JP2016098166A5 - - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 14
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- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 claims 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims 1
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014239391A JP6478020B2 (ja) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 結晶成長用基板、結晶性積層構造体およびそれらの製造方法ならびにエピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014239391A JP6478020B2 (ja) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 結晶成長用基板、結晶性積層構造体およびそれらの製造方法ならびにエピタキシャル成長方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016098166A JP2016098166A (ja) | 2016-05-30 |
JP2016098166A5 true JP2016098166A5 (ru) | 2018-01-18 |
JP6478020B2 JP6478020B2 (ja) | 2019-03-06 |
Family
ID=56076905
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014239391A Active JP6478020B2 (ja) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 結晶成長用基板、結晶性積層構造体およびそれらの製造方法ならびにエピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6478020B2 (ru) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10989609B2 (en) * | 2017-05-09 | 2021-04-27 | Flosfia Inc. | Thermistor film and method of depositing the same |
CN109423694B (zh) | 2017-08-21 | 2022-09-09 | 株式会社Flosfia | 结晶膜、包括结晶膜的半导体装置以及制造结晶膜的方法 |
JPWO2020004250A1 (ja) * | 2018-06-26 | 2021-08-05 | 株式会社Flosfia | 結晶性酸化物膜 |
JP7404593B2 (ja) | 2018-06-26 | 2023-12-26 | 株式会社Flosfia | 成膜方法および結晶性積層構造体 |
JP6618216B2 (ja) * | 2018-10-11 | 2019-12-11 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | α−Ga2O3単結晶、α−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 |
JP2020087951A (ja) * | 2018-11-14 | 2020-06-04 | 株式会社Flosfia | 積層構造体、積層構造体を有するサーミスタ素子およびその製造方法 |
JP2020087950A (ja) * | 2018-11-14 | 2020-06-04 | 株式会社Flosfia | サーミスタ膜、サーミスタ膜を有するサーミスタ素子およびその製造方法 |
JP2020087949A (ja) * | 2018-11-14 | 2020-06-04 | 株式会社Flosfia | サーミスタ膜、サーミスタ膜を有するサーミスタ素子およびその製造方法 |
JP2020087948A (ja) * | 2018-11-14 | 2020-06-04 | 株式会社Flosfia | サーミスタ膜、サーミスタ膜を有するサーミスタ素子およびその製造方法 |
JP2020087947A (ja) * | 2018-11-14 | 2020-06-04 | 株式会社Flosfia | サーミスタ薄膜、サーミスタ薄膜を有するサーミスタ素子およびその製造方法 |
JP2020087952A (ja) * | 2018-11-14 | 2020-06-04 | 株式会社Flosfia | サーミスタ膜の製造方法 |
JP7315136B2 (ja) * | 2018-12-26 | 2023-07-26 | 株式会社Flosfia | 結晶性酸化物半導体 |
JP7315137B2 (ja) * | 2018-12-26 | 2023-07-26 | 株式会社Flosfia | 結晶性酸化物膜 |
WO2021044845A1 (ja) | 2019-09-03 | 2021-03-11 | 株式会社Flosfia | 結晶膜、結晶膜を含む半導体装置、及び結晶膜の製造方法 |
JP6842128B2 (ja) * | 2019-09-26 | 2021-03-17 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | α−Ga2O3単結晶の製造装置 |
CN114556585A (zh) | 2019-09-30 | 2022-05-27 | 株式会社Flosfia | 层叠结构体和半导体装置 |
JP7453609B2 (ja) * | 2019-11-19 | 2024-03-21 | 株式会社Flosfia | 剥離方法および結晶性酸化物膜の製造方法 |
TW202140867A (zh) * | 2020-01-10 | 2021-11-01 | 日商Flosfia股份有限公司 | 半導體裝置 |
TW202133435A (zh) * | 2020-01-10 | 2021-09-01 | 日商Flosfia股份有限公司 | 半導體裝置 |
WO2021153609A1 (ja) | 2020-01-27 | 2021-08-05 | 株式会社Flosfia | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US11694894B2 (en) | 2020-04-24 | 2023-07-04 | Flosfia Inc. | Crystalline film containing a crystalline metal oxide and method for manufacturing the same under partial pressure |
US11804519B2 (en) | 2020-04-24 | 2023-10-31 | Flosfia Inc. | Crystalline multilayer structure, semiconductor device, and method of manufacturing crystalline structure |
KR20240063901A (ko) | 2021-09-22 | 2024-05-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 성막방법, 성막장치 및 결정성 산화물막 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5353113B2 (ja) * | 2008-01-29 | 2013-11-27 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法 |
JP5295871B2 (ja) * | 2008-07-03 | 2013-09-18 | 古河機械金属株式会社 | Iii族窒化物半導体基板の製造方法 |
JP5343224B1 (ja) * | 2012-09-28 | 2013-11-13 | Roca株式会社 | 半導体装置および結晶 |
JP2017135100A (ja) * | 2016-01-21 | 2017-08-03 | 日本碍子株式会社 | リチウムイオン電池 |
-
2014
- 2014-11-26 JP JP2014239391A patent/JP6478020B2/ja active Active
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