付プロセス又は集積回路モジュールプロセスによって画像感知器に取り付けられてもよい。ある実施例において、カバープレートは、画像感知器と約１０μｍの間隔で離れるように取り付けられる。

又は、カバープレートに光学パターンを形成する前に、カバープレートを画像感知器に取り付けてもよい。図６を参照されたい。図６は、本発明のある実施例による画像感知モジュールの製造方法６００を示す模式図である。方法６００は、工程６０２から始まり、画像感知器及びカバープレートを提供する。画像感知器は、入射光を電子信号に変換するように配置される画像感知領域と、光感知領域からの電子信号を処理するように配置される論理回路を含む周辺領域と、を含む。カバープレートは、例えば、ガラス、樹脂、エポキシ樹脂等の材料又はシリコンポリマー材料等の材料を含むように提供されてもよいが、これらに限定されない。

工程６０４において、カバープレートを画像感知器に取り付ける。このカバープレートは、ウェハー取付プロセス又は集積回路モジュールプロセスによって画像感知器に取り付けられてもよい。ある実施例において、カバープレートは、画像感知器と約１０μｍの間隔で離れるように取り付けられる。

工程６０６において、カバープレートに光学パターンを形成する。光学パターンは、例えば、ガラス、樹脂、エポキシ樹脂等の材料又はシリコンポリマー材料等の材料を含んでもよいが、これらに限定されない。ある実施例において、光学パターンの材料は、カバープレートの材料と同じである。光学パターンは、リソグラフィーやエッチングプロセスを行うことで形成されてもよい。例えば、スピンコート、化学気相堆積法、プラズマ化学気相堆積法、高密度プラズマ化学気相堆積法、物理気相堆積法、原子層堆積法、それらの組み合わせ又は類似なプロセスによってリソグラフィーを行うことができる。ドライエッチング、ウエットエッチング又は化学的エッチング等のエッチング技術、又は他の適当なエッチング技術を用いて、エッチングプロセスを行うことができる。又は、ある実施例において、光学パターンは、レーザによる除去技術を実施することで形成されてもよい。

上記のように、本発明の画像感知モジュールは、カバープレートに設けられており、画像感知モジュールの画像感知の品質やカラーシフトの改善に寄与する光学パターンを有するカバープレートを含む。この画像感知モジュールを有するカメラ装置は、画像歪みを補正し、主光線入射角及び焦点距離の算出精度を向上させることができる。

本発明を実施例を用いて前述の通りに開示したが、これらは、本発明を限定するものではなく、当業者であれば、本発明の思想と範囲から逸脱しない限り、若干の変更や修正を加えることができ、したがって、本発明の保護範囲は、下記添付の特許請求の範囲で指定した内容を基準とするものである。

１００ カメラモジュール
１１０ 基板
１２０ 画像感知モジュール
１２１ 画像感知器
１２１Ａ 光感知領域
１２１Ｂ 周辺領域
１２２ 接着層
１２３ カバープレート
１２３Ａ、１５１Ａ 位置合わせマーク
１２４ 光学パターン
１２４Ａ 微細構造
１３０ レンズ台座
１３０Ａ、１５２Ａ 固定構造
１４０ 赤外線カットフィルタ
１５０ レンズモジュール
１５１ 光学レンズ
１５２ レンズ鏡胴
５００、６００ 方法
５０２、５０４、５０６、６０２、６０４、６０６ 工程
ＰＸ 位相差検出自動焦点画素

Claims (20)

1. 入射光を受光するための光感知領域及び前記光感知領域を囲む周辺領域を有する画像感知器と、
   前記画像感知器に位置するカバープレートと、
   前記光感知領域の上方に位置するように前記カバープレートに設置される光学パターン（ｏｐｔｉｃａｌ ｐａｔｔｅｒｎ）と、
   を備える画像感知モジュール。
2. 前記光学パターンは、光の入射方向において、それぞれ前記画像感知器の複数の位相差検出自動焦点（ｐｈａｓｅ ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ａｕｔｏ ｆｏｃｕｓ；ＰＤＡＦ）画素をカバーする複数の微細構造を含む請求項１に記載の画像感知モジュール。
3. 前記光学パターンの領域は、前記画像感知器の前記光感知領域に等しい又は前記画像感知器の前記光感知領域より大きい請求項１に記載の画像感知モジュール。
4. 前記光学パターンは、光の入射方向において、前記画像感知器の前記光感知領域をカバーする請求項１〜３の何れか１項に記載の画像感知モジュール。
5. レンズモジュールと前記画像感知モジュールとを位置合わせすることに用いられ、前記画像感知器の前記周辺領域の上方に位置するように前記カバープレートに設置される少なくとも１つの位置合わせマークを更に備える請求項１〜４の何れか１項に記載の画像感知モジュール。
6. 入射光を受光するための光感知領域及び前記光感知領域を囲む周辺領域を有する画像感知器を提供することと、
   前記光感知領域の上方に位置するようにカバープレートに光学パターンを形成し、該光学パターンを有するカバープレートを前記画像感知器に取り付けることと、
   を備える画像感知モジュールの製造方法。
7. 前記光学パターンは、光の入射方向において、それぞれ前記画像感知器の複数の位相差検出自動焦点画素をカバーする複数の微細構造を有するように形成される請求項６に記載の方法。
8. 前記光学パターンの領域は、前記画像感知器の前記光感知領域に等しい又は前記画像感知器の前記光感知領域より大きい請求項６に記載の方法。
9. 前記光学パターンは、光の入射方向において、前記画像感知器の前記光感知領域をカバーするように形成される請求項６〜８の何れか１項に記載の方法。
10. レンズモジュールと前記画像感知モジュールとを位置合わせすることに用いられ、前記画像感知器の前記周辺領域の上方に位置するように前記カバープレートに設置される少なくとも１つの位置合わせマークを更に備える請求項６〜９の何れか１項に記載の方法。
11. 入射光を案内するためのレンズモジュールと、
    前記レンズモジュールを透過した前記入射光を受光するための光感知領域及び前記光感知領域を囲む周辺領域を有する画像感知器と、前記画像感知器に位置するカバープレートと、前記光感知領域の上方に位置するように前記カバープレートに設置される光学パターンと、を備える画像感知モジュールと、
    を有するカメラ装置。
12. 前記光学パターンは、光の入射方向において、それぞれ前記画像感知器の複数の位相差検出自動焦点画素をカバーする複数の微細構造を含む請求項１１に記載のカメラ装置。
13. 前記光学パターンの領域は、前記画像感知器の前記光感知領域に等しい又は前記画像感知器の前記光感知領域より大きい請求項１１に記載のカメラ装置。
14. 前記光学パターンは、光の入射方向において、前記画像感知器の前記光感知領域をカバーする請求項１１〜１３の何れか１項に記載のカメラ装置。
15. 前記画像感知モジュールには、前記カバープレートにおける少なくとも１つの第１の位置合わせマークを更に備え、前記レンズモジュールには、前記第１の位置合わせマークとそれぞれ位置合わせするための少なくとも１つの第２の位置合わせマークを更に備える請求項１１〜１４の何れか１項に記載のカメラ装置。
16. 前記画像感知器を取り付けるための基板を更に有する請求項１１〜１５の何れか１項に記載のカメラ装置。
17. 前記基板における、レンズモジュールを収納するためのレンズ台座を更に有する請求項１６に記載のカメラ装置。
18. 前記画像感知モジュールと前記レンズモジュールとの間に存在するように前記レンズ台座内に位置する赤外線カットフィルタ（ｉｎｆｒａｒｅｄ ｃｕｔ−ｏｆｆ ｆｉｌｔｅｒ；ＩＲ ｃｕｔ−ｏｆｆ ｆｉｌｔｅｒ）を更に有する請求項１７に記載のカメラ装置。
19. 前記基板は、プリント基板（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ；ＰＣＢ）である請求項１６〜１８の何れか１項に記載のカメラ装置。
20. 前記基板は、フレキシブルプリント基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ；ＦＰＣ ｂｏａｒｄ）である請求項１６〜１８の何れか１項に記載のカメラ装置。
    

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